JPH0475564B2 - - Google Patents
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- JPH0475564B2 JPH0475564B2 JP59078242A JP7824284A JPH0475564B2 JP H0475564 B2 JPH0475564 B2 JP H0475564B2 JP 59078242 A JP59078242 A JP 59078242A JP 7824284 A JP7824284 A JP 7824284A JP H0475564 B2 JPH0475564 B2 JP H0475564B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気ヘツドに関し、特に強磁性酸化物
材料と強磁性金属材料との複合磁性材料からなる
磁気ヘツドに関する。
材料と強磁性金属材料との複合磁性材料からなる
磁気ヘツドに関する。
背景技術とその問題点
例えばVTR(ビデオテープレコーダ)用の磁気
記録媒体である磁気テープに磁気記録される信号
が高密度化されてくるに従い磁気テープとして高
い残留磁束密度Brを有するメタルテープ等が使
用されてきている。このメタルテープ等の高い抗
磁力Hcを持つ磁気テープに用いられる磁気ヘツ
ドは磁気ギヤツプより発生する磁界の強度を高く
する必要があり、また記録される信号の高密度化
に伴ない磁気ヘツドのトラツク幅を狭くする必要
がある。
記録媒体である磁気テープに磁気記録される信号
が高密度化されてくるに従い磁気テープとして高
い残留磁束密度Brを有するメタルテープ等が使
用されてきている。このメタルテープ等の高い抗
磁力Hcを持つ磁気テープに用いられる磁気ヘツ
ドは磁気ギヤツプより発生する磁界の強度を高く
する必要があり、また記録される信号の高密度化
に伴ない磁気ヘツドのトラツク幅を狭くする必要
がある。
そこで、このような磁気ヘツドとしては従来よ
り種々のものが提案されており、この狭トラツク
化の磁気ヘツドとしては第1図に示すように強磁
性酸化物より成るコア半体1a,1bの間の磁気
ギヤツプgを強磁性金属薄膜2a,2bにより形
成したヘツドが知られている。即ち、この第1図
の磁気ヘツドは第2図にそのテープ対接面を拡大
して示すようにMn−Znフエライト等の強磁性酸
化物よりなるコア半体1a,1bの磁気ギヤツプ
形成面側にトラツク幅規制凹部1a′,1b′により
フエライト突起部1a″,1b″を形成し、この突起
部1a″,1b″の一側面からトラツク幅規制凹部1
a′,1b′に充填される非磁性材3a,3bにかけ
てスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用いて
センダスト等の強磁性金属薄膜2a,2bを被着
形成し、この一対のコア半体1a,1bをトラツ
ク幅規制凹部1a′,1b′に溶融充填される補強用
ガラス4により融着接合している。
り種々のものが提案されており、この狭トラツク
化の磁気ヘツドとしては第1図に示すように強磁
性酸化物より成るコア半体1a,1bの間の磁気
ギヤツプgを強磁性金属薄膜2a,2bにより形
成したヘツドが知られている。即ち、この第1図
の磁気ヘツドは第2図にそのテープ対接面を拡大
して示すようにMn−Znフエライト等の強磁性酸
化物よりなるコア半体1a,1bの磁気ギヤツプ
形成面側にトラツク幅規制凹部1a′,1b′により
フエライト突起部1a″,1b″を形成し、この突起
部1a″,1b″の一側面からトラツク幅規制凹部1
a′,1b′に充填される非磁性材3a,3bにかけ
てスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用いて
センダスト等の強磁性金属薄膜2a,2bを被着
形成し、この一対のコア半体1a,1bをトラツ
ク幅規制凹部1a′,1b′に溶融充填される補強用
ガラス4により融着接合している。
この磁気ヘツドは上記突起部1a″,1b″に被着
された強磁性金属薄膜2a,2bを利用して磁気
ギヤツプgを形成しているため磁気抵抗が小さく
効率の良い狭トラツクヘツドを得ることができ
る。
された強磁性金属薄膜2a,2bを利用して磁気
ギヤツプgを形成しているため磁気抵抗が小さく
効率の良い狭トラツクヘツドを得ることができ
る。
しかし、このように複合磁性材料からなる磁気
ヘツドはトラツク幅規制凹部1a′,1b′の端面即
ち、コア半体1a,1bと相対する反対側のコア
の一部となる強磁性金属薄膜のそれぞれ2a,2
bとの間隔が狭くなるため長波長域において隣接
又は隣々接トラツクの信号を拾いクロストークを
生じるおそれがある。
ヘツドはトラツク幅規制凹部1a′,1b′の端面即
ち、コア半体1a,1bと相対する反対側のコア
の一部となる強磁性金属薄膜のそれぞれ2a,2
bとの間隔が狭くなるため長波長域において隣接
又は隣々接トラツクの信号を拾いクロストークを
生じるおそれがある。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑み強磁性酸化物よりなる磁
気コアに強磁性金属薄膜を被着して磁気ギヤツプ
を形成する磁気ヘツドにおいて隣接又は隣々接ト
ラツクからのクロストークの低減化を図つたもの
である。
気コアに強磁性金属薄膜を被着して磁気ギヤツプ
を形成する磁気ヘツドにおいて隣接又は隣々接ト
ラツクからのクロストークの低減化を図つたもの
である。
発明の概要
本発明は上記の目的を達成するために、強磁性
酸化物よりなる磁気コア半体対の対接面に真空薄
膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成し、この
磁気コア半体対を突き合わせ磁気ギヤツプを形成
してなる磁気ヘツドにおいて、磁気ギヤツプと強
磁性金属薄膜形成面とが所要角度で傾斜しており
強磁性金属薄膜のみにより磁気ギヤツプを形成し
テープ対接面に強磁性金属薄膜と強磁性酸化物及
び非磁性材が配され、且つ強磁性酸化物と非磁性
材との界面が屈曲していることを特徴とし、隣接
又は隣々接トラツクからのクロストークの低減化
を図つたものである。
酸化物よりなる磁気コア半体対の対接面に真空薄
膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成し、この
磁気コア半体対を突き合わせ磁気ギヤツプを形成
してなる磁気ヘツドにおいて、磁気ギヤツプと強
磁性金属薄膜形成面とが所要角度で傾斜しており
強磁性金属薄膜のみにより磁気ギヤツプを形成し
テープ対接面に強磁性金属薄膜と強磁性酸化物及
び非磁性材が配され、且つ強磁性酸化物と非磁性
材との界面が屈曲していることを特徴とし、隣接
又は隣々接トラツクからのクロストークの低減化
を図つたものである。
実施例
以下本発明の実施例を図面に基づき説明する。
第3図は本発明に係わる磁気ヘツドの一例の斜
視図である。この複合磁性材料からなる磁気ヘツ
ドは例えば一対の磁気コア半体11a,11bが
Mn−Znフエライト等の強磁性酸化物により形成
され磁気ギヤツプgの近傍部には高透磁率合金の
センダスト等からなる強磁性金属薄膜12a,1
2bがスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用
いて形成され、そして磁気ギヤツプgの形成面近
傍即ちテープ対接面11における磁気ギヤツプg
の両側部にトラツク幅を規制する凹部11a′,1
1b′が形成され、この凹部に非磁性材としての酸
化物ガラス13a,13b及び融着ガラス14が
溶融充填されている。
視図である。この複合磁性材料からなる磁気ヘツ
ドは例えば一対の磁気コア半体11a,11bが
Mn−Znフエライト等の強磁性酸化物により形成
され磁気ギヤツプgの近傍部には高透磁率合金の
センダスト等からなる強磁性金属薄膜12a,1
2bがスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用
いて形成され、そして磁気ギヤツプgの形成面近
傍即ちテープ対接面11における磁気ギヤツプg
の両側部にトラツク幅を規制する凹部11a′,1
1b′が形成され、この凹部に非磁性材としての酸
化物ガラス13a,13b及び融着ガラス14が
溶融充填されている。
ところで本例の磁気ヘツドはテープ対接面11
の平面図を第4図に示すように磁気ギヤツプgは
所定のアジマス角度で形成され、また磁気コア半
体11a,11bのトラツク幅規制凹部11a′,
11b′の端面は磁気ギヤツプgのアジマス角と異
なる方向で2段階の傾斜面11a1′,11a2′,1
1b1′,11b2により形成してある。
の平面図を第4図に示すように磁気ギヤツプgは
所定のアジマス角度で形成され、また磁気コア半
体11a,11bのトラツク幅規制凹部11a′,
11b′の端面は磁気ギヤツプgのアジマス角と異
なる方向で2段階の傾斜面11a1′,11a2′,1
1b1′,11b2により形成してある。
また強磁性金属薄膜12a,12bの形成面と
磁気ギヤツプgの形成面のなす傾斜角度〓はほぼ
45゜となつているが、20゜〜80゜程度の範囲としても
よい。ここで20゜以下の角度であると隣接トラツ
クからのクロストークが大きくなり望ましくは
30゜以上の角度をもたせるのがよい。また傾斜角
度を90゜にした場合は耐摩耗性が劣ることから80゜
以下とするのがよい。また傾斜角度を90゜にする
とアジマス角の傾斜のない普通のヘツドの場合は
磁気ギヤツプgの近傍部に形成される上述の強磁
性金属薄膜12a,12bの膜厚をトラツク幅に
等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を
用いて薄膜を形成するに当たつて多くの時間を要
してしまうことや膜構造が均一化してしまう点で
好ましくない。
磁気ギヤツプgの形成面のなす傾斜角度〓はほぼ
45゜となつているが、20゜〜80゜程度の範囲としても
よい。ここで20゜以下の角度であると隣接トラツ
クからのクロストークが大きくなり望ましくは
30゜以上の角度をもたせるのがよい。また傾斜角
度を90゜にした場合は耐摩耗性が劣ることから80゜
以下とするのがよい。また傾斜角度を90゜にする
とアジマス角の傾斜のない普通のヘツドの場合は
磁気ギヤツプgの近傍部に形成される上述の強磁
性金属薄膜12a,12bの膜厚をトラツク幅に
等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を
用いて薄膜を形成するに当たつて多くの時間を要
してしまうことや膜構造が均一化してしまう点で
好ましくない。
このように本例の磁気ヘツドは磁気コア半体1
1aの傾斜面及び非磁性材13a上を連ねた一平
面上に強磁性金属薄膜12aが被着形成され、ま
た他方の磁気コア半体11bの傾斜面及び非磁性
材13b上を連ねた一平面上に強磁性金属薄膜1
2bが被着形成されていることにより、例えばセ
ングスト膜からなる強磁性金属薄膜12a,12
bの膜構造即ち柱状晶の成長方位は磁気ギヤツプ
g近傍部及び傾斜面に亘つて一方向に平行に揃つ
た均一なものとなつており、このため磁気ヘツド
は磁路に沿つた方向で強磁性金属薄膜12a,1
2bの全体が高い透磁率を示すようになり高い記
録再生出力が得られる。また磁気ヘツドの後部側
はMn−Znフエライト等の強磁性酸化物どうしを
突き合わせて接合しており、強磁性金属薄膜12
a,12bと磁気コア半体11a,11bとの密
着性が悪くとも大きな接着強度を得ることがで
き、また加工時にバツクトラツクずれが発生する
ようなこともなく歩留りの向上を図ることができ
る。
1aの傾斜面及び非磁性材13a上を連ねた一平
面上に強磁性金属薄膜12aが被着形成され、ま
た他方の磁気コア半体11bの傾斜面及び非磁性
材13b上を連ねた一平面上に強磁性金属薄膜1
2bが被着形成されていることにより、例えばセ
ングスト膜からなる強磁性金属薄膜12a,12
bの膜構造即ち柱状晶の成長方位は磁気ギヤツプ
g近傍部及び傾斜面に亘つて一方向に平行に揃つ
た均一なものとなつており、このため磁気ヘツド
は磁路に沿つた方向で強磁性金属薄膜12a,1
2bの全体が高い透磁率を示すようになり高い記
録再生出力が得られる。また磁気ヘツドの後部側
はMn−Znフエライト等の強磁性酸化物どうしを
突き合わせて接合しており、強磁性金属薄膜12
a,12bと磁気コア半体11a,11bとの密
着性が悪くとも大きな接着強度を得ることがで
き、また加工時にバツクトラツクずれが発生する
ようなこともなく歩留りの向上を図ることができ
る。
またトラツク幅は数μ〜数十μの広範囲に容易
に形成することができる絶縁膜を介して例えば多
層に積層される強磁性金属薄膜12a,12bの
積層数を少なくすることで狭トラツク化の磁気ヘ
ツドとすることができる。
に形成することができる絶縁膜を介して例えば多
層に積層される強磁性金属薄膜12a,12bの
積層数を少なくすることで狭トラツク化の磁気ヘ
ツドとすることができる。
そして本例の磁気ヘツドは磁気コア半体11
a,11bのトラツク幅規制凹部11a′,11
b′の端面が磁気ギヤツプgのアジマス角と異なる
方向で傾斜されていることにより隣接及び隣々接
トラツクからのクロストークが減少される。
a,11bのトラツク幅規制凹部11a′,11
b′の端面が磁気ギヤツプgのアジマス角と異なる
方向で傾斜されていることにより隣接及び隣々接
トラツクからのクロストークが減少される。
即ち一般には隣接トラツクのクロストークは問
題とならないような方策がなされており、例えば
第5図に示すVTRの磁気テープTのように互い
に隣接するトラツクt1とt2,t2とt3……は相対的
に異なるアジマス角で記録し相互のクロストーク
の問題を解消するようになされているが、隣々接
トラツクt1とt3,t2とt4,t3とt5……の記録アジマ
ス角は同方向であるためクロストロークの問題が
生じることになり、このクロストークの問題が生
じるのは、隣々接トラツクのクロストークである
が、本例のごとく磁気コア半体11a,11bの
トラツク幅規制凹部11a′,11b′の端面を磁気
ギヤツプgのアジマス角と異なる方向の角度で二
段階に傾斜させて形成することにより、この磁気
コア半体11a,11bのトラツク幅規制凹部1
1a′,11b′の端縁が隣接又は隣々接トラツクに
対応してもアジマス損失によつて、隣接又は隣々
接トラツクからの信号のピツクアツプ量即ちクロ
ストークを減少させることができる。
題とならないような方策がなされており、例えば
第5図に示すVTRの磁気テープTのように互い
に隣接するトラツクt1とt2,t2とt3……は相対的
に異なるアジマス角で記録し相互のクロストーク
の問題を解消するようになされているが、隣々接
トラツクt1とt3,t2とt4,t3とt5……の記録アジマ
ス角は同方向であるためクロストロークの問題が
生じることになり、このクロストークの問題が生
じるのは、隣々接トラツクのクロストークである
が、本例のごとく磁気コア半体11a,11bの
トラツク幅規制凹部11a′,11b′の端面を磁気
ギヤツプgのアジマス角と異なる方向の角度で二
段階に傾斜させて形成することにより、この磁気
コア半体11a,11bのトラツク幅規制凹部1
1a′,11b′の端縁が隣接又は隣々接トラツクに
対応してもアジマス損失によつて、隣接又は隣々
接トラツクからの信号のピツクアツプ量即ちクロ
ストークを減少させることができる。
尚、アジマス記録においても長波長成分の信号
は磁気コア半体のトラツク幅規制凹部の端縁で再
生され、クロストークとして本信号に交じるおそ
れがあるが、トラツク幅規制凹部11a′,11
b′の端縁間の距離を約50μm以上に保つように形
成することによりヘツド空隙損失を利用してクロ
ストーク成分を低減させることができる。
は磁気コア半体のトラツク幅規制凹部の端縁で再
生され、クロストークとして本信号に交じるおそ
れがあるが、トラツク幅規制凹部11a′,11
b′の端縁間の距離を約50μm以上に保つように形
成することによりヘツド空隙損失を利用してクロ
ストーク成分を低減させることができる。
以上説明したように本例の磁気ヘツドは磁気ギ
ヤツプgから発生する磁界の強度が高いことや再
生出力を高くとれ、また隣接又は隣々接トラツク
からのクロストークを低滅させることができるこ
となど、例えばメタルテープ等の高い抗磁力Hc
を有する磁気テーープに高密度記録するのに適し
た磁気ヘツドとなつている。
ヤツプgから発生する磁界の強度が高いことや再
生出力を高くとれ、また隣接又は隣々接トラツク
からのクロストークを低滅させることができるこ
となど、例えばメタルテープ等の高い抗磁力Hc
を有する磁気テーープに高密度記録するのに適し
た磁気ヘツドとなつている。
次に上述の第3図に示す磁気ヘツドの製造工程
を第6図〜第12図に基づき説明する。
を第6図〜第12図に基づき説明する。
先ず第6図に示すように例えばMn−Znフエラ
イト等の強磁性酸化物基板20の上面幅方向に複
数の切り溝21を回転砥石または電界エツチング
等により断面多角形状に複数形成する。即ち上記
基板20の上面23は磁気ギヤツプ形成面に対応
し、上記切り溝21は基板20の磁気ギヤツプ形
成位置近傍部に相当する部分に形成される。
イト等の強磁性酸化物基板20の上面幅方向に複
数の切り溝21を回転砥石または電界エツチング
等により断面多角形状に複数形成する。即ち上記
基板20の上面23は磁気ギヤツプ形成面に対応
し、上記切り溝21は基板20の磁気ギヤツプ形
成位置近傍部に相当する部分に形成される。
次に第7図に示すように上記切り溝21に高融
点ガラス22Aを溶融充填した後上面23と前面
24とを平面研磨する。そして第8図に示すよう
に高融点ガラス22Aを充填した上記切り溝21
の一部とオーバラツプするように上記上面23に
切り溝21と隣り合う複数の切り溝25を断面三
角形状に形成する。このとき形成される切り溝2
5の一方の内壁面26には上記高融点ガラス22
Aの一部が露出している。またこの一方の内壁面
26と上記上面23との交線27は上記前面24
と直角をなしている。またこの一方の内壁面26
と上面23とのなす角度は所要角度例えば45゜と
なつているがこの角度は上述の如く20゜〜80゜程度
であればよい。
点ガラス22Aを溶融充填した後上面23と前面
24とを平面研磨する。そして第8図に示すよう
に高融点ガラス22Aを充填した上記切り溝21
の一部とオーバラツプするように上記上面23に
切り溝21と隣り合う複数の切り溝25を断面三
角形状に形成する。このとき形成される切り溝2
5の一方の内壁面26には上記高融点ガラス22
Aの一部が露出している。またこの一方の内壁面
26と上記上面23との交線27は上記前面24
と直角をなしている。またこの一方の内壁面26
と上面23とのなす角度は所要角度例えば45゜と
なつているがこの角度は上述の如く20゜〜80゜程度
であればよい。
次に第9図に示すように上記基板20の上記切
り溝25を含む上面23にスパツタリング等の真
空薄膜形成技術を用いて高透磁率合金の例えばセ
ンダストを絶縁膜を介して被着積層し、強磁性金
属薄膜28と形成する。このとき切り溝25一方
の内壁面26上に効率よく被着するように上記基
板20を傾斜させてスパツタリング装置内に配置
するようにする。尚、この場合強磁性金属薄膜を
一層で形成しても本発明から逸脱するものでない
ことはもちろんである。
り溝25を含む上面23にスパツタリング等の真
空薄膜形成技術を用いて高透磁率合金の例えばセ
ンダストを絶縁膜を介して被着積層し、強磁性金
属薄膜28と形成する。このとき切り溝25一方
の内壁面26上に効率よく被着するように上記基
板20を傾斜させてスパツタリング装置内に配置
するようにする。尚、この場合強磁性金属薄膜を
一層で形成しても本発明から逸脱するものでない
ことはもちろんである。
次に第10図に示すように強磁性金属薄膜28
が被着された上記切り溝25即ち、強磁性金属薄
膜28上に切り溝25に対応して形成される溝2
5′に上記ガラス22Aよりも低融点のガラス2
9を溶融充填した後、上面23即ち磁気ギヤツプ
形成面側に被着している不要なガラス及び強磁性
金属薄膜を研削除去して平面研磨して鏡面上げを
行う。この状態において前の工程で被着した強磁
性金属薄膜28一部が上記切り溝255の内壁面
側に残り、特に一方の内壁面26に所定の厚さで
被着された状態として残り、この一方の内壁面2
6に強磁性金属薄膜28Aが被着された状態とな
る。尚、金属薄膜は他方の内壁面にも被着されて
残るがこれは上述したスパツタリング装置内への
配置により一方の内壁面側に比して微少であるか
ら図示は省略する。
が被着された上記切り溝25即ち、強磁性金属薄
膜28上に切り溝25に対応して形成される溝2
5′に上記ガラス22Aよりも低融点のガラス2
9を溶融充填した後、上面23即ち磁気ギヤツプ
形成面側に被着している不要なガラス及び強磁性
金属薄膜を研削除去して平面研磨して鏡面上げを
行う。この状態において前の工程で被着した強磁
性金属薄膜28一部が上記切り溝255の内壁面
側に残り、特に一方の内壁面26に所定の厚さで
被着された状態として残り、この一方の内壁面2
6に強磁性金属薄膜28Aが被着された状態とな
る。尚、金属薄膜は他方の内壁面にも被着されて
残るがこれは上述したスパツタリング装置内への
配置により一方の内壁面側に比して微少であるか
ら図示は省略する。
また巻線溝側の磁気コア半体を形成するために
第10図に示すように加工を施した強磁性酸化物
基板20に巻線溝31を形成する溝加工を行い、
第11図に示す強磁性酸化物基板30を得る。こ
の基板30で切り溝21には高融点ガラス22B
が充填され、切り溝25の一方の内壁面には強磁
性金属薄膜28Bが被着形成されている。
第10図に示すように加工を施した強磁性酸化物
基板20に巻線溝31を形成する溝加工を行い、
第11図に示す強磁性酸化物基板30を得る。こ
の基板30で切り溝21には高融点ガラス22B
が充填され、切り溝25の一方の内壁面には強磁
性金属薄膜28Bが被着形成されている。
次に上記基板20の磁気ギヤツプ形成面となる
上面23と上記基板30の磁気ギヤツプ形成面と
なる上面32とを膜付けしたギヤツプスペーサを
介して第12図に示すように強磁性金属薄膜28
Aと28Bとを対応させて突き合わせガラス融着
を行う。その後この基板20と基板30とを合体
させたブロツク33をこの接合面に対してアジマ
ス角だけ傾けたa−a線、a′−a′線の位置でスラ
イシング加工することでアジマス角で傾斜する磁
気ギヤツプを有する複数個のヘツドチツプを得る
ことができる。尚、基板接合面に対して垂直にス
ライシングすると普通のヘツドチツプが形成でき
る。
上面23と上記基板30の磁気ギヤツプ形成面と
なる上面32とを膜付けしたギヤツプスペーサを
介して第12図に示すように強磁性金属薄膜28
Aと28Bとを対応させて突き合わせガラス融着
を行う。その後この基板20と基板30とを合体
させたブロツク33をこの接合面に対してアジマ
ス角だけ傾けたa−a線、a′−a′線の位置でスラ
イシング加工することでアジマス角で傾斜する磁
気ギヤツプを有する複数個のヘツドチツプを得る
ことができる。尚、基板接合面に対して垂直にス
ライシングすると普通のヘツドチツプが形成でき
る。
ここで上記ギヤツプスペーサとしてはSiO2、
ZrO2、Ta2O5、Cr等を用いることができる。
ZrO2、Ta2O5、Cr等を用いることができる。
次に、上記ヘツドチツプの磁気テープ対接面を
円筒研磨することで第3図に示す磁気ヘツドとな
る。この第3図の磁気ヘツドにおいて一方の磁気
コア半体11aは上記基板20を母材としてお
り、他方の磁気コア半体11bは上記基板30が
母材となつている。また非磁性材13a,13b
は上記高融点ガラス22A,22Bに夫々対応し
非磁性材14は上記低融点ガラス29に対応して
おり、この気ヘツドの強磁性金属薄膜12a,1
2bは上記金属薄膜28A,28Bに夫々対応
し、更に上記磁気ヘツドの巻線孔15は上記基板
30に形成された巻線溝31に対応している。
円筒研磨することで第3図に示す磁気ヘツドとな
る。この第3図の磁気ヘツドにおいて一方の磁気
コア半体11aは上記基板20を母材としてお
り、他方の磁気コア半体11bは上記基板30が
母材となつている。また非磁性材13a,13b
は上記高融点ガラス22A,22Bに夫々対応し
非磁性材14は上記低融点ガラス29に対応して
おり、この気ヘツドの強磁性金属薄膜12a,1
2bは上記金属薄膜28A,28Bに夫々対応
し、更に上記磁気ヘツドの巻線孔15は上記基板
30に形成された巻線溝31に対応している。
そして上記磁気ヘツドのトラツク幅規制凹部1
1a′,11b′は上記基板20,30の切り溝2
1,21に対応している。そのためトラツク幅規
制凹部11a′,11b′の端面部11a1′,11a2′,
11b1′,11b2′は上記切り溝21,22の多角
形内壁面の一部分に対応し、2段階に折曲した形
状となつている。
1a′,11b′は上記基板20,30の切り溝2
1,21に対応している。そのためトラツク幅規
制凹部11a′,11b′の端面部11a1′,11a2′,
11b1′,11b2′は上記切り溝21,22の多角
形内壁面の一部分に対応し、2段階に折曲した形
状となつている。
このように上記磁気ヘツドでは例えばセンダス
ト膜である上記強磁性金属薄膜の膜構造は第9図
に示す工程で被着形成された上記金属薄膜28の
内、膜構造の不均一な部分をギヤツプ形成面研磨
加工により削り取つてしまうため、第10図に示
すように切り溝25の一方の内壁面である斜めの
平面即ち一平面上に形成された均一な膜構造の薄
膜28A,28Bのみを使用することができる。
このため上記金属薄膜28A,28Bの各部がヘ
ツドの磁路方向に沿つて高い透磁率を示すように
なり磁気ヘツドは安定した高出力を得ることがで
きる。
ト膜である上記強磁性金属薄膜の膜構造は第9図
に示す工程で被着形成された上記金属薄膜28の
内、膜構造の不均一な部分をギヤツプ形成面研磨
加工により削り取つてしまうため、第10図に示
すように切り溝25の一方の内壁面である斜めの
平面即ち一平面上に形成された均一な膜構造の薄
膜28A,28Bのみを使用することができる。
このため上記金属薄膜28A,28Bの各部がヘ
ツドの磁路方向に沿つて高い透磁率を示すように
なり磁気ヘツドは安定した高出力を得ることがで
きる。
以上説明したように本発明による磁気ヘツドは
製造工程において予め高融点ガラス22Aをバツ
クした切り溝21に隣接して磁気ギヤツプ形成面
となる平面に対し45゜(20゜〜80゜の範囲であればよ
い)の角度をなす平面26を後工程で砥石加工等
により形成し、ギヤツプ面とは斜めの位置関係に
あるこの平面上に強磁性金属薄膜28を真空薄膜
形成技術で形成している。そして少なくとも磁気
ギヤツプ近傍においては斜めの平面上に成長して
いる薄膜のみが残るようにギヤツプ面研磨加工を
行つていることから、磁気ギヤツプgを形成する
強磁性金属薄膜12a,12bは各部において均
一な膜構造となりヘツド出力の高安定化が可能と
なつており、また磁気ギヤツプgの両側のトラツ
ク幅規制凹部11a′,11b′の端面11a1′,11
a2′,11b1′,11b2′は上記高融点ガラス22A
をパツクした切り溝21の多角形状内壁面のほぼ
半分により形成されていることから2段階的に屈
曲変化しており、そのためアジマスガードバンド
レス記録において隣接及び隣々接トラツクからの
クロストークを避けることができて記録再生効率
の大きな信頼性の高い磁気ヘツドとなつている。
製造工程において予め高融点ガラス22Aをバツ
クした切り溝21に隣接して磁気ギヤツプ形成面
となる平面に対し45゜(20゜〜80゜の範囲であればよ
い)の角度をなす平面26を後工程で砥石加工等
により形成し、ギヤツプ面とは斜めの位置関係に
あるこの平面上に強磁性金属薄膜28を真空薄膜
形成技術で形成している。そして少なくとも磁気
ギヤツプ近傍においては斜めの平面上に成長して
いる薄膜のみが残るようにギヤツプ面研磨加工を
行つていることから、磁気ギヤツプgを形成する
強磁性金属薄膜12a,12bは各部において均
一な膜構造となりヘツド出力の高安定化が可能と
なつており、また磁気ギヤツプgの両側のトラツ
ク幅規制凹部11a′,11b′の端面11a1′,11
a2′,11b1′,11b2′は上記高融点ガラス22A
をパツクした切り溝21の多角形状内壁面のほぼ
半分により形成されていることから2段階的に屈
曲変化しており、そのためアジマスガードバンド
レス記録において隣接及び隣々接トラツクからの
クロストークを避けることができて記録再生効率
の大きな信頼性の高い磁気ヘツドとなつている。
また上記磁気ヘツドはヘツドの後部側の接合面
即ちバツクギヤツプ面において強磁性酸化物どう
しが直接ガラス融着されていることからヘツドチ
ツプの耐破壊強度が大きく製造し易いヘツドとな
つて歩留りの向上を図ることができる。
即ちバツクギヤツプ面において強磁性酸化物どう
しが直接ガラス融着されていることからヘツドチ
ツプの耐破壊強度が大きく製造し易いヘツドとな
つて歩留りの向上を図ることができる。
第13図、第14図及び第15図は本発明の他
の実施例におけるテープ対接面を示す平面図であ
る。これら他の実施例においては磁気ギヤツプg
の両側のトラツク幅規制凹部、11a′,11b′の
端面形状を変えた場合である。即ち第13図に示
す実施例はコア半体11a,11bに形成するト
ラツク幅規制凹部11a′,11b′の端面をヘツド
チツプの下面、上面に対し傾斜のゆるい2折傾斜
面11a1′,11a2′,11b1′,11b2′に形成した
場合であり、第14図に示すものはコア半体11
a,11bに形成するトラツク幅規制凹部11
a′,11b′の2折傾斜面11a1′,11a2′,11
b1′,11b2′の屈曲部のアールを大径に形成した
場合、第15図に示すものはコア半体11a,1
1bに形成するトラツク幅規制凹部11a′,11
b′のの端面を3折傾斜面11a1′,11a2′,11
a3′,11b1′,11b2′11b3′に形成した場合であ
る。
の実施例におけるテープ対接面を示す平面図であ
る。これら他の実施例においては磁気ギヤツプg
の両側のトラツク幅規制凹部、11a′,11b′の
端面形状を変えた場合である。即ち第13図に示
す実施例はコア半体11a,11bに形成するト
ラツク幅規制凹部11a′,11b′の端面をヘツド
チツプの下面、上面に対し傾斜のゆるい2折傾斜
面11a1′,11a2′,11b1′,11b2′に形成した
場合であり、第14図に示すものはコア半体11
a,11bに形成するトラツク幅規制凹部11
a′,11b′の2折傾斜面11a1′,11a2′,11
b1′,11b2′の屈曲部のアールを大径に形成した
場合、第15図に示すものはコア半体11a,1
1bに形成するトラツク幅規制凹部11a′,11
b′のの端面を3折傾斜面11a1′,11a2′,11
a3′,11b1′,11b2′11b3′に形成した場合であ
る。
尚、トラツク幅規制凹部の端面は2折傾斜面の
各々の傾斜角度を変えた形状、3折傾斜面以上の
多折傾斜面等に形成してもよい。図中12a,1
2bは強磁性金属薄膜、13a,13b,14は
非磁性材である。
各々の傾斜角度を変えた形状、3折傾斜面以上の
多折傾斜面等に形成してもよい。図中12a,1
2bは強磁性金属薄膜、13a,13b,14は
非磁性材である。
また上述の第12図に示すように合体されたブ
ロツク33のスライシング加工において第16図
に示すように所定のテープ対接面幅と同間隔また
はそれより狭い間隔で溝34,34′を形成し、
実際のスライシング厚をテープ対接面幅即ち溝3
4,34′で挾まれた部分の厚みより厚くして溝
34,34′内におけるb−b線、b′−b′線の位
置でスライシングしてヘツドチツプを得ることが
でき、このヘツドチツプのテープ対接面を円筒研
磨することにより第17図に示す磁気ヘツドが得
られる。
ロツク33のスライシング加工において第16図
に示すように所定のテープ対接面幅と同間隔また
はそれより狭い間隔で溝34,34′を形成し、
実際のスライシング厚をテープ対接面幅即ち溝3
4,34′で挾まれた部分の厚みより厚くして溝
34,34′内におけるb−b線、b′−b′線の位
置でスライシングしてヘツドチツプを得ることが
でき、このヘツドチツプのテープ対接面を円筒研
磨することにより第17図に示す磁気ヘツドが得
られる。
このようにして行う合体ブロツク33のスライ
シング加工において、溝34,34′の形成時に
は砥石が強磁性金属薄膜12a,12bとなる金
属薄膜28A,28B、磁気コア半体11a,1
1bを形成するフエライト基板20,30及び必
磁性材13a,13b,14に対応するガラス材
22A,22B,29を通過するが、この通過面
積は極めて小さく、これに対して通過面積の大き
い実際のスライシング時にはフエライト基板2
0,30と非磁性材22A,22B,29のみを
通過することによりスライシング加工時の強磁性
金属薄膜28A,28Bの剥れひび等の不良項目
を低減することができる。また凹段状の溝34,
34′に代えて第18図に示すようにテーパ状面
35,35′を形成してもよい。
シング加工において、溝34,34′の形成時に
は砥石が強磁性金属薄膜12a,12bとなる金
属薄膜28A,28B、磁気コア半体11a,1
1bを形成するフエライト基板20,30及び必
磁性材13a,13b,14に対応するガラス材
22A,22B,29を通過するが、この通過面
積は極めて小さく、これに対して通過面積の大き
い実際のスライシング時にはフエライト基板2
0,30と非磁性材22A,22B,29のみを
通過することによりスライシング加工時の強磁性
金属薄膜28A,28Bの剥れひび等の不良項目
を低減することができる。また凹段状の溝34,
34′に代えて第18図に示すようにテーパ状面
35,35′を形成してもよい。
またスライシング幅を大にした場合は第19図
に示すよう強制性金属薄膜12a,12bの屈曲
部がコア半体11a,11b中に存在することに
なるが、フエライトと金属との磁気的接合は金属
薄膜の平面部において充分行われる寸法関係にる
ため即ち金属薄膜の平面部が充分広いためヘツド
の出力を損なうことがほとんどない構造となつて
いる。
に示すよう強制性金属薄膜12a,12bの屈曲
部がコア半体11a,11b中に存在することに
なるが、フエライトと金属との磁気的接合は金属
薄膜の平面部において充分行われる寸法関係にる
ため即ち金属薄膜の平面部が充分広いためヘツド
の出力を損なうことがほとんどない構造となつて
いる。
このようにしてスライシング加工することによ
りテープ対接面近傍の幅をヘツド自体の強度を損
なうことなくある程度薄くすることができるので
テープに馴やすく、また高耐摩耗性の磁気ヘツド
を形成することができる。またこの磁気ヘツドは
バツク側のコア厚が厚いためバツク側の磁気抵抗
は更に小さくなり再生効率が増すためより高出力
のヘツドとなる。
りテープ対接面近傍の幅をヘツド自体の強度を損
なうことなくある程度薄くすることができるので
テープに馴やすく、また高耐摩耗性の磁気ヘツド
を形成することができる。またこの磁気ヘツドは
バツク側のコア厚が厚いためバツク側の磁気抵抗
は更に小さくなり再生効率が増すためより高出力
のヘツドとなる。
次に磁気ギヤツプ近傍部にのみ強磁性金属薄膜
を形成するのではなくヘツドの前面部、即ちフロ
ントギヤツプ形成面より後部即ちバツクギヤツプ
形成面まで連続して強磁性金属薄膜を形成した本
発明の他の実施例となる第20図の磁気ヘツドに
ついて説明する。
を形成するのではなくヘツドの前面部、即ちフロ
ントギヤツプ形成面より後部即ちバツクギヤツプ
形成面まで連続して強磁性金属薄膜を形成した本
発明の他の実施例となる第20図の磁気ヘツドに
ついて説明する。
この磁気ヘツドは磁気コア半体41a,41b
が強磁性酸化物である例えばMn−Znフエライト
で形成され、このコア半体41a,41bの突き
合わせ面である磁気ギヤツプgの形成面とコア半
体41a,41bの接合面近傍に被着形成された
センダスト膜である強磁性金属薄膜42a,42
bの形成面とは例えば45゜の角度で傾斜している。
またこの金属薄膜42a,42bはフロントギヤ
ツプ形成面よりバツクギヤツププ形成面に至るま
で連続して形成され、この金属薄膜42a,42
bのみにより磁気ギヤツプgがアジマス角度で傾
斜して形成されている。またトラツク幅を規制す
る凹部41a′,41b′の端面形状は第21図にテ
ープ対接面を拡大して示すように折傾斜面41
a1′,41a2′,41b1′,41b2′に形成されてお
り、このトラツク幅規制凹部に補強材となる非磁
性材43a,43bと44が接合面近傍に充填さ
れている。また一方の磁気コア半体41bには巻
線孔45が形成されている。
が強磁性酸化物である例えばMn−Znフエライト
で形成され、このコア半体41a,41bの突き
合わせ面である磁気ギヤツプgの形成面とコア半
体41a,41bの接合面近傍に被着形成された
センダスト膜である強磁性金属薄膜42a,42
bの形成面とは例えば45゜の角度で傾斜している。
またこの金属薄膜42a,42bはフロントギヤ
ツプ形成面よりバツクギヤツププ形成面に至るま
で連続して形成され、この金属薄膜42a,42
bのみにより磁気ギヤツプgがアジマス角度で傾
斜して形成されている。またトラツク幅を規制す
る凹部41a′,41b′の端面形状は第21図にテ
ープ対接面を拡大して示すように折傾斜面41
a1′,41a2′,41b1′,41b2′に形成されてお
り、このトラツク幅規制凹部に補強材となる非磁
性材43a,43bと44が接合面近傍に充填さ
れている。また一方の磁気コア半体41bには巻
線孔45が形成されている。
ところで強磁性金属薄膜42a,42bは磁気
コア半体41a,41bの突起部の一方の傾斜面
から非磁性材43a,43bにかけて形成される
一平面上に形成されていることから、この強磁性
金属薄膜42a,42bは各部において膜構造が
均一となつており磁気ヘツドの磁路方向に沿つて
この強磁性金属薄膜42a,42bの全体が高い
透磁率を示し磁気ヘツドの記録再生出力が高めら
れている。
コア半体41a,41bの突起部の一方の傾斜面
から非磁性材43a,43bにかけて形成される
一平面上に形成されていることから、この強磁性
金属薄膜42a,42bは各部において膜構造が
均一となつており磁気ヘツドの磁路方向に沿つて
この強磁性金属薄膜42a,42bの全体が高い
透磁率を示し磁気ヘツドの記録再生出力が高めら
れている。
また、強磁性金属薄膜42a,42bは各層の
強磁性金属薄膜がSiO2、Ta2O5、Al2O3、ZrO2、
Si3N4等の高耐摩耗性絶縁膜を介して積層される
ことで構成され、この強磁性金属薄膜の積層数は
任意に設定できる。
強磁性金属薄膜がSiO2、Ta2O5、Al2O3、ZrO2、
Si3N4等の高耐摩耗性絶縁膜を介して積層される
ことで構成され、この強磁性金属薄膜の積層数は
任意に設定できる。
次に、このような磁気ヘツドの製造工程を第2
2図〜第28図に基づき説明する。
2図〜第28図に基づき説明する。
先ず第22図に示すようにMn−Znフエライト
等の強磁性酸化物基板50の上面部に回転砥石等
を用いて上面部を横切るような断面多角形状の溝
51を複数形成する。
等の強磁性酸化物基板50の上面部に回転砥石等
を用いて上面部を横切るような断面多角形状の溝
51を複数形成する。
次に第23図に示すように上記溝51に高融点
ガラス52Aを溶融充填した後、平面研磨加工を
行なう。そして、第24図に示すように上記溝5
1と平行に一部オーバラツプして断面V字状の溝
53を複数形成する。この溝53の内壁面の傾斜
角度は上面部に対して例えば45゜となつており、
一方の内壁面に高融点ガラス52Aの一部が露出
している。
ガラス52Aを溶融充填した後、平面研磨加工を
行なう。そして、第24図に示すように上記溝5
1と平行に一部オーバラツプして断面V字状の溝
53を複数形成する。この溝53の内壁面の傾斜
角度は上面部に対して例えば45゜となつており、
一方の内壁面に高融点ガラス52Aの一部が露出
している。
次に、第25図に示すように上記基板50の上
面部にセンダスト等をスパツタリング、イオンプ
レーテイング、蒸着等の真空薄膜形成技術を用い
て高耐摩耗性絶縁膜を介して積層し、上記溝53
に強磁性金属薄膜54を形成する。
面部にセンダスト等をスパツタリング、イオンプ
レーテイング、蒸着等の真空薄膜形成技術を用い
て高耐摩耗性絶縁膜を介して積層し、上記溝53
に強磁性金属薄膜54を形成する。
そして、金属薄膜54が被着された上記溝53
即ち金属薄膜54上に溝53と対応して形成され
る溝53′に上記ガラス52Aより低融点のガラ
ス55を充填し、第26図に示すように上記基板
50の上面部及び前面部を上記強磁性金属薄膜5
4が上記溝部53のみ残るように平面研磨加工す
ることにより、溝部53の内壁面に強磁性金属薄
膜54Aが被着された状態となり、この金属薄膜
54A上の溝53′に低融点ガラス55が残るこ
とになる。
即ち金属薄膜54上に溝53と対応して形成され
る溝53′に上記ガラス52Aより低融点のガラ
ス55を充填し、第26図に示すように上記基板
50の上面部及び前面部を上記強磁性金属薄膜5
4が上記溝部53のみ残るように平面研磨加工す
ることにより、溝部53の内壁面に強磁性金属薄
膜54Aが被着された状態となり、この金属薄膜
54A上の溝53′に低融点ガラス55が残るこ
とになる。
また巻線溝側のコア半体を形成するために第2
6図に示すように加工を施した上記基板50に巻
線溝61を形成する溝加工を行い第27図に示す
強磁性酸化物基板60を得る。この基板60で溝
51には高融点ガラス52Bが充填され、溝53
には強磁性金属薄膜54Bが被着形成されてい
る。
6図に示すように加工を施した上記基板50に巻
線溝61を形成する溝加工を行い第27図に示す
強磁性酸化物基板60を得る。この基板60で溝
51には高融点ガラス52Bが充填され、溝53
には強磁性金属薄膜54Bが被着形成されてい
る。
次に、第28図に示すように上記基板50と上
記基板60とを強磁性金属薄膜54Aと54Bが
被着された側の平面部が向い合い上記金属薄膜5
4Aと54Bの一方の面側が連続状に対向するよ
うにギヤツプスペーサを介して突き合わせガラス
融着することで合体ブロツク62とする。
記基板60とを強磁性金属薄膜54Aと54Bが
被着された側の平面部が向い合い上記金属薄膜5
4Aと54Bの一方の面側が連続状に対向するよ
うにギヤツプスペーサを介して突き合わせガラス
融着することで合体ブロツク62とする。
尚、以上の工程において基板40に被着形成さ
れた強磁性金属薄膜44の上側に溝43と対応し
て形成される溝43′には低融点ガラス45を充
填せず、第27図に示す工程において巻線溝61
と所要間隔離れて平行にガラス充填溝を形成して
おき、基板50と60の接合の際巻線溝61及び
ガラス充填溝に低融点ガラス棒を挿入してこのガ
ラスを溶融することにより上記溝43′に充填さ
れて両基板50と60は接合されることになり合
体ブロツク62とすることができる。
れた強磁性金属薄膜44の上側に溝43と対応し
て形成される溝43′には低融点ガラス45を充
填せず、第27図に示す工程において巻線溝61
と所要間隔離れて平行にガラス充填溝を形成して
おき、基板50と60の接合の際巻線溝61及び
ガラス充填溝に低融点ガラス棒を挿入してこのガ
ラスを溶融することにより上記溝43′に充填さ
れて両基板50と60は接合されることになり合
体ブロツク62とすることができる。
次に、このように形成された合体ブロツク62
と接合面に対してアジマス角だけ傾けたc−c線
c′−c′線の位置でスライシング加工することでア
ジマス角で傾斜する磁気ギヤツプが後部まで形成
された複数個のヘツドチツプを得ることができ
る。その後、このヘツドチツプ磁気テープ対接面
を円筒研磨することで第20図に示した磁気ヘツ
ドとなる。ここでこの磁気ヘツドの一方のコア半
体41aは上記基板50を母材としており、他方
のコア半体41bは上記基板60を母材としてい
る。また強磁性金属薄膜42a,42bは上記金
属薄膜54A,54Bに対応し、非磁性体43
a,43bは上記高融点ガラス52A,52Bに
対応し、更に非磁性材44は上記低融点ガラス5
5に対応してる。また巻線孔45は上記巻線溝6
1に対応している。
と接合面に対してアジマス角だけ傾けたc−c線
c′−c′線の位置でスライシング加工することでア
ジマス角で傾斜する磁気ギヤツプが後部まで形成
された複数個のヘツドチツプを得ることができ
る。その後、このヘツドチツプ磁気テープ対接面
を円筒研磨することで第20図に示した磁気ヘツ
ドとなる。ここでこの磁気ヘツドの一方のコア半
体41aは上記基板50を母材としており、他方
のコア半体41bは上記基板60を母材としてい
る。また強磁性金属薄膜42a,42bは上記金
属薄膜54A,54Bに対応し、非磁性体43
a,43bは上記高融点ガラス52A,52Bに
対応し、更に非磁性材44は上記低融点ガラス5
5に対応してる。また巻線孔45は上記巻線溝6
1に対応している。
そして上記磁気ヘツドのトラツク幅規制凹部4
1a′,41b′は上記基板50,60の多角形溝5
1,51に対応している。そのため上記トラツク
幅規制凹部41a′,41b′の端面部41a1,41
a2′,41b1′,41b2′は上記溝51,51の多角
形内壁面の一部分に対応し、2段階に折曲した形
状となつている。
1a′,41b′は上記基板50,60の多角形溝5
1,51に対応している。そのため上記トラツク
幅規制凹部41a′,41b′の端面部41a1,41
a2′,41b1′,41b2′は上記溝51,51の多角
形内壁面の一部分に対応し、2段階に折曲した形
状となつている。
このように、磁気ギヤツプgの両側のトラツク
幅規制凹部41a′,41b′の端面が高融点ガラス
をパツクした溝51の多角形状内壁面の一部分に
より形成されて屈曲しているためアジマスガード
バンドレス記録において隣接及び隣々接トラツク
からのクロストークを低減することができて記録
再生効率の大きな信頼性の高い磁気ヘツドとなつ
ている。
幅規制凹部41a′,41b′の端面が高融点ガラス
をパツクした溝51の多角形状内壁面の一部分に
より形成されて屈曲しているためアジマスガード
バンドレス記録において隣接及び隣々接トラツク
からのクロストークを低減することができて記録
再生効率の大きな信頼性の高い磁気ヘツドとなつ
ている。
また以上の磁気ヘツドの製造工程において溝5
1を深く形成することによりトラツク幅規制凹部
41a′と41b′の端面間の距離を大に、例えば約
50μ以上にすることによりヘツド空隙損失を利用
してクロストーク成分を低減させることができ
る。
1を深く形成することによりトラツク幅規制凹部
41a′と41b′の端面間の距離を大に、例えば約
50μ以上にすることによりヘツド空隙損失を利用
してクロストーク成分を低減させることができ
る。
ところで上述の製造工程において、強磁性金属
薄膜42a,42bの膜構造の不均一な部分は第
26図で説明した研磨工程即ちギヤツプ面研磨加
工時に削りとられると共に第28図に示したスラ
イシングにより切除されてしまうため均一な膜構
造を有する強磁性金属薄膜42a,42bのみが
残る。このため上記磁気ヘツドは一平面上に形成
された上記強磁性金属薄膜42a,42bが磁路
に沿つてその各部が高透磁率となることで安定し
た高出力が得られるようになる。
薄膜42a,42bの膜構造の不均一な部分は第
26図で説明した研磨工程即ちギヤツプ面研磨加
工時に削りとられると共に第28図に示したスラ
イシングにより切除されてしまうため均一な膜構
造を有する強磁性金属薄膜42a,42bのみが
残る。このため上記磁気ヘツドは一平面上に形成
された上記強磁性金属薄膜42a,42bが磁路
に沿つてその各部が高透磁率となることで安定し
た高出力が得られるようになる。
尚、第28図の合体したブロツク62をスライ
シングするc−c線、c′−c′線は両コア半体ブロ
ツク50,60の突き合わせ面に対して傾斜即ち
アジマス角を有する磁気ギヤツプgが得られるよ
うにスライシング方向を傾斜させてあるが、これ
を突き合わせ面に対して垂直にスライシングして
もよい。
シングするc−c線、c′−c′線は両コア半体ブロ
ツク50,60の突き合わせ面に対して傾斜即ち
アジマス角を有する磁気ギヤツプgが得られるよ
うにスライシング方向を傾斜させてあるが、これ
を突き合わせ面に対して垂直にスライシングして
もよい。
また本例においても合体させたブロツク62の
スライシング加工において第16図に示すように
所定のテープ対接面幅と同間隔またはそれより狭
い間隔で溝63,63′を形成し実際のスライシ
ング厚をテープ対接面幅即ち溝63,63′で挾
まれた部分の厚みより厚くした位置でスライシン
グすることにより第29図に示す磁気ヘツドが得
られる。
スライシング加工において第16図に示すように
所定のテープ対接面幅と同間隔またはそれより狭
い間隔で溝63,63′を形成し実際のスライシ
ング厚をテープ対接面幅即ち溝63,63′で挾
まれた部分の厚みより厚くした位置でスライシン
グすることにより第29図に示す磁気ヘツドが得
られる。
発明の効果
以上のように本発明によれば強磁性酸化物材料
と強磁性金属材料との複合材料からなりテープ対
接面に磁気ギヤツプに対して傾斜して形成される
強磁性金属薄膜と強磁性酸化物及び非磁性材が配
されてなる磁気ヘツドにおいて強磁性酸化物と非
磁性材料との界面を屈曲して形成したのでアジマ
スガードバンドレス記録において隣接及び隣々接
トラツクからのクロストークが減少され記録再生
効率の大きな信頼性の高い磁気ヘツドを得ること
ができる。そして、溝が屈曲していることによ
り、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との接合面積
を大きくしたままで隣接及び隣々接トラツクにお
ける強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との距離を大
きくすることが出来るため、長波長域においても
クロストークの少ない高出力ヘツドを得ることが
出来る。また磁気ギヤツプは強磁性金属薄膜のみ
により形成されることでヘツドの出力が高く例え
ばメタルテープ等の高い抗磁力Hcをもつ磁気テ
ープに好適なヘツドであり、更に磁気テープ対接
面のほとんどが強磁性酸化となつているため優れ
た耐摩耗性を有する磁気ヘツドとなつている。
と強磁性金属材料との複合材料からなりテープ対
接面に磁気ギヤツプに対して傾斜して形成される
強磁性金属薄膜と強磁性酸化物及び非磁性材が配
されてなる磁気ヘツドにおいて強磁性酸化物と非
磁性材料との界面を屈曲して形成したのでアジマ
スガードバンドレス記録において隣接及び隣々接
トラツクからのクロストークが減少され記録再生
効率の大きな信頼性の高い磁気ヘツドを得ること
ができる。そして、溝が屈曲していることによ
り、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との接合面積
を大きくしたままで隣接及び隣々接トラツクにお
ける強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との距離を大
きくすることが出来るため、長波長域においても
クロストークの少ない高出力ヘツドを得ることが
出来る。また磁気ギヤツプは強磁性金属薄膜のみ
により形成されることでヘツドの出力が高く例え
ばメタルテープ等の高い抗磁力Hcをもつ磁気テ
ープに好適なヘツドであり、更に磁気テープ対接
面のほとんどが強磁性酸化となつているため優れ
た耐摩耗性を有する磁気ヘツドとなつている。
第1図は従来の磁気ヘツドの斜視図、第2図は
第1図の磁気ヘツドのテープ対接面を拡大して示
す平面図、第3図は本発明の一実施例の磁気ヘツ
ドの斜視図、第4図は第3図の磁気ヘツドのテー
プ対接面を拡大して示す平面図、第5図はVTR
用磁気テープのアジマス記録パターン図、第6図
乃至第12図は第3図の磁気ヘツドを作製する工
程を順に示す斜視図、第13図乃至第15図は第
3図の磁気ヘツドのテープ対接面の変形例を拡大
して示す平面図、第16図は本発明の磁気ヘツド
を作製する工程中の他例のスライシング工程を示
す斜視図、第17図は第16図に示すスライシン
グ工程によつて作製される磁気ヘツドの斜視図、
第18図及び第19図は他例のスライシング工程
によつて作製される磁気ヘツドの斜視図、第20
図は本発明の磁気ヘツドの他の実施例の斜視図、
第21図は第20図の磁気ヘツドのテープ対接面
を拡大して示す平面図、第22図乃至第28図は
第20図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示す
斜視図、第29図は他のスライシング工程により
作製される本発明の磁気ヘツドの他の実施例の斜
視図である。 11a,11b……磁気コア半体、12a,1
2b……強磁性金属薄膜、13a,13b,14
……非磁性材、11a′,11b′……トラツク幅規
制凹部、11a1′,11a2′,11b1′,11b2′……
傾斜端面、41a,41b……磁気コア半体、4
2a,42b……強磁性金属薄膜、43a,43
b,44……非磁性材、41a′,41b′……トラ
ツク幅規制凹部、41a1′,41a2′,41b1′,4
1b2′……傾斜端面。
第1図の磁気ヘツドのテープ対接面を拡大して示
す平面図、第3図は本発明の一実施例の磁気ヘツ
ドの斜視図、第4図は第3図の磁気ヘツドのテー
プ対接面を拡大して示す平面図、第5図はVTR
用磁気テープのアジマス記録パターン図、第6図
乃至第12図は第3図の磁気ヘツドを作製する工
程を順に示す斜視図、第13図乃至第15図は第
3図の磁気ヘツドのテープ対接面の変形例を拡大
して示す平面図、第16図は本発明の磁気ヘツド
を作製する工程中の他例のスライシング工程を示
す斜視図、第17図は第16図に示すスライシン
グ工程によつて作製される磁気ヘツドの斜視図、
第18図及び第19図は他例のスライシング工程
によつて作製される磁気ヘツドの斜視図、第20
図は本発明の磁気ヘツドの他の実施例の斜視図、
第21図は第20図の磁気ヘツドのテープ対接面
を拡大して示す平面図、第22図乃至第28図は
第20図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示す
斜視図、第29図は他のスライシング工程により
作製される本発明の磁気ヘツドの他の実施例の斜
視図である。 11a,11b……磁気コア半体、12a,1
2b……強磁性金属薄膜、13a,13b,14
……非磁性材、11a′,11b′……トラツク幅規
制凹部、11a1′,11a2′,11b1′,11b2′……
傾斜端面、41a,41b……磁気コア半体、4
2a,42b……強磁性金属薄膜、43a,43
b,44……非磁性材、41a′,41b′……トラ
ツク幅規制凹部、41a1′,41a2′,41b1′,4
1b2′……傾斜端面。
Claims (1)
- 1 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
ヤツプを形成してなる磁気ヘツドにおいて、磁気
ギヤツプと強磁性金属薄膜形成面とが所定角度で
傾斜しており、上記強磁性金属薄膜のみにより磁
気ギヤツプを形成しテープ対接面に上記強磁性金
属薄膜と上記強磁性酸化物及び非磁性材が配さ
れ、且つ上記強磁性酸化物と上記非磁性材との界
面が屈曲していることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59078242A JPS60223012A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 磁気ヘツド |
CA000470379A CA1236212A (en) | 1983-12-30 | 1984-12-18 | Magnetic transducer head with slanted thin film |
AU37074/84A AU582736B2 (en) | 1983-12-30 | 1984-12-21 | Magnetic transducer head |
GB08432443A GB2153581B (en) | 1983-12-30 | 1984-12-21 | Magnetic transducer heads |
IT49363/84A IT1182707B (it) | 1983-12-30 | 1984-12-27 | Testa magnetica trasduttrice e metodo per la sua produzione |
DE3447700A DE3447700A1 (de) | 1983-12-30 | 1984-12-28 | Magnetischer wandlerkopf |
AT4127/84A AT393566B (de) | 1983-12-30 | 1984-12-28 | Magnetwandlerkopf |
FR8420082A FR2558000B1 (fr) | 1983-12-30 | 1984-12-28 | Tete de transducteur magnetique. |
NL8403971A NL194772C (nl) | 1983-12-30 | 1984-12-31 | Magnetische transducentkop, alsmede werkwijze voor het vervaardigen ervan. |
KR1019850000415A KR930000067B1 (ko) | 1984-04-18 | 1985-01-23 | 자기헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59078242A JPS60223012A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60223012A JPS60223012A (ja) | 1985-11-07 |
JPH0475564B2 true JPH0475564B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=13656549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59078242A Granted JPS60223012A (ja) | 1983-12-30 | 1984-04-18 | 磁気ヘツド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60223012A (ja) |
KR (1) | KR930000067B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0690776B2 (ja) * | 1985-08-12 | 1994-11-14 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
JPH0770023B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1995-07-31 | ソニー株式会社 | 磁気ヘツド |
JPS62145516A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
JPS62145522A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
JPS62298908A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気ヘツド |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5623A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-06 | Hitachi Ltd | Magnetic head and its manufacture |
JPS56169214A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic head |
JPS58143428A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツド |
JPS58155513A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 |
JPS58175122A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP59078242A patent/JPS60223012A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-23 KR KR1019850000415A patent/KR930000067B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5623A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-06 | Hitachi Ltd | Magnetic head and its manufacture |
JPS56169214A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic head |
JPS58143428A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツド |
JPS58155513A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 |
JPS58175122A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR850007508A (ko) | 1985-12-04 |
KR930000067B1 (ko) | 1993-01-08 |
JPS60223012A (ja) | 1985-11-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |