JPH0475564B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気ヘツドに関し、特に強磁性酸化物
材料と強磁性金属材料との複合磁性材料からなる
磁気ヘツドに関する。

背景技術とその問題点 例えばVTR（ビデオテープレコーダ）用の磁気
記録媒体である磁気テープに磁気記録される信号
が高密度化されてくるに従い磁気テープとして高
い残留磁束密度Brを有するメタルテープ等が使
用されてきている。このメタルテープ等の高い抗
磁力Hcを持つ磁気テープに用いられる磁気ヘツ
ドは磁気ギヤツプより発生する磁界の強度を高く
する必要があり、また記録される信号の高密度化
に伴ない磁気ヘツドのトラツク幅を狭くする必要
がある。

そこで、このような磁気ヘツドとしては従来よ
り種々のものが提案されており、この狭トラツク
化の磁気ヘツドとしては第１図に示すように強磁
性酸化物より成るコア半体１ａ，１ｂの間の磁気
ギヤツプｇを強磁性金属薄膜２ａ，２ｂにより形
成したヘツドが知られている。即ち、この第１図
の磁気ヘツドは第２図にそのテープ対接面を拡大
して示すようにMn−Znフエライト等の強磁性酸
化物よりなるコア半体１ａ，１ｂの磁気ギヤツプ
形成面側にトラツク幅規制凹部１a′，１b′により
フエライト突起部１a″，１b″を形成し、この突起
部１a″，１b″の一側面からトラツク幅規制凹部１
a′，１b′に充填される非磁性材３ａ，３ｂにかけ
てスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用いて
センダスト等の強磁性金属薄膜２ａ，２ｂを被着
形成し、この一対のコア半体１ａ，１ｂをトラツ
ク幅規制凹部１a′，１b′に溶融充填される補強用
ガラス４により融着接合している。

この磁気ヘツドは上記突起部１a″，１b″に被着
された強磁性金属薄膜２ａ，２ｂを利用して磁気
ギヤツプｇを形成しているため磁気抵抗が小さく
効率の良い狭トラツクヘツドを得ることができ
る。

しかし、このように複合磁性材料からなる磁気
ヘツドはトラツク幅規制凹部１a′，１b′の端面即
ち、コア半体１ａ，１ｂと相対する反対側のコア
の一部となる強磁性金属薄膜のそれぞれ２ａ，２
ｂとの間隔が狭くなるため長波長域において隣接
又は隣々接トラツクの信号を拾いクロストークを
生じるおそれがある。

発明の目的 本発明は斯る点に鑑み強磁性酸化物よりなる磁
気コアに強磁性金属薄膜を被着して磁気ギヤツプ
を形成する磁気ヘツドにおいて隣接又は隣々接ト
ラツクからのクロストークの低減化を図つたもの
である。

発明の概要 本発明は上記の目的を達成するために、強磁性
酸化物よりなる磁気コア半体対の対接面に真空薄
膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成し、この
磁気コア半体対を突き合わせ磁気ギヤツプを形成
してなる磁気ヘツドにおいて、磁気ギヤツプと強
磁性金属薄膜形成面とが所要角度で傾斜しており
強磁性金属薄膜のみにより磁気ギヤツプを形成し
テープ対接面に強磁性金属薄膜と強磁性酸化物及
び非磁性材が配され、且つ強磁性酸化物と非磁性
材との界面が屈曲していることを特徴とし、隣接
又は隣々接トラツクからのクロストークの低減化
を図つたものである。

実施例 以下本発明の実施例を図面に基づき説明する。

第３図は本発明に係わる磁気ヘツドの一例の斜
視図である。この複合磁性材料からなる磁気ヘツ
ドは例えば一対の磁気コア半体１１ａ，１１ｂが
Mn−Znフエライト等の強磁性酸化物により形成
され磁気ギヤツプｇの近傍部には高透磁率合金の
センダスト等からなる強磁性金属薄膜１２ａ，１
２ｂがスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用
いて形成され、そして磁気ギヤツプｇの形成面近
傍即ちテープ対接面１１における磁気ギヤツプｇ
の両側部にトラツク幅を規制する凹部１１a′，１
１b′が形成され、この凹部に非磁性材としての酸
化物ガラス１３ａ，１３ｂ及び融着ガラス１４が
溶融充填されている。

ところで本例の磁気ヘツドはテープ対接面１１
の平面図を第４図に示すように磁気ギヤツプｇは
所定のアジマス角度で形成され、また磁気コア半
体１１ａ，１１ｂのトラツク幅規制凹部１１a′，
１１b′の端面は磁気ギヤツプｇのアジマス角と異
なる方向で２段階の傾斜面１１a₁′，１１a₂′，１
１b₁′，１１b₂により形成してある。

また強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂの形成面と
磁気ギヤツプｇの形成面のなす傾斜角度〓はほぼ
45゜となつているが、20゜〜80゜程度の範囲としても
よい。ここで20゜以下の角度であると隣接トラツ
クからのクロストークが大きくなり望ましくは
30゜以上の角度をもたせるのがよい。また傾斜角
度を90゜にした場合は耐摩耗性が劣ることから80゜
以下とするのがよい。また傾斜角度を90゜にする
とアジマス角の傾斜のない普通のヘツドの場合は
磁気ギヤツプｇの近傍部に形成される上述の強磁
性金属薄膜１２ａ，１２ｂの膜厚をトラツク幅に
等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を
用いて薄膜を形成するに当たつて多くの時間を要
してしまうことや膜構造が均一化してしまう点で
好ましくない。

このように本例の磁気ヘツドは磁気コア半体１
１ａの傾斜面及び非磁性材１３ａ上を連ねた一平
面上に強磁性金属薄膜１２ａが被着形成され、ま
た他方の磁気コア半体１１ｂの傾斜面及び非磁性
材１３ｂ上を連ねた一平面上に強磁性金属薄膜１
２ｂが被着形成されていることにより、例えばセ
ングスト膜からなる強磁性金属薄膜１２ａ，１２
ｂの膜構造即ち柱状晶の成長方位は磁気ギヤツプ
ｇ近傍部及び傾斜面に亘つて一方向に平行に揃つ
た均一なものとなつており、このため磁気ヘツド
は磁路に沿つた方向で強磁性金属薄膜１２ａ，１
２ｂの全体が高い透磁率を示すようになり高い記
録再生出力が得られる。また磁気ヘツドの後部側
はMn−Znフエライト等の強磁性酸化物どうしを
突き合わせて接合しており、強磁性金属薄膜１２
ａ，１２ｂと磁気コア半体１１ａ，１１ｂとの密
着性が悪くとも大きな接着強度を得ることがで
き、また加工時にバツクトラツクずれが発生する
ようなこともなく歩留りの向上を図ることができ
る。

またトラツク幅は数μ〜数十μの広範囲に容易
に形成することができる絶縁膜を介して例えば多
層に積層される強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂの
積層数を少なくすることで狭トラツク化の磁気ヘ
ツドとすることができる。

そして本例の磁気ヘツドは磁気コア半体１１
ａ，１１ｂのトラツク幅規制凹部１１a′，１１
b′の端面が磁気ギヤツプｇのアジマス角と異なる
方向で傾斜されていることにより隣接及び隣々接
トラツクからのクロストークが減少される。

即ち一般には隣接トラツクのクロストークは問
題とならないような方策がなされており、例えば
第５図に示すVTRの磁気テープＴのように互い
に隣接するトラツクt₁とt₂，t₂とt₃……は相対的
に異なるアジマス角で記録し相互のクロストーク
の問題を解消するようになされているが、隣々接
トラツクt₁とt₃，t₂とt₄，t₃とt₅……の記録アジマ
ス角は同方向であるためクロストロークの問題が
生じることになり、このクロストークの問題が生
じるのは、隣々接トラツクのクロストークである
が、本例のごとく磁気コア半体１１ａ，１１ｂの
トラツク幅規制凹部１１a′，１１b′の端面を磁気
ギヤツプｇのアジマス角と異なる方向の角度で二
段階に傾斜させて形成することにより、この磁気
コア半体１１ａ，１１ｂのトラツク幅規制凹部１
１a′，１１b′の端縁が隣接又は隣々接トラツクに
対応してもアジマス損失によつて、隣接又は隣々
接トラツクからの信号のピツクアツプ量即ちクロ
ストークを減少させることができる。

尚、アジマス記録においても長波長成分の信号
は磁気コア半体のトラツク幅規制凹部の端縁で再
生され、クロストークとして本信号に交じるおそ
れがあるが、トラツク幅規制凹部１１a′，１１
b′の端縁間の距離を約50μm以上に保つように形
成することによりヘツド空隙損失を利用してクロ
ストーク成分を低減させることができる。

以上説明したように本例の磁気ヘツドは磁気ギ
ヤツプｇから発生する磁界の強度が高いことや再
生出力を高くとれ、また隣接又は隣々接トラツク
からのクロストークを低滅させることができるこ
となど、例えばメタルテープ等の高い抗磁力Hc
を有する磁気テーープに高密度記録するのに適し
た磁気ヘツドとなつている。

次に上述の第３図に示す磁気ヘツドの製造工程
を第６図〜第１２図に基づき説明する。

先ず第６図に示すように例えばMn−Znフエラ
イト等の強磁性酸化物基板２０の上面幅方向に複
数の切り溝２１を回転砥石または電界エツチング
等により断面多角形状に複数形成する。即ち上記
基板２０の上面２３は磁気ギヤツプ形成面に対応
し、上記切り溝２１は基板２０の磁気ギヤツプ形
成位置近傍部に相当する部分に形成される。

次に第７図に示すように上記切り溝２１に高融
点ガラス２２Ａを溶融充填した後上面２３と前面
２４とを平面研磨する。そして第８図に示すよう
に高融点ガラス２２Ａを充填した上記切り溝２１
の一部とオーバラツプするように上記上面２３に
切り溝２１と隣り合う複数の切り溝２５を断面三
角形状に形成する。このとき形成される切り溝２
５の一方の内壁面２６には上記高融点ガラス２２
Ａの一部が露出している。またこの一方の内壁面
２６と上記上面２３との交線２７は上記前面２４
と直角をなしている。またこの一方の内壁面２６
と上面２３とのなす角度は所要角度例えば45゜と
なつているがこの角度は上述の如く20゜〜80゜程度
であればよい。

次に第９図に示すように上記基板２０の上記切
り溝２５を含む上面２３にスパツタリング等の真
空薄膜形成技術を用いて高透磁率合金の例えばセ
ンダストを絶縁膜を介して被着積層し、強磁性金
属薄膜２８と形成する。このとき切り溝２５一方
の内壁面２６上に効率よく被着するように上記基
板２０を傾斜させてスパツタリング装置内に配置
するようにする。尚、この場合強磁性金属薄膜を
一層で形成しても本発明から逸脱するものでない
ことはもちろんである。

次に第１０図に示すように強磁性金属薄膜２８
が被着された上記切り溝２５即ち、強磁性金属薄
膜２８上に切り溝２５に対応して形成される溝２
５′に上記ガラス２２Ａよりも低融点のガラス２
９を溶融充填した後、上面２３即ち磁気ギヤツプ
形成面側に被着している不要なガラス及び強磁性
金属薄膜を研削除去して平面研磨して鏡面上げを
行う。この状態において前の工程で被着した強磁
性金属薄膜２８一部が上記切り溝２５５の内壁面
側に残り、特に一方の内壁面２６に所定の厚さで
被着された状態として残り、この一方の内壁面２
６に強磁性金属薄膜２８Ａが被着された状態とな
る。尚、金属薄膜は他方の内壁面にも被着されて
残るがこれは上述したスパツタリング装置内への
配置により一方の内壁面側に比して微少であるか
ら図示は省略する。

また巻線溝側の磁気コア半体を形成するために
第１０図に示すように加工を施した強磁性酸化物
基板２０に巻線溝３１を形成する溝加工を行い、
第１１図に示す強磁性酸化物基板３０を得る。こ
の基板３０で切り溝２１には高融点ガラス２２Ｂ
が充填され、切り溝２５の一方の内壁面には強磁
性金属薄膜２８Ｂが被着形成されている。

次に上記基板２０の磁気ギヤツプ形成面となる
上面２３と上記基板３０の磁気ギヤツプ形成面と
なる上面３２とを膜付けしたギヤツプスペーサを
介して第１２図に示すように強磁性金属薄膜２８
Ａと２８Ｂとを対応させて突き合わせガラス融着
を行う。その後この基板２０と基板３０とを合体
させたブロツク３３をこの接合面に対してアジマ
ス角だけ傾けたａ−ａ線、a′−a′線の位置でスラ
イシング加工することでアジマス角で傾斜する磁
気ギヤツプを有する複数個のヘツドチツプを得る
ことができる。尚、基板接合面に対して垂直にス
ライシングすると普通のヘツドチツプが形成でき
る。

ここで上記ギヤツプスペーサとしてはSiO₂、
ZrO₂、Ta₂O₅、Cr等を用いることができる。

次に、上記ヘツドチツプの磁気テープ対接面を
円筒研磨することで第３図に示す磁気ヘツドとな
る。この第３図の磁気ヘツドにおいて一方の磁気
コア半体１１ａは上記基板２０を母材としてお
り、他方の磁気コア半体１１ｂは上記基板３０が
母材となつている。また非磁性材１３ａ，１３ｂ
は上記高融点ガラス２２Ａ，２２Ｂに夫々対応し
非磁性材１４は上記低融点ガラス２９に対応して
おり、この気ヘツドの強磁性金属薄膜１２ａ，１
２ｂは上記金属薄膜２８Ａ，２８Ｂに夫々対応
し、更に上記磁気ヘツドの巻線孔１５は上記基板
３０に形成された巻線溝３１に対応している。

そして上記磁気ヘツドのトラツク幅規制凹部１
１a′，１１b′は上記基板２０，３０の切り溝２
１，２１に対応している。そのためトラツク幅規
制凹部１１a′，１１b′の端面部１１a₁′，１１a₂′，
１１b₁′，１１b₂′は上記切り溝２１，２２の多角
形内壁面の一部分に対応し、２段階に折曲した形
状となつている。

このように上記磁気ヘツドでは例えばセンダス
ト膜である上記強磁性金属薄膜の膜構造は第９図
に示す工程で被着形成された上記金属薄膜２８の
内、膜構造の不均一な部分をギヤツプ形成面研磨
加工により削り取つてしまうため、第１０図に示
すように切り溝２５の一方の内壁面である斜めの
平面即ち一平面上に形成された均一な膜構造の薄
膜２８Ａ，２８Ｂのみを使用することができる。
このため上記金属薄膜２８Ａ，２８Ｂの各部がヘ
ツドの磁路方向に沿つて高い透磁率を示すように
なり磁気ヘツドは安定した高出力を得ることがで
きる。

以上説明したように本発明による磁気ヘツドは
製造工程において予め高融点ガラス２２Ａをバツ
クした切り溝２１に隣接して磁気ギヤツプ形成面
となる平面に対し45゜（20゜〜80゜の範囲であればよ
い）の角度をなす平面２６を後工程で砥石加工等
により形成し、ギヤツプ面とは斜めの位置関係に
あるこの平面上に強磁性金属薄膜２８を真空薄膜
形成技術で形成している。そして少なくとも磁気
ギヤツプ近傍においては斜めの平面上に成長して
いる薄膜のみが残るようにギヤツプ面研磨加工を
行つていることから、磁気ギヤツプｇを形成する
強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂは各部において均
一な膜構造となりヘツド出力の高安定化が可能と
なつており、また磁気ギヤツプｇの両側のトラツ
ク幅規制凹部１１a′，１１b′の端面１１a₁′，１１
a₂′，１１b₁′，１１b₂′は上記高融点ガラス２２Ａ
をパツクした切り溝２１の多角形状内壁面のほぼ
半分により形成されていることから２段階的に屈
曲変化しており、そのためアジマスガードバンド
レス記録において隣接及び隣々接トラツクからの
クロストークを避けることができて記録再生効率
の大きな信頼性の高い磁気ヘツドとなつている。

また上記磁気ヘツドはヘツドの後部側の接合面
即ちバツクギヤツプ面において強磁性酸化物どう
しが直接ガラス融着されていることからヘツドチ
ツプの耐破壊強度が大きく製造し易いヘツドとな
つて歩留りの向上を図ることができる。

第１３図、第１４図及び第１５図は本発明の他
の実施例におけるテープ対接面を示す平面図であ
る。これら他の実施例においては磁気ギヤツプｇ
の両側のトラツク幅規制凹部、１１a′，１１b′の
端面形状を変えた場合である。即ち第１３図に示
す実施例はコア半体１１ａ，１１ｂに形成するト
ラツク幅規制凹部１１a′，１１b′の端面をヘツド
チツプの下面、上面に対し傾斜のゆるい２折傾斜
面１１a₁′，１１a₂′，１１b₁′，１１b₂′に形成した
場合であり、第１４図に示すものはコア半体１１
ａ，１１ｂに形成するトラツク幅規制凹部１１
a′，１１b′の２折傾斜面１１a₁′，１１a₂′，１１
b₁′，１１b₂′の屈曲部のアールを大径に形成した
場合、第１５図に示すものはコア半体１１ａ，１
１ｂに形成するトラツク幅規制凹部１１a′，１１
b′のの端面を３折傾斜面１１a₁′，１１a₂′，１１
a³′，１１b₁′，１１b₂′１１b₃′に形成した場合であ
る。

尚、トラツク幅規制凹部の端面は２折傾斜面の
各々の傾斜角度を変えた形状、３折傾斜面以上の
多折傾斜面等に形成してもよい。図中１２ａ，１
２ｂは強磁性金属薄膜、１３ａ，１３ｂ，１４は
非磁性材である。

また上述の第１２図に示すように合体されたブ
ロツク３３のスライシング加工において第１６図
に示すように所定のテープ対接面幅と同間隔また
はそれより狭い間隔で溝３４，３４′を形成し、
実際のスライシング厚をテープ対接面幅即ち溝３
４，３４′で挾まれた部分の厚みより厚くして溝
３４，３４′内におけるｂ−ｂ線、b′−b′線の位
置でスライシングしてヘツドチツプを得ることが
でき、このヘツドチツプのテープ対接面を円筒研
磨することにより第１７図に示す磁気ヘツドが得
られる。

このようにして行う合体ブロツク３３のスライ
シング加工において、溝３４，３４′の形成時に
は砥石が強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂとなる金
属薄膜２８Ａ，２８Ｂ、磁気コア半体１１ａ，１
１ｂを形成するフエライト基板２０，３０及び必
磁性材１３ａ，１３ｂ，１４に対応するガラス材
２２Ａ，２２Ｂ，２９を通過するが、この通過面
積は極めて小さく、これに対して通過面積の大き
い実際のスライシング時にはフエライト基板２
０，３０と非磁性材２２Ａ，２２Ｂ，２９のみを
通過することによりスライシング加工時の強磁性
金属薄膜２８Ａ，２８Ｂの剥れひび等の不良項目
を低減することができる。また凹段状の溝３４，
３４′に代えて第１８図に示すようにテーパ状面
３５，３５′を形成してもよい。

またスライシング幅を大にした場合は第１９図
に示すよう強制性金属薄膜１２ａ，１２ｂの屈曲
部がコア半体１１ａ，１１ｂ中に存在することに
なるが、フエライトと金属との磁気的接合は金属
薄膜の平面部において充分行われる寸法関係にる
ため即ち金属薄膜の平面部が充分広いためヘツド
の出力を損なうことがほとんどない構造となつて
いる。

このようにしてスライシング加工することによ
りテープ対接面近傍の幅をヘツド自体の強度を損
なうことなくある程度薄くすることができるので
テープに馴やすく、また高耐摩耗性の磁気ヘツド
を形成することができる。またこの磁気ヘツドは
バツク側のコア厚が厚いためバツク側の磁気抵抗
は更に小さくなり再生効率が増すためより高出力
のヘツドとなる。

次に磁気ギヤツプ近傍部にのみ強磁性金属薄膜
を形成するのではなくヘツドの前面部、即ちフロ
ントギヤツプ形成面より後部即ちバツクギヤツプ
形成面まで連続して強磁性金属薄膜を形成した本
発明の他の実施例となる第２０図の磁気ヘツドに
ついて説明する。

この磁気ヘツドは磁気コア半体４１ａ，４１ｂ
が強磁性酸化物である例えばMn−Znフエライト
で形成され、このコア半体４１ａ，４１ｂの突き
合わせ面である磁気ギヤツプｇの形成面とコア半
体４１ａ，４１ｂの接合面近傍に被着形成された
センダスト膜である強磁性金属薄膜４２ａ，４２
ｂの形成面とは例えば45゜の角度で傾斜している。
またこの金属薄膜４２ａ，４２ｂはフロントギヤ
ツプ形成面よりバツクギヤツププ形成面に至るま
で連続して形成され、この金属薄膜４２ａ，４２
ｂのみにより磁気ギヤツプｇがアジマス角度で傾
斜して形成されている。またトラツク幅を規制す
る凹部４１a′，４１b′の端面形状は第２１図にテ
ープ対接面を拡大して示すように折傾斜面４１
a₁′，４１a₂′，４１b₁′，４１b₂′に形成されてお
り、このトラツク幅規制凹部に補強材となる非磁
性材４３ａ，４３ｂと４４が接合面近傍に充填さ
れている。また一方の磁気コア半体４１ｂには巻
線孔４５が形成されている。

ところで強磁性金属薄膜４２ａ，４２ｂは磁気
コア半体４１ａ，４１ｂの突起部の一方の傾斜面
から非磁性材４３ａ，４３ｂにかけて形成される
一平面上に形成されていることから、この強磁性
金属薄膜４２ａ，４２ｂは各部において膜構造が
均一となつており磁気ヘツドの磁路方向に沿つて
この強磁性金属薄膜４２ａ，４２ｂの全体が高い
透磁率を示し磁気ヘツドの記録再生出力が高めら
れている。

また、強磁性金属薄膜４２ａ，４２ｂは各層の
強磁性金属薄膜がSiO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、ZrO₂、
Si₃N₄等の高耐摩耗性絶縁膜を介して積層される
ことで構成され、この強磁性金属薄膜の積層数は
任意に設定できる。

次に、このような磁気ヘツドの製造工程を第２
２図〜第２８図に基づき説明する。

先ず第２２図に示すようにMn−Znフエライト
等の強磁性酸化物基板５０の上面部に回転砥石等
を用いて上面部を横切るような断面多角形状の溝
５１を複数形成する。

次に第２３図に示すように上記溝５１に高融点
ガラス５２Ａを溶融充填した後、平面研磨加工を
行なう。そして、第２４図に示すように上記溝５
１と平行に一部オーバラツプして断面Ｖ字状の溝
５３を複数形成する。この溝５３の内壁面の傾斜
角度は上面部に対して例えば45゜となつており、
一方の内壁面に高融点ガラス５２Ａの一部が露出
している。

次に、第２５図に示すように上記基板５０の上
面部にセンダスト等をスパツタリング、イオンプ
レーテイング、蒸着等の真空薄膜形成技術を用い
て高耐摩耗性絶縁膜を介して積層し、上記溝５３
に強磁性金属薄膜５４を形成する。

そして、金属薄膜５４が被着された上記溝５３
即ち金属薄膜５４上に溝５３と対応して形成され
る溝５３′に上記ガラス５２Ａより低融点のガラ
ス５５を充填し、第２６図に示すように上記基板
５０の上面部及び前面部を上記強磁性金属薄膜５
４が上記溝部５３のみ残るように平面研磨加工す
ることにより、溝部５３の内壁面に強磁性金属薄
膜５４Ａが被着された状態となり、この金属薄膜
５４Ａ上の溝５３′に低融点ガラス５５が残るこ
とになる。

また巻線溝側のコア半体を形成するために第２
６図に示すように加工を施した上記基板５０に巻
線溝６１を形成する溝加工を行い第２７図に示す
強磁性酸化物基板６０を得る。この基板６０で溝
５１には高融点ガラス５２Ｂが充填され、溝５３
には強磁性金属薄膜５４Ｂが被着形成されてい
る。

次に、第２８図に示すように上記基板５０と上
記基板６０とを強磁性金属薄膜５４Ａと５４Ｂが
被着された側の平面部が向い合い上記金属薄膜５
４Ａと５４Ｂの一方の面側が連続状に対向するよ
うにギヤツプスペーサを介して突き合わせガラス
融着することで合体ブロツク６２とする。

尚、以上の工程において基板４０に被着形成さ
れた強磁性金属薄膜４４の上側に溝４３と対応し
て形成される溝４３′には低融点ガラス４５を充
填せず、第２７図に示す工程において巻線溝６１
と所要間隔離れて平行にガラス充填溝を形成して
おき、基板５０と６０の接合の際巻線溝６１及び
ガラス充填溝に低融点ガラス棒を挿入してこのガ
ラスを溶融することにより上記溝４３′に充填さ
れて両基板５０と６０は接合されることになり合
体ブロツク６２とすることができる。

次に、このように形成された合体ブロツク６２
と接合面に対してアジマス角だけ傾けたｃ−ｃ線
c′−c′線の位置でスライシング加工することでア
ジマス角で傾斜する磁気ギヤツプが後部まで形成
された複数個のヘツドチツプを得ることができ
る。その後、このヘツドチツプ磁気テープ対接面
を円筒研磨することで第２０図に示した磁気ヘツ
ドとなる。ここでこの磁気ヘツドの一方のコア半
体４１ａは上記基板５０を母材としており、他方
のコア半体４１ｂは上記基板６０を母材としてい
る。また強磁性金属薄膜４２ａ，４２ｂは上記金
属薄膜５４Ａ，５４Ｂに対応し、非磁性体４３
ａ，４３ｂは上記高融点ガラス５２Ａ，５２Ｂに
対応し、更に非磁性材４４は上記低融点ガラス５
５に対応してる。また巻線孔４５は上記巻線溝６
１に対応している。

そして上記磁気ヘツドのトラツク幅規制凹部４
１a′，４１b′は上記基板５０，６０の多角形溝５
１，５１に対応している。そのため上記トラツク
幅規制凹部４１a′，４１b′の端面部４１a₁，４１
a₂′，４１b₁′，４１b₂′は上記溝５１，５１の多角
形内壁面の一部分に対応し、２段階に折曲した形
状となつている。

このように、磁気ギヤツプｇの両側のトラツク
幅規制凹部４１a′，４１b′の端面が高融点ガラス
をパツクした溝５１の多角形状内壁面の一部分に
より形成されて屈曲しているためアジマスガード
バンドレス記録において隣接及び隣々接トラツク
からのクロストークを低減することができて記録
再生効率の大きな信頼性の高い磁気ヘツドとなつ
ている。

また以上の磁気ヘツドの製造工程において溝５
１を深く形成することによりトラツク幅規制凹部
４１a′と４１b′の端面間の距離を大に、例えば約
50μ以上にすることによりヘツド空隙損失を利用
してクロストーク成分を低減させることができ
る。

ところで上述の製造工程において、強磁性金属
薄膜４２ａ，４２ｂの膜構造の不均一な部分は第
２６図で説明した研磨工程即ちギヤツプ面研磨加
工時に削りとられると共に第２８図に示したスラ
イシングにより切除されてしまうため均一な膜構
造を有する強磁性金属薄膜４２ａ，４２ｂのみが
残る。このため上記磁気ヘツドは一平面上に形成
された上記強磁性金属薄膜４２ａ，４２ｂが磁路
に沿つてその各部が高透磁率となることで安定し
た高出力が得られるようになる。

尚、第２８図の合体したブロツク６２をスライ
シングするｃ−ｃ線、c′−c′線は両コア半体ブロ
ツク５０，６０の突き合わせ面に対して傾斜即ち
アジマス角を有する磁気ギヤツプｇが得られるよ
うにスライシング方向を傾斜させてあるが、これ
を突き合わせ面に対して垂直にスライシングして
もよい。

また本例においても合体させたブロツク６２の
スライシング加工において第１６図に示すように
所定のテープ対接面幅と同間隔またはそれより狭
い間隔で溝６３，６３′を形成し実際のスライシ
ング厚をテープ対接面幅即ち溝６３，６３′で挾
まれた部分の厚みより厚くした位置でスライシン
グすることにより第２９図に示す磁気ヘツドが得
られる。

発明の効果 以上のように本発明によれば強磁性酸化物材料
と強磁性金属材料との複合材料からなりテープ対
接面に磁気ギヤツプに対して傾斜して形成される
強磁性金属薄膜と強磁性酸化物及び非磁性材が配
されてなる磁気ヘツドにおいて強磁性酸化物と非
磁性材料との界面を屈曲して形成したのでアジマ
スガードバンドレス記録において隣接及び隣々接
トラツクからのクロストークが減少され記録再生
効率の大きな信頼性の高い磁気ヘツドを得ること
ができる。そして、溝が屈曲していることによ
り、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との接合面積
を大きくしたままで隣接及び隣々接トラツクにお
ける強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との距離を大
きくすることが出来るため、長波長域においても
クロストークの少ない高出力ヘツドを得ることが
出来る。また磁気ギヤツプは強磁性金属薄膜のみ
により形成されることでヘツドの出力が高く例え
ばメタルテープ等の高い抗磁力Hcをもつ磁気テ
ープに好適なヘツドであり、更に磁気テープ対接
面のほとんどが強磁性酸化となつているため優れ
た耐摩耗性を有する磁気ヘツドとなつている。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気ヘツドの斜視図、第２図は
第１図の磁気ヘツドのテープ対接面を拡大して示
す平面図、第３図は本発明の一実施例の磁気ヘツ
ドの斜視図、第４図は第３図の磁気ヘツドのテー
プ対接面を拡大して示す平面図、第５図はVTR
用磁気テープのアジマス記録パターン図、第６図
乃至第１２図は第３図の磁気ヘツドを作製する工
程を順に示す斜視図、第１３図乃至第１５図は第
３図の磁気ヘツドのテープ対接面の変形例を拡大
して示す平面図、第１６図は本発明の磁気ヘツド
を作製する工程中の他例のスライシング工程を示
す斜視図、第１７図は第１６図に示すスライシン
グ工程によつて作製される磁気ヘツドの斜視図、
第１８図及び第１９図は他例のスライシング工程
によつて作製される磁気ヘツドの斜視図、第２０
図は本発明の磁気ヘツドの他の実施例の斜視図、
第２１図は第２０図の磁気ヘツドのテープ対接面
を拡大して示す平面図、第２２図乃至第２８図は
第２０図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示す
斜視図、第２９図は他のスライシング工程により
作製される本発明の磁気ヘツドの他の実施例の斜
視図である。 １１ａ，１１ｂ……磁気コア半体、１２ａ，１
２ｂ……強磁性金属薄膜、１３ａ，１３ｂ，１４
……非磁性材、１１a′，１１b′……トラツク幅規
制凹部、１１a₁′，１１a₂′，１１b₁′，１１b₂′……
傾斜端面、４１ａ，４１ｂ……磁気コア半体、４
２ａ，４２ｂ……強磁性金属薄膜、４３ａ，４３
ｂ，４４……非磁性材、４１a′，４１b′……トラ
ツク幅規制凹部、４１a₁′，４１a₂′，４１b₁′，４
１b₂′……傾斜端面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
   面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
   成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
   ヤツプを形成してなる磁気ヘツドにおいて、磁気
   ギヤツプと強磁性金属薄膜形成面とが所定角度で
   傾斜しており、上記強磁性金属薄膜のみにより磁
   気ギヤツプを形成しテープ対接面に上記強磁性金
   属薄膜と上記強磁性酸化物及び非磁性材が配さ
   れ、且つ上記強磁性酸化物と上記非磁性材との界
   面が屈曲していることを特徴とする磁気ヘツド。