JPH06203333A - 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06203333A JPH06203333A JP181393A JP181393A JPH06203333A JP H06203333 A JPH06203333 A JP H06203333A JP 181393 A JP181393 A JP 181393A JP 181393 A JP181393 A JP 181393A JP H06203333 A JPH06203333 A JP H06203333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- films
- soft magnetic
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いる再生専
用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに関し、磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）に印加される縦バイアス磁界が該ＭＲ素
子に非磁性中間層を介して積層された軟磁性層に漏洩す
ることを防止して、ＭＲ素子に単磁区化するに充分な縦
バイアス磁界の印加を可能にすることを目的とする。 【構成】 非磁性中間層14を介して軟磁性層21が積層さ
れ、両端部の一対の引出し導体13a, 13bにより中央部に
画定された信号検出領域12を有し、その両端部に磁区制
御用磁性膜16a, 16bを接合してなるＭＲ素子11と、その
両側にそれぞれ非磁性絶縁膜とシールド磁性体とを配置
した磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記軟磁性層
21は、少なくとも非磁性膜23を介在した２層の軟磁性膜
22, 24からなる構成とする。
用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに関し、磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）に印加される縦バイアス磁界が該ＭＲ素
子に非磁性中間層を介して積層された軟磁性層に漏洩す
ることを防止して、ＭＲ素子に単磁区化するに充分な縦
バイアス磁界の印加を可能にすることを目的とする。 【構成】 非磁性中間層14を介して軟磁性層21が積層さ
れ、両端部の一対の引出し導体13a, 13bにより中央部に
画定された信号検出領域12を有し、その両端部に磁区制
御用磁性膜16a, 16bを接合してなるＭＲ素子11と、その
両側にそれぞれ非磁性絶縁膜とシールド磁性体とを配置
した磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記軟磁性層
21は、少なくとも非磁性膜23を介在した２層の軟磁性膜
22, 24からなる構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或い
は磁気テープ装置等に用いられる磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと称する）に係り、特に磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子と称する）を用いたＭＲヘッド
に関するものである。
は磁気テープ装置等に用いられる磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと称する）に係り、特に磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子と称する）を用いたＭＲヘッド
に関するものである。
【０００２】近年、磁気ディスク装置等においては、小
型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高
密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求さ
れている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生
出力が記録媒体の速度に依存せず、小型な磁気ディスク
にも対応でき、しかも高い再生出力が得られるＭＲヘッ
ドが注目されているが、更に再生特性が良好で、信頼性
の高いＭＲヘッドが必要とされている。
型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高
密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求さ
れている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生
出力が記録媒体の速度に依存せず、小型な磁気ディスク
にも対応でき、しかも高い再生出力が得られるＭＲヘッ
ドが注目されているが、更に再生特性が良好で、信頼性
の高いＭＲヘッドが必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】従来のＭＲヘッドは図３(a) の概略斜視
図及び図３(b) の要部横断面図に示すように、一方の面
にTi膜からなる非磁性中間層14を介して再生出力を線形
化するためのNiFeCr膜からなる横バイアス磁界印加用の
軟磁性層15が積層され、他方の面の両端部に磁区制御用
磁性膜16a, 16bが接合され、その中央部に信号検出領域
12を画定するようにAu膜、Cu膜、或いはAl膜等からなる
一対の引出し導体13a, 13bが接合されている Ni-Fe膜か
らなるＭＲ素子11の両側に、それぞれAl2O3 等からなる
図示しない非磁性絶縁膜を介して、例えばNiZnフェライ
ト等からなるシールド磁性体17と Ni-Fe膜からなるシー
ルド磁性膜18とが配設された構成からなっている。
図及び図３(b) の要部横断面図に示すように、一方の面
にTi膜からなる非磁性中間層14を介して再生出力を線形
化するためのNiFeCr膜からなる横バイアス磁界印加用の
軟磁性層15が積層され、他方の面の両端部に磁区制御用
磁性膜16a, 16bが接合され、その中央部に信号検出領域
12を画定するようにAu膜、Cu膜、或いはAl膜等からなる
一対の引出し導体13a, 13bが接合されている Ni-Fe膜か
らなるＭＲ素子11の両側に、それぞれAl2O3 等からなる
図示しない非磁性絶縁膜を介して、例えばNiZnフェライ
ト等からなるシールド磁性体17と Ni-Fe膜からなるシー
ルド磁性膜18とが配設された構成からなっている。
【０００４】なお、前記磁区制御用磁性膜16a, 16bはFe
Mn膜からなり、この磁区制御用磁性膜16の配設によりＭ
Ｒ素子11にセンス電流Isの向きと同様な矢印Ｂの方向に
縦バイアス磁界を印加して該ＭＲ素子11を単磁区化し
て、磁壁の不規則な移動に起因するバルクハウゼン雑音
の発生を防止している。
Mn膜からなり、この磁区制御用磁性膜16の配設によりＭ
Ｒ素子11にセンス電流Isの向きと同様な矢印Ｂの方向に
縦バイアス磁界を印加して該ＭＲ素子11を単磁区化し
て、磁壁の不規則な移動に起因するバルクハウゼン雑音
の発生を防止している。
【０００５】そしてかかるＭＲヘッドを矢印Ａの方向に
移動する図示しない磁気記録媒体上に所定間隙をもって
浮上動作させた状態で、前記ＭＲ素子11にその両端の各
引出し導体13a, 13bを通してセンス電流Isを供給するこ
とにより発生する磁界によって前記軟磁性層15の磁化を
飽和させ、その飽和磁化により生じる磁界がＭＲ素子11
にその矢印Ｃの方向に横バイアス磁界として印加して磁
化させる。
移動する図示しない磁気記録媒体上に所定間隙をもって
浮上動作させた状態で、前記ＭＲ素子11にその両端の各
引出し導体13a, 13bを通してセンス電流Isを供給するこ
とにより発生する磁界によって前記軟磁性層15の磁化を
飽和させ、その飽和磁化により生じる磁界がＭＲ素子11
にその矢印Ｃの方向に横バイアス磁界として印加して磁
化させる。
【０００６】その磁化された状態のＭＲ素子11の信号検
出領域12により検知された前記磁気記録媒体からの信号
磁界の変化に応じて生じる電気抵抗値の変化を電圧の変
化として前記一対の引出し導体13a, 13bより出力するこ
とによって再生を行なっている。
出領域12により検知された前記磁気記録媒体からの信号
磁界の変化に応じて生じる電気抵抗値の変化を電圧の変
化として前記一対の引出し導体13a, 13bより出力するこ
とによって再生を行なっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
構成のＭＲヘッドにおいて、前記磁区制御用磁性膜16a,
16b によりＭＲ素子11に印加される縦バイアス磁界は、
図３(b) に示すように該磁区制御用磁性膜16a と16b が
接したＭＲ素子11の両部分に生じる＋磁荷と−磁荷によ
る漏洩磁界であり、この場合、該ＭＲ素子11に非磁性中
間層14を介して配設された軟磁性層15における前記ＭＲ
素子11の＋磁荷と−磁荷が生じる両部分と対応する部分
にも前記した磁荷と逆の極性を有する磁荷が生じ、該Ｍ
Ｒ素子11に印加される縦バイアス磁界の大半は該軟磁性
層15に矢印Ｄで示すように漏洩してしまうことから、Ｍ
Ｒ素子11に単磁区化するに十分な大きさの縦バイアス磁
界が印加されず、バルクハウゼン雑音が発生するという
問題があった。
構成のＭＲヘッドにおいて、前記磁区制御用磁性膜16a,
16b によりＭＲ素子11に印加される縦バイアス磁界は、
図３(b) に示すように該磁区制御用磁性膜16a と16b が
接したＭＲ素子11の両部分に生じる＋磁荷と−磁荷によ
る漏洩磁界であり、この場合、該ＭＲ素子11に非磁性中
間層14を介して配設された軟磁性層15における前記ＭＲ
素子11の＋磁荷と−磁荷が生じる両部分と対応する部分
にも前記した磁荷と逆の極性を有する磁荷が生じ、該Ｍ
Ｒ素子11に印加される縦バイアス磁界の大半は該軟磁性
層15に矢印Ｄで示すように漏洩してしまうことから、Ｍ
Ｒ素子11に単磁区化するに十分な大きさの縦バイアス磁
界が印加されず、バルクハウゼン雑音が発生するという
問題があった。
【０００８】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、Ｍ
Ｒ素子に印加される縦バイアス磁界の軟磁性層への漏洩
を防止して、該ＭＲ素子に単磁区化するに十分な縦バイ
アス磁界を印加することが可能な新規な磁気抵抗効果型
薄膜ヘッドを提供することを目的とするものである。
Ｒ素子に印加される縦バイアス磁界の軟磁性層への漏洩
を防止して、該ＭＲ素子に単磁区化するに十分な縦バイ
アス磁界を印加することが可能な新規な磁気抵抗効果型
薄膜ヘッドを提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、非磁性中間層を介して軟磁性層が積層さ
れ、両端部の一対の引出し導体により中央部に画定され
た信号検出領域を有し、その両端部に磁区制御用磁性膜
を接合してなる磁気抵抗効果素子と、その両側にそれぞ
れ非磁性絶縁膜とシールド磁性体とを配置した磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドにおいて、前記軟磁性層を、少なくと
も非磁性膜を介在した２層の軟磁性膜からなる構成とす
る。
達成するため、非磁性中間層を介して軟磁性層が積層さ
れ、両端部の一対の引出し導体により中央部に画定され
た信号検出領域を有し、その両端部に磁区制御用磁性膜
を接合してなる磁気抵抗効果素子と、その両側にそれぞ
れ非磁性絶縁膜とシールド磁性体とを配置した磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドにおいて、前記軟磁性層を、少なくと
も非磁性膜を介在した２層の軟磁性膜からなる構成とす
る。
【００１０】また、前記軟磁性層を構成する少なくとも
２層の軟磁性膜間に介在する非磁性膜は、前記磁気抵抗
効果素子の信号検出領域と対応する部分を除いて介在し
た構成とする。
２層の軟磁性膜間に介在する非磁性膜は、前記磁気抵抗
効果素子の信号検出領域と対応する部分を除いて介在し
た構成とする。
【００１１】更に、前記非磁性膜の膜厚が非磁性中間層
よりも薄くした構成とする。
よりも薄くした構成とする。
【００１２】
【作用】本発明では、ＭＲ素子に非磁性中間層を介して
積層する軟磁性層を、少なくとも非磁性膜を介在した２
層の軟磁性膜からなる構成とし、その軟磁性層を構成す
る２層の各軟磁性膜における各磁区制御用磁性膜が接し
たＭＲ素子の磁荷が生じる両部分と対応する部分にそれ
ぞれ生じる磁荷を相互に磁気的に打ち消し合う作用（反
強磁性結合）が働く、その結果、ＭＲ素子に生じた磁荷
による漏洩磁界、即ち、該ＭＲ素子に印加された縦バイ
アス磁界は前記軟磁性層へ漏洩することが阻止され、Ｍ
Ｒ素子、特にその信号検出領域に単磁区化するに十分な
縦バイアス磁界が印加されるようになる。
積層する軟磁性層を、少なくとも非磁性膜を介在した２
層の軟磁性膜からなる構成とし、その軟磁性層を構成す
る２層の各軟磁性膜における各磁区制御用磁性膜が接し
たＭＲ素子の磁荷が生じる両部分と対応する部分にそれ
ぞれ生じる磁荷を相互に磁気的に打ち消し合う作用（反
強磁性結合）が働く、その結果、ＭＲ素子に生じた磁荷
による漏洩磁界、即ち、該ＭＲ素子に印加された縦バイ
アス磁界は前記軟磁性層へ漏洩することが阻止され、Ｍ
Ｒ素子、特にその信号検出領域に単磁区化するに十分な
縦バイアス磁界が印加されるようになる。
【００１３】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１(a),(b) は本発明の磁気抵抗効果型
薄膜ヘッドにおける磁気抵抗効果素子の一実施例を示す
図であり、図(a) は概略斜視図、図(b) はその要部横断
面図である。なお、図３(a),(b) と同等部分には同一符
号を付している。
細に説明する。図１(a),(b) は本発明の磁気抵抗効果型
薄膜ヘッドにおける磁気抵抗効果素子の一実施例を示す
図であり、図(a) は概略斜視図、図(b) はその要部横断
面図である。なお、図３(a),(b) と同等部分には同一符
号を付している。
【００１４】これらの図で示す実施例では、図示しない
シールド磁性体とシールド磁性層との間にSiO2膜、或い
は Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜をそれぞれ介在して
配置した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）11として、一方
の面の両端部にFeMn膜等からなる 300Åの膜厚の磁区制
御用磁性膜16a, 16bが接合され、またAu膜、或いはCu膜
等からなる一対の引出し導体13a, 13bにより中央部に信
号検出領域12が画定されたNiFe膜からなる 500Åの膜厚
のＭＲ素子11の他方の面に、Ti膜等からなる 200Åの膜
厚の非磁性中間層14を介して配設する軟磁性層として、
NiFeCr膜等からなる 200Åの膜厚の軟磁性膜22と24との
間に前記非磁性中間層14の膜厚よりも薄いTi膜等からな
る20〜100 Åの膜厚の非磁性膜23を介在した構成の軟磁
性層21が配設されている。
シールド磁性体とシールド磁性層との間にSiO2膜、或い
は Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜をそれぞれ介在して
配置した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）11として、一方
の面の両端部にFeMn膜等からなる 300Åの膜厚の磁区制
御用磁性膜16a, 16bが接合され、またAu膜、或いはCu膜
等からなる一対の引出し導体13a, 13bにより中央部に信
号検出領域12が画定されたNiFe膜からなる 500Åの膜厚
のＭＲ素子11の他方の面に、Ti膜等からなる 200Åの膜
厚の非磁性中間層14を介して配設する軟磁性層として、
NiFeCr膜等からなる 200Åの膜厚の軟磁性膜22と24との
間に前記非磁性中間層14の膜厚よりも薄いTi膜等からな
る20〜100 Åの膜厚の非磁性膜23を介在した構成の軟磁
性層21が配設されている。
【００１５】このような構成のＭＲヘッドにおいては、
ＭＲ素子11が前記磁区制御用磁性膜16a, 16bにより矢印
Ｂの方向に縦バイアス磁界が印加されて磁化されると共
に、そのＭＲ素子11に非磁性中間層14を介して配設され
た軟磁性層21を構成する２つの軟磁性膜22と24も磁化さ
れ、その各軟磁性膜22と24との磁化方向が互いに逆向き
になって各軟磁性膜22と24に生じる極性の異なる磁荷が
互いに打ち消し合って反強磁性的結合 (負の結合) 状態
になり、前記ＭＲ素子11との磁気的な相互作用が無くな
る。
ＭＲ素子11が前記磁区制御用磁性膜16a, 16bにより矢印
Ｂの方向に縦バイアス磁界が印加されて磁化されると共
に、そのＭＲ素子11に非磁性中間層14を介して配設され
た軟磁性層21を構成する２つの軟磁性膜22と24も磁化さ
れ、その各軟磁性膜22と24との磁化方向が互いに逆向き
になって各軟磁性膜22と24に生じる極性の異なる磁荷が
互いに打ち消し合って反強磁性的結合 (負の結合) 状態
になり、前記ＭＲ素子11との磁気的な相互作用が無くな
る。
【００１６】なお、この場合、軟磁性層21を構成する２
つの軟磁性膜22と24との間に介在する非磁性膜23の膜厚
が薄過ぎるとその各軟磁性膜22と24との磁気的な作用が
逆に強磁性的結合 (正の結合) 状態になるので前記非磁
性中間層14の膜厚よりも薄い20〜100 Å程度の膜厚とす
ることが望ましい。
つの軟磁性膜22と24との間に介在する非磁性膜23の膜厚
が薄過ぎるとその各軟磁性膜22と24との磁気的な作用が
逆に強磁性的結合 (正の結合) 状態になるので前記非磁
性中間層14の膜厚よりも薄い20〜100 Å程度の膜厚とす
ることが望ましい。
【００１７】従って、前記ＭＲ素子11に印加される縦バ
イアス磁界の前記軟磁性層21への漏洩が防止され、該Ｍ
Ｒ素子11、特にその信号検出領域12に単磁区化するに十
分な縦バイアス磁界を印加することが可能となり、ＭＲ
素子11の磁壁移動に起因するバルクハウゼン雑音の発生
が防止され、その雑音による再生波形の歪みが解消され
て再生特性が向上する。
イアス磁界の前記軟磁性層21への漏洩が防止され、該Ｍ
Ｒ素子11、特にその信号検出領域12に単磁区化するに十
分な縦バイアス磁界を印加することが可能となり、ＭＲ
素子11の磁壁移動に起因するバルクハウゼン雑音の発生
が防止され、その雑音による再生波形の歪みが解消され
て再生特性が向上する。
【００１８】図２は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
における磁気抵抗効果素子の他の実施例を示す要部横断
面図であり、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付
している。
における磁気抵抗効果素子の他の実施例を示す要部横断
面図であり、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付
している。
【００１９】この図で示す実施例が図１(a),(b) による
実施例と異なる点は、ＭＲ素子11の他方の面に、Ti膜等
からなる 200Åの膜厚の非磁性中間層14を介して配設す
る軟磁性層として、NiFeCr膜等からなる 200Åの膜厚の
軟磁性膜22と24との間の前記ＭＲ素子11の信号検出領域
12と対応する部分を除いた部分に前記非磁性中間層14の
膜厚よりも薄いTi膜等からなる20〜100 Åの膜厚の非磁
性膜32を介在した構成の軟磁性層31を配設した点にあ
る。
実施例と異なる点は、ＭＲ素子11の他方の面に、Ti膜等
からなる 200Åの膜厚の非磁性中間層14を介して配設す
る軟磁性層として、NiFeCr膜等からなる 200Åの膜厚の
軟磁性膜22と24との間の前記ＭＲ素子11の信号検出領域
12と対応する部分を除いた部分に前記非磁性中間層14の
膜厚よりも薄いTi膜等からなる20〜100 Åの膜厚の非磁
性膜32を介在した構成の軟磁性層31を配設した点にあ
る。
【００２０】このような構成のＭＲヘッドによっても、
図１(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11に印
加される縦バイアス磁界の前記軟磁性層21への漏洩が防
止され、該ＭＲ素子11、特にその信号検出領域12に単磁
区化するに十分な縦バイアス磁界を印加することが可能
となり、ＭＲ素子11の磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ン雑音の発生が防止され、その雑音による再生波形の歪
みが解消されて再生特性が向上する。更に、前記非磁性
膜32のＭＲ素子11における信号検出領域12と対応する部
分が削除されているので、その非磁性膜32に該ＭＲ素子
11に流れるセンス電流の一部が流れ難くなり、そのＭＲ
素子11に流れるセンス電流の利用効率が向上する。
図１(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11に印
加される縦バイアス磁界の前記軟磁性層21への漏洩が防
止され、該ＭＲ素子11、特にその信号検出領域12に単磁
区化するに十分な縦バイアス磁界を印加することが可能
となり、ＭＲ素子11の磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ン雑音の発生が防止され、その雑音による再生波形の歪
みが解消されて再生特性が向上する。更に、前記非磁性
膜32のＭＲ素子11における信号検出領域12と対応する部
分が削除されているので、その非磁性膜32に該ＭＲ素子
11に流れるセンス電流の一部が流れ難くなり、そのＭＲ
素子11に流れるセンス電流の利用効率が向上する。
【００２１】なお、以上の実施例ではＭＲ素子の他方の
面に、非磁性中間層を介して配設する軟磁性層として、
２つの軟磁性膜との間に該非磁性中間層よりも薄い膜厚
の非磁性膜を介在した構成の軟磁性層、または２つの軟
磁性膜との間の前記ＭＲ素子の信号検出領域と対応する
部分を除いた部分に該非磁性中間層よりも薄い膜厚の非
磁性膜を介在した構成の軟磁性層を配設した場合の例に
ついて説明したが、本発明はそのような例の他に、例え
ば軟磁性膜上に非磁性膜を介した軟磁性膜を多層に積層
した構成の軟磁性層を用いるようにしても同様な効果が
得られる。
面に、非磁性中間層を介して配設する軟磁性層として、
２つの軟磁性膜との間に該非磁性中間層よりも薄い膜厚
の非磁性膜を介在した構成の軟磁性層、または２つの軟
磁性膜との間の前記ＭＲ素子の信号検出領域と対応する
部分を除いた部分に該非磁性中間層よりも薄い膜厚の非
磁性膜を介在した構成の軟磁性層を配設した場合の例に
ついて説明したが、本発明はそのような例の他に、例え
ば軟磁性膜上に非磁性膜を介した軟磁性膜を多層に積層
した構成の軟磁性層を用いるようにしても同様な効果が
得られる。
【００２２】また、以上の実施例では磁区制御用磁性膜
としてFeMnからなる反強磁性膜を用いた場合の例につい
て説明しているが、この例の他に例えばα-Fe2O3等から
なるフェリ磁性膜、或いはSmCo等からなる永久磁石膜な
どを用いることもできる。
としてFeMnからなる反強磁性膜を用いた場合の例につい
て説明しているが、この例の他に例えばα-Fe2O3等から
なるフェリ磁性膜、或いはSmCo等からなる永久磁石膜な
どを用いることもできる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、ＭＲ素子に
印加される縦バイアス磁界の軟磁性層への漏洩が防止さ
れ、該ＭＲ素子に特にその信号検出領域に単磁区化する
に十分な縦バイアス磁界を印加することが可能となり、
ＭＲ素子の磁壁移動に起因するバルクハウゼン雑音の発
生が防止される。
に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、ＭＲ素子に
印加される縦バイアス磁界の軟磁性層への漏洩が防止さ
れ、該ＭＲ素子に特にその信号検出領域に単磁区化する
に十分な縦バイアス磁界を印加することが可能となり、
ＭＲ素子の磁壁移動に起因するバルクハウゼン雑音の発
生が防止される。
【００２４】従って、そのバルクハウゼン雑音による再
生波形の歪みが解消されて再生特性が向上する優れた利
点を有し、実用上の効果は大きい。
生波形の歪みが解消されて再生特性が向上する優れた利
点を有し、実用上の効果は大きい。
【図１】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘ
ッド）の一実施例を示す概略斜視図及びその要部横断面
図である。
ッド）の一実施例を示す概略斜視図及びその要部横断面
図である。
【図２】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘ
ッド）の他の実施例を示す要部横断面図である。
ッド）の他の実施例を示す要部横断面図である。
【図３】 従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッ
ド）を説明するための概略斜視図及びその要部横断面図
である。
ド）を説明するための概略斜視図及びその要部横断面図
である。
１１ ＭＲ素子 １２ 信号検出領域 １３ａ，１３ｂ 引出し導体 １４ 非磁性中間層 １６ａ，１６ｂ 磁区制御用磁性膜 ２１，３１ 軟磁性層 ２２，２４ 軟磁性膜 ２３，３２ 非磁性膜
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性中間層(14)を介して軟磁性層(21)
が積層され、両端部の一対の引出し導体(13a, 13b)によ
り中央部に画定された信号検出領域(12)を有し、その両
端部に磁区制御用磁性膜(16a, 16b)を接合してなる磁気
抵抗効果素子(11)と、その両側にそれぞれ非磁性絶縁膜
とシールド磁性体とを配置した磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドにおいて、 前記軟磁性層(21)は、少なくとも非磁性膜(23)を介在し
た２層の軟磁性膜(22,24) からなることを特徴とする磁
気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項２】 前記軟磁性層(21)を構成する少なくとも
２層の軟磁性膜(22,24) 間に介在する非磁性膜(23)は、
前記磁気抵抗効果素子(11)の信号検出領域(12)と対応す
る部分を除いて介在されてなることを特徴とする磁気抵
抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項３】 前記非磁性膜(23)の膜厚が非磁性中間層
(14)よりも薄いことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP181393A JPH06203333A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP181393A JPH06203333A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06203333A true JPH06203333A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11512013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP181393A Withdrawn JPH06203333A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06203333A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5657191A (en) * | 1995-09-18 | 1997-08-12 | Read-Rite Corporation | Stabilization of giant magnetoresistive transducers |
| US5715121A (en) * | 1995-12-19 | 1998-02-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance element, magnetoresistive head and magnetoresistive memory |
| US5838521A (en) * | 1995-04-17 | 1998-11-17 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive transducer having laminated magnetic shields |
| US5852533A (en) * | 1995-07-28 | 1998-12-22 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect transducer element with continuous central active area |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP181393A patent/JPH06203333A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838521A (en) * | 1995-04-17 | 1998-11-17 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive transducer having laminated magnetic shields |
| US5852533A (en) * | 1995-07-28 | 1998-12-22 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect transducer element with continuous central active area |
| US5657191A (en) * | 1995-09-18 | 1997-08-12 | Read-Rite Corporation | Stabilization of giant magnetoresistive transducers |
| US5715121A (en) * | 1995-12-19 | 1998-02-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance element, magnetoresistive head and magnetoresistive memory |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5880911A (en) | Magnetoresistive effect element | |
| JPH0589435A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH06203333A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH1091920A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2661560B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JP3609104B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH0426907A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2701748B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびそのバイアス印加方法 | |
| JP3590078B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH08203032A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPH01315016A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH0256713A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッド | |
| JPH06150260A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JP2979966B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS61287025A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JPS6050607A (ja) | 垂直磁気記録再生ヘツド | |
| JPH0426909A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS61196418A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH06203332A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| US6064551A (en) | Magnetoresistance effect type magnetic head | |
| JPH052720A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JPH0426908A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH05266435A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0546946A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
| JP2000215412A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |