JPS6214313A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘッドに関するものであり、特に磁気ギャ
ップが強磁性金属薄膜同士を突き合わせて構成されてな
る、いわゆる複合型の磁気ヘッドに関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体とこの磁
気コア半体の強磁性金属薄膜形成面に被着形成される強
磁性金属薄膜とからなり、前記強磁性金属薄膜同士を突
き合わせることにより磁気ギャップが構成されてなる磁
気ヘッドにおい°ζ、強磁性金属薄膜形成面を、テープ
対接面から見たときに磁気ギャップ形成面に月して０°
≦θ〈９０°なる角度θで傾斜し磁気ギャップ近傍部に
配置される面と、少なくとも上記角度θとは異なる角度
で傾斜するｌ以」二の面とから構成し、熱膨張率等に起
因する歪を解消し、ヒビ割れの防止を図るとともに、ト
ラック幅の広い磁気ヘッドを提（具しようとするもので
ある。

〔従来の技術〕

例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められ′（おり、この高密度記録化に対応して、磁
気記録媒体として磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強るｎ
性金属の粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、磁性
金属材１’ｌを茎着等の真空薄膜形成技術によりヘース
フィルムにに直接被着した、いわゆる蒸着テープ等が実
用化されつつある。

ところで、この種の（イｌ気記録媒体は高い抗磁力を有
するので、記録・再ｔＦ：に用いる磁気ヘットのヘッド
材料には、高飽和磁束密度を有することが要求される。

例えば、従来へ、ト材料として多用されているフェライ
ト材では、飽和磁束密度が低く、この高抗磁力化に対処
しきれない。

そこで従来、これら高抗磁力磁気記録媒体に対応するた
めに、セラミックス等の非磁性の基板やフェライト等の
磁性基板−にに高飽和磁束密造を有する強磁性金属薄膜
を被着し、これら強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁
気ギヤ、プを構成するようにした、いわゆる複合型の磁
気ヘッドが提案されている。

しかしながら、これら従来の均合型の（（ｊ気ヘッドで
は、生産性や信Ｉｎ　ｌ’を等の点で問題が多い。

例えば、セラミックス等のＪ口Ｉｌｔ性）１（板で挟み
つけた強磁性金属薄膜同士を突き合わゼ、この強磁性金
属薄膜の膜厚をトラック幅とした複合型の磁気ヘッドが
提案さねでいるが、この場合には、磁路の全てが膜厚の
薄い強磁ｔ１金属薄１１９のみに、［り構成されるので
、磁気抵抗が大きくなり効率が低下するばかりか、所定
のトラック幅となるように強磁性金属Ｆｊ膜をある程度
厚く被着する必要があり、膜形成に長時間を要する等の
問題がある。

あるいは、磁気コア部がフェライト等の＋５４！侑＋’
を酸化物からなり、これら各磁気コア部の磁気ギャップ
形成面にＩＡＩ磁性金属薄膜を被着した複合型の磁気ヘ
ッドも提案されているが、この場合には磁路と上記金属
薄膜とが直交する方向に位置するため、渦を流損失が発
！１ミし再生出力の低下を招く虞れがあり、また上記磁
気コア部とり、記金属薄膜間に疑似ギャップが形成され
、充分な信頼性が得られない等の問題がある。

さらには、いずれにしても熱膨張率の異なる強磁性金属
薄膜とフェライトとが相隣合って存在しているので、７
００〜８００℃の加熱を経てガラス融着されるという状
況に対しては、熱残留歪を招き易い。そのため、ヒビ割
れ等の破壊が発生することが多い。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このように、従来の磁気ヘッドでは、生産性。

信軒性等の点で問題が多く、また、ヒビ割れ等も発生し
やすかった。さらには、疑似ギャップやクロストーク等
を抑えつつ、薄い膜でトラック幅を確保することも難し
かった。

そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み提案されたも
のであって、薄い強磁性金属薄膜であってもある程度の
トラック幅を確保することが可能で、疑似ギャップの発
生やヒビ割れの発生等が少なく、信較性や生産性に優れ
た磁気ヘッドを提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

一ヒ述のような目的を達成するために、本発明は、強磁
性酸化物よりなる磁気コア半体とこの磁気コア半体の強
磁性金属薄膜形成面に被着形成される強磁性金属ｆｉ膜
とからなり、前記強磁性金属薄膜同士を突き合わせるこ
とにより磁気ギヤ・７ブが構成されてなる磁気ヘッドに
おいて、上記強磁性金属薄膜形成面は、テープ対接面か
ら見たときに磁気ギヤツブ形成面に対してＯ°≦θ〈９
０°なる角度θで傾斜し磁気ギャップ近傍部に配置され
る面と、少なくとも上記角度θとは異なる角度で傾斜す
る１以上の面とから構成されることを特徴とするもので
ある。

〔作用〕

このように、強磁性金属ｆｌ！膜形成面を異なる角度で
傾斜する２以上の面で構成し屈曲部をもたせることによ
り、強磁性金属薄膜と強磁性酸化物との間の歪が分ｎ（
、吸収、低減される。

また、この強（ｎ性金属薄膜形成面の（ｎ気ギャップ迦
傍部は、（イ；気ギャップ形成面に対しζ０°≦θく９
０°なる角度θで傾斜されるので、強Ｔｆｉ性金属薄膜
の膜厚が薄くてもトフノク幅が確保される。

〔実施例〕

［？ｌ）＼本発明の実施例を図面を参照しながら説明す
る。

第１図は本発明を適用した均合型のルｆｉ気ヘッドの−
・例を示す外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ
対接面を示す要部拡大平面図である。

この磁気ヘッドにおいては、磁気：１７半体（１１）。

（１２）が強磁性酸化物、たとえばＭｎ−Ｚｎ系フェラ
イトで形成され、これらるｎスコア半体（１１）。

（１２）の接合面を斜めに切り欠いた強磁性薄膜形成面
（＋３）、（１４）には、フロントギャップ形成面から
ハックギャップ形成面に至るまで連続して高透磁率合金
、たとえばＦｅ−Ａ１−Ｓｉ系合金膜である強磁性金属
薄膜（１５）が真空薄膜形成技術により被着形成されて
いる。そして、これら−月のルｆｌ気コア半体（ＩＩ）
、（１２）をＳｉＯ□等のギ中ツブ材を介して突き合わ
せ、上記強もイｌ性金属薄膜（１５）の当接面がトラッ
ク幅Ｔｗの磁気ギャップごとなるように構成されている
。

ここで、上記強磁性金属薄膜形成面（＋３）　、　（１
４）は、磁気テープ附接面から見たときに、磁気コア半
体（１１）、（１２）の突き合わせ面である接合面、す
なわち磁気ギャップ形成面（１６）に対しでθなる角度
で傾斜する面（１３ａ）　、　（１４ａ）　と、−１−
記磁気ギャソブ形成面（１６）に対して−１−記θより
も大きな角度αをもって傾斜する面（＋３ｂ）　、　（
１４ｂ）とから構成され、その中途部に鈍角からなる屈
曲部（＋３ｃ）　、　（＋４ｃ）を有している。

そして、−ｈ　ｉｃ！　磁気ギャップ形成面（１６）に
対してθなる角度で傾斜する面（＋３ａ）　、　（＋４
ａ）　−、ｌ二に被着される部分の強磁性金属薄Ｎ　（
＋５）同士が突き合わされて、磁気ギャップｇが構成さ
れている。

上記磁気ギヤツブｇ近傍部に配置される面（１３ａ）　
、　（１４ａ）と磁気ギャップ形成面（１６）とがなす
角度θは、０゛≦θ〈９０°の範囲内に設定される。

この傾斜角度θを９０°にすると、この面（１３ａ）。

（１４ａ）上に形成される強磁性金属薄ＩＩＩ（１５）
の膜厚をトラック幅Ｔｗに等しく形成する必要があり、
真空薄膜形成技術を用いて薄膜を形成するにあたって、
多くの時間を要してしまうことから好ましくない。これ
に対して、角度θを０°≦θ＜９０°とすれば、磁気ギ
ヤツブｇ近傍において強磁性金属薄膜（１５）の突き合
わせ幅、すなわちトラック幅を拡大することができる。

また、上記磁気ギャップｇの形成面近傍、すなわち磁気
テープ対接面における磁気ギャップｇの両側部には、ト
ランク幅を規制し上記強磁性金属薄膜（１５）の摩耗を
防止するための非磁性材（１７）。

（１８）が溶融充填されている。

なお、本実施例においては、上記磁気コア半体（１１）
　、　（１２）に形成されるトラック幅規制溝（ｌｌｂ
）。

（１２ｂ）は、−上記非磁性材（１８）と強磁性酸化物
との界面の形状が屈曲する如く形成されているが、たと
えば磁気ヘッドを磁気テープ対接面から見たときに上記
界面の形状が略円弧状となるような曲面をもって切削加
工し、このトラック幅規制溝（１１ｂ）　、　（１２ｂ
）に臨む強磁性酸化物とこれに対向する強磁性金属薄膜
（１５）との距離を確保するとともに、この溝の対称バ
ランスによって加工時の強磁性酸化物に対するストレス
を小さなものとなし、磁気コア半体（１１）、（１２）
のマイクロクランクの発生を防止するようにしてもよい
。

一方、上記強磁性台ｉ薄膜（１５）の材質としては、強
磁性非晶質金属合金、いわゆるアモルファス合金（例え
ばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの１つ以上の元素とＰ、Ｃ，Ｂ、Ｓ
ｔの１つ以上の元素とからなる合金、またはこれを主成
分としＡ　ｉ、　Ｇ　ｅ、Ｒｅ。

Ｓｎ、Ｉ　ｎ、Ｍｏ、Ｗ、ＴＩ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ。

Ｈｆ、Ｎｂ等を含んだ合金等のメタル−メタロイド系ア
モルファス合金、あるいはＣｏ、Ｈｆ、Ｚｒ等の遷移元
素や希土類元素を主成分とするメタル−メタル系アモル
ファス合り　、Ｆｅ−Ａｐ　−Ｓｉ系合金であるセンダ
スト合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−３ｉ系合金、Ｆｅ
−３ｉ−Ｃｏ系合金、パーマロイ等が使用可能であり、
その膜付は方法としても、フラッシュ蒸着、真空蒸着、
イオンブレーティング、スパッタリング、クラスター・
イオンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術が採用
される。

上記Ｆｅ−Ａ＃−３ｉ系合金を使用する場合に、その主
成分であるＦｅ、ＡＪ　　Ｓｉの組成範囲としては、Ａ
Ｎの含有量が２〜ｌＯ重ｖ％、Ｓｉの含有量が４〜１５
％、残部がＦｅであることが好ましい。すなわち、−上
記Ｆｅ−Ａｌ−３ｉ系合金を Ｆｅ、Ａｆｆｂ　５ｉｃ （ａ、ｂ、ｃは各成分の重量比を表す。）で表したとき
に、その組成範囲が ７０≦ａ〈９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ であることが望ましい。上記Ａ１やＳｉが少なすぎても
、また逆に多すぎてもＦｅ−Ａｌ−３ｉ系合金の磁気特
性が劣化してしまう。

また、−上記Ｆｅの一部をＣＯあるいはＮｉのうち少な
くとも１種と置換することも可能である。

上記Ｆｅの一部をＣＯと置換することによ幻飽和るｎ東
南度を上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量％を
ＣＯで置換したもので最大の飽和磁束密度が得られる。

このＣｏの置換針としては、Ｆｅに対して０〜６０重量
％の範囲内であることが好ましい。

上記Ｆｅの一部をＮｉと置換するごとにより、飽和磁束
密度を減少することなく１ｇ１ｔｔ率を高い状態の保つ
ことができる。このＮｉの置換量としＣは、Ｆｅに対し
て０〜４０重量％の範囲内であることが好ましい。

さらに、上述のＦａ−Ａｔ’−５ｉ系合金には、耐蝕性
や耐摩耗性を改善するために各種元素を添加剤として加
えてもよい。上記添加剤として使用される元素としては
、Ｓｃ、Ｙ、１．ａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ等のランタン系
列を含むｍａ族元素、１゛ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の■ａ族元
素、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等のＶａ族元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等
のＶｌａ族元素、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ等の■ａ族元素、Ｃ
ｕ、Ａｇ。

Ａｕ等のｌｂ族元素、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ。

ｓｂ等が挙げられる。

ところで、上記強磁性金属薄膜（１５）は、この例では
真空薄膜形成技術により単層として形成しているが、例
えばＳ　ｉｏｘ、Ｔａｍｅｓ、　Ａ１．ｏ、。

ＺｒＯ，、Ｓｉ、Ｎ、等の高耐摩耗性絶縁膜を介して複
数層積層形成してもよい。この場合、強磁性金属薄膜の
積層数は任意に設定することができる。

なお、上記磁気コア半体（１１）、（１２）のうち、一
方の磁気コア半体（１２）には、巻線１ｌｌ（１９）が
穿設され、この巻線溝（１９）にコイルを巻回すること
によって、磁気ヘッドに信号を供給し、あるいは信号を
取り出すようになっている。

このように構成される磁気ヘッドにおいては、磁気ギヤ
ツブｇ近傍において強磁性酸化物が切り欠かれ、トラン
ク幅の拡大が図られている。

また、強磁性酸化物である磁気コア半体（１１）。

（＋２）　、、ｈに被着される強磁性金属薄膜（１５）
は、強磁性金属薄膜形成面（１３）　、　（１４）の屈
曲部（１３ｃ）　、　（１４ｃ）において、熱膨張率の
差に起因する歪が解消され、ヒビ割れ等の破壊がｌ［す
ることもなくなっている。

次に、上記実施例の磁気ヘッドの構成をより明確なもの
とするために、その製造方法について説明する。

上記実施例の磁気ヘッドを作製するには、先ず、第３図
に示すように、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト等の強磁
性酸化物基板（２０）の上面（２０ａ）　、すなわちこ
の強磁性酸化物基板（２０）におけるるＲ気コア半体突
き合わせ時の接合面に、回転砥石等により断面路■字状
の第１の切溝（２１）を全幅に亘って複数平行に形成し
、強磁性薄膜形成面（２２）を形成する。なお、ここで
、上記強磁性薄膜形成面（２２）は、上記強磁性酸化物
基板（２０）の磁気ギャップ形成面に対応する上面（２
０ａ）と所定角度θで傾斜するような斜面（２２ａ）と
、この斜面（２２ａ）よりも大きな角度で基板（２０）
の−上面（２（ｌａ）に対して傾斜する斜面（２２ｂ）
とからなるように、上記第１の切溝（２１）の−縁部の
基板（２０）を切り欠いておく。あるいは、上記第１の
切溝（２１）の形状を、このような複数の斜面から構成
されるように、砥石等の形状を変えることによって制御
してもよい。

次に、第４図に示すように、−１二記基板（２０）の−
Ｌ面（２０ａ）全面にＤってＦｅ−Ａ１−３ｉ系合金や
Ｊト品質合金等をスパッタリング、イオンブレーティン
グ、痕着等の真空薄膜形成技術を用いて被着し、強磁性
金属薄膜（２３）を形成する。このとき、上記強磁性金
属薄膜形成面（２２）が斜面（２２ａ）と斜面（２２ｂ
）とからなり、中途部で屈曲しているので、基板（２０
）と強磁性金属薄ＩＩＪ　（２３）間の熱膨張率の差に
起因する応力が緩和・分散される。

次いで、第５図に示すように、強磁性金属薄膜（２３）
が被着形成された第１の切溝（２１）内に、非磁性材（
２４）を充填した後、上記基板（２０）の上面（２０ａ
）を平面研削し、その上面（２０ａ）　ｌの余分な強磁
性金属薄膜（２３）を除去する。さらに、平滑度良く面
出しを行い、上記基板（２０）の上面（２０ａ）に上記
強磁性薄膜形成面（２２）上に被着される強磁性金属薄
膜（２３）の端面を露出させる。

次に、第６図に示すように、上記強６ｆｉ性金属薄膜（
２３）が被着形成された強磁性薄膜形成面（２２）に隣
接して、上記第１の切溝（２１）の−側縁（２１ｂ）と
若干オーバーラツプするように第１の切溝（２１）と平
行に第２の切溝（２５）を切削加工し、−に記基板（２
０）の上面（２０ａ）に対して鏡面加工を施す。この結
果、上記強磁性金属ＩＩＩ（２３）のみにより磁気ギヤ
ツブが構成されるようにトラック幅Ｔｗが規制される。

なお、この第２の切溝（２５）の溝形状としては、単な
るＶ字状であってもよいが、例えば断面多角形状や半円
形状とし、この切溝（２５）の内壁面を２段階あるいは
それ以上に屈曲した形状とすることにより、強磁性酸化
物と強磁性金属ｆ！ＩＩ！Ｉとの距離をある程度確保す
ることができる。このような溝形状とすることにより、
長波長成分の信号を再生することによるクロストーク成
分を低減することができ、さらに、トランク幅規制溝部
の端面がそれぞれ磁気ギャップのアジマス角と異なる方
向で傾斜されるので、隣接トラックあるいは隣々接トラ
ックからのクロストークが減少される。

さらにまた、上記強磁性薄膜形成面（２２）上に強磁性
金属薄膜（２３）を被着形成した後、トラック幅を規制
するための第２の切溝（２５）を形成するという工程と
なっているため、この第２の切溝（２５）の切削位置を
調節することによりトラック幅を精度良く製造すること
が可能となり、強磁性金属薄膜のみで構成された磁気ギ
ャップ部から最短距離を通って強磁性酸化物に磁束を通
す形状の磁気ヘッドを歩留り良く製造できるとともに、
出力も大きくなり、生産性や信卸性、製造コストの点で
有利である。

上述のような工程により作製される一対の強磁性酸化物
基板（２０）のうち、一方の基板（２０）に対して、第
７図に示すように、上記第１の切溝（２１）及び第２の
切溝（２５）と直交する方向に溝加工を施し、巻線溝（
２６）を形成し、強磁性酸化物基板（３０）とする。

続いて、上記基板（２０）の上面（２０ａ）か上記基板
（３０）の上面（３０ａ）上の少なくともいずれか一方
にギャップスペーサを被着し、第８図に示すように、こ
れら基板（２０）　、　（３０）を−上記強磁性金属薄
膜（２３）同士が突き合わされるように接合配置する。

そして、これら基板（２０）及び（３０）をガラスによ
り融着すると同時に、上記第２の切溝（２５）内に上記
非磁性材（２８）を充填する。なお、上記ギャップスペ
ーサとしては、Ｓ　ｔｏｚ、ＺｒＯ，、Ｔａ、０．、Ｃ
ｒ等が使用される。また、この製造工程において、上記
第２の切溝（２５）への非磁性材（２８）の充填は、基
板（２０）　、　（３０）の融着と同時でなく、例えば
第６図に示す工程であらかじめ第２の切溝（２５）内に
非磁性材（２８）を充填し、第８図に示す工程ではガラ
ス融着のみとしてもよい。

そして、第８図中Ａ−Ａ線及びＡ　′−Ａ　’線の位置
でスライシング加工し、複数個のへ７ドチソプを切り出
した後、磁気テープ摺接面を円筒研磨して第１図に示す
磁気ヘッドを完成する。なお、このとき基板（２０）及
び（３０）に対するスライシング方向を突き合わせ面に
対して傾斜させることによリ、アジマス記録用の磁気ヘ
ッドを作製することができる。

ここで、この磁気ヘッドの一方の磁気コア半体（１１）
は強磁性酸化物基板（２０）を母材としており、他方の
磁気コア半体（１２）は強ｉｆｆ性酸化物基板（３０）
を母材としている。また、強！イｌ性金属薄膜（１５）
は強磁性金属薄膜 ３）、（１４）は強磁性金属薄膜形成面（２２）に、面
（１３ａ）　、　（１４ａ）は斜面（２２ａ）に、面（
１３ｂ）　、　（＋４ｂ）は斜面（２２ｂ）にそれぞれ
対応している。

あるいは、次のような製造方法によっても作製すること
が可能である。

すなわち、先ず、表面をラッピング処理等により平行度
良く、かつ平滑度良く加工され、例えばＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトよりなる強磁性酸化物基板（４０）を用意する
。

そして、第９図に示すように、先の第３図に示す製造工
程と同様の手法により、基板（４０）の上面（４０ａ）
に断面略■字状の第１の切溝（４１）を切削加工し、上
記上面（４０ａ）に対して所定の角度θで傾斜する斜面
（４２ａ）と、この斜面（４２ａ）　、１りも大きな角
度で一上面（４０ａ）に対して傾斜する斜面（４２ｂ）
とからなる強磁性金属薄膜形成面（４２）を形成する。

次いで、上記強るｎ性酸化物基板（４０）に灯し、１記
斜面（４２ａ）と隣接し、−上記第１の切溝（４１）と
ｉｌ’行な複数の第２の切ｌ　（４３）を切削加工する
。このとき上記第２の切溝（４３）の切削（１７胃は、
この切溝（４３）の一端縁が上記斜面（４２ａ）と基板
（４０）の上面（４０ａ）とが交差する一稜部（４０ｂ
）　とほぼ−敗するように設定されている。

上記第２の切溝（４３）は、第１の切溝（４１）を切削
加工した後、直ちに形成しているので、この第１の切溝
（４１）形成時に用いた定盤に貼り付けたま才第２の切
溝（４３）を加工することが可能で、位置ずれ等が生ず
ることはない。

なお、この第２の切／Ａ（４３）の溝形状としては、単
なるｖ字状であってもよいが、例えば断面多角形状、断
面半円形状とし、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との距
離をある程度確保してもよい。

続いて、上記強磁性酸化物基板（４０）に対し、真空薄
膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンブ
レーティング等）により強磁性金属を被着し、第１１図
に示すように、強磁性金属薄膜（４４）を形成する。

このように強磁性金属薄膜（４４）を破着形成した後、
第１２図に示すように、強磁性金属薄膜（４４）で覆わ
れた第１の切溝（４１）内及び第２の切溝（４３）内に
、ガラス等の非磁性材（４５）を溶融充填し、−ト記強
磁性酸化物基板（４０）の−上面（４０ａ）の余分な強
磁性金属薄膜を平面研削して除去し、コアブロック（５
０）を作製する。

次いで、一方のコアブロック（５０）に対し、上記第１
の切溝（４１）や第２の切溝（４３）と直交するような
巻線溝（５１）及びガラス溝（５２）を形成し、第１３
図に示すように、これらコアブロック（５０）　、　（
５０）の少なくとも何れか一方に膜付けされるギャップ
スペーサを介して、それぞれ磁気ギャップ形成面に臨む
強磁性金属薄膜（４４）　、　（４４）が一致するよう
に重ね合わせて融着する。なお、上記ギャップスペーサ
としては、Ｓ　ｉｏｚ、Ｚｒ０１．Ｔａ１０５．Ｃｒ等
を用いることができる。

最後に、ガラス融着により一体化されたコアブロック（
５０）　、　（５０）のバックギャップ側に設けられた
ガラス溝（５２）付近を切断除去するとともに、第１３
図中Ｂ−Ｂ線及びＲ’−１１’綿の位置でスライシング
加工し、複数個のへソドチソプを切り出した後、磁気テ
ープ摺接面を円筒研磨して第１図に示す磁気ヘッドを完
成する。

ここで得られる磁気ヘッドでは、トラック幅規制溝（ｌ
ｌｂ）　、　（１２ｂ）に対応する第２の切溝（４３）
内にも強磁性金属薄膜が形成されるが、これら強磁性金
属薄膜は非常に薄く、また強磁性金属薄膜形成面（４２
）上に形成される強磁性金属薄膜が緻密であるのに対し
て、膜表面の凹凸も激しいので、透磁率は極めて小さく
なっている。したがって、磁気ギャップｇにおいて、高
ｉ３磁率膜としての役割は、強磁性金属薄膜形成面（４
２）上に形成される強磁性金属薄膜が果たしている。

ところで、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、種々の構成をとりうる。以下、本発明の他の実施
例について説明する。なお、以下の各実施例においては
、先の実施例と同一の部材には同一の符号を付し、その
詳細な説明は省略する。

第１４図は、磁気ギャップ形成面（１６）に対して所定
の角度θで傾斜する斜面（１３ａ）　、　（１４ａ）と
、この角度θより大きな角度で傾斜する斜面（１３ｂ）
　、　（１４ｂ）とから強磁性金属薄膜形成面（１３）
　、　（１４）を構成し、強磁性金属Ｉｆｌ膜（１５）
に屈曲部（１５ａ）をもたせた−例を示すものである。

また、第１５図は、さらに強磁性金属薄膜（１５）の磁
気ギャップｇから離れた位置に略■字状の屈曲部（１５
ｂ）を形成し、この屈曲部（１５ｂ）の遠方に延在する
部分の強磁性金属薄膜（１５ｃ）を横切ってスライシン
グ加工するようにした磁気ヘッドの一例を示すものであ
る。このように強磁性金属薄膜（１５）に屈曲部（＋５
ｂ）を形成し、これよりも遠方の位置で強磁性金属薄膜
を切断するようにスライシング加工することにより、ス
ライシング加工時のヒビ割れの発生がさらに防止される
。

ところで、このように強磁性金属薄膜（１５）に屈曲部
（１５ｂ）をもたせた場合（特にトランク幅規制溝（ｌ
　ｌｂ）　、　（１２ｂ）と強磁性金属薄膜形成面（＋
３）。

（１４）を形成するための溝とを合わせた幅が磁気コア
半体の厚みよりも小さくなるように設定し、スライシン
グ加工時に強磁性金属薄膜（１５）を横切って切断する
ことがない場合）には、疑似ギャップ防止等のために、
磁気テープ摺接面のテープ摺接方向に沿った両端部、す
なわち第１５図中Ｘ−Ｘ線及びｘ′−ｘ’線で、断面略
り字状となるような面取り加工を施し、段差部（６］）
　、　（６２）を設け、第１６図に示すような磁気ヘッ
ドとすることが好ましい。あるいは、この面取り加工は
、上述のような段差を持つような加工ではなく、第１７
図に示すように、斜面状に研磨してテーパー面（６３）
。

（６４）を形成するようにしてもよい。なお、これら面
取り加工は、強磁性金属薄膜が屈曲部を有する場合ばか
りでなく、第１図、第２図あるいは第１４図や後述の各
側に示すような磁気ヘッド等においても、磁気テープと
の当り幅を規制する等のために設けてもよい。

第１８図ないし第２０図は、それぞれ磁気ギャップ近傍
部の強磁性金属薄膜形成面（１３）　、　（１４）の磁
気ギヤツブｇ近傍部の面（１３ａ）　、　（１４ａ）と
磁気ギャップ形成面（１６）とのなす角度θを０°とし
た例である。特に、第１９図及び第２０図に示す磁気ヘ
ッドは、磁気ギャップｇから離れた位１の強磁性金属ｉ
ｔｉ膜に略■字状の屈曲部（１５ｂ）を設けてスライシ
ング加工時のヒビ割れの防止を図ったものであり、さら
に、第２０図に示す磁気ヘッドは、磁気ギヤツブｇ近傍
部に強磁性酸化物を残したものである。

このように、強磁性金属薄膜形成面（１３）　、　（１
４）の磁気ギヤツブｇ近傍部の面（１３ａ）　、　（１
４ａ）と磁気ギヤツブ形成面（１６）とのなす角度θを
０°とすることにより、若干の疑似ギャップは発生する
ものの、磁気ギャップｇのトランク幅を大幅に広げるこ
とができる。また、上記疑似ギャップは、本来の磁気ギ
ャップｇに比べて幅が小さいため、その影響は少ない。

第２１図ないし第２５図は、それぞれ強磁性金属薄膜形
成面（１３）　、　（１４）の磁気ギヤツブｇ近傍部を
磁気ギヤツブ形成面（１６）とは所定の角度θで斜めに
傾斜させ強磁性金属薄膜（１５）によるトラック幅の拡
大を図るとともに、この強磁性金属薄膜形成面（１３）
　、　（１４）を上記角度θより大きい角度あるいは小
さい角度で傾斜する複数の面から構成し、強磁性金属薄
膜（１５）に鈍角で屈曲する屈曲部（１５ｄ）　、　（
１５ｅ）　　・・・を形成し、特にヒビ割れの防止を図
った磁気ヘッドの例を示すものである。特に、第２２図
ないし第２５図に示す各磁気ヘッドでは、先に述べたよ
うに、磁気ギャップｇから離れた位置の強磁性金属薄膜
に略■字状の屈曲部（１５ｂ）を設け、スライシング加
工時のヒビ割れの防止を図っている。また、これら各側
では、第１６図あるいは第１７図に示すように面取り加
工が施されており、各図面において一点鎖線が面取りし
た状態でのテープ摺動面と面取り部の交線、すなわち接
部を示す。

上記各側における強磁性金ｒ！Ａ薄膜（１５）は、テー
プ摺動面の中央近傍において屈曲しており、この屈曲が
、金属磁性材料とフェライト間の歪を分散３吸収、低減
する働きをなし、磁気ヘッドのヒビ割れ防止に大なる効
果がある。また、屈曲の角度は鈍角であるため、磁気特
性を悪化させることなく、ヒビ割れ防止の目的が達せら
れる。

上述の各個の磁気ヘッドは、先に第３図ないし第８図に
示した製造工程、あるいは第９図ないし第１３図に示し
た製造工程に従って作製することができる。すなわち、
第１８図ないし第２０図に示す磁気ヘッドを作製する場
合には、第３図あるいは第１３図に示す工程において、
斜面（２２ａ）あるいは斜面（４２ａ）の傾斜角度を基
板（２０）　、　（４０）の上面（２０ａ）　、　（４
０ａ）と平行になるように（θ−０°）すればよい。同
様に第２１図ないし第２５図に示す磁気ヘッドを作製す
るには、第３図あるいは第１３図に示す工程において、
第１の切溝（２１）　、　（４１）の形状を変えること
により、簡単に作製される。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜形成面を磁気ギャップ形成面に対して異
なる角度で傾斜する複数の面から構成しているので、磁
気ギャップ近傍部において、強磁性金［薄膜の突き当て
幅（トラック幅）を拡大することができる。したがって
、例えば所定のトラック幅を確保するための強磁性金属
ＴｉＷ４の膜厚は薄くて済み、生産性の点で有利である
。

さらに、本発明においては、強磁性金属薄膜形成面に鈍
角の屈曲部が形成されるので、この部分で強磁性金属薄
膜と強磁性酸化物との熱膨張率の差等に起因する歪が分
散、吸収され、ヒビ割れがなく信転性の高い磁気ヘッド
となる。

また、上記屈曲部を形成することにより磁気特性が劣化
することもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を通用した磁気ヘッドの一例を示す外観
斜視図であり、第２図はその磁気テープ対接面を示す要
部拡大平面図である。 第３図ないし第８図は本発明の磁気ヘッドを作製するた
めの製造方法の一例をその工程順序に従って示す概略斜
視図であり、第３図は強磁性金属薄膜形成面加工工程、
第４図は強磁性金属薄膜被着工程、第５図はガラス溶融
充填及び平面研削工程、第６図は第２の切溝加工工程、
第７図は巻線溝加工工程、第８図は基板接合及びスライ
シング加工工程をそれぞれ示す。 第９図ないし第１３図は本発明の磁気へ・ノドを作製す
るための製造方法の他の例をその工程順序に従って示す
概略斜視図であり、第９図は強磁性金属薄膜形成面加工
工程、第１０図は第２の切溝加工工程、第１１図はガラ
ス溶融充填及び平面研削工程、第１２図は巻線溝加工工
程、第１３図は基板接合及びスライシング加工工程をそ
れぞれ示す。 第１４図は本発明の他の例における磁気テープ対接面を
示す要部拡大平面図であり、第１５図は本発明のさらに
他の例における磁気テープ対接面Ｂ を示す要部拡大平面図である。 第１６図は面取り加工した磁気へ・ノドの一例を示す外
観斜視図であり、第１７図は面取り加Ｔした磁気ヘッド
の他の例を示す外観斜視図である。 第１８図ないし第２０図はそれぞれ磁気ギャップ近傍部
の強磁性金属薄膜形成面の磁気ギヤ・ノブ形成面に対す
る傾斜角度を０°とした磁気ヘッドの磁気テープ対接面
を示す要部拡大平面図である。 第２１図ないし第２５図はそれぞれ強磁性金属薄膜に鈍
角な屈曲部をもたせた磁気ヘッドの磁気テープ対接面を
示す要部拡大平面図である。 １１．１２・・・磁気コア半体 １３．１４・・・強磁性金属薄膜形成面１５・・・強磁
性金属薄膜 １６・・・磁気ギャップ形成面

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体とこの磁気コア半体
   の強磁性金属薄膜形成面に被着形成される強磁性金属薄
   膜とからなり、前記強磁性金属薄膜同士を突き合わせる
   ことにより磁気ギャップが構成されてなる磁気ヘッドに
   おいて、 上記強磁性金属薄膜形成面は、テープ対接面から見たと
   きに磁気ギャップ形成面に対して０°≦θ＜９０°なる
   角度θで傾斜し磁気ギャップ近傍に配置される面と、少
   なくとも上記角度θとは異なる角度で傾斜する１以上の
   面とから構成されることを特徴とする磁気ヘッド。