DE3613619A1

DE3613619A1 - Duennfilm-magnetkopf

Info

Publication number: DE3613619A1
Application number: DE19863613619
Authority: DE
Inventors: Kazuyoshi Higashiosaka Osaka Imae; Tohru Tenri Nara Kira; Kozi Yamatokoriyama Nara Otsuka; Mitsuhiko Ikoma Nara Yoshikawa
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1985-04-26
Filing date: 1986-04-23
Publication date: 1986-10-30
Also published as: GB8610163D0; DE3613619C2; GB2175735A; US4789910A; GB2175735B

Description

J »Ρ '3 tt ί

Dünn film-Magne tkop f

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein einen Magnetkopf und insbesondere einen Dünnfilm-Magnetkopf (im Folgenden als Dünnfilm-MR-Kopf bezeichnet), der mit einem magnetischen Reluktanzeffekt-Element (im Folgenden als MR-Element bezeichnet), der zum Nachweis der Variation eines Signal-Magnetfeldes, das in Richtung einer schwer zu magnetisierenden Achse eines stark magnetischen, d.h. ferromagnetischen Dünnfilms mit einachsiger magnetischer Anisotropie, als Achse der leichten Magnetisierung, angelegt ist, wodurch der Nachweis von Signalen, die auf einem magnetischen Aufzeichnungsmedium aufgezeichnet sind, bewirkt wird.

Es ist üblicherweise bekannt, daß der Dünnfilm-MR-Kopf
im Vergleich zu einem Magnetkopf des gewickelten Typs viele Vorteile aufweist. Ein derartiger DünnfiIm-MR-Magnetkopf ist so ausgelegt, daß die Magnetisierungsrichtung in dem MR-Element beim Empfang eines in einem magnetischen Aufzeichnungsmedium, etwa einem Magnetband
oder dergleichen, aufgezeichneten Signals verändert wird, und die Veränderung des inneren Widerstandes des MR-Elements entsprechend der Veränderung der obigen Magnetisierungsrichtung wird als nach außen abgegebenes Signal abgenommen. Aus diesem Grunde ist der Dünnfilm-MR-Kopf ein Kopf des auf den magnetischen Fluß reagierenden Typs und dazu befähigt, das Signal-Magnetfeld unabhängig von der übertragungsgeschwindigkeit des magnetischen Aufzeichnungsmediums zu reproduzieren. Da der Dünnfilm-MR-Kopf ohne Schwierigkeiten in einer in

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hohem Maße integrierten Struktur oder einer MultiElement-Bauweise hergestellt werden kann, wiVd er für einen Wiedergabe-Magnetkopf eines PCM-Aufz§idhnungsgerätes mit festem Kopf, daS auf die Aufzeichnung mit hoher Dichte abgestellt ist, als vielversprechend angesehen.

Da ursprünglich daS MR-Element eine Induktionscharakteristik besitzt, die eine quadratische Veränderung in bezug auf das äußere Magnetfeld zeigt> ist es in dem Fall, in dem das MR-Element einen Wiedergabekopf bildet, erforderlich, das MR-Elemeht streifenförmig auszubilden und das Element außerdem mit einer Einrichtung auszustatten, an die ein vorher festgelegtes eindeitiges Vormagnetisierungsfeld angelegt Werden kann, um eine lineare Antwort-Charakteristik zu erzielen. Als Verfahren zum Einwirkenlassen des einseitigen Vöirmägnetisierungfsfeldes, das oben genannt wurde» äih-d die praktische Verfahrensweise, das einseitige Vormagnetisierungsfeld dadurch zu induzieren* daß man einen Gleichstrom durch einen Leiter fließen läßt* sowie eine andere Verfahrensweise, das einseitige¹ Vormagnetisierungsfeld durch Einsatz eines Dünnfilms mit einem hohen Widerstand gegen magnetische Kraft, etwa eihe

Co-P-Schicht etc., zur Einwirkung zu bringen} bekannt. (Verwiesen sei auf die JP-Patentanmel&ung Tokugansho 55-126255 und den Auszug auö den *'4th Scientific Lectures der Japan Applied Magnetics Society (1980) 5PA-4 unter dem Titel "Multi-track thin film MR head¹¹)* Fur die tatsächliche Verwendung in dem bünnfilm'-MR-Kopf wird das MR-Element auf den Leiter oder Dunnfilm mit einem hohen Widerstand gegen magnetische K^raft, wie sie oben genannt wurden, vermittels einer Isolierschicht gebildet.

In der Zwischenzeit ist bekannt geworden, daß ein Dünnfilm··- Magnetkopf, der normalerweise MR-Kopf des Joch-Typs (im Folgenden als YMR-Kopf bezeichnet) genannt wird und mit einem Einführungsweg für den magnetischen Fluß (im Folgenden als Joch bezeichnet) zum Zuführen der in dem magnetischen Aufzeichnungsmedium erzeugten magnetischen Ströme zu dem in einem gewissen Abstand von dem Vorderende des Kopfes befindlichen MR-Element (Fig. 6) versehen ist, in bezug auf Verbesserungen des Auflösungsvermögens für Signale und die Haltbarkeit der MR-Elemente wirkungsvoller ist als ein MR-Kopf, der durch ein einzelnes MR-Element gebildet wird. (Verwie-

■"■■ sen sei auf "den Auszug aus den "8th Scientific Lectures der Japan Applied Magnetics Society (1984) 14PB-11 unter dem Titel "Reproduction characteristics of yoke type MR heads¹¹) .

In Fig. 6 ist eine seitliche .Schnittansicht eines herkömmlichen YMR-Kopfes (Dünnfilm-Magnetkopf des Joch-Typs) in einer Richtung senkrecht zu der Richtung der Spurbreite eines magnetischen Aufzeichnungsmediums dargestellt.

In Fig. 6 ist ein oberes Joch YU vorgesehen, das normalerweise aus einer Folie aus Permalloy (Ni-Fe-Legie-' rung) mit einer Dicke im Bereich von etwa 0,5 bis 1,0 (im hergestellt ist, um als magnetischer Weg zum Leiten des in'einem magnetischen Aufzeichnungsmedium R erzeugten Magnetfeldes zu einem MR-Element H zu dienen.

Das MR-Element H wird gebildet durch einen Abscheidungsfilm aus Permalloy (der oben bezeichneten Ni-

Fe-Legierung) und auf eine Filmdicke von 20 bis 50 nm

(200 bis 500 A) eingestellt, wobei die Spurbreite im Bereich von 50 bis 200 μπι bei einer Mehrspuren-Bauart

liegt. Darüber hinaus wird für das Anlegen eines einseitigen Vormagnetisierungsfeldes ein aus einer Folie aus Al und Cu oder einer Al^Ldti-Legierung etc» ein Leiter C angebracht. Da eine tätsaöhlidh verwendete Aufzeichnungs-Wellenlänge in der Größenordnung von etwa 0,5 μπι liegt, wird ein Kopf-ZwisChenräum Ö in dem Bereich von ungefähr 0,2 bis 0,3 μπι eingestellt* Der Leiter C, das MR-Element H und das obere Jodn YtH wie sie oben beschrieben sind, Werden vermittels isolierender Schichten Ll, L2 und L3 gebildet! Wie sie eingezeichnet sind. Ebenfalls gebildet Wird auf einehi Iiicht'-magnetischen Substrat S, beispielsweise aiis kristallisiertem Glaö, ein unteres Joch YL aus einem magnetischen Film mit hoher Permeabilität, ötWa einem Film aus Sendust (einer Fe-Al-Si-Legierung) oder aus¹ Permalloy _t durch ein Verfahren der Absdheidung mittels Elektronenstrahl oder durch Zerstäuben etc₄ *

Da das aus dem magnetischen Film mit hohef Permeabilität bestehende untere Joch YL unter dem Gesichtspunkt des Funktionierens des YMÄ-Kopfes eine Filmdicke Von ungefähr mehreren Mikrometern (umj erfordert, bedarf es keiner besonderen Erwähnung, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient des Substrats S mit demjenigen des magnetischen Films mit hoher Permeabilität im Einklang stehen sollte, damit man gunstige Charakteristiken des vorstehenden magnetischen Films erhalti

Zur Erzielung noch besserer magnetischer Charäkteristiken ist es erforderlich, daß das Substrat S eine geringe Oberflächenrauhigkeit aufweist· Die Oberflachenrauhigkeit des allgemein erhältlichen kristallisierten Glases liegt jedoch in dem Bereich von etwa 5 bis 20 nm

(50 bis 200 A), und wenn der magnetische Film mit hoher Permeabilität auf einem solchen kristallisierten Glas ■"ausgebildet wird,,besteht die Tendenz, daß die Orientierung von Kristallen für den magnetischen Film verändert wird, wodurch es unmöglich wird, die angestrebten magnetischen Charakteristiken zu erhalten. Inzwischen ist die Oberflächenrauhigkeit des auf dem " obigen Glas-Substrat gebildeten magnetischen Films mit hoher Permeabilität ähnlich derjenigen des Substrats S

und fällt in- den Bereich von 5 bis 20 nm (50 bis 200 A) in Reflexion der Oberflächenrauhigkeit dieses Substrats.' Als Folge davon wird an dem Kopf-Zwischenraum-Teil G die Verfahrensgenauigkeit für die Länge des Zwischenraums durch die Wellenform auf der Oberfläche des unteren Jochs YL erniedrigt, wodurch in unerwünschter Weise eine Variation der Charakteristik in dem das obere Joch YU bildenden Magnetfilm hervorgerufen wird. Da weiterhin ein rückwärtiger Joch-Teil YB mit dem unteren Joch YL in einem Zustand gekoppelt ist, in dem Ungleichmäßigkeit in der Kristallinität etc. stattfindet, werden die magnetischen Eigenschaften unstetig, wodurch die Erzielung günstiger magnetischer Charakteristiken unmöglich gemacht wird. Dementsprechend verursachen in dem bisher beschriebenen YMR-Kopf der Einfluß des dem ferromagnetischen Element eigentümlichen Rauschens und der Einfluß von Spannung in den Signal-Wellenformen über S/N-Verhältnisse der Reprdoduktions-Wellenformen ernste Probleme.

Demgemäß ist es ein wesentliches Ziel der vorliegenden Erfindung/ einen verbesserten Dünnfilm-Magnetkopf verfügbar zu machen, der zur Erzielung günstiger magnetischer Charakteristiken des oberen und unteren Jochs

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selbst dann befähigt ist, wenn das betreffende Substrat eine große Oberflächenrauhigkeit besitzt«,

Ein weiteres wichtiges Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Dünnfilm-Magnetkopf des oben beschriebenen Typs verfügbar zu machen, der so ausgelegt ist, daß günstige magnetische Charakteristiken eiftes MR-*Elements selbst in Gegenwart einer leitfahigen Schicht erhalten werden können.

Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Dünnfilm-Magnetkopf des oben beschriebenen Typs verfügbar zu machen, der mit einöm Joch, das ein magnetisches Aufzeichnungsmedium berührt und oberhalb oder unterhalb eines Kopf-Zwischehraum-Teiis ausgebildet ist, und einem magnetischen ReluktanÜeffekt-Element, das durch das Joch als magnetischer weg itta^netisch gekoppelt ist, versehen ist und dadurch gekennzeichnet ist, daß das Joch über einen aui: dem Substrat durch ein Aufbringungsverfahren gebildeten SiO^-Film angebracht wird.

Noch ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Dünnfilm-Magnetkopf des oben beschriebenen Typs verfügbar zu machen, der zum Nachweis der Variation eines Signal-Magnetfeldes, das in einer sdhwer zu magnetisierenden Richtung eines ferrömägnetischen Dünnfilms mit einachsiger magnetischer Anisotropie¹ angelegt ist, als Variation des elektrischen Widerstandes äusgelegt ist und dadurch gekennzeichnet ist, daß der ferromagnetische Dünnfilm auf einem SiO₉-FiIm^ der durch ein Aufbringungsverfahren auf einer Isolierschicht gebildet wurde, vorliegt.

Züt Erreichung 'dieser und anderer Ziele wird gemäß einer*¹ bevorzugten Aus führungs form der vorliegenden Erfindung ein Dünnfilm-Magnetkopf verfügbar gemacht, der so aufgebaut ist, daß ein ein magnetisches Aufzeichnungsmedium berührendes Joch am oberen oder unteren Teil eines Kopf-Zwischenraums ausgebildet ist, während ein mit dem Joch als magnetischer Weg magnetisch gekoppeltes magnetisches Reluktanzeffekt-Element darin angeordnet ist, und der dadurch gekennzeichnet ist, daß das Joch auf dem Substrat vermittels eines SiO„-Films gebildet ist, der durch ein Aufbringungsverfahren auf das Substrat aufgebracht wurde.

Aufgrund der Anordnung entsprechend der vorliegenden Erfindung, wie sie im Vorstehenden beschrieben wurde, wird in vorteilhafter Weise ein verbesserter Dünnfilm-Magnetkopf in einfacher Bauweise vorgestellt.

Diese und andere Ziele und Merkmale der vorliegenden Erfindung'sind der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsformen zu entnehmen, die in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.

Fig. 1 zeigt eine seitliche Schnittansicht eines Dünnfilm-Magnetkopfes längs der Geraden I-I in Fig. 2 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung .

Fig. 2 zeigt"einen Ausschnitt einer Grundrißansicht des in Fig. 1 dargestellten Dünnfilm-Magnetkopfes von oben. ti

Fig. 3 zeigt eine seitliche Schnittansicht eines Dünnfilm-Magnetkopfes längs der Geraden III-III in Fig. 4

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gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 4 zeigt einen Ausschnitt einer Grundrißansicht des in Fig. 3 dargestellten Dünnfilm-Mägnetkopfes Von oben.

Fig. 5 zeigt eine Ansicht ähnlich derjenigen dör Fig. 3, die insbesondere eine Modifikation der letzteren aufzeigt.
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Fig. 6 zeigt eine seitliche Schnittansicht der bauweise eines herkömmlichen Dünnfilm-Magnetkopfes (auf den bereits Bezug genommen wurde).

Ehe die Beschreibung der vorliegenden .Erfindung fortgesetzt wird, sei darauf hingewiesen, ^daß in den beigefügten Zeichnungen durchgängig gleidhe Teile mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind* -

In den Fig. 1 und 2 ist ein Dünnfilm-Mägnetkopf MA gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt.

In den Fig. 1 und 2 umfaßt der Dünnfilm-Magnetkopf MA ein Substrat 1 aus einem nicht-magnetischen Material, einen auf dem Substrat 1 gebildeten SiO„^aFilm 2 des Aufbringungs-Typs, ein auf dem SiO -Film 2 gebildetes unteres Joch 3 aus einem magnetischen Film mit hoher Permeabilität, eine auf dem unteren Jodh 3 gebildete erste isolierende Schicht 4, eine auf der ersten isolierenden Schicht 4 gebildete Leiter-Schicht 5, eine auf der Leiter-Schicht 5 gebildete zweite isolierende Schicht 6, ein MR-Element 7 und eine 2uleitungsschicht 8, die weiter auf der zweiten isolierenden

Schicht 6 gebildet sind, eine auf dem MR-Element 7 und der Zuleitungsschicht 8 gebildete dritte isolierende Schicht 9 und ein oberes Joch 11, das schließlich auf der dritten isolierenden Schicht 9 gebildet ist, mit einem Kopf-Zwischenraum-Teil 12 und einem rückwärtigen Joch-Teil 10, die zwischen dem oberen Joch 11 und dem unteren Joch 3 ausgebildet sind.

Das obere Joch 11 besteht aus einem Film hoher Permeabilität aus Permalloy (Ni-Fe-Legierung) oder dergleichen mit einer Dicke im Bereich von 0,5 bis 1,0 μπι und dient als magnetischer Weg zum Leiten der in einem magnetischen Aufzeichnungsmedium 13 erzeugten magnetischen Felder zu dem MR-Element 7. Das durch einen Abscheidungsfilm aus Permalloy gebildete MR-Element 7 hat eine

Dicke im'* Bereich von 20 bis 50 nm (200 bis 500 A)-, und die Spurweite ist in einer mehrspurigen Bauweise festgelegt innerhalb eines Bereichs von etwa 50 bis 200 μπι. Die Leiterschicht 5 zum Anlegen des einseitigen Vormagnetisierungsfeldes an das MR-Element 7 besteht aus einer Folie aus Al, Cu oder einer Al-Cu-Legierung etc.. Da die praktisch zum Einsatz gelangende Aufzeichnungs-Wellenlänge mindestens etwa 0,5 μπι beträgt, wird der Kopf-Zwischenraum 12 in der Größenordnung von 0,2 bis 0,3 μπι eingestellt. Die Leiter-Schicht 5, das MR-Element 7 und das obere Joch 11 werden gebildet mit dazwischen liegenden Isolierschichten 4, 6 bzw. 9, wie im Vorstehenden beschrieben ist. Das untere Joch 3 wird aus einem magnetischen Film hoher Permeabilität aus Sendust (einer Fe-Al-Si-Legierung) oder aus Permalloy hergestellt und wird auf dem aus einem nicht-magnetischen Material wie kristallisiertem Glas oder dergleichen bestehenden Substrat 1 mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der annähernd gleich demjenigen

des unteren Jochs 3 ist, über einen SiO₃-FiIm 2 des Aufbringungs-Typs aufgetragen. Dieser SiO„-Film 2 des Aufbringungs-Typs wird gewonnen durch Aufbringen einer Silicium-Verbindung etc., gelöst in einerti organischen Lösungsmittel oder dergleichen, auf das Substrat 1 mittels einer rotierenden Scheibe und anschließendes Ausheizen. Die Dicke des SiO₃-PiImS kann durcih die Drehzahl des Rotationsbeschichters und die konzentration der Silicium-Verbindung in dem Losungsmittel gesteuert werden, und durch diesen SiO₉-FiIm 2 kann die Welligkeit der Oberfläche des Substrats 1 in ähnlicher Weise geglättet werden wie im Fall des Einsatzes eines orga-¹-nischen Materials wie PIQ. Die Oberf^lächenrauhigkeit des vorstehenden SiO₀-Films 2 deö Aurbringungs-Typs, wie er auf dem Substrat 1 gebildet wird, beträgt bis zu

1 nm (10 A) oder liegt um diesen Wert herum, verglxchen mit derjenigen des Substrats 1, die in°der drÖßenord-

nung von 5 bis 20 nm (50 bis 200 AJ liegt»

über dem vorstehenden SiO^-FiIm 2 des Aufbringungs-Typs wird das aus einem magnetischen Film hoher Permeabilität bestehende untere Joch 3 durch ein Verfahren der Abscheidung mittels Elektronenstrahl/ Zerstäuben oder dergleichen, gebildet. In diesem Falle wird die Welligkeit der Oberfläche des Substrats 1 durch deft SiO₃-FiIm

2 des Aufbringungs-Typs wie oben beschrieben geglättet, während gleichzeitig der so erhaltene\ das untere Joch

3 bildende magnetische Film hoher Permeabilität eine gute magnetische Charakteristik erhält, da der SiO₃-Film 2 hinsichtlich der Natur oder der Eigenschaften des Films (z.B. Film-Dichte, Film-Zusammensetzung und dergleichen) als Grundbeschichtung überlegen ist.

Nach, dem Ausbilden der Isolierschicht aus SiO₀, Si₃N₄, AIpO-. oder dergleichen auf dem unteren Joch 3 mittels eines P-CVD-Verfahrens oder RF-Zerstäubung wird eine Leiter-Schicht zum Anlegen eines einseitigen Vormagnetisierungsfeldes weiter auf derselben durch ein Verfahren der Widerstandsheizung, ein Verfahren der Abscheidung mittels Elektronenstrahl oder durch RF-Zerstäubung gebildet. Für die Leiter-Schicht 5 gelangt ein Film aus Al, Cu, einer Al-Cu-Legierung etc. zum Einsatz, wie bereits weiter oben beschrieben wurde, und der Cu-FiIm kann durch Anwendung einer aus Salpetersäure (HN0_) + Ammoniumpersulfat Γ (NH.)₂ ^S2°8—^ ^{+ Wasser} (^Η2⁰^ bestehenden Ätzlösung weiter bearbeitet werden, damit er die gewünschten Abmessungen erhält, während der Al-Film und der Film aus der Cu-Al-Legierung auch durch Anwendung einer aus Kaliumhydroxid (KOH) + Ammoniumpersulfat

/ (NH ■) 2^S2°P—^ ^{+ Wasser} (^H2°) bestehenden Ätzlösung oder" einer aus -Phosphorsäure (H_P0.) + Salpetersäure (HNO.) + Essigsäure (CH₃COOH) + Wasser (H₃O) bestehenden Ätzlösung auf die geforderten Abmessungen gebracht werden können. Auf der auf diese Weise bearbeiteten Leiter-Schicht 5 wird die aus SiO₃, Si₃N₄, Al₃O₃ etc. bestehende Isolierschicht 6 mittels eines P-CVD-Verfahrens oder RF-Zerstäubung hergestellt.

Nach Bildung des MR-Elements 7 aus Permalloy (einer Ni-Fe-Legierung) und einer Zuleitungsschicht 8 aus Al oder dergleichen mittels des Verfahrens der Widerstandsheizung, des Verfahrens der Abscheidung mittels Elektronenstrahl etc. wird weiterhin die Isolierschicht für den Kopf-Zwischenraum-Teil 12 der Ätzung unterzogen. Diese Isolierschicht für den Kopf-Zwischenraum-Teil 12 kann durch Einsatz einer Trockenätzapparatur

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(RIE) des Typs mit ebener paralleler' Platte geätzt werden, wobei CHF₃ (Freon 23), CF. (Preon 14j , CJF. + ο oder CF. + H_ als einleitendes Gas benutzt werden. Das MR-Element 7 hat eine Film-Didke im Bereich von 20 bis

50 nm (200 bis 500 A) urid wird durch Verfahren des chemischen Ätzens oder des Zerstäubungs'-iitzens in Streifen einer Größe in dem Bereich von 5 bis 20 μπι χ 50 bis 100 μΐη gebracht.

Auf dem MR-Element 7 und der Zuleitüngöschicht 8 wird weiterhin durch das P-CVD-Verfahren oder durch RF-Zerstäubung die isolierende Schicht 9 gebildet, und die Isolierschicht 10 für den rttefc^tlitigeh Teil des Joehö wird der Ätzung mittels der bereits¹ weiter oben beschriebenen Trockenätzäpparatur des Typs mit ebener paralleler Platte unterzogen* Schließlich wird auf der Isolierschicht 9 der Magnetfilni hoher Permeabilität aus Permalloy oder dergleichen ais oberes JdöH 11 mittels des Zerstäubungsverfahrens etc. gebildet*

Die nachstehende Tabelle 1 zeigt den Vergleich der magnetischen Kennwerte magnetischer Filme hoher Permeabilität des herkömmlichen Dünnfilm-Magnetkopfes und des Dünnfilm-Magnetkopfes gemäß der vorliegenden Erfindungt

Tabelle 1

Substrat der Probe Magnetische

Kennwerte des

Permalloy-

Zerstäubungs-

Fi Ims

Dicke tip

Magnetische Kennwerte des Permalloy-Abscheidungs-Fi Ims

Dicke * 30 nm (300 A)

Herkömm- Kristalli- Hc = 167 A/m liehe siertes Glas (2,1 Oe)

Probe* Oberrachen·- Hch = 40 A/m rauhigkeit (0,5 Oe)

5 bis 20 nm Hk = 215 A/m (50"~ 200 A) (2,7 Oe)

Hc = 318 A/m (4-5 Oe) Hch = 80 A/m (1-2 Oe) Hk =

Vorlie- 2
gende* Aufbrin-Erfindung gungs-Typs

Oberflächenrauhigkeit weniger als 1 nm (10 A) P-30 -

100 nm (300 - 1000 A) Kristallisiertes Glas Oberflächen

rauhigkeit 5 bis 20 nm (50 - 200 A) Hc = 95 A/m
(1,2 Oe)

Hch = 32 A/m
(0,4 Oe)

Hk = 119 A/m
(1,5 Oe)

Hc = 159 A/m (2,0 Oe)

Hch = 16 A/m (0,2 Oe)

Hk = 366 A/m (4,6 Oe)

In Tabelle 1 bezeichnet Hc den Widerstand gegen die magnetische Kraft in der Richtung einer leicht zu magnetisierenden Achse, Hch bezeichnet diejenige in der Richtung einer schwer zu magnetisierenden Achse,- und Hk zeigt das anisotrope magnetische Feld*

Wie aus Tabelle 1 hervorgeht, is't festzustellen, daß im Vergleich zu den magnetischen Kenndaten des¹ direkt durch Zerstäuben oder Abscheidung auf dem Substrat aus kristallisiertem Glas (PEG) mit einer Oberflächen-

rauhigkeit in dem Bereich von 5 bis 20 nm (50 - 200 A) gebildeten Permalloy-Films die magnetischen Kenndaten des Permalloy-Films der vorliegenden Erfindung, der weiter gebildet wird durch Zerstäuben oder Abscheidung auf dem SiO- des Aufbringungs-Typs, der vorher¹ auf dem gleichartigen Substrat gebildet wurde, verbessert öind. Insbesondere ist in dem Peralloy-ZerstMubungs-Film (mit einer Dicke von 1 μπι) der Widerstand gegen die magnetische Kraft Hc in Richtung der leicht zu magnetisierenden Achse von 167 auf 95 A/m (2,1 Oe auf 1,2 Oe) vermindert. Darüber hinaus ist sogar in dem Permalloy-

Ab Scheidung s-Fi Im mit einer Dicke Von 30 nm (300 A) , der dazu neigt, dem Einfluß der Oberflächenrauhigkeit zu unterliegen, der Widerstand gegen die magnetische Kraft Hc in Richtung der leicht zu magnetisierenden Achse ebenfalls von 318 bis 398 auf 159 A/m (4 bis 5 Oe auf 2,0 Oe) reduziert. Es wird angenommen, daß dies der Tatsache zuzuschreiben ist, daß die Welligkeit auf der Oberfläche des Substrats durch den SiO„-Film vom Aufbringungs-Typ geglättet ist unter gleichzeitiger Verbesserung der Filmeigenschaften als Grundbeschichtung.

Weiterhin wird für die Bildung des aus Permalloy bestehenden oberen Jochs 11 im Folgender! der Einfluß der

Oberflächenwelligkeit an dem Kopf-Zwischenraum-Teil 12 und dem rückwärtigen Joch-Teil 10 untersucht.

Da gemäß der vorliegenden Ausführungsform das untere Joch 3 auf dem SiO„-Film 2 des Aufbringungs-Typs gebildet wird, ist die Oberflächenrauhigkeit des unteren

Jochs 3 kleiner als 1 nm (10 A) . Demnach ist die Oberflächenrauhigkeit des Kopf-Zwischenraum-Teils 12 nach der Bildung der Isolierschicht 9 ebenfalls kleiner als

1 nm (10 A) . Somit kann infolge der Tatsache, daß die Oberflächenrauhigkeit des Kopf-Zwischenraum-Teils 12 und des rückwärtigen Joch-Teils 10 klein ist, ein Film mit günstigen magnetischen Kennwerten erhalten werden, wenn das aus dem Magnetfilm hoher Permeabilität wie Permalloy oder dergleichen bestehende obere Joch 11 darauf gebildet ist. Da darüber hinaus die Welligkeit des Kopf-Zwischenraum-Teils 12 allgemein klein ist, kann der Zwischenraum-Verlust um dieses Ausmaß ebenfalls vermindert werden.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, können gemäß dem Dünnfilm-Magnetkopf der vorliegenden Erfindung aufgrund der Verringerung der Oberflächenrauhigkeit durch die Bildung des SiO₃-FiImS des Auf-

bringungs-Typs auf dem Substrat das obere Joch und das untere Joch, die aus den magnetischen Filmen mit hoher Permeabilität bestehen, die günstige magnetische Kennwerte haben, die nicht durch die Welligkeit auf der Oberfläche des Substrats und die Film-Eigenschaft etc.

beeinträchtigt werden, wodurch ein Dünnfilm-MR-Kopf verfügbar gemacht wird, der ein überlegenes S/N-Verhältnis aufweist.

In den Fig. 3 und 4 ist ein Dtinnfilm-Magnetkopf vom Joch-Typ oder YMR-Kopf MB gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, Wobei gleiche Teile in der Ausführungsform der Fig. 1 und Fig. 2 durch die gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind.

In den Fig. 3 und 4 dient das¹ aus¹ einem Film hoher Permeabilität aus Permalloy (Ni-Fe-Legierung) und dergleichen bestehende obere Joch 11 mit einer Dicke im Bereich von 0,5 bis 1,0 μΐη als magnetischer Weg zum Leiten der in dem magnetischen Aufzeichnungsmedium 13 erzeugten magnetischen Felder zu dem MR-Element 7, und dieses durch den Abscheidungs-Film aus Permalloy gebildete MR-Element 7 hat eine Dicke in dem Bereich von 20 bis 50 nm (200 bis 500 A) und die Spurbreite festgelegt in dem Bereich von etwa 50 bis 200 μπι ih einer Mehrspuren-Bauweise wie in der ersten Aus" führungs form der Fig. 1 und 2. in dieser Aus führung^ form ist das MR-Element 7 auf einem SiO₂-FiIm 21 des Auf bringungs¹-Typs, der auf der Isolierschicht 6 aufgebracht ist; gebildet. Die Leiter-Schicht 5 zum Anlegen des einseitigen Vormagnetisierungsfeldes an das MR-Element 7 besteht aus einem Film aus Mo, Cu oder einer Al-Cu^Legierung etc.. Das das untere Joch in dieser Anordnung bildende Substrat IB besteht aus Ni-Zn-Ferrit oder Mn-Zn-Ferrit. Auf diesem Substrat IB wird die Leiter-Schicht 5 mit Hilfe der Isolierschicht 4 gebildet, und weiterhin wird über dieser Leiter-Schicht 5 das MR-Element 7 mit Hilfe der Isolierschicht 6 und des SiO₂-Films 21 dös Aufbringungs-Typs gebildet, während das obere* Joch 11 auf dem MR-Element 7 mit Hilfe der Isolierschicht 9 gebildet wird.

Zur Fertigung des Dünnfilm-Magnetkopfes MB, wie er im Vorstehenden beschrieben ist, wird zuerst die Isolierschicht 4 aus SiO₂, Si_N., Al₃O₃ oder dergleichen auf dem Substrat IB mittels eines P-CVD-Verfahrens oder RF-Zerstäubung etc. gebildet. Anschließend wird weiterhin die Leiter-Schicht 5 aus Mo, Cu, Al-Cu-Legierung oder dergleichen auf der Isolierschicht 4 durch ein Verfahren der Widerstandsheizung, ein Verfahren der Abscheidung mittels Elektronenstrahl, durch RF-Zerstäubung oder dergleichen gebildet. Zur Bearbeitung der obigen Leiter-Schicht für die Herstellung der gewünschten Abmessungen derselben werden das Verfahren des chemischen Ätzens, das Zerstäubungsverfahren oder das Verfahren des Ionen-Mahlens angewandt.

'

Beispielsweise kann im Fall des chemischen Ätzens der Cu-FiIm durch die Einwirkung einer aus Salpetersäure (HNO₃) + Ammoniumpersulfat /~(NH₄)₂ ^S2°8—^ ^{+ Wasser} (H^O) bestehenden Ätzlösung auf die gewünschten Abmessungen gebracht werden, während der Film aus der Cu-Al-Legierung auch durch Anwendung einer aus Kaliumhydroxid (KOH) + Ammoniumpersulfat /" (NH₄) ₂ ^S2°8-'^{7 + Wasser} (^H2°* bestehenden Ätzlösung oder einer aus Phosphorsäure (H₃PO₄) + Salpetersäure (HNO₃) + Essigsäure (CH₃COOH) + Wasser (H₃O) bestehenden Ätzlösung auf die geforderten Abmessungen gebracht werden kann. Im Fall des Zerstäubungs-Ätzens oder des Verfahrens des Ionen-Mahlens kann der Film aus Mo, Cu, Al-Cu oder dergleichen unter Einleitung von Ar-Gas bearbeitet werden,

Auf der auf diese Weise gebildeten Leiter-Schicht 5 wird die aus SiO-, Si₃N₄, Al₃O₃ etc. bestehende Isolierschicht 6 mittels des P-CVD-Verfahrens oder RF-

Zerstäubung hergestellt. Für die Bildung dieser Isolierschicht 6 wird die Temperatur des Substrats IB auf etwa 200⁰C erhöht, woraus eine Aufrauhung der Oberfläche der Leiter-Schicht 5 resultiert, die sich direkt auf der Isolierschicht 6 widerspiegelt, so daß deren Oberflächenrauhigkeit Werte in dem Bereich von 2 bis

10 nm (20 bis 100 A) annimmt.

Danach wird der SiO₂-FiIm 21 des Aufbringungs-typs auf der Isolierschicht 6 gebildet. Der obige SiO₃-FiIm 21 des Aufbringungs-Typs kann gewonnen werden durch Aufbringen einer Silicium-Verbindung etc. gelöst in einem organischen Lösungsmittel oder dergleichen auf die Isolierschicht 6 mittels einer rotierenden Scheibe zum anschließenden Ausheizen. Die Dicke des siO₃-Filmä 21 kann durch die Drehzahl des Rotationsbeöchidhters und die Konzentration der Silicium-Verbindung in dem Lösungsmittel gesteuert werden, urid durdh diesen SiO₃-FiIm 21 kann die Welligkeit der¹ Oberfläche der isolierschicht 6 in ähnlicher Weise geglättet Werden wie im Fall des Einsatzes eines organischen Materials wie PIQ. Die Oberflächenrauhigkeit des vorstehenden SiO₃-FiImS 21 des Aufbringungs-Typs, wie er auf der Isolierschicht

6 gebildet wird, beträgt weniger als 1 nm (10 A) oder liegt um diesen Wert herum, verglichen mit derjenigen der Isolierschicht 6, die in der Größenordnung von 2

bis 10 nm (20 bis 100 A) liegt.

Über dem vorstehenden SiO_-Film 21 des Aufbringungs-Typs wird das aus dem Permalloy-Abscheidungs-Film bestehende MR-Element 7 gebildet. In diesem Fall wird die Welligkeit auf der Oberfläche der Isolierschicht 6 durch den SiO₃-FiIm 21 des Aufbringungs-Typs wie oben

beschrieben geglättet, während gleichzeitig der das MR-Element. 7 bildende Permalloy-Abscheidungs-Film eine gute magnetische Charakteristik erhält, da der SiO„-. Film. 21 hinsichtlich der Natur des Films als Grundbeschichtung überlegen ist (z.B. Film-Dichte, Film-Zusammensetzung und dergleichen).

Das MR-Element 7 hat eine Film-Dicke im Bereich von 20

bis 50 nm (200 bis 500 A) und wird durch Verfahren des chemischen Ätzens oder des Zerstäubungs-Ätzens in die Form von Streifen in dem Bereich von 5 bis 20 μΐη χ 50 bis 100 um gebracht. Anschließend wird die Zuleitungsschicht 8 durch das Verfahren der Widerstandsheizung, das Verfahren der Abscheidung mittels Elektronenstrahl oder durch RF-Zerstäubung gebildet.

Auf dem MR-Element 7 und der Zuleitungsschicht 8 wird weiterhin durch, das P-CVD-Verfahren oder durch RF-Zerstäubung die isolierende Schicht 9 gebildet, und schließlich wird auf der Isolierschicht 9 das obere Joch 11 des magnetischen Films hoher Permeabilität gebildet.

Die nachstehende Tabelle 2 zeigt die magnetischen Kennwerte des das MR-Element 7 des Dünnfilm-Magnetkopfes gemäß der vorstehenden Ausführungsform bildenden Permalloy-Abscheidungsfilms. Es ist darauf hinzuweisen, daß ein Substrat aus Glas (# 0211) an Stelle eines Substrats aus Ni-Zn-Ferrit oder Mn-Zn-Ferrit eingesetzt wird und die Leiter-Schicht 5 unter Fortlassen der Isolierschicht 4 auf dem Glas-Substrat gebildet wird, während die aus SiO- bestehende Isolierschicht 6 auf der Leiter-Schicht 5 gebildet wird und der SiO„-Film 21

des Aufbringungs-Typs auf der Isolierschicht 6 aufgebracht wird, wobei das aus dem Permalloy-Abscheidungsfilm bestehende MR-Element 21 gebildet ist.

Tabelle

7 weiter auf dem SiO₂-FiIm

Probe	SiO₂-FiIm	Nach dem	Permalloy- (Ni-	= 159	A/m
	des Aufbrin	Ausheizen	Fe-Legierung)	(2,0	Oe)
	gung s -Ty ρ s		Einzelfilm-	0
			Kennwerte
SiO₂:	Modell	Oberflächen	Hc =	** 366	A/m
P-CVD-	P-0300	rauhigkeit		(4,6	Oe)
Verfahren	Film-Dicke	kleiner als	Hch
oder RF-	f 100 nm	1 nm (10 A)
Zerstäu-	(1000 A)		Hk =	= 151	A/m
bung	300⁰C			(1,9	Oe)
	Ausheizen			0
Leiter-
Cu, Mo,	Modell	Oberflächen¹-	Hc ■	- 366	A/m
Al-Cu	P-10503	rauhigkeit		(4,6	Oe)
Glas	Film-Dicke	kleiner als	Hch ■■
# 0211	r 400 nm	1 nm (10 A)
Oberflä	(4000 A)		Hk ■■
chen-Rau	300⁰C			= 151	A/m
higkeit	Ausheizen			(1,9	Oe)
2 - 10 nm				0
(20 - 100	O A)				= 358-398 A/m
Bezugswerte:		Hc ■■	- 5,(
Ni-Fe / Glas (#0211)			3 Oe)
		Hch ■■
		Hk ■·
•		(4,5

In Tabelle 2 sind außerdem zum Vergleich die magnetischen Kennwerte des unmittelbar auf dem Substrat aus Glas (# 0211) gebildeten Permalloy-Abscheidungsfilms aufgeführt.
5

Wie aus Tabelle 2 hervorgeht, beträgt die Oberflächenrauhigkeit des SiO„-Films 21 vom Aufbringungs-Typ nach dem Ausheizen weniger als 1 nm (10 A) , verglichen mit der Oberflächenrauhigkeit der Isolierschicht in dem

Bereich von 2 bis 10 nm (20 bis 100 A), und als Folge zeigen die magnetischen Kenndaten des Permalloy-Abscheidungs films annähernd die gleichen Werte in bezug auf den Widerstand gegen die magnetische Kraft Hc in der leicht zu magnetisierenden Richtung, den Widerstand gegen die magnetische Kraft Hch in der schwer zu magnetisierenden Richtung und das anisotrope Magnetfeld Hk wie diejenigen des unmittelbar auf dem Substrat aus Glas (# 0211) gebildeten Permalloy-Abscheidungsfilms.

Wenn der das MR-Element 7 bildende Permalloy-Abscheidungs film mit günstigen magnetischen Kennwerten auszustatten ist, haben in dem SiO₃-FiIm enthaltende Verunreinigungen und die Film-Eigenschaften desselben, einschließlich der Zusammensetzung, Dichte etc. des SiO₃-Films, neben der Oberflächenrauhigkeit des die Isolierschicht unter dem MR-Element 7 bildenden SiO₃-FiImS, großen Einfluß darauf.

Wie aus der nachstehenden Tabelle 3 hervorgeht, kann insbesondere auch dann, wenn der SiO₉-FiIm eine Ober-

•^ ο
flächenrauhigkeit von weniger als 1 nm (10 A) aufweist, der Permalloy-Abscheidungsfilm, falls er ein Film ist, dem es an Dichtheit mangelt (z.B. bearbeitet unter

solchen Bedingungen wie einem P-CVD-Verfahren, Ätzgeschwindigkeiten von 15 bis 20 nm/min (150 bis

ο _t

200 A/min), 5-proz. wäßrige HF-Losung und Flüssigkeits-Temperaturen von 45⁰C bis 50⁰C) guns'tige magnetische Kennwerte nicht erlangen, und er zeigt große Werte sowohl für den Widerstand gegen die magnetische Kraft Hc in Richtung der leicht zu magnetisierenderi Achse als auch für den Widerstand gegen die magnetische Kraft Hch in Richtung der schwer zu magnetisierenden Achse, verglichen mit den magnetischen Kennwerten des auf dem Glas-Substrat (# 0211) gebildeten Permalloy-Abscheidungsfilms oder eines dichten SiO₂-FiImS (bearbeitet unter solchen Bedingungen wie RF-Zerstäubung, Ätzge-

schwindigkeiten von 4 bis 5 nm/min (40 bis 50 A/min) , 5-proz. wäßrige HF-Lösung und Flüssigkeits-Temperaturen von 45⁰C bis 50⁰C) . Jedoch selbst dann, wenn es dem SiO₃-FiIm an Dichtheit fehlt, kann die Verbesserung der Film-Eigenschaften als Grundschicht dadlirch erzielt werden, daß der SiO_-Film des Aufbringungs-Typs auf dem obigen SiO_-Film, der unzureichende Dichtigkeit aufweist, aufgebracht wird, und der auf dieäem Siö„-Film des Aufbringungs-Typs gebildete Permälioy-Abscheidungsfilm liefert günstige magnetische Kenndaten, die annähernd denjenigen des unmittelbar auf dem Substrat aus Glas (# 0211) gebildeten Permalloy-Abscheidungsfilms gleich sind.

Tabelle

SiO₂/Glas-Sub-	Bildung des SiO₂	Einzelfilm-
strat	vom Aufbringungs-	Kennwerte von
	Typ	Permalloy
		(Ni-Fe-Legierung)
P-CVD-Verfahren	keine	Hc = 286-342 A/m
(SiO₂-Bildung)		(3,6 - 4,3 Oe)
SiH₄ (10 %)		Hch = 40- 80 A/m
= 140 sccM		(0,5 - 1,0 Oe)
N₂O = 210 sccM		Hk = 318-398 A/m
		(4,0 - 5,0 Oe)
Leistung = 25 W	Modell = P-0300	Hc = 151-159 A/m
^Tsub ^{= 150}°^C		(1,9 - 2,0 Oe)
Oberflächen-	Dicke 100 nm	Hch ΐ· Ο
welligkeit	(1000 A)	Hk =366 A/m
kleiner als .1 nm		(4,6 Oe)
(10 A)	300⁰C Ausheizen
Ätzgeschwindig-	Oberflächenrauhig
keit 15 bis	keit kleiner als
20 nm/min (150	1 nm (10 A)
bis 200 A/min)
RF-Zerstäubung	keine	Hc = 151 A/m
(SiO₂-Bildung)		(1,9 Oe)
100 W, 9,3 pbar		Hch = 0
(7 mTorr)		Hk = 358-398 A/m
Oberflächenrauhig-		(4,5 - 5,0 Oe)

keit kleiner als 1 nm (10 A) Ätzgeschwindigkeit 4 bis 5 nm/min

40 bis 50 A/min)

Tabelle 3 - Fortsetzung

Bezugswerte: Hc =151 A/m

Ni-Pe / Glas (#0211) (1,9 Oe)

Hch *» 0

Hk =* 358-398 A/m (4,5 - 5,0 Oe)

in Fig. 5 ist weiterhin eine seitliche Sdhnittansicht eines YMR-Kopfes MC entsprechend einer Modifikation des Magnetkopfes der Fig. 3 und 4, in senkrechter Richtung zu der Spurbreite eines magnetischen Aufzeichnungsmediums 13, dargestellt.

Dieser Dünnfilm-Magnetkopf MC in der Fig. 5 umfaßt das nicht-magnetische Substrat 1, einen aus einem Film aus Sendust (einer Fe-Al-Si-Legierung), einem Film aus Permalloy (einer Ni-Fe-Legierung) oder dergleichen bestehenden magnetischen Film 3 hoher Permeabilität zur Bildung des unteren Jochs, der auf dem Substrat 1 durch ein Verfahren der Abscheidung mittels Elektronenstrahl oder Zerstäuben gebildet ist, sowie die Leiter-Schicht 5, das MR-Element 7, das obere Joch 11, die Isolierschichten 4, 6 und 9 sowie den SiO₃-FiIm 21 des Aufbringungs-Typs, die weiterhin in der gleichen Weise wie in der Ausführungsform der Fig. 3 und 4 auf dem magnetischen Film 3 hoher Permeabilität gebildet werden. Obwohl in diesem Fall die Oberflächenrauhigkeit des magnetischen Films 3 ebenfalls überlagert wird, da die Oberflächenrauhigkeit des SiO«-Films 21 des Aufbringungs-Typs kleiner als 1 nm (10 A) wird, wird der das MR-Element 7 bildende Permalloy-Abscheidungsfilm mit günstigen magnetischen Kennwerten ausgestattet.

Es ist ausdrücklich darauf hinzuweisen, daß in der vorstehenden Ausführungsform, obwohl die vorliegende Erfindung hauptsächlich im Hinblick auf den Fall beschrieben wurde, in dem sie auf den YMR-Kopf angewandt wurde, der Grundgedanke der vorliegenden Erfindung in seiner Anwendung nicht allein auf einen solchen YMR-Kopf beschränkt ist, sondern auch leicht auf einen einseitigen MR-Kopf vom Schild-Typ, einen MR-Kopf vom Nicht-Schild-Typ oder dergleichen angewandt werden kann, in dem durch den Einsatz eines SiO„-Films des Aufbringungs-Typs Permalloy-Filme mit günstigen magnetischen Kennwerten erhalten werden können.

Da die vorliegende Erfindung so gehandhabt wird, daß das aus dem ferromagnetisehen Dünnfilm bestehende MR-Element auf dem SiO₃-FiIm des Aufbringungs-Typs gebildet wird, der auf der Isolierschicht erzeugt wurde, kann, wie aus der vorstehenden Beschreibung deutlich wird, das MR-Element mit guten magnetischen Kennwerten und Filmeigenschaften erhalten werden, ohne durch die Oberflächenrauhigkeit der Grund-Isolierschicht beeinträchtigt zu werden, und demgemäß können die MR-Charakteristiken (^S/?-Charakteristiken) verbessert werden, wodurch Dünnfilm-Magnetköpfe mit einem günstigen S/N-Verhältnis verfügbar gemacht werden.

Claims

VON KREISLER SCHÖNWÄLD EtSHOLD PUES VON KREISLER KELLER SELTING WERNER PATENTANWÄLTE Ör.-Ing. von Kreisler t 1973 Sharp Kabushiki Kaisha, Dr.-Ing. K. W. Eishold 11981 Osaka, Japan. pr.-lng. K. Schönwald Dr. J. F. Fues Dipl.-Cherrt. AIeIc von Kreisler Dipl.-Chem. Carola Keller DipL-lng. G. Selting Dr. H-K. Werner DEICHAAANNHAUS AM HAUPTBAHNHOF D-5000 KÖLN 1 23» April 1986 AvK/GE1 377 Patentansprüche

1. Dünnfilm-Magnetkopf (M) mit einetft JocJh (11» 3) > das so angeordnet ist, daß es ein magnetisches Aufzeichnungsmedium (13) berührt, und oberhalb oder unterhalb eines Kopf-Zwischenraum-Teils (12) gebildet ist» und einem magnetischen Reluktanzeffekt-Element <7)* das damit durch das Joch als magnetischer Weg magnetisch gekoppelt ist, wobei das Joch auf einem Substrat (1) des Dünnfilm-Magnetkopfes (M) vermittels eines SiO₃-FiImS

(2) gebildet ist, der durch ein Aufbringungsverfahren auf dem Substrat (1) gebildet wurde.

2. Dünnfilm-Magnetkopf (M), der zum Nachweis der Variation eines elektrischen Signals, das in Richtung einer schwer zu magnetisierenden Achse eines ferromagnetischen Dünnfilms (7) mit einadhsiger magnetischer Anisotropie angelegt ist, als Variation des elektrischen Widerstandes ausgelegt ist, wobei der Dünnfilm-Magnetkopf (M) ein Substrat (1) und einen SiO₃-FiIm (21), der

Telefon: (0221) 131041 · Tele» 8882307 dopa d · Telegramm: Dompatent Köln

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durch ein Aufbringungsverfahren auf einer auf dem Sub- 'i strat (1) vorgelegten Isolierschicht (6) gebildet * wurde, umfaßt, wobei der ferromagnetische Dünnfilm (7) auf dem SiO₃-FiIm (21) gebildet ist.

3. Dünnfilm-Magnetkopf (M) mit einem Substrat (1) , einem auf dem Substrat gebildeten SiO₃-FiIm (2) des Aufbringungs-Typs, einem auf dem SiO₃-FiIm (2) gebildeten unteren Joch (3) aus einem magnetischen Film mit hoher Permeabilität, einer auf dem unteren Joch (3) gebildeten ersten isolierenden Schicht (4) , einer auf der ersten isolierenden Schicht (4) gebildeten Leiter-Schicht (5), einer auf der Leiter-Schicht (5) gebildeten zweiten isolierenden Schicht (6) , einem magnetischen Reluktanzeffekt-Element (MR-Element) (7) und einer Zuleitungsschicht (8), die weiter auf der zweiten isolierenden Schicht (6) gebildet sind, einer auf dem MR-Element (7) und der Zuleitungsschicht (8) gebildeten

. dritten isolierenden Schicht (9) und einem oberen Joch (11) , das schließlich auf der dritten isolierenden Schicht (9) gebildet ist, mit einem Kopf-Zwischenraum-Teil (12) und einem rückwärtigen Joch-Teil (10) , die zwischen dem oberen Joch (11) und dem unteren Joch (3) ausgebildet sind.

4. Dünnfilm-Magnetkopf (M) mit einem Substrat (1) , einer auf dem Substrat (1) gebildeten ersten isolierenden Schicht (4), einer auf der ersten isolierenden Schicht (4) gebildeten Leiter-Schicht (5), einer auf der Leiter-Schicht (5) gebildeten zweiten isolierenden Schicht (6) , einem auf der zweiten isolierenden Schicht

(6) gebildeten SiO₃-FiIm (21) des Aufbringungs-Typs, einem magnetischen Reluktanzeffekt-Element (MR-Element)

(7) und einer Zuleitungsschicht (8), die weiter auf dem

SiO₂-FiIm (21) des AufbringungS-Typs gebildet sind, einer auf dem MR-Element (7) und der Züleitungsschicht (8) gebildeten dritten isolierenden SdhicHt (9) und einem oberen Joch (11), das schließlich auf der dritten isolierenden Schicht (9) gebildet ist» mit eiriem Kopf-¹· Zwischenraum-Teil (12) und einem rudkwärtigeii Jodh-Teil (10) , die zwischen dem oberen Joch (llf Und dem Substrat (1) ausgebildet sind»

5. Dünnfilm-Magnetkopf (M) nach Anspruch I₁ dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin ein unteres JoC¹Ii (3) zwischen dem Substrat (1) und der eräten isolierenden Schicht (4) gebildet ist.