JPH0775048B2 - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0775048B2 JPH0775048B2 JP61313169A JP31316986A JPH0775048B2 JP H0775048 B2 JPH0775048 B2 JP H0775048B2 JP 61313169 A JP61313169 A JP 61313169A JP 31316986 A JP31316986 A JP 31316986A JP H0775048 B2 JPH0775048 B2 JP H0775048B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘツドの製造方法に関するものであり、特
に磁気ギヤツプ近傍部が磁性金属膜で形成され、磁気コ
アの大部分が酸化物磁性材よりなる磁気ヘツドの製造方
法に関するものである。
に磁気ギヤツプ近傍部が磁性金属膜で形成され、磁気コ
アの大部分が酸化物磁性材よりなる磁気ヘツドの製造方
法に関するものである。
近年、例えばVTR,ビデオフロツピー等の磁気記録再生装
置においては、高密度記録の要求に伴い、その記録媒体
として抗磁力Hcの大きな、いわゆるメタルテープ，メタ
ルシート等が用いられるようになってきた。このように
抗磁力の大きな磁気記録媒体に対応した記録再生用磁気
ヘツドのヘツド材料としては、高い飽和磁束密度Bsと高
透磁率とを有していることが必要となる。
置においては、高密度記録の要求に伴い、その記録媒体
として抗磁力Hcの大きな、いわゆるメタルテープ，メタ
ルシート等が用いられるようになってきた。このように
抗磁力の大きな磁気記録媒体に対応した記録再生用磁気
ヘツドのヘツド材料としては、高い飽和磁束密度Bsと高
透磁率とを有していることが必要となる。
これに対し、例えば従来磁気ヘツド材料として多用され
てきたフエライト材ではBsが低い問題がある。そこで高
いBsを有するセンダスト（Fe−Al−Si合金）のような合
金のバルク材を磁気コアに用いる提案がされている。し
かし金属磁性材をコア材に用いた場合、渦電流損失が問
題となり、高周波領域における高い透磁率が得られな
い。
てきたフエライト材ではBsが低い問題がある。そこで高
いBsを有するセンダスト（Fe−Al−Si合金）のような合
金のバルク材を磁気コアに用いる提案がされている。し
かし金属磁性材をコア材に用いた場合、渦電流損失が問
題となり、高周波領域における高い透磁率が得られな
い。
そのため薄膜形成技術を用いて、金属磁性材と絶縁体を
交互に積層して多層膜としたものをコア材とする検討が
行われた。その結果第３図に示すような、セラミツク等
の非磁性ガード材11,11′でセンダスト等及びSiO2等よ
りなる多層強磁性金属薄膜10,10′を挟みこの多層膜10,
10′でトラツク及び磁気ギヤツプ12を形成した磁気ヘツ
ドが提案されている。この種の磁気ヘツドは狭トラツク
化が可能であるが、前記強磁性膜10,10′はトラツク巾
に相当する膜厚をセラミツクス基板11,11′上に形成し
なくてはならず、現状の薄膜形成技術では、その膜成長
速度に限界があり、その薄膜作製に多くの時間を要す
る。またこのように平面的に形成する磁気ヘツドは１個
１個を突合せる方法によって作製せざるを得ないので、
生産性が低い。
交互に積層して多層膜としたものをコア材とする検討が
行われた。その結果第３図に示すような、セラミツク等
の非磁性ガード材11,11′でセンダスト等及びSiO2等よ
りなる多層強磁性金属薄膜10,10′を挟みこの多層膜10,
10′でトラツク及び磁気ギヤツプ12を形成した磁気ヘツ
ドが提案されている。この種の磁気ヘツドは狭トラツク
化が可能であるが、前記強磁性膜10,10′はトラツク巾
に相当する膜厚をセラミツクス基板11,11′上に形成し
なくてはならず、現状の薄膜形成技術では、その膜成長
速度に限界があり、その薄膜作製に多くの時間を要す
る。またこのように平面的に形成する磁気ヘツドは１個
１個を突合せる方法によって作製せざるを得ないので、
生産性が低い。
そこでさらに、第４図に示しすように、一対の磁気コア
半体の大部分20,20′をMn−Znフエライト等の酸化物磁
性体により形成するとともに、磁気ギヤツプ形成面にス
パツタリング等の真空薄膜作製技術を用いてセンダスト
等の磁性金属膜21,21′を形成し、こうして得られる一
対のコア半体を高融点ガラス24,24′で接合することに
より構成される磁気ヘツドが提案されている。この種の
磁気ヘツドにあっては、磁気ギヤツプ25近傍が高飽和磁
束密度を有する強磁性金属薄膜21,21′により構成され
ていることから、メタルテープ等の高抗磁力を有する磁
気記録媒体に対応し、充分な記録再生特性を発揮するこ
とができる。またテープ摺動面にフエライト等の磁性酸
化物が大部分をしめており、それ由に耐摩耗性の優れた
ものとなっている。
半体の大部分20,20′をMn−Znフエライト等の酸化物磁
性体により形成するとともに、磁気ギヤツプ形成面にス
パツタリング等の真空薄膜作製技術を用いてセンダスト
等の磁性金属膜21,21′を形成し、こうして得られる一
対のコア半体を高融点ガラス24,24′で接合することに
より構成される磁気ヘツドが提案されている。この種の
磁気ヘツドにあっては、磁気ギヤツプ25近傍が高飽和磁
束密度を有する強磁性金属薄膜21,21′により構成され
ていることから、メタルテープ等の高抗磁力を有する磁
気記録媒体に対応し、充分な記録再生特性を発揮するこ
とができる。またテープ摺動面にフエライト等の磁性酸
化物が大部分をしめており、それ由に耐摩耗性の優れた
ものとなっている。
しかしながら、上述の第４図に示した磁気ヘツドにおい
てはコア材であるフエライト上に異種材料である磁性金
属膜21,21′を被着形成しているので、その境界23,23′
が疑似ギヤツプとして作用し電磁変換特性に悪影響を及
ぼすことが大きな問題となっている。特に、この磁気ヘ
ツドは強磁性金属膜21,21′を形成後に、一対の磁気コ
ア半体20,20′を高融点ガラス24,24′を用いて融着接合
してなるので、上記各磁性材料のフエライト及びセンダ
ストが高温に長時間さらされることとなり、夫々の磁性
材の境界23,23′において拡散反応を生じ易い。そのた
めこの境界部23,23′での磁気的不連続性が顕著なもの
となり、疑似ギヤツプとして作用し、いわゆるコンター
効果によるノイズを生じ易いという欠点がある。ここ
で、上記欠点を解決するために、いわゆる低融点ガラス
の使用し、融着接合時の温度を下げることも考えられて
いる。
てはコア材であるフエライト上に異種材料である磁性金
属膜21,21′を被着形成しているので、その境界23,23′
が疑似ギヤツプとして作用し電磁変換特性に悪影響を及
ぼすことが大きな問題となっている。特に、この磁気ヘ
ツドは強磁性金属膜21,21′を形成後に、一対の磁気コ
ア半体20,20′を高融点ガラス24,24′を用いて融着接合
してなるので、上記各磁性材料のフエライト及びセンダ
ストが高温に長時間さらされることとなり、夫々の磁性
材の境界23,23′において拡散反応を生じ易い。そのた
めこの境界部23,23′での磁気的不連続性が顕著なもの
となり、疑似ギヤツプとして作用し、いわゆるコンター
効果によるノイズを生じ易いという欠点がある。ここ
で、上記欠点を解決するために、いわゆる低融点ガラス
の使用し、融着接合時の温度を下げることも考えられて
いる。
低融点ガラスには耐摩耗性、耐水性、耐環境性等におい
て問題があり、この場合のようにテープ摺動面に大きく
低融点ガラスが露出するため、磁気ヘツドの信頼性が大
幅に低下する問題がある。
て問題があり、この場合のようにテープ摺動面に大きく
低融点ガラスが露出するため、磁気ヘツドの信頼性が大
幅に低下する問題がある。
以上述べたように、高抗磁力媒体に対応した磁気ヘツド
として提案された第３図に示すような磁気ヘツドは、生
産性に劣る問題があり、またこの問題点を解決するため
に提案された第４図に示すよう磁気ヘツドでは、製造時
の熱処理により疑似ギヤツプの作用が顕著なものとな
り、充分な記録再生特性が得づらいという問題がある。
として提案された第３図に示すような磁気ヘツドは、生
産性に劣る問題があり、またこの問題点を解決するため
に提案された第４図に示すよう磁気ヘツドでは、製造時
の熱処理により疑似ギヤツプの作用が顕著なものとな
り、充分な記録再生特性が得づらいという問題がある。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するために提
案されたものであって、テープ摺動面において酸化物磁
性材と磁性金属膜との境界面が磁気ギヤツプと平行であ
っても、その境界部が疑似ギヤツプとして作用すること
なく、かつ信頼性に優れた磁気ヘツドを効率良く作製す
る磁気ヘツドの製造方法を提供することを目的とする。
案されたものであって、テープ摺動面において酸化物磁
性材と磁性金属膜との境界面が磁気ギヤツプと平行であ
っても、その境界部が疑似ギヤツプとして作用すること
なく、かつ信頼性に優れた磁気ヘツドを効率良く作製す
る磁気ヘツドの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明による磁気ヘッドの製
造方法は、酸化物磁性材ブロックの一端面にトラック幅
規制溝を所定ピッチで形成する工程と、前記規制溝に第
１の非磁性材を充填する工程と、該充填後、前記酸化物
磁性材が露呈する面まで前記第１の非磁性材を平面研削
する工程と、前記研削面に露呈する酸化物磁性材の少な
くとも一部を選択的にエッチングして除去する工程と、
該除去部に磁性金属膜を配する工程と、該金属膜が配さ
れたブロック同士を該金属膜同士の少なくとも一部が対
向するよう突き合わせ、前記第１の非磁性材より低融点
の第２の非磁性材で接合する工程と、該接合されたブロ
ックを所定のヘッド幅となるよう切断する工程とを含む
ものである。
造方法は、酸化物磁性材ブロックの一端面にトラック幅
規制溝を所定ピッチで形成する工程と、前記規制溝に第
１の非磁性材を充填する工程と、該充填後、前記酸化物
磁性材が露呈する面まで前記第１の非磁性材を平面研削
する工程と、前記研削面に露呈する酸化物磁性材の少な
くとも一部を選択的にエッチングして除去する工程と、
該除去部に磁性金属膜を配する工程と、該金属膜が配さ
れたブロック同士を該金属膜同士の少なくとも一部が対
向するよう突き合わせ、前記第１の非磁性材より低融点
の第２の非磁性材で接合する工程と、該接合されたブロ
ックを所定のヘッド幅となるよう切断する工程とを含む
ものである。
上述の如き製造方法によれば、先ずトラツク幅規制溝に
高融点の非磁性材を充填し、磁気ギヤツプ形成部近傍に
磁性金属薄膜を被着し、一対の磁気コアブロツクを作製
した後、低融点の非磁性材を用いてこれら磁気コアブロ
ツクの磁性金属膜同志を突合せて接合しているので、上
記磁性金属膜形成後は磁気コアブロツクを高温にさらす
ことなく製造できる。したがって上記酸化物磁性材と上
記磁性金属膜との境界部での相互拡散反応が抑えられる
とともに、磁気記録媒体摺動面に露呈する非磁性材は高
融点であり、信頼性も確保される。また、上記各磁性材
の結合境界部を形成する前記酸化物磁性材側の表面はエ
ツチングされた面であり、切断，研磨，研削等加工履歴
によって発生した加工変質層が除去された状態となって
おり磁路の磁気抵抗が小さくなり、結果的に電磁変換効
率が向上する。
高融点の非磁性材を充填し、磁気ギヤツプ形成部近傍に
磁性金属薄膜を被着し、一対の磁気コアブロツクを作製
した後、低融点の非磁性材を用いてこれら磁気コアブロ
ツクの磁性金属膜同志を突合せて接合しているので、上
記磁性金属膜形成後は磁気コアブロツクを高温にさらす
ことなく製造できる。したがって上記酸化物磁性材と上
記磁性金属膜との境界部での相互拡散反応が抑えられる
とともに、磁気記録媒体摺動面に露呈する非磁性材は高
融点であり、信頼性も確保される。また、上記各磁性材
の結合境界部を形成する前記酸化物磁性材側の表面はエ
ツチングされた面であり、切断，研磨，研削等加工履歴
によって発生した加工変質層が除去された状態となって
おり磁路の磁気抵抗が小さくなり、結果的に電磁変換効
率が向上する。
以上、本発明による磁気ヘツドの製造方法の一実施例を
第１図（Ａ）〜（Ｉ）を参照しながら詳細に説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｉ）を参照しながら詳細に説明する。
まず第１図（Ａ）に示すように、例えばMn−Znフエライ
ト等の酸化物磁性材よりなる基板30の上面にトラツク幅
を規制する溝31を設け、山の部分の幅twがトラツク幅に
なるように所定のピツチをもって複数平行に形成する。
これらのトラツク幅規制溝31は、先端がＶ字状に整形さ
れた回転砥石等により所定の深さまで研削加工を行うこ
とによって得られる。
ト等の酸化物磁性材よりなる基板30の上面にトラツク幅
を規制する溝31を設け、山の部分の幅twがトラツク幅に
なるように所定のピツチをもって複数平行に形成する。
これらのトラツク幅規制溝31は、先端がＶ字状に整形さ
れた回転砥石等により所定の深さまで研削加工を行うこ
とによって得られる。
次に第１図（Ｂ）に示すように、上記トラツク幅規制溝
31内に第１の非磁性材である高融点ガラス32を600℃〜8
00℃の温度で30分〜60分程度N2雰囲気で流し込み、トラ
ツク幅規制溝31内に充填する。その後、第１図（Ｃ）に
示すように、上記高融点ガラス31のトラツク幅規制溝以
外に形成された部分を平面研削等により除去し、さらに
その面をダイヤモンド砥粒を用いて平面ラツプ仕上げを
行う。
31内に第１の非磁性材である高融点ガラス32を600℃〜8
00℃の温度で30分〜60分程度N2雰囲気で流し込み、トラ
ツク幅規制溝31内に充填する。その後、第１図（Ｃ）に
示すように、上記高融点ガラス31のトラツク幅規制溝以
外に形成された部分を平面研削等により除去し、さらに
その面をダイヤモンド砥粒を用いて平面ラツプ仕上げを
行う。
次に、高融点ガラス32とMn−Znフエライト等の酸化物磁
性材30とにおいて、酸化物磁性材30をエツチングする。
例えば酸化物磁性材30がMn−Znフエライトであればこれ
を選択的にエツチングするエツチヤント、例えばリン酸
水溶液等エツチングを行う。この様に酸化物磁性材30を
エツチングし、第１図（Ｄ）に示すような、トラツク溝
33を形成する。ここで本実施例では、このトラツク溝33
の深さが20〜30μｍ程度までエツチングした。
性材30とにおいて、酸化物磁性材30をエツチングする。
例えば酸化物磁性材30がMn−Znフエライトであればこれ
を選択的にエツチングするエツチヤント、例えばリン酸
水溶液等エツチングを行う。この様に酸化物磁性材30を
エツチングし、第１図（Ｄ）に示すような、トラツク溝
33を形成する。ここで本実施例では、このトラツク溝33
の深さが20〜30μｍ程度までエツチングした。
次いで、第１図（Ｅ）に示すように、トラツク溝33およ
び高融点ガラス32の上面にCo−Zr−Nb系の磁性金属薄膜
34をスパツタリング等により被着形成する。ここで磁性
金属薄膜34に用いる材質としては、いわゆるアモルフア
ス合金（例えばFe,Ni,Coの１つ以上の元素とP,B,Siの１
つ以上の元素とからなる合金、またはこれらを主成分と
し、Al,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含ん
だ合金）またはFe−Al−Si系合金,Fe−Al−Si−Ni系合
金,Fe−Al系合金,Fe−Si系合金,Fe−Ni系合金等が使用
可能であり、その成膜方法としても蒸着，スパツタリン
グ，イオンプレーテイング，イオンビームスパツタ法等
に代表される真空薄膜形成方法が用いられる。尚、本実
施例においては上記磁性金属薄膜34の膜厚を10μｍ〜20
μｍとした。
び高融点ガラス32の上面にCo−Zr−Nb系の磁性金属薄膜
34をスパツタリング等により被着形成する。ここで磁性
金属薄膜34に用いる材質としては、いわゆるアモルフア
ス合金（例えばFe,Ni,Coの１つ以上の元素とP,B,Siの１
つ以上の元素とからなる合金、またはこれらを主成分と
し、Al,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含ん
だ合金）またはFe−Al−Si系合金,Fe−Al−Si−Ni系合
金,Fe−Al系合金,Fe−Si系合金,Fe−Ni系合金等が使用
可能であり、その成膜方法としても蒸着，スパツタリン
グ，イオンプレーテイング，イオンビームスパツタ法等
に代表される真空薄膜形成方法が用いられる。尚、本実
施例においては上記磁性金属薄膜34の膜厚を10μｍ〜20
μｍとした。
次に第１図（Ｆ）に示すように、上記磁性金属薄膜34を
平面研削し、コアハーフブロツク80を得る。この平面研
削加工は高融点ガラス31が現われた時点、つまり磁性金
属薄膜34が酸化物磁性材30上にのみ残存した時点まで行
う。この加工面が磁気ギヤツプを形成する面に対応す
る。
平面研削し、コアハーフブロツク80を得る。この平面研
削加工は高融点ガラス31が現われた時点、つまり磁性金
属薄膜34が酸化物磁性材30上にのみ残存した時点まで行
う。この加工面が磁気ギヤツプを形成する面に対応す
る。
ここで上述した工程により得られた一対のコアハーフブ
ロツクを用意し、その一方に第１図（Ｇ）に示すような
巻線用溝35を形成し、巻線用溝の形成されたコアハーフ
ブロツク90を得る。
ロツクを用意し、その一方に第１図（Ｇ）に示すような
巻線用溝35を形成し、巻線用溝の形成されたコアハーフ
ブロツク90を得る。
次に、上記一対のコアハーフブロツク80,90のギヤツプ
面に対応する面を鏡面研磨し、それぞれの面のすくなく
とも一方にSiO2等の非磁性材よりなるギヤツプスペーサ
37を所定のギヤツプ長となるような厚さに形成する。
面に対応する面を鏡面研磨し、それぞれの面のすくなく
とも一方にSiO2等の非磁性材よりなるギヤツプスペーサ
37を所定のギヤツプ長となるような厚さに形成する。
そして第１図（Ｈ）に示すように、これら一対のコアハ
ーフブロツク80,90の各々磁性金属薄膜34同志が互いに
精度良くに付き合わされるように突合せ、これらコアハ
ーフブロツク80,90を第２の非磁性材としての低融点ガ
ラス36を融点を用いて、図中矢印Ｘで示す方向の静磁場
中、もしくは図中矢印Ｘで示す方向が法線方向となる面
内での回転磁場中で、350℃〜400℃の温度で接合する。
ーフブロツク80,90の各々磁性金属薄膜34同志が互いに
精度良くに付き合わされるように突合せ、これらコアハ
ーフブロツク80,90を第２の非磁性材としての低融点ガ
ラス36を融点を用いて、図中矢印Ｘで示す方向の静磁場
中、もしくは図中矢印Ｘで示す方向が法線方向となる面
内での回転磁場中で、350℃〜400℃の温度で接合する。
最後に、一点鎖線A,A′の位置で切断しヘツドチツプを
切り出す。もちろん同様な切出しで複数個のヘツドチツ
プが得られる。この様にして得られたヘツドチツプの媒
体摺動面を所定の曲率半径に加工することにより、第１
図（Ｉ）に示すような磁気ヘツドコアが完成する。更に
このコアに巻線を施して磁気ヘツドを得る。
切り出す。もちろん同様な切出しで複数個のヘツドチツ
プが得られる。この様にして得られたヘツドチツプの媒
体摺動面を所定の曲率半径に加工することにより、第１
図（Ｉ）に示すような磁気ヘツドコアが完成する。更に
このコアに巻線を施して磁気ヘツドを得る。
このようにして得られた磁気ヘツドは、磁気ギヤツプ37
に平行に酸化物磁性材30と磁性金属薄膜の境界部a,a′
が形成されているにもかかわらず、これら境界部a,a′
の疑似ギヤツプとしての作用を非常に小さくすることが
できた。本実施例により製造された磁気ヘツドの疑似ギ
ヤツプa,a′の再生出力は、主ギヤツプのそれに比べ−4
0〜−50dBに抑えられており、アナログ記録再生に充分
に対応できるものとなっている。また、この磁気ヘツド
のテープ摺動面は高融点ガラス32と磁性金属膜34、およ
び酸化物磁性材で構成されているので耐摩耗性等が向上
し、信頼性に優れたものとなる。
に平行に酸化物磁性材30と磁性金属薄膜の境界部a,a′
が形成されているにもかかわらず、これら境界部a,a′
の疑似ギヤツプとしての作用を非常に小さくすることが
できた。本実施例により製造された磁気ヘツドの疑似ギ
ヤツプa,a′の再生出力は、主ギヤツプのそれに比べ−4
0〜−50dBに抑えられており、アナログ記録再生に充分
に対応できるものとなっている。また、この磁気ヘツド
のテープ摺動面は高融点ガラス32と磁性金属膜34、およ
び酸化物磁性材で構成されているので耐摩耗性等が向上
し、信頼性に優れたものとなる。
ところで、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、例えばフロントギヤツプ側のみに高融点ガラスを
形成した磁気ヘツドであっても良い。すなわち第２図
（Ａ）に示すように、酸化物磁性材よりなる基板30の上
面でフロントギヤツプ形成面に対応した部分のみにトラ
ツク幅を規制するための先端が略Ｖ字状の溝40をトラツ
ク幅規制溝として複数平行に形成する。この第２図
（Ａ）に示す基板は前記実施例中の第１図（Ａ）に示す
基板に対応する。次に先の実施例とまったく同様の工
程，手法により、先ず高融点ガラス32の充填工程、高融
点ガラス32の一部除去のための平面研削工程、酸化物磁
性材のエツチングによるトラツク溝の形成工程、および
磁性金属膜34の被着工程を行い次に高融点ガラス上に被
着した磁性金属膜34を平面研削で除去し、第２図（Ｂ）
に示したコアブロツクを一対作製する。続いて先の実施
例と同様の手法にて、コアブロツク60の巻線溝を設けた
コアブロツク50を低融点ガラスを用いて融着接合し、複
数個のヘツドチツプを切り出し、テープ摺動面を所定の
曲率に円筒研削して第２図（Ｃ）に示す磁気ヘツドを作
製しても良い。この第２図（Ｃ）に示す磁気ヘツドはフ
ロントギヤツプ側にのみ高融点ガラス32が形成されてい
るが、先の実施例と同様の効果に加え、バツクギヤツプ
側の磁性金属膜34同志の対向面積が拡がり、バツクギヤ
ツプにおける磁気抵抗が下がり、磁気ヘツドの電磁変換
効率が向上する効果がある。
なく、例えばフロントギヤツプ側のみに高融点ガラスを
形成した磁気ヘツドであっても良い。すなわち第２図
（Ａ）に示すように、酸化物磁性材よりなる基板30の上
面でフロントギヤツプ形成面に対応した部分のみにトラ
ツク幅を規制するための先端が略Ｖ字状の溝40をトラツ
ク幅規制溝として複数平行に形成する。この第２図
（Ａ）に示す基板は前記実施例中の第１図（Ａ）に示す
基板に対応する。次に先の実施例とまったく同様の工
程，手法により、先ず高融点ガラス32の充填工程、高融
点ガラス32の一部除去のための平面研削工程、酸化物磁
性材のエツチングによるトラツク溝の形成工程、および
磁性金属膜34の被着工程を行い次に高融点ガラス上に被
着した磁性金属膜34を平面研削で除去し、第２図（Ｂ）
に示したコアブロツクを一対作製する。続いて先の実施
例と同様の手法にて、コアブロツク60の巻線溝を設けた
コアブロツク50を低融点ガラスを用いて融着接合し、複
数個のヘツドチツプを切り出し、テープ摺動面を所定の
曲率に円筒研削して第２図（Ｃ）に示す磁気ヘツドを作
製しても良い。この第２図（Ｃ）に示す磁気ヘツドはフ
ロントギヤツプ側にのみ高融点ガラス32が形成されてい
るが、先の実施例と同様の効果に加え、バツクギヤツプ
側の磁性金属膜34同志の対向面積が拡がり、バツクギヤ
ツプにおける磁気抵抗が下がり、磁気ヘツドの電磁変換
効率が向上する効果がある。
また酸化物磁性材30をエツチングしてトラツク溝を加工
する工程において、高融点ガラス32をフオトレジスト等
のレジスト材でエツチング液から保護しても良い。こう
することで高融点ガラス32をも侵食するエツチング液を
使用することが出来るようになる。またこのトラツク溝
加工はイオンミーリングやリアクデイブイオンミーリン
グ等のドライエツチングプロセスを用いても良い。
する工程において、高融点ガラス32をフオトレジスト等
のレジスト材でエツチング液から保護しても良い。こう
することで高融点ガラス32をも侵食するエツチング液を
使用することが出来るようになる。またこのトラツク溝
加工はイオンミーリングやリアクデイブイオンミーリン
グ等のドライエツチングプロセスを用いても良い。
以上説明して来たように、本発明の磁気ヘツドの製造方
法によれば磁性金属膜形成後は、高温にて加工する工程
がなく、したがって各磁性体間での拡散反応を抑えら
れ、疑似ギヤツプによるノイズの問題がない磁気ヘツド
が得られる。さらに、高温度では結晶化して特性が劣化
してしまう非晶質合金をもその特性をそこなうことなく
使用することができる。更に、媒体摺動面が酸化物磁性
材、磁性金属膜、高融点の非磁性材といった耐摩耗性に
優れた材料で構成されており、信頼性の高い磁気ヘツド
が得られる。
法によれば磁性金属膜形成後は、高温にて加工する工程
がなく、したがって各磁性体間での拡散反応を抑えら
れ、疑似ギヤツプによるノイズの問題がない磁気ヘツド
が得られる。さらに、高温度では結晶化して特性が劣化
してしまう非晶質合金をもその特性をそこなうことなく
使用することができる。更に、媒体摺動面が酸化物磁性
材、磁性金属膜、高融点の非磁性材といった耐摩耗性に
優れた材料で構成されており、信頼性の高い磁気ヘツド
が得られる。
また、各２種類の磁性材の結合境界部を形成する酸化物
磁性材側の表面はエツチングされた面であり、加工履歴
によって発生した加工変質層が除去された状態となって
おり、その境界部での磁気抵抗を下げ、疑似ギヤツプと
しての作用を低下させるとともに、電磁変換効率が向上
する。
磁性材側の表面はエツチングされた面であり、加工履歴
によって発生した加工変質層が除去された状態となって
おり、その境界部での磁気抵抗を下げ、疑似ギヤツプと
しての作用を低下させるとともに、電磁変換効率が向上
する。
第１図（Ａ）〜（Ｉ）は本発明の一実施例としての磁気
ヘツドの製造方法を工程順に説明するための図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の他の実施例としての磁
気ヘツドの製造方法を工程順に説明するための図、 第３図は従来の磁気ヘツドの一例を示す斜視図、 第４図は従来の磁気ヘツドの他の例を示す斜視図であ
る。 図中30は酸化物磁性材ブロツク、31はトラツク幅規制
溝、32は第１の非磁性材としての高融点ガラス、34は磁
性金属膜、36は第２の非磁性材としての低融点ガラス、
37はギヤツプスペーサである。
ヘツドの製造方法を工程順に説明するための図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の他の実施例としての磁
気ヘツドの製造方法を工程順に説明するための図、 第３図は従来の磁気ヘツドの一例を示す斜視図、 第４図は従来の磁気ヘツドの他の例を示す斜視図であ
る。 図中30は酸化物磁性材ブロツク、31はトラツク幅規制
溝、32は第１の非磁性材としての高融点ガラス、34は磁
性金属膜、36は第２の非磁性材としての低融点ガラス、
37はギヤツプスペーサである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 折笠 剛 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 吉田 和世 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 伊藤 富士弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 新妻 清純 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−242311（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】酸化物磁性材ブロックの一端面にトラック
幅規制溝を所定ピッチで形成する工程と、 前記規制溝に第１の非磁性材を充填する工程と、 該充填後、前記酸化物磁性材が露呈する面まで前記第１
の非磁性材を平面研削する工程と、 前記研削面に露呈する酸化物磁性材の少なくとも一部を
選択的にエッチングして除去する工程と、 該除去部に磁性金属膜を配する工程と、 該金属膜が配されたブロック同士を該金属膜同士の少な
くとも一部が対向するよう突き合わせ、前記第１の非磁
性材より低融点の第２の非磁性材で接合する工程と、 該接合されたブロックを所定のヘッド幅となるよう切断
する工程と、 を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313169A JPH0775048B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313169A JPH0775048B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164010A JPS63164010A (ja) | 1988-07-07 |
| JPH0775048B2 true JPH0775048B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=18037935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61313169A Expired - Fee Related JPH0775048B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775048B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0833980B2 (ja) * | 1988-07-27 | 1996-03-29 | 三洋電機株式会社 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242311A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Sony Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61313169A patent/JPH0775048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164010A (ja) | 1988-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |