DE19528245A1 - Magneto-Widerstandskopf - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Magneto-Widerstandskopf und insbesondere auf
einen Magneto-Widerstandskopf mit einer Spin-Magneto-Widerstandsschicht zur
Verwendung in einem Magnetsensor, Magnetkopf o.a.
Für einen derartigen Magnetsensor oder Magnetkopf war es bekannt, eine Magneto-Widerstandsschicht
mit NiFe als magnetisches Material zu verwenden. Aufgrund des
steigenden Bedürfnisses nach einer erhöhten Empfindlichkeit des Magnetsensor oder des
Magnetkopfes wurde eine sog. GMR (Giant Magnetoresistance)-Schicht mit großem
Interesse beobachtet, die Lesesignale mit einer großen Amplitude liefert. Da eine Spin-
Magneto-Widerstandsschicht relativ leicht hergestellt werden kann und sie im Vergleich zu
der bekannten Magneto-Widerstandsschicht eine erhöhte Änderungsrate des elektrischen
Widerstands aufweist, wurde in letzter Zeit dieser Magneto-Widerstandsschichtart
besonders große Aufmerksamkeit geschenkt.
Vorrichtungen, die den Spin-Magneto-Widerstandseffekt ausnutzen, wurden beispielsweise
in der US-A-5,206,590 vorgeschlagen. Diese Vorrichtungen sind wie in Fig. 7A und 7B
beispielhaft gezeigt strukturiert.
Wie in Fig. 7A und 7B gezeigt, sind bei Anliegen eines magnetischen Feldes bestimmter
Größe mit Hilfe eines Bedampfungsverfahrens auf ein Siliziumsubstrat 1 eine
Untergrundschicht 2, eine erste magnetische Schicht 3, eine nicht-magnetische
Metallschicht 4, eine zweite magnetische Schicht 5 und eine antiferromagnetische Schicht
6 in der angegebenen Reihenfolge aufgebracht. Sämtliche Schichten von der
Untergrundschicht 2 bis zu der antiferromagnetischen Schicht 6 sind derart ausgestaltet,
daß sie rechteckförmig und eben sind. Zusätzlich ist ein Paar von Leiteranschlüssen 7a und
7b auf der antiferromagnetischen Schicht 6 in deren Längsrichtung voneinander
beabstandet aufgebracht.
Als Materialien für diese Schichten kommen beispielsweise Tantal (Ta) für die
Untergrundschicht 2, Eisen-Nickel (NiFe) für die erste und zweite magnetische Schicht
3, 5, Kupfer (Cu) für die nichtmagnetische Metallschicht 4 und Eisen-Mangan (FeMn) für
die antiferromagnetische Schicht 6 in Frage.
Dadurch wird der Spin-Magneto-Widerstandskopf vollständig gebildet.
Die erste magnetische Schicht 3 weist eine rechteckförmige Magnetisierung Ma in
Längsrichtung auf. Die zweite magnetische Schicht 5 kann durch Kopplung mit der
anitferromagnetischen Schicht 6 magnetisiert werden. Eine Magnetisierungsrichtung Mb
entspricht einer Querrichtung der rechteckförmigen Schichten. Ein von einem
Magnetaufzeichnungsmedium abgeleitetes Signal-Magnetfeld Hsig wird in Querrichtung
dieser Schichten erzeugt.
Wird das Signal-Magnetfeld Hsig an den Magneto-Widerstandswandler angelegt, so wird
die Magnetisierungsrichtung Ma der ersten magnetischen Schicht 3 gemäß der Stärke und
Richtung des Signal-Magnetfeldes Hsig verändert, d. h. geneigt.
Diejenige Komponente der Magnetisierung Ma der ersten magnetischen Schicht 3, die
entgegengesetzt zu der Magnetisierung Mb der zweiten magnetischen Schicht 5 verläuft,
dient als Primärfaktor zur Streuung der diese Schichten durchlaufenden Elektronen, und
somit zur Erhöhung des elektrischen Widerstandes aller Schichten. Da andererseits eine
Komponente der Magnetisierung Ma der ersten magnetischen Schicht 3, die in dieselbe
Richtung wie die Magnetisierung Mb der zweiten magnetischen Schicht 5 verläuft, keine
Streuung der diese Schichten durchlaufenden Elektronen hervorruft, wird der elektrische
Widerstand aller Schichten verringert.
Der elektrische Widerstand in stromempfindlichen Bereichen wird proportional zu dem
Kosinuswert eines Relativwinkels Θ zwischen der Magnetisierung Ma der ersten
magnetischen Schicht 3 und der Magnetisierung Mb der zweiten magnetischen Schicht 5,
d. h. gemäß car Θ verändert.
Um den elektrischen Widerstand linear gegenüber dem von dem magnetischen
Aufzeichnungsmedium abgeleiteten Signal-Magnetfeld Hsig zu verändern, wird die
Magnetisierung Ma der ersten magnetischen Schicht 3 senkrecht mit der Magnetisierung
Mb der zweiten magnetischen Schicht 5 während des Anliegens eines Null-Signal-Magnetfeldes
überlagert. Das Signal-Magnetfeld Hsig muß entweder parallel oder
entgegengesetzt zu der Magnetisierungsrichtung der zweiten magnetischen Schicht 5, d. h.
der festgelegten Magnetisierungsrichtung angelegt werden.
Wird das von einem Magnetaufzeichnungsmedium abgeleitete Signal-Magnetfeld Hsig in
ein elektrisches Signal umgewandelt, kann aufgrund des Signal-Magnetfelds Hsig eine
elektrische Widerstandsänderung in eine Spannungsänderung umgewandelt werden, indem
ein elektrischer Konstantstrom zwischen den beiden Leiteranschlüssen 7a, 7b fließt. Die
Änderung der Spannung wird als elektrisches Wiederherstellungssignal ausgenutzt.
Bei der Vorrichtung mit NiFe als Material für die magnetische Schicht, in der der Spin-Magneto-Widerstandseffekt
hervorgerufen wird, beträgt die Änderungsrate des
elektrischen Widerstandes durch das Signal-Magnetfeld lediglich 2,5%. Daher ist diese
Vorrichtung für hochempfindliche Magnetsensoren oder Magnetköpfe nicht ausreichend.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Magneto-Widerstandskopf mit
einer größeren Änderungsrate des elektrischen Widerstandes gegenüber dem Signal-Magnetfeld
zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Merkmale
gelöst.
Gemäß dem Magneto-Widerstandskopf der vorliegenden Erfindung ist zumindest eine
ferromagnetische Schicht, die eine antiferromagnetische Schicht konktaktiert, aus einer
Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung hergestellt, wobei die Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung 5-40
Atom-% Nickel und 30-95 Atom-% Kobalt aufweist.
Dadurch kann im Vergleich zu dem bekannten Magneto-Widerstandskopf die
Änderungsrate des elektrischen Widerstandes durch den Spin-Magneto-Widerstandseffekt
vergrößert werden. Wird in diesem Fall auch diejenige ferromagnetische Schicht, die nicht
mit der antiferromagnetischen Schicht in Kontakt steht, aus einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung
hergestellt, so kann die Änderungsrate des elektrischen Widerstandes weiter
vergrößert werden. Der Grund dafür ist die gegenüber einer Eisen-Nickel-Legierung
vergrößerte Änderungsrate des elektrischen Widerstandes der Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung.
Wird des weiteren eine Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung mit einer Null-Magnetostriktion
eingesetzt, so kann vermieden werden, daß die gegenseitige Beeinflussung mit der
antiferromagnetischen Schicht nachteilig beeinflußt wird.
Des weiteren wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, für die erste und zweite
ferromagnetische Schicht Kobalt-Nickel-Eisen-Legierungen mit unterschiedlichen
Zusammensetzungen zu verwenden, wobei die nicht-magnetische Metallschicht zwischen
diesen beiden ferromagnetischen Schichten angeordnet wird.
Dadurch wird die Änderungsrate des elektrischen Widerstandes aufgrund des Spin-Magneto-Widerstandseffekts
gegenüber dem bekannten Magneto-Widerstandskopf größer.
Des weiteren kann die Zusammensetzung der ersten ferromagnetischen Schicht, die eine
leichte Drehung des magnetischen Feldes aufgrund des Signal-Magnetfeldes ermöglicht,
als Material dienen, das die erste ferromagnetische Schicht bildet, die nicht in Kontakt mit
der antiferromagnetischen Schicht steht, so daß korrekte Lesevorgänge durchgeführt
werden können.
In diesem Fall ist es vorteilhaft, daß die Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung, die die erste
ferromagnetische Schicht bildet, 40-50 Atom-% Kobalt und 24-35 Atom-% Nickel
aufweist, und daß die Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung, die die zweite ferromagnetische
Schicht bildet, 80-90 Atom-% Kobalt und höchstens 20 Atom-% Nickel aufweist.
Zudem kann die Magnetisierungsrichtung einfach durch das Signal-Magnetfeld gedreht
werden, da die Koerzitivkraft der ersten ferromagnetischen Schicht so gewählt wird, daß
sie höchstens 795,775A/m (10 Oe) beträgt. Ist zudem zumindest die Kristallstruktur der
zweiten ferromagnetischen Schicht als kubisch-flächenzentriertes Gitter ausgestaltet, kann
die die zweite ferromagnetische Schicht kontaktierende antiferromagnetische Schicht auf
einfache Weise ausgebildet werden.
Gemäß einem weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel umfaßt der Magneto-Widerstandskopf
eine erste aus einem weichmagnetischen Material mit einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung
gebildete ferromagnetische Schicht, eine zweite ferromagnetische
Schicht, die aus einem hartmagnetischem Material mit einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung,
einer Eisen-Kobalt-Legierung oder nur aus Kobalt gebildet ist, sowie eine
zwischen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht angeordnete nichtmagnetische
Metallschicht.
Die das hartmagnetische Material bildende Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung weist
beispielsweise mindestens 65 Atom-% Kobalt und höchstens 35 Atom-% Nickel auf. Die
das weichmagnetische Material bildende Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung weist 40-50
Atom-% Kobalt und 24-35 Atom-% Nickel auf.
Dadurch konnte gegenüber dem bekannten Magneto-Widerstandskopf die Änderungsrate
des elektrischen Widerstandes aufgrund des Spin-Magneto-Widerstandseffekts vergrößert
werden. Da die zweite ferromagnetische Schicht eine hartmagnetische Schicht ist, ist
zudem die Koerzitivkraft groß und wird nicht durch das Signal-Magnetfeld geändert, so
daß die antiferromagnetische Schicht nicht mehr erforderlich ist. Demzufolge kann der
Mengendurchsatz vergrößert werden. Da Eisen-Mangan, das eine geringe
Korrosionswiderstandskraft aufweist, nicht mehr als antiferromagnetische Schicht
benötigt wird, kann zudem erfindungsgemäß die Korrosionswiderstandsfähigkeit der
gesamten Vorrichtung verbessert werden.
Da weiterhin die Koerzitivkraft der ersten ferromagnetischen Schicht so gewählt wird, daß
sie maximal 795,775 A/m (10 Oe) beträgt, kann die Magnetisierungsrichtung der ersten
ferromagnetischen Schicht einfach durch das Signal-Magnetfeld gedreht werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele unter
Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Magneto-Widerstandskopf gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der
Erfindung in einer Seitenansicht,
Fig. 2 ein charakteristisches Diagramm, das die Beziehung zwischen der
Elektronenanzahl und der Änderungsrate des elektrischen Widerstandes darstellt, für
den Fall, daß Kupfer als nichtmagnetische Metallschicht und Nickel-Eisen oder Nickel-Kobalt
als magnetische Dünnfilmschicht verwendet werden und 30 nichtmagnetische
Metallschichten und 30 magnetische Dünnfilmschichten übereinander angeordnet sind,
Fig. 3 den Zusammenhang zwischen der Kobalt-Nickel-Eisen-Zusammensetzung und
der Magnetostriktion,
Fig. 4A einen Magneto-Widerstandskopf gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der
Erfindung in einer Seitenansicht,
Fig. 4B den Zusammenhang zwischen der Kobalt-Nickel-Eisen-Zusammensetzung der
Magnetostriktion und der Koerzitivkraft,
Fig. 5A einen Magneto-Widerstandskopf gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der
Erfindung in einer Seitenansicht,
Fig. 5B den Zusammenhang zwischen der Kobalt-Nickel-Eisen-Zusammensetzung und
der Koerzitivkraft,
Fig. 6A eine bekannte Magnetaufzeichnungsvorrichtung, bei der die Magneto-
Widerstands-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt ist, in
Seitenansicht,
Fig. 6B eine Zwischenspalt-Magnetaufzeichnungsvorrichtung mit einer Magnetfluß-Führung,
bei der die Magneto-Widerstands-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung
eingesetzt ist, in Seitenansicht,
Fig. 6C eine Joch-Magnetaufzeichnungsvorrichtung in Seitenansicht, bei der die
Magneto-Widerstandsvorrichtung der vorliegenden Erfindung eingesetzt ist, und
Fig. 7A eine Seitenansicht eines bekannten Spin-Magneto-Widerstandskopfes,
Fig. 7B den in Fig. 1A dargestellten bekannten Spin-Magneto-Widerstandskopf in
perspektivischer Teilschnittansicht.
Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter
Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beschrieben.
Fig. 1 zeigt in Seitenansicht eine Vielschichtstruktur eines Spin-Magneto-Widerstandskopfes
gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Bei Anlegen eines magnetischen Feldes der Stärke 2.387,325 A/m (30 Oe) wird, gemäß
der in Fig. 1 gezeigten Reihenfolge, durch ein Verdampfungsverfähren auf eine (110)-Fläche
eines Siliziumsubstrates 11 als eine Untergrundschicht 12 Tantal (Ta) mit einer
Dicke von 6 nm (60 Å), als eine erste ferromagnetische Schicht 13 Eisen-Nickel (NiFe) mit
einer Dicke von 9 nm (90 Å), als eine nichtmagnetische Metallschicht 14 Kupfer (Cu) mit
einer Dicke von 2 nm (20 Å), als eine zweite ferromagnetische Schicht 15 Nickel-Eisen-Kobalt
(CoNiFe) mit einer Dicke von 4 nm (40 Å) und als eine antiferromagnetische
Schicht 16 Eisen-Mangan (FeMn) mit einer Dicke von 12 nm (120 Å) ausgebildet.
Die erste ferromagnetische CoNiFe-Schicht 13 ist beispielsweise aus einer Legierung mit
10 Atom-% Nickel, 25 Atom-% Eisen und 65 Atom-% Kobalt gefertigt. Diese Legierung
wird nachfolgend als Co₆₅Ni₁₀Fe₂₅ bezeichnet.
Die Schichten von der Untergrundschicht 12 bis zu der antiferromagnetischen Schicht 16
sind als ebene rechteckförmige Schichten ausgebildet. Zudem ist ein Paar Leiteranschlüsse
17a, 17b auf die antiferromagnetische Schicht 16 in deren Längsrichtung von einander
beabstandet ausgeformt.
Liegt kein externes Magnetfeld an, so entspricht die Magnetisierungsrichtung der ersten
ferromagnetischen Schicht 13 deren Längsrichtung. Die Magnetisierungsrichtung der
ersten ferromagnetischen Schicht 13 wird orthogonal von der Magnetisierung der zweiten
ferromagnetischen Schicht 15 überlagert.
Gemäß dem zuvor beschriebenen Spin-Magneto-Widerstandskopf kann die Änderungsrate
des elektrischen Widerstandes gegenüber dem bekannten Magneto-Widerstandskopf auf
ca. 4% erhöht werden.
Nachfolgend werden die Gründe dafür angegeben, warum die erhöhte Änderungsrate des
elektrischen Widerstandes durch die Ausbildung der zweiten ferromagnetischen Schicht
15, die die antiferromagnetische Schicht 16 kontaktiert, als Co₆₅Ni₁₀Fe₂₅-Legierung folgt.
Fig. 2 zeigt die Änderungsrate des elektrischen Widerstandes (elektrische
Widerstandsfähigkeit) Δρ/ρ₀ eines Probestücks, welches 30 nichtmagnetische
Metallschichten aus Cu aufweist, die abwechselnd mit 30 magnetischen Dünnfilmschichten
aus NiFe übereinander gelagert sind. Des weiteren zeigt Fig. 2 eine Änderungsrate des
elektrischen Widerstandes (elektrische Widerstandsfähigkeit) Δρ/ρ₀ eines zweiten
Probestücks, das 30 nichtmagnetische Metallschichten aus Cu aufweist, die abwechselnd
mit 30 magnetischen Dünnfilmschichten aus NiCo übereinander gelagert sind. Fig. 2 ist
auf dem folgenden Artikel [1] gestützt:
[1] M. Sato, S. Ishio and T. Miyazaki: J. Magn. Mater. 126 (1993) 462.
[1] M. Sato, S. Ishio and T. Miyazaki: J. Magn. Mater. 126 (1993) 462.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, beträgt die Änderungsrate der elektrischen
Widerstandsfähigkeit maximal 15%, wenn als ferromagnetische Schicht NiFe verwendet
wird. Wird jedoch NiCo, d. h. ein magnetisches Material des Kobaltsystems, als Material
der ferromagnetischen Schicht verwendet, kann die Änderungsrate der elektrischen
Widerstandsfähigkeit erhöht werden, da die Anzahl der Elektronen in der Legierung
nahezu der Elektronenanzahl von Kobalt selbst, d. h. 27, entspricht. In diesem Fall beträgt
die Änderungsrate maximal ca 15%.
Im folgenden Aufsatz [2] wurde die Größenordnung der Magnetostriktion beschrieben, die
durch unterschiedliche Zusammensetzungsverhältnisse von CoNiFe in einer dünnen
Schicht durch sehr schnelles Abkühlen hervorgerufen wird. Fig. 3 zeigt den
entsprechenden Sachverhalt, wobei λS die Sättigungs-Magnetostriktion bezeichnet.
[2] T. Ohmori, S. Ishio and T. Miyazaki: 17th Japanese Society for Applied Magnetics, Summary (1993) 20.
[2] T. Ohmori, S. Ishio and T. Miyazaki: 17th Japanese Society for Applied Magnetics, Summary (1993) 20.
Soll die magnetische Kopplung mit der antiferromagnetischen Schicht 16 berücksichtigt
werden, so ist als Material für die zweite ferromagnetische Schicht 15, die mit der
antiferromagnetischen Schicht 16 verbunden ist, ein Material mit geringer Koerzitivkraft
(HC) wünschenswert. Um die Koerzitivkraft zu verringern, wird die Magnetostriktion auf
Null reduziert. Fig. 4 zeigt zwei mit (i) und (ii) bezeichnete Verbundsysteme in der
CoNiFe-Legierung, die eine Null-Magnetostriktion aufweisen.
Wird das in Fig. 2 gezeigte Zusammensetzungsverhältnis für eine große Änderungsrate der
elektrischen Widerstandsfähigkeit berücksichtigt, so weist das mit (ii) bezeichnete
Verbundsystem einen größeren Kobaltanteil und eine größere Änderungsrate der
elektrischen Widerstandsfähigkeit als das mit (i) bezeichnete und in Fig. 3 dargestellte
Verbundsystem auf. Beide mit (i) und (ii) bezeichnete Verbundsysteme besitzen eine
Kristallstruktur eines kubisch-flächenzentrierten Gitters.
Demzufolge kann die Magnetostriktion auf Null oder sehr nahe an Null verringert werden
und eine hohe Änderungsrate der elektrischen Widerstandsfähigkeit kann erhalten werden,
wenn als Material für die zweite ferromagnetische Schicht 15 eine CoNiFe-Legierung mit
30-95 Atom-% Kobalt und 5-40 Atom-% Nickel gewählt wird. Ein Beispiel für eine
derartige CoNiFe-Legierung ist Co₆₅Ni₁₀Fe₂₅.
Es sei darauf hingewiesen, daß nicht nur die zweite mit der antiferromagnetischen Schicht
16 verbundene ferromagnetische Schicht 15, sondern auch die erste ferromagnetische
Schicht 13 durch eine derartige CoNiFe-Legierung mit 30-95 Atom-% Kobalt und 5-40
Atom-% Nickel gebildet sein kann. Verglichen mit den Fall, bei dem nur die zweite
ferromagnetische Schicht 15 durch die CoNiFe-Legierung gebildet ist, kann dadurch eine
nochmals erhöhte Änderungsrate der elektrischen Widerstandsfähigkeit erhalten werden.
Fig. 4A zeigt eine Vielschichtstruktur eines Spin-Magneto-Widerstandskopfes gemäß
einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in Seitenansicht.
Mit Hilfe eines Bedampfungsverfahrens sind bei Anliegen eines Magnetfeldes mit ca.
2.387,325 A/m (30 Oe) auf eine (110)-Fläche eines Siliziumsubstrates 21 in der in Fig.
4A angegebenen Reihenfolge als eine Untergrundschicht 22 Tantal (Ta) mit einer Dicke
von 6 nm (60 Å), als eine erste ferromagnetische Schicht 23 Nickel-Eisen-Kobalt (CoNiFe)
mit einer Dicke von 9 nm (90 Å), als eine nichtmagnetische Metallschicht 24 Kupfer (Cu)
mit einer Dicke von 2,2 nm (22 Å), als eine zweite ferromagnetische Schicht 25 Nickel-
Eisen-Kobalt (CoNiFe) mit einer Dicke von 4 nm (40 Å) und als eine antiferromagnetische
Schicht 26 Eisen-Mangan (FeMn) mit einer Dicke von 12 nm (120 Å) ausgebildet.
Die die erste ferromagnetische Schicht 23 bildende CoNiFe-Legierung umfaßt
beispielsweise 26 Atom-% Nickel, 32 Atom-% Eisen und 24 Atom-% Kobalt. Diese
Legierung wird nachfolgend als Co₄₂Ni₂₆Fe₃₂ bezeichnet. Die die zweite ferromagnetische
Schicht 25 bildende CoNiFe-Legierung ist beispielsweise aus 3 Atom-% Nickel, 7 Atom-%
Eisen und 90 Atom-% Kobalt gefertigt. Diese Legierung wird nachfolgend als
Co₉₀Ni₃Fe₇ bezeichnet.
Alle Schichten von der Untergrundschicht 22 bis zu der antiferromagnetischen Schicht 26
sind eben und rechteckförmig ausgestaltet. Zudem ist auf der antiferromagnetischen
Schicht 26 ein Paar Leiteranschlüsse 27a, 27b angeordnet, die in Längsrichtung der
Schicht 26 voneinander beabstandet sind.
Liegt kein externes Magnetfeld an, so verläuft die Magnetisierung der ersten
ferromagnetischen Schicht 23 entlang deren Längsrichtung. Die Magnetisierungsrichtung
der ersten ferromagnetischen Schicht 23 wird orthogonal von der Magnetisierung der
zweiten ferromagnetischen Schicht 25 überlagert.
Mit dem zuvor beschriebenen Spin-Magneto-Widerstandskopf kann eine Änderungsrate
des elektrischen Widerstands von ca. 8% erreicht werden, die ungefähr 3× so groß wie die
des bekannten Magneto-Widerstandskopfes ist.
Nachfolgend werden die Gründe dafür angeführt, warum die erste ferromagnetische
Schicht 23 und die zweite ferromagnetische Schicht 25 unterschiedliche CoNiFe-Zusammensetzungsverhältnisse
aufweisen.
Da die Magnetisierungsrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht 23 leicht durch das
von einem Magnet-Aufzeichnungsmedium erzeugte Signal-Magnetfeld gedreht werden
können muß, wird eine erste ferromagnetische Schicht 23 benötigt, die aus einem
weichmagnetischen Material mit einer geringen Koerzitivkraft gefertigt ist. Die
Magnetisierungsrichtung der zweiten ferromagnetischen Schicht 25 ist jedoch durch die
gegenseitige Beeinflussung mit der antiferromagnetischen Schicht 26 festgelegt. Daher ist
eine Einschränkung bezüglich der Koerzitivkraft, wie sie für die erste ferromagnetische
Schicht 23 getroffen werden muß, für die zweite ferromagnetische Schicht 25 nicht so
erforderlich.
Um die Koerzitivkraft der die erste ferromagnetische Schicht 23 bildenden CoNiFe-Legierung
zu verringern, ist es wünschenswert, eine Null-Magnetostriktion zu erhalten.
Um zudem die Änderungsrate des elektrischen Widerstands in der ersten
ferromagnetischen Schicht 23 zu erhöhen, ist es auf Grundlage von Fig. 2 wünschenswert,
die erste ferromagnetische Schicht 23 aus einem Material zu fertigen, welches Kobalt
beinhaltet. Daher kann als Material für die erste ferromagnetische Schicht 23 eine
CoNiFe-Zusammensetzung auf der Linie des Zusammensetzungsverhältnisses des mit (ii)
bezeichneten und in Fig. 3 gezeigten Verbundsystems gewählt werden, welches bereits
bezüglich des ersten Ausführungsbeispiels beschrieben worden ist, entspricht. Der Grund
dafür liegt in der Tatsache, daß mit der Magnetostriktion auch die Koerzitivkraft abnimmt.
Daher haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung die Koerzitivkraft Hc von CoNiFe-Legierungen
untersucht, die das Zusammensetzungsverhältnis (ii)-Verbundsystem bzw.
ein Zusammensetzungsverhältnis des nahe des (ii)-Verbundsystems aufweisen. Die
Ergebnisse sind in Fig. 4B dargestellt.
In Fig. 4B zeigt die gestrichelte Linie das Zusammensetzungsverhältnis des (ii)-Verbundsystems,
während die strichpunktierte Linie das Zusammensetzungsverhältnis für
eine Legierung mit geringer Koerzitivkraft angibt. Auch wenn der Unterschied der beiden
Linien nur gering ist, fallen die Linien doch nicht zusammen. Dieser Unterschied wird
jedoch durch unterschiedliche Herstellungsverfahren hervorgerufen. Die gestrichelte Linie
des (ii)-Verbundsystems bezieht sich dagegen auf eine Schicht, die aus einer dünnen
Schicht durch sehr schnelles Abkühlen hervorgangen ist. Die strichpunktierte Linie der
geringen Koerzitivkraft HC bezieht sich auf eine CoNiFe-Legierung, die durch ein
Bedampfungsverfahren hergestellt worden ist. Da gewöhnlich die den Magneto-Widerstandskopf
bildende Schicht durch das Bedampfungsverfahren hergestellt wird, muß
die Koerzitivkraft, die mit Hilfe des Bedampfungsverfahrens erhalten wird, berücksichtigt
werden.
Dabei ist wünschenswert, daß die Koerzitivkraft HC1 des die erste ferromagnetische
Schicht 23 bildenden weichmagnetischen Materials kleiner als 10 ist (Hc1 < 10).
Eine CoNiFe-Zusammensetzung mit einer Koerzitivkraft Hc < 10 umfaßt - gemäß dem
Experiment - 40-50 Atom-% Kobalt und 24-35 Atom-% Nickel. Ein Beispiel für eine
derartige Zusammensetzung ist Co₄₂Ni₂₆Fe₃₂.
Wie zuvor beschrieben, muß jedoch andererseits das Erfordernis der Koerzitivkraft der die
zweite ferromagnetische Schicht 25 bildenden CoNiFe-Legierung nicht so restriktiv wie
bei der ersten ferromagnetischen Schicht 23 gehandhabt werden. Wird jedoch das durch
die antiferromagnetische Schicht 26 hervorgerufene anisotrope magnetische Feld HUA
kleiner als die Koerzitivkraft HC2 in der zweiten ferromagnetischen Schicht 25, so kann
kein Magnetisierungsrichtung der zweiten ferromagnetischen Schicht 25 leicht durch ein
externes Magnetfeld umgekehrt werden. Kommt es zu einer derartigen Umkehrung, so
kann kein Spin-Magneto-Widerstandseffekt erhalten werden. Das anisotrope Magnetfeld
HUA wird als ein Magnetfeld definiert, welches ein Zentrum einer magnetischen
Hysteresekurve (B-H-Kurve), die den Zusammenhang zwischen der Koerzitivkraft und der
magnetischen Flußdichte darstellt, entlang der magnetischen Achse verschiebt.
Daher ist die folgende durch Formel (1) beschriebene Beziehung zwischen der
Koerzitivkraft HC2 der zweiten ferromagnetischen Schicht 25 und dem durch die
antiferromagnetische Schicht 26 erzeugten anisotropen magnetischen Feld HUA
erforderlich, wobei jedoch HC2 < 0 gilt.
HC2 < HUA (1)
Wird ein derartiges Material für die zweite ferromagnetische Schicht 25 ausgewählt, so
muß nicht nur ein Material ausgewählt werden, das die gewünschte anisotrope
Magnetfeldstärke HUA aufweist, sondern die ferromagnetische Schicht 25 muß auch ein
kubisch-flächenzentriertes Gitter sein. Wäre dies nicht der Fall, so würde FeMn nicht ein
antiferromagnetisches Material werden.
Unter Berücksichtigung dieser Bedingungen kann eine CoNiFe-Legierung als Material der
zweiten ferromagnetischen Schicht 25 gewählt werden, die 0-20 Atom-% Nickel, 80-90
Atom-% Kobalt und die verbleibenden Atom-% Eisen aufweist. Ein Beispiel hierfür ist die
zuvor beschriebene Co₉₀Ni₃Fe₇-Legierung. Ist Nickel in der Legierung nicht vorhanden,
d. h. sind 0 Atom-% Nickel vorhanden, so muß die zweite ferromagnetische Schicht 25
durch eine Kobalt-Eisen-Legierung gebildet sein.
Fig. 5A zeigt in einer Seitenansicht eine Vielschichtstruktur eines Spin-Magneto-Widerstandskopfs
gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Wie in Fig. 5A gezeigt, werden in der angegebenen Reihenfolge auf eine (110)-Fläche
eines Siliziumsubstrats 31 mit Hilfe eines Bedampfungsverfahrens bei Vorhandensein eines
Magnetfelds von ca. 2.387,325 A/m (30 Oe), Tantal (Ta) als eine Untergrundschicht 32
mit einer Dicke von 6 nm (60 Å), Nickel-Eisen-Kobalt (CoNiFe) als eine erste
ferromagnetische Schicht 23 mit einer Dicke von 9 nm (90 Å), Kupfer (Co) als eine
nichtmagnetische Metallschicht 34 mit einer Dicke von 2 nm (20 Å) und Nickel-Eisen-Kobalt
(CoNiFe) als eine zweite ferromagnetische Schicht 35 mit einer Dicke von 4 nm
(40 Å) aufgebracht.
Die die erste ferromagnetische Schicht 33 bildende CoNiFe-Legierung weist
beispielsweise 26 Atom-% Nickel, 32 Atom-% Eisen und 42 Atom-% Kobalt auf. Diese
Legierung wird nachfolgend als Co₄₂Ni₂₆Fe₃₂ bezeichnet. Die die zweite ferromagnetische
Schicht 35 bildende CoNiFe-Legierung ist beispielsweise aus 15 Atom-% Nickel, 5 Atom-%
Eisen und 80 Atom-% Kobalt gefertigt. Diese Legierung wird nachfolgend als
Co₈₀Ni₁₅Fe₅ bezeichnet.
Sämtliche Schichten von der Untergrundschicht 32 bis zu der zweiten ferromagnetischen
Schicht 35 sind eben und rechteckförmig ausgestaltet. Zudem ist auf die zweite
ferromagnetische Schicht 35 ein Paar Leiteranschlüsse 36a, 36b aufgebracht, die in
Längsrichtung der Schicht voneinander beabstandet sind.
Liegt kein externes Magnetfeld an, so verläuft die Magnetisierung der ersten
ferromagnetischen Schicht 23 entlang deren Längsrichtung. Die Magnetisierungsrichtung
der ersten ferromagnetischen Schicht 23 ist orthogonal von der Magnetierung der zweiten
ferromagnetischen Schicht 35 überlagert.
Mit Hilfe des zuvor beschriebenen Spin-Magneto-Widerstandskopfs kann die
Änderungsrate des elektrischen Widerstands gegenüber dem bekannten Magneto-Widerstandskopf
ungefähr verdreifacht werden und beträgt ca. 8%.
Aufgrund derselben Gründe, die bereits bezüglich des zweiten Ausführungsbeispiels
beschrieben worden sind, kann für den Spin-Magneto-Widerstandskopf ebenfalls die
CoNiFe-Legierung der ersten ferromagnetischen Schicht 23 des zweiten
Ausführungsbeispiels als Material für die erste ferromagnetische Schicht 33 mit der
gleichen Zusammensetzung gewählt werden. Die Zusammensetzung der ersten
ferromagnetischen Schicht 33 aus Kobalt, Eisen und Nickel kann innerhalb des in Fig. 5B
dargestellten Bereichen gewählt werden, wobei die Koerzitivkraft HC₁ kleiner als 79,5775
A/m (10 Oe) ist.
Dagegen unterscheidet sich die Zusammensetzung der zweiten ferromagnetischen Schicht
35 gegenüber dem zweiten Ausführungsbeispiel. Als CoNiFe-Legierung für die zweite
ferromagnetische Schicht 35 des dritten Ausführungsbeispiels kann ein Material gewählt
werden, dessen Magnetisierung nicht durch ein externes Magnetfeld verändert wird und
welches zudem eine hohe Änderungsrate des elektrischen Widerstands gewährleistet.
Dabei ist keine antiferromagnetische Schicht erforderlich. Somit kann unabhängig von dem
Kristallzustand der antiferromagnetischen Schicht, dem durch die antiferromagnetische
Schicht erzeugten anisotropen Magnetfeld und der Wechselwirkung mit der
antiferromagnetischen Schicht die Zusammensetzung der die zweite ferromagnetische
Schicht 35 bildenden CoNiFe-Legierung bestimmt werden.
Daher ist eine Null-Magnetostriktion der zweiten ferromagnetischen Schicht 35 nicht
erforderlich. Um die Magnetisierungsrichtung festzulegen, kann die zweite
ferromagnetische Schicht 35 durch ein hartmagnetisches Material gebildet werden, welches
vorwiegend Kobalt beinhaltet, um eine hohe Änderungsrate des elektrischen Widerstands
zu erhalten. Als Material für die zweite ferromagnentische Schicht 35 kann eine CoNiFe-Legierung
mit 0-35 Atom-% Nickel und 65-100 Atom-% Kobalt, eine FeCo-Legierung
oder nur Co verwendet werden.
Dadurch können auf einfache Weise zwischen der ersten und zweiten ferromagnetischen
Schicht 33 und 35 Magnetisierungszustände hervorgerufen werden, die zueinander parallel
sind und zueinander entgegengesetzt verlaufen. Demzufolge kann die Änderungsrate des
elektrischen Widerstands vergrößert und eine erhöhte Leistungsfähigkeit erhalten werden.
Da das aus FeMn gefertigte antiferromagnetische Material nicht erforderlich ist, muß
während der Herstellungsschritte für den Spin-Magneto-Widerstandskopf eine mögliche
Korrosion nicht berücksichtigt werden, so daß die Korrosionswiderstandsfähigkeit der
Vorrichtung verbessert werden kann. Da zusätzlich eine Schicht der Vielschichtstruktur
weggelassen werden kann, kann der Mengendurchsatz insgesamt erhöht werden.
Es sei darauf hingewiesen, daß - selbst wenn bei dem ersten bis dritten
Ausführungsbeispiel jeweils ein Magneto-Widerstandskopf mit nur einem Satz der
jeweiligen Schichten beschreiben ist - auch eine Vielschichtstruktur mit mehreren dieser
Schichten verwendet werden kann.
Wie zuvor beschrieben, kann erfindungsgemäß eine erhöhte Änderungsrate des
elektrischen Widerstands gegenüber dem bekannten Magneto-Widerstandskopf aufgrund
des Spin-Magneto-Widerstandseffekts erhalten werden, da zumindest die mit der
antiferromagnetischen Schicht in Kontakt stehende ferromagnetische Schicht aus einer
Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung gebildet ist und die Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung 5-40
Atom-% Nickel und 30-95 Atom-% Kobalt beeinhaltet. Die Änderungsrate des
elektrischen Widerstands kann weiterhin erhöht werden, falls auch die nicht mit der
antiferromagnetischen Schicht in Kontakt stehende ferromagnetische Schicht aus einer
Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung gefertigt wird.
Wird eine Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung mit einer Null-Magnetostriktion eingesetzt, so
kann vermieden werden, daß die Wechselwirkung mit der antiferromagnetischen Schicht
nachteilig beeinflußt wird. Da zudem bei dem Magneto-Widerstandskopf der Erfindung für
die erste und zweite ferromagnetische Schicht, zwischen denen die nichtmagnetische
Metallschicht angeordnet ist, Kobalt-Nickel-Eisen-Legierungen mit unterschiedlichen
Zusammensetzungen verwendet werden, wurde die Änderungsrate des elektrischen
Widerstandes aufgrund des Spin-Magneto-Widerstandseffekts gegenüber dem bekannten
Magneto-Widerstandskopf erhöht. Wird weiterhin als Material für die zweite
ferromagnetische Schicht, die in Kontakt mit der antiferromagnetischen Schicht steht, eine
Zusammensetzung gewählt, die nicht eine leichte Drehung des Magnetfeldes durch ein
externes Magnetfeld ermöglicht, und wird als Material für die erste ferromagnetische
Schicht, die nicht die antiferromagnetische Schicht kontaktiert, eine Zusammensetzung
gewählt, die dagegen eine leichte Drehung des Magnetfeldes durch das Signal-Magnetfeld
ermöglicht, so ist ein einwandfreier Lesevorgang gewährleistet.
Diesbezüglich ist es vorteilhaft, daß die Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung der ersten
ferromagnetischen Schicht 40-50 Atom-% Kobalt und 24-35 Atom-% Nickel beinhaltet,
während die Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung der zweiten ferromagnetischen Schicht 80-90
Atom-% Kobalt und maximal 20 Atom-% Nickel beinhaltet.
Da zudem die Koerzitivkraft der ersten ferromagnetischen Schicht maximal 79,5775 A/m
(10 Oe) beträgt, kann die Magnetisierungsrichtung einfach durch das Signal-Magnetfeld
gedreht werden. Ist zusätzlich zumindest die Kristallstruktur der zweiten
ferromagnetischen Schicht als kubisch-flächenzentriendes Gitter ausgestaltet, so kann auch
die die zweite ferromagnetische Schicht kontaktierende antiferromagnetische Schicht
einfach ausgebildet werden.
Da ein anderes Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Magneto-Widerstandskopfes
eine erste ferromagnetische Schicht mit einem weichmagnetischen Material aus einer
Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung, eine zweite ferromagnetische Schicht aus einem
hartmagnetischen Material aus einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung oder einer Eisen-Kobalt-Legierung
oder nur Kobalt sowie eine zwischen der ersten und der zweiten
ferromagnetischen Schicht angeordnete nichtmagnetische Metallschicht aufweist, kann die
Änderungsrate des elektrischen Widerstands aufgrund des Spin-Magneto-Widerstandseffekts
gegenüber dem bekannten Magneto-Widerstandskopf erhöht werden.
Die das hartmagnetische Material bildende Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung umfaßt
beispielsweise mindestens 65 Atom-% Kobalt und höchstens 35 Atom-% Nickel. Die das
weichmagnetische Material bildende Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung umfaßt 40-50 Atom-%
Kobalt und 24-35 Atom-% Nickel.
Zusätzlich wird eine hohe Koerzitivkraft erhalten, die nicht durch das Signal-Magnetfeld
verändert wird, da die zweite ferromagnetische Schicht durch eine hartmagnetische Schicht
gebildet wird. Da die antiferromagnetische Schicht nicht mehr benötigt wird, kann
demzufolge der Mengendurchsatz erhöht werden und zudem die
Korrosionswiderstandsfähigkeit der gesamten Vorrichtung erfindungsgemäß verbessert
werden.
Da die Koerzitivkraft der ersten ferromagnetischen Schicht auf einen Wert unterhalb
795,775 A/m (10 Oe) festgelegt ist, kann die Magnetisierungsrichtung der ersten
ferromagnetischen Schicht einfach durch das Signal-Magnetfeld gedreht werden.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf 6A-6C eine erfindungsgemäße
Magnetaufzeichnungsvorrichtung erläutert, in die die zuvor beschriebene
erfindungsgemäße Magneto-Widerstandsvorrichtung eingesetzt ist. Fig. 5A-6C sind
Teilansichten, die jeweils einen Magnetkopf-Bereich der Magnetaufzeichnungsvorrichtung
darstellen.
Fig. 6A zeigt einen zusammengesetzten Magneto-Widerstandskopf. Der Bereich A
bezeichnet einen Wiedergabekopf und der Bereich B einen Aufzeichnungskopf. Eine
weichmagnetische Schicht 102 wird gemeinsam als Magnetschild des Wiedergabekopfes
und als magnetischer Pol des Aufzeichnungskopfes verwendet.
Wie in Fig. 6A dargestellt sind im Bereich des Wiedergabekopfes weichmagnetische
Schichten 101 und 102 als Magnetschilder derart angeordnet, daß sie sich voneinander
beabstandet gegenüberliegen. Die zuvor beschriebene Magneto-Widerstandsvorrichtung
befindet sich in einem Spalt eines Abschnitts 105, der einem Magnetaufzeichnungsmedium
106 gegenüberliegt. Ein von dem Magnetaufzeichnungsmedium 106 erzeugtes Leck-Magnetfeld
kann direkt erfaßt werden.
In dem Bereich des Wiedergabekopfes sind weichmagnetische Schichten 102, 104 als
magnetische Pole voneinander beabstandet gegenüberliegend angeordnet. In einem
Zwischenraum zwischen den weichmagnetischen Schichten 102, 104 ist eine Spule 103
angeordnet, die einen magnetischen Fluß erzeugt, der die weichmagnetischen Schichten
102, 104 durchsetzt. Durch die Erzeugung eines Leck-Magnetfeldes in diesem
Zwischenraum des Bereiches 105 aufgrund dieses magnetischen Flusses kann das
Magnetaufzeichnungsmedium 106 verschiedene Informationen aufzeichnen.
Fig. 6B zeigt einen Zwischenspalt-Magneto-Widerstandskopf. Wie in Fig. 6B gezeigt, sind
weichmagnetische Schichten 111, 114 voneinander beabstandet gegenüberliegend
angeordnet, die als magnetische Pole dienen.
Die zuvor beschriebene Magneto-Widerstandsvorrichtung ist in einen Spalt eines Bereiches
115 eingesetzt, der einem Magnetaufzeichnungsmedium gegenüberliegt. In einem
Zwischenraum zwischen den weichmagnetischen Schichten 111 und 114 ist eine Spule 113
angeordnet, die einen magnetischen Fluß erzeugt, der die weichmagnetischen Schichten
111, 114 durchsetzt.
Um Korrosion oder einen direkten Kontakt mit dem Magnetaufzeichnungsmedium zu
vermeiden, ist die Magneto-Widerstandsvorrichtung innerhalb des Magnetkopfes
angeordnet, ohne über den dem Magnetaufzeichnungsmedium 116 gegenüberliegenden
Bereich 115 hinauszuragen. Eine Magnetflußführung 112a befindet sich im Bereich 115,
wobei die Magnetflußführung 112a gegenüber der Magneto-Widerstandsvorrichtung
elektrisch isoliert und mit ihr magnetisch gekoppelt ist. Das von dem
Magnetaufzeichnungsmedium 116 erzeugte Leck-Magnetfeld tritt in die
Magnetflußführung 112a ein und wird anschließend durch die Magneto-Widerstandsvorrichtung
erfaßt. An der anderen Seite der Magneto-Widerstandsvorrichtung
befindet sich eine weitere Magnetflußführung 112b, die gegenüber der Magneto-Widerstandsvorrichtung
elektrisch isoliert und mit dieser magnetisch gekoppelt ist, um den
Magnetfluß von der Magneto-Widerstandsvorrichtung zu den weichmagnetischen
Schichten 111, 114 zu leiten.
Fig. 6C zeigt einen Joch-Magneto-Widerstandskopf. Wie in Fig. 6C gezeigt, sind
weichmagnetische Schichten 121, 123a und 123b voneinander beabstandet
gegenüberliegend angeordnet. Diese weichmagnetischen Schichten 121, 123a und 123b
dienen als magnetische Pole. Eine Spule 121 ist in einem Zwischenraum zwischen den
weichmagnetischen Schichten 121, 123a und 123b vorhanden und erzeugt einen
Magnetfluß, der die weichmagnetischen Schichten 121, 123a und 123b durchsetzt. Die
Magneto-Widerstandsvorrichtung ist an einem Ende der weichmagnetischen Schichten
123a und 123b positioniert, wobei sie von den weichmagnetischen Schichten 123a und
123b elektrisch isoliert und mit ihnen magnetisch gekoppelt ist. Durch den magnetischen
Fluß, der durch die Spule 122 erzeugt wird und die weichmagnetischen Schichten 121,
123a und 123b durchsetzt, wird im Spalt des Bereiches 124 ein Leck-Magnetfeld erzeugt,
so daß das Magnetaufzeichnungsmedium 125 verschiedene Informationen aufzeichnen
kann.
Bei den in Fig. 6A-C dargestellten Magnetaufzeichnungsvorrichtungen ist ein Substrat,
auf dem der Magnetkopf ausgebildet ist, sowie Isolierschichten zwischen den
weichmagnetischen Schichten etc. nicht dargestellt.
Mit den zuvor beschriebenen Magnetaufzeichnungsvorrichtungen kann eine
Magnetaufzeichnungsvorrichtung geschaffen werden, die eine stabile magnetische
Charakteristik sowie einen hohen Gewinn aufweist, da die Magneto-Widerstandsvorrichtungen
gemäß den zuvor beschriebenen ersten bis dritten
Ausführungsbeispielen verwendet werden.
Es sei darauf hingewiesen, daß die erfindungsgemäße Magneto-Widerstandsvorrichtung
neben den zuvor beschriebenen Magnetaufzeichnungsvorrichtungen auch in verschiedenen
anderen Magnetaufzeichnungsvorrichtungen eingesetzt werden kann.
Des weiteren kann die erfindungsgemäße Magneto-Widerstandsvorrichtung auch in einem
Nur-Wiedergabe-Magnetaufzeichnungsgerät eingesetzt werden.
Claims (16)
1. Magneto-Widerstandskopf, umfassend
eine erste ferromagnetische Schicht (13) aus einem weichmagnetischen Material,
eine zweite ferromagnetische Schicht (15) aus einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung mit 5-40 Atom-% Nickel und 30-95 Atom-% Kobalt,
eine nichtmagnetische Metallschicht (14), die zwischen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht (13, 15) angeordnet ist, und
eine antiferromagnetische Schicht (16), die die zweite ferromagnetische Schicht (15) kontaktiert.
eine erste ferromagnetische Schicht (13) aus einem weichmagnetischen Material,
eine zweite ferromagnetische Schicht (15) aus einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung mit 5-40 Atom-% Nickel und 30-95 Atom-% Kobalt,
eine nichtmagnetische Metallschicht (14), die zwischen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht (13, 15) angeordnet ist, und
eine antiferromagnetische Schicht (16), die die zweite ferromagnetische Schicht (15) kontaktiert.
2. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet
daß die weichmagnetische Schicht aus einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung mit 5-40
Atom-% Nickel und 30-95 Atom-% Kobalt besteht.
3. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung eine Null-Magnetostriktion aufweist.
4. Magneto-Widerstandskopf, umfassend
eine erste ferromagnetische Schicht (23) aus einer ersten Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung,
eine zweite ferromagnetische Schicht (25), die entweder aus einer zweiten Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung mit einer gegenüber der Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung der ersten ferromagnetischen Schicht (23) unterschiedlichen Zusammensetzung aufweist, oder einer Eisen-Kobalt-Legierung gefertigt ist,
eine nichtmagnetische Metallschicht (24), die zwischen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht (23, 25) angeordnet ist, und
eine antiferromagnetische Schicht (26), die die zweite ferromagnetische Schicht (25) kontaktiert.
eine erste ferromagnetische Schicht (23) aus einer ersten Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung,
eine zweite ferromagnetische Schicht (25), die entweder aus einer zweiten Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung mit einer gegenüber der Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung der ersten ferromagnetischen Schicht (23) unterschiedlichen Zusammensetzung aufweist, oder einer Eisen-Kobalt-Legierung gefertigt ist,
eine nichtmagnetische Metallschicht (24), die zwischen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht (23, 25) angeordnet ist, und
eine antiferromagnetische Schicht (26), die die zweite ferromagnetische Schicht (25) kontaktiert.
5. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Koerzitivkraft der ersten Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung kleiner als 795, 775
A/m (10 Oe) ist.
6. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung 40-50 Atom-% Kobalt und 24-35 Atom-%
Nickel aufweist.
7. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Koerzitivkraft der zweiten Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung größer als das durch
die antiferromagnetische Schicht (26) erzeugte anisotrope Magnetfeld ist.
8. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 4 oder 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung 80-90 Atom-% Kobalt und höchstens 20
Atom-% Nickel aufweist.
9. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung 40-50 Atom-% Kobalt und 24-35 Atom-%
Nickel aufweist, und
daß die zweite Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung 80-90 Atom-% Kobalt und höchstens 20
Atom-% Nickel aufweist.
10. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kristallstruktur der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht (23, 25)
jeweils ein kubisch-flächenzentriertes Gitter ist.
11. Magneto-Widerstandskopf, umfassend
eine erste ferromagnetisch Schicht (33) aus einem weichmagnetischen Material einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung,
eine zweite ferromagnetische Schicht (35) aus einem hartmagnetischen Material, entweder aus einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung, einer Eisen-Kobalt-Legierung oder nur Kobalt, und
eine nichtmagnetische Metallschicht (34), die zwischen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht (33, 35) ausgebildet ist.
eine erste ferromagnetisch Schicht (33) aus einem weichmagnetischen Material einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung,
eine zweite ferromagnetische Schicht (35) aus einem hartmagnetischen Material, entweder aus einer Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung, einer Eisen-Kobalt-Legierung oder nur Kobalt, und
eine nichtmagnetische Metallschicht (34), die zwischen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht (33, 35) ausgebildet ist.
12. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Koerzitivkraft des weichmagnetischen Materials kleiner als 795, 775 A/m (10
Oe) ist.
13. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 11 oder 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die das weichmagnetische Material bildende Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung 40-50
Atom-% Kobalt und 24-95 Atom-% Nickel aufweist.
14. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die das hartmagnetische Material bildende Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung
mindestens 60 Atom-% Kobalt und höchstens 35 Atom-% Nickel aufweist.
15. Magneto-Widerstandskopf nach Anspruch 11 oder 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die das weichmagnetische Material bildende Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung 40-50
Atom-% Kobalt und 24-35 Atom-% Nickel aufweist, und
daß die das hartmagnetische Material bildende Kobalt-Nickel-Eisen-Legierung
mindestens 60 Atom-% Kobalt und höchstens 35 Atom-% Nickel aufweist.
16. Magnetaufzeichnungsvorrichtung mit einem Magneto-Widerstandskopf nach einem der
vorhergehenden Ansprüche.
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ID=16680008
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Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
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|
Q171 | Divided out to: |
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|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |