JPH0475563B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気ヘツドに関し、特に強磁性酸化物
材料と強磁性金属材料との複合磁性材料からなる
磁気ヘツドに関する。

背景技術とその問題点 例えばVTR（ビデオテープレコーダ）用の磁気
記録媒体である磁気テープに磁気記録される信号
が高密度化されてくるに従い磁気テープとして高
い残留磁束密度Brを有するメタルテープ等が使
用されてきている。このメタルテープ等の高い抗
磁力Hcを持つ磁気テープに用いられる磁気ヘツ
ドは磁気ギヤツプより発生する磁界の強度を高く
する必要があり、また記録される信号の高密度化
に伴ない磁気ヘツドのトラツク幅を狭くする必要
がある。そこでこのような磁気ヘツドとしては従
来より種々のものが提案されており、この狭トラ
ツク化の磁気ヘツドとしては第１図に示すヘツド
が知られている。この第１図の磁気ヘツドはMn
−Znフエライト等の強磁性酸化物よりなるコア
半体１ａ，１ｂの磁気ギヤツプ形成面側にトラツ
ク幅規制凹部によりフエライト突起部１a′，１
b′を形成し、この突起部１a′，１b′の両側面にス
パツタリング等の真空薄膜形成技術を用いてセン
ダスト等の強磁性金属薄膜２ａ，２ｂを被着形成
し、この一対のコア半体１ａ，１ｂをトラツク幅
規制凹部に溶融充填される補強用ガラス３により
融着接合している。この磁気ヘツドは上記突起部
１a′，１b′の先端近傍に被着された強磁性金属薄
膜２ａ，２ｂを利用して磁気ギヤツプｇを形成し
ているため磁気抵抗が小さく効率の良い狭トラツ
クヘツドを得ることができる。

しかし、このように複合磁性材料からなる磁気
ヘツドにおいて磁気ギヤツプ形成面の強磁性金属
薄膜は金属磁性材料をスパツタリング等の真空薄
膜形成技術による形成が適しているが、フエライ
ト上に磁性金属薄膜を形成し、その上から融着用
のガラスを充填した場合、磁性金属薄膜の弱い部
分に応力が集中し、変形させたり、またひびや割
れ等を生じて不良率が高くなる。

即ち、フエライト上にセンダスト，アモルフア
ス等の磁性金属材料を積層すると、この金属材料
の方がフエライトに対し熱膨張係数が約30〜50％
大きいため、ガラスパツクや融着に際しての昇温
時にフエライトやガラスに対して引張応力が働く
ことになり、ひびや割れが生じ易い。またセンダ
スト等の磁性金属薄膜を被着形成した後、直接ガ
ラスを溶融充填すると金属とガラスが反応し、金
属薄膜のエツジ，表面が変形してしまう。

そのため、上述の複合材料から成る磁気ヘツド
は歩留りが悪く生産性に欠点を有していた。

発明の目的 本発明は斯る点に鑑みなされたもので、強磁性
酸化物よりなる磁気コアに被着形成される強磁性
金属薄膜を安定なものにし、トラツク幅精度を充
分確保でき歩留りが高く量産性に優れ信頼性の高
い磁気ヘツドを提供するものである。

発明の概要 本発明は上記の目的を達成するために、強磁性
酸化物よりなる磁気コア半体対の接合面に真空薄
膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成し、この
磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギヤツプを形
成してなる磁気ヘツドにおいて、磁気ギヤツプ形
成面と強磁性金属薄膜形成面とが所要角度で傾斜
しており且つテープ対接面に非磁性高硬度膜を介
して強磁性金属薄膜と酸化物ガラスを配すること
により強磁性金属薄膜の変形，ひびや割れ及び磁
気特性の劣化を防止するように構成したものであ
る。

実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づき説明す
る。

第２図は本発明に係わる磁気ヘツドの一例の斜
視図である。この複合磁性材料からなる磁気ヘツ
ドは例えば一対の磁気コア半体１１ａ，１１ｂが
Mn−Znフエライト等の強磁性酸化物により形成
され、磁気ギヤツプｇ近傍部には高透磁率合金の
センダスト等からなる強磁性金属薄膜１２ａ，１
２ｂがスパツタリング等の真空薄膜形成技術を用
いて形成され、そしてこの強磁性金属薄膜１２
ａ，１２ｂ上にTa₂O₅やCr，TiO₂，SiO₂等の非
磁性高硬度、高強度膜１３ａ，１３ｂが形成され
ている。また磁気ギヤツプｇの形成面近傍即ちテ
ープ対接面１１′における磁気ギヤツプｇの両側
部にトラツク幅を規制し、融着する酸化物ガラス
１４ａ，１４ｂ及び１５が溶融充填されている。

ところで、強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂの形
成面と磁気ギヤツプｇの形成面とは磁気ヘツドの
テープ対接面１１′の平面図を第３図に示すよう
に所要角度で傾斜している。この傾斜角度は記録
再生時の磁気テープに与える強磁性金属薄膜１２
ａ，１２ｂの積層間の絶縁層と磁気ギヤツプｇと
の相互作用が最も少ない傾斜角度例えば45゜に設
定することが望ましい。

また強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂは磁気ギヤ
ツプｇの近傍のみに形成されているため、その形
成面積が少なくてすみ例えばスパツタリング装置
で一括処理可能な個数を大幅に増すことができて
量産性の向上を図ることができる。

また積層形成される強磁性金属薄膜１２ａ，１
２ｂの膜厚ｔは、 ｔ＝Twsinθ でよいことからトラツク幅に相当する膜厚を積層
形成する必要がなくヘツド作製に要する時間を短
縮することができる。ここではTwはトラツク幅
でありθは強磁性金属薄膜形成面とギヤツプ形成
面とのなす角度である（第３図参照）。

また強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂ上に即ち強
磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂと酸化物ガラス１５
との間に非磁性高硬度膜１３ａ，１３ｂを形成し
ておくことにより磁気コア半体１１ａ，１１ｂと
酸化物ガラス１５との間の歪を分散してシヨート
レンジ（短範囲）な状態の歪にしたり、また強磁
性金属薄膜１２ａ，１２ｂの伸びを妨げることに
なり、強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂのひびや割
れの発生を防止することができて磁気ヘツドの信
頼性を向上することができると共に磁気ヘツド製
造の歩留りを良好にすることができる。

また磁気ギヤツプｇを形成する強磁性金属薄膜
１２ａ，１２ｂが磁気ギヤツプｇの近傍部に配さ
れていることと磁気ヘツド後部側が接合面積の広
い強磁性酸化物で形成されていることによつて磁
気抵抗が小さく感度の高性能の磁気ヘツドとなつ
ている。

また磁気ギヤツプｇが高透磁率を有する強磁性
金属薄膜１２ａ，１２ｂのみで形成されているこ
とからメタルテープ等の高い抗磁力Hcをもつ磁
気テープに対応した記録再生出力の高い磁気ヘツ
ドとなつている。

またコア半体１１ａの傾斜面１１a′及び酸化物
ガラス１４ａ上を連ねた一平面上に強磁性金属薄
膜１２ａが被着形成され、また他方のコア半体１
１ｂの傾斜面１１b′及び酸化物ガラス１４ｂ上を
連ねた一平面上に強磁性金属薄膜１２ｂが被着形
成されていることにより、例えばセンダスト膜か
らなる強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂの膜構成、
即ち柱状晶の成長方位は磁気ギヤツプｇ近傍部及
び上記傾斜面１１a′，１b′部に亘つて一方向に平
行に揃つた均一なものとなつている。このため磁
気ヘツドは磁路に沿つた方向で強磁性金属薄膜１
２ａ，１２ｂの全体が高い透磁率を示すようにな
り高いい記録再生出力が得られる。

また上記磁気ヘツドの後部側はMn−Znフエラ
イト等の強磁性酸化物どうしを突き合わせて接合
しており大きな接着強度を得ることができて歩留
りの向上を図ることができる。また加工時にバツ
クトラツクずれが発生するようなこともなく信頼
性の高い磁気ヘツドとなつている。

更に、上記磁気ヘツドの磁気テープ対接面のほ
とんどが強磁性酸化物となつていることから耐摩
耗性を有する磁気ヘツドとなつている。

また本発明によれば数μm〜数十μmの広範囲の
トラツク幅を容易に形成することができ、絶縁膜
を介して例えば多層に積層される強磁性金属薄膜
１２ａ，１２ｂの積層数を少なくすることで狭ト
ラツク化の磁化ヘツドとすることができる。

以上説明したように、上記磁気ヘツドは磁気ギ
ヤツプｇが変形或いはひび，割れ等の無い安定し
た強磁性金属薄膜から形成されることにより、こ
の磁気ギヤツプから発生する磁界の強度が高いこ
とや再生出力を高くとれること等、例えばメタル
テープ等の高い抗磁力Hcを有する磁気テープに
高密度記録するのに適したヘツドとなつている。

ところで、強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂの形
成面と磁気ギヤツプｇの形成面のなす角度θは上
述の45゜に限らず20゜〜80゜程度の範囲としてもよ
い。ここで20゜以下の角度であると隣接トラツク
からのクロストークが大きくなり、望ましくは
30゜以上の角度をもたせるのがよい。また、上記
傾斜角度を90゜にした場合は耐摩耗性が劣ること
から80゜程度以下とするのがよい。また傾斜角度
を90゜にすると磁気ギヤツプｇの近傍に形成され
る上述の強磁性金属薄膜１２ａ，１２ｂの膜厚を
トラツク幅に等しく形成する必要があり、真空薄
膜形成技術を用いて薄膜を形成するに当つて多く
の時間を要してしまうことや、膜構造が不均一化
してしまう点で好ましくない。

次に上述の第３図に示す磁気ヘツドの製造工程
を第４図〜第１１図に基づき説明する。

先ず第４図に示すように例えばMn−Znフエラ
イト等の強磁性酸化物基板２０の長手方向の一稜
部に複数の切り溝２１を回転砥石または電解エツ
チング等により複数形成する。即ち上記基板２０
の上面２０′は磁気ギヤツプ形成面に対応し、上
記切り溝２１は基板２０の磁気ギヤツプ形成位置
近傍に相当する部分に形成される。

次に第５図に示すように、上記切り溝２１に高
融点ガラス２２Ａを溶融充填した後上面２０′と
前面２０″とを平面研磨する。

そこで第６図に示すように高融点ガラス２２を
充填した、上記切り溝２１の一部とオーバラツプ
するように、上記一稜部に切り溝２１と隣り合う
複数の切り溝２３を形成する。このとき形成され
る切り溝２３一方の内壁面２３′には、上記ガラ
ス２２の一部が露出している。また、この内壁面
２３′と上記上面２０′との交線２３″は上記前面
２０″と直角をなしている。そして、この内壁面
２３′と上面２０′とのなす角度は所要角度、例え
ば45゜となつている。

次に第７図に示すように上記基板２０の切り溝
２３近傍にスパツタリング等の真空薄膜形成技術
を用いて高透磁率合金の例えばセンダスト等を絶
縁膜を介して被着積層し、強磁性金属薄膜２４を
形成する。この強磁性金属薄膜２４の形成におい
て、切り溝２３の一方の内壁面２３′上に効率よ
く被着するように上記基板２０を傾斜させスパツ
タリング装置内に配置するようにする。

そして、このように被着形成された強磁性金属
薄膜２４上に第８図に示すようにTa₂O₅やTiO₂，
SiO₂等の非磁性高硬度膜２５をスパツタリング
等により被着形成する。本例においてはこの非磁
性高硬度膜２５は強磁性金属薄膜２４の上にCr
膜２５′を0.1μm程度の膜厚で形成し、続いてそ
の上にTa₂O₅膜２５″を1μm程度の膜厚でスパツ
タリング等により形成している。このようにCr
膜２５′を強磁性金属薄膜２４上に形成すること
によりこの強磁性金属薄膜２４に対するTa₂O₅膜
２５″の被着が良好となる。そこで第９図に示す
ように強磁性金属薄膜２４と非磁性高硬度膜２５
が積層して被着された切り溝２３に上記ガラス２
２よりも低融点のガラス２６を溶融充填した後、
基板上面２０′と前面２０″とを平面研磨し鏡面仕
上げを行なう。このとき前工程で被着した非磁性
高硬度膜２５の一部が上部切り溝２３の内壁面２
３′に被着された状態の強磁性金属薄膜２４を覆
う状態となつている。

以上のようにして第９図に示す両コア半体ブロ
ツク２０Ａ，２０Ｂを得る。そして、一方のコア
半体ブロツク２０Ａに第１０図に示すように巻線
溝２７を形成する溝加工を行なう。このコア半体
ブロツク２０Ａの切り溝２１Ａには高融点ガラス
２２Ａが溶融充填され、切り溝２３Ａの内壁面２
３A′には強磁性金属薄膜２４Ａが非磁性高硬度
膜２５Ａにより被覆された状態で被着形成されて
いる。次に上記コア半体ブロツク２０Ａ磁気ギヤ
ツプ形成面となる上面２０A′と巻線溝のない他
方のコア半体ブロツク２０Ｂの磁気ギヤツプ形成
面となる上面とを膜付けしたギヤツプスペーサを
介して、第１１図に示すようにトラツク部即ち、
強磁性金属薄膜２４Ａと２４Ｂが相対するように
突き合わせ、上記低融点ガラス２６によりガラス
融着を行う。この後、このコア半体ブロツク２０
Ａと２０Ｂとを合体させた合体ブロツク２０１を
第１１図に示すａ−ａ線、a′−a′線の位置でスラ
イシング加工することで複数個のヘツドチツプを
得ることができる。このスライシング加工は場合
によつてはアジマス角だけ傾けて行なう。

ここで上述の非磁性高硬度膜２５としてはＷ，
MO，Si，Ta等の高融点金属及びその酸化物を
用いることができ、この場合膜厚を数μm以下に
形成することが望ましく、また上述の如く強磁性
金属薄膜上にCr膜を介して被着することが望ま
しい。これはCr膜を介することにより強磁性金
属薄膜との接着が良好になるためである。尚、本
例では非磁性高硬度膜２５はCr膜−Ta₂O₅膜に
より形成したが、Cr膜−SiO₂膜−Ta₂O膜の順で
形成してもよく、またTi膜を0.1μm程度に続いて
TiO₂膜を1μm程度に積層被着するようにしても
よい。

以上のようにして形成されるヘツドチツプの磁
気テープ対接面を円筒研磨することで第２図に示
す磁気ヘツドが得られる。この第２図の磁気ヘツ
ドにおいて、一方のコア半体１１ａは上記一方の
ブツク２０Ａを母材としており、他方のコア半体
１１ｂは上記他方のブロツク２０Ｂが母材となつ
ている。また酸化物ガラス１４ａ，１４ｂは上記
高融点ガラス２２Ａ，２２Ｂに夫々対応し、酸化
物ガラス１５は上記低融点ガラス２６に対応して
おり、またこの磁気ヘツドの強磁性金属薄膜１２
ａ，１２ｂは上記金属薄膜２４Ａ，２４Ｂに、非
磁性高硬度膜１３ａ，１３ｂは上記高硬度膜２５
Ａ，２５Ｂに夫々対応している。更に上記磁気ヘ
ツドの巻線孔１６は上記一方のブロツク２０Ａ形
成された巻線溝２７に対応している。

このように上記ヘツドでは例えばセンダスト膜
である強磁性金属薄膜の膜構造、即ち柱状晶の成
長方位は膜構造の不均一な部分をギヤツプ面研磨
加工により削りとつてしまうため切り溝２３Ａ，
２３Ｂの内壁面２３A′，２３B′である斜めの平
面即ち一平面上に一方向に揃つた均一なものとな
つている。このため強磁性金属薄膜２４Ａ，２４
Ｂの各部がヘツドの磁路方向に沿つて高い透磁率
を示すようになり、またこの強磁性金属薄膜２４
Ａ，２４Ｂは融着用の酸化物ガラス２６に対して
非磁性高硬度膜２５Ａ，２５Ｂにより保護されて
変形やひび，割れ等が発生することなく安定した
ものとなり、上記磁気ヘツドは安定した高出力を
得ることができる。

また上記磁気ヘツドはヘツドの後部側の接合
面、即ちバツクギヤツプ面おいて強磁性酸化物ど
うしが直接ガラス融着されていることからヘツド
チツプ耐破壊強度が大きな製造しやすいヘツドと
なつており強磁性金属薄膜の安定とあいまつて歩
留りの向上を図ることができる。

次に第１２図〜第２０図に基づき他の製造工程
により作られる磁気ヘツドの例を説明する。

先ず第１２図に示すように例えばMn−Znフエ
ライト等の強磁性酸化物基板３０の磁気テープ対
接面に対応する上面３０′に、この上面３０′を斜
めに横切るような断面コ字状の溝３１を複数形成
する。ここで、この溝３１の深さはヘツドの巻線
線孔に到達する程度の深さである。

次に第１３図に示すように上記溝３１高融点ガ
ラス３２を溶融充填した後、上面３０′と前面３
０″とを平面研磨する。

そして、第１４図に示すように高融点ガラス３
２を充填した上記溝３１の一部とオーバラツプ
し、この溝３１とは逆方向に斜めに上面３０′を
横切る断面コ字状の溝３３を上記上面３０′複数
形成する。この溝３３の深さは上記溝３１と同程
度である。このときこの溝３３内側面３３′と前
面３０″との交線３３″は前面３０″に露出した上
記高融点ガラス３２の断面上にあり、またこの交
線３３″は上面３０′と直角をなしている。また内
側面３３′と前面３０″とのなす角度は所要角度例
えば45゜となつている。

次に第１５図に示すように上記基板３０の溝３
３近傍にスパツタリング等の真空薄膜形成技術を
用いて高透磁率合金の例えばセンダストを絶縁膜
を介して被磁性金属膜３４を形成する。このとき
上記溝３３の内側面３３′上に効率よく被着され
るように上記基板３０を傾斜させてスパツタリン
グ装置内に配置するようにする。

そして、第１６図に示すように上記強磁性金属
薄膜３４の上に例えばCr膜３５′を膜厚0.1μm程
度、続いてTa₂O₅膜３５″を膜厚1μm程度スパツ
タリングにより被着し非磁性高硬度膜３５を形成
する。このようにして強磁性金属薄膜３４と非磁
性高硬度膜３５が積層形成された上記溝３３に上
記ガラス３２よりも低融点のガラス３６を溶融充
填した後、上面３０′と前面３０″とを平面研磨し
鏡面研磨仕上げを行なう。このとき上記金属薄膜
３４と上記非磁性高硬度膜３５の積層膜の一部が
上記溝３３の内側面３３′に残りこの内側面３
３′に強磁性金属薄膜３４が被着された状態とな
る。

以上のようにして第１７図に示すコア半体ブロ
ツク３０Ａ，３０Ｂを得る。

そして、一方のコア半体ブロツク３０Ａに第１
８図に示すように巻線溝３７を形成する溝加工を
行なう。このコア半体ブロツク３０Ａの溝３１Ａ
には高融点ガラス３２Ａが溶融充填され、溝３３
Ａの内側面３３A′には強磁性金属薄膜３４Ａが
形成され、この強磁性金属薄膜３４Ａと低融点ガ
ラス３６の間に非磁性高硬度膜３５Ａが介在され
ている。

このように形成される一方のコア半体ブロツク
３０Ａの磁気ギヤツプ形成面となる前面３０
A″と他方のコア半体ブロツク３０Ｂの同様にギ
ヤツプ形成面となる前面とを膜付けしたギヤツプ
スペーサを介して第１９図に示すようにトラツク
部、即ち強磁性金属薄膜３４Ａと３４Ｂを突き合
わせ低融点ガラス３６によりガラス融着する。そ
の後両コア半体ブロツク３０Ａと３０Ｂとを合体
させたブロツク３０１を第１９図に示すｂ−ｂ
線、b′−b′線の位置でスライシング加工すること
で複数個のヘツドチツプを得ることができる。

次に上記ヘツドチツプの磁気テープ摺接面を円
筒研磨することにより第２０図に示す磁気ヘツド
となる。この第２０図の磁気ヘツドにおいて一方
の磁気コア半体４１ａは上記一方のコア半体ブロ
ツク３０Ａを母材とし、他方の磁気コア半体４１
ｂは上記他方のコア半体ブロツク３０Ｂを母材と
している。また酸化物ガラス４２ａ，４２ｂは溝
３１Ａ，３１Ｂに充填された高融点ガラス３２
Ａ，３２Ｂに夫々対応し、酸化物ガラス４３は溝
３３Ａ，３３Ｂに充填された上記低融点ガラス３
６に対応している。また、この磁気ヘツドに形成
されている強磁性金属薄膜４４ａ，４４ｂは上記
溝３３Ａ，３３Ｂの内側面３３A′，３３B′に被
着した上記金属薄膜３４Ａ，３４Ｂに夫々対応
し、更に非磁性高硬度膜４５ａ，４５ｂは上記低
融点ガラス３６との間に介在されているCr膜３
５′とTa₂O₅膜３５″から成る非磁性高硬度膜３５
Ａ，３５Ｂと夫々対応している。また巻線孔４６
は上記巻線溝３７に対応している。

以上説明した工程により作られる第２０図に示
す磁気ヘツドは上述した第２図に示す磁気ヘツド
と同様に磁気ギヤツプｇの形成面と強磁性金属薄
膜４４ａ，４４ｂの形成面４１a′，４１b′とがテ
ープ対接面４１′から見て所要角度で傾斜してお
り、またこの強磁性金属薄膜４４ａ，４４ｂは非
磁性高硬度膜４５ａ，４５ｂにより融着ガラス４
３に対して保護されて変形やひび，割れ等が生じ
ることなく安定して磁気ギヤツプ近傍のみに形成
されていることで、第２図に示す磁気ヘツドと同
様に良好な効果を得ることができる。

このように安定した強磁性金属薄膜４４ａ，４
４ｂのみにより磁気ギヤツプｇを形成しているこ
とでで記録再生出力が高くメタルテープ等に対応
した磁気ヘツドとなつている。

また、コア半体４１ａ，４１ｂの傾斜面４１
a′，４１b′と非磁材４２ａ，４２ｂ上とを連ねた
連続平面上に強磁性金属薄膜４４ａ，４４ｂが形
成されていることから強磁性金属薄膜４４ａ，４
４ｂは各部において膜構造が均一となり磁路に沿
つた方向で高透磁率を示すため磁気ヘツドの記録
再生出力が高められている。

とこで第１９図の合体したブロツク３０１をス
ライシングするｂ−ｂ線、b′−b′線は両コア半体
ブロツク３０Ａと３０Ｂと突き合わせ面に垂直と
なつているが、この突き合わせ面に対してスライ
シング方向を傾斜させてアジマス記録用の記録ヘ
ツドを作製することができる。

尚、本例においても非磁性高硬度膜としては上
述の実施例と同様にＷ，Mo，Si，Ti等の高融点
金属及びその酸化物が適しており膜厚数μmに形
成することが望ましく、また下地としてCr膜を
形成することが望ましい。

次に磁気ギヤツプ近傍にのみ強磁性金属薄膜を
形成するのではなくヘツドの前面部、即ちフロン
トギヤツプ形成面より後部側即ちバツクギヤツプ
形成面まで連続して強磁性金属薄膜を形成した本
発明の他の実施例となる第２１図の磁気ヘツドに
ついて説明する。

この磁気ヘツドは磁気コア半体５１ａ，５１ｂ
が強磁性酸化物である例えばMn−Znフエライト
で形成されコア半体５１ａ，５１ｂの突き合わせ
面である磁気ギヤツプｇの形全成面とコア半体５
１ａ，５１ｂの接合面近傍に被着形成された例え
ばセンダスト膜である強磁性金属薄膜５２ａ，５
２ｂの形成面とはテープ対接面５１′から見て例
えば45゜の角度で傾斜している。またこの金属薄
膜５２ａ，５２ｂはフロントギヤツプ形成面より
バツクギヤツプ形成面至るまで連続して形成さ
れ、この金属薄膜５２ａ，５２ｂのみにより磁気
ギヤツプｇが形成されている。また補強材となる
酸化物ガラス５３ａ，５３ｂは接合面近傍に充填
されており、融着用のガラス５４は強磁性金属薄
膜５２ａ，５２ｂとの間に非磁性の高融点金属及
びその酸化物から成る非磁性高硬度膜５５ａ，５
５ｂを介して充填されている。そして、これ等の
酸化物ガラス５３ａ，５３ｂ，５４はトラツク幅
Twを規制する役目もはたしている。尚、５６は
一方のコア半体５１ａ側に形成された巻線孔であ
る。

ところで、上記強磁性金属薄膜５２ａ，５２ｂ
はコア半体５１ａ，５１ｂの突起部の一方の斜面
５１a′，５１b′である一平面上に形成されている
ことから、この金属薄膜５２ａ，５２ｂは各部に
おいて膜構造が均一となつており、磁気ヘツドの
磁路方向に沿つてこの金属薄膜５２ａ，５２ｂの
全体が高い透磁率を示し、また、この金属薄膜５
２ａ，５２ｂは融着用非磁性材５４に対して非磁
性高硬度膜５５ａ，５５ｂにより保護されて融着
時の昇温により変形或いはひび，割れ等が生じる
ことなく安定維持されて、磁気ヘツドの記録再生
出力が高められている。

また、ヘツドの磁気テープ対接面５１′の平面
図を第２２図に示すように強磁性金属薄膜５２
ａ，５２ｂは各層がSiO₂，Ta₂O，Al₂O₃，ZrO₂，
Si₃N₄等の高耐摩耗性絶縁膜を介して積層形成さ
れることで構成されている。尚、金属薄膜５２
ａ，５２ｂの積層数は任意に設定できる。

次にこのような磁気ヘツドの製造工程を第２３
図〜第３０図に基づき説明する。

先ず第２３図に示すようにMn−Znフエライト
等の強磁性酸化物基板６０の上面部に回転砥石等
を用いて上面部を横切るように断面Ｖ字状の溝６
１を複数形成する。

そして第２４図に示すように上記溝６１に高融
点ガラス６２を溶融充填した後平面研磨加工を行
なう。

次に第２５図に示すように上記溝６１とはオー
バラツプせず、この溝６１と隣接した断面Ｖ字状
の溝６３を複数形成する。この溝６３の内壁面の
傾斜角度は上面に対して例えば45゜となつている。
このように形成した基板６０の上面に第２６図に
示すようにセンダスト等の強磁性金属をスパツタ
リング，イオンプレーテイング蒸着等の真空薄膜
形成技術を用いて前記高耐摩耗性絶縁膜を介して
強磁性金属薄膜６４を形成する。

そしてその上に例えばCr膜６５′を、0.1μm程
度の膜厚で被着し、続いてTa₂O₅膜65″を1μm程
度の膜厚にスパツタリング等により被着して非磁
性高硬度膜６５を形成する。この非磁性高硬度膜
６５としてはＷ，Mo，Si，Ta等高融点金属及び
その酸化物の数μm厚以下ものが適している。こ
の非磁性高硬度膜６５の強磁性金属薄膜６４に対
する被着においてCr膜６５′を介在することによ
り接着が良好に行なえる。

次に第２８図に示すように上記基板６０の上面
部を強磁性金属薄膜６４と非磁性高硬度膜６５の
積層膜が上記溝６３にのみ残存するように平面研
磨加工し、一対のコア半体ブロツク６０Ａ，６０
Ｂを得る。そして一方のコア半体ブロツク６０Ａ
に、第２９図に示すように巻線溝６６及びガラス
充填溝６７を形成する溝加工を行なう。

次に第３０図に示すようにこの巻線溝６６を形
成したコア半体ブロツク６０Ａと巻線溝のないコ
ア半体ブロツク６０Ｂとをギヤツプ形成面となる
前面が向い合うようにしてギヤツプスペーサを介
してトラツク部即ち強磁性金属薄膜６４Ａと６４
Ｂとを突き合わせ、巻線溝６６及びガラス充填溝
６７に低融点ガラス材を挿入して融着接合するこ
とでブロツク６０１とする。このとき、両コア半
体ブロツク６０Ａ、６０Ｂのの強磁性金属薄膜６
４Ａ，６４Ｂの表面側に非磁性高硬度膜６５Ａ，
６５Ｂを介して形成される溝部６３A′，６３
B′に低融点ガラス６８が充填された状態となる。

そこで上記ブロツク６０１を第３０図において
ｃ−ｃ線、c′−c′線の位置でスライシング加工す
ることで複数個のヘツドチツプを得る。その後こ
のヘツドチツププの磁気テープ対接面を円筒研磨
することで第２１図に示した磁気ヘツドとなる。
こここでこの磁気ヘツドの一方のコア半体５１ａ
は一方コア半体ブロツク６０Ａを母材とし、他方
のコア半体５１ｂは他方のコア半体ブロツク６０
Ｂを母材としている。また強磁性金属薄膜５２
ａ，５２ｂは上記金属薄膜６４Ａ，６４Ｂに対応
し酸化物ガラス５３ａ，５３ｂは上記高融点ガラ
ス６２Ａ，６２Ｂに対応し、また酸化物ガラス５
４は上記低融点ガラス６８に対応しており、そし
て非磁性高硬度膜５５ａ，５５ｂはCr膜６５′と
Ta₂O₅膜５６″から成る非磁性高硬度膜６５Ａ，
６５Ｂに対応している。更に巻線孔５６は上記巻
線溝６６に対応している。

ところで上述の製造工程において強磁性金属薄
膜６４Ａ，６４Ｂの膜構造の不均一な部分は第２
８図で説明した研磨工程、即ちギヤツプ面研磨加
工時に削り取られてしまうため溝６３Ａ，６３Ｂ
の傾斜面には均一な膜構造を有する強磁性金属薄
膜６４Ａ，６４Ｂが非磁性高硬度膜６５Ａ，６５
Ｂにより被覆された状態で残り、ガラス融着の際
の昇温時にも変形したりひびや割れが生じること
なく、安定した状態に保持される。このため上記
磁気ヘツドは一平面上に形成された強磁性金属薄
膜６４Ａ，６４Ｂが磁路に沿つてその各部の高透
磁率となることで安定した高出力が得られるよう
になる。

ところで第３０図の合体したブロツク６０１を
スライシングするｃ−ｃ線、c′−c′線は両コア半
体ブロツク６０Ａ，６０Ｂの突き合わせ面に垂直
となつているが、この突き合わせ面に対してスラ
イシング方向を傾斜させてアジマス記録用の磁気
ヘツドを製作することができる。

上述したように第２図、第２０図及び第２１図
に示す本発明の磁気ヘツドは作製に当り強磁性酸
化物基板に形成された溝に予めガラスを充填して
おきこの溝近傍に強磁性金属薄膜を被着する斜平
面を形成するための溝加工を施している。このた
めギヤツプ近傍の薄膜部分と斜面上の薄膜部分の
特性が均一となり、またこの強磁性金属薄膜は融
着ガラスに対して非磁性高硬度膜により保護され
て安定な状態に保持されしかもギヤツプ部に強磁
性酸化物材が露出するようなことのない高出力ヘ
ツドとなつている。

このような本発明の磁気ヘツドはフエライトが
ギヤツプ部にトラツク幅で例えば40％の長さに亘
つて露出しているような従来の磁気ヘツドと実験
値を比較すれば高抗磁力テープの例えばメタルテ
ープに対する記録再生出力が１〜5MHz帯で約
3dB高い値を示した。

また本発明の磁気ヘツドは製作時のばらつきが
少なく歩留りも良好である。

ところで第２１図に示す磁気ヘツドでは強磁性
金属薄膜５２ａ，５２ｂがテープ対接面５１′を
斜めに横切るように配されているが第３１図に示
すように磁気ヘツドの両コア半体５１a′，５１
b′の夫々の一側面側に強磁性金属薄膜５２a′，５
２b′を形成し、テープ対接面にＶ字状に強磁性金
属薄膜５２a′，５２b′を配し、この金属薄膜によ
り磁気ギヤツプｇが形成されるようにしてもよ
く、これは第２図及び第２０図に示す磁気ヘツド
についても言えるところである。尚、この場合も
強磁性金属薄膜５２a′，５２b′は融着ガラスに対
して非磁性高硬度膜５５a′，５５b′により保護す
るようにこの非磁性高硬度膜５５a′，５５b′を強
磁性金属薄膜５２a′，５２b′上に被着形成する。

ところで磁気コア半体を形成する強磁性酸化物
としてはMn−Znフエライトの他にNi−Znフエ
ライト等を用いてもよい。また強磁性金属薄膜を
形成する高透磁率磁性材料としてはセンダストの
他にパーマロイや非晶質合金を用いてもよい。

ここで非晶質合金を用いる場合、強磁性金属薄
膜の膜構造の均一性は磁気的異方性が問題となり
本発明のように一平面上に薄膜を形成することに
より膜各部の異方性が同一となる。尚、積層され
る強磁性金属薄膜の積層数は一層としても多層と
してもよくどちら場合においても本発明は有効と
なる。

次に本発明の更に他の実施例即ち磁気コア半体
の前面側のテープ対接面を例えばセラミツク等の
高耐摩耗性磁性材により形成したヘツドを第３２
図以降を参照して説明する。

先ず、第３２図に示す磁気ヘツドは例えば一対
の磁気コア半体７１ａ，７１ｂはMn−Znフエラ
イト等の強磁性酸化物により形成され、この両コ
ア半体７１ａ，７１ｂの前面側のテープ対接面７
１′は例えばチタン酸カルシユウム（Ti−Ca系セ
ラミツク），酸化物ガラス，チタニア（Ti₂O），
アルミナ（Al₂O₃）等の高耐摩耗性非磁性材料７
２ａ，７２ｂにより形成されており、ギヤツプｇ
の近傍には高透磁率合金のセンダスト等からなる
強磁性金属薄膜７３ａ，７３ｂがスパツタリング
蒸着等の真空薄膜形成技術を用いて絶縁膜を介し
て積層形成されている。そしてこの強性金属薄膜
７３ａ，７３ｂは磁気ギヤツプｇの形成面近傍に
溶融充填される融着用の酸化物ガラス７４に対し
て非磁性高硬度膜７５ａ，７５ｂにより保護され
ている。尚、図中７６は巻線溝である。

この磁気ヘツドは磁気ギヤツプｇ形成面と強磁
性金属薄膜７３ａ，７３ｂの形成面との関係は第
２図に示す磁気ヘツドと同じであるが、テープ対
接面は高耐摩耗性非磁性材料７２ａ，７２ｂで形
成されているのでテープ対接面にはフエライト等
の磁性材料が露出せずギヤツプ形成面の研磨工程
においてその研磨量に拘らず強磁性金属薄膜の厚
さが一定でトラツク幅精度は確保しやすく加工法
を十数μm以上の精度で行なつても、即ち加工寸
法公差は大きくてもトラツク幅精度が充分確保で
きる。またビデオヘツドにおいてはテープとの相
対速度が大きためテープ対接面に突出するフエラ
イトは単結晶が必要で材料価格は高くなるが本例
ではバツクギヤツプ側のフエライトはテープとの
接触に対する偏摩耗性の心配がないためHi−μ
多結晶即ち焼結タイプの多結晶フエライトを使用
することができるため低価格となる。

また、本例の磁気ヘツドにおいても強磁性金属
薄膜７３ａ，７３ｂは融着用ガラスに対して非磁
性高硬度膜７５ａ，７５ｂにより保護されるので
安定し高出力のヘツドとなる。

以上説明したように本例の磁気ヘツドは第２図
に示す磁気ヘツドと同様に磁気ギヤツプから発生
する磁界の強度が高ことや再生出力が高くとれる
こと等の効果を有すると共にテープ対接面は耐摩
耗性非磁性材料により形成されていることにより
ギヤツプ形成面研磨時の終了位置に拘らずトラツ
ク幅は強磁性金属薄膜の斜断面寸法のみで定まり
加工寸法公差が広範囲で行なうことができ歩留り
がよく安価で、メタルテープ等の高い抗磁力Hc
を有する磁気テープに高密度記録をするのに適し
たヘツドが得られる。

次に上述の第３２図に示す磁気ヘツドの製造工
程を第３４図〜第４０図に基づいて説明する。

先ず第３４図に示すように例えばMn−Znフエ
ライト等の強磁性酸化物基板８１の一端面に例え
ばチタン酸カルシユウム（Ti−Ca系セラミツ
ク），酸化物ガラス，チタニア（TiO₂），アルミ
ナ（Al₂O₃）等の高耐摩耗性非磁性板８２を数十
μmのに溶融ガラス板を挟んで熱圧着し、複合板
材８０を形成する。そして第３５図に示すように
耐摩耗性非磁性板８２の一稜部から磁性材基板８
１にかけて耐摩耗性非磁性板８２の前面と垂直に
なるように切り溝８２′を回転砥石または電解エ
ツチング等により所要間隔で複数形成する。即ち
複合板８０の上面８０′の磁気ギヤツプ形成位置
近傍に相当する部分に形成される。

次に第３６図に示すように複合板２０の前部即
ち切り溝８２′を含む部面にセンダスト等の金属
磁性材料をスパツタリング等の薄膜形成技術を用
いて強磁性金属薄膜８３を形成する。この際切り
溝８２′の一側面８２″上に効率よく金属磁性材料
が被着するように複合板２０を傾斜させスパツタ
リング装置内に配置するようにする。

そしてこの強磁性金属薄膜８３上に例えばCr
膜８４′を0.1μm程度の膜厚で被着し、続いて
Ta₂O₅膜８４″を1μm程度の膜厚スパツタリング
等により被着し非磁性高硬度膜８４を形成する。

次に強磁性金属薄膜８３と非磁磁性高硬度膜８
４が積層形成された切り溝８２′に非磁性材料と
してのガラス８５を溶融充填した後複合板８０の
前面と上面を研磨することにより第３８図に示す
コア半体ブロツク８０Ａ，８０Ｂを得る。そして
一方のコア半体ブロツク８０Ａには第３９図に示
すごとく巻線溝８６の溝加工を行なう。次にこの
溝加工を施した一方のコア半体ブロツク８０Ａと
溝のない他方のコア半体ブロツク８０Ｂとをその
上面部おいてギヤツプスペーサを介してトラツク
部、即ち強磁性金属薄膜８３Ａと８３Ｂとが合う
ように突き合わせて第４０図に示すようにギヤツ
プ融着を行なう。この合体ブロツク８０１を第４
０図に示すｄ−ｄ線、d′−d′線の位置でスライシ
ング加工することで複数個のヘツドチツプを得る
ことができる。ここでギヤツプ融着を行なうギヤ
ツプスペーサとしてはSiO₂，ZrO₂，Ta₂O₅，Cr
等を用いることができる。

次のようにして得られたヘツドチツプの磁気テ
ープ対接面を円筒研磨することで第３２図に示す
ヘツドとなる。

この第３２図の磁気ヘツドにおいて一方の磁気
コア半体７１ａは上記の一方のコア半体ブロツク
８０Ａの磁性材基板８１Ａを母材とし、他方の磁
気コア半体７１ｂは上記他方のコア半体ブロツク
８０Ｂの磁性材基板８１Ｂを母材としており、ま
たテープ対接面７１′の耐摩耗性非磁性材７２ａ，
７２ｂは上記非磁性板８２Ａ，８２Ｂと対応して
いる。またこの磁気ヘツドの強磁性金属薄膜７３
ａ，７３ｂは上記金属薄膜８３Ａ，８３Ｂに夫々
対応しており、酸化物ガラス７４はガラス８５と
対応し、非磁性高硬度膜７５ａ，７５ｂはCr膜
８４′とTa₂O₅膜８４″から成る非磁性高硬度膜８
４Ａ，８４Ｂと対応し、更に巻線孔７６は上記一
方のコア半体ブロツク８０Ａに形成された巻線溝
８６に対応している。

即ちフロントギヤツプｇ近傍のみに強磁性金属
材料よりなる強磁性金属薄膜８３Ａ，８３Ｂを配
し、且つテープ対接面に露出する磁性金属薄膜８
３Ａ，８３Ｂ以外の部分が耐摩耗性非磁性材８２
Ａ，８２Ｂ及び非磁性高硬度膜８４Ａ，８４Ｂか
らなる磁気ヘツドが得られる。

以上説明したように本例の磁気ヘツドは予め耐
摩耗性非磁性材を貼り付けた磁性材基板にその磁
気ギヤツプ形成面となる平面に対し20゜〜80゜角度
をなす平面を後工程で砥石加工等で形成しギヤツ
プ面とは斜めの位置関係にあるこの平面上に強磁
性金属薄膜を真空薄膜形成技術により形成し、そ
して少なくとも磁気ギヤツプ近傍においては斜め
の平面上に成長している金属薄膜のみが残るよう
にギヤツプ面研磨加工を行なつていることから、
強磁性金属薄膜は各部において均一な膜構造とな
り、またこの強磁性金属薄膜は融着ガラスに対し
て非磁性高硬度膜により保護されるので変形した
り、ひびや割れ等が生じることなく安定しヘツド
出力の高安定化が可能となつている。しかも上記
磁気ヘツドはテープ対接面が耐摩耗性非磁性材に
より形成されていることから、ギヤツプ面研磨工
程において加工寸法公差を大きくしてもトラツク
幅精度を充分確保でき、またヘツドの後部側の接
合面即ちバツクギヤツプ側においては強磁性酸化
物どうしが直接ガラス融着されていることからヘ
ツドチツプの耐破壊強度が大きく製造しやすいヘ
ツドとなつて歩留りの向上を図ることができると
共にこのバツクギヤツプ側の強磁性酸化物はテー
プとの接触に対する偏摩耗の心配がないためHi
−μ多結晶即ち焼結タイプの多結晶フエライトを
使用することができて低価格となる。

次に第４１図〜第４８図に基づき更に他の製造
工程により作られる磁気ヘツドの例を説明する。

先ず第４１図示すように例えばMn−Znフエラ
イト等の強磁性酸化物基板９１の上面にチタン酸
カルシユウム（Ti−Ca系セラミツク），酸化物ガ
ラス，チタニア（TiO₂），アルミナ（Al₂O₃）等
の高耐摩耗性非磁性板９２をガラス融着等により
貼け付け磁性，非磁性複合ブロツク９０を形成す
る。この複合ブロツク９０の磁気テープ対接面に
対応する上面、即ち耐摩耗性非磁性板９２の上面
に第４２図に示すようにこの上面を斜めに横切る
ような断面コ字状の溝９２′を磁性材基板９１の
上面にかけて所要間隔で複数形成する。ここで溝
９２′の深さはヘツドの巻線孔に到達する程度の
深さとする。

次に、第４３図に示すように上記複合ブロツク
９０の溝９２′近傍にスパツタリング等の真空薄
膜形成技術を用いて高透磁率合金例えばセンダス
トを絶縁膜を介して被着積層し強磁性金属薄膜９
３を形成する。この際溝９２′の一側面９２″上に
効率よく被着されるように複合ブロツク９０を傾
斜させスパツタリング装置内に配置するようにす
る。

続いてこの強磁性金属薄膜９３の上に第４４図
に示すように例えばCr膜９４′を0.1μm程度の膜
厚に、続いてTa₂O₅膜９４″を1μm程度の膜厚に
スパツタリング等により被着して非磁性高硬度膜
９４を形成する。

そして第４５図に示すように溝９２′に非磁性
高硬度膜９４の上からガラス９５の溶融充填を行
なつた後、複合ブロツク９０の上面と前面とを平
面研磨し、鏡面仕上げを行ないコア半体ブロツク
９０Ａ，９０Ｂを得る。この際上記溝９２′の一
方の内側面９２″に強磁性金属薄膜９３の一部が
非磁性高硬度膜９４により被覆された状態で残
る。尚、この場合金属薄膜９３等は溝９２′の他
方の内側面，底面にも残るが、これは微少である
からこの部分の図示は省略する。

次に第４６図に示すように一方のコア半体ブロ
ツク９０Ａに巻線溝９６を形成する溝加工を行な
う。この溝加工を施した一方のコア半体ブロツク
９０Ａと溝のない他方のコア半体ブロツク９０Ｂ
とを夫々磁気ギヤツプ形成面となる前面を膜付け
したギヤツプスペーサを介して第４７図に示すよ
うに強磁性金属薄膜９３Ａと９３Ｂが合うように
突き合わせガラス融着する。

この後、この合体されたブロツク９０１をｅ−
ｅ線、e′−e′線の位置でスライシング加工するこ
とで複数個のヘツドチツプを得ることができる。

次に上記ヘツドチツプの磁気テープ対接面即ち
耐摩耗性非磁性材上面を円筒研磨することによ
り、第４８図に示す磁気ヘツドとなる。この第４
８図の気ヘツドにおいて一方の磁気コア半体１０
１ａは上記一方のコア半体ブロツク９０Ａを母材
とし、他方の磁気コア半体１０１ｂは上記他方の
コア半体ブロツク９０Ｂを母材としておりまたテ
ープ対接面１０１′の耐摩耗性非磁性材１０２ａ，
１０２ｂは上記非磁性材９２Ａ，９２Ｂと対応し
ている。この磁気ヘツドに形成されている強磁性
金属薄膜１０３ａ，１０３ｂは上記溝９２A′，
９２B′の内側面に被着した上記金属薄膜９３Ａ，
９３Ｂに対応し、そしてこれを保護する非磁性高
硬度膜１０４ａ，１０４ｂはCr膜９４′とTa₂O₅
膜９４″とから成る非磁性高硬度膜９４Ａ，９４
Ｂと対応しており、磁気ギヤツプｇの形成面近傍
に溶融充填される酸化物ガラス１０５は融着ガラ
ス材９５に対応し、さらに巻線孔１０６は上記巻
線溝９６に対応している。

以上説明した工程により得られる第４８図に示
す磁気ヘツドは磁気ギヤツプｇの形成面と強磁性
金属薄膜１０３ａ，１０３ｂの形成面とが所要角
度で傾斜しておりこの強磁性金属薄膜１０３ａ，
１０３ｂは連続平面上に形成されていることから
各部において膜構造が均一となり磁路に沿つた方
向で高透磁率を示し、またテープ対接面に突出す
る磁性金属薄膜以外の部分が高耐摩耗性非磁性材
１０２ａ，１０２ｂ及び非磁性高硬度膜１０４
ａ，１０４ｂから形成されていることで上述した
第３２図の磁気ヘツドと同様に良好な効果を得る
ことができる。また磁気ギヤツプｇが上記強磁性
金属薄膜１０３ａ，１０３ｂのみにより形成され
ており、またこの金属薄膜１０３ａ，１０３ｂは
融着ガラスに対して非磁性高硬度膜１０４ａ，１
０４ｂにより保護されて変形したり、ひび割れ等
が生じることなく安定していることからヘツドの
出力が高くメタルテープに対応したヘツドとなつ
ている。

ところで第４０図及び第４７図の合体したブロ
ツク８０１及び９０１をスライシングするｄ−ｄ
線、d′−d′線及びｅ−ｅ線、e′−e′線はコア半体
ブロツク８０Ａ，８０Ｂ及び９０Ａ，９０Ｂの突
き合わせ面に垂直となつているが、この突き合わ
せ面に対してスライシング方向を傾斜させてアジ
マス記録用の磁気ヘツドを作製することもでき
る。

次にテープ対接面を高耐摩耗性非磁性材により
形成し、磁気ギヤツプ近傍のみに強磁性金属薄膜
を形成するのではなく磁気ヘツドの前面部、即ち
フロントギヤツプ形成面より後部側、即ちバツク
ギヤツプ形成面まで連続して強磁性金属薄膜を形
成した本発明の更に他の実施例となる第４９図に
示す磁気ヘツドについて説明する。

この磁気ヘツドは磁気コア半体１１１ａ，１１
１ｂが強磁性酸化物である例えばMn−Znフエラ
イトで形成され、そのテープ対接面１１１′を例
えばチタン酸カルシユウム（Ti−Ca系セラミツ
ク），酸化物ガラス，チタニア（TiO₂），アルミ
ナ（Al₂O₃）等の高耐摩耗性非磁性材１１２ａ，
１１２ｂにより形成し、コア半体の突き合わせ面
である磁気ギヤツプｇの形成面とコア半体１１１
ａ，１１１の接合面近傍に被着された例えばセン
ダスト膜である強磁性金属薄膜１１３ａ，１１３
ｂの形成面１１２a′，１１２b′とは例えば45゜の角
度で傾斜している。またこの強磁性金属薄膜１１
３ａ，１１３ｂは耐摩耗性非磁性材１１２ａ，１
１２ｂにより形成されるフロロトギヤツプ形成面
g′より強磁性酸化物により形成されるバツクギヤ
ツプ形成面g″に至るまで連続して形成され、この
強磁性金属薄膜１１３ａ，１１３ｂのみにより磁
気ギヤツプｇが形成されている。

また強磁性金属薄膜１１３ａ，１１３ｂはトラ
ツク幅Twを規制し、また両コア間を融着する酸
化物ガラス１１４に対して非磁性高硬度膜１１５
ａ，１１５ｂにより保護されている。またフロン
トギヤツプ形成面の後方には巻線孔１１６が形成
されている。

ところで強磁性金属薄膜１１３ａ，１１３ｂは
コア半体１１１ａ，１１１ｂの一方向の傾斜面と
非磁性材１１２ａ，１１２ｂとを連ねた連続平面
上に形成されていることからこの強磁性金属薄膜
１１３ａ，１１３ｂは各部において膜構造が均一
となつており、磁気ヘツドの磁路方向に沿つてこ
の金属薄膜の全体が高い透磁率を示し、また融着
酸化物ガラス１１４に対して非磁性高硬度膜によ
り保護されているので変形したり、ひび，割れ等
が生ずることなく安定した状態に保持されて磁気
ヘツド記録再生出力が高められている。

またヘツドの磁気テープ対接面１１１′を第５
０図に示すように強磁性金属薄膜１１３ａ，１１
３ｂはSiO₂，Ta₂O₃，Al₂O₃，ZrO₂，Si₃N₄等の
高耐摩耗絶縁膜を介して積層形成されることで構
成されている。尚、磁性金属薄膜１１３ａ，１１
３ｂの積層数はその膜厚により任意に設定でき
る。

次にこのような磁気ヘツドの製造工程を第５１
図〜第５７図に基づき説明する。

先ず第５１図に示すように、Mn−Znフエライ
ト等の強磁性酸化物ブロツク１２１の前面に例え
ばチタン酸カルシユウム（Ti−Ca系セラミツ
ク），酸化物ガラス，チタニア（TiO₂），アルミ
ナ（Al₂O₃）等の高耐耗性非磁性材１２２をガラ
ス融着等の手段で貼り付けて複合ブロツク１２０
を得る。この複合ブロツク１２０の上面部に第５
２図に示すように回転砥石等を用いて上面部を横
切るような断面Ｖ字状の溝１２２′を所要間隔で
複数形数する。この溝１２２′の内壁面の傾斜角
度は上面に対して例えば45゜となつている。

次に第５３図に示すように複合ブロツク１２０
の上面部にセンダスト等をスパツタリング，イオ
ンプレーテイング，蒸着等の真空薄膜形成技術を
用いて前記高耐摩性絶縁膜を介して積層し、前記
溝部１２２′強磁性金属薄膜１２３を形成する。

次に第５４図に示すように強磁性金属薄膜１２
３の上に例えばCr膜１２４′を0.1μm程度の膜厚
に、続いてTa₂O₅膜１２４″を1μm程度の膜厚に
スパツタリング等により被着して非磁性高硬度膜
１２４を形成する。

そしてこの非磁性高硬度膜１２４の上に溝部が
埋まる程度に非磁性材としてのガラス材１２５を
充填した後、第５５図に示すように複合材ブロツ
ク１２０の上面部及び前面部の平面研磨加工を行
ない不要のガラス材１２５，非磁性高硬度膜１２
４及び強磁性金属薄膜１２３を除去して所定のギ
ヤツプ形成面を表出した一対のコア半体ブロツク
１２０Ａ，１２０Ｂを得る。

次に巻線溝側のコア半体を形成するために一方
のコア半体ブロツク１２０Ａに第５６図に示すよ
うに巻線溝１２６を形成する溝加工を行なう。そ
こで第５７図に示すように溝加工を施した一方の
コア半体ブロツク１２０Ａと溝のない他方のコア
半体ブロツク１２０Ｂとをそのギヤツプ形成面と
なる上面において、膜付けしたギヤツプスペーサ
を介してトラツク部即ち強磁性金属薄膜１２３Ａ
と１２３Ｂの一半部が同傾斜方向で相対するよう
に突き合わせ、上記ガラス材１２５によりギヤツ
プ融着することにより一体化し合体ブロツク１２
０１を得る。

この合体ブロツク１２０１を第５７図に示す
ｆ，ｆ線、f′−f′線の位置でスライシング加工す
ることで複数のヘツドチツプを得ることができ
る。このスライシング加工は場合によつてアジマ
ス角だけ傾けて行なう。

その後、ヘツドチツプの磁気テープ対接面、即
ち耐摩耗性非磁性材１２２Ａ，１２２２Ｂにより
形成されるテープ対接面を円筒研磨することで第
４９図に示した磁気ヘツドとなる。ここでこの磁
気ヘツドの一方のコア半体１１１ａは一方のコア
半体ブロツク１２０Ａの磁性ブロツク１２１Ａを
母材とし、他方のコア半体１１１ｂは他方のコア
半体ブロツク１２０Ｂの磁性ブロツク１２１Ｂを
母材としており、また、耐摩耗性非磁性材１１２
ａ，１１２ｂは上記非磁性材１２２Ａ，１２２Ｂ
と対応し、強磁性金属薄膜１１３ａ，１１３ｂは
上記金属薄膜１２３Ａ，１２３Ｂ対応し、そして
これを保護する非磁性高硬度膜１１５ａ，１１５
ｂはCr膜１２４′とTa₂O₅膜１２４″とから成る
非磁性高硬度膜１２４Ａ，１２４Ｂと対応してお
り、融着酸化物ガラス１１４はガラス材１２５に
対応してテープ対接面１１１′は耐摩耗性非磁性
材１２１Ａ，１２１Ｂ，強磁性金属薄膜１２３
Ａ，１２３Ｂ，非磁性高硬度膜１２４Ａ，１２４
Ｂ及びガラス材１２５から構成される。また巻線
孔１１６は上記巻線溝１２６に対応してる。

上述したように第３２図，第４８図及び第４９
図に示す本発明の各実施例の磁気ヘツドは作製に
当り予め強磁性酸化物ブロツクに耐摩耗性非磁性
材を貼り付けこの耐摩耗耗性非磁性材を研磨して
テープ対接面を形成するためギヤツプ面を含むテ
ープ対接面は強磁性金属薄膜以外の部分が非磁性
材即ち耐摩耗性非磁性材と非磁性高硬度膜により
形成されて強磁性酸化物材が露出することのない
ヘツドとなつている。従つて、金属薄膜形成後の
ギヤツプ面研磨時の終点位置に拘らずトラツク幅
は金属薄膜の傾斜断面寸法のみで決まるためブロ
ツクの加工においても寸法公差が広範囲で行なう
ことができると共に強磁性金属薄膜は非磁性高硬
度膜により保護されることによりガラス融着の際
に変形したりひびや割れ等が生じることなく安定
状態に保持され、歩留りもよく、安定した高出力
のヘツドが得られる。

また、第３２図，第４８図及び第４９図示す磁
気ヘツドにおいて非磁性高硬度膜はCr膜−
Ta₂O₅膜により形成したが、Cr膜−SiO₂膜−
Ta₂O₅膜の順で形成してもよく、またTi膜を
0.1μm程度に、続いてTiO₂膜を1μm程度に積層被
着して形成してもよい。

また、非磁性高硬度膜としてはＷ，MO，Si，
Ta等の高融点金属及びその酸化物を用いること
ができ、この場合膜厚を数μm以下に形成するこ
とが望ましい。この場合も上述の如く強磁性金属
薄膜上にCr膜を介して被着することにより金属
薄膜との接着が良好になる。

発明の効果 以上のように本発明によれば磁気ヘツドは磁気
コア半体対を強磁性酸化物で形成し、このコア半
体対の突き合わせ面の磁気ギヤツプ形成面とは所
定角度で傾斜するように被着され、磁気ギヤツプ
を形成する強磁性金属薄膜と、酸化物ガラスとの
間に非磁性高硬度膜を介在させて構成されるの
で、強磁性金属薄膜は非磁性高硬度膜により酸化
物ガラスに対して保護されることになり、コア半
体の形成の際のガラス充填時、コア半体対のガラ
ス融着時等における強磁性金属薄膜に対するガラ
ス浸食、局部的な応力が緩和されて、金属薄膜の
変形，ひび或いは割れの発生が防止され、強磁性
金属薄膜の安定化を図ることができてトラツク幅
精度を確保できると共に安定した磁気特性が得ら
れ、また強度的にも信頼性が高く、例えばメタル
テープ等の高抗磁力Hcを持つ磁気テープに好適
な磁気ヘツドが得られる。

しかも強磁性金属薄膜の安定化により、歩留り
も向上し、コストの低減化も可能となる等の効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気ヘツドの斜視図、第２図は
本発明の一実施例の磁気ヘツドの斜視図、第３図
乃至第１１図は第２図の磁気ヘツドを作製する工
程を順に示す斜視図、第１２図乃至第１９図は本
発明の他の実施例の磁気ヘツドを作製する工程を
順に示す斜視図、第２０図は第１２図乃至第１９
図に示す工程により作製される磁気ヘツドの斜視
図、第２１図は本発明の更に他の実施例の磁気ヘ
ツドの斜視図、第２２図は第２１図の磁気ヘツド
のテープ対接面を拡大して示す平面図、第２３図
乃至第３０図は第２１図の磁気ヘツドを作製する
工程を順に示す斜視図、第３１図は第２１図の磁
気ヘツドの変形例として示す磁気ヘツドの斜視
図、第３２図は本発明のテープ対接面を耐摩耗性
非磁性材により形成した磁気ヘツドの一実施例の
斜視図、第３３図乃至第４０図は第３２図の磁気
ヘツドを作製する工程を順に示す斜視図、第４１
図乃至第４７図は本発明の同、他の実施例の磁気
ヘツドを作製する工程を順に示す斜視図、第４８
図は第４１図乃至第４７図に示す工程により作製
される磁気ヘツドの斜視図、第４９図は本発明の
同、更に他の実施例の磁気ヘツドの斜視図、第５
０図は第４９図の磁気ヘツドのテープ対接面を拡
大して示す平面図、第５１図乃至第５７図は第４
９図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示す斜視
図である。 １１ａ，１１ｂ……磁気コア半体、１１′……
テープ対接面、１２ａ，１２ｂ……強磁性金属薄
膜、１４ａ，１４ｂ，１５……酸化物ガラス、１
３ａ，１３ｂ……非磁性高硬度膜、ｇ……磁気ギ
ヤツプ、４１ａ，４１ｂ……磁気コア半体、４
１′……テープ対接面、４４ａ，４４ｂ……強磁
性金属薄膜、４２ａ，４２ｂ，４３……酸化物ガ
ラス、４５ａ，４５ｂ……非磁性高硬度膜、ｇ…
…磁気ギヤツプ、５１ａ，５１ｂ……磁気コア半
体、５１′……テープ対接面、５２ａ，５２ｂ…
…強磁性金属薄膜、５３ａ，５３ｂ，５４……酸
化物ガラス、５５ａ，５５ｂ……非磁性高硬度
膜、ｇ……磁気ギヤツプ、７１ａ，７１ｂ……磁
気コア半体、７１′……テープ対接面、７３ａ，
７３ｂ……強磁性金属薄膜、７４……酸化物ガラ
ス、７５ａ，７５ｂ……非磁性高硬度膜、ｇ……
…磁気ギヤツプ、１０１ａ，１０１ｂ……磁気コ
ア半体、１０１′……テープ対接面、１０３ａ，
１０３ｂ……強磁性金属薄膜、１０４ａ，１０４
ｂ……非磁性高硬度膜、１０５……酸化物ガラ
ス、ｇ……磁気ギヤツプ、１１１ａ，１１１ｂ…
…磁気コア半体、１１１′……テープ対接面、１
１３ａ，１１３ｂ……強磁性金属薄膜、１１４…
…酸化物ガラス、１１５ａ，１１５ｂ……非磁性
高硬度膜、ｇ……磁気ギヤツプ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
   面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
   成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
   ヤツプを形成してなる磁気ヘツドにおいて上記磁
   気ギヤツプ形成面と、上記強磁性金層薄膜形成面
   とが所要角度で傾斜しており且つテープ対接面に
   非磁性高硬度膜を介して、上記強磁性金層薄膜と
   酸化物ガラスが配されていることを特徴とする磁
   気ヘツド。