JPH04121808A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH04121808A JPH04121808A JP2242028A JP24202890A JPH04121808A JP H04121808 A JPH04121808 A JP H04121808A JP 2242028 A JP2242028 A JP 2242028A JP 24202890 A JP24202890 A JP 24202890A JP H04121808 A JPH04121808 A JP H04121808A
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- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序で本発明を説明する。
Ａ 産業上の利用分野
Ｂ 発明の概要
Ｃ従来の技術
Ｄ 発明が解決しようとする課題
Ｅ 課題を解決するための手段
Ｆ 作用
Ｇ 実施例
Ｇ、実施例Ｉ
Ｇ２実施例２
Ｇ、実施例３
Ｇ４実施例４
Ｃ１実施例５
Ｇ６実施例６
Ｇ７実施例７
Ｇｏ実施例８
Ｇ、実施例９
Ｈ発明の効果
Ａ 産業上の利用分野
本発明は、薄膜磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果（ＭＲ）
素子を感磁部として有するＭＲＲ磁気ヘッドと誘導型記
録ヘッドとの複合型構成を有する水平型の薄膜磁気ヘッ
ドに係わる。
素子を感磁部として有するＭＲＲ磁気ヘッドと誘導型記
録ヘッドとの複合型構成を有する水平型の薄膜磁気ヘッ
ドに係わる。
Ｂ 発明の概要
第１の本発明は薄膜磁気ヘッドに係わり、磁気ギャップ
を有する薄膜磁気コアが磁気記録媒体面に対してほぼ平
行に配置され、この薄膜磁気コアにより第１の閉磁路が
形成され、第１の閉磁路に磁気的に結合するヘッド巻線
部が設けられ、この第１の閉磁路の磁気ギャップを含む
一部を磁気的に結合する第２の閉磁路を形成するように
ＭＲＲ磁部が配置され、第１の閉磁路の他部に補助磁気
ギャップを設けてなることにより、再生効率の向上をは
かる。
を有する薄膜磁気コアが磁気記録媒体面に対してほぼ平
行に配置され、この薄膜磁気コアにより第１の閉磁路が
形成され、第１の閉磁路に磁気的に結合するヘッド巻線
部が設けられ、この第１の閉磁路の磁気ギャップを含む
一部を磁気的に結合する第２の閉磁路を形成するように
ＭＲＲ磁部が配置され、第１の閉磁路の他部に補助磁気
ギャップを設けてなることにより、再生効率の向上をは
かる。
第２の本発明は薄膜磁気ヘットに係わり、磁気ギャップ
を有する薄膜磁気コアが磁気記録媒体面に対してほぼ平
行に配置され、この薄膜磁気コアにより閉磁路が形成さ
れ、閉磁路に磁気ギャップとは別に補助磁気ギャップが
設けられ、補助磁気ギャップ内にＭＲＲ磁部が配置され
、閉磁路に磁気的に結合するヘッド巻線部を設けてなる
ことにより、再生効率の向上及び製造工程の簡易化をは
かる。
を有する薄膜磁気コアが磁気記録媒体面に対してほぼ平
行に配置され、この薄膜磁気コアにより閉磁路が形成さ
れ、閉磁路に磁気ギャップとは別に補助磁気ギャップが
設けられ、補助磁気ギャップ内にＭＲＲ磁部が配置され
、閉磁路に磁気的に結合するヘッド巻線部を設けてなる
ことにより、再生効率の向上及び製造工程の簡易化をは
かる。
Ｃ従来の技術
近年の磁気記録の高密度化に伴って狭トラツク幅化等の
面において有利な水′平型薄膜磁気ヘッドが注目されて
いる。
面において有利な水′平型薄膜磁気ヘッドが注目されて
いる。
一方、再生感度の点で有利なＭＲ素子を感磁部とするＭ
ＲＲ磁気ヘッドが盛んに研究される傾向にあり、両者を
組み合わせた構造の薄膜磁気ヘッドが提案されている。
ＲＲ磁気ヘッドが盛んに研究される傾向にあり、両者を
組み合わせた構造の薄膜磁気ヘッドが提案されている。
このようなＭＲ型でかつ水平型の薄膜磁気ヘットとして
は、例えば本出願人による特開昭６２−１３４８１４号
公開公報にその開示がある。この薄膜磁気ヘットは第９
図にその路線的拡大断面図を示すように、バイアス導体
（１６）を囲む磁気回路が、磁気記録媒体に対向する側
に磁気ギャップｇを有する一対の磁気コア（３８＾）及
び（３８Ｂ）と、ＭＲＲ磁部（１３）が積層されるよう
にかつ両端部が互いに磁気的に結合して閉磁路を形成す
るように構成される。
は、例えば本出願人による特開昭６２−１３４８１４号
公開公報にその開示がある。この薄膜磁気ヘットは第９
図にその路線的拡大断面図を示すように、バイアス導体
（１６）を囲む磁気回路が、磁気記録媒体に対向する側
に磁気ギャップｇを有する一対の磁気コア（３８＾）及
び（３８Ｂ）と、ＭＲＲ磁部（１３）が積層されるよう
にかつ両端部が互いに磁気的に結合して閉磁路を形成す
るように構成される。
この各磁気コア（３８Ａ）及び（３８Ｂ）とＭＲＲ磁部
（Ｉ３）との間には絶縁層（８）を介してバイアス導体
（１６）がＭＲＲ磁部（１３）を横切る方向に延在され
る。そしてその一対の磁気コア（３８Ａ）及び（３８Ｂ
）の一部分とともに磁気記録媒体対向面即ちＡ Ｂ Ｓ
（Ａｉｒ Ｂｅａｒ −ｉｎｇ ５ｕｒｆａｃｅ）面
（３０）を構成する保護層（３９）が被着形成されてＭ
ＲＲ磁気ヘッドが構成される。
（Ｉ３）との間には絶縁層（８）を介してバイアス導体
（１６）がＭＲＲ磁部（１３）を横切る方向に延在され
る。そしてその一対の磁気コア（３８Ａ）及び（３８Ｂ
）の一部分とともに磁気記録媒体対向面即ちＡ Ｂ Ｓ
（Ａｉｒ Ｂｅａｒ −ｉｎｇ ５ｕｒｆａｃｅ）面
（３０）を構成する保護層（３９）が被着形成されてＭ
ＲＲ磁気ヘッドが構成される。
このＭＲＲ磁気ヘッドでは、第１０図にＭＲＲ磁部（１
３）の路線的拡大断面図を示すように、例えばＮｉＦｅ
より成り、厚さ３００人のＭＲｆｉ膜ＭＲＡ及びＭ Ｒ
ｍが、互いに静磁的結合を生じるも交換相互作用がほと
んど生じることのない厚さの例えば６０人の＾１２０３
等より成る非磁性層（３５）を介在させて積層した２層
構造感磁部構成が採られ、この場合ＭＲ＾及びＭＲｌｌ
においてそれぞれその幅方向を磁化容易軸方向ｅ、ａに
選定し、磁化困難軸方向に、それぞれ同方向にセンス電
流Ｉｓを流すようにすると、既に知られているように、
磁壁の発生を抑制して、バルクハウゼンノイズを低減化
することができる。
３）の路線的拡大断面図を示すように、例えばＮｉＦｅ
より成り、厚さ３００人のＭＲｆｉ膜ＭＲＡ及びＭ Ｒ
ｍが、互いに静磁的結合を生じるも交換相互作用がほと
んど生じることのない厚さの例えば６０人の＾１２０３
等より成る非磁性層（３５）を介在させて積層した２層
構造感磁部構成が採られ、この場合ＭＲ＾及びＭＲｌｌ
においてそれぞれその幅方向を磁化容易軸方向ｅ、ａに
選定し、磁化困難軸方向に、それぞれ同方向にセンス電
流Ｉｓを流すようにすると、既に知られているように、
磁壁の発生を抑制して、バルクハウゼンノイズを低減化
することができる。
上述したような磁気ギャップｇを有する磁路の一部にＭ
Ｒ惑付磁部１３）を結合して閉磁路を構成した場合、磁
気ギャップｇからＭＲ惑付磁部１３）までの磁路長が小
となるため再生効率が向上し、また水平型構造を採るた
めに高い出力電圧が得られ、かつ優れたＳ／Ｎが得られ
る。またＭＲ惑付磁部１３）がＡＢＳ面（３０）から光
分離れた位置に配されるため、加工性、信顛性ともに安
定しているが、記録ヘッドの構造が考慮されていないと
いう問題があった。
Ｒ惑付磁部１３）を結合して閉磁路を構成した場合、磁
気ギャップｇからＭＲ惑付磁部１３）までの磁路長が小
となるため再生効率が向上し、また水平型構造を採るた
めに高い出力電圧が得られ、かつ優れたＳ／Ｎが得られ
る。またＭＲ惑付磁部１３）がＡＢＳ面（３０）から光
分離れた位置に配されるため、加工性、信顛性ともに安
定しているが、記録ヘッドの構造が考慮されていないと
いう問題があった。
Ｄ 発明が解決しようとする課題
一方、本出願人は、先に特願平１−２５３６７３号出願
において、第１１図にその路線的拡大断面図を示すよう
に、磁気ギャップｇを有する前部コア（４２）がＡＢＳ
面（３０）に平行に配置され、この前部コア（４２）に
重ね合わせられるように磁気ギャップｇを横切って非磁
性層を介して静磁的結合するＭＲ％ｊ膜の積層構造によ
るＭＲ感磁部（１３）が配置されると共に、このＭＲ感
磁部（１３）にバイアス磁界を与えるバイアス導体（４
５）が配置され、更にこれの上に絶縁層（４６）を介し
てヘッド巻線部（４７）が形成され、更にこの一部を跨
いで絶縁Ｎ （４Ｂ）を介して後部コア（４９）がその
両端を前部コア（４２）の両端に接触するように積層さ
れた構成を採る薄膜磁気ヘッドを提案した。
において、第１１図にその路線的拡大断面図を示すよう
に、磁気ギャップｇを有する前部コア（４２）がＡＢＳ
面（３０）に平行に配置され、この前部コア（４２）に
重ね合わせられるように磁気ギャップｇを横切って非磁
性層を介して静磁的結合するＭＲ％ｊ膜の積層構造によ
るＭＲ感磁部（１３）が配置されると共に、このＭＲ感
磁部（１３）にバイアス磁界を与えるバイアス導体（４
５）が配置され、更にこれの上に絶縁層（４６）を介し
てヘッド巻線部（４７）が形成され、更にこの一部を跨
いで絶縁Ｎ （４Ｂ）を介して後部コア（４９）がその
両端を前部コア（４２）の両端に接触するように積層さ
れた構成を採る薄膜磁気ヘッドを提案した。
このような構成とする場合、ＭＲｉ磁部（１３）が磁気
ギャップｇの近傍に配置されるものではあるが、このよ
うにしても後部コア（４９）の存在によって良好な再生
効率を得ることに問題が生じる場合がある。
ギャップｇの近傍に配置されるものではあるが、このよ
うにしても後部コア（４９）の存在によって良好な再生
効率を得ることに問題が生じる場合がある。
本発明は、上述したようなＭＲ再生ヘッドと誘導型記録
ヘッドの複合型薄膜磁気ヘッドにおいて再生効率の向上
をはかり、かつ記録再生共に良好な薄膜磁気ヘッドを提
供するものである。
ヘッドの複合型薄膜磁気ヘッドにおいて再生効率の向上
をはかり、かつ記録再生共に良好な薄膜磁気ヘッドを提
供するものである。
Ｅ 課題を解決するための手段
第１の本発明による薄膜磁気ヘッドは第１図にその一例
の路線的拡大断面図を示すように、磁気ギャップｇを有
する薄膜磁気コア（２２）が磁気記録媒体面に対してほ
ぼ平行に配置され、この薄膜磁気コア（２２）により第
１の閉磁路（２４）が形成され、第１の閉磁路（２４）
に磁気的に結合するヘッド巻線部（９）が設けられ、第
１の閉磁路（２４）の磁気ギャップｇを含む一部を磁気
的に結合する第２の閉磁路（２５）を形成するようにＭ
Ｒ感磁部（１３）が配置され、第１の閉磁路（２４）の
他部に補助磁気ギャップｇ１及びｇ２を設けてなる。
の路線的拡大断面図を示すように、磁気ギャップｇを有
する薄膜磁気コア（２２）が磁気記録媒体面に対してほ
ぼ平行に配置され、この薄膜磁気コア（２２）により第
１の閉磁路（２４）が形成され、第１の閉磁路（２４）
に磁気的に結合するヘッド巻線部（９）が設けられ、第
１の閉磁路（２４）の磁気ギャップｇを含む一部を磁気
的に結合する第２の閉磁路（２５）を形成するようにＭ
Ｒ感磁部（１３）が配置され、第１の閉磁路（２４）の
他部に補助磁気ギャップｇ１及びｇ２を設けてなる。
第２の本発明による薄膜磁気ヘッドは第２図にその一例
の路線的拡大断面図を示すように、磁気ギャップｇを有
する薄膜磁気コア（２２）が磁気記録媒体面に対してほ
ぼ平行に配置され、この薄膜磁気コアによって閉磁路（
２６）が形成され、この閉磁路（２６）に磁気ギャップ
ｇとは別に補助磁気ギャップｇ、が設けられ、補助磁気
ギャップｇ、内にＭＲ感磁部（１３）が配置され、閉磁
路（２６）に磁気的に結合するヘッド巻線部（９）を設
けてなる。
の路線的拡大断面図を示すように、磁気ギャップｇを有
する薄膜磁気コア（２２）が磁気記録媒体面に対してほ
ぼ平行に配置され、この薄膜磁気コアによって閉磁路（
２６）が形成され、この閉磁路（２６）に磁気ギャップ
ｇとは別に補助磁気ギャップｇ、が設けられ、補助磁気
ギャップｇ、内にＭＲ感磁部（１３）が配置され、閉磁
路（２６）に磁気的に結合するヘッド巻線部（９）を設
けてなる。
Ｆ 作用
上述したように、第１の本発明による薄膜磁気ヘッドは
、第１図に示すように、薄膜磁気コア（２２）により構
成される第１の閉磁路（２４）に磁気的に結合されるヘ
ッド巻線部（９）を設けるとともに、第１の閉磁路（２
４）の磁気ギャップｇを含む一部を磁気的に結合して第
２の閉磁路（２５）を形成するようにＭＲ感磁部（１３
）を配置することにより、ＭＲ感磁部（１３）が比較的
小なる閉磁路（２５）内に配置され、また第１の閉磁路
（２４）の他部に補助磁気ギャップｇＩ及びｇ２を設け
ることから、この他部側の磁気抵抗を高めることとなり
、ＭＲ感磁部（１３）側への磁束の分流量を調節するこ
とができ、ＭＲ感磁部（１３）の再生効率の向上をはか
ることができる。
、第１図に示すように、薄膜磁気コア（２２）により構
成される第１の閉磁路（２４）に磁気的に結合されるヘ
ッド巻線部（９）を設けるとともに、第１の閉磁路（２
４）の磁気ギャップｇを含む一部を磁気的に結合して第
２の閉磁路（２５）を形成するようにＭＲ感磁部（１３
）を配置することにより、ＭＲ感磁部（１３）が比較的
小なる閉磁路（２５）内に配置され、また第１の閉磁路
（２４）の他部に補助磁気ギャップｇＩ及びｇ２を設け
ることから、この他部側の磁気抵抗を高めることとなり
、ＭＲ感磁部（１３）側への磁束の分流量を調節するこ
とができ、ＭＲ感磁部（１３）の再生効率の向上をはか
ることができる。
また第２の本発明による薄膜磁気ヘッドは第２図に示す
ように、磁気ギャップｇを有する薄膜磁気コア（２２）
より成る閉磁路（２６）が形成され、この閉磁路（２６
）に磁気ギャップｇとは別に設けられた補助磁気ギャッ
プｇ１内にＭＲ惑感磁（１３）が配置されることからこ
のＭＲ惑感磁（１３）を含む閉磁路（２６）が唯一の閉
磁路となるため、再生効率の向上をはかることができ、
またこの閉磁路（２６）に磁気的に結合するヘッド巻線
部（９）を設けてなり、このヘッド巻線部（９）によっ
てＭＲ感磁部（１３）のバイアス磁界発生をも行うこと
ができるため、バイアス導体を設ける必要がなく、製造
工程の簡易化をはかることができる。
ように、磁気ギャップｇを有する薄膜磁気コア（２２）
より成る閉磁路（２６）が形成され、この閉磁路（２６
）に磁気ギャップｇとは別に設けられた補助磁気ギャッ
プｇ１内にＭＲ惑感磁（１３）が配置されることからこ
のＭＲ惑感磁（１３）を含む閉磁路（２６）が唯一の閉
磁路となるため、再生効率の向上をはかることができ、
またこの閉磁路（２６）に磁気的に結合するヘッド巻線
部（９）を設けてなり、このヘッド巻線部（９）によっ
てＭＲ感磁部（１３）のバイアス磁界発生をも行うこと
ができるため、バイアス導体を設ける必要がなく、製造
工程の簡易化をはかることができる。
上述した第１及び第２の本発明による構造を採ることの
効果を、２次元解析モデルによりシミュレーションを行
って、ＭＲ感磁部（１３）の再生効率の変化を計算して
確認した。この場合、第３図に路線的拡大断面図を示す
解析用モデルにおいて、磁気ギャップ長ｔ、ｇは０．５
μＩ、前部薄膜磁気コアの磁気記録媒体と対向するＡＢ
Ｓ面の一部を構成する長さＬｄは５．０μｍ、ＭＲ感磁
部（１３）の長さＬＫＲは１５μ麟、前部又は後部薄膜
磁気コア（２２）又は（７）の磁気ギャップ長方向の長
さＬｃは４０μｍ、前部薄膜磁気コア（２２）の厚さｔ
、は１．０μｍ、接続部の厚さｔ２は３．０μｍ、後部
薄膜磁気コア（７）の厚さｔ３は２．０μｍ、前部薄膜
磁気コア（２２）の斜面部分の磁気記録媒体と直交する
方向の高さり、は２．９μｍとした。
効果を、２次元解析モデルによりシミュレーションを行
って、ＭＲ感磁部（１３）の再生効率の変化を計算して
確認した。この場合、第３図に路線的拡大断面図を示す
解析用モデルにおいて、磁気ギャップ長ｔ、ｇは０．５
μＩ、前部薄膜磁気コアの磁気記録媒体と対向するＡＢ
Ｓ面の一部を構成する長さＬｄは５．０μｍ、ＭＲ感磁
部（１３）の長さＬＫＲは１５μ麟、前部又は後部薄膜
磁気コア（２２）又は（７）の磁気ギャップ長方向の長
さＬｃは４０μｍ、前部薄膜磁気コア（２２）の厚さｔ
、は１．０μｍ、接続部の厚さｔ２は３．０μｍ、後部
薄膜磁気コア（７）の厚さｔ３は２．０μｍ、前部薄膜
磁気コア（２２）の斜面部分の磁気記録媒体と直交する
方向の高さり、は２．９μｍとした。
そして各コア（２２）及び（７）の初透磁率μ、は１０
００、飽和磁束密度Ｂｓは８０００ Ｇとし、また磁気
記録媒体は不変磁化磁石要素を用いて残留磁束密度Ｂｒ
はｔｏｏｏｏｃ、その磁性層の厚さを０．０４５μｍと
してシミュレーションを積分法を用いて行い、孤立波応
答と発生磁界を求めた。この結果を第４図に示す。
００、飽和磁束密度Ｂｓは８０００ Ｇとし、また磁気
記録媒体は不変磁化磁石要素を用いて残留磁束密度Ｂｒ
はｔｏｏｏｏｃ、その磁性層の厚さを０．０４５μｍと
してシミュレーションを積分法を用いて行い、孤立波応
答と発生磁界を求めた。この結果を第４図に示す。
第４図において、線ａは第１図に示す第１の本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの一例、線すは第７図Ｃに示す第１の
本発明による薄膜磁気ヘッドの他の例で、線Ｃは第２図
に示す第２の本発明による薄膜磁気ヘッド、線ｄは第１
図に示す第１の本発明による薄膜磁気ヘッドの補助磁気
ギャップを除いた構造の薄膜磁気へラドを比較例として
示す。
る薄膜磁気ヘッドの一例、線すは第７図Ｃに示す第１の
本発明による薄膜磁気ヘッドの他の例で、線Ｃは第２図
に示す第２の本発明による薄膜磁気ヘッド、線ｄは第１
図に示す第１の本発明による薄膜磁気ヘッドの補助磁気
ギャップを除いた構造の薄膜磁気へラドを比較例として
示す。
線ａ及びｂかられかるように、第１の本発明による薄膜
磁気ヘントの各側におけるＭＲ再生効率は、ピーク間の
出力がそれぞれ４９．７％と４２．８％と高く、線Ｃで
示す第２の本発明による薄膜磁気ヘッドもまた３５．４
％のピーク間出力が得られ、比較例の線ｄで示す１６．
０％に比して再生波形の差が２倍以上となり、即ち再生
効率が向上されていることが確認された。
磁気ヘントの各側におけるＭＲ再生効率は、ピーク間の
出力がそれぞれ４９．７％と４２．８％と高く、線Ｃで
示す第２の本発明による薄膜磁気ヘッドもまた３５．４
％のピーク間出力が得られ、比較例の線ｄで示す１６．
０％に比して再生波形の差が２倍以上となり、即ち再生
効率が向上されていることが確認された。
また、各側の電流値に対するＡＢＳ面（３０）上１．５
μｍの位置における発生磁界を同様にシミュレーション
を行った結果を第５図に示す。線ｄで示す比較例が最も
効率よく磁界を発生するが、例えば線ａで示す本発明に
よる薄膜磁気ヘッドでは約ＩＡＴ（アンペアターン）流
すとほぼ従来例と同様の磁界を発生し得ることがわかり
、充分記録効率を保持できることが確認された。
μｍの位置における発生磁界を同様にシミュレーション
を行った結果を第５図に示す。線ｄで示す比較例が最も
効率よく磁界を発生するが、例えば線ａで示す本発明に
よる薄膜磁気ヘッドでは約ＩＡＴ（アンペアターン）流
すとほぼ従来例と同様の磁界を発生し得ることがわかり
、充分記録効率を保持できることが確認された。
従って、上述した第１及び第２の本発明による構成とす
ることにより、ＭＲ再生効率の向上をはかるごとができ
、また従来の構造の利点である水平型構造を取るための
高出力電圧及び良好なＳ／Ｎを有する薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
ることにより、ＭＲ再生効率の向上をはかるごとができ
、また従来の構造の利点である水平型構造を取るための
高出力電圧及び良好なＳ／Ｎを有する薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
Ｇ 実施例
以下第１及び第２の本発明による薄膜磁気ヘッドの各実
施例をその理解を容易にするために、第６図Ａ−にの製
造工程図を参照して詳細に説明する。先ず第１図に示す
前部薄膜磁気コア（２２Ａ）と後部薄膜磁気コア（７）
間の接続部において補助ギャップｇ１及びｇ！を設けた
場合を実施例１として示す。
施例をその理解を容易にするために、第６図Ａ−にの製
造工程図を参照して詳細に説明する。先ず第１図に示す
前部薄膜磁気コア（２２Ａ）と後部薄膜磁気コア（７）
間の接続部において補助ギャップｇ１及びｇ！を設けた
場合を実施例１として示す。
Ｇ、実施例１
まず第６図Ａに示すように、Ａｌｔｏｓ ・ＴｉＣ５Ｃ
ａＴｉＯｉ＋フエライト系セラミツク、結晶化ガラス等
より成る絶縁基板（１）を用意し、この絶縁基板（１）
にレーザドリリング等により端子孔開けを行って孔部（
２）を形成した後、ＨＣＩ等により孔部（２）の段差（
２Ｓ）を形成し、主面（ＩＳ）及び裏面（ＩＲ）上に全
面的にメツキ種付けとなる例えばＣｏよりなる金属層（
３）をスパッタリング等により被着した後、Ｎｉ等を例
えば電気メツキによって形成し、更に両主面（ＩＳ）及
び裏面（ＩＲ）を研磨して孔部（２）内を除いて絶縁基
板（１）を露出させる。
ａＴｉＯｉ＋フエライト系セラミツク、結晶化ガラス等
より成る絶縁基板（１）を用意し、この絶縁基板（１）
にレーザドリリング等により端子孔開けを行って孔部（
２）を形成した後、ＨＣＩ等により孔部（２）の段差（
２Ｓ）を形成し、主面（ＩＳ）及び裏面（ＩＲ）上に全
面的にメツキ種付けとなる例えばＣｏよりなる金属層（
３）をスパッタリング等により被着した後、Ｎｉ等を例
えば電気メツキによって形成し、更に両主面（ＩＳ）及
び裏面（ＩＲ）を研磨して孔部（２）内を除いて絶縁基
板（１）を露出させる。
次に第６図Ｂに示すように、薄膜磁気コアのメツキ種付
は層としてのＮｉＦｅ等よりなる磁性層（５）を全面的
にスパッタリング等により形成した後、例えば通常のフ
レームメツキ等によってＮｉＦｅ等よりなる磁性層（７
Ａ）を所要のパターンにパターニングし、更に磁性層（
５）も同様のパターンに例えばウェットエツチングによ
り磁性層（７Ａ）の外縁部を除去して形成する。
は層としてのＮｉＦｅ等よりなる磁性層（５）を全面的
にスパッタリング等により形成した後、例えば通常のフ
レームメツキ等によってＮｉＦｅ等よりなる磁性層（７
Ａ）を所要のパターンにパターニングし、更に磁性層（
５）も同様のパターンに例えばウェットエツチングによ
り磁性層（７Ａ）の外縁部を除去して形成する。
その後第６図Ｃに示すように、この磁性層（５）及び磁
性層（７Ａ）上を覆って全面的に例えば５ｉｆｔよりな
る非磁性の絶縁層（８）を被着形成した後、表面を研磨
して平面化し、この絶縁層（８）の上に例えばＣｕより
なる導電層を全面的に被着した後所要のパターンに、例
えばフォトリソグラフィ等によりフォトレジストの塗布
、パターン露光、現像、イオンミリング等の異方性エツ
チングを施してコイル即ちヘッド巻線部（９）を形成す
る。
性層（７Ａ）上を覆って全面的に例えば５ｉｆｔよりな
る非磁性の絶縁層（８）を被着形成した後、表面を研磨
して平面化し、この絶縁層（８）の上に例えばＣｕより
なる導電層を全面的に被着した後所要のパターンに、例
えばフォトリソグラフィ等によりフォトレジストの塗布
、パターン露光、現像、イオンミリング等の異方性エツ
チングを施してコイル即ちヘッド巻線部（９）を形成す
る。
次に第６図りに示すように、ヘッド巻線部（９）上を覆
って全面的に例えばＳｉＯ□よりなる絶縁Ｊ！ （１０
）を形成した後、所要部分例えば下層に形成した磁性層
（７Ａ）の外縁部上にこの磁性層（７Ａ）に達する深さ
に接続部穴（１１）をフォトリソグラフィ等を適用して
ＲＩＥ等により形成してこの部分における磁性層（７Ａ
）を露出させ、更にこの接続部穴（１１）内申間位置程
度にまで埋込むように例えばＮｉＦｅ等のメツキにより
形成し、後部薄膜磁気コア（７）の屈曲部（２７）を形
成して磁性層（７Ａ）及びこの磁性層（７Ｂ）とによる
後部薄膜磁気コア（力を構成する。
って全面的に例えばＳｉＯ□よりなる絶縁Ｊ！ （１０
）を形成した後、所要部分例えば下層に形成した磁性層
（７Ａ）の外縁部上にこの磁性層（７Ａ）に達する深さ
に接続部穴（１１）をフォトリソグラフィ等を適用して
ＲＩＥ等により形成してこの部分における磁性層（７Ａ
）を露出させ、更にこの接続部穴（１１）内申間位置程
度にまで埋込むように例えばＮｉＦｅ等のメツキにより
形成し、後部薄膜磁気コア（７）の屈曲部（２７）を形
成して磁性層（７Ａ）及びこの磁性層（７Ｂ）とによる
後部薄膜磁気コア（力を構成する。
その後第６図已に示すように、接続部穴（１１）内を完
全に埋込むように、磁性層（７Ｂ）上にＳｉｎｇ等より
成る絶縁層（１２）を被着形成した後表面研磨を施して
平坦化し、この上にＭＲ感磁部（１３）を形成する。
全に埋込むように、磁性層（７Ｂ）上にＳｉｎｇ等より
成る絶縁層（１２）を被着形成した後表面研磨を施して
平坦化し、この上にＭＲ感磁部（１３）を形成する。
このＭＲ感磁部（１３）は、例えば第１０図に示す従来
構造と同様に、非磁性層を介して磁性層を積層した構造
とし、例えばＮｉＦｅより成り同一厚さ例えば３００人
、同一形状を有し、かつそれぞれトラック幅方向に磁化
容易軸ｅ、ａを有する磁性層Ｍ ＲＡ及びＭ Ｒｍが、
互いに静磁的結合が生じるも交換相互作用がほとんど生
じることのない例えば６０人程度のＡ７２０３等よりな
る非磁性中間層（３５）を介在させて積層して構成する
。
構造と同様に、非磁性層を介して磁性層を積層した構造
とし、例えばＮｉＦｅより成り同一厚さ例えば３００人
、同一形状を有し、かつそれぞれトラック幅方向に磁化
容易軸ｅ、ａを有する磁性層Ｍ ＲＡ及びＭ Ｒｍが、
互いに静磁的結合が生じるも交換相互作用がほとんど生
じることのない例えば６０人程度のＡ７２０３等よりな
る非磁性中間層（３５）を介在させて積層して構成する
。
そしてこのＭＲ感磁部（１３）上にＳｉＯ□等より成る
絶縁層（１４）を全面的にスパッタリング等により被着
した後所要のパターンに例えばＭＲ感磁部（１３）の縁
部が露出するようにパターニングする。
絶縁層（１４）を全面的にスパッタリング等により被着
した後所要のパターンに例えばＭＲ感磁部（１３）の縁
部が露出するようにパターニングする。
次に第６図Ｆに示すように、基板（１）上に設けた電極
層（４）に接続するように絶縁層（８）及び（１０）を
通じてスルーホール（１５）を形成した後、例えばＣｕ
よりなる導電層を全面的にスパッタリングしてこれを所
要のパターンにパターニングして、例えば第６図紙面に
対し゛て直交する方向に延長するパターンのバイアス導
体（１６）を設けてこのバイアス導体（１６）に所要の
電流１．を通じてＭＲ感磁部（１３）の長手方向と直交
する方向にバイアス電流■−を通ずるようになすと共に
、ＭＲ感磁部（１３）の両端に接続され、スルーホール
（１５）下の孔部（２）内の電極層（４）に接続される
ようにパターニングしたＭＲ用電極（１７）を形成し、
このＭＲ用電極（１７）間に所要の電流■、を通じてＭ
Ｒ感磁部（１３）の長手方向にセンス電流Ｉ、を通ずる
ようになす。
層（４）に接続するように絶縁層（８）及び（１０）を
通じてスルーホール（１５）を形成した後、例えばＣｕ
よりなる導電層を全面的にスパッタリングしてこれを所
要のパターンにパターニングして、例えば第６図紙面に
対し゛て直交する方向に延長するパターンのバイアス導
体（１６）を設けてこのバイアス導体（１６）に所要の
電流１．を通じてＭＲ感磁部（１３）の長手方向と直交
する方向にバイアス電流■−を通ずるようになすと共に
、ＭＲ感磁部（１３）の両端に接続され、スルーホール
（１５）下の孔部（２）内の電極層（４）に接続される
ようにパターニングしたＭＲ用電極（１７）を形成し、
このＭＲ用電極（１７）間に所要の電流■、を通じてＭ
Ｒ感磁部（１３）の長手方向にセンス電流Ｉ、を通ずる
ようになす。
第６図Ｇに示すように、バイアス導体（１６）及びＭＲ
用電極（１７）上に全面的にＳｉＯ□等より成る厚い絶
縁層（１８Ａ）を、例えば数μｍ程度の厚さに被着形成
する。
用電極（１７）上に全面的にＳｉＯ□等より成る厚い絶
縁層（１８Ａ）を、例えば数μｍ程度の厚さに被着形成
する。
その後第６図Ｈに示すように、この厚い絶縁層（１８Ａ
）上に、バイアス導体（１６）上に一部平坦面を残して
、ＲＩＥ （反応性イオンエツチング）等の異方性エ
ツチングにより、一定の角度をもった２方向からの異方
性エツチング、いわゆるテーパエツチングを行って斜面
（１８Ｓ）を形成し、バイアス導体（１６）上の平坦面
上に所要の狭小なる幅をもった三層レジスト（１９）を
形成する。
）上に、バイアス導体（１６）上に一部平坦面を残して
、ＲＩＥ （反応性イオンエツチング）等の異方性エ
ツチングにより、一定の角度をもった２方向からの異方
性エツチング、いわゆるテーパエツチングを行って斜面
（１８Ｓ）を形成し、バイアス導体（１６）上の平坦面
上に所要の狭小なる幅をもった三層レジスト（１９）を
形成する。
そして第６図Ｉに示すように、この三層レジスト（１９
）をマスクとして絶縁層（１８Ａ）上からＩＲＥ（イオ
ンビームエツチング）等の異方性エツチングを行い、バ
イアス導体（１６）上に、狭小なる幅を有しかつ所要の
高さを有するギャップ部（２０）をもったテーバ状の絶
縁層（１８）を形成し、更にこのバイアス導体（１６）
上の絶縁層（１８）以外の絶縁層をＲＩＥ等によって除
去した後、全面的にＮｉＦｅ等より成るメツキ種付けと
しての磁性層（２１）をスパッタリング等により形成す
る。
）をマスクとして絶縁層（１８Ａ）上からＩＲＥ（イオ
ンビームエツチング）等の異方性エツチングを行い、バ
イアス導体（１６）上に、狭小なる幅を有しかつ所要の
高さを有するギャップ部（２０）をもったテーバ状の絶
縁層（１８）を形成し、更にこのバイアス導体（１６）
上の絶縁層（１８）以外の絶縁層をＲＩＥ等によって除
去した後、全面的にＮｉＦｅ等より成るメツキ種付けと
しての磁性層（２１）をスパッタリング等により形成す
る。
その後第６図Ｊに示すように、ギャップ部（２０）上坂
外に例えばＮ１ｃｅ等より成る前部薄ＷＪ、磁気コア（
２２）ヲ所要のパターンに、例えばフレームメツキ法等
の適用により形成して、この前部薄膜磁気コア（２２）
と後部薄膜磁気コア（７）との間に絶縁層（１２）より
なる各補助磁気ギャップｇ１及びｇ２が構成される。
外に例えばＮ１ｃｅ等より成る前部薄ＷＪ、磁気コア（
２２）ヲ所要のパターンに、例えばフレームメツキ法等
の適用により形成して、この前部薄膜磁気コア（２２）
と後部薄膜磁気コア（７）との間に絶縁層（１２）より
なる各補助磁気ギャップｇ１及びｇ２が構成される。
次に第６図Ｋに示すように、前部薄膜磁気コア（２２）
上を覆って全面的に５ｉＯ１等より成る絶縁層（２３）
を被着形成した後、この絶縁層（２３）、前部薄膜磁気
コア（２２）、磁性層（２１）及び絶縁層より成るギャ
ップ部（２０）が鏡面な一平面となるように研磨を行っ
てＡＢＳ面（３０）を形成して本発明による薄膜磁気ヘ
ッドを得ることができる。
上を覆って全面的に５ｉＯ１等より成る絶縁層（２３）
を被着形成した後、この絶縁層（２３）、前部薄膜磁気
コア（２２）、磁性層（２１）及び絶縁層より成るギャ
ップ部（２０）が鏡面な一平面となるように研磨を行っ
てＡＢＳ面（３０）を形成して本発明による薄膜磁気ヘ
ッドを得ることができる。
二のような構成とする場合、第６図Ｋに示すように、前
部及び後部薄膜磁気コア（２２）及び（７）による第１
の閉磁路（２４）が磁気ギャップｇを介して形成され、
第２の閉磁路（２５）が第１の閉磁路（２４）の磁気ギ
ャップｇを含む一部を磁気的に結合するようにＭＲ惑感
磁（１３）が配置され、ＭＲ感磁部（１３）の他部に補
助磁気ギャップｇ１及びｇ２が設けられた構成となり、
前述したように第３図に線ａで示すように４２．８％の
高い再生効率を得ることができる。
部及び後部薄膜磁気コア（２２）及び（７）による第１
の閉磁路（２４）が磁気ギャップｇを介して形成され、
第２の閉磁路（２５）が第１の閉磁路（２４）の磁気ギ
ャップｇを含む一部を磁気的に結合するようにＭＲ惑感
磁（１３）が配置され、ＭＲ感磁部（１３）の他部に補
助磁気ギャップｇ１及びｇ２が設けられた構成となり、
前述したように第３図に線ａで示すように４２．８％の
高い再生効率を得ることができる。
上述した製造方法を適用して、その他種々の構造を有す
る薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
る薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
これらを実施例２〜８として第７図Ａ−Ｇの路線的拡大
断面図に示し、また第２の本発明による薄膜磁気ヘッド
を実施例９として第２図に示す。
断面図に示し、また第２の本発明による薄膜磁気ヘッド
を実施例９として第２図に示す。
Ｇ、実施例２
実施例１においては後部薄膜磁気コア（７）の両端に前
部薄膜磁気コア（２２）に向って屈曲する屈曲部（２７
）を設けたものであるが、この例においては第７図Ａに
示すように、前部薄膜磁気コア（２２）側に屈曲部（２
７）を設けて、これと後部薄膜磁気コア（７）との間に
補助磁気ギャップｇ１及びｇ２を形成するようにした場
合である。
部薄膜磁気コア（２２）に向って屈曲する屈曲部（２７
）を設けたものであるが、この例においては第７図Ａに
示すように、前部薄膜磁気コア（２２）側に屈曲部（２
７）を設けて、これと後部薄膜磁気コア（７）との間に
補助磁気ギャップｇ１及びｇ２を形成するようにした場
合である。
この例においても実施例１で示した例と同様に高再生効
率を得ることができた。
率を得ることができた。
Ｇ３実施例３
第７図Ｂに示すように、補助磁気ギャップｇ１を後部薄
膜磁気コア（７）の中央部分に設けた。
膜磁気コア（７）の中央部分に設けた。
この例においても実施例１で示した例と同様に高再生効
率を得ることができた。
率を得ることができた。
Ｇ４実施例４
第７図Ｃに示すように、後部薄膜磁気コア（７）を設け
ずに、両層曲部（２７）間に補助ギャップｇ＋を設けた
。
ずに、両層曲部（２７）間に補助ギャップｇ＋を設けた
。
この例は前述した第３図及び第４図における線すで示す
特性を得ることができ、高再生効率を得ることが確認さ
れた。
特性を得ることができ、高再生効率を得ることが確認さ
れた。
Ｇ５実施例５
第７図りに示すように、前部薄膜磁気コア（２２）と後
部薄膜磁気コア（７）との間に補助磁気ギャップｇ１を
設けた。
部薄膜磁気コア（７）との間に補助磁気ギャップｇ１を
設けた。
このｆｌｌにおいても実施例１で示した例と同様に高再
生効率を得ることができた。
生効率を得ることができた。
Ｇ、実施例６
第７図已に示すように、後部薄膜磁気コア（７）を除去
して前部薄膜磁気コア（２２）の両端を平面的に両外側
に延在させ、その延在両端間に実質的にＭＲ感磁部（１
３）を有する閉磁路と磁気的に並列の補助磁気ギャップ
ｇ、を形成し、前部薄膜磁気コア（２２）の上下にそれ
ぞれ所要のパターンの導電層（９Ａ）及び（９Ｂ）を形
成し、両者を所定部位で連接させることによって立体的
にヘッド巻線部（９）を形成するようにした場合である
。
して前部薄膜磁気コア（２２）の両端を平面的に両外側
に延在させ、その延在両端間に実質的にＭＲ感磁部（１
３）を有する閉磁路と磁気的に並列の補助磁気ギャップ
ｇ、を形成し、前部薄膜磁気コア（２２）の上下にそれ
ぞれ所要のパターンの導電層（９Ａ）及び（９Ｂ）を形
成し、両者を所定部位で連接させることによって立体的
にヘッド巻線部（９）を形成するようにした場合である
。
この場合後部コア（７）を形成せずとも効果的に記録磁
界を発生することができ、また後部コア（７）が存在し
ないことにより第７図Ｃに示す実施例４と同程度ないし
はそれ以上再生効率を高めることができ、記録及び再生
効率の向上をはかることができる。
界を発生することができ、また後部コア（７）が存在し
ないことにより第７図Ｃに示す実施例４と同程度ないし
はそれ以上再生効率を高めることができ、記録及び再生
効率の向上をはかることができる。
Ｇ、実施例７
第７図Ｆに示すように、前部薄膜磁気コア（２２）と後
部薄膜磁気コア（７）との接続部の前部薄膜磁気コア（
２２）側に補助磁気ギヤ、プｇ、及びｇ２を設け、前部
薄膜磁気コア（２２）は後部薄膜磁気コア（７）との接
続部を越えて延長して形成した。
部薄膜磁気コア（７）との接続部の前部薄膜磁気コア（
２２）側に補助磁気ギヤ、プｇ、及びｇ２を設け、前部
薄膜磁気コア（２２）は後部薄膜磁気コア（７）との接
続部を越えて延長して形成した。
このように前部薄膜磁気コア（２２）を延長することに
よって、補助磁気ギャップｇ１及びｇ２からの発生磁界
による磁気記録媒体の減磁作用を回避することができ、
また他の各側と同様に再生効率の向上をはかることもで
きる。
よって、補助磁気ギャップｇ１及びｇ２からの発生磁界
による磁気記録媒体の減磁作用を回避することができ、
また他の各側と同様に再生効率の向上をはかることもで
きる。
上述した各実施例２〜６においても前部薄膜磁気コア（
２２）を延長する構成を採ることにより、上述した減磁
作用を回避する効果を得ることができる。
２２）を延長する構成を採ることにより、上述した減磁
作用を回避する効果を得ることができる。
Ｇ、実施例８
上述した各実施例は共にＭＲ惑感磁（１３）を、バイア
ス導体（１６）を介して前部薄膜磁気コア（２２）の一
部と磁気的に結合して第２の閉磁路（２５）を形成した
場合であるが、第１１図に示した比較例のようにＭＲ感
磁部（１３）を磁気ギャップｇの近傍に設ける場合にも
本発明を適用することができる。
ス導体（１６）を介して前部薄膜磁気コア（２２）の一
部と磁気的に結合して第２の閉磁路（２５）を形成した
場合であるが、第１１図に示した比較例のようにＭＲ感
磁部（１３）を磁気ギャップｇの近傍に設ける場合にも
本発明を適用することができる。
第７図Ｇに示すように、この場合前部薄膜磁気コア（２
２）及び屈曲部（２７）を残して後部薄膜磁気コア（７
）を除去した。
２）及び屈曲部（２７）を残して後部薄膜磁気コア（７
）を除去した。
このときの再生出力の変化を第８図に示す。第８図中線
ｅは実施例８の薄膜磁気ヘッドの再生出力、線ｆは第１
１図に示す比較薄膜磁気ヘッドの再生出力を比較例とし
て示した。上述したように、後部薄膜磁気コア（７）を
除去したことにより、ピーク間の出力が実施例８では４
４．０％となり、比較例の２６゜２％に比して再生波形
の差が大となり、再生効率が向上されていることが確認
された。
ｅは実施例８の薄膜磁気ヘッドの再生出力、線ｆは第１
１図に示す比較薄膜磁気ヘッドの再生出力を比較例とし
て示した。上述したように、後部薄膜磁気コア（７）を
除去したことにより、ピーク間の出力が実施例８では４
４．０％となり、比較例の２６゜２％に比して再生波形
の差が大となり、再生効率が向上されていることが確認
された。
従って、第１の本発明は上述の各側に限らず、その他Ｍ
Ｒ感磁部（１３）の配置、各薄膜磁気コア（２２）及び
（７）の構成を採る薄膜磁気ヘッドに適用することがで
きる。
Ｒ感磁部（１３）の配置、各薄膜磁気コア（２２）及び
（７）の構成を採る薄膜磁気ヘッドに適用することがで
きる。
次に第２の本発明による実施例を実施例９として示す。
Ｇ、実施例９
第２図に示すように、磁気ギャップｇを有する前部薄膜
磁気コア（２２Ａ）と補助磁気ギャップｇ１を有する後
部薄膜磁気コア（７）とこの補助磁気ギャップｇ１内に
設けられたＭＲ感磁部とによって閉磁路が形成された構
造とした。
磁気コア（２２Ａ）と補助磁気ギャップｇ１を有する後
部薄膜磁気コア（７）とこの補助磁気ギャップｇ１内に
設けられたＭＲ感磁部とによって閉磁路が形成された構
造とした。
この場合第６図Ａ−にで説明した方法に準じた方法によ
って製造する。しかしながらこの場合第６図Ｂに示す工
程において、磁性層（７Ａ）に補助磁気キャップｇ＋を
形成するパターンとし、この補助磁気ギャップｇＩによ
って分断された後部薄膜磁気コア（７）にわたるように
ＭＲ惑感磁（１３）を設ける。このＭＲ感磁部（１３）
は実施例１と同様に第１０図に示す従来構造と同様に形
成する。その後、ヘッド巻線部（９） ＜屈曲部（２７
）、前部薄膜磁気コア（２２＾）及びＡＢＳ面（３０）
を構成する絶縁層（２３）等を実施例１と同様に形成し
て第２の本発明による薄膜磁気ヘッドを得る。
って製造する。しかしながらこの場合第６図Ｂに示す工
程において、磁性層（７Ａ）に補助磁気キャップｇ＋を
形成するパターンとし、この補助磁気ギャップｇＩによ
って分断された後部薄膜磁気コア（７）にわたるように
ＭＲ惑感磁（１３）を設ける。このＭＲ感磁部（１３）
は実施例１と同様に第１０図に示す従来構造と同様に形
成する。その後、ヘッド巻線部（９） ＜屈曲部（２７
）、前部薄膜磁気コア（２２＾）及びＡＢＳ面（３０）
を構成する絶縁層（２３）等を実施例１と同様に形成し
て第２の本発明による薄膜磁気ヘッドを得る。
このような構成とする場合、バイアス導体を設けないた
め工程の簡易化をはかることができ、更に唯一の閉磁路
（２６）内にＭＲ感磁部（１３）が設けられた構造とな
るためＭＲ再生効率の向上をはかることができる。
め工程の簡易化をはかることができ、更に唯一の閉磁路
（２６）内にＭＲ感磁部（１３）が設けられた構造とな
るためＭＲ再生効率の向上をはかることができる。
Ｈ発明の効果
上述したように、第１の本発明による薄膜磁気ヘッドは
、薄膜磁気コア（２２）により構成される第１の閉磁路
（２４）に磁気的に結合されるヘッド巻線部（９）を設
けるとともに、第１の閉磁路（２４）の磁気ギャップｇ
を含む一部を磁気的に結合して第２の閉磁路（２５）を
形成するようにＭＲ惑感磁（１３）を配置することによ
り、ＭＲ感磁部（１３）が比較的小なる閉磁路（２５）
内に配置され、また第１の閉磁路（２４）の他部に補助
磁気ギャップｇ１及びｇ２を設けることから、この他部
側の磁気抵抗を高めることとなり、ＭＲ感磁部（１３）
側への磁束の分流量を調節することができ、ＭＲ感磁部
（１３）の再生効率の向上をはかることができる。
、薄膜磁気コア（２２）により構成される第１の閉磁路
（２４）に磁気的に結合されるヘッド巻線部（９）を設
けるとともに、第１の閉磁路（２４）の磁気ギャップｇ
を含む一部を磁気的に結合して第２の閉磁路（２５）を
形成するようにＭＲ惑感磁（１３）を配置することによ
り、ＭＲ感磁部（１３）が比較的小なる閉磁路（２５）
内に配置され、また第１の閉磁路（２４）の他部に補助
磁気ギャップｇ１及びｇ２を設けることから、この他部
側の磁気抵抗を高めることとなり、ＭＲ感磁部（１３）
側への磁束の分流量を調節することができ、ＭＲ感磁部
（１３）の再生効率の向上をはかることができる。
また第２の本発明による薄膜磁気ヘッドは第２図に示す
ように、磁気ギャップｇを有する薄膜磁気コア（２２）
より成る閉磁路（２６）が形成され、この閉磁路（２６
）に磁気ギャップｇ１とは別に設けられた補助磁気ギャ
ップｇ、内にＭＲ感磁部（１３）が配置されることから
このＭＲ感磁部（１３）を含む閉磁路（２６）が唯一の
閉磁路となるため、再生効率の向上をはかることができ
、またこの閉磁路（２６）に磁気的に結合するヘッド巻
線部（９）を設けてなり、このヘッド巻線部（９）によ
ってＭＲ感磁部（１３）のバイアス磁界発生をも行うこ
とができるため、バイアス導体を設ける必要がなく、製
造工程の簡易化をはかることができる。
ように、磁気ギャップｇを有する薄膜磁気コア（２２）
より成る閉磁路（２６）が形成され、この閉磁路（２６
）に磁気ギャップｇ１とは別に設けられた補助磁気ギャ
ップｇ、内にＭＲ感磁部（１３）が配置されることから
このＭＲ感磁部（１３）を含む閉磁路（２６）が唯一の
閉磁路となるため、再生効率の向上をはかることができ
、またこの閉磁路（２６）に磁気的に結合するヘッド巻
線部（９）を設けてなり、このヘッド巻線部（９）によ
ってＭＲ感磁部（１３）のバイアス磁界発生をも行うこ
とができるため、バイアス導体を設ける必要がなく、製
造工程の簡易化をはかることができる。
また第１及び第２の本発明共に、従来構造の利点である
水平型構造を取るための高出力電圧及び良好なＳ／Ｎを
有する薄膜磁気ヘッドを得ることができ、更にＡＢＳ面
（３０）の近傍にこのＭＲ感磁部（１３）を設けること
がないため、加工性及び信較性の向上をはかることがで
きる。
水平型構造を取るための高出力電圧及び良好なＳ／Ｎを
有する薄膜磁気ヘッドを得ることができ、更にＡＢＳ面
（３０）の近傍にこのＭＲ感磁部（１３）を設けること
がないため、加工性及び信較性の向上をはかることがで
きる。
第１図は第１の本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の路
線的拡大断面図、第２図は第２の本発明による薄膜磁気
ヘッドの一例の路線的拡大断面図、第３図は解析用モデ
ルを示す路線的拡大断面図、第４図は薄膜磁気へンドの
再生出力を示す図、第５図は薄膜磁気ヘッドの発生磁界
特性を示す図、第６図Ａ−には本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの一例の製造工程図、第７図Ａ−Ｇは本発明による
薄膜磁気ヘッドの各実施例を示す路線的拡大断面図、第
８図は薄膜磁気ヘッドの再生出力を示す図、第９図は従
来の薄膜磁気ヘッドの一例の路線的拡大断面図、第１０
図はＭＲ感磁部の路線的拡大断面図、第１１図は比較薄
Ｒ磁気ヘッドの他の例の路線的拡大断面図である。 （１）は絶縁基板、（７）は後部薄膜磁気コア、（９）
はヘッド巻線部、（１３）はＭＲ感磁部、（１６）はバ
イアス導体、（２２Ａ）は前部薄膜磁気コア、（２２）
は薄膜磁気コア、（２４）及び（２５）は第１及び第２
の閉磁路、（２６）は閉磁路、（３０）はＡＢＳ面、ｇ
は磁気ギャップ、ｇ、及びｇ２は補助磁気ギャップであ
る。
線的拡大断面図、第２図は第２の本発明による薄膜磁気
ヘッドの一例の路線的拡大断面図、第３図は解析用モデ
ルを示す路線的拡大断面図、第４図は薄膜磁気へンドの
再生出力を示す図、第５図は薄膜磁気ヘッドの発生磁界
特性を示す図、第６図Ａ−には本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの一例の製造工程図、第７図Ａ−Ｇは本発明による
薄膜磁気ヘッドの各実施例を示す路線的拡大断面図、第
８図は薄膜磁気ヘッドの再生出力を示す図、第９図は従
来の薄膜磁気ヘッドの一例の路線的拡大断面図、第１０
図はＭＲ感磁部の路線的拡大断面図、第１１図は比較薄
Ｒ磁気ヘッドの他の例の路線的拡大断面図である。 （１）は絶縁基板、（７）は後部薄膜磁気コア、（９）
はヘッド巻線部、（１３）はＭＲ感磁部、（１６）はバ
イアス導体、（２２Ａ）は前部薄膜磁気コア、（２２）
は薄膜磁気コア、（２４）及び（２５）は第１及び第２
の閉磁路、（２６）は閉磁路、（３０）はＡＢＳ面、ｇ
は磁気ギャップ、ｇ、及びｇ２は補助磁気ギャップであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気ギャップを有する薄膜磁気コアが磁気記録媒体
面に対してほぼ平行に配置され、 該薄膜磁気コアにより第１の閉磁路が形成され、 該第１の閉磁路に磁気的に結合するヘッド巻線部が設け
られ、 上記第１の閉磁路の上記磁気ギャップを含む一部を磁気
的に結合する第２の閉磁路を形成するように磁気抵抗効
果感磁部が配置され、 上記第１の閉磁路の他部に補助磁気ギャップを設けてな
る ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、磁気ギャップを有する薄膜磁気コアが上記磁気記録
媒体面に対してほぼ平行に配置され、該薄膜磁気コアに
よって閉磁路が形成され、該閉磁路に上記磁気ギャップ
とは別に補助磁気ギャップが設けられ、 該補助磁気ギャップ内に磁気抵抗効果感磁部が配置され
、 該閉磁路に磁気的に結合するヘッド巻線部を設けてなる ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24202890A JP3200060B2 (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | 薄膜磁気ヘッド |
| EP19910115401 EP0475397A3 (en) | 1990-09-12 | 1991-09-11 | Planar thin film magnetic head |
| US07/758,758 US5274520A (en) | 1990-09-12 | 1991-09-12 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24202890A JP3200060B2 (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04121808A true JPH04121808A (ja) | 1992-04-22 |
| JP3200060B2 JP3200060B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=17083199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24202890A Expired - Fee Related JP3200060B2 (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5274520A (ja) |
| EP (1) | EP0475397A3 (ja) |
| JP (1) | JP3200060B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940700B2 (en) * | 2001-06-22 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head and magnetic reproducing apparatus |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2709855B1 (fr) * | 1993-09-06 | 1995-10-20 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture et d'écriture à élément magnétorésistant compensé en écriture. |
| EP0651374A3 (en) * | 1993-11-01 | 1995-09-06 | Hewlett Packard Co | Planar magnetoresistive head. |
| FR2712420B1 (fr) * | 1993-11-08 | 1995-12-15 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant multicouche et à concentrateur et son procédé de réalisation. |
| BE1007992A3 (nl) * | 1993-12-17 | 1995-12-05 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilmmagneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
| US5434733A (en) * | 1994-02-18 | 1995-07-18 | Hewlett-Packard Company | Planar head having separate read and write gaps |
| FR2716741B1 (fr) * | 1994-02-28 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
| US5640753A (en) * | 1994-03-03 | 1997-06-24 | Seagate Technology, Inc. | Method of fabricating an inverted magnetoresistive head |
| US5668689A (en) * | 1994-03-03 | 1997-09-16 | Seagate Technology, Inc. | Inverted magnetoresistive head |
| FR2724481B1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique planaire a magnetoresistance multicouche longitudinale |
| FR2724480B1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique a pieces polaires horizontales |
| FR2724482B1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique a magnetoresistance multicouche longitudinale sous-jacente |
| FR2738657B1 (fr) * | 1995-09-12 | 1997-10-03 | Thomson Csf | Tete magnetique d'enregistrement/lecture |
| US6198607B1 (en) * | 1995-12-22 | 2001-03-06 | Censtor Corporation | Contact planar magnetoresistive head |
| US5742452A (en) * | 1996-01-10 | 1998-04-21 | International Business Machines Corporation | Low mass magnetic recording head and suspension |
| US5926350A (en) * | 1996-03-15 | 1999-07-20 | International Business Machines Corporation | Dual gap horizontal thin film inductive head |
| FR2746572B1 (fr) * | 1996-03-19 | 1998-07-24 | Silmag Sa | Tete magnetique a forte reluctance |
| US5936814A (en) * | 1996-06-03 | 1999-08-10 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording head using a last insulator to obtain an adjustable take off angle |
| US5792380A (en) * | 1997-04-30 | 1998-08-11 | Eastman Kodak Company | Ink jet printing ink composition with detectable label material |
| DE69725123D1 (de) * | 1997-07-04 | 2003-10-30 | St Microelectronics Srl | Ein elektromagnetischer Kopf mit magnetoresistiven Mitteln verbunden mit einem Magnetkern |
| US6226860B1 (en) | 1997-07-22 | 2001-05-08 | Seagate Technology, Inc. | Method of forming an inductive writer having a high conductor/insulator ratio |
| US6008969A (en) * | 1997-12-18 | 1999-12-28 | Read-Rite Corporation | Planar recording head having formed yokes |
| US6762910B1 (en) | 1999-06-03 | 2004-07-13 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having inset extra gap insulation layer and method of fabrication |
| US6801408B1 (en) | 2000-11-02 | 2004-10-05 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having a planar sensor element and an extra gap and method of fabrication thereof |
| US8014100B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-09-06 | International Business Machines Corporation | Planar servo write head |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3975772A (en) * | 1975-06-02 | 1976-08-17 | International Business Machines Corporation | Double shielded magnetorestive sensing element |
| DE3613619A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Sharp K.K., Osaka | Duennfilm-magnetkopf |
| FR2605783B1 (fr) * | 1986-10-28 | 1992-05-15 | Thomson Csf | T ete magnetique d'enregistrement/lecture en couches minces et son procede de realisation |
| US4954920A (en) * | 1986-11-28 | 1990-09-04 | Nec Corporation | Thin film magnetic head |
| NL8701663A (nl) * | 1987-07-15 | 1989-02-01 | Philips Nv | Dunne film magneetkop met een magnetoweerstandselement. |
-
1990
- 1990-09-12 JP JP24202890A patent/JP3200060B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-11 EP EP19910115401 patent/EP0475397A3/en not_active Withdrawn
- 1991-09-12 US US07/758,758 patent/US5274520A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940700B2 (en) * | 2001-06-22 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head and magnetic reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0475397A2 (en) | 1992-03-18 |
| JP3200060B2 (ja) | 2001-08-20 |
| US5274520A (en) | 1993-12-28 |
| EP0475397A3 (en) | 1992-03-25 |
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