JP3364511B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法、および、薄膜磁気ヘッドの製造に用いる研磨用砥粒 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法、および、薄膜磁気ヘッドの製造に用いる研磨用砥粒Info
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-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの浮上
面のように、硬度の異なる異種材料で構成された加工面
を研磨する方法に係り、特に、浮上面に磁性膜の端面を
突出させることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。
面のように、硬度の異なる異種材料で構成された加工面
を研磨する方法に係り、特に、浮上面に磁性膜の端面を
突出させることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の記録密度を向上さ
せるための一つの手段として、磁気ヘッドを磁気記録媒
体に接近させることが研究されている。磁気ヘッド１と
磁気記録媒体２１との位置関係は図３に示すように、薄
膜磁気ヘッド１の浮上面２は、磁気記録媒体２１から一
定量浮上している。磁気記録媒体２１上の記録ビット長
は、図４のように、磁気ヘッドの浮上量と比例関係にあ
ることが知られている。例えば、図４の場合には、浮上
量が０．０１μｍ増加すると上記ビット長が０．０５μ
ｍ増加する。そのため、記録密度を向上させるために、
磁気ヘッド１の浮上量を極力小さくすることが望まれて
いる。
せるための一つの手段として、磁気ヘッドを磁気記録媒
体に接近させることが研究されている。磁気ヘッド１と
磁気記録媒体２１との位置関係は図３に示すように、薄
膜磁気ヘッド１の浮上面２は、磁気記録媒体２１から一
定量浮上している。磁気記録媒体２１上の記録ビット長
は、図４のように、磁気ヘッドの浮上量と比例関係にあ
ることが知られている。例えば、図４の場合には、浮上
量が０．０１μｍ増加すると上記ビット長が０．０５μ
ｍ増加する。そのため、記録密度を向上させるために、
磁気ヘッド１の浮上量を極力小さくすることが望まれて
いる。
【０００３】ところで、薄膜磁気ヘッド１は、図２、図
３に示すように、基板１３上に、保護膜１２や磁性膜１
３を備えており、浮上面２は、いわゆるラッピングによ
り形成される。ラッピングとは、軟質金属製のラップ定
盤上へ、ダイヤモンド砥粒を含んだラップ液を滴下しな
がら、ホルダーに保持された磁気ヘッド１を押圧摺動さ
せ、磁気ヘッドの浮上面を研磨する方法である。ラッピ
ング方法は、例えば、トリガー８８−１、第５１頁〔Ｔ
ＲＩＧＧＥＲ８８−１（１９８８），Ｐ５１〕に記載さ
れている。
３に示すように、基板１３上に、保護膜１２や磁性膜１
３を備えており、浮上面２は、いわゆるラッピングによ
り形成される。ラッピングとは、軟質金属製のラップ定
盤上へ、ダイヤモンド砥粒を含んだラップ液を滴下しな
がら、ホルダーに保持された磁気ヘッド１を押圧摺動さ
せ、磁気ヘッドの浮上面を研磨する方法である。ラッピ
ング方法は、例えば、トリガー８８−１、第５１頁〔Ｔ
ＲＩＧＧＥＲ８８−１（１９８８），Ｐ５１〕に記載さ
れている。
【０００４】また、特開平４−１７８９１０号公報記載
のように、砥粒を磁気ヘッドに対して押しつけることな
く研磨を行うフロートポリシングにより、薄膜磁気ヘッ
ドの浮上面を形成し、浮上面に磁性膜を突出させる方法
が提案されている。
のように、砥粒を磁気ヘッドに対して押しつけることな
く研磨を行うフロートポリシングにより、薄膜磁気ヘッ
ドの浮上面を形成し、浮上面に磁性膜を突出させる方法
が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のダイヤモンド砥粒を用いたラッピング方法で、薄膜
磁気ヘッドの浮上面２のように、基板１３、保護膜１
２、磁性膜１３等硬さがそれぞれ異なる複数部材からな
る被加工物の表面を研磨すると、図２、図３に示すよう
に、加工面に加工段差２２が生じてしまうという問題が
あった。
来のダイヤモンド砥粒を用いたラッピング方法で、薄膜
磁気ヘッドの浮上面２のように、基板１３、保護膜１
２、磁性膜１３等硬さがそれぞれ異なる複数部材からな
る被加工物の表面を研磨すると、図２、図３に示すよう
に、加工面に加工段差２２が生じてしまうという問題が
あった。
【０００６】上記加工段差２２は、硬さの異なる複数部
材で構成された被加工物を、同一のラップ圧力で仕上げ
加工する際に、それぞれの部材の材料の硬さの差により
砥粒が食い込む深さに差が生じることから発生する。一
般に薄膜磁気ヘッドでは、磁性膜１１の材料が、保護膜
１２および基板１３の材料よりもやわらかい。例えば、
ビッカース硬さが、約２００ｋｇｆ／ｍｍ2の磁性膜１
１と、同硬さが１３００ｋｇｆ／ｍｍ2以上の保護膜１
２および基板材１３で作られた従来の薄膜磁気ヘッドで
は、磁性膜１１と基板１３との間に、０．０３μｍ程度
の段差が発生していた。
材で構成された被加工物を、同一のラップ圧力で仕上げ
加工する際に、それぞれの部材の材料の硬さの差により
砥粒が食い込む深さに差が生じることから発生する。一
般に薄膜磁気ヘッドでは、磁性膜１１の材料が、保護膜
１２および基板１３の材料よりもやわらかい。例えば、
ビッカース硬さが、約２００ｋｇｆ／ｍｍ2の磁性膜１
１と、同硬さが１３００ｋｇｆ／ｍｍ2以上の保護膜１
２および基板材１３で作られた従来の薄膜磁気ヘッドで
は、磁性膜１１と基板１３との間に、０．０３μｍ程度
の段差が発生していた。
【０００７】このような加工段差２２があると、この加
工段差２２の分だけ、磁性膜１１を記録媒体に近付ける
ことができないために、薄膜磁気ヘッドの浮上量２９を
実質的に短縮できない。つまり、図４に示した例におい
ては、磁気ヘッドの浮上面に０．０３μｍの加工段差が
存在すると、この段差がない場合に比べてビット長は
０．１５μｍ長くなり、その分だけ記録密度が低下す
る。
工段差２２の分だけ、磁性膜１１を記録媒体に近付ける
ことができないために、薄膜磁気ヘッドの浮上量２９を
実質的に短縮できない。つまり、図４に示した例におい
ては、磁気ヘッドの浮上面に０．０３μｍの加工段差が
存在すると、この段差がない場合に比べてビット長は
０．１５μｍ長くなり、その分だけ記録密度が低下す
る。
【０００８】また、特開平４−１７８９１０号公報記載
の方法のように、フロートポリシング方法を用いると、
磁性膜を浮上面に突出させることができ、これにより浮
上量を減少させることができるが、フロートポリシング
方法は、砥粒を加工面に押しつけないため加工能率が低
く、生産効率が低いという問題がある。また、フロート
ポリシング方法では、浮上面の縁部の加工効率が高いと
いう特徴があるため、磁気ヘッドの浮上面の縁部が削ら
れて丸くなり、浮上面にカーボンやシリコン等の保護膜
を成膜する場合、一様な厚さの膜を形成しにくいという
問題も生じる。
の方法のように、フロートポリシング方法を用いると、
磁性膜を浮上面に突出させることができ、これにより浮
上量を減少させることができるが、フロートポリシング
方法は、砥粒を加工面に押しつけないため加工能率が低
く、生産効率が低いという問題がある。また、フロート
ポリシング方法では、浮上面の縁部の加工効率が高いと
いう特徴があるため、磁気ヘッドの浮上面の縁部が削ら
れて丸くなり、浮上面にカーボンやシリコン等の保護膜
を成膜する場合、一様な厚さの膜を形成しにくいという
問題も生じる。
【０００９】本発明は、浮上面において、磁性膜の端面
が、基板の端面と同一平面上、または、基板端面より突
出した位置にある薄膜磁気ヘッドを、効率よく製造する
方法を提供することを目的とする。
が、基板の端面と同一平面上、または、基板端面より突
出した位置にある薄膜磁気ヘッドを、効率よく製造する
方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【００１１】
【課題を解決するための手段】発明者らは、ラッピング
時の各部材の加工のメカニズムを考慮し、本発明をなす
に至った。
時の各部材の加工のメカニズムを考慮し、本発明をなす
に至った。
【００１２】硬さの異なる複数の被加工部材を、一定の
ラップ力（ラップ定盤を押しつける力）で、ラッピング
すると、被加工部材毎に砥粒が食い込む深さに差が生
じ、部材毎に加工能率が異なる。一方、ある一つの部材
を、種々のラップ力でラッピングすると、ラップ力と加
工能率とは、ほぼ比例関係にある。
ラップ力（ラップ定盤を押しつける力）で、ラッピング
すると、被加工部材毎に砥粒が食い込む深さに差が生
じ、部材毎に加工能率が異なる。一方、ある一つの部材
を、種々のラップ力でラッピングすると、ラップ力と加
工能率とは、ほぼ比例関係にある。
【００１３】しかし、硬さの異なる複数の部材で構成さ
れている被加工物の表面をラッピングする場合、部材毎
にラップ力を変えることはできないため、部材毎に砥粒
がくい込む深さに差が生じ、加工段差が生じる。
れている被加工物の表面をラッピングする場合、部材毎
にラップ力を変えることはできないため、部材毎に砥粒
がくい込む深さに差が生じ、加工段差が生じる。
【００１４】ところで、ラッピングにより生じる切屑
は、砥粒のくい込み、ひっかきによる被加工物の材料そ
のものではなく、図５に示すように、被ラッピング物の
表面が水酸化する化学反応が生じ、この水酸化物が切屑
として排出されていることが知られている。
は、砥粒のくい込み、ひっかきによる被加工物の材料そ
のものではなく、図５に示すように、被ラッピング物の
表面が水酸化する化学反応が生じ、この水酸化物が切屑
として排出されていることが知られている。
【００１５】発明者らは、被加工物の水酸化物を砥粒を
用いることにより、被加工物の表面で生じる水酸化物の
切屑の生成反応を抑制することができ、これにより、切
屑の排出を抑制することができることを見出した。切屑
の排出を抑制することにより、従来ダイヤモンド砥粒を
用いてラッピングして場合に生じていた加工段差を小さ
くすることができ、さらには、従来くぼんでいた部分を
突出させることができる。
用いることにより、被加工物の表面で生じる水酸化物の
切屑の生成反応を抑制することができ、これにより、切
屑の排出を抑制することができることを見出した。切屑
の排出を抑制することにより、従来ダイヤモンド砥粒を
用いてラッピングして場合に生じていた加工段差を小さ
くすることができ、さらには、従来くぼんでいた部分を
突出させることができる。
【００１６】上記目的を達成するために、本発明によれ
ば、以下のような薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供され
る。
ば、以下のような薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供され
る。
【００１７】すなわち、基板と磁性膜とを有する薄膜磁
気ヘッドの製造方法であって、金属元素Ｍを含む材料に
より前記磁性膜を成膜する工程と、前記基板および磁性
膜の端面を、砥粒と水とを含む研磨液を用いて研磨する
ことにより浮上面を形成する工程とを有し、前記金属元
素Ｍは、水酸化物を形成可能な元素であり、前記砥粒
は、前記金属元素Ｍの水酸化物を含むことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法である。
気ヘッドの製造方法であって、金属元素Ｍを含む材料に
より前記磁性膜を成膜する工程と、前記基板および磁性
膜の端面を、砥粒と水とを含む研磨液を用いて研磨する
ことにより浮上面を形成する工程とを有し、前記金属元
素Ｍは、水酸化物を形成可能な元素であり、前記砥粒
は、前記金属元素Ｍの水酸化物を含むことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法である。
【００１８】
【作用】本発明の作用を図５、図６、図７を用いて説明
する。
する。
【００１９】硬度の異なる材料１０１、材料１０２から
なる複合材に対して、従来のようにダイヤモンド砥粒１
５をラップ定盤１４で押しつけてラッピングした時、図
６に示すように硬度の低い材料１０１が材料１０２より
も効果的に加工され、段差δが生じる。
なる複合材に対して、従来のようにダイヤモンド砥粒１
５をラップ定盤１４で押しつけてラッピングした時、図
６に示すように硬度の低い材料１０１が材料１０２より
も効果的に加工され、段差δが生じる。
【００２０】一般に、金属表面の酸化膜の様な金属酸化
物や、セラミックスのような金属酸化物のラッピングに
おいて、金属酸化物の表面は、砥粒による加工力の作用
により活性化され、この部分が、ラップ液中の水と反応
し、金属水酸化物が生成され切屑として排出される。こ
の様子を図５に示す。また、切屑の生成を化学反応式で
書くと次式のようになる。
物や、セラミックスのような金属酸化物のラッピングに
おいて、金属酸化物の表面は、砥粒による加工力の作用
により活性化され、この部分が、ラップ液中の水と反応
し、金属水酸化物が生成され切屑として排出される。こ
の様子を図５に示す。また、切屑の生成を化学反応式で
書くと次式のようになる。
【００２１】
【化１】
【００２２】ただし式中のＭは、一例として４価の金属
元素を表わす。
元素を表わす。
【００２３】本発明では、硬度の低い材料１０１に含ま
れる金属元素Ｍの水酸化物を砥粒として用いてラッピン
グすることにより、被加工物表面の金属元素Ｍの水酸化
物の濃度を高め、材料１０１の水酸化物の切屑が生成さ
れる化学反応を抑制する。つまり、例えば、ＭＯ2を砥
粒として用いラッピングすると、砥粒と被ラッピング物
の界面においてＭＯ2の濃度が高いため、化１の反応は
左辺から右辺の反応にかたよる。すなわち、Ｍ(ＯＨ)4
が切屑として排出され易くなる。逆に、Ｍ(ＯＨ)4を砥
粒として用いラッピングすると、砥粒と被ラッピング物
の界面においてＭ(ＯＨ)4の濃度が高いため、化１の平
衡状態は左辺にかたよる。すなわち、Ｍ(ＯＨ)4が切屑
として排出されにくくなる。
れる金属元素Ｍの水酸化物を砥粒として用いてラッピン
グすることにより、被加工物表面の金属元素Ｍの水酸化
物の濃度を高め、材料１０１の水酸化物の切屑が生成さ
れる化学反応を抑制する。つまり、例えば、ＭＯ2を砥
粒として用いラッピングすると、砥粒と被ラッピング物
の界面においてＭＯ2の濃度が高いため、化１の反応は
左辺から右辺の反応にかたよる。すなわち、Ｍ(ＯＨ)4
が切屑として排出され易くなる。逆に、Ｍ(ＯＨ)4を砥
粒として用いラッピングすると、砥粒と被ラッピング物
の界面においてＭ(ＯＨ)4の濃度が高いため、化１の平
衡状態は左辺にかたよる。すなわち、Ｍ(ＯＨ)4が切屑
として排出されにくくなる。
【００２４】これにより、材料１０１の切屑排出は抑制
され、図７に示したように材料１０１と材料１０２との
間の段差は、ダイヤモンド砥粒で研磨した時よりも小さ
くなる。さらには、材料１０１の加工面を材料１０２の
加工面よりも突出させることが可能になる。
され、図７に示したように材料１０１と材料１０２との
間の段差は、ダイヤモンド砥粒で研磨した時よりも小さ
くなる。さらには、材料１０１の加工面を材料１０２の
加工面よりも突出させることが可能になる。
【００２５】これを薄膜磁気ヘッドの製造する際に、浮
上面のラッピングに用いると、磁性膜を構成する金属元
素Ｍの水酸化物を砥粒に用いラッピングすることによ
り、磁性膜の端面を基板の端面よりも突出させることが
可能になる。これにより、浮上面において、加工段差が
ゼロ、もしくは磁性膜が基板より突出した薄膜磁気ヘッ
ドを製作することができ、これにより、薄膜磁気ヘッド
の浮上量を減少させることができ、記録密度を従来より
も飛躍的に高めた磁気ディスク装置が得られる。
上面のラッピングに用いると、磁性膜を構成する金属元
素Ｍの水酸化物を砥粒に用いラッピングすることによ
り、磁性膜の端面を基板の端面よりも突出させることが
可能になる。これにより、浮上面において、加工段差が
ゼロ、もしくは磁性膜が基板より突出した薄膜磁気ヘッ
ドを製作することができ、これにより、薄膜磁気ヘッド
の浮上量を減少させることができ、記録密度を従来より
も飛躍的に高めた磁気ディスク装置が得られる。
【００２６】
【実施例】本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を図面を用いて説明する。
法を図面を用いて説明する。
【００２７】本実施例の薄膜磁気ヘッドは、基板１３上
に、磁性膜１１と、保護膜１２と、薄膜コイル１０５と
を備えている。浮上面２は、基板１３、磁性膜１１、保
護膜１２の端面で構成され、磁性膜１１の端面は、図８
（ｄ）に示すように、他の膜の端面よりも突出してい
る。本実施例では、磁性膜１１は、ＮｉとＦｅの合金で
あるパーマロイで、保護膜１２は、Ａｌ2Ｏ3で、基板１
３は、アルミナ系セラミックスで構成されている。ビッ
カース硬さは、磁性膜１１が約２００ｋｇｆ／ｍｍ2、
保護膜１２および基板材１３が１３００ｋｇｆ／ｍｍ2
以上であり、保護膜１２は基板１３よりやわらかい。
に、磁性膜１１と、保護膜１２と、薄膜コイル１０５と
を備えている。浮上面２は、基板１３、磁性膜１１、保
護膜１２の端面で構成され、磁性膜１１の端面は、図８
（ｄ）に示すように、他の膜の端面よりも突出してい
る。本実施例では、磁性膜１１は、ＮｉとＦｅの合金で
あるパーマロイで、保護膜１２は、Ａｌ2Ｏ3で、基板１
３は、アルミナ系セラミックスで構成されている。ビッ
カース硬さは、磁性膜１１が約２００ｋｇｆ／ｍｍ2、
保護膜１２および基板材１３が１３００ｋｇｆ／ｍｍ2
以上であり、保護膜１２は基板１３よりやわらかい。
【００２８】つぎに本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。
法について説明する。
【００２９】まず、基板１３上に、保護膜１２、磁性膜
１１、薄膜コイル１０５を成膜する。
１１、薄膜コイル１０５を成膜する。
【００３０】つぎに、浮上面２をラッピングにより形成
する。本実施例では、Ｆｅ（ＯＨ）3を砥粒として用い
た。また、比較例として、Ａｌ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ａｌ
（ＯＨ）3を砥粒に用いて同様にラッピングした。ラッ
プ定盤１４の材料は錫、定盤回転数１００ｒｐｍ、ラッ
プ圧は６ｇ／ｍｍ2、ラップ液は、上記砥粒２．０ｇを
１ｌのイオン交換水中に界面活性剤で分散させたもので
ある。なお、砥粒の平均粒径は、１０μｍとした。
する。本実施例では、Ｆｅ（ＯＨ）3を砥粒として用い
た。また、比較例として、Ａｌ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ａｌ
（ＯＨ）3を砥粒に用いて同様にラッピングした。ラッ
プ定盤１４の材料は錫、定盤回転数１００ｒｐｍ、ラッ
プ圧は６ｇ／ｍｍ2、ラップ液は、上記砥粒２．０ｇを
１ｌのイオン交換水中に界面活性剤で分散させたもので
ある。なお、砥粒の平均粒径は、１０μｍとした。
【００３１】まず、第１の比較例として砥粒をＡｌ2Ｏ3
にしたときのラッピングの模式図を図８（ａ）に示す。
砥粒１７のＡｌ2Ｏ3と保護膜１２および基板１３のＡｌ
2Ｏ3の界面では、次式で示される反応がおこる。
にしたときのラッピングの模式図を図８（ａ）に示す。
砥粒１７のＡｌ2Ｏ3と保護膜１２および基板１３のＡｌ
2Ｏ3の界面では、次式で示される反応がおこる。
【００３２】
【化２】
【００３３】砥粒１７と保護膜１２との界面、砥粒１７
と基板１３との界面においては、砥粒１７がＡｌ2Ｏ3で
あるために、Ａｌ2Ｏ3の濃度が高く、化２の反応は左辺
から右辺への反応にかたよる。すなわち、Ａｌ（ＯＨ）
3が切屑として排出され易くなる。一方、砥粒１７のＡ
ｌ2Ｏ3と磁性膜１１のパーマロイの界面では前記のよう
な反応は起きない。保護膜１２は、磁性膜１１より硬度
が高いが、Ａｌ2Ｏ3を砥粒として用いることにより、保
護膜１２の加工効率が高くなり、磁性膜１１と保護膜１
２との段差２３は、ダイヤモンド砥粒を用いた場合より
小さくなる。保護膜１２と基板１３との段差２４は、ダ
イヤモンド砥粒を用いた場合とほとんど変らない。した
がって、磁性膜１１と基板１３との段差２２は、ダイヤ
モンド砥粒を用いた場合より、若干小さくなる。この結
果を図９の（ａ）欄に示す。
と基板１３との界面においては、砥粒１７がＡｌ2Ｏ3で
あるために、Ａｌ2Ｏ3の濃度が高く、化２の反応は左辺
から右辺への反応にかたよる。すなわち、Ａｌ（ＯＨ）
3が切屑として排出され易くなる。一方、砥粒１７のＡ
ｌ2Ｏ3と磁性膜１１のパーマロイの界面では前記のよう
な反応は起きない。保護膜１２は、磁性膜１１より硬度
が高いが、Ａｌ2Ｏ3を砥粒として用いることにより、保
護膜１２の加工効率が高くなり、磁性膜１１と保護膜１
２との段差２３は、ダイヤモンド砥粒を用いた場合より
小さくなる。保護膜１２と基板１３との段差２４は、ダ
イヤモンド砥粒を用いた場合とほとんど変らない。した
がって、磁性膜１１と基板１３との段差２２は、ダイヤ
モンド砥粒を用いた場合より、若干小さくなる。この結
果を図９の（ａ）欄に示す。
【００３４】つぎに、第２の比較例として砥粒をＦｅ2
Ｏ3にしたときのラッピングの模式図を図８（ｂ）に示
す。砥粒１８のＦｅ2Ｏ3と磁性膜１１表面の酸化された
酸化膜Ｆｅ2Ｏ3の界面では、次式で示される反応がおこ
る。
Ｏ3にしたときのラッピングの模式図を図８（ｂ）に示
す。砥粒１８のＦｅ2Ｏ3と磁性膜１１表面の酸化された
酸化膜Ｆｅ2Ｏ3の界面では、次式で示される反応がおこ
る。
【００３５】
【化３】
【００３６】砥粒１８と磁性膜１１との界面において
は、Ｆｅ２Ｏ３の濃度が高く、化３の反応は左辺から右
辺への反応にかたよる。すなわち、Ｆｅ（ＯＨ）３が切
屑として排出され易くなる。一方、砥粒のＦｅ２Ｏ３と
保護膜１２のＡｌ２Ｏ３の界面では前記のような反応は
起きない。また、砥粒１８と基板１３との界面でも前記
のような反応は起きない。磁性膜１１は、保護膜１２お
よび基板１３より硬度が低い上、前記反応によりさらに
加工効率が高くなり、段差２３は、ダイヤモンド砥粒を
用いた場合より大きくなる。従って、磁性膜１１と基板
３との段差２２は、ダイヤモンド砥粒を用いた場合より
大きくなる。この結果を図９の（ｂ）欄に示す。
は、Ｆｅ２Ｏ３の濃度が高く、化３の反応は左辺から右
辺への反応にかたよる。すなわち、Ｆｅ（ＯＨ）３が切
屑として排出され易くなる。一方、砥粒のＦｅ２Ｏ３と
保護膜１２のＡｌ２Ｏ３の界面では前記のような反応は
起きない。また、砥粒１８と基板１３との界面でも前記
のような反応は起きない。磁性膜１１は、保護膜１２お
よび基板１３より硬度が低い上、前記反応によりさらに
加工効率が高くなり、段差２３は、ダイヤモンド砥粒を
用いた場合より大きくなる。従って、磁性膜１１と基板
３との段差２２は、ダイヤモンド砥粒を用いた場合より
大きくなる。この結果を図９の（ｂ）欄に示す。
【００３７】第３の比較例として、砥粒をＡｌ（ＯＨ）
3にしたときのラッピングの模式図を図８（ｄ）に示
す。
3にしたときのラッピングの模式図を図８（ｄ）に示
す。
【００３８】砥粒１９のＡｌ（ＯＨ）3と保護膜１２と
の界面、砥粒１９と基板１３のＡｌ2Ｏ3の界面では、上
述の化３で示される反応が起こる。ところが、この界面
では、砥粒１９であるＡｌ（ＯＨ）3の濃度が高いた
め、化２の反応は右辺から左辺への反応にかたよる。す
なわち、保護膜１２および基板１３と砥粒１９の界面に
おいて、Ａｌ（ＯＨ）3が切屑として排出されにくくな
り、保護膜１２および基板１３の加工効率が低下する。
一方、砥粒１９のＡｌ（ＯＨ）3と磁性膜１１の表面の
酸化膜Ｆｅ2Ｏ3の界面では、前記のような反応は起きな
い。したがって、磁性膜１１と保護膜１２との段差２３
は、ダイヤモンド砥粒を用いた場合より小さくなる。ま
た、保護膜１２と基板１３と段差２４は、ダイヤモンド
砥粒を用いた場合より小さくなる。従って、磁性膜１１
と基板１３との段差２２は小さくなる。この結果を図９
の（ｃ）欄に示す。
の界面、砥粒１９と基板１３のＡｌ2Ｏ3の界面では、上
述の化３で示される反応が起こる。ところが、この界面
では、砥粒１９であるＡｌ（ＯＨ）3の濃度が高いた
め、化２の反応は右辺から左辺への反応にかたよる。す
なわち、保護膜１２および基板１３と砥粒１９の界面に
おいて、Ａｌ（ＯＨ）3が切屑として排出されにくくな
り、保護膜１２および基板１３の加工効率が低下する。
一方、砥粒１９のＡｌ（ＯＨ）3と磁性膜１１の表面の
酸化膜Ｆｅ2Ｏ3の界面では、前記のような反応は起きな
い。したがって、磁性膜１１と保護膜１２との段差２３
は、ダイヤモンド砥粒を用いた場合より小さくなる。ま
た、保護膜１２と基板１３と段差２４は、ダイヤモンド
砥粒を用いた場合より小さくなる。従って、磁性膜１１
と基板１３との段差２２は小さくなる。この結果を図９
の（ｃ）欄に示す。
【００３９】つぎに、本実施例の砥粒をＦｅ（ＯＨ）3
にしたときのラッピングの模式図を図８（ｄ）に示す。
にしたときのラッピングの模式図を図８（ｄ）に示す。
【００４０】砥粒２０のＦｅ（ＯＨ）3と磁性膜表面の
酸化膜Ｆｅ2Ｏ3の界面では化３で示される反応が起こ
る。ところが、この界面では、砥粒２０であるＦｅ（Ｏ
Ｈ）3の濃度が高いため、化３の反応は、右辺から左辺
への反応に片寄る。すなわち、Ｆｅ（ＯＨ）3が切屑と
して排出されにくくなり、磁性膜１１の加工効率が低下
する。一方、砥粒２０と保護膜１２の界面、砥粒２０と
基板１３との界面では前記のような反応は起きない。し
たがって、磁性膜１１が、保護膜１２および基板１３よ
りもやわらかいにもかかわらず、砥粒２０による加工効
率は、保護膜１２および基板１３よりも低くなる。これ
により、磁性膜１１の加工面は、保護膜１２および基板
１３の加工面よりも突出する。また、保護膜１２と基板
１３との段差２４は、ダイヤモンド砥粒を用いた場合と
変らない。この結果を図９の（ｄ）欄に示す。
酸化膜Ｆｅ2Ｏ3の界面では化３で示される反応が起こ
る。ところが、この界面では、砥粒２０であるＦｅ（Ｏ
Ｈ）3の濃度が高いため、化３の反応は、右辺から左辺
への反応に片寄る。すなわち、Ｆｅ（ＯＨ）3が切屑と
して排出されにくくなり、磁性膜１１の加工効率が低下
する。一方、砥粒２０と保護膜１２の界面、砥粒２０と
基板１３との界面では前記のような反応は起きない。し
たがって、磁性膜１１が、保護膜１２および基板１３よ
りもやわらかいにもかかわらず、砥粒２０による加工効
率は、保護膜１２および基板１３よりも低くなる。これ
により、磁性膜１１の加工面は、保護膜１２および基板
１３の加工面よりも突出する。また、保護膜１２と基板
１３との段差２４は、ダイヤモンド砥粒を用いた場合と
変らない。この結果を図９の（ｄ）欄に示す。
【００４１】このように、本実施例では、磁性膜１１の
水酸化を抑制するために、磁性膜１１の構成元素である
Ｆｅの水酸化物を砥粒として、薄膜磁気ヘッドの浮上面
をラッピングすることにより、硬度の低い磁性膜１１
を、硬度の高い保護膜１２および基板１３より突出させ
ることができる。磁性膜１１が突出した形状である場合
には、加工段差に妨げられることなく、磁性膜１１の端
部を磁気記録媒体に接近させることができる。したがっ
て、浮上量を低減することができ、記録密度を向上させ
ることが可能になる。例えば、従来のようにダイヤモン
ド砥粒を用いた場合には、磁性膜と基板との間に０．０
３μｍの加工段差が生じていたが、本実施例により、こ
れをゼロ、さらには磁性膜部を保護膜、基板より出っぱ
らすことができ、これにより、磁気ディスクの記録ビッ
ト長の限界値を少なくとも０．１５μｍ以上短縮するこ
とができる。
水酸化を抑制するために、磁性膜１１の構成元素である
Ｆｅの水酸化物を砥粒として、薄膜磁気ヘッドの浮上面
をラッピングすることにより、硬度の低い磁性膜１１
を、硬度の高い保護膜１２および基板１３より突出させ
ることができる。磁性膜１１が突出した形状である場合
には、加工段差に妨げられることなく、磁性膜１１の端
部を磁気記録媒体に接近させることができる。したがっ
て、浮上量を低減することができ、記録密度を向上させ
ることが可能になる。例えば、従来のようにダイヤモン
ド砥粒を用いた場合には、磁性膜と基板との間に０．０
３μｍの加工段差が生じていたが、本実施例により、こ
れをゼロ、さらには磁性膜部を保護膜、基板より出っぱ
らすことができ、これにより、磁気ディスクの記録ビッ
ト長の限界値を少なくとも０．１５μｍ以上短縮するこ
とができる。
【００４２】また、本実施例では、砥粒をラップ定盤に
より、加工面に押しつけ研磨するラッピング方法を用い
て浮上面を加工しているため、フロートポリシングやエ
ッチング等の他の加工方法と比較して、加工効率が高
く、薄膜磁気ヘッドを製造効率を向上させることができ
る。また、本実施例で作成した薄膜磁気ヘッドの浮上面
の面粗さは、Ｒｍａｘ４．５〜１０．０ｎｍ，Ｒａ０．
５〜２．０ｎｍ，Ｒｚ２．０〜８．０ｎｍである。この
面粗さは、フロートポリシングやエッチングにより加工
した場合の面粗さより粗いが、薄膜磁気ヘッドの浮上特
性および記録／再生特性に影響を与えるものではない。
また、本実施例の薄膜磁気ヘッドは、ラッピングで加工
しているため浮上面の縁部にだれ（丸み）が生じること
がなく、浮上面上にシリコンやカーボン等でさらに保護
膜を一様に形成することが可能である。 また、上記実
施例においては、薄膜磁気ヘッドの浮上面をラッピング
する例について説明したが、本発明は、薄膜磁気ヘッド
にかぎらず、金属あるいは金属酸化物から構成される全
ての複合材のラッピングに適しており、硬度の小さな部
分があっても、この部分に発生していたくぼみによる加
工段差を低減したり、逆に突出させることができる。例
えば、セラミック基板と配線層とを多層に積層した多層
配線基板の端面の研磨に用いた場合には、配線層の端面
をセラミック基板の端面より突出させることができる。
より、加工面に押しつけ研磨するラッピング方法を用い
て浮上面を加工しているため、フロートポリシングやエ
ッチング等の他の加工方法と比較して、加工効率が高
く、薄膜磁気ヘッドを製造効率を向上させることができ
る。また、本実施例で作成した薄膜磁気ヘッドの浮上面
の面粗さは、Ｒｍａｘ４．５〜１０．０ｎｍ，Ｒａ０．
５〜２．０ｎｍ，Ｒｚ２．０〜８．０ｎｍである。この
面粗さは、フロートポリシングやエッチングにより加工
した場合の面粗さより粗いが、薄膜磁気ヘッドの浮上特
性および記録／再生特性に影響を与えるものではない。
また、本実施例の薄膜磁気ヘッドは、ラッピングで加工
しているため浮上面の縁部にだれ（丸み）が生じること
がなく、浮上面上にシリコンやカーボン等でさらに保護
膜を一様に形成することが可能である。 また、上記実
施例においては、薄膜磁気ヘッドの浮上面をラッピング
する例について説明したが、本発明は、薄膜磁気ヘッド
にかぎらず、金属あるいは金属酸化物から構成される全
ての複合材のラッピングに適しており、硬度の小さな部
分があっても、この部分に発生していたくぼみによる加
工段差を低減したり、逆に突出させることができる。例
えば、セラミック基板と配線層とを多層に積層した多層
配線基板の端面の研磨に用いた場合には、配線層の端面
をセラミック基板の端面より突出させることができる。
【００４３】本実施例においては、砥粒として、金属水
酸化物を単体で用いたが、金属水酸化物の砥粒と、ダイ
ヤモンド砥粒とを混合して用いることも可能である。こ
れにより、加工効率を調節することができる。
酸化物を単体で用いたが、金属水酸化物の砥粒と、ダイ
ヤモンド砥粒とを混合して用いることも可能である。こ
れにより、加工効率を調節することができる。
【００４４】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、金属
の水酸化物を砥粒として用いラッピングすることによ
り、硬度の異なる複数の材料から構成された複合部材を
研磨する際に、硬度の低い部分をくぼませることなく、
さらには、逆に突出させることが可能である。この方法
を用いて、薄膜磁気ヘッドの浮上面を加工することによ
り、磁性膜の端面を基板の端面と同一平面上、さらに
は、突出させることができ、薄膜磁気ヘッドの浮上量を
低減させることができる。
の水酸化物を砥粒として用いラッピングすることによ
り、硬度の異なる複数の材料から構成された複合部材を
研磨する際に、硬度の低い部分をくぼませることなく、
さらには、逆に突出させることが可能である。この方法
を用いて、薄膜磁気ヘッドの浮上面を加工することによ
り、磁性膜の端面を基板の端面と同一平面上、さらに
は、突出させることができ、薄膜磁気ヘッドの浮上量を
低減させることができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの斜
視図。（ｂ）図（ａ）の薄膜磁気ヘッドの部分断面図。
視図。（ｂ）図（ａ）の薄膜磁気ヘッドの部分断面図。
【図２】（ａ）従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図。（ｂ）
図（ａ）の薄膜磁気ヘッドの部分断面図。
図（ａ）の薄膜磁気ヘッドの部分断面図。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドと記録媒体との位置関係
を示す説明図。
を示す説明図。
【図４】薄膜磁気ヘッドの浮上量と記録ビット長の関係
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図５】本発明のラッピング時における切り屑の排出を
示す説明図。
示す説明図。
【図６】ダイヤモンド砥粒を用いた従来のラッピング方
法を示す説明図。
法を示す説明図。
【図７】水酸化物を砥粒に用いた本発明のラッピング方
法をしめす説明図。
法をしめす説明図。
【図８】本発明の一実施例および比較例のラッピング時
の加工段差をしめす説明図。
の加工段差をしめす説明図。
【図９】本発明の実施例および比較例において、砥粒材
質の違いによる加工段差の差をしめすグラフ。
質の違いによる加工段差の差をしめすグラフ。
１…薄膜磁気ヘッド、２…浮上面、１１…磁性膜、１２
…保護膜、１３…基板、１４…ラツプ定盤、１５…ダイ
ヤモンド砥粒、１６…水酸化物の砥粒、１７…Ａｌ2Ｏ3
砥粒、１８…Ｆｅ2Ｏ3砥粒、１９…Ａｌ（ＯＨ）3砥
粒、２０…Ｆｅ（ＯＨ）3砥粒、２１…磁気ディスク、
２２、２３、２４…加工段差。
…保護膜、１３…基板、１４…ラツプ定盤、１５…ダイ
ヤモンド砥粒、１６…水酸化物の砥粒、１７…Ａｌ2Ｏ3
砥粒、１８…Ｆｅ2Ｏ3砥粒、１９…Ａｌ（ＯＨ）3砥
粒、２０…Ｆｅ（ＯＨ）3砥粒、２１…磁気ディスク、
２２、２３、２４…加工段差。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 磯野 千博
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/31
Claims (3)
- 【請求項１】基板と磁性膜とを有する薄膜磁気ヘッドの
製造方法であって、 金属元素Ｍを含む材料により前記磁性膜を成膜する工程
と、 前記基板および磁性膜の端面を、砥粒を用いて研磨する
ことにより浮上面を形成する工程とを有し、 前記金属元素Ｍは、水酸化物を形成可能な元素であり、 前記砥粒は、前記金属元素Ｍの水酸化物を含むことを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記金属元素Ｍは、Ｆ
ｅであり、前記砥粒は、前記金属元素Ｍの水酸化物であ
るＦｅ（ＯＨ）３を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項３】磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法
における前記薄膜磁気ヘッドの浮上面を研磨する工程に
使用される研磨用砥粒であって、 前記磁性膜に含まれる金属元素の水酸化物を含むことを
特徴とする研磨用砥粒。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15917693A JP3364511B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法、および、薄膜磁気ヘッドの製造に用いる研磨用砥粒 |
| US08/779,250 US6219200B1 (en) | 1993-06-29 | 1997-01-03 | Thin film magnetic head with air bearing end face of magnetic film protruding beyond air bearing end face of substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15917693A JP3364511B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法、および、薄膜磁気ヘッドの製造に用いる研磨用砥粒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714123A JPH0714123A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3364511B2 true JP3364511B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=15687963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15917693A Expired - Fee Related JP3364511B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法、および、薄膜磁気ヘッドの製造に用いる研磨用砥粒 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6219200B1 (ja) |
| JP (1) | JP3364511B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2000215430A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Tdk Corp | 磁気ヘッドおよびその製造方法並びに磁気ディスク装置 |
| JP3975047B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2007-09-12 | 泰弘 谷 | 研磨方法 |
| US6804086B2 (en) * | 2000-04-27 | 2004-10-12 | Seagate Technology Llc | Unitary crystalline slider with edges rounded by laser ablation |
| US6842308B1 (en) * | 2000-07-13 | 2005-01-11 | Seagate Technology Llc | Thermal compensation for head protrusion in a magnetic drive |
| US6661605B1 (en) * | 2000-07-28 | 2003-12-09 | Seagate Technology Llc | Transducing head having a reduced thermal pole tip recession |
| US6747841B1 (en) * | 2000-09-06 | 2004-06-08 | Seagate Technology Llc | Optimization of temperature dependent variations in shield and pole recession/protrusion through use of a composite overcoat layer |
| US7123448B1 (en) * | 2000-10-13 | 2006-10-17 | Seagate Technology, Llc | Extended alumina basecoat advanced air bearing slider |
| JP2002237008A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US7064930B2 (en) * | 2001-05-23 | 2006-06-20 | Seagate Technology Llc | Slider deposits for control of pole-to-disc spacing |
| US6580586B1 (en) * | 2001-11-21 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic transducer with recessed magnetic elements |
| WO2003105134A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Seagate Technology Llc | Slider deposits for control of pole-to-disc spacing |
| JP3990197B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2007-10-10 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 薄膜磁気ヘッド |
| JP2004022022A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ヘッド |
| US7092208B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-08-15 | Seagate Technology Llc | Magnetic transducers with reduced thermal pole-tip protrusion/recession |
| US8029659B2 (en) * | 2007-07-19 | 2011-10-04 | Seagate Techology LLC | Write element modification control using a galvanic couple |
| US7883607B2 (en) * | 2008-08-19 | 2011-02-08 | International Business Machines Corporation | Methods of ion milling for magnetic heads and systems formed thereby |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4420780A (en) * | 1981-08-17 | 1983-12-13 | International Business Machines | Self-loading magnetic head air bearing slider |
| JPS5971115A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド |
| DE3613619A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Sharp K.K., Osaka | Duennfilm-magnetkopf |
| JPS63311615A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-20 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS6437703A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Floating type perpendicular magnetic head and its manufacture |
| JP2816472B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1998-10-27 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5094897A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-10 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium comprising a glass substrate and a gamma Fe2 3 magnetic thin film with specified X-ray diffraction and surface roughness |
| JP2840966B2 (ja) * | 1989-11-08 | 1998-12-24 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 |
| JPH03296907A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH04178910A (ja) | 1990-11-14 | 1992-06-25 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド及びその製造方法 |
| JPH04258805A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
| JP2897462B2 (ja) * | 1991-06-14 | 1999-05-31 | 富士通株式会社 | 薄膜磁気ヘッド組立体とその製造方法 |
| JP2543641B2 (ja) * | 1991-11-18 | 1996-10-16 | 日本碍子株式会社 | 固定磁気ディスク装置用コアスライダおよびその製造方法 |
| JPH05342530A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-24 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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