JPH0250311A - 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板 - Google Patents
垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板Info
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- JPH0250311A JPH0250311A JP20236488A JP20236488A JPH0250311A JP H0250311 A JPH0250311 A JP H0250311A JP 20236488 A JP20236488 A JP 20236488A JP 20236488 A JP20236488 A JP 20236488A JP H0250311 A JPH0250311 A JP H0250311A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、垂直磁気記録再生薄膜磁気ヘッド用の溝構
造磁性基板の改良に係り、非磁性材を充填し加工組立後
に磁気記録媒体との対向位置となる溝部内面を階段状に
形成することにより、記録媒体から漏洩する磁束のリタ
ーンバスコアエツジへノ集中(コンタ−効果)によるヘ
ッドの電磁変換特性の劣化を防止した薄膜ヘッド用溝構
造磁性基板に関する。
造磁性基板の改良に係り、非磁性材を充填し加工組立後
に磁気記録媒体との対向位置となる溝部内面を階段状に
形成することにより、記録媒体から漏洩する磁束のリタ
ーンバスコアエツジへノ集中(コンタ−効果)によるヘ
ッドの電磁変換特性の劣化を防止した薄膜ヘッド用溝構
造磁性基板に関する。
背景技術
一般に、垂直磁気記録再生薄膜ヘッド(以下、薄膜磁気
ヘッドという)は、磁気回路が微小であること、高透磁
率、高飽和磁束密度の磁性薄膜を用いるという点で、磁
気記録の高密度化に適しており、半導体テクノロジーに
基づく製造プロセスで製造されるため、高精度の磁気ヘ
ッドを低コストで製造可能であり、今後、磁気ヘッドの
主流となるものと考えられる。
ヘッドという)は、磁気回路が微小であること、高透磁
率、高飽和磁束密度の磁性薄膜を用いるという点で、磁
気記録の高密度化に適しており、半導体テクノロジーに
基づく製造プロセスで製造されるため、高精度の磁気ヘ
ッドを低コストで製造可能であり、今後、磁気ヘッドの
主流となるものと考えられる。
薄膜磁気ヘッドには、記録、再生用ヘッドとして用いら
れるインダクティブヘッド、再生・\ラドとして用いら
れる磁気抵抗効果型ヘッド等がある。垂直磁気記録再生
用のインダクティブヘッドは、例えば、第5図に薄膜ヘ
ッドのトランスジューサ一部の縦断説明図を示す如く、
ソフトフェライト等の磁性部材(1)と、これにギャッ
プ層(3)と薄膜導体コイル(4)と絶縁層(5)を介
して配設するパーマロイ、センダスト、あるいはCo系
アモルファス等からなる主磁極膜(7)と、該主磁極膜
の記録時の磁気飽和を防ぐための厚膜磁性膜(8)と保
護膜(9)とからなる。
れるインダクティブヘッド、再生・\ラドとして用いら
れる磁気抵抗効果型ヘッド等がある。垂直磁気記録再生
用のインダクティブヘッドは、例えば、第5図に薄膜ヘ
ッドのトランスジューサ一部の縦断説明図を示す如く、
ソフトフェライト等の磁性部材(1)と、これにギャッ
プ層(3)と薄膜導体コイル(4)と絶縁層(5)を介
して配設するパーマロイ、センダスト、あるいはCo系
アモルファス等からなる主磁極膜(7)と、該主磁極膜
の記録時の磁気飽和を防ぐための厚膜磁性膜(8)と保
護膜(9)とからなる。
従来技術の問題点
しかし、溝構造磁性基板を薄膜磁気ヘッドに用いる場合
、磁気記録媒体に対向する面に主磁極膜以外にリターン
パス用磁性部材のエツジ形状部分が露出し、前記露出部
形状効果(コンタ−効果)によって、そのエツジ部に媒
体からの漏洩磁束が集中することにより、再生波形に発
生するノイズピーク、すなわち、第6図に示す如く、主
ピーク以外に副ピーク(コンタ−効果によるピーク)が
発生し、波形歪み及び記録密度特性の劣化を招来する問
題があった。
、磁気記録媒体に対向する面に主磁極膜以外にリターン
パス用磁性部材のエツジ形状部分が露出し、前記露出部
形状効果(コンタ−効果)によって、そのエツジ部に媒
体からの漏洩磁束が集中することにより、再生波形に発
生するノイズピーク、すなわち、第6図に示す如く、主
ピーク以外に副ピーク(コンタ−効果によるピーク)が
発生し、波形歪み及び記録密度特性の劣化を招来する問
題があった。
発明の目的
この発明は、媒体からの漏洩磁束が磁気記録媒体に対向
する磁性基板と溝部に充填された非磁性材との交互角部
に集中することにより生ずる、波形劣化を防止するのに
有効な構造からなる垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構
造磁性基板の提供を目的としている。
する磁性基板と溝部に充填された非磁性材との交互角部
に集中することにより生ずる、波形劣化を防止するのに
有効な構造からなる垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構
造磁性基板の提供を目的としている。
発明の概要
発明者は、磁気記録媒体に対向するリターンパス用磁性
部材と溝部に充填された非磁性材との交互角部への磁束
集中(コンタ−効果)による波形劣化を防止するため、
特に、リターンパス用磁性部材形状について種々検討し
た結果、磁性部材に配設された溝部の所要内面を階段状
の特定形状にすることにより、薄膜ヘッドのリターンパ
ス用磁性部材のコンタ−効果による波形歪を低減するに
有効なることを知見した。
部材と溝部に充填された非磁性材との交互角部への磁束
集中(コンタ−効果)による波形劣化を防止するため、
特に、リターンパス用磁性部材形状について種々検討し
た結果、磁性部材に配設された溝部の所要内面を階段状
の特定形状にすることにより、薄膜ヘッドのリターンパ
ス用磁性部材のコンタ−効果による波形歪を低減するに
有効なることを知見した。
すなわち、この発明は、
磁性基板の一主面に非磁性材を充填する複数の溝部を一
定間隔で設けた垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁
性基板において、薄膜ヘッド組立後の磁気記録媒体の対
向面に相当する溝部内面を階段状に形成したことを特徴
とする垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板で
ある。
定間隔で設けた垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁
性基板において、薄膜ヘッド組立後の磁気記録媒体の対
向面に相当する溝部内面を階段状に形成したことを特徴
とする垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板で
ある。
発明の構成
この発明は、Ni−Zn系、Mn−Zn系フェライト等
の磁性基板の一主面に、ガラス、5i02、Al2O3
、チタン酸バリウム等の非磁性材を充填する複数の溝部
を一定間隔で設けた溝構造磁性基板であり、薄膜ヘッド
組立後、磁気記録媒体の対向面に相当する溝部内面を、
例えば、第2図a−cに示す如く、種々の階段状に形成
することにより、前記基板より作成された薄膜磁気ヘッ
ドは、記録媒体がらの漏洩磁束が磁性基板(10)の媒
体対向面に露出している露出面(22)と溝部(2)に
充填した非磁性材(3)との少なくとも1ケ所以上の交
互角部及び非磁性材(3)との対向面(22)に分散す
るため、従来の溝構造基板の欠点であったコンタ−効果
による副ピークを小さくすることができる。
の磁性基板の一主面に、ガラス、5i02、Al2O3
、チタン酸バリウム等の非磁性材を充填する複数の溝部
を一定間隔で設けた溝構造磁性基板であり、薄膜ヘッド
組立後、磁気記録媒体の対向面に相当する溝部内面を、
例えば、第2図a−cに示す如く、種々の階段状に形成
することにより、前記基板より作成された薄膜磁気ヘッ
ドは、記録媒体がらの漏洩磁束が磁性基板(10)の媒
体対向面に露出している露出面(22)と溝部(2)に
充填した非磁性材(3)との少なくとも1ケ所以上の交
互角部及び非磁性材(3)との対向面(22)に分散す
るため、従来の溝構造基板の欠点であったコンタ−効果
による副ピークを小さくすることができる。
この発明において、磁性基板(1)に配置される溝部(
2)に設ける階段状内面(21)形状は、第2図a、b
の如く、溝部(2)底面の中央部付近が平面状でこれよ
り1段あるいは数段の階段状に形成したり、また、第2
図Cの如く、階段状内面(21ンの立ち上がり部が傾斜
した構成など、その他階段状であれば何れも形状でも利
用でき、前述した作用効果が得られる。
2)に設ける階段状内面(21)形状は、第2図a、b
の如く、溝部(2)底面の中央部付近が平面状でこれよ
り1段あるいは数段の階段状に形成したり、また、第2
図Cの如く、階段状内面(21ンの立ち上がり部が傾斜
した構成など、その他階段状であれば何れも形状でも利
用でき、前述した作用効果が得られる。
また、この発明において、磁性基板に配設された階段状
内面(21)と垂直磁気記録媒体との対向面となる前記
基板端面との好ましい寸法関係は、第2図aに示す如く
、溝部(2)中央部深さをD、同中央部平坦面幅をS、
階段状内面(21)が1段の場合の各高さをdA、 d
Bとすると、下記の如くである。
内面(21)と垂直磁気記録媒体との対向面となる前記
基板端面との好ましい寸法関係は、第2図aに示す如く
、溝部(2)中央部深さをD、同中央部平坦面幅をS、
階段状内面(21)が1段の場合の各高さをdA、 d
Bとすると、下記の如くである。
3、OL1m≦dA≦10010
0p、0pm≦dB≦400pm
13.0pm5D≦500pm
5、鋤m≦8≦1100p
また、この発明の磁性基板は、第1図の如く、所要溝部
を対称に突合せた1つの溝形状となした複数の溝部を一
定間隔で設け、かっ該溝部中央及び溝部間で分割切断す
るほか、第2図の如く、溝部形状を最初から単独の所要
溝部形状とすることができる。
を対称に突合せた1つの溝形状となした複数の溝部を一
定間隔で設け、かっ該溝部中央及び溝部間で分割切断す
るほか、第2図の如く、溝部形状を最初から単独の所要
溝部形状とすることができる。
この発明の溝構造磁性基板を用いて、薄膜磁気ヘッドを
製造する工程を第3図に基いて説明する。
製造する工程を第3図に基いて説明する。
■Ni−Zn系またはMn−Zn系フェライトの磁性基
板(1)の−主面に、階段状内面(21)を有する複数
の溝部(2)を所要パターンにて配設し、複数の溝部(
2)に、ガラス、5i02、Al2O3、チタン酸バリ
ウム等の非磁性材(3)を充填し、その後、磁性基板(
1)の前記溝部(2)を設けた主面に、メカノケミカル
研摩を施す。
板(1)の−主面に、階段状内面(21)を有する複数
の溝部(2)を所要パターンにて配設し、複数の溝部(
2)に、ガラス、5i02、Al2O3、チタン酸バリ
ウム等の非磁性材(3)を充填し、その後、磁性基板(
1)の前記溝部(2)を設けた主面に、メカノケミカル
研摩を施す。
■磁性基板(1)の前記研摩面に、Cu、 AI等の薄
膜導体コイル(4)を形成する。(a図)なお、前記磁
性部材がMn−Zn系フェライトの場合、薄膜導体コイ
ル形成前に絶縁層を設ける。
膜導体コイル(4)を形成する。(a図)なお、前記磁
性部材がMn−Zn系フェライトの場合、薄膜導体コイ
ル形成前に絶縁層を設ける。
■この薄膜導体コイル(4)層と後に被着する主磁極膜
(7)との電気的絶縁のために、5i02、Al2O3
等の無機酸化膜からなる層間絶縁被膜(5)を、スパッ
タリング法等にて形成する。
(7)との電気的絶縁のために、5i02、Al2O3
等の無機酸化膜からなる層間絶縁被膜(5)を、スパッ
タリング法等にて形成する。
(b図)
■前記薄膜導体コイル(4)による層間絶縁被膜(5)
の凹凸面を除去するため、ダイヤモンド研摩等の精密研
摩を施して、500A以下に平坦化する。(0図) ■後工程にて被着する主磁極膜(7)と磁性基板(1)
を接続するためのリターンバス部(6)を、前記層間絶
縁被膜(5)に、イオンエツチング、ケミカルエツチン
グ等の方法にて形成する。(d図) ■前記層間絶縁被膜(5)面の加工歪及びエツジ部(5
a)の角部を除去し、さらに磁性基板(1)面の加工歪
を除去するため、当該主面全面にメカノケミカル研摩を
施す。
の凹凸面を除去するため、ダイヤモンド研摩等の精密研
摩を施して、500A以下に平坦化する。(0図) ■後工程にて被着する主磁極膜(7)と磁性基板(1)
を接続するためのリターンバス部(6)を、前記層間絶
縁被膜(5)に、イオンエツチング、ケミカルエツチン
グ等の方法にて形成する。(d図) ■前記層間絶縁被膜(5)面の加工歪及びエツジ部(5
a)の角部を除去し、さらに磁性基板(1)面の加工歪
を除去するため、当該主面全面にメカノケミカル研摩を
施す。
これにより、前記層間絶縁被膜(5)面及びリターンバ
ス部(6)の磁性基板(1)面は、加工歪が除去されて
無歪化し、かつ表面粗度が100λ以下、好ましくは4
0Å以下に仕上げられる。
ス部(6)の磁性基板(1)面は、加工歪が除去されて
無歪化し、かつ表面粗度が100λ以下、好ましくは4
0Å以下に仕上げられる。
■前記メカノケミカル研摩後、層間絶縁被膜(5)の面
及びリターンバス部(6)の磁性基板(1)面上に、パ
ーマロイ、センダスト等のFe系合金あるいはアルモル
ファス等からなる主磁極膜(7)をスパッタリング法、
蒸着法、めっき法等にて被着形成パターン化する。(e
図) ■その後、前記主磁極膜(7)上に主磁極の磁気飽和を
防ぐために厚膜主磁極膜(8)をスパッタリング法、蒸
着法、めっき法等にて被着形成パターン化し、(ル0 ■ヘッド保護膜(9)を積層被着する。(g図)[株]
その後、所要寸法、形状に切断して第4図の如き薄膜磁
気ヘッドが得られる。
及びリターンバス部(6)の磁性基板(1)面上に、パ
ーマロイ、センダスト等のFe系合金あるいはアルモル
ファス等からなる主磁極膜(7)をスパッタリング法、
蒸着法、めっき法等にて被着形成パターン化する。(e
図) ■その後、前記主磁極膜(7)上に主磁極の磁気飽和を
防ぐために厚膜主磁極膜(8)をスパッタリング法、蒸
着法、めっき法等にて被着形成パターン化し、(ル0 ■ヘッド保護膜(9)を積層被着する。(g図)[株]
その後、所要寸法、形状に切断して第4図の如き薄膜磁
気ヘッドが得られる。
かかる工程を経て得られた磁性基板(1)の溝部(2)
に階段状内面(21)を有する第4図に示す薄膜磁気ヘ
ッドは、層間絶縁被膜(5)面及びリターンバス部(6
)の露出した磁性基板(1)面が無歪化され、リターン
バス部の隅角部が所要の柑犬になり、主磁極が形成され
る面内の全域が均一、かつすぐれた面粗度を有するため
、この面上に被着形成する主磁極膜(7)の磁気特性を
向上させる効果がある。
に階段状内面(21)を有する第4図に示す薄膜磁気ヘ
ッドは、層間絶縁被膜(5)面及びリターンバス部(6
)の露出した磁性基板(1)面が無歪化され、リターン
バス部の隅角部が所要の柑犬になり、主磁極が形成され
る面内の全域が均一、かつすぐれた面粗度を有するため
、この面上に被着形成する主磁極膜(7)の磁気特性を
向上させる効果がある。
実施例
以下、この発明の詳細な説明する。
表面を精密仕上げしたNi−Znフェライト基板上に、
幅0.3mmX深さ0.O15mmX長さ25画画情溝
3本、機械加工で形成する。
幅0.3mmX深さ0.O15mmX長さ25画画情溝
3本、機械加工で形成する。
さらに、溝部中央付近に、幅0.15x深さ0.025
x長さ25mmの溝を機械加工で形成する。
x長さ25mmの溝を機械加工で形成する。
このようにして得られた階段状溝部に、5pm以上の気
泡が1ケ/mm3以下の状態でガラスを充填した後、前
記主面にメカノケミカル研摩を施し、前記研摩面上に、
薄膜導体コイル用Cu膜をスパッタリングにて形成し、
所定形状のパターン化する。
泡が1ケ/mm3以下の状態でガラスを充填した後、前
記主面にメカノケミカル研摩を施し、前記研摩面上に、
薄膜導体コイル用Cu膜をスパッタリングにて形成し、
所定形状のパターン化する。
その後、電気的絶縁のための層間絶縁被膜として、5i
02をスパッタリング法にて被着したのち、該表面に下
記条件のダイヤモンド研摩を施して、500A以下に平
坦化した。
02をスパッタリング法にて被着したのち、該表面に下
記条件のダイヤモンド研摩を施して、500A以下に平
坦化した。
つぎに、前記層間絶縁被膜に、イオンエツチングにてリ
ターンバス部を形成した後、当該主面全面に、下記条件
のメカノケミカル研摩を施した。
ターンバス部を形成した後、当該主面全面に、下記条件
のメカノケミカル研摩を施した。
これにより、前記層間絶縁被膜及び露出磁性基板面は、
表面粗度が30A以下となった。
表面粗度が30A以下となった。
メカノケミカル研摩後、CO系アモルファスからなる主
磁極膜をスパッタリング法にて被着形成パターン化し、
さらに、CO系アモルファスからなる厚膜主磁極膜をス
パッタリング法にて被着形成パターン化し、さらにAl
2O3からなるヘッド保護膜を積層被着した。
磁極膜をスパッタリング法にて被着形成パターン化し、
さらに、CO系アモルファスからなる厚膜主磁極膜をス
パッタリング法にて被着形成パターン化し、さらにAl
2O3からなるヘッド保護膜を積層被着した。
その後、記録媒体に対向するリターンパス用磁性部材の
1主面が、段階状になるように所要寸法、形状に切断加
工し、垂直薄膜ヘッドを作製した。
1主面が、段階状になるように所要寸法、形状に切断加
工し、垂直薄膜ヘッドを作製した。
このようにして、得られた垂直薄膜ヘッドの記録再生特
性を評価した。
性を評価した。
また、比較のため、輻0.3×深さ0.015mmの溝
にガラスを充填した従来のNi−Znフェライト基板よ
り上記と同じ方法で垂直薄膜ヘッドを作り、これも同様
に評価した。
にガラスを充填した従来のNi−Znフェライト基板よ
り上記と同じ方法で垂直薄膜ヘッドを作り、これも同様
に評価した。
これら、溝形状の異なる2種のヘッドからの再生出力波
形の結果において、第7図において、b図に示す従来の
溝構造基板を用いた薄膜磁気ヘッドではコンタ−効果に
よる副ピークが出現したのに対し、a図に示すこの発明
による基板を用いた薄膜磁気ヘッドではコンタ−効果に
よる副ピークの出現は、著しく減少した。
形の結果において、第7図において、b図に示す従来の
溝構造基板を用いた薄膜磁気ヘッドではコンタ−効果に
よる副ピークが出現したのに対し、a図に示すこの発明
による基板を用いた薄膜磁気ヘッドではコンタ−効果に
よる副ピークの出現は、著しく減少した。
従って、この発明による磁性基板を用いた薄膜磁気ヘッ
ドは、コンタ−効果による副ピーク発生を著しく低減で
き、記録密度特性を向上させ得ることが分る。
ドは、コンタ−効果による副ピーク発生を著しく低減で
き、記録密度特性を向上させ得ることが分る。
メカノケミカル研摩条件
加工機 ・15インチMCP盤ポリッシャー;
不織布 バbダー ;粒度0.02pm以下、MgO回転数
; 20ppm 加圧力 ; 0.5kg/mm2ダイヤモンド研
摩条件 加工機 ;15インチ片面ラップ盤ポリッシャー
纂Sn盤 ダイヤモンド;粒度0.5〜111m 回転数 ; 30ppm 加圧力 ; 0.5kg/mm2匹脳口几■Jは
ゑ止 ディスク回転数; 3600rpm 媒体 ; Co−Cr / Ni−Fe使用周波
数 ; IMHz 記録電流 ; 20mAp−P 相対速度 ・v=15mls
不織布 バbダー ;粒度0.02pm以下、MgO回転数
; 20ppm 加圧力 ; 0.5kg/mm2ダイヤモンド研
摩条件 加工機 ;15インチ片面ラップ盤ポリッシャー
纂Sn盤 ダイヤモンド;粒度0.5〜111m 回転数 ; 30ppm 加圧力 ; 0.5kg/mm2匹脳口几■Jは
ゑ止 ディスク回転数; 3600rpm 媒体 ; Co−Cr / Ni−Fe使用周波
数 ; IMHz 記録電流 ; 20mAp−P 相対速度 ・v=15mls
第1図はこの発明による磁性基板の斜視説明図ある。第
2図a−cは磁性基板の溝部形状を示す説明図である。 第3図a−gはこの発明による磁性基板を用いた薄膜磁
気ヘッドの製造工程を示す説明図である。 第4図はこの発明による磁性基板を用いた薄膜磁気ヘッ
ド0縦断説明図である。 第5図は従来の磁性基板を用いた薄膜磁気ヘッドの騨説
明図である。 第6図は再生出力波形曲線図である。 第7図は薄膜磁気ヘッドとコンタ−効果の出現との関係
を示す模式図であり、a図がこの発明の場合、b図が従
来の場合を示す。 1・・・磁性基板、2・・・溝部、3・・・非磁性材、
4・・・薄膜導体コイル、5・・・層間絶縁被膜、6・
・・リターン、バス部、7・・・主磁極膜、8・・・厚
膜主磁極膜、9・・・ヘッド保護膜、20・・・露出面
、21・・・階段状内面、22・・・対向面。 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 (b)
2図a−cは磁性基板の溝部形状を示す説明図である。 第3図a−gはこの発明による磁性基板を用いた薄膜磁
気ヘッドの製造工程を示す説明図である。 第4図はこの発明による磁性基板を用いた薄膜磁気ヘッ
ド0縦断説明図である。 第5図は従来の磁性基板を用いた薄膜磁気ヘッドの騨説
明図である。 第6図は再生出力波形曲線図である。 第7図は薄膜磁気ヘッドとコンタ−効果の出現との関係
を示す模式図であり、a図がこの発明の場合、b図が従
来の場合を示す。 1・・・磁性基板、2・・・溝部、3・・・非磁性材、
4・・・薄膜導体コイル、5・・・層間絶縁被膜、6・
・・リターン、バス部、7・・・主磁極膜、8・・・厚
膜主磁極膜、9・・・ヘッド保護膜、20・・・露出面
、21・・・階段状内面、22・・・対向面。 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 (b)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 磁性基板の一主面に非磁性材を充填する複数の溝部を一
定間隔で設けた垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁
性基板において、薄膜ヘッド組立後の磁気記録媒体の対
向面に相当する溝部内面を階段状に形成したことを特徴
とする垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20236488A JPH0250311A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20236488A JPH0250311A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250311A true JPH0250311A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16456283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20236488A Pending JPH0250311A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0250311A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5130111A (en) * | 1989-08-25 | 1992-07-14 | Wayne State University, Board Of Governors | Synthetic diamond articles and their method of manufacture |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6236714A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直薄膜磁気ヘツド |
JPS62177710A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直磁気ヘツド |
JPS63308717A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Tdk Corp | 垂直薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20236488A patent/JPH0250311A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6236714A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直薄膜磁気ヘツド |
JPS62177710A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直磁気ヘツド |
JPS63308717A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Tdk Corp | 垂直薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5130111A (en) * | 1989-08-25 | 1992-07-14 | Wayne State University, Board Of Governors | Synthetic diamond articles and their method of manufacture |
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