JP2000215412A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2000215412A JP2000215412A JP11013451A JP1345199A JP2000215412A JP 2000215412 A JP2000215412 A JP 2000215412A JP 11013451 A JP11013451 A JP 11013451A JP 1345199 A JP1345199 A JP 1345199A JP 2000215412 A JP2000215412 A JP 2000215412A
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- yoke
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は磁気記録媒体に記録されたディジタル
情報を磁気記録媒体からの磁界強度を信号として読み取
るための磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）を
用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、再生出力
の向上を図ることを課題とする。 【解決手段】上部ヨークをギャップ５を介して上部ヨー
ク前部３と上部ヨーク後部４とに分断すると共にギャッ
プ５に磁気記録信号を検出するＭＲ素子９を配設し、再
生ヘッドギャップ６，上部ヨーク前部３，ＭＲ素子９，
上部ヨーク後部４、及び下部ヨーク２で磁気回路を形成
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上部ヨー
ク３，４を高比抵抗軟磁性を示すＦｅ系またはＣｏ系強
磁性材料で形成し、かつ上部ヨーク３，４の比抵抗をＭ
Ｒ素子９の比抵抗に対して５倍以上大きく設定し、か
つ、上部ヨーク３，４の透磁率を３００以上とする。
情報を磁気記録媒体からの磁界強度を信号として読み取
るための磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）を
用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、再生出力
の向上を図ることを課題とする。 【解決手段】上部ヨークをギャップ５を介して上部ヨー
ク前部３と上部ヨーク後部４とに分断すると共にギャッ
プ５に磁気記録信号を検出するＭＲ素子９を配設し、再
生ヘッドギャップ６，上部ヨーク前部３，ＭＲ素子９，
上部ヨーク後部４、及び下部ヨーク２で磁気回路を形成
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上部ヨー
ク３，４を高比抵抗軟磁性を示すＦｅ系またはＣｏ系強
磁性材料で形成し、かつ上部ヨーク３，４の比抵抗をＭ
Ｒ素子９の比抵抗に対して５倍以上大きく設定し、か
つ、上部ヨーク３，４の透磁率を３００以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドに係り、特に磁気記録媒体に記録されたディ
ジタル情報を磁気記録媒体からの磁界強度を信号として
読み取るための磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とい
う）を用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
磁気ヘッドに係り、特に磁気記録媒体に記録されたディ
ジタル情報を磁気記録媒体からの磁界強度を信号として
読み取るための磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とい
う）を用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＭＲ素子を用いた磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという）とし
て、ＭＲ素子を保護しつつＭＲ素子に流す出力検出電流
がＭＲ素子から磁気記録媒体へ漏洩することを防ぐ構成
とされたヨーク型ＭＲヘッドが知られている。
果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという）とし
て、ＭＲ素子を保護しつつＭＲ素子に流す出力検出電流
がＭＲ素子から磁気記録媒体へ漏洩することを防ぐ構成
とされたヨーク型ＭＲヘッドが知られている。
【０００３】図９は、従来のヨーク型ＭＲヘッドの一例
を示している。同図に示すように、ヨーク型ＭＲヘッド
は基板１１上に下部ヨーク１２，上部ヨーク（上部ヨー
ク前部１３と上部ヨーク１４とよりなる），ＭＲ素子１
９，及び絶縁層１８等を配設した構成とされている。こ
の下部ヨーク１２及び上部ヨーク１３，１４は強磁性材
料により形成されており、また上部ヨーク前部１３と上
部ヨーク後部１４との間にはギャップ１５が形成されて
いる。このギャップ１５により、上部ヨークは上部ヨー
ク前部１３と上部ヨーク後部１４とに分離されている。
を示している。同図に示すように、ヨーク型ＭＲヘッド
は基板１１上に下部ヨーク１２，上部ヨーク（上部ヨー
ク前部１３と上部ヨーク１４とよりなる），ＭＲ素子１
９，及び絶縁層１８等を配設した構成とされている。こ
の下部ヨーク１２及び上部ヨーク１３，１４は強磁性材
料により形成されており、また上部ヨーク前部１３と上
部ヨーク後部１４との間にはギャップ１５が形成されて
いる。このギャップ１５により、上部ヨークは上部ヨー
ク前部１３と上部ヨーク後部１４とに分離されている。
【０００４】ＭＲ素子１９は、このギャップ１５の形成
位置の下部に配設されている。また、ＭＲ素子１９は上
部ヨーク前部１３と上部ヨーク後部１４に磁気的に接続
可能な構成で配設されている。また、下部ヨーク１２と
上部ヨーク後部１４は接合されることにより磁気的に接
続されており、また下部ヨーク１２と上部ヨーク前部１
３との間には再生ヘッドギャップ１６（微細な間隙）が
形成されている。
位置の下部に配設されている。また、ＭＲ素子１９は上
部ヨーク前部１３と上部ヨーク後部１４に磁気的に接続
可能な構成で配設されている。また、下部ヨーク１２と
上部ヨーク後部１４は接合されることにより磁気的に接
続されており、また下部ヨーク１２と上部ヨーク前部１
３との間には再生ヘッドギャップ１６（微細な間隙）が
形成されている。
【０００５】これにより、ヨーク型ＭＲヘッドは、上部
ヨーク前部１３、ＭＲ素子１９、上部ヨーク後部１４、
下部ヨーク１２によって磁気回路を形成し、再生ヘッド
ギャップ１６で検出した磁気記録媒体（例えば、磁気テ
ープ）からの信号磁束をＭＲ素子１９により電気信号に
変換して再生出力を得る構造となっている。尚、下部ヨ
ーク１２と上部ヨーク１３，１４との間には、絶縁層１
８が形成されている。
ヨーク前部１３、ＭＲ素子１９、上部ヨーク後部１４、
下部ヨーク１２によって磁気回路を形成し、再生ヘッド
ギャップ１６で検出した磁気記録媒体（例えば、磁気テ
ープ）からの信号磁束をＭＲ素子１９により電気信号に
変換して再生出力を得る構造となっている。尚、下部ヨ
ーク１２と上部ヨーク１３，１４との間には、絶縁層１
８が形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成と
されたヨーク型ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子１９に
流す出力検出電流（センス電流）が上部ヨーク前部１３
及び上部ヨーク後部１４へ漏洩することを防止するた
め、上部ヨーク前部１３とＭＲ素子１９との間、及び上
部ヨーク後部１４とＭＲ素子１９との間にも非磁性の絶
縁層１８が介在するよう構成されている。
されたヨーク型ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子１９に
流す出力検出電流（センス電流）が上部ヨーク前部１３
及び上部ヨーク後部１４へ漏洩することを防止するた
め、上部ヨーク前部１３とＭＲ素子１９との間、及び上
部ヨーク後部１４とＭＲ素子１９との間にも非磁性の絶
縁層１８が介在するよう構成されている。
【０００７】しかるに、この絶縁層１８を設けることに
よりＭＲ素子１９から上部ヨーク前部１３及び上部ヨー
ク後部１４に電流が漏洩することは防止できるものの、
上部ヨーク前部１３、ＭＲ素子１９、上部ヨーク後部１
４、下部ヨーク１２によって形成される磁気回路の磁気
抵抗が増加するため、再生出力が著しく低下するという
問題が生じる。
よりＭＲ素子１９から上部ヨーク前部１３及び上部ヨー
ク後部１４に電流が漏洩することは防止できるものの、
上部ヨーク前部１３、ＭＲ素子１９、上部ヨーク後部１
４、下部ヨーク１２によって形成される磁気回路の磁気
抵抗が増加するため、再生出力が著しく低下するという
問題が生じる。
【０００８】そこで、上記問題を解決するために、例え
ば特開平５−００６５１５号公報に開示されたヨーク型
ＭＲヘッドが提案されている。図１０は、同公報に開示
されたヨーク型ＭＲヘッドを示している。尚、図１０に
おいて、図９に示した構成と対応する構成については同
一の符号を付している。図１０に示すヨーク型ＭＲヘッ
ドは、上部ヨークがＣｏ90Ｚｒ10により形成されてお
り、またＭＲ素子１９と上部ヨーク前部１３及び上部ヨ
ーク後部１４との磁気的な結合を高めるため、両者の間
に磁気結合層１７を設けた構成とされている。しかる
に、この構成においても、Ｃｏ90Ｚｒ10の導電率が大き
いために、ＭＲ素子１９に出力検出電流を流すと、その
一部は磁気結合層１７へ分流し、出力が低下してしま
う。
ば特開平５−００６５１５号公報に開示されたヨーク型
ＭＲヘッドが提案されている。図１０は、同公報に開示
されたヨーク型ＭＲヘッドを示している。尚、図１０に
おいて、図９に示した構成と対応する構成については同
一の符号を付している。図１０に示すヨーク型ＭＲヘッ
ドは、上部ヨークがＣｏ90Ｚｒ10により形成されてお
り、またＭＲ素子１９と上部ヨーク前部１３及び上部ヨ
ーク後部１４との磁気的な結合を高めるため、両者の間
に磁気結合層１７を設けた構成とされている。しかる
に、この構成においても、Ｃｏ90Ｚｒ10の導電率が大き
いために、ＭＲ素子１９に出力検出電流を流すと、その
一部は磁気結合層１７へ分流し、出力が低下してしま
う。
【０００９】従って、図１０に示す構成においても、磁
気結合層１７と上部ヨーク前部１３，上部ヨーク後部１
４との間、或いは磁気結合層１７とＭＲ素子１９との間
に非磁性の絶縁層１８を形成している。このため、図１
０に示す磁気結合層１７を有するヨーク型ＭＲヘッドに
おいても、絶縁層１８により、上部ヨーク前部１３、磁
気結合層１７、ＭＲ素子１９、磁気結合層１７、上部ヨ
ーク後部１４、及び下部ヨーク１２によって形成される
磁気回路の磁気抵抗が増加し、再生出力が著しく低下す
るという問題を十分に改善することはできない。
気結合層１７と上部ヨーク前部１３，上部ヨーク後部１
４との間、或いは磁気結合層１７とＭＲ素子１９との間
に非磁性の絶縁層１８を形成している。このため、図１
０に示す磁気結合層１７を有するヨーク型ＭＲヘッドに
おいても、絶縁層１８により、上部ヨーク前部１３、磁
気結合層１７、ＭＲ素子１９、磁気結合層１７、上部ヨ
ーク後部１４、及び下部ヨーク１２によって形成される
磁気回路の磁気抵抗が増加し、再生出力が著しく低下す
るという問題を十分に改善することはできない。
【００１０】このような非磁性の絶縁層１８に起因する
再生出力の低下を防止するために，特開平２−２０６０
０９号公報では、ＭＲ素子１９の比抵抗に対して少なく
とも５倍以上大きく、かつ高透磁率を示すＭｎＺｎフェ
ライトを磁気結合層１７に使用することで、非磁性の絶
縁層１８を必要としない構造が考えられている。しかし
ながら、ＭＲ素子１９に使用されるＮｉＦｅ合金（以下
パーマロイと呼ぶ）の上に、ＭｎＺｎフェライト膜を形
成すると、ＭｎＺｎフェライト膜を形成するための結晶
化温度が、パーマロイのキュリー点や結晶再配列を起こ
す温度より高いために、ＭＲ素子１９としての特性が劣
化するという問題があった。
再生出力の低下を防止するために，特開平２−２０６０
０９号公報では、ＭＲ素子１９の比抵抗に対して少なく
とも５倍以上大きく、かつ高透磁率を示すＭｎＺｎフェ
ライトを磁気結合層１７に使用することで、非磁性の絶
縁層１８を必要としない構造が考えられている。しかし
ながら、ＭＲ素子１９に使用されるＮｉＦｅ合金（以下
パーマロイと呼ぶ）の上に、ＭｎＺｎフェライト膜を形
成すると、ＭｎＺｎフェライト膜を形成するための結晶
化温度が、パーマロイのキュリー点や結晶再配列を起こ
す温度より高いために、ＭＲ素子１９としての特性が劣
化するという問題があった。
【００１１】また、ＭＲ素子１９に人工格子膜からなる
巨大磁気抵抗効果素子として知られたスピンバルブ膜を
用いた場合においても、ＭｎＺｎフェライト膜を形成す
るための結晶化温度が、人工格子膜の磁化の向きを固定
するために使用されるＦｅＭｎなどの反強磁性材料のキ
ュリー点よりも高いため、ＭＲ素子１９の特性が劣化す
るという問題があった。
巨大磁気抵抗効果素子として知られたスピンバルブ膜を
用いた場合においても、ＭｎＺｎフェライト膜を形成す
るための結晶化温度が、人工格子膜の磁化の向きを固定
するために使用されるＦｅＭｎなどの反強磁性材料のキ
ュリー点よりも高いため、ＭＲ素子１９の特性が劣化す
るという問題があった。
【００１２】また、このヨーク型ＭＲヘッドにおいて
は、図９に示すように上部ヨーク前部１３と下部ヨーク
１２が、絶縁層１８を介して再生ヘッドギャップ１６と
して対向している再生ヘッドギャップ深さＤg を深くす
ると、再生ヘッドギャップ１６，上部ヨーク前部１３，
ＭＲ素子１９，上部ヨーク後部１４，及び下部ヨーク１
２で構成される磁気回路の磁気抵抗が大きく減少し、再
生ヘッドギャップ１６から流入した磁束の多くが上部ヨ
ーク前部１３と下部ヨーク１２が絶縁層１８を介して対
向する部分で上部ヨーク前部１３から下部ヨーク１２に
漏洩するために、磁気記録媒体からＭＲ素子１９に流入
する信号磁束が減衰して再生出力が著しく低下するとい
う問題がある。
は、図９に示すように上部ヨーク前部１３と下部ヨーク
１２が、絶縁層１８を介して再生ヘッドギャップ１６と
して対向している再生ヘッドギャップ深さＤg を深くす
ると、再生ヘッドギャップ１６，上部ヨーク前部１３，
ＭＲ素子１９，上部ヨーク後部１４，及び下部ヨーク１
２で構成される磁気回路の磁気抵抗が大きく減少し、再
生ヘッドギャップ１６から流入した磁束の多くが上部ヨ
ーク前部１３と下部ヨーク１２が絶縁層１８を介して対
向する部分で上部ヨーク前部１３から下部ヨーク１２に
漏洩するために、磁気記録媒体からＭＲ素子１９に流入
する信号磁束が減衰して再生出力が著しく低下するとい
う問題がある。
【００１３】この問題を解決するため、例えば特開平７
−３２０２３７号公報では保磁力の異なった２種類以上
の磁性薄膜が非磁性層を介して積層された人工格子磁気
抵抗効果膜に対し、非磁性絶縁層を介してヨークを配置
し、さらにリング型とした上で、磁界検出面から磁気抵
抗効果膜までの長さを再生ヘッドギャップ深さＤg 以上
とし、かつ再生ヘッドギャップ深さＤg を０＜Ｄg ≦５
μｍとすることによって再生出力の向上を図っている。
−３２０２３７号公報では保磁力の異なった２種類以上
の磁性薄膜が非磁性層を介して積層された人工格子磁気
抵抗効果膜に対し、非磁性絶縁層を介してヨークを配置
し、さらにリング型とした上で、磁界検出面から磁気抵
抗効果膜までの長さを再生ヘッドギャップ深さＤg 以上
とし、かつ再生ヘッドギャップ深さＤg を０＜Ｄg ≦５
μｍとすることによって再生出力の向上を図っている。
【００１４】しかしながら、一般にギャップ深さＤg を
０＜Ｄg ≦５μｍとするヨーク型ＭＲヘッドでは、磁気
記録媒体に対して摺動するヨーク型ＭＲヘッドの摩耗を
抑えるために、ヨーク型ＭＲヘッドの摺動速度を上げる
ことができず、したがって磁気記録情報の高速再生を行
うことができないという問題があった。本発明は上記の
点に鑑みてなされたものであり、比抵抗が大きいために
それ自体が絶縁層となるＦｅ系またはＣｏ系強磁性材料
を上部ヨークのヨーク材料に適用する、あるいは磁気結
合層の材料に適用することによって、上部ヨークとＭＲ
素子との間の磁気的な結合力低下を招くことなく、かつ
ＭＲ素子の特性を劣化させずに作製することが可能であ
り、高密度磁気記録再生においても磁気記録情報の高速
再生を行うことができ、高い再生出力を得る薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。
０＜Ｄg ≦５μｍとするヨーク型ＭＲヘッドでは、磁気
記録媒体に対して摺動するヨーク型ＭＲヘッドの摩耗を
抑えるために、ヨーク型ＭＲヘッドの摺動速度を上げる
ことができず、したがって磁気記録情報の高速再生を行
うことができないという問題があった。本発明は上記の
点に鑑みてなされたものであり、比抵抗が大きいために
それ自体が絶縁層となるＦｅ系またはＣｏ系強磁性材料
を上部ヨークのヨーク材料に適用する、あるいは磁気結
合層の材料に適用することによって、上部ヨークとＭＲ
素子との間の磁気的な結合力低下を招くことなく、かつ
ＭＲ素子の特性を劣化させずに作製することが可能であ
り、高密度磁気記録再生においても磁気記録情報の高速
再生を行うことができ、高い再生出力を得る薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。請求項１記載の発明は、上部ヨーク
をギャップを介して上部ヨーク前部と上部ヨーク後部と
に分断すると共に前記ギャップに磁気記録信号を検出す
る磁気抵抗効果素子を配設し、再生ヘッドギャップ、前
記上部ヨーク前部、前記磁気抵抗効果素子、前記上部ヨ
ーク後部、及び下部ヨークの間に環状の磁気回路を形成
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部
ヨークを高比抵抗軟磁性を示すＦｅ系またはＣｏ系強磁
性材料で形成し、前記上部ヨークの比抵抗を前記磁気抵
抗効果素子の比抵抗に対して５倍以上大きく設定し、か
つ、前記上部ヨークの透磁率を３００以上としたことを
特徴とするものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。請求項１記載の発明は、上部ヨーク
をギャップを介して上部ヨーク前部と上部ヨーク後部と
に分断すると共に前記ギャップに磁気記録信号を検出す
る磁気抵抗効果素子を配設し、再生ヘッドギャップ、前
記上部ヨーク前部、前記磁気抵抗効果素子、前記上部ヨ
ーク後部、及び下部ヨークの間に環状の磁気回路を形成
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部
ヨークを高比抵抗軟磁性を示すＦｅ系またはＣｏ系強磁
性材料で形成し、前記上部ヨークの比抵抗を前記磁気抵
抗効果素子の比抵抗に対して５倍以上大きく設定し、か
つ、前記上部ヨークの透磁率を３００以上としたことを
特徴とするものである。
【００１６】また、請求項２記載の発明は、前記請求項
１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部ヨークに形成したギャップの幅方向に対し、前記磁
気抵抗効果素子が前記上部ヨーク前部にオーバーラップ
する幅寸法をＷs とし、また前記磁気抵抗効果素子の底
面から前記下部ヨークの上面に至る非磁性の絶縁層が形
成された溝の深さをｔubとした場合、ｔub／Ｗs ≧０．
１が成立するよう構成したことを特徴とするものであ
る。
１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部ヨークに形成したギャップの幅方向に対し、前記磁
気抵抗効果素子が前記上部ヨーク前部にオーバーラップ
する幅寸法をＷs とし、また前記磁気抵抗効果素子の底
面から前記下部ヨークの上面に至る非磁性の絶縁層が形
成された溝の深さをｔubとした場合、ｔub／Ｗs ≧０．
１が成立するよう構成したことを特徴とするものであ
る。
【００１７】また、請求項３記載の発明は、上部ヨーク
をギャップを介して上部ヨーク前部と上部ヨーク後部と
に分断すると共に前記ギャップに磁気記録信号を検出す
る磁気抵抗効果素子を配設し、前記磁気抵抗効果素子と
前記上部ヨーク前部との間に第１の磁気結合層を配設す
ると共に、前記磁気抵抗効果素子と前記上部ヨーク後部
との間に第２の磁気結合層を配設し、再生ヘッドギャッ
プ、前記上部ヨーク前部、前記第１の磁気結合層、前記
磁気抵抗効果素子、前記第２の磁気結合層、前記上部ヨ
ーク後部、及び下部ヨークとの間に環状の磁気回路を形
成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第
１の磁気結合層と前記第２の磁気結合層を高比抵抗軟磁
性を示すＦｅ系またはＣｏ系強磁性材料で形成し、前記
第１の磁気結合層と前記第２の磁気結合層の比抵抗を前
記磁気抵抗効果素子の比抵抗に対して５倍以上大きく設
定し、かつ、前記上部ヨークの透磁率を３００以上とし
たことを特徴とするものである。
をギャップを介して上部ヨーク前部と上部ヨーク後部と
に分断すると共に前記ギャップに磁気記録信号を検出す
る磁気抵抗効果素子を配設し、前記磁気抵抗効果素子と
前記上部ヨーク前部との間に第１の磁気結合層を配設す
ると共に、前記磁気抵抗効果素子と前記上部ヨーク後部
との間に第２の磁気結合層を配設し、再生ヘッドギャッ
プ、前記上部ヨーク前部、前記第１の磁気結合層、前記
磁気抵抗効果素子、前記第２の磁気結合層、前記上部ヨ
ーク後部、及び下部ヨークとの間に環状の磁気回路を形
成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第
１の磁気結合層と前記第２の磁気結合層を高比抵抗軟磁
性を示すＦｅ系またはＣｏ系強磁性材料で形成し、前記
第１の磁気結合層と前記第２の磁気結合層の比抵抗を前
記磁気抵抗効果素子の比抵抗に対して５倍以上大きく設
定し、かつ、前記上部ヨークの透磁率を３００以上とし
たことを特徴とするものである。
【００１８】更に、請求項４記載の発明は、前記請求項
３記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部ヨークに形成したギャップの幅方向に対し、前記磁
気抵抗効果素子が前記上部ヨーク前部にオーバーラップ
する幅寸法をＷs とし、また前記磁気抵抗効果素子の底
面から前記下部ヨークの上面に至る非磁性の絶縁層が形
成された溝の深さをｔubとした場合、ｔub／Ｗs ≧０．
１が成立するよう構成したことを特徴とするものであ
る。
３記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部ヨークに形成したギャップの幅方向に対し、前記磁
気抵抗効果素子が前記上部ヨーク前部にオーバーラップ
する幅寸法をＷs とし、また前記磁気抵抗効果素子の底
面から前記下部ヨークの上面に至る非磁性の絶縁層が形
成された溝の深さをｔubとした場合、ｔub／Ｗs ≧０．
１が成立するよう構成したことを特徴とするものであ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１
実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを示してい
る。図１は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図であ
り、また図２は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの平面図
である。
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１
実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを示してい
る。図１は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図であ
り、また図２は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの平面図
である。
【００２０】各図に示すように、磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドは、磁性あるいは非磁性の基板１上に下部ヨー
ク２，上部ヨーク（上部ヨーク前部３と上部ヨーク後部
４とよりなる），ＭＲ素子９，及び絶縁層８等を配設し
た構成としている。この下部ヨーク２及び上部ヨーク
３，４は、本実施例では高比抵抗軟磁性材料であるＦｅ
−Ｈｆ−Ｏ系材料により形成されている。また上部ヨー
ク前部３と上部ヨーク後部４との間にはギャップ５が形
成されている。このギャップ５により、上部ヨークは上
部ヨーク前部３と上部ヨーク後部４とに分離されてい
る。
気ヘッドは、磁性あるいは非磁性の基板１上に下部ヨー
ク２，上部ヨーク（上部ヨーク前部３と上部ヨーク後部
４とよりなる），ＭＲ素子９，及び絶縁層８等を配設し
た構成としている。この下部ヨーク２及び上部ヨーク
３，４は、本実施例では高比抵抗軟磁性材料であるＦｅ
−Ｈｆ−Ｏ系材料により形成されている。また上部ヨー
ク前部３と上部ヨーク後部４との間にはギャップ５が形
成されている。このギャップ５により、上部ヨークは上
部ヨーク前部３と上部ヨーク後部４とに分離されてい
る。
【００２１】ＭＲ素子９は、このギャップ５の形成位置
の下部に配設されている。また、ＭＲ素子９は上部ヨー
ク前部３と上部ヨーク後部４に磁気的に接続可能な構成
で配設されている。また、下部ヨーク２と上部ヨーク後
部４は接合されることにより磁気的に接続されており、
また下部ヨーク２と上部ヨーク前部３との間には再生ヘ
ッドギャップ６が形成されている。
の下部に配設されている。また、ＭＲ素子９は上部ヨー
ク前部３と上部ヨーク後部４に磁気的に接続可能な構成
で配設されている。また、下部ヨーク２と上部ヨーク後
部４は接合されることにより磁気的に接続されており、
また下部ヨーク２と上部ヨーク前部３との間には再生ヘ
ッドギャップ６が形成されている。
【００２２】これにより、ヨーク型ＭＲヘッドは、上部
ヨーク前部３、ＭＲ素子９、上部ヨーク後部４、下部ヨ
ーク２によって磁気回路を形成し、再生ヘッドギャップ
６で検出した磁気記録媒体（例えば、磁気テープ）から
の信号磁束をＭＲ素子９により電気信号に変換して再生
出力を得る構造となっている。また、下部ヨーク２と上
部ヨーク３，４との間には、絶縁層８が形成されてい
る。
ヨーク前部３、ＭＲ素子９、上部ヨーク後部４、下部ヨ
ーク２によって磁気回路を形成し、再生ヘッドギャップ
６で検出した磁気記録媒体（例えば、磁気テープ）から
の信号磁束をＭＲ素子９により電気信号に変換して再生
出力を得る構造となっている。また、下部ヨーク２と上
部ヨーク３，４との間には、絶縁層８が形成されてい
る。
【００２３】また、上部ヨーク前部３と下部ヨーク２の
先端に形成する再生ヘッドギャップ６の再生ヘッドギャ
ップ長は０．１μｍとし、また上部ヨーク前部３と下部
ヨーク２が絶縁層８を介して再生ヘッドギャップ６とし
て対向している再生ヘッドギャップ深さＤg は、再生出
力を高く維持させるために０μｍ＜Ｄg ≦１０μｍとし
た（図４参照）。
先端に形成する再生ヘッドギャップ６の再生ヘッドギャ
ップ長は０．１μｍとし、また上部ヨーク前部３と下部
ヨーク２が絶縁層８を介して再生ヘッドギャップ６とし
て対向している再生ヘッドギャップ深さＤg は、再生出
力を高く維持させるために０μｍ＜Ｄg ≦１０μｍとし
た（図４参照）。
【００２４】また、上部ヨーク前部３の再生ヘッドギャ
ップ先端の幅（以降、上部ヨーク再生トラック幅とい
う）をＷu 、下部ヨーク２の再生ヘッドギャップ先端の
幅（以降下部ヨーク再生トラック幅）をＷb とすると、
それぞれ１μｍ≦Ｗu ≦２０μｍおよびＷu ≦Ｗb とし
た。また、上部ヨーク前部３から上部ヨーク後部４へ向
かう方向のＭＲ素子９の幅（以降ＭＲ高さ）をｈとする
と、本実施例においては０＜ｈ≦１０μｍとした。
ップ先端の幅（以降、上部ヨーク再生トラック幅とい
う）をＷu 、下部ヨーク２の再生ヘッドギャップ先端の
幅（以降下部ヨーク再生トラック幅）をＷb とすると、
それぞれ１μｍ≦Ｗu ≦２０μｍおよびＷu ≦Ｗb とし
た。また、上部ヨーク前部３から上部ヨーク後部４へ向
かう方向のＭＲ素子９の幅（以降ＭＲ高さ）をｈとする
と、本実施例においては０＜ｈ≦１０μｍとした。
【００２５】図５は本実施例における、上部ヨークに形
成したギャップ５の幅方向に対してＭＲ素子９が上部ヨ
ーク前部３にオーバーラップする幅寸法Ｗs （図２に矢
印で示す。尚、以下ＭＲセンス幅という）と、再生出力
との関係を示す図である。同図よりＭＲセンス幅Ｗs が
広いほど高い再生出力が得られることが分かる。これ
は、ＭＲセンス幅Ｗs が広いほどＭＲ素子９の磁気抵抗
が低下し、磁気記録媒体からＭＲ素子１９へ流入する磁
束が増大するためであり、また、ＭＲヘッド１９の再生
出力がＭＲセンス幅Ｗs に比例するという本質的な特徴
を有しているためである。
成したギャップ５の幅方向に対してＭＲ素子９が上部ヨ
ーク前部３にオーバーラップする幅寸法Ｗs （図２に矢
印で示す。尚、以下ＭＲセンス幅という）と、再生出力
との関係を示す図である。同図よりＭＲセンス幅Ｗs が
広いほど高い再生出力が得られることが分かる。これ
は、ＭＲセンス幅Ｗs が広いほどＭＲ素子９の磁気抵抗
が低下し、磁気記録媒体からＭＲ素子１９へ流入する磁
束が増大するためであり、また、ＭＲヘッド１９の再生
出力がＭＲセンス幅Ｗs に比例するという本質的な特徴
を有しているためである。
【００２６】しかしながら、ＭＲセンス幅Ｗs を広くす
ると、それだけＭＲ素子９の抵抗が大きくなりＭＲ素子
９から発生する抵抗ノイズが増大して、磁気記録情報の
再生誤りを生じるという問題がある。そこで、本実施例
ではこれを防止するため、抵抗ノイズのレベルが再生ア
ンプのノイズレベルを超えないよう、かつできるだけ高
い再生出力を得ることを目的としてＭＲセンス幅Ｗs を
１μｍ≦Ｗs ≦３０μｍとした。
ると、それだけＭＲ素子９の抵抗が大きくなりＭＲ素子
９から発生する抵抗ノイズが増大して、磁気記録情報の
再生誤りを生じるという問題がある。そこで、本実施例
ではこれを防止するため、抵抗ノイズのレベルが再生ア
ンプのノイズレベルを超えないよう、かつできるだけ高
い再生出力を得ることを目的としてＭＲセンス幅Ｗs を
１μｍ≦Ｗs ≦３０μｍとした。
【００２７】図６は本実施例における、ＭＲ素子９の底
面から下部ヨーク２の上面に至る溝の深さｔubとＭＲセ
ンス幅Ｗs との比（ｔub／Ｗs ）と、再生出力の大きさ
との関係を示す図である。同図より、溝の深さｔubとＭ
Ｒセンス幅Ｗs との比が０．１以上（ｔub／Ｗs≧０．
１）において再生出力が飽和していることが分かる。こ
のことは、ｔub／Ｗs ＜０．１においては、再生ヘッド
ギャップ６で検出した磁気記録媒体からの信号磁束の一
部がＭＲ素子９の底面から下部ヨーク２の上面へ漏洩す
るために、ＭＲ素子９が十分に励磁されないことを示し
ている。
面から下部ヨーク２の上面に至る溝の深さｔubとＭＲセ
ンス幅Ｗs との比（ｔub／Ｗs ）と、再生出力の大きさ
との関係を示す図である。同図より、溝の深さｔubとＭ
Ｒセンス幅Ｗs との比が０．１以上（ｔub／Ｗs≧０．
１）において再生出力が飽和していることが分かる。こ
のことは、ｔub／Ｗs ＜０．１においては、再生ヘッド
ギャップ６で検出した磁気記録媒体からの信号磁束の一
部がＭＲ素子９の底面から下部ヨーク２の上面へ漏洩す
るために、ＭＲ素子９が十分に励磁されないことを示し
ている。
【００２８】この結果から、溝の深さｔubとＭＲセンス
幅Ｗs との比をｔub／Ｗs ≧０．１に設定することで、
ＭＲ素子９の底面から下部ヨーク２の上面へ漏洩する磁
束を抑えることが可能となり、ＭＲ素子９の底面から下
部ヨーク２の上面に至る溝の深さｔubを最小値０．１・
Ｗs に設定しても十分に高い再生出力が得ることが判
る。
幅Ｗs との比をｔub／Ｗs ≧０．１に設定することで、
ＭＲ素子９の底面から下部ヨーク２の上面へ漏洩する磁
束を抑えることが可能となり、ＭＲ素子９の底面から下
部ヨーク２の上面に至る溝の深さｔubを最小値０．１・
Ｗs に設定しても十分に高い再生出力が得ることが判
る。
【００２９】一方、図２において上部ヨーク前部３から
上部ヨーク後部４へ向かう方向のＭＲ素子９の幅ｈをＭ
Ｒ高さｈとし、また上部ヨーク前部３に対してＭＲ素子
９がオーバーラップしているＭＲ高さ方向の幅をｏｖ１
（以降、オーバーラップ長ｏｖ１という）、上部ヨーク
後部４に対してＭＲ素子９がオーバーラップしているＭ
Ｒ高さ方向の幅をｏｖ２（以降オーバーラップ長ｏｖ
２）とすると、ｏｖ１＝ｏｖ２としたときのオーバーラ
ップ長ｏｖ１，ｏｖ２と再生出力との関係は、図７に示
すようになる。
上部ヨーク後部４へ向かう方向のＭＲ素子９の幅ｈをＭ
Ｒ高さｈとし、また上部ヨーク前部３に対してＭＲ素子
９がオーバーラップしているＭＲ高さ方向の幅をｏｖ１
（以降、オーバーラップ長ｏｖ１という）、上部ヨーク
後部４に対してＭＲ素子９がオーバーラップしているＭ
Ｒ高さ方向の幅をｏｖ２（以降オーバーラップ長ｏｖ
２）とすると、ｏｖ１＝ｏｖ２としたときのオーバーラ
ップ長ｏｖ１，ｏｖ２と再生出力との関係は、図７に示
すようになる。
【００３０】図７では、ＭＲ高さｈが４μｍの場合（実
線で示す）と６μｍの場合（破線で示す）の結果を合わ
せて示している。同図より、高い再生出力を得るために
は、オーバーラップ長ｏｖ１、及びオーバーラップ長ｏ
ｖ２をそれぞれ０＜ｏｖ１＜ｈ／２、及び０＜ｏｖ２＜
ｈ／２と設定することが望ましいことが判る。尚、本実
施例では上部ヨーク前部３および上部ヨーク後部４をＦ
ｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料で形成したが、高比抵抗軟磁性を示
すＦｅ系またはＣｏ系強磁性微結晶材料であればよく、
たとえばＦｅ−Ｍｇ−ＯあるいはＣｏ−Ａｌ−Ｏなどで
形成することも可能である。
線で示す）と６μｍの場合（破線で示す）の結果を合わ
せて示している。同図より、高い再生出力を得るために
は、オーバーラップ長ｏｖ１、及びオーバーラップ長ｏ
ｖ２をそれぞれ０＜ｏｖ１＜ｈ／２、及び０＜ｏｖ２＜
ｈ／２と設定することが望ましいことが判る。尚、本実
施例では上部ヨーク前部３および上部ヨーク後部４をＦ
ｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料で形成したが、高比抵抗軟磁性を示
すＦｅ系またはＣｏ系強磁性微結晶材料であればよく、
たとえばＦｅ−Ｍｇ−ＯあるいはＣｏ−Ａｌ−Ｏなどで
形成することも可能である。
【００３１】また、図３は本発明の第２実施例である磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを示している。本実施例に
係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、上部ヨーク前部
３及び上部ヨーク後部４とＭＲ素子９との磁気的な結合
を高める第１及び第２の磁気結合層７Ａ，７Ｂを設けた
ことを特徴としている。この第１及び第２の磁気結合層
７Ａ，７Ｂは、例えば高比抵抗軟磁性材料であるＦｅ−
Ｈｆ−Ｏ系材料で形成されている。
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを示している。本実施例に
係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、上部ヨーク前部
３及び上部ヨーク後部４とＭＲ素子９との磁気的な結合
を高める第１及び第２の磁気結合層７Ａ，７Ｂを設けた
ことを特徴としている。この第１及び第２の磁気結合層
７Ａ，７Ｂは、例えば高比抵抗軟磁性材料であるＦｅ−
Ｈｆ−Ｏ系材料で形成されている。
【００３２】この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、磁
性あるいは非磁性の基板１の上に下部ヨーク２を形成
し、下部ヨーク２の上に絶縁層８を形成し、その上にＭ
Ｒ素子９を形成し、更に第１及び第２の磁気結合層７
Ａ，７Ｂ，上部ヨーク前部３及び上部ヨーク後部４を形
成し、ギャップ５を形成する。このとき、上部ヨーク前
部３，第１の磁気結合層７Ａ，ＭＲ素子９，第２の磁気
結合層７Ｂ，上部ヨーク後部４，下部ヨーク２は磁気回
路を構成する。
性あるいは非磁性の基板１の上に下部ヨーク２を形成
し、下部ヨーク２の上に絶縁層８を形成し、その上にＭ
Ｒ素子９を形成し、更に第１及び第２の磁気結合層７
Ａ，７Ｂ，上部ヨーク前部３及び上部ヨーク後部４を形
成し、ギャップ５を形成する。このとき、上部ヨーク前
部３，第１の磁気結合層７Ａ，ＭＲ素子９，第２の磁気
結合層７Ｂ，上部ヨーク後部４，下部ヨーク２は磁気回
路を構成する。
【００３３】尚、本実施例では第１及び第２の磁気結合
層７Ａ，７ＢをＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料で形成したが、高
比抵抗軟磁性を示すＦｅ系またはＣｏ系強磁性微結晶材
料であればよく、たとえばＦｅ−Ｍｇ−ＯあるいはＣｏ
−Ａｌ−Ｏなどで形成することもできる。ところで、上
記した第１の実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、ＭＲ素子９に流す出力検出用電流が下部ヨ
ーク２，上部ヨーク前部３，及び上部ヨーク後部４（以
下、これらを総称する場合にはヨーク部材２〜４とい
う）を形成するヨーク材料に分流することを防止するに
は、ヨーク部材２〜４の内、少なくとも上部ヨーク（上
部ヨーク前部３と上部ヨーク後部４とにより構成され
る）の比抵抗を、ＭＲ素子９の比抵抗に比べて５倍以上
（少なくとも５倍以上）大きく設定しなければならな
い。
層７Ａ，７ＢをＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料で形成したが、高
比抵抗軟磁性を示すＦｅ系またはＣｏ系強磁性微結晶材
料であればよく、たとえばＦｅ−Ｍｇ−ＯあるいはＣｏ
−Ａｌ−Ｏなどで形成することもできる。ところで、上
記した第１の実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、ＭＲ素子９に流す出力検出用電流が下部ヨ
ーク２，上部ヨーク前部３，及び上部ヨーク後部４（以
下、これらを総称する場合にはヨーク部材２〜４とい
う）を形成するヨーク材料に分流することを防止するに
は、ヨーク部材２〜４の内、少なくとも上部ヨーク（上
部ヨーク前部３と上部ヨーク後部４とにより構成され
る）の比抵抗を、ＭＲ素子９の比抵抗に比べて５倍以上
（少なくとも５倍以上）大きく設定しなければならな
い。
【００３４】また、上記した第２の実施例に係る磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子９に流す出
力検出電流がヨーク部材２〜４を形成するヨーク材料及
び磁気結合層７Ａ，７Ｂに分流することを防止するに
は、少なくとも磁気結合層（磁気結合層７Ａと磁気結合
層７Ｂとにより構成される）の比抵抗を、ＭＲ素子９の
比抵抗に比べて５倍以上（少なくとも５倍以上）大きく
設定しなければならない。
抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子９に流す出
力検出電流がヨーク部材２〜４を形成するヨーク材料及
び磁気結合層７Ａ，７Ｂに分流することを防止するに
は、少なくとも磁気結合層（磁気結合層７Ａと磁気結合
層７Ｂとにより構成される）の比抵抗を、ＭＲ素子９の
比抵抗に比べて５倍以上（少なくとも５倍以上）大きく
設定しなければならない。
【００３５】上記した各実施例において、ヨーク部材２
〜４あるいは磁気結合層７Ａ，７Ｂの材料として用いた
Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料の比抵抗は、１０００μΩ・ｃｍ
程度であり、ＭＲ素子９の比抵抗２５μΩ・ｃｍに対し
て約４０倍大きい。したがって、ＭＲ素子９に流す出力
検出電流がヨーク部材２〜４あるいは磁気結合層７Ａ，
７Ｂへ分流することを確実に抑止することができる。こ
れにより、磁気記録媒体からの信号磁束によってＭＲ素
子９を効率よく励磁することができ、ギャップ深さＤg
が０μｍ＜Ｄg ≦１０μｍのヨーク型ＭＲヘッドにおい
ても高い再生出力を実現することができる。
〜４あるいは磁気結合層７Ａ，７Ｂの材料として用いた
Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料の比抵抗は、１０００μΩ・ｃｍ
程度であり、ＭＲ素子９の比抵抗２５μΩ・ｃｍに対し
て約４０倍大きい。したがって、ＭＲ素子９に流す出力
検出電流がヨーク部材２〜４あるいは磁気結合層７Ａ，
７Ｂへ分流することを確実に抑止することができる。こ
れにより、磁気記録媒体からの信号磁束によってＭＲ素
子９を効率よく励磁することができ、ギャップ深さＤg
が０μｍ＜Ｄg ≦１０μｍのヨーク型ＭＲヘッドにおい
ても高い再生出力を実現することができる。
【００３６】図８は、上記した第１の実施例（図１に示
す磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド）におけるヨーク部材
２〜４の透磁率をそれぞれ表すμ2,μ3,μ4 が μ2=μ
3=μ 4 である時の透磁率に対する再生出力を、従来のヨ
ーク型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（図９に示すも
の）と比較して示した図である。同図より、本実施例に
係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいては、ヨーク
部材２〜４の透磁率を少なくとも３００以上に設定すれ
ば、従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドより高い再生
出力を得ることができることが判る。
す磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド）におけるヨーク部材
２〜４の透磁率をそれぞれ表すμ2,μ3,μ4 が μ2=μ
3=μ 4 である時の透磁率に対する再生出力を、従来のヨ
ーク型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（図９に示すも
の）と比較して示した図である。同図より、本実施例に
係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいては、ヨーク
部材２〜４の透磁率を少なくとも３００以上に設定すれ
ば、従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドより高い再生
出力を得ることができることが判る。
【００３７】また、上記した各実施例においてヨーク部
材２〜４の材料として使用したＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料の
透磁率は約１２００程度であり、透磁率２０００程度の
ヨーク材料を用いた従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドに比べても、約２倍程度高い再生出力を得ることがで
きている。また、ヨーク部材２〜４あるいは磁気結合層
７Ａ，７Ｂの材料としてＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料を用いた
場合には、膜形成に必要な熱処理温度が約２７０℃程度
でよく、パーマロイから成るＭＲ素子９の特性を劣化さ
せることはない。
材２〜４の材料として使用したＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料の
透磁率は約１２００程度であり、透磁率２０００程度の
ヨーク材料を用いた従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドに比べても、約２倍程度高い再生出力を得ることがで
きている。また、ヨーク部材２〜４あるいは磁気結合層
７Ａ，７Ｂの材料としてＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系材料を用いた
場合には、膜形成に必要な熱処理温度が約２７０℃程度
でよく、パーマロイから成るＭＲ素子９の特性を劣化さ
せることはない。
【００３８】また、上記した各実施例に係る磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素子９の底面から下部ヨ
ーク２の上面に至る溝の深さｔubを最小値０．１・Ｗs
に設定することが可能であるため、その溝を精度良く形
成できるイオンビームミリング法などを用いて形成する
ことが可能となる。このイオンビームミリング法は薄膜
パターニング技術の一つであり、所望の薄膜を形成した
後、パターニングすべき部分をレジスト層で覆い、Ａｒ
などの不活性イオンのビームを全面に照射してレジスト
層で覆われていない部分の薄膜をエッチングし、その後
有機溶剤などでレジスト層を除去するという方法であ
る。よって、高い精度で薄膜をパターニングすることが
可能となり、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの寸法精度
を向上させることができる。
果型薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素子９の底面から下部ヨ
ーク２の上面に至る溝の深さｔubを最小値０．１・Ｗs
に設定することが可能であるため、その溝を精度良く形
成できるイオンビームミリング法などを用いて形成する
ことが可能となる。このイオンビームミリング法は薄膜
パターニング技術の一つであり、所望の薄膜を形成した
後、パターニングすべき部分をレジスト層で覆い、Ａｒ
などの不活性イオンのビームを全面に照射してレジスト
層で覆われていない部分の薄膜をエッチングし、その後
有機溶剤などでレジスト層を除去するという方法であ
る。よって、高い精度で薄膜をパターニングすることが
可能となり、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの寸法精度
を向上させることができる。
【００３９】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、ＭＲ素子か
らの検出電流の分流を抑止することが可能となり、高密
度磁気記録再生においても高い再生出力を得ることが可
能となる。
らの検出電流の分流を抑止することが可能となり、高密
度磁気記録再生においても高い再生出力を得ることが可
能となる。
【図１】本発明の第１実施例である磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの断面図である。
磁気ヘッドの断面図である。
【図２】本発明の第１実施例である磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの平面図である。
磁気ヘッドの平面図である。
【図３】本発明の第２実施例である磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの断面図である。
磁気ヘッドの断面図である。
【図４】本発明の実施例におけるヨーク型ＭＲヘッドの
再生ヘッドギャップ深さＤg に対する再生出力を表す図
である。
再生ヘッドギャップ深さＤg に対する再生出力を表す図
である。
【図５】本発明の実施例におけるＭＲセンス幅Ｗs に対
する再生出力を表す図である。
する再生出力を表す図である。
【図６】本発明の実施例におけるヨーク型ＭＲヘッドに
おいて、ＭＲ素子の底面から下部ヨークの上面に至る溝
の深さｔubとＭＲセンス幅Ｗs との比に対する再生出力
を表す図である。
おいて、ＭＲ素子の底面から下部ヨークの上面に至る溝
の深さｔubとＭＲセンス幅Ｗs との比に対する再生出力
を表す図である。
【図７】本発明の実施例におけるオーバーラップ長に対
する再生出力を表す図である。
する再生出力を表す図である。
【図８】ヨーク材料の透磁率に対する再生出力におい
て、本発明の実施例で示したヨーク型ＭＲヘッドと従来
のヨーク型ＭＲヘッドとの比較を表す図である。
て、本発明の実施例で示したヨーク型ＭＲヘッドと従来
のヨーク型ＭＲヘッドとの比較を表す図である。
【図９】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１０】磁気結合層を有する従来の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
１ 基板 ２ 下部ヨーク ３ 上部ヨーク前部 ４ 上部ヨーク後部 ５ ギャップ ６ 再生ヘッドギャップ ７Ａ，７Ｂ 磁気結合層 ８ 絶縁層 Ｄg 再生ヘッドギャップ深さ ｔub ＭＲ素子の底面から下部ヨークの上面に至る溝の
深さ Ｗs ＭＲセンス幅 ｈ ＭＲ高さ ｏｖ１ 上部ヨーク前部とＭＲ素子のオーバーラップ長 ｏｖ２ 上部ヨーク後部とＭＲ素子のオーバーラップ長 Ｗu 上部ヨーク再生トラック幅 Ｗb 下部ヨーク再生トラック幅 μ2 下部ヨークの透磁率 μ3 上部ヨーク前部の透磁率 μ4 上部ヨーク後部の透磁率 μ7 磁気結合層の透磁率
深さ Ｗs ＭＲセンス幅 ｈ ＭＲ高さ ｏｖ１ 上部ヨーク前部とＭＲ素子のオーバーラップ長 ｏｖ２ 上部ヨーク後部とＭＲ素子のオーバーラップ長 Ｗu 上部ヨーク再生トラック幅 Ｗb 下部ヨーク再生トラック幅 μ2 下部ヨークの透磁率 μ3 上部ヨーク前部の透磁率 μ4 上部ヨーク後部の透磁率 μ7 磁気結合層の透磁率
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 守央 神奈川県厚木市酒井1601 ミツミ電機株式 会社厚木事業所内 (72)発明者 中村 明 神奈川県厚木市酒井1601 ミツミ電機株式 会社厚木事業所内 (72)発明者 町田 賢司 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 林 直人 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 武藤 一利 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 上原 年博 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 沼澤 潤二 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 Ｆターム(参考） 5D034 AA03 BA02 BA18 BA21 BB01
Claims (4)
- 【請求項１】 上部ヨークをギャップを介して上部ヨー
ク前部と上部ヨーク後部とに分断すると共に前記ギャッ
プに磁気記録信号を検出する磁気抵抗効果素子を配設
し、 再生ヘッドギャップ、前記上部ヨーク前部、前記磁気抵
抗効果素子、前記上部ヨーク後部、及び下部ヨークの間
に環状の磁気回路を形成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、 前記上部ヨークを高比抵抗軟磁性を示すＦｅ系またはＣ
ｏ系強磁性材料で形成し、 前記上部ヨークの比抵抗を前記磁気抵抗効果素子の比抵
抗に対して５倍以上大きく設定し、 かつ、前記上部ヨークの透磁率を３００以上としたこと
を特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記上部ヨークに形成したギャップの幅方向に対し、前
記磁気抵抗効果素子が前記上部ヨーク前部にオーバーラ
ップする幅寸法をＷs とし、 また前記磁気抵抗効果素子の底面から前記下部ヨークの
上面に至る非磁性の絶縁層が形成された溝の深さをｔub
とした場合、 ｔub／Ｗs ≧０．１が成立するよう構成したことを特徴
とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上部ヨークをギャップを介して上部ヨー
ク前部と上部ヨーク後部とに分断すると共に前記ギャッ
プに磁気記録信号を検出する磁気抵抗効果素子を配設
し、 前記磁気抵抗効果素子と前記上部ヨーク前部との間に第
１の磁気結合層を配設すると共に、前記磁気抵抗効果素
子と前記上部ヨーク後部との間に第２の磁気結合層を配
設し、 再生ヘッドギャップ、前記上部ヨーク前部、前記第１の
磁気結合層、前記磁気抵抗効果素子、前記第２の磁気結
合層、前記上部ヨーク後部、及び下部ヨークとの間に環
状の磁気回路を形成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
において、 前記第１の磁気結合層と前記第２の磁気結合層を高比抵
抗軟磁性を示すＦｅ系またはＣｏ系強磁性材料で形成
し、 前記第１の磁気結合層と前記第２の磁気結合層の比抵抗
を前記磁気抵抗効果素子の比抵抗に対して５倍以上大き
く設定し、 かつ、前記上部ヨークの透磁率を３００以上としたこと
を特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項３記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記上部ヨークに形成したギャップの幅方向に対し、前
記磁気抵抗効果素子が前記上部ヨーク前部にオーバーラ
ップする幅寸法をＷs とし、 また前記磁気抵抗効果素子の底面から前記下部ヨークの
上面に至る非磁性の絶縁層が形成された溝の深さをｔub
とした場合、 ｔub／Ｗs ≧０．１が成立するよう構成したことを特徴
とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11013451A JP2000215412A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11013451A JP2000215412A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000215412A true JP2000215412A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11833517
Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000215412A (ja) |
-
1999
- 1999-01-21 JP JP11013451A patent/JP2000215412A/ja active Pending
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