JPH0656647B2

JPH0656647B2 - 磁気ヘツド

Info

Publication number: JPH0656647B2
Application number: JP60013132A
Authority: JP
Inventors: 潤一斎藤; 允窪田; 富夫小林; 達雄久村; 平吉佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1985-01-26
Filing date: 1985-01-26
Publication date: 1994-07-27
Anticipated expiration: 2009-07-27
Also published as: KR860006086A; JPS61172203A; KR930002394B1

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は磁気ヘッドに関するものであり、特に磁気ギャ
ップ近傍部が強磁性金属薄膜で形成されてなる、いわゆ
る複合型の磁気ヘッドに関するものである。

〔従来の技術〕

例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化が進められてお
り、この高密度記録に対応して磁気記録媒体として磁性
粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属の粉末を用いた、
いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を蒸着により
ベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着テープ等が
使用されるようになっている。そして、この種の磁気記
録媒体は高い抗磁力Hcを有するために、記録再生に用い
る磁気ヘッドのヘッド材料にも高い飽和磁束密度Bsを有
することが要求されている。例えば、従来磁気ヘッド材
料として多用されているフェライト材料では飽和磁束密
度Bsが低く、またパーマロイでは耐摩耗性に問題があ
る。

一方、上述の高密度記録化に伴って、磁気記録媒体に記
録される記録トラックの狭小化も進められており、これ
に対応して磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いものが
要求されている。

そこで従来、例えばセラミックス等の非磁性基板上に飽
和磁束密度の高い強磁性金属薄膜を被着形成し、これを
トラック部分とした複合型磁気ヘッドが提案されている
が、この種の磁気ヘッドでは磁路が膜厚の薄い強磁性金
属薄膜のみにより構成されるので、磁気抵抗が大きく効
率上好ましくなく、また上記強磁性金属薄膜の膜形成を
膜成長速度の極めて遅い真空薄膜形成技術で行うため、
磁気ヘッド作製に時間を要する等の問題があった。

あるいは、磁気コア部がフェライト等の強磁性酸化物か
らなり、これら各磁気コア部の磁気ギャップ形成面に強
磁性金属薄膜を被着した複合型磁気ヘッドも提案されて
いるが、この場合には磁路と上記金属薄膜とが直交する
方向に位置するため渦電流損失が発生し若生出力の低下
を招く虞れがあり、また上記磁気コア部と上記金属薄膜
間に擬似ギャップが形成され、充分な信頼性が得られな
い等の問題がある。

そこで本願出願人は、先に特願昭58−250988号明細書に
おいて、例えばメタルテープ等の高い抗磁力を有する磁
気テープに高密度記録するのに適した複合型磁気ヘッド
を提案した。この磁気ヘッドは、第３６図に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物により形成
される一対の磁気コア半体(101),(102)の突き合わせ面
をそれぞれ斜めに切り欠いて強磁性金属薄膜形成面(10
3),(104)を形成し、この強磁性金属薄膜形成面(103),(1
04)上に真空薄膜形成技術によりＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
金（いわゆるセンダスト）等の強磁性金属薄膜(105),(1
06)を被着形成し、これら強磁性金属薄膜(105),(106)を
当接することにより磁気ギャップ(107)を構成し、さら
にトラック幅規制溝内にテープ摺接面を確保し強磁性金
属薄膜(105),(106)の摩耗を防止するために低融点ガラ
ス(108),(109)あるいは高融点ガラス(110),(111)を充填
して構成されるものであって、信頼性や磁気特性、耐摩
耗性等の点で優れた特性を有するものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、このような複合型の磁気ヘッドにおいて
は、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜，あるいは強磁性金
属薄膜と酸化物ガラスというように異種材料が接するた
めに、界面等において様々な問題が発生している。

例えば、強磁性金属薄膜がスパッタリング等の手法によ
り強磁性酸化物であるフェライト上に被着形成される
と、このフェライト界面は金属と接触した状態で３００
〜７００℃の高温にさらされるようになる。これによ
り、強磁性金属薄膜と強磁性酸化物との界面で反応が生
じ、フェライトを構成する酸素原子が３００〜５００℃
の平衡状態に向けて拡散を始めるようになり、フェライ
ト中の酸素原子はＡｌ，Ｓｉ，Ｆｅと結び付くようにな
る。このため、フェライト表面部が還元ぎみとなり低酸
素状態となることから、フェライトと強磁性金属薄膜と
の界面に変質層が形成されるようになる。このような変
質層が界面に形成されると、界面部の軟磁気特性の劣化
により磁気抵抗の増大を生じ、磁気ヘッドの記録再生出
力の低下をまねくようになる。また、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金の熱膨脹係数は１３０〜１６０×１０^-7／℃であ
り、フェライトの熱膨脹係数は９０〜１１０×１０^-7／
℃であるというように、強磁性金属薄膜と強磁性酸化物
の熱膨脹率が異なる材料が複合されるために、スパッタ
リングによる強磁性金属薄膜形成後、例えばガラス融着
等の工程において材料内に応力が発生し、強磁性金属薄
膜の破壊や剥離、特性の劣化等が生じる虞れがある。

一方、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の強磁性金属薄膜を被
着形成した後、直接ガラスを溶融充填すると、ガラスに
よっては強磁性金属材料を大きく浸食することがあり、
この金属とガラスとが反応し、強磁性金属薄膜のエッ
ジ，表面を変形する等、材料特性や寸法精度に悪影響を
与える虞れがある。また、ガラスと接触する面を構成す
る材料によっては、ガラス流れ悪化や泡発生等の問題も
発生する。

そこで本発明は、このような実情に鑑みて提案されたも
のであって、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜からなる複
合型の磁気ヘッドにおいて、これら強磁性金属薄膜や強
磁性酸化物の変質の防止や内部応力の飽和、ガラス流れ
の改善、密着性の向上を目的とし、ヒビや剥離、浸食、
ガラス泡の発生等のない信頼性の高い磁気ヘッドを提供
することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記の目的を達成するために、強磁性酸化物よ
りなる磁気コア半体の接合面を切り欠き強磁性薄膜形成
面を形成し、この強磁性薄膜形成面上に真空薄膜形成技
術による強磁性金属薄膜を形成するとともに、前記強磁
性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギャップを構成して
なる磁気ヘッドにおいて、上記強磁性薄膜形成面と磁気
ギャップ形成面とが所要角度で傾斜しており、強磁性酸
化物と強磁性金属薄膜との間に非磁性高硬度膜が配さ
れ、さらにテープ対接面において非磁性高硬度膜を介し
て上記強磁性金属薄膜と酸化物ガラスとが配設されてい
ることを特徴とするものである。

〔作用〕

このように、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との間に非
磁性高硬度膜を設けることにより、これら強磁性酸化物
と強磁性金属薄膜の界面における反応が抑制され、変質
層の形成が防止される。

また、強磁性金属薄膜と酸化物ガラスとの間に非磁性高
硬度膜を設けることにより、このガラスによる強磁性金
属薄膜の浸食が防止され、ガラスの流れも良好なものと
なる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

先ず、ヘッドのテープ摺接面である前端部よりバックギ
ャップを構成する後端部まで連続して強磁性金属薄膜を
形成した本発明の一実施例について説明する。

第１図は本発明を適用した複合型磁気ヘッドの一例を示
す外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ摺接面を
示す要部平面図、第３図は上記磁気ヘッドをギャップ形
成面より分解して示す斜視図である。

この磁気ヘッドにおいては、磁気コア半体(10),(11)が
強磁性酸化物、たとえば“Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで形
成され、これら磁気コア半体(10),(11)の接合面を斜め
に切り欠いた強磁性薄膜形成面(10a),(11a)には、フロ
ントギャップ形成面からバックギャップ形成面に至るま
で連続して高透磁率合金、たとえばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系
合金膜である強磁性金属薄膜(13)がそれぞれ非磁性高硬
度膜(12)を介して真空薄膜形成技術により被着形成され
ている。そして、これら一対の磁気コア半体(10),(11)
をＳｉＯ₂等のギャップ材を介して突き合わせ、上記強
磁性金属薄膜(13)の当接面がトラック幅Ｔｗの磁気ギャ
ップｇとなるように構成されている。ここで、上記各磁
気コア半体(10),(11)に被着形成される強磁性金属薄膜
(13)は、磁気テープ摺接面から見たときに、一直線状に
連なっており、磁気コア半体(10),(11)の突き合わせ面
である接合面、すなわち磁気ギャップ形成面(14)に対し
てθなる角度で傾斜している。

さらに、上記強磁性金属薄膜(13)上にも非磁性高硬度膜
(15)が形成されており、磁気ギャップｇの形成面近傍、
すなわち磁気テープ対接面における磁気ギャップｇの両
側部には、トラック幅を規制し融着する非磁性材である
酸化物ガラス(16),(17)が溶融充填されている。

上記強磁性薄膜形成面(10a),(11a)と磁気ギャップ形成
面(14)とがなす角θは、２０゜〜８０゜の範囲内に設定
することが好ましい。ここで２０゜以下の角度であると
隣接トラックからのクロストークが大きくなり、望まし
くは３０゜以上の角度を持たせるのがよい。また、上記
傾斜角度を９０゜にした場合は、耐摩耗性が劣ることか
ら、８０゜程度以下とするのがよい。また、傾斜角度を
９０゜にすると、磁気ギャップｇの近傍部に形成される
上述の強磁性金属薄膜(13)の膜厚をトラック幅Ｔｗに等
しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を用いて薄
膜を形成するにあたって、多くの時間を要してしまうこ
とや、膜構造が不均一化してしまう点で好ましくない。

すなわち、上記磁気コア半体(10),(11)に被着形成され
る強磁性金属薄膜(13)の膜厚ｔは、ｔ＝Ｔwsinθ でよいことから、トラック幅Ｔｗに相当する膜厚を膜付
けする必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮する
ことができる。ここで、Ｔｗはトラック幅であり、θは
上記強磁性薄膜形成面(10a),(11a)と磁気ギャップ形成
面(14)とのなす角度である。

また、上記強磁性金属薄膜(13)の材質としては、強磁性
非晶質金属合金、いわゆるアモルファス合金（例えばＦ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｏの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの
１つ以上の元素とからなる合金、またはこれを主成分と
しＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍ
ｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金等のメタル
−メタロイド系アモルファス合金、あるいはＣｏ，Ｈ
ｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素を主成分とするメタ
ル−メタル系アモルファス合金）、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系
合金であるセンダスト合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−
Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、パーマロイ等が
使用可能であり、その膜付け方法としても、フラッシュ
蒸着，真空蒸着，イオンプレーティング，スパッタリン
グ，クラスター・イオンビーム法等に代表される真空薄
膜形成技術が採用される。

上記Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金を使用する場合に、その主
成分であるＦｅ，Ａｌ，Ｓｉの組成範囲としては、Ａｌ
の含有量が２〜１０重量％、Ｓｉの含有量が４〜１５
％、残部がＦｅであることが好ましい。すなわち、上記
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金をＦｅ_aＡｌ_bＳｉ_c （ａ，ｂ，ｃは各成分の重量比を表す。）で表したときに、その組成範囲が７０≦ａ＜９５２≦ｂ≦１０４≦ｃ≦１５であることが望ましい。上記ＡｌやＳｉが少なすぎて
も、また逆に多すぎてもＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の磁気
特性が劣化してしまう。

また、上記Ｆｅの一部をＣｏあるいはＮｉのうち少なく
とも１種と置換することも可能である。

上記Ｆｅの一部をＣｏと置換することにより飽和磁束密
度を上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量％をＣ
ｏで置換したもので最大の飽和磁束密度が得られる。こ
のＣｏの置換量としては、Ｆｅに対して０〜６０重量％
の範囲内であることが好ましい。

一方、上記Ｆｅの一部をＮｉと置換することにより、飽
和磁束密度を減少することなく透磁率を高い状態の保つ
ことができる。このＮｉの置換量としては、Ｆｅに対し
て０〜４０重量％の範囲内であることが好ましい。

さらに、上述のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金には、耐蝕性や
耐摩耗性を改善するために各種元素を添加剤として加え
てもよい。上記添加剤として使用される元素としては、
Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｇｄ等のランタン系列を
含むIIIａ族元素、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等のIVａ族元素、
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ等のＶａ族元素、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等のVI
ａ族元素、Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ等のVIIａ族元素、Ｃｕ，
Ａｇ，Ａｕ等のＩｂ族元素、Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，
Ｓｂ等が挙げられる。

ところで、上述のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金を用いる場合
に、強磁性金属薄膜(13)は、その柱状溝造の成長方向が
磁気コア半体(10),(11)の強磁性薄膜形成面(10a),(11a)
の法線方向に対して所定の角度λ、すなわち５゜〜４５
゜の角度で傾斜するように被着することが好ましい。

このように、強磁性金属薄膜(13)を強磁性薄膜形成面(1
0a),(11a)の法線方向に対して所定の角度をもって傾斜
して成長させることにより、得られる強磁性金属薄膜(1
3)の磁気特性は安定かつ優れたものとなり、したがって
得られる磁気ヘッドの品質や性能も向上するのである。

ところで、上記強磁性金属薄膜(13)は、この例では真空
薄膜形成技術により単層として形成しているが、例えば
ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄等の
高耐摩耗性絶縁膜を介して複数層積層形成してもよい。
この場合、強磁性金属薄膜の積層数は任意に設定するこ
とができる。

一方、上記磁気コア半体(10),(11)と強磁性金属薄膜(1
3)との間に介在される非磁性高硬度膜(12)としては、Ａ群：ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｃｒ₂
Ｏ₃，高融点ガラス等の酸化物単体もしくは混合物を５
０〜２０００Åの膜厚で形成したもの。

Ｂ群：Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ等の非磁性金属単体もしくはそ
の合金を５０〜２０００Åの膜厚で形成したもの。

が有効であり、これらＡ群およびＢ群のものを単独もし
くは同時に用いる。この非磁性高硬度膜(12)の膜厚とし
ては、疑似ギャップの点から薄い方が有利であり、また
あまり厚くなると磁気抵抗が無視できなくなるので上限
が設定される。

また、上記強磁性金属薄膜(13)上に非磁性高硬度膜(15)
を形成することにより、強磁性金属薄膜(13)のガラス浸
食，剥離，寸法精度不良が減少し、ガラス流れや歩留り
が向上するとともに、融着歪が分散され、高出力の磁気
ヘッドが得られるが、この非磁性高硬度膜(15)として
は、先の非磁性高硬度膜(12)と同様にＡ群およびＢ群の
ものの他、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ等の高融点金属及びその酸化
物を数μ厚以下で被着したものが適している。これらを
単独あるいは組み合わせて形成するが、例えばＣｒ＋Ｔ
ａ₂Ｏ₅＋Ｃｒ，Ｃｒ＋ＳｉＯ₂＋Ｃｒ，Ｔｉ＋ＴｉＯ₂＋
Ｔｉ，Ｃｒのみ，等が考えられる。

したがって、例えば第４図に示すように、磁気コア半体
(10),(11)と強磁性金属薄膜(13)との間にＳｉＯ₂層(12
a)とＣｒ層(12b)とからなる２層構造の非磁性高硬度膜
(12)を設け、強磁性金属薄膜(13)と酸化物ガラス(16)と
の間にＣｒ層(15a)，Ｔａ₂Ｏ₅層(15b)，Ｃｒ層(15c)と
からなる３層構造の非磁性高硬度膜(15)を設ければよ
い。

このように構成される磁気ヘッドでは、フェライトから
なる磁気コア半体(10),(11)の強磁性薄膜形成面(10a),
(11a)上に非磁性高硬度膜(12)を介して強磁性金属薄膜
(13)が被着形成される。このため、スパッタリング時の
高温にさらされても、上記非磁性高硬度膜(12)によって
フェライト中の酸素原子の強磁性金属薄膜(13)中への拡
散が防止されるようになり、変質層が形成されることが
なくなる。したがって、強磁性金属薄膜(13)と磁気回路
的に結合する上記強磁性薄膜形成面(10a),(11a)近傍の
軟磁性特性が劣化することはなく、磁気ヘッドの記録再
生出力の低下が防止されるようになる。また、上記強磁
性金属薄膜(13)が形成される強磁性薄膜形成面(10a),(1
1a)が磁気ギャップ形成面(14)に対して所要角度で傾斜
していることから、上記非磁性高硬度膜(12)がある程度
の膜厚であっても疑似ギャップが形成されることはな
い。ただし、この膜厚が厚過ぎることは磁気回路上好ま
しくない。

上記磁気ヘッドの再生出力を従来の磁気ヘッドと比較す
ると、たとえば１〜７ＭHzの信号で、１〜３ｄＢの出力
レベルの上昇が実験の結果判明した。

また、スパッタリング時に上記変質層が形成されないこ
とから、スパッタリング温度やスパッタリング速度等に
対する制約を緩和することができ、製造しやすい磁気ヘ
ッドとなっている。

さらに、フェライトからなる磁気コア半体(10),(11)と
強磁性金属薄膜(13)との熱膨脹係数の差による熱応力
は、上記非磁性高硬度膜(12)によって分散されるように
なるため、スパッタリング後の冷却時や後工程でのガラ
ス融着による加熱時におても、上記強磁性金属薄膜(13)
にひび割れが生じるようなことはない。これにより、さ
らに磁気特性の向上が図れる。

また、上記強磁性金属薄膜(13)と酸化物ガラス(16)との
間に非磁性高硬度膜(15)を形成しておくことにより磁気
コア半体(10),(11)と酸化物ガラス(16)との間の歪を分
散して、いわゆるショートレンジ（短範囲）な状態の歪
にしたり、強磁性金属薄膜(13)の伸びを妨げることにな
り、強磁性金属薄膜(13)のひびや割れの発生を防止する
ことができて磁気ヘッドの信頼性を向上することができ
るとともに、磁気ヘッド製造の歩留りを良好にすること
ができる。

次に、上記実施例の磁気ヘッドの構成をより明確なもの
とするために、その製造方法について説明する。

上記実施例の磁気ヘッドを作製するには、先ず、第５図
に示すように、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト等の強磁
性酸化物基板(20)の上面(20a)、すなわちこの強磁性酸
化物基板(20)における磁気コア半体突き合わせ時の接合
面に、回転砥石等により断面略Ｖ字状の第１の切溝(21)
を全幅に亘って複数平行に形成し、強磁性薄膜形成面(2
1a)を形成する。なお、上記強磁性薄膜形成面(21a)は、
上記強磁性酸化物基板(20)の磁気ギャップ形成面に対応
する上面(20a)と所定角度θで傾斜するように斜面とし
て形成され、その角度θは、ここではおよそ４５゜に設
定されている。

次に、第６図に示すように、上記強磁性酸化物基板(20)
の上面(20a)に、スパッタリング等の手法により非磁性
高硬度膜(22)を形成する。この非磁性高硬度膜(22)は、
例えばＳｉＯ₂を３００Åの厚さに被着し一層目の非磁
性高硬度膜を形成するとともに、この一層目の非磁性高
硬度膜上にＣｒを３００Åの厚さに被着して二層目の非
磁性高硬度膜を形成することにより作製される。

続いて、第７図に示すように、上記非磁性高硬度膜(22)
上に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金や非晶質合金等をスパッ
タリング、イオンプレーティング、蒸着等の真空薄膜形
成技術を用いて被着し、強磁性金属薄膜(23)を形成す
る。

そしてさらに、第８図に示すように、上記強磁性金属薄
膜(23)上にも非磁性高硬度膜(24)を被着形成する。この
非磁性高硬度膜(24)は、例えばＣｒ膜を0.１μｍ程度の
膜厚で被着し、続いてＴａ₂Ｏ₅膜を１μｍ程度の膜厚で
被着し、さらにＣｒ膜を0.１μｍ程度の膜厚で被着する
ことにより形成される。この非磁性高硬度膜(24)の材質
としては、特にＷ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｔａ等の高融点金属及
びその酸化物や合金の数μｍ厚以下のものが適してお
り、さらにこの非磁性高硬度膜(24)の強磁性金属薄膜(2
3)に対する被着においてＣｒ膜を介在することにより接
着が良好に行える。

次いで、第９図に示すように、強磁性金属薄膜(23)や非
磁性高硬度膜(22),(24)が被着形成された第１の切溝(2
1)内に、例えば低融点ガラス等の酸化物ガラス(25)を充
填した後、上記基板(20)の上面(20a)を平面研削し、平
滑度良く面出しを行い、上記基板(20)の上面(20a)に上
記強磁性薄膜形成面(21a)上に被着される強磁性金属薄
膜(23)を露出させる。

次に、第１０図に示すように、上記強磁性金属薄膜(23)
が被着形成された強磁性薄膜形成面(21a)に隣接して、
上記第１の切溝(21)の一側縁(21a)と若干オーバーラッ
プするように第１の切溝(21)と平行に第２の切溝(26)を
切削加工し、上記基板(20)の上面(20a)に対して鏡面加
工を施す。この結果、上記強磁性金属薄膜(23)のみによ
り磁気ギャップが構成されるようにトラック幅が規制さ
れる。

ところで、上記第２の切溝(26)の断面形状としては、単
なるＶ字状ではなく、例えば断面多角形状とし、この切
溝(26)の内壁面を２段階あるいはそれ以上に屈曲した形
状とし、磁気ヘッドのテープ摺接面から見た時に、強磁
性酸化物と強磁性金属薄膜との距離を確保するようにし
てもよい。このような溝形状とすることにより、強磁性
酸化物と強磁性金属薄膜の接合面積を大きくしたまま
で、長波長成分の信号を再生することによるクロストー
ク成分を低減することができる。さらに、上記のような
形状とすることにより、上記強磁性酸化物の端面が磁気
ギャップのアジマス角と異なる方向で傾斜され、アジマ
ス損失によって隣接又は隣々接トラックからの信号のピ
ツクアップ量、すなわちクロストークを減少させること
ができる。

また、上記強磁性薄膜形成面(21a)上に強磁性金属薄膜
(23)を被着形成した後、トラック幅を規制するための第
２の切溝(26)を形成するという工程となっているため、
この第２の切溝(26)の切削位置を調節することによりト
ラック幅を精度良く製造することが可能となり、強磁性
金属薄膜のみで構成された磁気ギャップ部から最短距離
を通って強磁性酸化物に磁束を通す形状の磁気ヘッドを
歩留り良く製造できるとともに、出力も大きくなり、生
産性や信頼性、製造コストの点で有利である。

上述のような工程により作製される一対の強磁性酸化物
基板(20)のうち、一方の基板(20)に対して、第１１図に
示すように、上記第１の切溝(21)及び第２の切溝(26)と
直交する方向に溝加工を施し、巻線溝(27)を形成し強磁
性酸化物基板(30)を得る。

続いて、上記基板(20)の上面(20a)か上記基板(30)の上
面(30a)上の少なくともいずれか一方にギャップスペー
サを被着し、第１２図に示すように、これら基板(20),
(30)を上記強磁性金属薄膜(23)同士が突き合わされるよ
うに接合配置する。そして、これら基板(20)及び(30)を
ガラスにより融着すると同時に、上記第２の切溝(26)内
に上記ガラス(28)を充填する。なお、上記ギャップスペ
ーサとしては、ＳｉＯ₂，ＺｒＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｃｒ等が
使用される。また、この製造工程において、上記第２の
切溝(26)へのガラス(28)の充填は、基板(20),(30)の融
着と同時でなく、例えば第１１図に示す工程であらかじ
め第２の切溝(26)内にガラス(28)を充填し、第１２図に
示す工程ではガラス融着のみとしてもよい。

そして、第１２図中Ａ−Ａ線及びＡ′−Ａ′線の位置で
スライシング加工し、複数個のヘッドチップを切り出し
た後、磁気テープ摺接面を円筒研磨して第１図に示す磁
気ヘッドを完成する。なお、このとき基板(20)及び(30)
に対するスライシング方向を突き合わせ面に対して傾斜
させることにより、アジマス記録用の磁気ヘッドを作製
することができる。

ここで、この磁気ヘッドの一方の磁気コア半体(10)は強
磁性酸化物基板(20)を母材としており、他方の磁気コア
半体(11)は強磁性酸化物基板(30)を母材としている。ま
た、強磁性金属薄膜(13)は強磁性金属薄膜(23)に、非磁
性高硬度膜(12)は非磁性高硬度膜(22)に、非磁性高硬度
膜(15)は非磁性高硬度膜(24)にそれぞれ対応している。
さらに、酸化物ガラス(16)は酸化物ガラス(25)に対応し
ている。

このような製造工程により製造される磁気ヘッドにおい
ては、強磁性金属薄膜(23)の膜構造の不均一な部分が第
９図で説明した研磨工程、すなわちギャップ面研磨加工
時に削り取られてしまうため、第１の切溝(21)の強磁性
薄膜形成面(21a)には均一な膜構造を有する強磁性金属
薄膜(23)が非磁性高硬度膜(22)及び非磁性高硬度膜(24)
にサンドイッチされた状態で残り、ガラス融着の際の昇
温時にも変形したりひび割れが生じることなく、安定し
た状態に保持される。このため、上記磁気ヘッドは一平
面上に形成された強磁性金属薄膜(23)が磁路に沿ってそ
の各部が高透磁率となることで安定した高出力が得られ
るようになる。

次に、強磁性金属薄膜を磁気ギャップ近傍部のみに形成
した実施例につて説明する。

第１３図は、磁気ギャップ近傍部にのみ強磁性金属薄膜
を形成した磁気ヘッドの一例を示すものである。この磁
気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体(40),(41)が
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等の強磁性酸化物で形成され、
磁気ギャップｇ近傍のフロントデプス側にのみ強磁性金
属薄膜(42)が、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の高透
磁率合金をスパッタリング等の真空薄膜形成技術で被着
することにより設けられている。また、酸化物ガラス(4
3),(44)が磁気ギャップｇの形成面近傍に溶融充填され
ている。ここで上記強磁性金属薄膜(42)と強磁性酸化物
からなる磁気コア半体(40),(41)との間には、先の実施
例と同様に、ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物や
Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ等の非磁性金属からなる非磁性高硬度
膜(45)が設けられている。また、上記強磁性金属薄膜(4
2)と酸化物ガラス(43)との間にも、Ｔａ₂Ｏ₅やＣｒ，Ｔ
ｉＯ₂，ＳｉＯ₂等の高融点金属及びその酸化物等からな
る非磁性高硬度膜(46)が設けられている。なお、上記強
磁性金属薄膜(42)が磁気テープ形成面から見た時に磁気
ギャップ形成面に対して所定の角度θで傾斜しているこ
とは先の実施例と同様である。

このような磁気ヘッドは、例えば第１４図ないし第２２
図に示す工程を経て製造される。

すなわち、先ず、第１４図に示すように、例えばＭｎ−
Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物基板(50)の長手方向一
稜部に断面多角形状の複数の切溝(51)を、回転砥石また
は電解エッチング等により形成する。ここで上記基板(5
0)の上面(50a)は磁気ギャップ形成面に対応し、上記切
溝(51)は基板(50)の磁気ギャップ形成位置近傍に相当す
る部分に形成される。

次に、第１５図に示すように、上記切溝(51)に酸化物ガ
ラス(52)を溶融充填した後、上面(50a)と前面(50b)とを
平面研磨する。

次いで、第１６図に示すように、上記酸化物ガラス(52)
を溶融充填した上記切溝(51)の一側縁若干オーバーラッ
プするように上記一稜部に切溝(51)と隣り合う複数の切
溝(53)を形成する。この時、形成される切溝(53)の内壁
面(53a)には、上記ガラス(52)の一部が露出している。
また、この内壁面(53a)と上記上面(50a)との交線(54)
は、上記基板(50)の前面(50b)と直角をなしている。ま
た、この内壁面(53a)と上面(50a)とのなす角度は、所要
角度、例えば４５゜となっている。

続いて、第１７図に示すように、スパッタリング等の真
空薄膜形成技術を用いて、上記基板(50)の少なくとも上
記切溝(53)を覆うように例えばＳｉＯ₂を３００Åの厚
さに被着し、さらにＣｒを３００Åの厚さに被着して非
磁性高硬度膜(55)を形成する。

次に、第１８図に示すように、上記非磁性高硬度膜(55)
上の上記切溝(53)近傍に、スパッタリング等の真空薄膜
形成技術を用いて高透磁率合金の例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ系合金を被着し、強磁性金属薄膜(56)を形成する。こ
の強磁性金属薄膜(56)の形成において、切溝(53)の一方
の内壁面(53a)上に強磁性金属が効率良く被着するよう
に、上記基板(50)を傾斜させてスパッタリング装置内に
配置するようにしてもよい。

そして、このように被着形成された強磁性金属薄膜(56)
上に第１９図に示すようにＴａ₂Ｏ₅やＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂
等の非磁性高硬度膜(57)をスパッタリング等により被着
形成する。本例においては、この非磁性高硬度膜(57)は
強磁性金属薄膜(56)の上にＣｒ膜を0.１μｍ程度の膜厚
で形成し、続いてその上にＴａ₂Ｏ₅膜を１μｍ程度の膜
厚でスパッタリング等により形成している。このように
Ｃｒ膜を強磁性金属薄膜(56)上に形成することにより、
この強磁性金属薄膜(56)に対するＴａ₂Ｏ₅膜の被着が良
好となる。なお、本例では非磁性高硬度膜(57)をＣｒ膜
−Ｔａ₂Ｏ₅膜により形成したが、その他Ｃｒ膜−ＳｉＯ
₂膜−Ｔａ₂Ｏ₅膜の順で形成したものであってもよく、
さらにＴｉ膜を0.１μｍ程度に、続いてＴｉＯ₂膜を１
μｍ程度に積層被着したもの等も好適である。

そして、第２０図に示すように、非磁性高硬度膜(55)，
強磁性金属薄膜(56)，非磁性高硬度膜(57)が積層して被
着された切溝(53)に、上記酸化物ガラス(52)よりも低融
点の酸化物ガラス(58)を溶融充填した後、基板(50)の上
面(50a)と前面(50b)とを平面研磨し鏡面仕上げを行う。
このとき、上記基板(50)の前面(50b)においては、前工
程で被着した非磁性高硬度膜(55)及び非磁性高硬度膜(5
7)が上記切溝(53)の内壁面(53a)に被着された状態の強
磁性金属薄膜(56)をサンドイッチするような状態になっ
ている。

また、巻線溝側の磁気コア半体を形成するために、第２
０図に示すような加工を施した強磁性酸化物基板(50)
に、巻線溝(59)を形成する溝加工を行い、第２１図に示
す強磁性酸化物基板(70)を得る。

さらに、上記基板(50)の磁気ギャップ形成面となる上面
(50a)と上記基板(60)の磁気ギャップ形成面となる上面
(60a)とを、これら上面(50a),(60a)の少なくともいずれ
か一方に膜付けされたギャップスペーサを介して第２２
図に示すように突き合わせ、ガラス融着を行う。その
後、基板(50)と基板(60)とを合体させたブロックを、第
２２図中Ｂ−Ｂ線及びＢ′−Ｂ′線の位置でスライシン
グ加工し、複数のヘッドチップを得る。このスライシン
グ加工は場合によってはアジマス角だけ傾けて行う。

最後に、切り出した各ヘッドチップに対し、磁気テープ
摺接面の円透研磨を施し、第１３図に示す磁気ヘッドを
完成する。

ここで、第１３図に示す磁気ヘッドの一方の磁気コア半
体(41)は上記一方の強磁性酸化物基板(51)を母材として
おり、他方の磁気コア半体(40)は他方の強磁性酸化物基
板(60)を母材としている。また、非磁性高硬度膜(45)は
非磁性高硬度膜(55)に、強磁性金属薄膜(42)は強磁性金
属薄膜(56)に、非磁性高硬度膜(46)は非磁性高硬度膜(5
7)にそれぞれ対応している。さらに、酸化物ガラス(43)
は酸化物ガラス(58)に対応している。

このように構成される磁気ヘッドにおいては、先の実施
例と同様に、強磁性金属薄膜(42)の各部がヘッドの磁路
方向に沿って高い透磁率を示すようになり、安定に高出
力を得ることができ、また、強磁性金属薄膜(42)が非磁
性高硬度膜(45),(46)に保護されて変形やひび、割れ、
変質等が発生することなく安定したものとなる。

さらに加えて、この実施例の磁気ヘッドにおいては、ヘ
ッドの後部側の接合面、すなわちバックギャップ面にお
いて強磁性酸化物同士が直接ガラス融着されていること
から、ヘッドチップ耐破壊強度が大きく製造し易いヘッ
ドとなっており、強磁性金属薄膜の安定とあいまって歩
留りの向上を図ることができる。また、上記磁気ヘッド
では、強磁性金属薄膜(42)は磁気ギャップｇの近傍部の
みに形成されているため、この強磁性金属薄膜(42)の形
成面積が少なくてすみ、例えばスパッタリング装置で一
括処理可能な個数を大幅に増やせることで量産性の向上
を図ることができる。

次に第２３図ないし第３２図に基づき他の製造工程によ
り作製される磁気ヘッドの例を説明する。

この磁気ヘッドを作製するには、先ず、第２３図に示す
ように、例えばＭｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物
基板(70)の磁気テープ摺接面に対応する上面(70a)に、
この上面(70a)を斜めに横切るような断面略コ字状の溝
(71)を複数形成する。ここで、この溝(71)の深さはヘッ
ドの巻線孔に到達する程度の深さである。

次に、第２４図に示すように、上記溝(71)に高融点ガラ
ス(72)を溶融充填した後、上面(70a)と前面(70b)とを平
面研磨する。

そして、第２５図に示すように高融点ガラス(72)を充填
した上記溝(71)の一部とオーバーラップし、この溝(71)
とは逆方向に斜めに上面(70a)を横切る断面コ字状の溝
(73)を上記上面(70a)に複数形成する。この溝(73)の深
さは上記溝(71)と同程度である。このときこの溝(73)の
内側面(73a)は、上記基板(70)の上面(70a)とは直交して
形成され、また、前面(70b)とは所要角度、例えば４５
゜をなしている。さらに、この溝(73)の内側面(73a)
は、上記溝(71)と基板(70)の前面(70b)近傍において交
差し、上記高融点ガラス(72)を若干切り欠くようになっ
ている。

このように強磁性酸化物基板(70)の上面(70a)に溝(71)
や溝(73)を形成した後、第２６図に示すように、上記基
板(70)の溝(73)の近傍部にスパッタリング等の真空薄膜
形成技術を用いてＳｉＯ₂やＣｒ等の非磁性高硬度膜(7
4)を被着形成する。この非磁性高硬度膜(74)の材質とし
ては、先の各実施例と同様のものが使用可能であること
は言うまでもない。

次いで、第２７図に示すように、上記非磁性高硬度膜(7
4)の上に同様にスパッタリング等の真空薄膜形成技術を
用いて高透磁率合金の例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等
を被着積層し、強磁性金属薄膜(75)を形成する。このと
き上記溝(73)の内側面(73a)上に上記高透磁率合金が効
率良く被着されるように上記基板(70)を傾斜させてスパ
ッタリング装置内に配置するようにしてもよい。

さらに、第２８図に示すように、この強磁性金属薄膜(7
5)上に高硬度金属及びその酸化物や合金等をスパッタリ
ング等の手法により被着し、非磁性高硬度膜(76)を形成
する。この非磁性高硬度膜(76)も先の実施例と同様の材
質の膜を単層もしくは２層以上積層して形成される。

続いて、このようにして非磁性高硬度膜(74)や強磁性金
属薄膜(75)，非磁性高硬度膜(76)が積層して被着形成さ
れた溝(73)内に、上記溝(71)内に溶融充填される高融点
ガラス(72)よりも融点の低い酸化物ガラス(77)を溶融充
填した後、上記基板(70)の上面(70a)と前面(70b)とを平
面研磨し鏡面研磨仕上げを行う。この結果、上記溝(73)
の内側面(73a)には、強磁性金属薄膜(75)が非磁性高硬
度膜(74)及び非磁性高硬度膜(76)に挟まれ保護された状
態で被着された状態となる。なお、この場合強磁性金属
薄膜(75)や非磁性高硬度膜(74),(76)は溝(73)の他方の
内側面や底面にも残るが、これは微小であるからこの部
分の図示は省略する。

次に、第３０図に示すように、一方の強磁性酸化物基板
に巻線溝(78)を形成する溝加工を行い、強磁性酸化物基
板(80)を得る。

そして、第３１図に示すように、この溝加工を施した強
磁性酸化物基板(80)と溝のない強磁性酸化物基板(70)と
を、それぞれ磁気ギャップ形成面となる前面(70b),(80
b)の少なくともいずれか一方に膜付けしたギャップスペ
ーサを介して、強磁性金属薄膜(75)同士が突き合わせら
れるように配置し、ガラス融着により接合する。

最後に、これら基板(70),(80)が合体されたブロック
を、第３１図中Ｃ−Ｃ線及びＣ′−Ｃ′線の位置でスラ
イシング加工し、複数個のヘッドチップを得、これらヘ
ッドチップの磁気テープ対接面を円筒研磨して第３２図
に示すような磁気ヘッドを完成する。

この第３２図に示す磁気ヘッドにおいて、一方の磁気コ
ア半体(81)は強磁性酸化物基板(70)に、他方の磁気コア
半体(82)は強磁性酸化物基板(80)にそれぞれ対応してい
る。また、強磁性金属薄膜(84)は強磁性金属薄膜(75)
に、非磁性高硬度膜(83)は非磁性高硬度膜(74)に、非磁
性高硬度膜(85)は非磁性高硬度膜(76)に、酸化物ガラス
(86)は酸化物ガラス(77)にそれぞれ対応している。

この第３２図に示す磁気ヘッドにおいても先の各実施例
と同様に強磁性金属薄膜(84)が非磁性高硬度膜(83)と非
磁性高硬度膜(85)に挟まれ保護されているので、変形や
ひび、割れ、強磁性酸化物との界面の変質等が発生する
ことはなく、第１図や第１３図に示す磁気ヘッドと同様
に良好な効果を得ることができる。また、上記強磁性金
属薄膜(84)は磁気ギャップｇの形成面と所要角度で傾斜
しており、一平面上に一直線状に連なって形成されてい
るので、磁路に沿ってその各部が高透磁率となることで
安定した高出力が得られるようになることも同様であ
る。

さらに、本発明はこれら実施例ばかりでなく、例えば磁
気テープ摺接面近傍部をセラミックス等の非磁性高硬度
材でガードした磁気ヘッド等にも適用可能である。

第３３図ないし第３５図はそれぞれ本発明を磁気テープ
摺接面近傍部をセラミックス等の非磁性高硬度材でガー
ドした磁気ヘッドに適用した実施例を示すものである。

ここで第３３図の磁気ヘッドは第１図に示す磁気ヘッド
に対応し、第１図に示す磁気ヘッドと同一の部材には同
一の符号を付してある。すなわち、この第３３図に示す
磁気ヘッドは、第１図に示す磁気ヘッドの磁気テープ摺
接面近傍部に例えばチタン酸カルシウム（Ｔｉ−Ｃａ系
セラミックス），酸化物ガラス，チタニア（Ｔｉ
Ｏ₂），アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の高耐摩耗性非磁性材
料からなるガード材(91),(92)を設けたものである。こ
の第３３図に示す磁気ヘッドは、例えばＭｎ−Ｚｎフェ
ライト等の強磁性酸化物基板の一端面に例えばチタン酸
カルシウム，酸化物ガラス，チタニア，アルミナ等の高
耐摩耗性非磁性基板を数十μの溶融ガラス板を挟んで熱
圧着した複合基板を用い、第５図ないし第１２図に示す
製造工程と同様の工程により作製されるが、磁気テープ
摺接面にフェライト等の磁性材料が露出していないの
で、第１０図に示す第２の切溝(26)の切削加工工程は省
略されている。また、第３４図に示す磁気ヘッドは第１
３図に示す磁気ヘッドと対応しており、第１３図に示す
磁気ヘッドと同一の部材には同一の符号を付してある。
この第３４図に示す磁気ヘッドは、第１３図に示す磁気
ヘッドの磁気テープ摺接面近傍部に高耐摩耗性非磁性材
料からなるガード材(93),(94)を設けたものである。そ
して、この第３４図に示す磁気ヘッドは、同様の複合基
板を用いて第１４図ないし第２２図に示す製造工程と同
様の工程により作製されるが、この場合にも第１４図に
示す切溝(51)の切削加工工程と第１５図に示す酸化物ガ
ラス(52)の溶融充填工程は省略される。さらに、第３５
図に示す磁気ヘッドは第３２図に示す磁気ヘッドと対応
しており、第３２図に示す磁気ヘッドと同一の部材には
同一の符号を付してある。この第３５図に示す磁気ヘッ
ドは、第３２図に示す磁気ヘッドの磁気テープ摺接面近
傍部に高耐摩耗性非磁性材料からなるガード材(95),(9
6)を設けたものである。そして、この第３５図に示す磁
気ヘッドは、先の各例と同様の複合基板を用いて第２３
図ないし第３１図に示す製造工程と同様の工程により作
製されるが、この場合にも第２３図に示す溝(71)の切削
加工工程と第２４図に示す高融点ガラス(72)の溶融充填
工程は省略される。

上述したような第３３図ないし第３５図に示す各磁気ヘ
ッドにあっては、その作製に当たり予め強磁性酸化物ブ
ロックに耐摩耗性非磁性材を貼り付け、この耐摩耗性非
磁性材を研磨してテープ対接面を形成するため、ギャッ
プ面を含むテープ対接面は強磁性金属薄膜以外の部分が
非磁性材、すなわち耐摩耗性非磁性材と非磁性高硬度膜
により構成されて強磁性酸化物材が露出することのない
磁気ヘッドとなっている。したがって、強磁性金属薄膜
形成後のギャップ面研磨時の終点位置にかかわらずトラ
ック幅は強磁性金属薄膜の傾斜断面寸法のみで決まるた
め、ブロックの加工においても寸法公差が広範囲で行う
ことができるとともに強磁性金属薄膜は非磁性高硬度膜
により保護されるので、ガラス融着の際に変形したりひ
び割れ、界面の変質等を伴うことがなく、安定な状態に
保持され、歩留りもよく、安定した高出力の磁気ヘッド
が得られる。また、ビデオヘッドにおいてはテープ対接
面との相対速度が大きいためテープ対接面に突出するフ
ェライトは単結晶が必要で材料価格は高くなるが、これ
ら各例ではバックギャップ側のフェライトはテープとの
接触に対する偏摩耗性の心配がないためＨｉ−μ多結
晶、すなわち焼結タイプの多結晶フェライトを使用する
ことができるため低価格となる。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気ヘッド
においては、強磁性金属薄膜と強磁性酸化物の間に非磁
性高硬度膜が設けられているので、強磁性金属薄膜を被
着するためのスパッタリング時等に高温にさらされて
も、上記非磁性高硬度膜によって強磁性酸化物中の酸素
原子の拡散が阻止されるため、強磁性酸化物界面部に低
酸素状態の変質層が形成されることはない。したがっ
て、強磁性酸化物の軟磁性特性が劣化することはなく、
磁気ヘッドの記録再生出力が低下することがなくなる。

また、このようなスパッタリング時に上記変質層が形成
されないことから、強磁性金属薄膜を被着するスパッタ
リング温度やスパッタリング速度に対する制約を緩和す
ることができ、生産性の点でもメリットは大きい。

一方、強磁性金属薄膜と酸化物ガラスとの間に非磁性高
硬度膜を設けることにより、この強磁性金属薄膜が酸化
物ガラスに対して保護されガラス流れが良くなるととも
に、上記酸化物ガラスによる浸食や強磁性金属薄膜の変
形等が防止される。

さらに、上述の各非磁性高硬度膜を設けることにより、
強磁性金属薄膜の密着性が向上するとともに、ガラス融
着時やガラス充填時、スパッタリング後の冷却時等の後
工程において、各材質間の熱膨脹係数の差による熱応力
等の極部的な応力が緩和され、ひび割れの発生が防止さ
れる。

したがって、強磁性金属薄膜の安定化を図ることがで
き、トラック幅精度を確保し安定した磁気特性を得るこ
とが可能となり、強度的にも信頼性が高く、高抗磁力な
磁気記録媒体に適用して好適な磁気ヘッドが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を示す
外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ摺接面を示
す平面図、第３図は第１図に示す磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ面を分解して示す要部外観斜視図である。第４図は非磁性高硬度膜の構成例を示す磁気テープ摺接
面の平面図である。第５図ないし第１２図は第１図の磁気ヘッドを作製する
ための製造工程を示す概略的な斜視図であり、第５図は
第１の切溝加工工程、第６図は非磁性高硬度膜形成工
程、第７図は強磁性金属薄膜形成工程、第８図は非磁性
高硬度膜形成工程、第９図はガラス充填及び平面研磨工
程、第１０図は第２の切溝加工工程、第１１図は巻線溝
加工工程、第１２図はガラス融着工程をそれぞれ示す。第１３図は本発明の他の実施例を示す外観斜視図であ
る。第１４図ないし第２２図はその製造工程を工程順に
示す概略斜視図であり、第１４図は溝加工工程、第１５
図は酸化物ガラス充填工程、第１６図は溝加工工程、第
１７図は非磁性高硬度膜形成工程、第１８図は強磁性金
属薄膜形成工程、第１９図は非磁性高硬度膜形成工程、
第２０図は酸化物ガラス充填及び平面研磨工程、第２１
図は巻線溝加工工程、第２２図はガラス融着工程をそれ
ぞれ示す。第２３図ないし第３１図は本発明の他の実施
例を製造するための製造工程を示す概略斜視図であり、
第２３図は溝加工工程、第２４図は高融点ガラス充填工
程、第２５図は溝加工工程、第２６図は非磁性高硬度膜
形成工程、第２７図は強磁性金属薄膜形成工程、第２８
図は非磁性高硬度膜形成工程、第２９図は酸化物ガラス
充填及び平面研磨工程、第３０図は巻線溝加工工程、第
３１図はガラス融着工程をそれぞれ示す。第３２図は上
記第２３図ないし第３１図の工程により作製される磁気
ヘッドを示す外観斜視図である。第３３図ないし第３５図はそれぞれ本発明のさらに他の
実施例を示す外観斜視図である。第３６図は従来の磁気ヘッドの構成を示す外観斜視図で
ある。 10,11,40,41,81,82……磁気コア半体 13,42,84……強磁性金属薄膜 12,45,83……非磁性高硬度膜 15,46,85……非磁性高硬度膜 16,43,86……酸化物ガラス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者久村達雄東京都品川区北品川６丁目５番６号ソニーマグネプロダクツ株式会社内 (72)発明者佐藤平吉東京都品川区北品川６丁目５番６号ソニーマグネプロダクツ株式会社内 (56)参考文献特開昭59−207415（ＪＰ，Ａ) 特開昭56−124112（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】強磁性酸化物よりなる磁気コア半体の接合
面を切り欠き強磁性薄膜形成面を形成し、この強磁性薄
膜形成面上に真空薄膜形成技術による強磁性金属薄膜を
形成するとともに、前記強磁性金属薄膜同士を突き合わ
せて磁気ギャップを構成してなる磁気ヘッドにおいて、
上記強磁性薄膜形成面と磁気ギャップ形成面とが所要角
度で傾斜しており、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との
間に非磁性高硬度膜が配され、さらにテープ対接面にお
いて非磁性高硬度膜を介して上記強磁性金属薄膜と酸化
物ガラスとが配設されていることを特徴とする磁気ヘッ
ド。