JPH0475565B2

JPH0475565B2 -

Info

Publication number: JPH0475565B2
Application number: JP59124804A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Hisamura; Shoichi Kano; Heikichi Sato; Tomio Kobayashi
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1984-06-18
Filing date: 1984-06-18
Publication date: 1992-12-01
Also published as: JPS613313A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、強磁性酸化物材料と強磁性金属材料
との複合磁性材料からなる磁気ヘツドに関し、特
に擬似ギヤツプによる影響を防止し安定な再生を
行なえる磁気ヘツドに関する。

〔背景技術とその問題点〕

近年、たとえばVTR（ビデオテープレコーダ）
を用いて磁気記録媒体である磁気テープに信号の
高密度記録が行なわれるようになるに従い、磁気
テープとして残留磁束密度Brと抗磁力Hcがとも
に高いメタルテープ等が使用されるようになつて
きている。

ところで、このメタルテープ等の高い抗磁力
Hcを持つ磁気テープに信号を高密度に磁気記録
するには、磁気ギヤツプより発生する磁界の強度
が高く、しかも狭いトラツク幅の磁気ヘツドを用
いる必要がある。

そこで、このような磁気ヘツドとしては、第１
図に斜視図または第２図にそのテープ対接面が示
されているような磁気ヘツドが提案されている。

この磁気ヘツドは、磁気コア半体１，２が強磁
性酸化物のMn−Znフエライト等より形成され、
磁気ギヤツプｇ側のフエライト突起部３，４と溶
融充填されたガラス非磁性材５，６とを連ねた平
面上には、スパツタリング等によりセンダスト等
の強磁性金属薄膜７Ａ，７Ｂが被着形成されてい
る。また、被着形成されたこの強磁性金属薄膜７
Ａ，７Ｂ上にはガラスの非磁性材８が溶融充填さ
れている。

上記磁気ヘツドは、このように強磁性酸化物材
料と強磁性金属材料との複合磁性材料からなり、
磁気ギヤツプｇが高透磁率を有する上記強磁性金
属薄膜７Ａ，７Ｂにより形成されていることで、
ヘツドの磁気抵抗が小さく、磁気ギヤツプｇから
発生される磁界の強度が高くなつており、また形
成される金属薄膜７Ａ，７Ｂの厚みをコントロー
ルすることで狭トラツク化が容易に行なえるため
メタルテープ等に高密度に磁気記録するのに適し
たヘツドとなつている。

ここで、上記強磁性金属薄膜７Ａ，７Ｂの形成
面が磁気ギヤツプｇの形成面に対して所要角度で
傾斜していることは、再生時のクロストークを防
止するなどの働きがある。

なお、この磁気ヘツドはアジマス記録を行なえ
るように、磁気ギヤツプｇの形成面が所定のアジ
マス角度で傾斜している。

また、複合磁性材料からなりメタルテープ等に
高密度に磁気記録するのに適した磁気ヘツドとし
て、第３図に斜視図また第４図にその磁気テープ
対接面が示されているヘツドがさらに提案されて
いる。

この磁気ヘツドは、磁気コア半体１１，１２が
強磁性酸化物のMn−Znフエライト等により形成
され、磁気ギヤツプｇがセンダスト等の強磁性金
属薄膜１７Ａ，１７Ｂのみで形成されている。ま
た、この磁気ヘツドは、ヘエライト突起部１３，
１４とガラスの非磁性材１５，１６との界面がア
ジマス角とは異なる方向に二段階に屈曲してお
り、クロストークの発生をさらに防げるようにな
つている。

ところで、上述の２つの磁気ヘツドは、磁気コ
ア半体の突起部３，４または１３，１４が磁気ギ
ヤツプｇの中心Ｏに対して左右点対称な形状に形
成されている。

ところが、ギヤツプ面の研削工程や研摩工程に
おいて、左右の磁気コア半体の研削や研摩量に差
が生じると、この対称性がそこなわれてくる場合
がある。

第５図には、第３図の磁気ヘツドの場合につい
て、左右の点対称のそこなわれた例が示されてい
る。

この第５図において、Ａ，Ｄに狭まれた軌跡
は、磁気ギヤツプｇの軌跡であり、摺動する磁気
テープへの信号の記録ゾーンとなつており、また
Ｃは記録ゾーンＡ，Ｄの中心を示している。また
Ａ，Ｄ間に挾まれたＭ，Ｎは磁気コア半体１１，
１２の突起部２３，２４の先端２３Ａ，２４Ａが
通過する位置となつており、突起部２３，２４が
磁気ギヤツプｇの中心Ｏに対して左右点対称でな
いため、Ｍ，Ｎの中心はＣからずれた位置となつ
ている。

このような磁気ヘツドでは、磁気テープから信
号の再生を行なう場合、１〜5MHzと高い再生周
波数域については、磁気ギヤツプｇの中心Ｏが上
記記録ゾーンＡ，Ｄ間の中心Ｃ上を通過する時に
最も大きな再生出力を得ることができるようにな
つているが、一方数十〜数百ｋHzの低周波域の信
号の再生においては、上記突起部２３，２４の先
端２３Ａ，２４Ａが記録ゾーンＡ，Ｄ間の中心Ｃ
上をまたがる様な位置を通過する時に最も大きな
再生出力となる。

すなわち、高周波数域の再生では磁気ギヤツプ
ｇの中心Ｏで再生出力が最大となり、低周波数域
の再生では上記先端２３Ａ，２４Ａを結んだ磁気
ギヤツプｇ上の位置Ｐおいてほぼ再生出力が最大
となる。

これは、高域において再生に寄与するは強磁性
金属薄膜１７Ａ，１７Ｂどうしが突き合わされて
形成される磁気ギヤツプｇであるが、低域におい
てはアジマスロスが小さくなることにもより、フ
エライトの上記先端２３Ａ，２４Ａ部が再生に寄
与するようになるためである。

すなわち、再生信号の周波数が低くなり信号の
波長が上記先端２３Ａ，２４Ａ間の距離と等しい
オーダーになると、磁気ギヤツプｇであるメイン
ギヤツプ以外に、フエライトの先端２３Ａ，２４
Ａがギヤツプエツジとして作用し、擬似ギヤツプ
が形成されるようになるためである。

このような状態では、低域周波数と高域周波数
をともに含んだ信号の記録再生を行なおうとする
と、一方の周波数の再生出力が低くなつてしま
い、また磁気ヘツドのトラツク上の位置において
両者の再生出力に変化が生じるようになる。

これは、安定な二周波数域の重畳記録再生を行
なおうとする場合において大きな障害となる。

そこで、このような問題を解決するために、第
１図および第３図に示した磁気ヘツドのように、
フエライトの突起部３，４また１３，１４の形状
や先端位置をギヤツプｇの中心Ｏに対して左右が
点対称となるように形成しなければならない。

しかし、高い精度で点対称に形成するために
は、上述のギヤツプ面の研摩量を左右のコア半体
において完全に同一にしなければならず、これに
は１〜2μm以下という高い研摩精度が要求される
ようになる。

このように高精度の加工を行なうことは非常に
難しく、歩留りの低下をまねいてしまい、磁気ヘ
ツドの価格を上昇させてしまうことになる。

〔発明の目的〕

そこで、本発明はこのような実情に鑑み提案さ
れたものであり、低域と高域をともに含んだ二周
波数域の信号の記録再生を行なうにあたつて、磁
気ヘツドの加工精度が低くても、磁気ギヤツプの
トラツク幅の中心において低域周波数および高域
周波数ともに再生出力が最大となり、安定な再生
が行なえ、しかも安価である磁気ヘツドを提案す
ることを目的とする。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために本発明の磁気ヘツド
は、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
ヤツプを形成してなる磁気ヘツドにおいて、上記
磁気ギヤツプ形成面と上記強磁性金属薄膜形成面
とが所要角度で傾斜しており、かつ磁気テープ対
接面に前記強磁性酸化物と前記強磁性金属薄膜お
よび非磁性材が配され、これら三者の交差点がト
ラツク幅を規定する領域の外にあることを特徴と
しており磁気ギヤツプの中心において低域周波数
および高域周波数ともに再生出力が最大となり、
安定した信号の再生を行なうことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。

第６図は本発明に係る磁気ヘツドの斜視図であ
り、第７図はこの磁気ヘツドの磁気テープ対接面
を拡大して示す平面図である。

第６図および第７図において、上記磁気ヘツド
の構成を説明すると、磁気コア半体３１，３２は
強磁性酸化物のMn−Znフエライト等により形成
され、磁気ギヤツプｇ側に形成されたフエライト
の突起部３３，３４の一側部にはガラスが非磁性
材３５，３６として溶融充填されている。また、
この突起部３３と非磁性材３５を連ねた平面上、
および突起部３４と非磁性材３６を連ねた平面上
には高透磁率合金のセンダスト等からなる強磁性
金属薄膜３７Ａ，３７Ｂがスパツタリング等の真
空薄膜形成技術を用いて被着形成されている。ま
た、被着形成された強磁性金属薄膜３７Ａ，３７
Ｂ上にはガラスが非磁性材３８として溶融充填さ
れており、この強磁性金属薄膜３７Ａ，３７Ｂの
みにより磁気ギヤツプｇが形成されるようになつ
ている。

また、上記接合面すなわち磁気ギヤツプｇの形
成面は所定のアジマス角度で傾斜しており、アジ
マス記録が行なえるようになつている。

また、磁気ギヤツプｇの形成面と上記強磁性金
属薄膜３７Ａ，３７Ｂの形成面とは所要角度で傾
斜しており、この実施例では傾斜角θがたとえば
45゜となつている。この傾斜角θは20゜〜80゜程度に
選ぶのがよく、これによりクロストークが防止さ
れ、また磁気テープ対接面の耐摩耗性が向上され
るようになる。

また、上記磁気ヘツドにおいては、磁気テープ
対接面に現われている強磁性酸化物、強磁性金属
薄膜３７Ａ，３７Ｂ、および非磁性材３５，３６
の該三者の交差点X₁，Y₁が、磁気ギヤツプｇの
トラツク幅Twを規定する領域の外に出ている。
すなわち、上記突起部３３，３４の先端３３Ａ，
３４Ａは、トラツク幅Twの領域の外に位置して
いる。また、突起部３３，３４の形状は磁気ギヤ
ツプｇの中心Ｏに対して左右点対称とはなつてい
ない。

この様子は第７図に示されており、磁気ギヤツ
プｇによる信号の記録ゾーンＡ，Ｄ間（トラツク
幅Twに等しい）の領域外に、上記先端３３Ａ，
３４Ａの通過軌跡Q₁，R₁が位置するようになつ
ている。

これにより上記磁気ヘツドでは、低域と高域を
ともに含んだ二周波数域の信号の重畳記録再生を
行なうにあたつて、磁気ギヤツプｇのトラツク幅
Twの中心Ｏ（以下磁気ギヤツプｇの中心Ｏとい
う）において低域周波数および高域周波数ともに
再生出力が最大となる。このように低域での再生
出力最大位置と高域での再生出力最大位置とが磁
気ギヤツプｇ上で一致することで、磁気テープよ
り安定した信号の再生が行なえるようになる。

これは、つぎのような理由によるものである。
すなわち、１〜5MHzの高域周波数の再生におい
ては、磁気ギヤツプｇの中心Ｏが上記記録ゾーン
Ａ，Ｄ間の中心Ｃ上を通過する時に再生出力が最
大となるのは前述の通りであるが、数十〜数百ｋ
Hzの低域周波数の再生では、記録ゾーンＡ，Ｄの
領域外にある上記先端３３Ａ，３４Ａが擬似ギヤ
ツプとして作用し再生に寄与するようになるには
大幅なトラツクずれが起きなければならない。こ
の大幅なトラツクずれはメインギヤツプである磁
気ギヤツプｇによる低域周波数の再生出力レベル
を大幅に減少させてしまうことになり、結果的に
磁気ギヤツプｇの中心Ｏが記録ゾーンＡ，Ｄ間の
中心Ｃを通過する時に低減での再生出力が最大と
なる。

このように、上記磁気ヘツドでは、トラツク幅
Twの領域の外に上記先端３３Ａ，３４Ａを位置
させたことにより、高周波数域の再生出力が最大
となるトラツキング位置と低周波数域の再生出力
が最大となるトラツキング位置とが一致し、低域
および高域を共に含んだ二周波数域の重量記録再
生を行なうのに適したヘツドとなつている。

また、上記先端３３Ａ，３４Ａの位置すなわち
上記強磁性酸化物、強磁性金属薄膜３７Ａ，３７
Ｂ、および非磁性材３５，３６の三者の交差点
X₁，Y₁をこのように規定したことにより、上記
突起部３３，３４の形状や先端３３Ａ，３４Ａ部
の位置は、第７図に示すように磁気ギヤツプｇの
中心Ｏに対して左右点対称でなくともよくなり、
中心Ｏから先端３３Ａ，３４Ａへの距離は10〜
20μm程度の緩い精度でよいようになつている。
これにより、磁気コア半体対の接合面すなわち磁
気ギヤツプｇの形成面を研削および研摩する加工
精度が緩やかになり、加工精度に10〜20μm程度
のバラツキが許容されるようになる。このため、
上記磁気ヘツドを作製する歩留りが高くなり、非
常に安価な磁気ヘツドが提供されるようになる。

ところで上記磁気ヘツドでは、上記金属薄膜３
７Ａ，３７Ｂが磁気ギヤツプｇの近傍部のみに形
成されているため、金属薄膜３７Ａ，３７Ｂの形
成面積が少なくてすみ、たとえばパッタリング装
置で一括処理可能な個数を大幅に増やせることで
量産性の向上を図ることができる。このように、
単位薄膜形成面積から作製可能な磁気ヘツドの個
数が多いことで、さらに安価に磁気ヘツドを提供
できる。

また、被着形成される上記金属薄膜３７Ａ，３
７Ｂの膜厚ｔは、ｔ＝T_wsinθ でよいことから、トラツク幅に相当する膜厚を被
着形成する必要がなく、ヘツド作製に要する時間
が短縮されるようになる。ここで、T_wはトラツ
ク幅であり、θは上記金属薄膜形成面と磁気ギヤ
ツプ形成面とのなす角度である。

また、強磁性酸化物のコア半体３１，３２に被
着形成される上記金属薄膜３７Ａ，３７Ｂの形成
面積が少ないことから、コア半体、金属薄膜両者
の熱膨張係数の差によつて生じる磁気ヘツド作製
時の薄膜３７Ａ，３７Ｂの歪やコア半体３１，３
２の折損、ヒビの混入を防止することができ、磁
気ヘツドの信頼性を向上することができるととも
に、磁気ヘツド製造の歩留りを向上することがで
きる。

また、磁気ギヤツプｇを形成する高透磁率の上
記金属薄膜３７Ａ，３７Ｂが磁気ギヤツプｇの近
傍部に配されていることと、磁気ヘツド後部側が
接合面積の広い強磁性酸化物で形成されているこ
とによつて、磁気抵抗が小さく感度の高い高性能
な磁気ヘツドとなつている。

また、磁気ギヤツプｇが高透磁率を有する上記
強磁性金属薄膜３７Ａ，３７Ｂのみで形成されて
いることから、磁気ギヤツプｇから発生される磁
界の強度が高くメタルテープ等の高い抗磁力Hc
を持つ磁気テープに磁気記録するのに適した磁気
ヘツドとなつている。

また、コア半体３１の突起部３３と非磁性材３
５上を連ねた一平面上に上記金属薄膜３７Ａが被
着形成され、またコア半体３２の突起部３４と非
磁性材３６上を連ねた一平面上に上記金属薄膜３
７Ｂが被着形成されていることにより、たとえば
センダスト膜からなるこの金属薄膜３７Ａ，３７
Ｂの膜構造すなわち柱状晶の成長方位は、形成面
全体に亘つて一方向に平行にそろつた均一なもの
となつている。このため、上記磁気ヘツドは、磁
路に沿つた方向で、上記金属薄膜３７Ａ，３７Ｂ
の全体が高い透磁率を示すようになり、高い記録
再生出力が得られる。

また、上記磁気ヘツドの後部側は、Mn−Znフ
エライト等の強磁性酸化物どうしを突き合わせて
接合しており、上記金属薄膜３７Ａ，３７Ｂとコ
ア半体３１，３２との密着性が悪くとも、大きな
接着強度を得ることができ、歩留りの向上を図る
ことができる。また、加工時にバツクトラツクず
れが発生するようなこともなく、信頼性の高い磁
気ヘツドとなつている。

さらに、上記磁気ヘツドの磁気テープ対接面の
ほとんどが強磁性酸化物となつていることから、
高い耐摩耗性を有する磁気ヘツドとなつている。

また、上記磁気ヘツドでは、数μmのトラツク
幅から数十μmのトラツク幅の広範囲のトラツク
幅を容易に形成することができ、被着形成される
上記金属薄膜３７Ａ，３７Ｂの膜厚を薄くするこ
とで狭トラツク化の磁気ヘツドが容易に得られ
る。

ここで、上記金属薄膜３７Ａ，３７Ｂは連続し
た一層を被着形成しているが、絶縁膜を介して多
層に強磁性金属薄膜を被着形成するようにしても
よい。

また、上記突起部３３，３４と非磁性材３５，
３６との界面は、アジマス角とは異なる方向にた
とえば二段階に屈曲していることにより、突起部
３３，３４の屈曲部による磁気テープ上の隣接ま
たは隣々接トラツクからの信号のピツクアツプ量
がアジマス損失によつて減少され、クロストーク
の発生が防止されるようになつている。

つぎに、上述の第６図に示す磁気ヘツドの製造
工程を第８図乃至第１４図に基づき説明する。

まず、第８図に示すように、たとえばMn−Zn
フエライト等の強磁性酸化物基板４０の長手方向
の一稜部に上方の開いた断面多角形状の切溝４１
を、回転砥石または電解エツチング等により複数
形成する。すなわち、上記基板４０の上面４３は
磁気ギヤツプ形成面に対応し、上記切溝４１は基
板４０の磁気ギヤツプ形成位置近傍部に相当する
部分に形成される。

つぎに、第９図に示すように、上記切溝４１に
高融点ガラス４２Ａを溶融充填したのち、上面４
３と前面４４とを平面研摩する。

つぎに、第１０図に示すように、ガラス４２Ａ
を充填した上記切溝４１の一部とやや多目にオー
バラツプするように上記一稜部に切溝４１と隣り
合う断面Ｖ字状の切溝４５を複数形成する。この
時、形成される切溝４５の内壁面４６には、上記
ガラス４２Ａの一部が露出している。また、この
内壁面４６と上記上面４３との交線４７は、上記
前面４４と直角をなしている。また、この内壁面
４６と上面４３とのなす角度は、前述のθのたと
えば45゜となつている。

つぎに、第１１図に示すように、上記基板４０
の切溝４５近傍に、スパツタリング等の真空薄膜
形成技術を用いて、高透磁率合金のたとえばセン
ダストを被着し、強磁性金属薄膜４８を形成す
る。この時、上記内壁面４６上に効率よく被着す
るように、上記基板４０を傾斜させパツタリング
装置内に配置するようにする。

つぎに、第１２図に示すように、上記金属薄膜
４８が被着された上記切溝４５に、上記ガラス４
２Ａよりも低融点のガラス４９を溶融充填したの
ち、上面４３と前面４４とを平面研摩し鏡面仕上
げを行なう。ここで行なう研摩は前述の理由によ
り緩い精度でよい。この時、前の工程で被着した
上記金属薄膜４８の一部が上記切溝４５の内壁面
４６に残り、こ内壁面４６に強磁性金属薄膜４８
Ａが被着した状態となる。ここで、前面４４に現
われているフイライト基板と金属薄膜４８Ａとガ
ラス４２Ａとの交差点y₁は、上面４３と前面４４
とが作る稜線上の金属薄膜４８Ａとガラス４９と
の境界点α（トラツク幅T_wを規定する点）に比べ
て、よりガラス４９側に位置している。これによ
り、前記交差点Y₁が前述のように規定されるよ
うになる。

また、巻線溝側のコア半体を形成するために、
第１２図に示すように加工の施した強磁性酸化物
基板４０に、巻線溝５１を形成する溝加工を行な
い、第１３図に示す強磁性酸化物基板５０を得
る。この基板５０で、切溝４１には高融点ガラス
４２Ｂが溶融充填され、切溝４５の内壁面には強
磁性金属薄膜４８Ｂが被着形成されている。ここ
で、図中交差点x₁は交差点y₁に対応しており、境
界点γは境界点αに対応し、前記交差点X₁の位
置が前述のように規定されるようになる。

つぎに、上記基板４０の磁気ギヤツプ形成面と
なる上面４３と上記基板５０の磁気ギヤツプ形成
面となる上面５２とを膜付けしたギヤツプスペー
サを介して第１４図に示すように突き合わせ、ガ
ラス融着を行なう。その後、基板４０と基板５０
とを合体させたブロツク５３をこの接合面に対し
てアジマス角だけ傾けたａ−ａ線、a′−a′線の位
置でスライシング加工することで、アジマス角で
傾斜する磁気ギヤツプを有する複数個のヘツドチ
ツプを得ることができる。なお、基板接合面に対
して垂直にスライシングすると普通のヘツドチツ
プが形成できる。ここで、上記ギヤツプスペーサ
としては、SiO₂，ZrO₂，Ta₂O₅，Cr等を用いる
ことができる。

つぎに、上記ヘツドチツプの磁気テープ対接面
を円筒研摩することで、第６図に示す磁気ヘツド
となる。

この第６図の磁気ヘツドにおいて、コア半体３
２は上記基板４０を母材としており、コア半体３
１は上記基板５０が母材となつている。また、非
磁性材３５，３６は上記高融点ガラス４２Ｂ，４
２Ａにそれぞれ対応し、非磁性材３８は上記低融
点ガラス４９に対応している。また、この磁気ヘ
ツドの強磁性金属薄膜３７Ａ，３７Ｂは、上記金
属薄膜４８Ｂ，４８Ａにそれぞれ対応している。
さらに、上記磁気ヘツドの巻線穴３９は、上記基
板５０に形成された巻線溝５１に対応している。

ところで、磁気ギヤツプ近傍部にのみ強磁性金
属薄膜を形成するのではなく、ヘツドの前面部す
なわちフロントギヤツプ形成面より後部側すなわ
ちバツクギヤツプ形成面まで連続して強磁性金属
薄膜を形成した本発明の他の実施例となる第１５
図の磁気ヘツドについて説明する。また、第１６
図にはこの磁気ヘツドの磁気テープ対接面が示さ
れている。

この磁気ヘツドはアジマス記録用の磁気ヘツド
となつており、磁気コア半体６１，６２が強磁性
酸化物のたとえばMn−Znフエライトで形成さ
れ、磁気ギヤツプｇ側の突起部６３，６４は磁気
ヘツドの後部側まで連続して形成されている。ま
た、この突起部６３，６４の一側部はアジマス角
とは異なる方向にたとえば二段階に屈曲してお
り、この一側部にはガラスの非磁性材６５，６６
が後部側まで連続して溶融充填されている。

また、突起部６３，６４と非磁性材６５，６６
を連ねた平面上には、スパツタリング等でセンダ
スト等の強磁性金属薄膜６７Ａ，６７Ｂが後部側
まで連続して被着形成され、この金属薄膜６７
Ａ，６７Ｂ上にはガラスの非磁性材６８が同様に
後部側まで溶融充填されている。

上記金属薄膜６７Ａ，６７Ｂは磁気ギヤツプ形
成面に対してたとえば45゜の傾斜角θで傾斜して
おり、この金属薄膜６７Ａ，６７Ｂのみにより磁
気ギヤツプｇが形成されている。

ところで、上記突起部６３，６４、金属薄膜６
７Ａ，６７Ｂ、および非磁性材６５，６６の三者
の交差点X₂，Y₂はトラツク幅T_wを規定する領域
の外に位置するようになつている。すなわち、第
１６図に示すように、磁気ギヤツプｇによる記録
ゾーンＡ，Ｄの外を、突起部６３，６４の先端６
３Ａ，６４Ａが通過するようになつている。Q₂，
R₂はこの先端６３Ａ，６４Ａが通過する軌跡で
ある。

このため、上記磁気ヘツドでは、第６図の磁気
ヘツドと同様に、磁気ヘツドｇの中心Ｏにおい
て、低域周波数および高域周波数ともに再生出力
が最大となり、低域と高域をともに含んだ信号の
記録再生を行なうのに適したヘツドとなつてい
る。

また前述の理由から加工精度が緩くてもよく、
歩留りが高まることでコスト的に安価な磁気ヘツ
ドの提供が可能となつている。

つぎに、上記磁気ヘツドの製造工程を第１７図
乃至第２３図に基づき説明する。

まず、第１７図に示すように、Mn−Znフエラ
イト等の強磁性酸化物基板７０の上面部に、回転
砥石等を用いて、上方の開いた断面多角形状の溝
７１を上面部を横切るように複数形成する。

つぎに、第１８図に示すように、上記溝７１に
高融点ガラス７２を溶融充填したのち、平面研摩
加工を行なう。

つぎに、第１９図に示すように、上記溝７１の
一部とやや多目にオーバラツプし該溝７１と隣接
した断面Ｖ字状の溝７３を複数形成する。この溝
７３の内壁面の傾斜角度は、上面に対してたとえ
ば45゜となつている。

つぎに、第２０図に示すように、上記基板７０
の上面部に、センダスト等をスパツタリング、イ
オンプレーテイング、蒸着等の真空薄膜形成技術
を用いて被着形成し、上記溝７３部に強磁性金属
薄膜７４を形成する。

つぎに、溝７３部分の金属薄膜７４面上に低融
点ガラス７６を溶融充填し、第２１図に示すよう
に、上記基板７０の上面部および前面部を平面研
摩加工する。ここで行なう研摩は緩い精度でよ
い。ここで、基板前面に現われているフエライト
基板と金属薄膜７４とガラス７２との交差点y₂
は、基板上面と前面とが作る稜線上の金属薄膜７
４とガラス７６との境界点αに比べて、よりガラ
ス７６側に位置している。これにより、前記交差
点Y₂が規定される。

また、巻線溝側のコア半体を形成するために、
第２１図に示すように加工の施した上記基板７０
に、巻線溝７５を形成する溝加工を行ない、第２
２図に示す強磁性酸化物基板７７を得る。ここ
で、図中交差点x₂は交差点y₂に対応しており、境
界点γは境界点αに対応し、前記交差点X₂の位
置が規定されるようになる。

つぎに、第２３図に示すように、上記基板７０
と上記基板７７とを上記金属膜７４が被着された
側の平面部が向かい合うようにしてギヤツプスペ
ーサを介して突き合わせ、ガラスを用いて融着接
合することでブロツク７８とする。

つぎに、上記ブロツク７８をｂ−ｂ線、b′−
b′線の位置でスライシング加工することで、複数
個のヘツドチツプを得ることができる。

その後、上記ヘツドチツプの磁気テープ摺接面
を円筒研摩することで、第１５図に示した磁気ヘ
ツドとなる。ここで、この磁気ヘツドのコア半体
６１は上記基板７７を母材としており、コア半体
６２は上記基板７０を母材としている。また、強
磁性金属薄膜６７Ａ，６７Ｂは上記金属薄膜７４
に対応し、非磁性材６５，６６は上記高融点ガラ
ス７２に対応し、非磁性材６８は上記低融点ガラ
ス７６に対応している。また、巻線穴６９は上記
巻線溝７５に対応している。

なお、第６図および第１５図に示す磁気ヘツド
は、磁気ギヤツプｇの中心Ｏに対してヘエライト
突起部の先端が点対称となつていないが、この先
端の位置を左右点対称としてもよい。

つぎに、第２４図に示す他の実施例の磁気ヘツ
ドを説明する。この磁気ヘツドはアジマス記録用
のヘツドとなつている。

上記磁気ヘツドは、磁気ギヤツプ形成面に対し
て強磁性金属薄膜８７の形成面がたとえば45゜の
傾斜角θで傾斜しており、Mn−Znフエライト等
からなる磁気コア半体８１，８２の突起部８３，
８４の先端８３Ａ，８４Ａが、トラツク幅T_wを
規定する領域の外に位置している。また、このよ
うに先端８３Ａ，８４Ａがトラツク幅T_wの領域
外にあることから、突起部８３，８４の形状は左
右対称でなくともよく、一方の突起部８３と充填
されたガラス８５との界面は単に傾斜した形状と
なつているが、他方の突起部８４とガラス８６と
の界面は二段階に屈曲した形状となつている。

また、第２５図にはさらに他の実施例となるア
ジマス記録用の磁気ヘツドが示されている。

この磁気ヘツドは、磁気ギヤツプ形成面に対し
てたとえば45゜の傾斜角θで傾斜するように強磁
性金属薄膜９７が形成され、Mn−Znフエライト
等からなる磁気コア半体９１，９２の突起部９
３，９４の先端９３Ａ，９４Ａがトラツク幅T_w
の領域外に位置している。また、一方の突起部９
３とガラス９５との傾斜した界面はなめらかとな
つているが、他方の突起部９４とガラス９６との
界面は凹凸面となつている。この凹凸面はヘツド
を作製する研摩工程を充分に行なわないことによ
り生じたものであるが、上記先端９３Ａ，９４Ａ
がトラツク幅T_wの領域外にあることから特性上
影響はない。

第２４図や第２５図に示す磁気ヘツドは、第６
図および第１５図に示す磁気ヘツドと同様に磁気
ヘツドｇの中心Ｏにおいて、低域および高域周波
数ともに再生出力が最大となるようになつてい
る。

ところで、磁気コア半体を形成する強磁性酸化
物としては、Mn−Znフエライトの他にNi−Zn
フエライト等を用いてもよい。また、強磁性金属
薄膜を形成する高透率磁性材料としては、センダ
ストの他にパーマロイや非晶質合金を用いてもよ
い。

〔発明効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、強磁性酸化物からなる磁気コア半体の接合面
とは傾斜するように該接合面近傍に強磁性金属薄
膜を形成しており、また磁気テープ対接面には強
磁性酸化物、上記金属薄膜、および非磁性材が配
され、これらの三者の交差点がトラツク幅を規定
する領域の外に位置している。

このため、磁気ギヤツプのトラツク幅の中心に
おいて低域周波数および高域周波数ともに再生出
力が最大となり、安定した再生が行なえることか
ら、低域および高域周波数をともに含んだ信号の
記録再生に適したヘツドとなつている。

また、ヘツドの加工精度を低くできることから
歩留りが向上され、コスト的安価な磁気ヘツドの
提供が可能となつている。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気ヘツドの斜視図、第２図は
第１図の磁気ヘツドの磁気テープ対接面を示す平
面図、第３図は従来の他の例の磁気ヘツドを示す
斜視図、第４図は第３図の磁気ヘツドの磁気テー
プ対接面を示す平面図、第５図は従来のさらに他
の例の磁気ヘツドの磁気テープ対接面を示す平面
図、第６図は本発明の一実施例となる磁気ヘツド
の斜視図、第７図は第６図の磁気ヘツドの磁気テ
ープ対接面を示す平面図、第８図乃至第１４図は
第６図の磁気ヘツドを作製する工程を順に示す斜
視図、第１５図は本発明の他の実施例となる磁気
ヘツドの斜視図、第１６図は第１５図の磁気ヘツ
ドの磁気テープ対接面を示す平面図、第１７図乃
至第２３図は第１５図の磁気ヘツドを作製する工
程を順に示す斜視図、第２４図は本発明のさらに
他の実施例となる磁気ヘツドの磁気テープ対接面
を示す平面図、第２５図は本発明のさらに他の実
施例となる磁気ヘツドの磁気テープ対接面を示す
平面図である。３１，３２，６１，６２，８１，８２，９１，
９２……磁気コア半体、３３，３４，６３，６
４，８３，８４，９３，９４……突起部、３３
Ａ，３４Ａ，６３Ａ，６４Ａ，８３Ａ，８４Ａ，
９３Ａ，９４Ａ……先端、３５，３６，３８，６
５，６６，６８，８５，８６，９５，９６……非
磁性材、３７Ａ，３７Ｂ，６７Ａ，６７Ｂ，８７
Ａ，８７Ｂ，９７Ａ，９７Ｂ……強磁性金属薄
膜、ｇ……磁気ギヤツプ、Ｏ……中心。

Claims

【特許請求の範囲】

１強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
ヤツプを形成してなる磁気ヘツドにおいて、上記
磁気ギヤツプ形成面と上記強磁性金属薄膜形成面
とが所要角度で傾斜しており、かつ磁気テープ対
接面に前記強磁性酸化物と前記強磁性金属薄膜お
よび非磁性材が配され、これら三者の交差点がト
ラツク幅を規定する領域の外にあることを特徴と
する磁気ヘツド。