JPH0475566B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0475566B2 JPH0475566B2 JP59124805A JP12480584A JPH0475566B2 JP H0475566 B2 JPH0475566 B2 JP H0475566B2 JP 59124805 A JP59124805 A JP 59124805A JP 12480584 A JP12480584 A JP 12480584A JP H0475566 B2 JPH0475566 B2 JP H0475566B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- metal thin
- magnetic head
- thin film
- ferromagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 173
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 74
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 69
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 61
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 30
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 18
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
- G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強磁性酸化物材料と強磁性金属材料
との複合磁性材料からなる磁気ヘツドに関する。
との複合磁性材料からなる磁気ヘツドに関する。
近年、たとえばVTR（ビデオテープレコーダ）
を用いて磁気記録媒体である磁気テープに信号の
高密度記録が行なわれるようになるに従い、磁気
テープとして残留磁束密度Brと抗磁力Hcがとも
に高いメタルテープ等が使用されるようになつて
きている。
を用いて磁気記録媒体である磁気テープに信号の
高密度記録が行なわれるようになるに従い、磁気
テープとして残留磁束密度Brと抗磁力Hcがとも
に高いメタルテープ等が使用されるようになつて
きている。
ところで、このメタルテープ等の高い抗磁力
Hcを持つ磁気テープに信号を高密度に磁気記録
するには、磁気ギヤツプより発生する磁界の強度
が高く、しかも狭いトラツク幅の磁気ヘツドを用
いる必要がある。
Hcを持つ磁気テープに信号を高密度に磁気記録
するには、磁気ギヤツプより発生する磁界の強度
が高く、しかも狭いトラツク幅の磁気ヘツドを用
いる必要がある。
そこで、このような磁気ヘツドとしては、第１
図に斜視図が示されているような磁気ヘツドが提
案されている。
図に斜視図が示されているような磁気ヘツドが提
案されている。
この磁気ヘツドは、磁気コア半体１，２が強磁
性酸化物のMn−Znフエライト等より形成され、
磁気ギヤツプｇ側のフエライト突起部３，４とこ
の突起部３，４の屈曲した一側部に溶融充填され
たガラスの非磁性材５，６とを連ねた平面上に
は、スパツタリング等によりセンダスト等の強磁
性金属薄膜７Ａ，７Ｂが被着形成されている。ま
た、被着形成されたこの強磁性金属薄膜７Ａ，７
Ｂ上にはガラスの非磁性材８が溶融充填されてい
る。
性酸化物のMn−Znフエライト等より形成され、
磁気ギヤツプｇ側のフエライト突起部３，４とこ
の突起部３，４の屈曲した一側部に溶融充填され
たガラスの非磁性材５，６とを連ねた平面上に
は、スパツタリング等によりセンダスト等の強磁
性金属薄膜７Ａ，７Ｂが被着形成されている。ま
た、被着形成されたこの強磁性金属薄膜７Ａ，７
Ｂ上にはガラスの非磁性材８が溶融充填されてい
る。
上記磁気ヘツドは、このように強磁性酸化物材
料と強磁性金属材料との複合磁性材料からなり、
磁気ギヤツプｇが高透磁率を有する上記強磁性金
属薄膜７Ａ，７Ｂにより形成されていることで、
ヘツドの磁気抵抗が小さく、磁気ギヤツプｇから
発生される磁界の強度が高くなつており、また形
成される金属薄膜７Ａ，７Ｂの厚みをコントロー
ルすることで狭トラツク化が容易に行なえるため
メタルテープ等に高密度に磁気記憶するのに適し
たヘツドとなつている。
料と強磁性金属材料との複合磁性材料からなり、
磁気ギヤツプｇが高透磁率を有する上記強磁性金
属薄膜７Ａ，７Ｂにより形成されていることで、
ヘツドの磁気抵抗が小さく、磁気ギヤツプｇから
発生される磁界の強度が高くなつており、また形
成される金属薄膜７Ａ，７Ｂの厚みをコントロー
ルすることで狭トラツク化が容易に行なえるため
メタルテープ等に高密度に磁気記憶するのに適し
たヘツドとなつている。
ところで、上記磁気ヘツドでは、磁気テープ対
接面を第２図に示すように、強磁性金属薄膜７
Ａ，７Ｂが被着されるフエライト突起部３，４の
界面部にたとえば５〜10μｍ程度の厚さの変質層
９が生じるようになる。この変質層９はつぎのよ
うな理由により形成されるようになる。
接面を第２図に示すように、強磁性金属薄膜７
Ａ，７Ｂが被着されるフエライト突起部３，４の
界面部にたとえば５〜10μｍ程度の厚さの変質層
９が生じるようになる。この変質層９はつぎのよ
うな理由により形成されるようになる。
すなわち、金属薄膜７Ａ，７Ｂがたとえばスパ
ツタリングにより上記フエライト突起部３，４に
被着形成されると、このフエライト界面は金属と
接触した状態で300〜700℃の高温にさらされるよ
うになる。これにより、フエライトを構成する酸
素原子が300〜500℃の平衡状態に向けて拡散を始
めるようになり、フエライト中の酸素原子はたと
えばセンダスト膜中のAl，Si，Feと結び付くよ
うになる。このため、フエライト表面部が還元ぎ
みとなり低酸素状態となることから、上記変質層
９がフエライト突起部３，４の界面部に形成され
るようになる。
ツタリングにより上記フエライト突起部３，４に
被着形成されると、このフエライト界面は金属と
接触した状態で300〜700℃の高温にさらされるよ
うになる。これにより、フエライトを構成する酸
素原子が300〜500℃の平衡状態に向けて拡散を始
めるようになり、フエライト中の酸素原子はたと
えばセンダスト膜中のAl，Si，Feと結び付くよ
うになる。このため、フエライト表面部が還元ぎ
みとなり低酸素状態となることから、上記変質層
９がフエライト突起部３，４の界面部に形成され
るようになる。
また、たとえばセンダストの熱膨張係数は130
〜160×10-7／℃であり、フエライトの熱膨張係
数は50％程度異なる90〜110×10-7／℃であるこ
とから、センダスト膜の膜厚が厚くなるに従いフ
エライトとセンダスト界面の応力レベルは高いも
のとなる。したがつて、この応力による歪みが加
わつた状態で、スパツタリング後の冷却や後工程
でのガラス融着による加熱が行なわれると、フエ
ライト界面部の酸素の移動はさらに加速されるよ
うになる。
〜160×10-7／℃であり、フエライトの熱膨張係
数は50％程度異なる90〜110×10-7／℃であるこ
とから、センダスト膜の膜厚が厚くなるに従いフ
エライトとセンダスト界面の応力レベルは高いも
のとなる。したがつて、この応力による歪みが加
わつた状態で、スパツタリング後の冷却や後工程
でのガラス融着による加熱が行なわれると、フエ
ライト界面部の酸素の移動はさらに加速されるよ
うになる。
このような変質層９が上記フエライト突起部
３，４の界面部に形成されると、界面部の磁気抵
抗の増大でフエライトの軟磁性特性が劣化するよ
うになり、磁気ヘツドの記録再生出力の低下をま
ねくようになる。
３，４の界面部に形成されると、界面部の磁気抵
抗の増大でフエライトの軟磁性特性が劣化するよ
うになり、磁気ヘツドの記録再生出力の低下をま
ねくようになる。
そこで、本発明はこのような実情に鑑み提案さ
れたものであり、強磁性酸化物材料と強磁性金属
材料の複合磁性材料からなる磁気ヘツドで、強磁
性酸化物の界面部に変質層が形成されず、磁気特
性の劣化が防止される磁気ヘツドを提供すること
を目的とする。
れたものであり、強磁性酸化物材料と強磁性金属
材料の複合磁性材料からなる磁気ヘツドで、強磁
性酸化物の界面部に変質層が形成されず、磁気特
性の劣化が防止される磁気ヘツドを提供すること
を目的とする。
この目的を達成するために本発明の磁気ヘツド
は、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
ヤツプを形成してなる磁気ヘツドにおいて、上記
磁気ギヤツプ形成面と上記強磁性金属薄膜形成面
とが所要角度で傾斜しており、かつ前記強磁性酸
化物と前記強磁性金属薄膜との間に非磁性高硬度
膜が配されていることを特徴としており、強磁性
酸化物界面部に変質層が形成されず、磁気ヘツド
の磁気特性の劣化が防止される。
は、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
ヤツプを形成してなる磁気ヘツドにおいて、上記
磁気ギヤツプ形成面と上記強磁性金属薄膜形成面
とが所要角度で傾斜しており、かつ前記強磁性酸
化物と前記強磁性金属薄膜との間に非磁性高硬度
膜が配されていることを特徴としており、強磁性
酸化物界面部に変質層が形成されず、磁気ヘツド
の磁気特性の劣化が防止される。
以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。
明する。
第３図は本発明に係る磁気ヘツドの斜視図であ
り、第４図はこの磁気ヘツドの磁気テープ対接面
を拡大して示す平面図である。
り、第４図はこの磁気ヘツドの磁気テープ対接面
を拡大して示す平面図である。
第３図および第４図において、上記磁気ヘツド
の構成を説明すると、磁気コア半体１１，１２は
強磁性酸化物のMn−Znフエライト等により形成
され、磁気ギヤツプｇ側に形成されたフエライト
の突起部１３，１４の二段階に屈曲した一側部に
はガラスが非磁性材１５，１６として溶融充填さ
れている。また、この突起部１３の他側部となる
斜面１３Ａと非磁性材１５とを連ねた平面上、お
よび突起部１４の他側部となる斜面１４Ａと非磁
性材１６とを連ねた平面上には、たとえばスパツ
タリングによりSiO2が300Åの厚さに被着され一
層目の非磁性高硬度膜１７Ａ，１７Ｂが形成され
ている。
の構成を説明すると、磁気コア半体１１，１２は
強磁性酸化物のMn−Znフエライト等により形成
され、磁気ギヤツプｇ側に形成されたフエライト
の突起部１３，１４の二段階に屈曲した一側部に
はガラスが非磁性材１５，１６として溶融充填さ
れている。また、この突起部１３の他側部となる
斜面１３Ａと非磁性材１５とを連ねた平面上、お
よび突起部１４の他側部となる斜面１４Ａと非磁
性材１６とを連ねた平面上には、たとえばスパツ
タリングによりSiO2が300Åの厚さに被着され一
層目の非磁性高硬度膜１７Ａ，１７Ｂが形成され
ている。
また、この非磁性高硬度膜１７Ａ，１７Ｂ上に
は、二層目の非磁性高硬度膜１８Ａ，１８Ｂとし
て、たとえばCrがスパツタリング等により300Å
の厚さに被着されている。また、二層目の非磁性
高硬度膜１８Ａ，１８Ｂ上には、高透磁率合金の
センダスト等からなる強磁性金属薄膜１９Ａ，１
９Ｂがスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用
いて被着形成されている。また、被着形成された
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂ上にはガラスが非
磁性材２０として溶融充填されており、この強磁
性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂのみにより磁気ギヤツ
プｇが形成されている。
は、二層目の非磁性高硬度膜１８Ａ，１８Ｂとし
て、たとえばCrがスパツタリング等により300Å
の厚さに被着されている。また、二層目の非磁性
高硬度膜１８Ａ，１８Ｂ上には、高透磁率合金の
センダスト等からなる強磁性金属薄膜１９Ａ，１
９Ｂがスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用
いて被着形成されている。また、被着形成された
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂ上にはガラスが非
磁性材２０として溶融充填されており、この強磁
性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂのみにより磁気ギヤツ
プｇが形成されている。
また、上記接合面すなわち磁気ギヤツプｇの形
成面は所定のアジマス角度で傾斜しており、アジ
マス記録が行なえるようになつている。
成面は所定のアジマス角度で傾斜しており、アジ
マス記録が行なえるようになつている。
また、磁気ギヤツプｇの形成面と上記強磁性金
属薄膜１９Ａ，１９Ｂの形成面とは所要角度で傾
斜しており、この実施例では傾斜角Θがたとえば
45゜となつている。この傾斜角Θは20゜〜80゜程度に
選ぶのがよく、これによりクロストークが防止さ
れ、また磁気テープ対接面の耐摩耗性が向上され
るようになる。
属薄膜１９Ａ，１９Ｂの形成面とは所要角度で傾
斜しており、この実施例では傾斜角Θがたとえば
45゜となつている。この傾斜角Θは20゜〜80゜程度に
選ぶのがよく、これによりクロストークが防止さ
れ、また磁気テープ対接面の耐摩耗性が向上され
るようになる。
このように構成された上記磁気ヘツドでは、フ
エライトの突起部１３，１４の斜面１３Ａ，１４
Ａ上に二層の非磁性高硬度膜１７Ａ，１８Ａおよ
び１７Ｂ，１８Ｂを介して、スパツタリング等で
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂが被着形成される
ようになる。
エライトの突起部１３，１４の斜面１３Ａ，１４
Ａ上に二層の非磁性高硬度膜１７Ａ，１８Ａおよ
び１７Ｂ，１８Ｂを介して、スパツタリング等で
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂが被着形成される
ようになる。
このため、スパツタリング時の高温にさらされ
ても、上記非磁性高硬度膜１７Ａ，１８Ａおよび
１７Ｂ，１８Ｂによつて、フエライト中の酸素原
子の強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂ中への拡散が
防止されるようになり、フエライトの斜面１３
Ａ，１４Ａ部に前述の変質層が形成されなくな
る。
ても、上記非磁性高硬度膜１７Ａ，１８Ａおよび
１７Ｂ，１８Ｂによつて、フエライト中の酸素原
子の強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂ中への拡散が
防止されるようになり、フエライトの斜面１３
Ａ，１４Ａ部に前述の変質層が形成されなくな
る。
したがつて、強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂと
磁気回路的に結合する上記斜面１３Ａ，１４Ａ部
近傍の軟磁性特性が劣化することはなく、磁気ヘ
ツドの記録再生出力の低下が防止されるようにな
る。
磁気回路的に結合する上記斜面１３Ａ，１４Ａ部
近傍の軟磁性特性が劣化することはなく、磁気ヘ
ツドの記録再生出力の低下が防止されるようにな
る。
上記磁気ヘツドの再生出力を従来の磁気ヘツド
と比較すると、たとえば１〜7MHzの信号につい
て、3dBの出力レベルの上昇が実験で示されてい
る。
と比較すると、たとえば１〜7MHzの信号につい
て、3dBの出力レベルの上昇が実験で示されてい
る。
また、スパツタリング時に上記変質層が形成さ
れないことから、スパツタリング温度やスパツタ
リング速度を緩い条件で管理することができ製造
のしやすい磁気ヘツドとなつている。
れないことから、スパツタリング温度やスパツタ
リング速度を緩い条件で管理することができ製造
のしやすい磁気ヘツドとなつている。
また、フエライトと強磁性金属薄膜１９Ａ，１
９Ｂのたとえばセンダストとの熱膨張係数の差に
よる熱応力は、上記非磁性高硬度膜１７Ａ，１８
Ａおよび１７Ｂ，１８Ｂによつて分散されるよう
になるため、スパツタリング後の冷却時や後工程
でのガラス融着による加熱時においても、上記強
磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂにひびや割れが生じ
るようなことはない。これにより、さらに磁気特
性の向上が図れる。
９Ｂのたとえばセンダストとの熱膨張係数の差に
よる熱応力は、上記非磁性高硬度膜１７Ａ，１８
Ａおよび１７Ｂ，１８Ｂによつて分散されるよう
になるため、スパツタリング後の冷却時や後工程
でのガラス融着による加熱時においても、上記強
磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂにひびや割れが生じ
るようなことはない。これにより、さらに磁気特
性の向上が図れる。
ここで、一層目の上記非磁性高度膜１７Ａ，１
７Ｂとしては、SiO2，Ta2O5、Al2O3，Cr2O3，
SiO、または高融点ガラス等の酸化物を用いるこ
とができる。また、二層目の上記非磁性高硬度膜
１８Ａ，１８Ｂとしては、Cr以外に、Ti，Si等
の高硬度金属を用いることができる。この二層目
の非磁性高硬度膜１８Ａ，１８Ｂは、被着される
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂに対してなじみを
良くする働きがある。
７Ｂとしては、SiO2，Ta2O5、Al2O3，Cr2O3，
SiO、または高融点ガラス等の酸化物を用いるこ
とができる。また、二層目の上記非磁性高硬度膜
１８Ａ，１８Ｂとしては、Cr以外に、Ti，Si等
の高硬度金属を用いることができる。この二層目
の非磁性高硬度膜１８Ａ，１８Ｂは、被着される
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂに対してなじみを
良くする働きがある。
また、一層目の上記非磁性高硬度膜１７Ａ，１
７Ｂの膜厚d1、および二層目の上記非磁性高硬度
膜１８Ａ，１８Ｂの膜厚d2は、それぞれ50〜2000
Å程度に選ぶことができる。上記磁気ヘツドでは
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの形成面が磁気ギ
ヤツプｇの形成面に対して所要角度で傾斜してい
ることから、下地膜すなわち上記非磁性高硬度膜
１７Ａ，１８Ａおよび１７Ｂ，１８Ｂの膜厚（d1
＋d2）がある程度の厚さであつても擬似ギヤツプ
が形成されることはない。ただし、この膜厚（d1
＋d2）が厚過ぎることは、磁気回路上好ましくな
い。
７Ｂの膜厚d1、および二層目の上記非磁性高硬度
膜１８Ａ，１８Ｂの膜厚d2は、それぞれ50〜2000
Å程度に選ぶことができる。上記磁気ヘツドでは
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの形成面が磁気ギ
ヤツプｇの形成面に対して所要角度で傾斜してい
ることから、下地膜すなわち上記非磁性高硬度膜
１７Ａ，１８Ａおよび１７Ｂ，１８Ｂの膜厚（d1
＋d2）がある程度の厚さであつても擬似ギヤツプ
が形成されることはない。ただし、この膜厚（d1
＋d2）が厚過ぎることは、磁気回路上好ましくな
い。
また、この実施例では非磁性高硬度膜を二層に
形成したが、上記非磁性高硬度膜１７Ａ，１７Ｂ
または上記非磁性高硬度膜１８Ａ，１８Ｂのどち
らか一方のみを形成するようにし、一層の非磁性
高硬度膜としてもよい。なお、二層とする場合
は、この実施例のように酸化物により形成される
膜を一層目とするのがよい。
形成したが、上記非磁性高硬度膜１７Ａ，１７Ｂ
または上記非磁性高硬度膜１８Ａ，１８Ｂのどち
らか一方のみを形成するようにし、一層の非磁性
高硬度膜としてもよい。なお、二層とする場合
は、この実施例のように酸化物により形成される
膜を一層目とするのがよい。
また上記磁気ヘツドでは、上記金属薄膜１９
Ａ，１９Ｂは磁気ギヤツプｇの近傍部のみに形成
されているため金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの形成面
積が少なくてすみ、たとえばスパツタリング装置
で一括処理可能な個数を大幅に増やせることで量
産性の向上を図ることができる。このように、単
位薄膜形成面積から作製可能な磁気ヘツドの個数
が多いことで、安価に磁気ヘツドを提供できる。
Ａ，１９Ｂは磁気ギヤツプｇの近傍部のみに形成
されているため金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの形成面
積が少なくてすみ、たとえばスパツタリング装置
で一括処理可能な個数を大幅に増やせることで量
産性の向上を図ることができる。このように、単
位薄膜形成面積から作製可能な磁気ヘツドの個数
が多いことで、安価に磁気ヘツドを提供できる。
また、被着形成される上記金属薄膜１９Ａ，１
９Ｂの膜厚ｔは、 ｔ＝TWsinθ でよいことから、トラツク幅に相当する膜厚を被
着形成する必要がなく、ヘツド作製に要する時間
が短縮されるようになる。ここで、TWはトラツ
ク幅であり、θは上記金属薄膜形成面と磁気ギヤ
ツプ形成面とのなす角度である。
９Ｂの膜厚ｔは、 ｔ＝TWsinθ でよいことから、トラツク幅に相当する膜厚を被
着形成する必要がなく、ヘツド作製に要する時間
が短縮されるようになる。ここで、TWはトラツ
ク幅であり、θは上記金属薄膜形成面と磁気ギヤ
ツプ形成面とのなす角度である。
また、磁気ギヤツプｇを形成する高透磁率の上
記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂが磁気ギヤツプｇの近
傍部に配されていることと、磁気ヘツド後部側が
接合面積の広い強磁性酸化物で形成されているこ
とによつて、磁気抵抗が小さく感度の高い高性能
な磁気ヘツドとなつている。
記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂが磁気ギヤツプｇの近
傍部に配されていることと、磁気ヘツド後部側が
接合面積の広い強磁性酸化物で形成されているこ
とによつて、磁気抵抗が小さく感度の高い高性能
な磁気ヘツドとなつている。
また、磁気ギヤツプｇが高透磁率を有する上記
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂのみで形成されて
いることから磁気ギヤツプｇから発生される磁界
の強度が高くメタルテープ等の高い抗磁力Hcを
持つ磁気テープに対応した、記録再生出力の高い
磁気ヘツドとなつている。
強磁性金属薄膜１９Ａ，１９Ｂのみで形成されて
いることから磁気ギヤツプｇから発生される磁界
の強度が高くメタルテープ等の高い抗磁力Hcを
持つ磁気テープに対応した、記録再生出力の高い
磁気ヘツドとなつている。
また、上記非磁性高硬度膜１８Ａ，１８Ｂの凹
凸のない一平面上に上記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂ
が被着形成されていることにより、たとえばセン
ダスト膜からなる金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの膜構
造すなわち柱状晶の成長方位は、形成面全体に亘
つて一方向に平行にそろつた均一なものとなつて
いる。このため、上記磁気ヘツドは、磁路に沿つ
た方向で、上記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの全体が
高い透磁率を示すようになり、高い記録再生出力
が得られる。
凸のない一平面上に上記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂ
が被着形成されていることにより、たとえばセン
ダスト膜からなる金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの膜構
造すなわち柱状晶の成長方位は、形成面全体に亘
つて一方向に平行にそろつた均一なものとなつて
いる。このため、上記磁気ヘツドは、磁路に沿つ
た方向で、上記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの全体が
高い透磁率を示すようになり、高い記録再生出力
が得られる。
また、上記磁気ヘツドの後部側は、Mn−Znフ
エライト等の強磁性酸化物どうしを突き合わせて
接合しており、前部側の密着性が悪くとも、大き
な接着強度を得ることができ、歩留りの向上を図
ることができる。また、加工時にバツクトラツク
ずれが発生するようなこともなく、信頼性の高い
磁気ヘツドとなつている。
エライト等の強磁性酸化物どうしを突き合わせて
接合しており、前部側の密着性が悪くとも、大き
な接着強度を得ることができ、歩留りの向上を図
ることができる。また、加工時にバツクトラツク
ずれが発生するようなこともなく、信頼性の高い
磁気ヘツドとなつている。
さらに、上記磁気ヘツドの磁気テープ対接面の
ほとんどが強磁性酸化物となつていることから、
高い耐摩耗性を有する磁気ヘツドとなつている。
ほとんどが強磁性酸化物となつていることから、
高い耐摩耗性を有する磁気ヘツドとなつている。
ここで、上記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂは連続し
た一層を被着形成しているが、絶縁膜を介して多
層に強磁性金属薄膜を被着形成するようにしても
よい。
た一層を被着形成しているが、絶縁膜を介して多
層に強磁性金属薄膜を被着形成するようにしても
よい。
また、上記突起部１３，１４と非磁性材１５，
１６との界面は、アジマス角とは異なる方向にた
とえば二段階に屈曲していることにより、突起部
１３，１４の屈曲部による磁気テープ上の隣接ま
たは隣々接トラツクからの信号のピツクアツプ量
がアジマス損失によつて減少され、クロストーク
の発生が防止されるようになつている。
１６との界面は、アジマス角とは異なる方向にた
とえば二段階に屈曲していることにより、突起部
１３，１４の屈曲部による磁気テープ上の隣接ま
たは隣々接トラツクからの信号のピツクアツプ量
がアジマス損失によつて減少され、クロストーク
の発生が防止されるようになつている。
また、上記磁気ヘツドでは、数μｍのトラツク
幅から数十μｍのトラツク幅の広範囲のトラツク
幅を容易に形成することができ、被着形成される
上記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの膜厚を薄くするこ
とで狭トラツク化の磁気ヘツドが容易に得られ
る。
幅から数十μｍのトラツク幅の広範囲のトラツク
幅を容易に形成することができ、被着形成される
上記金属薄膜１９Ａ，１９Ｂの膜厚を薄くするこ
とで狭トラツク化の磁気ヘツドが容易に得られ
る。
つぎに、上述の第３図に示す磁気ヘツドの製造
工程を第５図乃至第１２図に基づき説明する。
工程を第５図乃至第１２図に基づき説明する。
まず、第５図に示すように、たとえばMn−Zn
フエライト等の強磁性酸化物基板３０の長手方向
の一稜部に上方の開いた断面多角形状の切溝３１
を、回転砥石または電解エツチング等により複数
形成する。すなわち、上記基板３０の上面３３は
磁気ギヤツプ形成面に対応し、上記切溝３１は基
板３０の磁気ギヤツプ形成位置近傍部に相当する
部分に形成される。
フエライト等の強磁性酸化物基板３０の長手方向
の一稜部に上方の開いた断面多角形状の切溝３１
を、回転砥石または電解エツチング等により複数
形成する。すなわち、上記基板３０の上面３３は
磁気ギヤツプ形成面に対応し、上記切溝３１は基
板３０の磁気ギヤツプ形成位置近傍部に相当する
部分に形成される。
つぎに、第６図に示すように、上記切溝３１に
高融点ガラス３２Ａを溶融充填したのち、上面３
３と前面３４とを平面研摩する。
高融点ガラス３２Ａを溶融充填したのち、上面３
３と前面３４とを平面研摩する。
つぎに、第７図に示すように、ガラス３２Ａを
充填した上記切溝３１の一部とやや多目にオーバ
ラツプするように上記一稜部に切溝３１と隣り合
う断面Ｖ字状の切溝３５を形成する。この時、形
成される切溝３５の内壁面３６には、上記ガラス
３２Ａの一部が露出している。また、この内壁面
３６と上記上面３３との交線３７は、上記前面３
４と直角をなしている。また、この内壁面３６と
上面３３とのなす角度は、前述のθのたとえば
45゜となつている。
充填した上記切溝３１の一部とやや多目にオーバ
ラツプするように上記一稜部に切溝３１と隣り合
う断面Ｖ字状の切溝３５を形成する。この時、形
成される切溝３５の内壁面３６には、上記ガラス
３２Ａの一部が露出している。また、この内壁面
３６と上記上面３３との交線３７は、上記前面３
４と直角をなしている。また、この内壁面３６と
上面３３とのなす角度は、前述のθのたとえば
45゜となつている。
つぎに、第８図に示すように、上記基板３０の
切溝３５近傍に、スパツタリング等により、たと
えばSiO2を300Åの厚さに被着し、一層目の非磁
性高硬度膜３８を形成する。また、さらにこの非
磁性高硬度膜３８上に、スパツタリング等によ
り、たとえばCrを300Åの厚さに被着し、二層目
の非磁性高硬度膜３９を形成する。
切溝３５近傍に、スパツタリング等により、たと
えばSiO2を300Åの厚さに被着し、一層目の非磁
性高硬度膜３８を形成する。また、さらにこの非
磁性高硬度膜３８上に、スパツタリング等によ
り、たとえばCrを300Åの厚さに被着し、二層目
の非磁性高硬度膜３９を形成する。
つぎに、第９図に示すように、上記非磁性高硬
度膜３９上の切溝３５近傍に、スパツタリング等
の真空薄膜形成技術を用いて、高透磁率合金のた
とえばセンダストを被着し、強磁性金属薄膜４０
を形成する。この時、上記内壁面３６上に効率よ
く被着するように、上記基板３０を傾斜させスパ
ツタリング装置内に配置するようにする。
度膜３９上の切溝３５近傍に、スパツタリング等
の真空薄膜形成技術を用いて、高透磁率合金のた
とえばセンダストを被着し、強磁性金属薄膜４０
を形成する。この時、上記内壁面３６上に効率よ
く被着するように、上記基板３０を傾斜させスパ
ツタリング装置内に配置するようにする。
つぎに、第１０図に示すように、上記金属薄膜
４０が被着された上記切溝３５に、上記ガラス３
２Ａよりも低融点のガラス４１を溶融充填したの
ち、上面３３と前面３４とを平面研摩し鏡面仕上
げを行なう。この時、前の工程で被着した上記非
磁性高硬度膜３８，３９および上記金属薄膜４０
の一部が上記切溝３５内に残り、この切溝３５面
に強磁性金属薄膜４０Ａおよび非磁性高硬度膜３
８Ａ，３９Ａが被着した状態となる。
４０が被着された上記切溝３５に、上記ガラス３
２Ａよりも低融点のガラス４１を溶融充填したの
ち、上面３３と前面３４とを平面研摩し鏡面仕上
げを行なう。この時、前の工程で被着した上記非
磁性高硬度膜３８，３９および上記金属薄膜４０
の一部が上記切溝３５内に残り、この切溝３５面
に強磁性金属薄膜４０Ａおよび非磁性高硬度膜３
８Ａ，３９Ａが被着した状態となる。
また、巻線溝側のコア半体を形成するために、
第１０図に示すように加工の施した強磁性酸化物
基板３０に、巻線溝４２を形成する溝加工を行な
い、第１１図に示す強磁性酸化物基板４３を得
る。この基板４３で、切溝３１には高融点ガラス
３２Ｂが溶融充填され、切溝３５には強磁性金属
薄膜４０Ｂ、および非磁性高硬度膜３８Ｂ，３９
Ｂが被着形成されている。
第１０図に示すように加工の施した強磁性酸化物
基板３０に、巻線溝４２を形成する溝加工を行な
い、第１１図に示す強磁性酸化物基板４３を得
る。この基板４３で、切溝３１には高融点ガラス
３２Ｂが溶融充填され、切溝３５には強磁性金属
薄膜４０Ｂ、および非磁性高硬度膜３８Ｂ，３９
Ｂが被着形成されている。
つぎに、上記基板３０の磁気ギヤツプ形成面と
なる上面３３と上記基板４３の磁気ギヤツプ形成
面となる上面４４とを膜付けしたギヤツプスペー
サを介して第１２図に示すように突き合わせ、ガ
ラス融着を行なう。その後、基板３０と基板４３
とを合体させたブロツク４５をこの接合面に対し
てアジマス角だけ傾けたａ−ａ線、a′−a′線の位
置でスライシング加工することで、アジマス角で
傾斜する磁気ギヤツプを有する複数個のヘツドチ
ツプを得ることができる。なお、基板接合面に対
して垂直にスライシングすると普通のヘツドチツ
プが形成できる。ここで、上記ギヤツプスペーサ
としてはSiO2，ZrO2，Ta2O5，Cr等を用いるこ
とができる。
なる上面３３と上記基板４３の磁気ギヤツプ形成
面となる上面４４とを膜付けしたギヤツプスペー
サを介して第１２図に示すように突き合わせ、ガ
ラス融着を行なう。その後、基板３０と基板４３
とを合体させたブロツク４５をこの接合面に対し
てアジマス角だけ傾けたａ−ａ線、a′−a′線の位
置でスライシング加工することで、アジマス角で
傾斜する磁気ギヤツプを有する複数個のヘツドチ
ツプを得ることができる。なお、基板接合面に対
して垂直にスライシングすると普通のヘツドチツ
プが形成できる。ここで、上記ギヤツプスペーサ
としてはSiO2，ZrO2，Ta2O5，Cr等を用いるこ
とができる。
つぎに、上記ヘツドチツプの磁気テープ対接面
を円筒研摩することで第３図に示す磁気ヘツドと
なる。
を円筒研摩することで第３図に示す磁気ヘツドと
なる。
この第３図の磁気ヘツドにおいて、コア半体１
１は上記基板４３を母材としており、コア半体１
２は上記基板３０が母材となつている。また、非
磁性材１５，１６は上記高融点ガラス３２Ｂ，３
２Ａにそれぞれ対応し、非磁性材２０は上記低融
点ガラス４１に対応している。また、この磁気ヘ
ツドの非磁性高硬度膜１７Ａ，１８Ａおよび１７
Ｂ，１８Ｂは、上記高硬度膜３８Ｂ，３９Ｂおよ
び３８Ａ，３９Ａに対応しており、また強磁性金
属薄膜１９Ａ，１９Ｂは、上記金属薄膜４０Ｂ，
４０Ａにそれぞれ対応している。さらに、上記磁
気ヘツドの巻線穴２５は、上記基板３０に形成さ
れた巻線溝４２に対応している。
１は上記基板４３を母材としており、コア半体１
２は上記基板３０が母材となつている。また、非
磁性材１５，１６は上記高融点ガラス３２Ｂ，３
２Ａにそれぞれ対応し、非磁性材２０は上記低融
点ガラス４１に対応している。また、この磁気ヘ
ツドの非磁性高硬度膜１７Ａ，１８Ａおよび１７
Ｂ，１８Ｂは、上記高硬度膜３８Ｂ，３９Ｂおよ
び３８Ａ，３９Ａに対応しており、また強磁性金
属薄膜１９Ａ，１９Ｂは、上記金属薄膜４０Ｂ，
４０Ａにそれぞれ対応している。さらに、上記磁
気ヘツドの巻線穴２５は、上記基板３０に形成さ
れた巻線溝４２に対応している。
ところで、磁気ギヤツプ近傍部にのみ強磁性金
属薄膜を形成するのではなく、ヘツドの前面部す
なわちフロントギヤツプ形成面より後部側すなわ
ちバツクギヤツプ形成面まで連続して強磁性金属
薄膜を形成した本発明の他の実施例となる第１３
図の磁気ヘツドについて説明する。また、第１４
図にはこの磁気ヘツドの磁気テープ対接面が示さ
れている。
属薄膜を形成するのではなく、ヘツドの前面部す
なわちフロントギヤツプ形成面より後部側すなわ
ちバツクギヤツプ形成面まで連続して強磁性金属
薄膜を形成した本発明の他の実施例となる第１３
図の磁気ヘツドについて説明する。また、第１４
図にはこの磁気ヘツドの磁気テープ対接面が示さ
れている。
この磁気ヘツドはアジマス記録用の磁気ヘツド
となつており、磁気コア半体５１，５２が強磁性
酸化物のたとえばMn−Znフエライトで形成さ
れ、磁気ギヤツプｇ側の突起部５３，５４は磁気
ヘツドの後部側まで連続して形成されている。ま
た、この突起部５３，５４の一側部はアジマス角
とは異なる方向にたとえば二段階に屈曲してお
り、この一側部にはガラスの非磁性材５５，５６
が後部側まで連続して溶融充填されている。
となつており、磁気コア半体５１，５２が強磁性
酸化物のたとえばMn−Znフエライトで形成さ
れ、磁気ギヤツプｇ側の突起部５３，５４は磁気
ヘツドの後部側まで連続して形成されている。ま
た、この突起部５３，５４の一側部はアジマス角
とは異なる方向にたとえば二段階に屈曲してお
り、この一側部にはガラスの非磁性材５５，５６
が後部側まで連続して溶融充填されている。
また、突起部５３，５４の斜面５３Ａ，５４Ａ
と非磁性材５５，５６を連ねた平面上には、スパ
ツタリング等でたとえばSiO2が300Åの膜厚t1に
被着され、一層目の非磁性高硬度膜５７が後部側
まで連続して形成されている。また、この非磁性
高硬度膜５７上には、二層目の非磁性高硬度膜５
８として、たとえばCrがスパツタリング等によ
り300Åの膜厚t2に後部側まで連続して被着され
ている。また、この非磁性高硬度膜５８上には、
スパツタリング等でセンダスト等の強磁性金属薄
膜５９が後部側まで連続して被着形成され、この
金属薄膜５９上にはガラスの非磁性材６０が同様
に後部側まで溶融充填されている。
と非磁性材５５，５６を連ねた平面上には、スパ
ツタリング等でたとえばSiO2が300Åの膜厚t1に
被着され、一層目の非磁性高硬度膜５７が後部側
まで連続して形成されている。また、この非磁性
高硬度膜５７上には、二層目の非磁性高硬度膜５
８として、たとえばCrがスパツタリング等によ
り300Åの膜厚t2に後部側まで連続して被着され
ている。また、この非磁性高硬度膜５８上には、
スパツタリング等でセンダスト等の強磁性金属薄
膜５９が後部側まで連続して被着形成され、この
金属薄膜５９上にはガラスの非磁性材６０が同様
に後部側まで溶融充填されている。
上記金属薄膜５９は磁気ギヤツプ形成面に対し
たとえば45゜の傾斜角θで傾斜しており、この金
属薄膜５９のみにより磁気ギヤツプｇが形成され
ている。
たとえば45゜の傾斜角θで傾斜しており、この金
属薄膜５９のみにより磁気ギヤツプｇが形成され
ている。
このように上記磁気ヘツドでは、前述の実施例
と同様に、フエライトの突起部５３，５４と強磁
性金属薄膜５９との間に非磁性高硬度膜５７，５
８を配したことにより、上記斜面５３Ａ，５４Ａ
部にフエライトの変質層が形成されることはな
い。したがつて、上記磁気ヘツドでは、上記斜面
５３Ａ，５４Ａ部近傍の軟磁性特性が劣化するこ
とはなく、磁気ヘツドの記録再生出力の低下が防
止されるようになる。
と同様に、フエライトの突起部５３，５４と強磁
性金属薄膜５９との間に非磁性高硬度膜５７，５
８を配したことにより、上記斜面５３Ａ，５４Ａ
部にフエライトの変質層が形成されることはな
い。したがつて、上記磁気ヘツドでは、上記斜面
５３Ａ，５４Ａ部近傍の軟磁性特性が劣化するこ
とはなく、磁気ヘツドの記録再生出力の低下が防
止されるようになる。
また、上記非磁性高硬度膜５７，５８を配した
ことで、強磁性金属薄膜５９のひびや割れの防止
を行なうことができる。
ことで、強磁性金属薄膜５９のひびや割れの防止
を行なうことができる。
つぎに、上記磁気ヘツドの製造工程を第１５図
乃至第２２図に基づき説明する。
乃至第２２図に基づき説明する。
まず、第１５図に示すように、Mn−Znフエラ
イト等の強磁性酸化物基板７０の上面部に、回転
砥石等を用いて、上方の開いた断面多角形状の溝
７１を上面部を横切るように複数形成する。
イト等の強磁性酸化物基板７０の上面部に、回転
砥石等を用いて、上方の開いた断面多角形状の溝
７１を上面部を横切るように複数形成する。
つぎに、第１６図に示すように、上記溝７１に
高融点ガラス７２を溶融充填したのち、平面研摩
加工を行なう。
高融点ガラス７２を溶融充填したのち、平面研摩
加工を行なう。
つぎに、第１７図に示すように、上記溝７１の
一部とやや多目にオーバラツプし該溝７１と隣接
した断面Ｖ字状の溝７３を複数形成する。この溝
７３の内壁面の傾斜角度は、上面に対してたとえ
ば45゜となつている。
一部とやや多目にオーバラツプし該溝７１と隣接
した断面Ｖ字状の溝７３を複数形成する。この溝
７３の内壁面の傾斜角度は、上面に対してたとえ
ば45゜となつている。
つぎに、第１８図に示すように、上記基板７０
の上面部に、スパツタリング等により、たとえば
SiO2を300Åの厚さに被着し、一層目の非磁性高
硬度膜７４を形成する。またさらに、この非磁性
高硬度膜７４上に、スパツタリング等により、た
とえばCrを300Åの厚さに被着し、二層目の非磁
性高硬度膜７５を形成する。
の上面部に、スパツタリング等により、たとえば
SiO2を300Åの厚さに被着し、一層目の非磁性高
硬度膜７４を形成する。またさらに、この非磁性
高硬度膜７４上に、スパツタリング等により、た
とえばCrを300Åの厚さに被着し、二層目の非磁
性高硬度膜７５を形成する。
つぎに、第１９図に示すように、上記基板７０
の上面部すなわち上記非磁性高硬度膜７５上に、
センダスト等をスパツタリング、イオンプレーテ
イング、蒸着等の真空薄膜形成技術を用いて被着
形成し、上記溝７３部に強磁性金属薄膜７６を形
成する。
の上面部すなわち上記非磁性高硬度膜７５上に、
センダスト等をスパツタリング、イオンプレーテ
イング、蒸着等の真空薄膜形成技術を用いて被着
形成し、上記溝７３部に強磁性金属薄膜７６を形
成する。
つぎに、溝７３部分に低融点ガラス７７を溶融
充填し、第２０図に示すように、上記基板７０の
上面部および前面部を平面研摩加工する。
充填し、第２０図に示すように、上記基板７０の
上面部および前面部を平面研摩加工する。
また、巻線溝側のコア半体を形成するために、
第２０図に示すように加工の施した上記基板７０
に巻線溝７８を形成する溝加工を行ない、第２１
図に示す強磁性酸化物基板７９を得る。
第２０図に示すように加工の施した上記基板７０
に巻線溝７８を形成する溝加工を行ない、第２１
図に示す強磁性酸化物基板７９を得る。
つぎに、第２２図に示すように、上記基板７０
と上記基板７９とを上記金属薄膜７６が被着され
た側の平面部が向かい合うようにしてギヤツプス
ペーサを介して突き合わせ、ガラスを用いて融着
接合することでブロツク８０とする。
と上記基板７９とを上記金属薄膜７６が被着され
た側の平面部が向かい合うようにしてギヤツプス
ペーサを介して突き合わせ、ガラスを用いて融着
接合することでブロツク８０とする。
つぎに、上記ブロツク８０をｂ−ｂ線、b′−
b′線の位置でスライシング加工することで、複数
個のヘツドチツプを得ることができる。
b′線の位置でスライシング加工することで、複数
個のヘツドチツプを得ることができる。
その後、上記ヘツドチツプの磁気テープ対接面
を円筒研摩することで、第１３図に示した磁気ヘ
ツドとなる。
を円筒研摩することで、第１３図に示した磁気ヘ
ツドとなる。
ここで、この磁気ヘツドのコア半体５１は上記
基板７９を母材としており、コア半体５２は上記
基板７０を母材としている。また、非磁性高硬度
膜５７および５８は、上記高硬度膜７４および７
５に対応している。さらに、強磁性金属薄膜５９
は上記金属薄膜７６に対応し、非磁性材５５，５
６は上記高融点ガラス７２に対応し、非磁性材６
０は上記低融点ガラス７７に対応している。ま
た、巻線穴６５は上記巻線溝７８に対応してい
る。
基板７９を母材としており、コア半体５２は上記
基板７０を母材としている。また、非磁性高硬度
膜５７および５８は、上記高硬度膜７４および７
５に対応している。さらに、強磁性金属薄膜５９
は上記金属薄膜７６に対応し、非磁性材５５，５
６は上記高融点ガラス７２に対応し、非磁性材６
０は上記低融点ガラス７７に対応している。ま
た、巻線穴６５は上記巻線溝７８に対応してい
る。
ところで、磁気コア半体を形成する強磁性酸化
物としては、Mn−Znフエライトの他にNi−Zn
フエライト等を用いてもよい。また、強磁性金属
薄膜を形成する高透率磁性材料としては、センダ
ストの他にパーマロイや非晶質合金を用いてもよ
い。
物としては、Mn−Znフエライトの他にNi−Zn
フエライト等を用いてもよい。また、強磁性金属
薄膜を形成する高透率磁性材料としては、センダ
ストの他にパーマロイや非晶質合金を用いてもよ
い。
また、上記非磁性高硬度膜はスパツタリングに
よるばかりではなく、蒸着、イオンプレーテイン
グ等を用いて形成するようにしてもよい。
よるばかりではなく、蒸着、イオンプレーテイン
グ等を用いて形成するようにしてもよい。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、強磁性酸化物からなる磁気コア半体の接合面
とは傾斜するように該接合面近傍に強磁性金属薄
膜を形成しており、また強磁性酸化物と強磁性金
属薄膜との間に非磁性高硬度膜を配するようにし
ている。このため、強磁性金属薄膜を被着するた
とえばスパツタリング時の高温にさらされても、
上記非磁性高硬度膜によつて強磁性酸化物中の酸
素原子の拡散が阻止されるため、強磁性酸化物界
面部に低酸素状態の変質層が形成されることはな
い。したがつて、強磁性酸化物の軟磁性特性が劣
化することはなく、磁気ヘツドの記録再生出力が
低下されなくなる。
ば、強磁性酸化物からなる磁気コア半体の接合面
とは傾斜するように該接合面近傍に強磁性金属薄
膜を形成しており、また強磁性酸化物と強磁性金
属薄膜との間に非磁性高硬度膜を配するようにし
ている。このため、強磁性金属薄膜を被着するた
とえばスパツタリング時の高温にさらされても、
上記非磁性高硬度膜によつて強磁性酸化物中の酸
素原子の拡散が阻止されるため、強磁性酸化物界
面部に低酸素状態の変質層が形成されることはな
い。したがつて、強磁性酸化物の軟磁性特性が劣
化することはなく、磁気ヘツドの記録再生出力が
低下されなくなる。
また、このようにスパツタリング時に上記変質
層が形成されないことから、強磁性金属薄膜を被
着するスパツタリング温度やスパツタリング速度
をラフに選ぶことができ製造しやすい磁気ヘツド
となつている。
層が形成されないことから、強磁性金属薄膜を被
着するスパツタリング温度やスパツタリング速度
をラフに選ぶことができ製造しやすい磁気ヘツド
となつている。
また、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との熱膨
張係数の差による熱応力は、上記非磁性高硬度膜
で拡散されてしまうため、スパツタリング終了後
の冷却時や後工程でのガラス融着時においても強
磁性金属薄膜にひびや割れが入ることはなく、該
金属薄膜の軟磁性特性の劣化が防止されるように
なる。これにより、さらに磁気ヘツドの磁気特性
が高められる。
張係数の差による熱応力は、上記非磁性高硬度膜
で拡散されてしまうため、スパツタリング終了後
の冷却時や後工程でのガラス融着時においても強
磁性金属薄膜にひびや割れが入ることはなく、該
金属薄膜の軟磁性特性の劣化が防止されるように
なる。これにより、さらに磁気ヘツドの磁気特性
が高められる。
また、このように強磁性金属薄膜へのひびや割
れの混入が防げることから、スパツタリング終了
後の冷却条件やガラス融着条件を緩い条件で管理
でき、さらに製造しやすい磁気ヘツドとなつてい
る。
れの混入が防げることから、スパツタリング終了
後の冷却条件やガラス融着条件を緩い条件で管理
でき、さらに製造しやすい磁気ヘツドとなつてい
る。
第１図は従来の磁気ヘツドの斜視図、第２図は
第１図の磁気ヘツドの磁気テープ対接面を示す平
面図、第３図は本発明の一実施例となる磁気ヘツ
ドの斜視図、第４図は第３図の磁気ヘツドの磁気
テープ対接面を示す平面図、第５図乃至第１２図
は第３図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示す
斜視図、第１３図は本発明の他の実施例となる磁
気ヘツドの斜視図、第１４図は第１３図の磁気ヘ
ツド対接面を示す平面図、第１５図乃至第２２図
は第１３図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示
す斜視図である。 １１，１２…磁気コア半体、１５，１６，２０
…非磁性材、１７Ａ，１７Ｂ，１８Ａ，１８Ｂ…
非磁性高硬度膜、１９Ａ，１９Ｂ…強磁性金属薄
膜、ｇ…磁気ギヤツプ、５１，５２…磁気コア半
体、５５，５６，６０…非磁性材、５７，５８…
非磁性高硬度膜、５９…強磁性金属薄膜。
第１図の磁気ヘツドの磁気テープ対接面を示す平
面図、第３図は本発明の一実施例となる磁気ヘツ
ドの斜視図、第４図は第３図の磁気ヘツドの磁気
テープ対接面を示す平面図、第５図乃至第１２図
は第３図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示す
斜視図、第１３図は本発明の他の実施例となる磁
気ヘツドの斜視図、第１４図は第１３図の磁気ヘ
ツド対接面を示す平面図、第１５図乃至第２２図
は第１３図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示
す斜視図である。 １１，１２…磁気コア半体、１５，１６，２０
…非磁性材、１７Ａ，１７Ｂ，１８Ａ，１８Ｂ…
非磁性高硬度膜、１９Ａ，１９Ｂ…強磁性金属薄
膜、ｇ…磁気ギヤツプ、５１，５２…磁気コア半
体、５５，５６，６０…非磁性材、５７，５８…
非磁性高硬度膜、５９…強磁性金属薄膜。
Claims (1)
- １ 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
ヤツプを形成してなる磁気ヘツドにおいて、上記
磁気ギヤツプ形成面と上記強磁性金属薄膜形成面
とが所要角度で傾斜しており、かつ前記強磁性酸
化物と前記強磁性金属薄膜との間に非磁性高硬度
膜が配されていることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124805A JPS613311A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 磁気ヘツド |
| AU40056/85A AU578273B2 (en) | 1984-03-29 | 1985-03-18 | Trahsdermal bopindolol compositions |
| CA000476838A CA1234626A (en) | 1984-06-18 | 1985-03-19 | Magnetic transducer head |
| US06/713,637 US4819113A (en) | 1984-03-29 | 1985-03-19 | Magnetic transducer head with inclined magnetic gap |
| GB08507362A GB2158282B (en) | 1984-03-29 | 1985-03-21 | Magnetic transducer heads |
| NL8500887A NL192638C (nl) | 1984-03-29 | 1985-03-26 | Magnetische transductorkop. |
| AT0091685A AT394117B (de) | 1984-03-29 | 1985-03-27 | Magnetwandlerkopf |
| IT8547878A IT1214654B (it) | 1984-03-29 | 1985-03-27 | Testa magnetica trasduttrice |
| FR8504684A FR2562304B1 (fr) | 1984-03-29 | 1985-03-28 | Tete de transducteur magnetique |
| DE3511361A DE3511361C2 (de) | 1984-03-29 | 1985-03-28 | Magnetischer Wandlerkopf |
| KR1019850002622A KR930002393B1 (ko) | 1984-06-18 | 1985-04-18 | 자기헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124805A JPS613311A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613311A JPS613311A (ja) | 1986-01-09 |
| JPH0475566B2 true JPH0475566B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=14894556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124805A Granted JPS613311A (ja) | 1984-03-29 | 1984-06-18 | 磁気ヘツド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613311A (ja) |
| KR (1) | KR930002393B1 (ja) |
| CA (1) | CA1234626A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62117706U (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-27 | ||
| JP2535819B2 (ja) * | 1986-01-21 | 1996-09-18 | ソニー株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH0772926B2 (ja) * | 1986-02-12 | 1995-08-02 | ソニー株式会社 | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS644905A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Sony Corp | Composite magnetic head |
| JPH01155509A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH01177406U (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-19 | ||
| JPH02141911A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Tdk Corp | 磁気ヘッド |
| JPH02192006A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-07-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | 磁気ヘッドとその製造方法 |
| US5328583A (en) * | 1991-11-05 | 1994-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus and process for forming lamination film employing the apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129921A (en) * | 1980-02-06 | 1980-10-08 | Nippon Gakki Seizo Kk | Production of magnetic core |
| JPS56169214A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic head |
| JPS58155513A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59124805A patent/JPS613311A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-19 CA CA000476838A patent/CA1234626A/en not_active Expired
- 1985-04-18 KR KR1019850002622A patent/KR930002393B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129921A (en) * | 1980-02-06 | 1980-10-08 | Nippon Gakki Seizo Kk | Production of magnetic core |
| JPS56169214A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic head |
| JPS58155513A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930002393B1 (ko) | 1993-03-30 |
| KR860000629A (ko) | 1986-01-29 |
| JPS613311A (ja) | 1986-01-09 |
| CA1234626A (en) | 1988-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920006124B1 (ko) | 자기헤드 및 그 제조방법 | |
| JPH0546010B2 (ja) | ||
| JPH0654527B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| KR930002393B1 (ko) | 자기헤드 | |
| JPH0656647B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0475563B2 (ja) | ||
| JPH0475564B2 (ja) | ||
| JPH0546011B2 (ja) | ||
| JP2954784B2 (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0475565B2 (ja) | ||
| JPH0744816A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS61280010A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS61280009A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0648527B2 (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS59203210A (ja) | 磁気コアおよびその製造方法 | |
| JPH0770023B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0546009B2 (ja) | ||
| JPS63104208A (ja) | 複合型磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPH0654528B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0673165B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0522963B2 (ja) | ||
| JPH0658723B2 (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS63103405A (ja) | 複合型磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPS6251009A (ja) | 磁気コアおよびその製造方法 | |
| JP2000173012A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法と磁気記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |