JPH04178910A - 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録再生薄膜ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH04178910A JPH04178910A JP31002890A JP31002890A JPH04178910A JP H04178910 A JPH04178910 A JP H04178910A JP 31002890 A JP31002890 A JP 31002890A JP 31002890 A JP31002890 A JP 31002890A JP H04178910 A JPH04178910 A JP H04178910A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、電算機用、テープ用、映像記録用などの垂
直磁気記録再生薄膜ヘッドの改良に係り、成膜積層して
なるリターンパス用磁性基板を所要寸法に研摩加工時、
記録媒体に対向する摺動面に露出させる主磁極部に発生
する四部（ポールリセッション）に、酸化物被膜を成膜
し充填した後、特定条件のメカノケミカル研摩を施すこ
とにより、前記摺動面の主磁極を前記積層端面に露出ま
たは端面より３００Å以下の高さに突出させることでス
ペーシングロスを低減でき薄膜ヘッドの記録特性の改善
向上を計った垂直磁気記録再生薄膜ヘッドに関する。
直磁気記録再生薄膜ヘッドの改良に係り、成膜積層して
なるリターンパス用磁性基板を所要寸法に研摩加工時、
記録媒体に対向する摺動面に露出させる主磁極部に発生
する四部（ポールリセッション）に、酸化物被膜を成膜
し充填した後、特定条件のメカノケミカル研摩を施すこ
とにより、前記摺動面の主磁極を前記積層端面に露出ま
たは端面より３００Å以下の高さに突出させることでス
ペーシングロスを低減でき薄膜ヘッドの記録特性の改善
向上を計った垂直磁気記録再生薄膜ヘッドに関する。
従来の技術
一般に、垂直磁気記録再生薄膜ヘッド（以下、薄膜磁気
ヘッドという）は、磁気回路が微小であること、高透磁
率、高飽和磁束密度の磁性薄膜を用いるという点で、磁
気記録の高密度化に適しており、半導体テクノロジーに
基づく製造プロセスで製造されるため、高精度の磁気ヘ
ッドを低コストで製造可能であり、今後、垂直磁気ヘッ
ドの主流となるものと考えられる。
ヘッドという）は、磁気回路が微小であること、高透磁
率、高飽和磁束密度の磁性薄膜を用いるという点で、磁
気記録の高密度化に適しており、半導体テクノロジーに
基づく製造プロセスで製造されるため、高精度の磁気ヘ
ッドを低コストで製造可能であり、今後、垂直磁気ヘッ
ドの主流となるものと考えられる。
垂直磁気記録再生薄膜ヘッドは従来、磁性基板上に多数
個の薄膜ヘッドパターンを一度に成膜形成した後、この
磁性基板を分割形成して個々のヘッドチップに加工すべ
く、下記工程にて製造されている。
個の薄膜ヘッドパターンを一度に成膜形成した後、この
磁性基板を分割形成して個々のヘッドチップに加工すべ
く、下記工程にて製造されている。
すなわち、一般に垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造工
程を示す第１図に基づいて説明すると、＜ １ ＞
Ｎｉ−Ｚｎ系またはＭｎ−Ｚｎ系フェライトの磁性基板
（１）の−主面に、所定間隔で複数の主溝部（２）を所
要パターンにて配設し、各溝部（２）ニガラス、５ｉ０
２、Ａｌ２Ｏ３、チタン酸バリウム等の非磁性材（３）
を溶着法、スパッタリング法等にて充填し、その後、磁
性基板（１）の前記溝部（２）を設けた主面に、メカノ
ケミカル研摩を施す。（第１図ａ）く２〉 磁性基板（
１）の前記研摩面に、Ａｕ、 Ｃｕ、Ｃｒ、 Ａ１等か
らなる薄膜導体コイル（４）をスパッタリング法、真空
蒸着法にて形成する。（第１図ｂ） なお、前記磁性基板がＭｎ−Ｚｎ系フェライトの場合、
薄膜導体コイル形成前に絶縁層を設ける。
程を示す第１図に基づいて説明すると、＜ １ ＞
Ｎｉ−Ｚｎ系またはＭｎ−Ｚｎ系フェライトの磁性基板
（１）の−主面に、所定間隔で複数の主溝部（２）を所
要パターンにて配設し、各溝部（２）ニガラス、５ｉ０
２、Ａｌ２Ｏ３、チタン酸バリウム等の非磁性材（３）
を溶着法、スパッタリング法等にて充填し、その後、磁
性基板（１）の前記溝部（２）を設けた主面に、メカノ
ケミカル研摩を施す。（第１図ａ）く２〉 磁性基板（
１）の前記研摩面に、Ａｕ、 Ｃｕ、Ｃｒ、 Ａ１等か
らなる薄膜導体コイル（４）をスパッタリング法、真空
蒸着法にて形成する。（第１図ｂ） なお、前記磁性基板がＭｎ−Ｚｎ系フェライトの場合、
薄膜導体コイル形成前に絶縁層を設ける。
く３〉 この薄膜導体コイル（４）層と後に被着する厚
膜主磁極膜（７）との電気的絶縁のために、８ｉ０２、
Ａｌ２Ｏ３等の無機酸化膜あるいはポリイミド等の有機
膜からなる層間絶縁被膜（５）を形成する。（第１図Ｃ
） く４〉 前記薄膜導体コイル（４）による層間Ｎ縁板膜
（５）の凹凸面を除去するため、ダイヤモンド研摩等の
精密研摩あるいはエッチ バック法を施して、５００１以下に平坦化する。（第１
図ｄ） く５〉 後工程にて被着する厚膜主磁極膜（７）と磁性
基板（１）を接続するためのリターンパス部（６）を、
前記層間絶縁被膜（５）に、イオンエツチング、ケミカ
ルエツチング等の方法にて形成する。（第１図ｅ）
′く６〉 層間絶縁被膜（５）面及びリターンパ
ス部（６）の磁性基板（１）面上に、パーマロイ、セン
ダスト等のＦｅ系合金あるいはアモルファス等からなる
厚膜主磁極膜（７）をスパッタリング法、蒸着法、めっ
き法等にて被着形成し、パターン化する。（第１図０ く７〉 その後、前記厚膜主磁極膜（７）上に主磁極膜
（８）をスパッタリング法、蒸着法、めっき法等にて被
着形成し、パターン化す る。（第１図ｇ） く８〉 ヘッド保護膜（９）を積層被着する。（第１図
ｈ） く９〉 その後、所要寸法、形状に切断加工する際に、
酸化物からなる保護膜（９）が剥離するのを防止のため
、保護膜（９）部分にのみ、例えば＃２０００のダイヤ
モンドブレードにて予備溝部（１０）を形成する。（第
１図ｉ）＜１０〉前記予備溝部（１０）幅より小さい、
例えば＃２００の粒径のダイヤモンドブレードにて、成
膜積層した磁性基板（１）を切断する。（第１図ｊ） ＜１１〉磁性基板（１）上に成膜積層した主磁極膜（８
）を厚膜主磁極膜（７）先端部より、摺動面側に１０μ
ｍの位置までダイヤモンド研摩を施す。（第１図ｋ） ＜１２〉前記磁性基板（１）の磁気記録媒体に対向する
摺動面側を（第１図ｎ）に示すＡＢＳ（１４）輻３００
μｍに加工する。
膜主磁極膜（７）との電気的絶縁のために、８ｉ０２、
Ａｌ２Ｏ３等の無機酸化膜あるいはポリイミド等の有機
膜からなる層間絶縁被膜（５）を形成する。（第１図Ｃ
） く４〉 前記薄膜導体コイル（４）による層間Ｎ縁板膜
（５）の凹凸面を除去するため、ダイヤモンド研摩等の
精密研摩あるいはエッチ バック法を施して、５００１以下に平坦化する。（第１
図ｄ） く５〉 後工程にて被着する厚膜主磁極膜（７）と磁性
基板（１）を接続するためのリターンパス部（６）を、
前記層間絶縁被膜（５）に、イオンエツチング、ケミカ
ルエツチング等の方法にて形成する。（第１図ｅ）
′く６〉 層間絶縁被膜（５）面及びリターンパ
ス部（６）の磁性基板（１）面上に、パーマロイ、セン
ダスト等のＦｅ系合金あるいはアモルファス等からなる
厚膜主磁極膜（７）をスパッタリング法、蒸着法、めっ
き法等にて被着形成し、パターン化する。（第１図０ く７〉 その後、前記厚膜主磁極膜（７）上に主磁極膜
（８）をスパッタリング法、蒸着法、めっき法等にて被
着形成し、パターン化す る。（第１図ｇ） く８〉 ヘッド保護膜（９）を積層被着する。（第１図
ｈ） く９〉 その後、所要寸法、形状に切断加工する際に、
酸化物からなる保護膜（９）が剥離するのを防止のため
、保護膜（９）部分にのみ、例えば＃２０００のダイヤ
モンドブレードにて予備溝部（１０）を形成する。（第
１図ｉ）＜１０〉前記予備溝部（１０）幅より小さい、
例えば＃２００の粒径のダイヤモンドブレードにて、成
膜積層した磁性基板（１）を切断する。（第１図ｊ） ＜１１〉磁性基板（１）上に成膜積層した主磁極膜（８
）を厚膜主磁極膜（７）先端部より、摺動面側に１０μ
ｍの位置までダイヤモンド研摩を施す。（第１図ｋ） ＜１２〉前記磁性基板（１）の磁気記録媒体に対向する
摺動面側を（第１図ｎ）に示すＡＢＳ（１４）輻３００
μｍに加工する。
＜１３〉次いで所要寸法、形状のへラドチップ片に切断
加工する。
加工する。
発明が解決しようとする課題
前記工程中、工程＜１１〉においては、Ａｌ２Ｏ３など
の酸化物からなる保護膜（９）の硬度がＨｖ８００、Ｃ
ｏ−Ｚｒ系からなる主磁極膜（８）の硬度がＨｖ４５０
． Ｎｉ−Ｚｒ系フェライトからなる磁性基板（１）の
硬度がＨｖ７５０と異なり、かかる硬度差のため、硬度
の低い主磁極膜（８）は記録媒体の対向摺動面より、２
００人〜３００人の凹部（ポールリセッション）が形成
されてしまう。
の酸化物からなる保護膜（９）の硬度がＨｖ８００、Ｃ
ｏ−Ｚｒ系からなる主磁極膜（８）の硬度がＨｖ４５０
． Ｎｉ−Ｚｒ系フェライトからなる磁性基板（１）の
硬度がＨｖ７５０と異なり、かかる硬度差のため、硬度
の低い主磁極膜（８）は記録媒体の対向摺動面より、２
００人〜３００人の凹部（ポールリセッション）が形成
されてしまう。
一般に、薄膜磁気ヘッドの出力記録密度は磁気ヘッドと
記録媒体間のスペーシングに大きく影響される。そのた
め最近では、磁気ヘッドと記録媒体間のスペーシング量
は０．１μｍ以下になりつつあるが、かかる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、主磁極膜が摺動面より２００人〜３００
人の凹みとなっていると、その凹状量だけスペーシング
ロスは大きくなり、出力、記録再生などヘッド特性が低
下する等の問題があった。
記録媒体間のスペーシングに大きく影響される。そのた
め最近では、磁気ヘッドと記録媒体間のスペーシング量
は０．１μｍ以下になりつつあるが、かかる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、主磁極膜が摺動面より２００人〜３００
人の凹みとなっていると、その凹状量だけスペーシング
ロスは大きくなり、出力、記録再生などヘッド特性が低
下する等の問題があった。
この発明は、上述した垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製
造工程中で、主磁極膜を摺動面に露出または突出させる
ことでスペーシングロスを低減でき、出力、記録再生な
どヘッド特性の改善向上を計ることができる薄膜ヘッド
の製造方法の提供を目的としている。
造工程中で、主磁極膜を摺動面に露出または突出させる
ことでスペーシングロスを低減でき、出力、記録再生な
どヘッド特性の改善向上を計ることができる薄膜ヘッド
の製造方法の提供を目的としている。
課題を解決するための手段
この発明は、
リターンパス用磁性基板の一主面に、磁気記録媒体に対
向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材を
充填し、該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間
絶縁膜、主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつリ
ターンパス部にて磁性基板と主磁極膜と接続したリター
ンパス用磁性基板からなる垂直磁気記録再生薄膜ヘッド
において、前記摺動面の主磁極膜が前記積層端面に露出
または３００Ａ以下の高さで突出していることを特徴と
する垂直磁気記録再生薄膜ヘッドである。
向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材を
充填し、該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間
絶縁膜、主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつリ
ターンパス部にて磁性基板と主磁極膜と接続したリター
ンパス用磁性基板からなる垂直磁気記録再生薄膜ヘッド
において、前記摺動面の主磁極膜が前記積層端面に露出
または３００Ａ以下の高さで突出していることを特徴と
する垂直磁気記録再生薄膜ヘッドである。
また、この発明は、
リターンパス用磁性基板の一主面に、磁気記録媒体に対
向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材を
充填し、該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間
絶縁膜、主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつリ
ターンパス部にて磁性基板と主磁極膜と接続したリター
ンパス用磁性基板を所要寸法に切断、研摩加工後、記録
媒体に対向する摺動面の切断、研摩加工に伴う主磁極部
の四部に前記酸化物を充填後、 粒径０．１μｍ以下のＭｇＯ１Ｓｉ０２、Ａｌ２Ｏ３、
Ｚｒ０ｔ；ａ粉末の単独または混合微粉末を、超純水中
に３〜６ｗｔ％の割合で懸濁させた液を、硬質クロス、
Ｓｎ等からなる円盤型のポリラシャ−に入れｐＨ９〜１
１．５に調整した液中で前記被加工材をポリシャーより
５μｍ以下浮上させ、相対的に回転させて研摩し、前記
摺動面の主磁極膜が前記積層端面に露出させるがまたは
３００Å以下の高さに突出させることを特徴とする垂直
磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法である。
向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材を
充填し、該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間
絶縁膜、主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつリ
ターンパス部にて磁性基板と主磁極膜と接続したリター
ンパス用磁性基板を所要寸法に切断、研摩加工後、記録
媒体に対向する摺動面の切断、研摩加工に伴う主磁極部
の四部に前記酸化物を充填後、 粒径０．１μｍ以下のＭｇＯ１Ｓｉ０２、Ａｌ２Ｏ３、
Ｚｒ０ｔ；ａ粉末の単独または混合微粉末を、超純水中
に３〜６ｗｔ％の割合で懸濁させた液を、硬質クロス、
Ｓｎ等からなる円盤型のポリラシャ−に入れｐＨ９〜１
１．５に調整した液中で前記被加工材をポリシャーより
５μｍ以下浮上させ、相対的に回転させて研摩し、前記
摺動面の主磁極膜が前記積層端面に露出させるがまたは
３００Å以下の高さに突出させることを特徴とする垂直
磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法である。
作 用
この発明は、薄膜磁気ヘッドの出力、記録再生などヘッ
ド特性の改善向上を計り、成膜積層した磁性基板より磁
気へラドチップを製造する際に、記録媒体の対向摺動面
に形成される主磁極部の四部を逆に露出あるいは突出さ
せるため、種々検討した結果、記録媒体に対向する摺動
面の切断、研摩加工に伴う主磁極部の四部に前記酸化物
を充填後、主磁極が突出するよう特定の研摩条件を有す
るメカノケミカル研摩を施し、得られた垂直薄膜磁気ヘ
ッドは、記録媒体の対向摺動面より主磁極膜が突出し、
スペーシングロスが減少することにより、記録再生特性
は大きく改善向上する。
ド特性の改善向上を計り、成膜積層した磁性基板より磁
気へラドチップを製造する際に、記録媒体の対向摺動面
に形成される主磁極部の四部を逆に露出あるいは突出さ
せるため、種々検討した結果、記録媒体に対向する摺動
面の切断、研摩加工に伴う主磁極部の四部に前記酸化物
を充填後、主磁極が突出するよう特定の研摩条件を有す
るメカノケミカル研摩を施し、得られた垂直薄膜磁気ヘ
ッドは、記録媒体の対向摺動面より主磁極膜が突出し、
スペーシングロスが減少することにより、記録再生特性
は大きく改善向上する。
図面μＪにＬゴ肚虱
第１図ａ−ｑはこの発明による垂直磁気記録再生薄膜ヘ
ッドの製造工程を示す説明図である。
ッドの製造工程を示す説明図である。
まず、第１図ａから同図ｋまでの工程は、前述した従来
の工程＜１＞〜＜１１〉と同様であり、この発明の特徴
である工程＜１２〉から説明する。
の工程＜１＞〜＜１１〉と同様であり、この発明の特徴
である工程＜１２〉から説明する。
＜１２〉工程＜１１〉で得られた研摩面のフェライトな
どの磁性基板（１）を除く薄膜部に、Ａｌ２Ｏ３，５ｉ
０２、ＺｒＯ２等の酸化物被膜（１１）をスパッタリン
グ等の気相成膜法にて ０．１〜１．０μｍｔ、膜し、摺動面に露出する主磁極
膜（８）の四部に前記酸化物被膜を充填する。（第１図
１．ｍ） ＜１３〉その後、メカノケミカル研摩（ＭＣＰ）を施す
と、フェライトなどの磁性基板（１）、主磁極膜（８）
と上記成膜した酸化物被膜（１１）の加工速度が異なる
ため、主磁極膜（８）が摺動面より露出するか、あるい
は３００Å以下突出させることができる。
どの磁性基板（１）を除く薄膜部に、Ａｌ２Ｏ３，５ｉ
０２、ＺｒＯ２等の酸化物被膜（１１）をスパッタリン
グ等の気相成膜法にて ０．１〜１．０μｍｔ、膜し、摺動面に露出する主磁極
膜（８）の四部に前記酸化物被膜を充填する。（第１図
１．ｍ） ＜１３〉その後、メカノケミカル研摩（ＭＣＰ）を施す
と、フェライトなどの磁性基板（１）、主磁極膜（８）
と上記成膜した酸化物被膜（１１）の加工速度が異なる
ため、主磁極膜（８）が摺動面より露出するか、あるい
は３００Å以下突出させることができる。
＜１４〉前記工程＜１２〉〜〈１３〉を経た磁性基板（
１）を第１図ｎに示す如く、スライド面に摺動面より３
〜５０μｍ深さの溝部を機械加工によりテーバ状または
フラット状に形成して所要幅、形状のＡＢＳ面（１４）
を形成する。
１）を第１図ｎに示す如く、スライド面に摺動面より３
〜５０μｍ深さの溝部を機械加工によりテーバ状または
フラット状に形成して所要幅、形状のＡＢＳ面（１４）
を形成する。
＜１５〉次いで、切断用溝部（１３）位置で切断し、所
要のヘッド（第１図０）が得られる。
要のヘッド（第１図０）が得られる。
この発明におけるＭＣＰ研摩法は、粒径０．１μｍ以下
のＭｇＯ１Ｓｉ０２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２の単独また
は混合微粒粉末を純水中に３〜６ｗｔ％でｐＨ９〜１１
．５に懸濁させた液を貯めた容器内に例えば硬質クロス
、Ｓｎ等からなるポリラシャ−を用いて加工材をポリラ
シャ−より５μｍ以下浮上させ５〜６０分間研摩加工す
る。
のＭｇＯ１Ｓｉ０２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２の単独また
は混合微粒粉末を純水中に３〜６ｗｔ％でｐＨ９〜１１
．５に懸濁させた液を貯めた容器内に例えば硬質クロス
、Ｓｎ等からなるポリラシャ−を用いて加工材をポリラ
シャ−より５μｍ以下浮上させ５〜６０分間研摩加工す
る。
この発明の製造方法において、ＭＣＰ研摩条件を限定し
た理由を説明する。
た理由を説明する。
砥粒のＭｇＯ１Ｓｉ０２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２微粉末
の粒径が０．１μｍを越えると、また懸濁液中の前記微
粉末濃度が３ｗｔ％未満では研摩速度が遅くて、研摩能
率が悪く、また６ｗｔ％を超えると被加工面にスクラッ
チ、キズ等が形成され、面状態が悪いので好ましくない
。
の粒径が０．１μｍを越えると、また懸濁液中の前記微
粉末濃度が３ｗｔ％未満では研摩速度が遅くて、研摩能
率が悪く、また６ｗｔ％を超えると被加工面にスクラッ
チ、キズ等が形成され、面状態が悪いので好ましくない
。
また懸濁液のｐＨは９未満ではエツチング作用が低下し
て、被加工材にスクラッチ、キズが増加し、また１１．
５を超えると腐食速度が速くなり、被加工材のフェライ
ト材の面が劣化するので好ましくない。
て、被加工材にスクラッチ、キズが増加し、また１１．
５を超えると腐食速度が速くなり、被加工材のフェライ
ト材の面が劣化するので好ましくない。
ポリラシャ−としては、加工面のうねり発生の少ない点
よりＳｎが好ましい。
よりＳｎが好ましい。
ＭＣＰ研摩時の被加工材のポリラシャ−よりの浮上量が
５μｍを超えると研摩速度が低下し、面にうねりを生ず
るので好ましくない。
５μｍを超えると研摩速度が低下し、面にうねりを生ず
るので好ましくない。
この発明において、研磨時間を５〜６０分間に限定した
のは、６０分を超えるとフェライトからなる補助磁極と
Ａｌ２Ｏ３等の酸化物被膜との段差が大きくなり磁気回
路を構成しなくなり、また５分未満では主磁極部の四部
が発生して好ましくないためである。
のは、６０分を超えるとフェライトからなる補助磁極と
Ａｌ２Ｏ３等の酸化物被膜との段差が大きくなり磁気回
路を構成しなくなり、また５分未満では主磁極部の四部
が発生して好ましくないためである。
この発明において、主磁極部の摺動面よりの突出量とし
て３００人を超えると、浮上加工時に折損する恐れがあ
るので、主磁極部は摺動面に露出するかあるいは３００
Å以下の突出が好ましい。
て３００人を超えると、浮上加工時に折損する恐れがあ
るので、主磁極部は摺動面に露出するかあるいは３００
Å以下の突出が好ましい。
実施例
以下、この発明の詳細な説明する。
表面を精密仕上げしたＮｉ−Ｚｎフェライト基板上に、
輻０．１５ｍｍＸ深さ０．０２５ｍｍＸ長さ５０ｍｍの
溝を複数本、機械加工で形成する。
輻０．１５ｍｍＸ深さ０．０２５ｍｍＸ長さ５０ｍｍの
溝を複数本、機械加工で形成する。
また、前記溝部に直交する幅０．０７５ Ｘ深さ０．０
２５ Ｘ長さ５０ｍｍの溝を複数本、機械加工で形成す
る。
２５ Ｘ長さ５０ｍｍの溝を複数本、機械加工で形成す
る。
このようにして得られた溝部に、５戸以上の気泡が１ヶ
／ｍｍ３以下の状態でＡｌ２Ｏ３を充填した後、前記主
面にメカノケミカル研摩を施し、前記研摩面上に、薄膜
導体コイル用Ｃｕ膜をスパッタリングにて形成し、所定
形状のパターン化する。
／ｍｍ３以下の状態でＡｌ２Ｏ３を充填した後、前記主
面にメカノケミカル研摩を施し、前記研摩面上に、薄膜
導体コイル用Ｃｕ膜をスパッタリングにて形成し、所定
形状のパターン化する。
その後、電気的絶縁のための層間絶縁被膜として、ポリ
イミド系樹脂も用いて被膜した後、エッチバンク法を用
いて、表面を平坦化した。。
イミド系樹脂も用いて被膜した後、エッチバンク法を用
いて、表面を平坦化した。。
その後、Ｃｏ系アモルファスからなる厚膜主磁極膜をス
パッタリング法にて被着形成パターン化し、さらに、Ｃ
ｏ系アモルファスからなる薄膜主磁極膜をスパッタリン
グ法にて被着形成パターン化し、さらにＡｌ２Ｏ３から
なるヘッド保護膜を積層被着した。
パッタリング法にて被着形成パターン化し、さらに、Ｃ
ｏ系アモルファスからなる薄膜主磁極膜をスパッタリン
グ法にて被着形成パターン化し、さらにＡｌ２Ｏ３から
なるヘッド保護膜を積層被着した。
その後、Ａｌ２Ｏ３からなるヘッド保護膜に、＃２００
０のダイヤモンドブレードにより深さ２０μｍｘ幅３０
０μｍの予備溝部を形成後、前記予備溝部幅より小さい
＃２００の粒径のダイヤモンドブレードにて成膜積層し
た磁性基板を切断後、主磁極部を厚膜部先端部より、摺
動面側に１０μｍの位置までダイヤモンド研摩を施した
。
０のダイヤモンドブレードにより深さ２０μｍｘ幅３０
０μｍの予備溝部を形成後、前記予備溝部幅より小さい
＃２００の粒径のダイヤモンドブレードにて成膜積層し
た磁性基板を切断後、主磁極部を厚膜部先端部より、摺
動面側に１０μｍの位置までダイヤモンド研摩を施した
。
さらに、前記研摩面のＮｉ−Ｚｎフェライト部を除く積
層薄膜部に、Ａｌ２Ｏ３被膜をスパッタリング法にて０
．５μｍｓ、膜し、摺動面に露出する主磁極部の深さ２
５０人の凹部に前記Ａｌ２Ｏ３被膜を充填した後、粒径
０．１μｍ以下のＭｇＯ粉末を超純水中に４ｗｔ％で懸
濁させ、Ｓｎからなる円盤型のポリラシャ−を用いｐＨ
１０，５にし、被加工材をこの懸濁液中でポリソシャー
面より２μｍ浮上させ１５分間研摩した。
層薄膜部に、Ａｌ２Ｏ３被膜をスパッタリング法にて０
．５μｍｓ、膜し、摺動面に露出する主磁極部の深さ２
５０人の凹部に前記Ａｌ２Ｏ３被膜を充填した後、粒径
０．１μｍ以下のＭｇＯ粉末を超純水中に４ｗｔ％で懸
濁させ、Ｓｎからなる円盤型のポリラシャ−を用いｐＨ
１０，５にし、被加工材をこの懸濁液中でポリソシャー
面より２μｍ浮上させ１５分間研摩した。
その結果、主磁極部をＷＹＫＯ社製の非接触表面形状測
定機を用いて測定した結果、この発明による薄膜磁気ヘ
ッドの主磁極部は１００人の突出であった。
定機を用いて測定した結果、この発明による薄膜磁気ヘ
ッドの主磁極部は１００人の突出であった。
ちなみに、従来の製造方法により得られた薄膜磁気ヘッ
ドのポールリセッションは２００人〜３００人であった
。
ドのポールリセッションは２００人〜３００人であった
。
また、この発明法及び従来法により得られた薄膜磁気ヘ
ッドの主磁極膜の突出を測定した結果を第２図ａ、ｂに
表す。第２図ａがこの発明による薄膜磁気ヘッド、同図
すが従来法により得られた薄膜磁気ヘッドの場合を示す
。縦軸は、主磁極膜の突出量を、横軸はヘッド端からの
距離を表す。
ッドの主磁極膜の突出を測定した結果を第２図ａ、ｂに
表す。第２図ａがこの発明による薄膜磁気ヘッド、同図
すが従来法により得られた薄膜磁気ヘッドの場合を示す
。縦軸は、主磁極膜の突出量を、横軸はヘッド端からの
距離を表す。
ここでは、測定する摺動面が光学定数の異なる薄膜の積
層であり、測定に誤差が生じるため、Ａｕを１００人厚
みで蒸着し、同一光学定数として測定した。
層であり、測定に誤差が生じるため、Ａｕを１００人厚
みで蒸着し、同一光学定数として測定した。
発明の効果
この発明は、垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造に際し
、記録媒体に対向する摺動面の前記積層端面に酸化物被
膜を成膜して、切断、研摩加工に伴う主磁極部の四部に
前記酸化物を充填後、所要寸法に主磁極が突出するよう
ＭＣＰ研摩することにより、得られた垂直薄膜磁気ヘッ
ドは、スペーシングロスを低減でき、出力、記録再生な
どヘッド特性の改善向上を計ることができる。
、記録媒体に対向する摺動面の前記積層端面に酸化物被
膜を成膜して、切断、研摩加工に伴う主磁極部の四部に
前記酸化物を充填後、所要寸法に主磁極が突出するよう
ＭＣＰ研摩することにより、得られた垂直薄膜磁気ヘッ
ドは、スペーシングロスを低減でき、出力、記録再生な
どヘッド特性の改善向上を計ることができる。
第１図ａ−ｏはこの発明による垂直磁気記録再生薄膜ヘ
ッドの製造工程を示す説明図である。 第２図ａ、ｂは薄膜磁気ヘッドの主磁極部をＷＹＫＯ社
製の非接触表面形状測定機を用いて測定した結果を示す
グラフである。第２図ａがこの発明による薄膜磁気ヘッ
ド、同図すが従来法により得られた薄膜磁気ヘッドの場
合を示す。なお、同図ａで突出した部分が主磁極部であ
る。 １・・・溝構造磁性基板、２・・・主溝部、２０・・・
細溝部、３・・・非磁性材、４・・・薄膜導体コイル、
５・・・層間絶縁被膜、６・・・リターンパス部、 ７・・・厚膜主磁極膜、８・・・主磁極膜、９・・・ヘ
ッド保護膜、１０・・・予備溝部、１工・・・酸化物被
膜、１４・・・ＡＢＳ面。
ッドの製造工程を示す説明図である。 第２図ａ、ｂは薄膜磁気ヘッドの主磁極部をＷＹＫＯ社
製の非接触表面形状測定機を用いて測定した結果を示す
グラフである。第２図ａがこの発明による薄膜磁気ヘッ
ド、同図すが従来法により得られた薄膜磁気ヘッドの場
合を示す。なお、同図ａで突出した部分が主磁極部であ
る。 １・・・溝構造磁性基板、２・・・主溝部、２０・・・
細溝部、３・・・非磁性材、４・・・薄膜導体コイル、
５・・・層間絶縁被膜、６・・・リターンパス部、 ７・・・厚膜主磁極膜、８・・・主磁極膜、９・・・ヘ
ッド保護膜、１０・・・予備溝部、１工・・・酸化物被
膜、１４・・・ＡＢＳ面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ リターンパス用磁性基板の一主面に、磁気記録媒体に対
向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材を
充填し、該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間
絶縁膜、主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつリ
ターンパス部にて磁性基板と主磁極膜と接続したリター
ンパス用磁性基板からなる垂直磁気記録再生薄膜ヘッド
において、前記摺動面の主磁極膜が前記積層端面に露出
または３００Å以下の高さで突出していることを特徴と
する垂直磁気記録再生薄膜ヘッド。 ２ リターンパス用磁性基板の一主面に、磁気記録媒体に対
向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材を
充填し、該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間
絶縁膜、主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつリ
ターンパス部にて磁性基板と主磁極膜と接続したリター
ンパス用磁性基板を所要寸法に切断、研摩加工後、記録
媒体に対向する摺動面の切断、研摩加工に伴う主磁極部
の凹部に前記酸化物を充填後、 粒径０．１μｍ以下のＭｇＯ、ＳｉＯ＿２、Ａｌ＿２Ｏ
＿３、ＺｒＯ微粉末の単独または混合微粉末を純水中に
３〜６ｗｔ％懸濁させた懸濁液をｐＨ９〜１１．５調整
した後、前記被加工材をポリシャーより５μｍ以下浮上
させ、相対的に回転させて研摩し、前記摺動面の主磁極
膜が前記積層端面に露出させるかまたは３００Å以下の
高さに突出させることを特徴とする垂直磁気記録再生薄
膜ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31002890A JPH04178910A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31002890A JPH04178910A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04178910A true JPH04178910A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=18000293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31002890A Pending JPH04178910A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04178910A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033358A1 (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of forming an assembly of stacked layers |
| US6219200B1 (en) | 1993-06-29 | 2001-04-17 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head with air bearing end face of magnetic film protruding beyond air bearing end face of substrate |
| US7271982B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head built using an air-bearing surface damascene process |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP31002890A patent/JPH04178910A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6219200B1 (en) | 1993-06-29 | 2001-04-17 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head with air bearing end face of magnetic film protruding beyond air bearing end face of substrate |
| WO2000033358A1 (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of forming an assembly of stacked layers |
| US7271982B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head built using an air-bearing surface damascene process |
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