JPS61287025A - 磁気抵抗効果型再生ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘツドInfo
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- JPS61287025A JPS61287025A JP12814685A JP12814685A JPS61287025A JP S61287025 A JPS61287025 A JP S61287025A JP 12814685 A JP12814685 A JP 12814685A JP 12814685 A JP12814685 A JP 12814685A JP S61287025 A JPS61287025 A JP S61287025A
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- magnetic
- magnetoresistive
- flux guide
- flux
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、再生感度の向上とバルクハウゼンノイズの発
生を防止したフラックスガイド型の磁気抵抗効果製再生
ヘッドに関する。
生を防止したフラックスガイド型の磁気抵抗効果製再生
ヘッドに関する。
従来、磁気抵抗効果製再生ヘッドの問題点となっていた
バルクハウゼンノイズの抑圧方法としては、特開昭５８
−２２０２４１号公報に記載のように、磁気抵抗効果素
子と同一以上の面積を有する軟磁性薄罠な磁気抵抗効果
素子と平行に絶縁層を介して薄膜堆積法によ多形成し、
この軟磁性薄属と磁気抵抗効果素子とで還流磁路を形成
して磁気抵抗効果素子の磁区分割を抑圧し、磁壁の不可
避なる非可逆的な移動により生じるバルクハウゼンノイ
ズの発生を防止する方法が知られている。
バルクハウゼンノイズの抑圧方法としては、特開昭５８
−２２０２４１号公報に記載のように、磁気抵抗効果素
子と同一以上の面積を有する軟磁性薄罠な磁気抵抗効果
素子と平行に絶縁層を介して薄膜堆積法によ多形成し、
この軟磁性薄属と磁気抵抗効果素子とで還流磁路を形成
して磁気抵抗効果素子の磁区分割を抑圧し、磁壁の不可
避なる非可逆的な移動により生じるバルクハウゼンノイ
ズの発生を防止する方法が知られている。
また、特開昭５９−５６２１０号公報に記載のように、
磁気抵抗素子部を含む強磁性薄膜からなる磁気抵抗型磁
気ヘッドにおいて、その強磁性薄膜に、前記磁気抵抗素
子部と、その電隼抵抗が並列接続となるようなストライ
プ部を形成し、磁気抵抗素子部とストライブ部とによシ
還流磁路を形成して前記特開昭５８−２２０２４１号公
報に記載のものと同様にしてパルクツ１ウゼノノイズを
制御する方法が知られている。
磁気抵抗素子部を含む強磁性薄膜からなる磁気抵抗型磁
気ヘッドにおいて、その強磁性薄膜に、前記磁気抵抗素
子部と、その電隼抵抗が並列接続となるようなストライ
プ部を形成し、磁気抵抗素子部とストライブ部とによシ
還流磁路を形成して前記特開昭５８−２２０２４１号公
報に記載のものと同様にしてパルクツ１ウゼノノイズを
制御する方法が知られている。
しかし、これらの従来技術は、パルクノ−ウゼンノイズ
を抑制すると共に感度を向上させるという点については
考慮されていなかった。
を抑制すると共に感度を向上させるという点については
考慮されていなかった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、バルク
ハウゼンノイズの発生を抑制すると共に再生感度を向上
させた磁気抵抗効果屋再生ヘッドを提供するにある。
ハウゼンノイズの発生を抑制すると共に再生感度を向上
させた磁気抵抗効果屋再生ヘッドを提供するにある。
この目的を達成するために１本発明は、ヘッドのリア部
の７ラツクスガイドに還流磁路な設け、フラックスガイ
ドの自発磁化を還流させてバルクハウゼンノイズの発生
の原因となる磁壁の発生を防止するようにした点に特徴
がある。
の７ラツクスガイドに還流磁路な設け、フラックスガイ
ドの自発磁化を還流させてバルクハウゼンノイズの発生
の原因となる磁壁の発生を防止するようにした点に特徴
がある。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による磁気抵抗効果屋再生ヘッドの一実
施例を示す斜視図であって、トラック数が２のもので、
１は非磁性基板、２，３は磁気抵抗効果素子、４，５は
リア部７ラククスガイド、６，７，８．９は導体電極、
６’、 ７’、 ８’、 ？’は導体電極６，７，８．
９と磁気抵抗効果素子２，３との接続部、１６．１７は
フロント部フラックスガイドである。
施例を示す斜視図であって、トラック数が２のもので、
１は非磁性基板、２，３は磁気抵抗効果素子、４，５は
リア部７ラククスガイド、６，７，８．９は導体電極、
６’、 ７’、 ８’、 ？’は導体電極６，７，８．
９と磁気抵抗効果素子２，３との接続部、１６．１７は
フロント部フラックスガイドである。
同図において、非磁性基板１としてはガラスあるいは非
磁性酸化物の焼結体が望ましい。磁気抵抗効果素子２．
３は非磁性基板１上に磁気抵抗変化率の大きなパーマロ
イ等を蒸着あるいはスパッタリング等によｐ真空薄膜形
成し、フォトリゾグラフ技術によシ所定寸法にパターニ
ング成形して得る。導体電極６，７，８．９はＭ等を真
空薄膜形成し、フォトリゾグラフ技術によシ所定寸法に
パターニング成形し、接続部６’ｔ７’＊８’、？’に
て磁気抵抗効果素子２，３に接続しである。
磁性酸化物の焼結体が望ましい。磁気抵抗効果素子２．
３は非磁性基板１上に磁気抵抗変化率の大きなパーマロ
イ等を蒸着あるいはスパッタリング等によｐ真空薄膜形
成し、フォトリゾグラフ技術によシ所定寸法にパターニ
ング成形して得る。導体電極６，７，８．９はＭ等を真
空薄膜形成し、フォトリゾグラフ技術によシ所定寸法に
パターニング成形し、接続部６’ｔ７’＊８’、？’に
て磁気抵抗効果素子２，３に接続しである。
その上に５ｉ０２等の絶縁膜１０．１）を形成し。
この後形成するフロント部およびリア部の各７ラツクス
ガイドによる短絡を防止しである。フロント部７ラツク
スガイド１６．１７とリア部フラックスガイド４，５は
センダスト膜、パーマロイ膜、Ｃａ系アモルファス膜等
の高透磁率材の膜を真空薄膜形成したもので、フロント
部スラックスガイドは０．３μｍの厚さ、リア部フラッ
クスガイドは２．μｍの厚さに、フォトリゾグラフ技術
によ、シ所定形状、リア部フラックスガイドでは口の字
形（あるいは環形）にパターニング形成しである。口の
字形あるいは環形の一辺は磁気抵抗効果素子２．３に一
部が重なるようにしてありリア部フラックスガイド４，
５と磁気抵抗効果素子の磁気的結合を強化しである。
ガイドによる短絡を防止しである。フロント部７ラツク
スガイド１６．１７とリア部フラックスガイド４，５は
センダスト膜、パーマロイ膜、Ｃａ系アモルファス膜等
の高透磁率材の膜を真空薄膜形成したもので、フロント
部スラックスガイドは０．３μｍの厚さ、リア部フラッ
クスガイドは２．μｍの厚さに、フォトリゾグラフ技術
によ、シ所定形状、リア部フラックスガイドでは口の字
形（あるいは環形）にパターニング形成しである。口の
字形あるいは環形の一辺は磁気抵抗効果素子２．３に一
部が重なるようにしてありリア部フラックスガイド４，
５と磁気抵抗効果素子の磁気的結合を強化しである。
次に、第１図に示した構造の磁気抵抗効果製再生ヘッド
の動作について説明する。
の動作について説明する。
第１図において、非磁性基板１の手前の面Ａは磁気テー
プ、磁気ディスク等の記録媒体との当接面であり信号磁
界は矢印Ｈのように磁気抵抗効果素子２を幅方向に磁化
する方向で磁気抵抗効果素子２に入力される。リア部フ
ラックスガイド４は磁 □気抵抗効果素子２の幅
方向の磁化を容易にし、再生感度を向上させる働きをす
る。磁気抵抗効果素子２単体では長手に対して幅が狭く
１幅方向の反磁界係数が大きくなり、幅方向に磁化され
にくくなる。磁気抵抗効果素子２のリア部に高透磁率の
７ラツクスガイドを磁気的に結合付加させることにより
、磁気抵抗効果素子２０幅方向の反磁界係数を減少させ
て幅方向の磁化を容易にしている。反磁界係数を小さく
するために磁気抵抗効果素子２の幅を広くしてしまうこ
とは、磁気抵抗効果素子２の電気抵抗値を小さくするこ
とになるという問題がある。磁気抵抗効果素子の出力Ｅ
は、その抵抗値をＲ１変化率をに、＃素子に流す電流を
！とすれば、ＥＣＭ’：ＫＲＩ であり、抵抗値Ｒを小さくすることは感度を低下させる
ことに他ならない。
プ、磁気ディスク等の記録媒体との当接面であり信号磁
界は矢印Ｈのように磁気抵抗効果素子２を幅方向に磁化
する方向で磁気抵抗効果素子２に入力される。リア部フ
ラックスガイド４は磁 □気抵抗効果素子２の幅
方向の磁化を容易にし、再生感度を向上させる働きをす
る。磁気抵抗効果素子２単体では長手に対して幅が狭く
１幅方向の反磁界係数が大きくなり、幅方向に磁化され
にくくなる。磁気抵抗効果素子２のリア部に高透磁率の
７ラツクスガイドを磁気的に結合付加させることにより
、磁気抵抗効果素子２０幅方向の反磁界係数を減少させ
て幅方向の磁化を容易にしている。反磁界係数を小さく
するために磁気抵抗効果素子２の幅を広くしてしまうこ
とは、磁気抵抗効果素子２の電気抵抗値を小さくするこ
とになるという問題がある。磁気抵抗効果素子の出力Ｅ
は、その抵抗値をＲ１変化率をに、＃素子に流す電流を
！とすれば、ＥＣＭ’：ＫＲＩ であり、抵抗値Ｒを小さくすることは感度を低下させる
ことに他ならない。
第２図および第３図は本発明の効果を対比説明するため
のフラックスガイドの考えられる態様を示した平面図で
あって、第２図（α）のように矩形のリア部フラックス
ガイド４′を設けた場合は、磁気抵抗効果素子２の幅方
向の反磁界係数を小さくして感度向上をはかることがで
きるがバルクハウゼンノイズが多発する問題がある。
のフラックスガイドの考えられる態様を示した平面図で
あって、第２図（α）のように矩形のリア部フラックス
ガイド４′を設けた場合は、磁気抵抗効果素子２の幅方
向の反磁界係数を小さくして感度向上をはかることがで
きるがバルクハウゼンノイズが多発する問題がある。
フラックスガイドはバルクハウゼンノイズが発生しない
ように単磁区構造で、その自発磁化は磁気抵抗効果素子
の長手方向に平行であることが望ましい。
ように単磁区構造で、その自発磁化は磁気抵抗効果素子
の長手方向に平行であることが望ましい。
これに対し、第２図（α）に示したような縦横比が１に
近い矩形の７ラツクスガイドでは、反磁界係数が大きい
ので単磁区にすることは困難である。例えば、第２図（
α）のようにフラックスガイド４′の磁化容易軸を磁気
抵抗効果素子の長手方向にした場合に、第２図（ｂ）に
示したように磁区分割する。このために信号磁界に対し
てのフラックスガイドの磁化過程は磁壁移動によるもの
となる。磁壁の移動は非可逆的であり、そのためにバル
クハウゼンノイズが発生することになる。
近い矩形の７ラツクスガイドでは、反磁界係数が大きい
ので単磁区にすることは困難である。例えば、第２図（
α）のようにフラックスガイド４′の磁化容易軸を磁気
抵抗効果素子の長手方向にした場合に、第２図（ｂ）に
示したように磁区分割する。このために信号磁界に対し
てのフラックスガイドの磁化過程は磁壁移動によるもの
となる。磁壁の移動は非可逆的であり、そのためにバル
クハウゼンノイズが発生することになる。
また、磁区分割しないように反磁界係数を小さくするた
めに第３図に示したような磁気抵抗効果素子２の長手方
向に長いフラックスガイド４′を設けた場合は、マルチ
トラック化したときにトラック間隔を広くしてトラック
密度を下げる問題点、もしくは重ねてクロストークが増
大する問題点がある。
めに第３図に示したような磁気抵抗効果素子２の長手方
向に長いフラックスガイド４′を設けた場合は、マルチ
トラック化したときにトラック間隔を広くしてトラック
密度を下げる問題点、もしくは重ねてクロストークが増
大する問題点がある。
本発明では、第１図に示した実施例のように７ラツクス
ガイドを口の字形あるいは環形とした形状で還流磁路１
２．１３を形成し、反磁界を大幅に低減し、磁区分割す
なわち磁壁の発生を抑止シ、バルクハウゼンノイズの発
生を防止するようにしたものである。
ガイドを口の字形あるいは環形とした形状で還流磁路１
２．１３を形成し、反磁界を大幅に低減し、磁区分割す
なわち磁壁の発生を抑止シ、バルクハウゼンノイズの発
生を防止するようにしたものである。
第４図は第１図に示した本発明の実施例における還流磁
路１２ａ３をもったリア部フラックスガイド４（５）の
上面図で、同図（、）は角の角張ったものであるが、同
図＜ｂ＞のように角を曲線状とすれば磁束をよシ滑らか
に還流させることができる。
路１２ａ３をもったリア部フラックスガイド４（５）の
上面図で、同図（、）は角の角張ったものであるが、同
図＜ｂ＞のように角を曲線状とすれば磁束をよシ滑らか
に還流させることができる。
第５図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの他の
実施例を示す斜視図であって、４，５はリア部フラック
スガイド、１２．ｉ３は還流磁路、ｉ４，１５は非磁性
層、Ａ、Ｂは接合部で、７ラツクスガイドの還流磁路を
平面的ではなく立体的に構成した例である。同図におい
て、リア部７ラツクスガイド４．５の上に非磁性層１４
．１５を形成したのち、その上にセンダス）ＩＩ、パー
マロイ漠、Ｃｏ系アモルファス膜等の高透磁率の磁性膜
を形成したもので、この外の構成は第１図に示した実施
例と同様である。第５図に示した構成において、リア部
フラックスガイド４（５）の自発磁化は接合部Ａ、還流
磁路１２αＪ、接合部Ｂを経て還流し、第１図の実施例
と同様にバルクハウゼンノイズの発生を防止することが
できる。
実施例を示す斜視図であって、４，５はリア部フラック
スガイド、１２．ｉ３は還流磁路、ｉ４，１５は非磁性
層、Ａ、Ｂは接合部で、７ラツクスガイドの還流磁路を
平面的ではなく立体的に構成した例である。同図におい
て、リア部７ラツクスガイド４．５の上に非磁性層１４
．１５を形成したのち、その上にセンダス）ＩＩ、パー
マロイ漠、Ｃｏ系アモルファス膜等の高透磁率の磁性膜
を形成したもので、この外の構成は第１図に示した実施
例と同様である。第５図に示した構成において、リア部
フラックスガイド４（５）の自発磁化は接合部Ａ、還流
磁路１２αＪ、接合部Ｂを経て還流し、第１図の実施例
と同様にバルクハウゼンノイズの発生を防止することが
できる。
第６図は本発明による磁気抵抗効果製再生ヘッドのさら
に他の実施例を示す斜視図であってフロント部フラック
スガイド１６および磁気抵抗効果素子２も縦型に還流磁
路を形成した例であり、磁気抵抗効果素子２に対して、
フロント部７ラツクスガイド１６を図示のごとく縦型に
配置し、リア部フラックスガイド４を前記実施例と同様
に還流磁路１２をもった口の字型として配置したもので
ある。この実施例によれば、フロント部およびリア部の
すべての部分におけるバルクハウゼンノイズの発生を防
止することができる。
に他の実施例を示す斜視図であってフロント部フラック
スガイド１６および磁気抵抗効果素子２も縦型に還流磁
路を形成した例であり、磁気抵抗効果素子２に対して、
フロント部７ラツクスガイド１６を図示のごとく縦型に
配置し、リア部フラックスガイド４を前記実施例と同様
に還流磁路１２をもった口の字型として配置したもので
ある。この実施例によれば、フロント部およびリア部の
すべての部分におけるバルクハウゼンノイズの発生を防
止することができる。
以上説明したように、本発明によれば、バルクハウゼン
ノイズの発生を防止すると共に感度の向上も図ることか
でき、上記従来技術の欠点を除いて優れた機能の磁気抵
抗効果型再生ヘッドを提供することができる。
ノイズの発生を防止すると共に感度の向上も図ることか
でき、上記従来技術の欠点を除いて優れた機能の磁気抵
抗効果型再生ヘッドを提供することができる。
第１図は本発明による磁気抵抗効果素子生ヘッドの一実
施例を示す斜視図、第２図と第３図は本発明の効果を対
比説明するためのフラックスガイドの考えられる態様を
示す平面図、第４図は本発明の実施例におけるフラック
スガイドの上面図、第５図は本発明による磁気抵抗効果
−型再生ヘッドの他の実施例を示す斜視図、第６図は本
発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドのさらに他の実施
例を示す斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・非磁性
基板２．３・・・・・・・・・・・−・・磁気抵抗効果
素子４．５・・・・・・・・・・・・・・・リア部７ラ
ツクスガイド６．７．Ｂ、９・・・電極 １２．１３・・・・・・・・・・・・還流磁路１４．１
５・・・・・・・・・・・・非磁性層１６ ・・・・・
・・・・・・・・・・・・・フロント部７ラツクスガイ
ドパ） （１、
施例を示す斜視図、第２図と第３図は本発明の効果を対
比説明するためのフラックスガイドの考えられる態様を
示す平面図、第４図は本発明の実施例におけるフラック
スガイドの上面図、第５図は本発明による磁気抵抗効果
−型再生ヘッドの他の実施例を示す斜視図、第６図は本
発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドのさらに他の実施
例を示す斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・非磁性
基板２．３・・・・・・・・・・・−・・磁気抵抗効果
素子４．５・・・・・・・・・・・・・・・リア部７ラ
ツクスガイド６．７．Ｂ、９・・・電極 １２．１３・・・・・・・・・・・・還流磁路１４．１
５・・・・・・・・・・・・非磁性層１６ ・・・・・
・・・・・・・・・・・・・フロント部７ラツクスガイ
ドパ） （１、
Claims (3)
- （１）磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体当接面と反対側
に磁性体のフラックスガイドを具備してなる磁気抵抗効
果型再生ヘッドにおいて、前記フラックスガイドに磁性
体の還流磁路をトラック幅方向に設けたことを特徴とす
る磁気抵抗効果型再生ヘッド。 - （２）特許請求の範囲（１）記載の磁気抵抗効果型再生
ヘッドにおいて、前記フラックスガイドの形状を口の字
状あるいは環状とすることにより還流磁路を形成したこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。 - （３）特許請求の範囲（１）記載の磁気抵抗効果型再生
ヘッドにおいて、前記フラックスガイド上に非磁性膜を
介して磁性膜を形成し、前記フラックスガイドのトラッ
ク幅方向の再端部で磁気的に結合させて還流磁路を形成
したことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12814685A JPS61287025A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12814685A JPS61287025A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287025A true JPS61287025A (ja) | 1986-12-17 |
| JPH0544090B2 JPH0544090B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=14977524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12814685A Granted JPS61287025A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0262925A2 (en) * | 1986-09-29 | 1988-04-06 | Hewlett-Packard Company | Transducer shield |
| US7068475B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-06-27 | Fujitsu Limited | Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP12814685A patent/JPS61287025A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0262925A2 (en) * | 1986-09-29 | 1988-04-06 | Hewlett-Packard Company | Transducer shield |
| US7068475B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-06-27 | Fujitsu Limited | Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544090B2 (ja) | 1993-07-05 |
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