JPH0476167B2 - - Google Patents

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JPH0476167B2
JPH0476167B2 JP19758984A JP19758984A JPH0476167B2 JP H0476167 B2 JPH0476167 B2 JP H0476167B2 JP 19758984 A JP19758984 A JP 19758984A JP 19758984 A JP19758984 A JP 19758984A JP H0476167 B2 JPH0476167 B2 JP H0476167B2
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JP
Japan
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magnetic
thin film
metal thin
ferromagnetic metal
oxide
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JP19758984A
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JPS6174114A (ja
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Makoto Kubota
Tomio Kobayashi
Heikichi Sato
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Sony Corp
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Sony Corp
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘツドに関するものであり、特に
一方の磁気コア半体の磁気ギヤツプ部が真空蒸着
技術によつて形成された強磁性金属薄膜からなる
ヘツドに関するものである。
〔従来の技術〕
例えばVTR(ビデオテープレコーダ)等の磁気
記録再生装置においては、記録信号の高密度化や
高周波数化等が進められており、この高密度記録
化に対応して磁気記録媒体として磁性粉にFe,
Co,Ni等の強磁性金属の粉末を用いた所謂メタ
ルテープや強磁性金属材料を蒸着によりベースフ
イルム上に被着した所謂蒸着テープ等が使用され
るようになつている。そして、この種の磁気記録
媒体は高い抗磁力Hcを有するために、記録再生
に用いる磁気ヘツドのヘツド材料にも高い飽和磁
束密度Bsを有することが要求されている。例え
ば、従来磁気ヘツド材料として多用されているフ
エライト材では飽和磁束密度Bsが低く、また、
パーマロイでは耐摩耗性に問題があ。
そこで従来、セラミツクス等の非磁性基板上に
強磁性金属薄膜を被着形成しこれをトラツク部分
とした複合型磁気ヘツドや、コア部がフエライか
らなり磁気ギヤツプ近傍部が強磁性金属薄膜から
なる複合型磁気ヘツド等、各種複合型磁気ヘツド
が提案されている。例えば第16図に示す磁気ヘ
ツドは、一対の磁気コア半体101,102を
Mn―Znフエライト等の酸化物磁性体により形成
するとともに、磁気ギヤツプより発生する磁界の
強度を高めるため、一方の磁気コア半体102の
磁気ギヤツプ形成面に、スパツタリング等の真空
薄膜形成技術を用いてセンダスト等の強磁性金属
薄膜103を形成し、これら一対の磁気コア半体
101,102を低融点ガラス104等で融着接
合してなるものであつて、磁気ギヤツプが高透磁
率を有する強磁性金属薄膜103により構成され
ることから、メタルテープ等の高い抗磁力Hcを
持つ磁気テープに対応し、充分な記録再生特性を
有するとともに量産性や信頼性等に優れた磁気ヘ
ツドとなつている。
しかしながら、この種の磁気ヘツドにおいて
は、上記強磁性金属薄膜103と磁気コア半体1
02の間に擬似ギヤツプが形成され、この結果、
原信号に忠実な信号再生が難しくなり、SN比の
劣化も見られる等、実用上問題が多い。
上記擬似ギヤツプは、工程及び材料の充分な管
理によつてある程度減少させることができるもの
の、著しく困難であつて、生産性等に悪影響を及
ぼすばかりか、この程度の減少ではアナログ記録
に対応可能か否かは疑がわしい。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように、磁気コア半体の磁気ギヤツプ形成
面に強磁性金属薄膜を被着あるいはラミネートし
た磁気ヘツドにあつては、擬似ギヤツプの解消が
大きな課題となつている。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提
案されたものであつて、擬似ギヤツプの発生が無
く、高周波域、低周波域ともに原信号に忠実な信
号再生が可能であるとともに高磁界記録が可能で
メタルテープ等の高い抗磁力Hcを有する磁気記
録媒体に適用し得る磁気ヘツドを提供することを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上述の如き目的を達成するために、本発明は、
強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対が接合され
てなる磁気ヘツドにおいて、一方の磁気コア半体
の磁気ギヤツプ部がこの磁気コア半体の一平面上
に真空薄膜形成技術により形成される強磁性金属
薄膜のみにより構成され、強磁性金属薄膜形成面
と磁気ギヤツプ形成面とが所要角度で傾斜してい
ることを特徴とするものである。
〔作用〕
このように、M方の磁気コア半体に磁気ギヤツ
プ形成面と傾斜する強磁性金属薄膜を設け、この
強磁性金属薄膜と他方の磁気コア半体とをギヤツ
プ材を介して突き合わせることにより、擬似ギヤ
ツプが無く、強磁性記録を行なうことが可能な磁
気ヘツドを構成することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら
説明する。
第1図は本発明を適用した複合型磁気ヘツドの
一例を示す外観斜視図であり、第2図はその磁気
テープ摺接面を示す平面図である。
この磁気ヘツドにおいては、一対の磁気コア半
体1,2が例えばMn―Znフエライト等の酸化物
磁性体により形成され、一方の磁気コア半体2の
強磁性金属薄膜形成面2a上に被着形成される強
磁性金属薄膜3と他方の磁気コア半体1とを
SiO2等のギヤツプ材を介して突き合わせ、これ
ら強磁性金属薄膜3と磁気コア半体1の当接面間
がトラツク幅Twの磁気ギヤツプ4となるように
構成されている。なお、上記磁気ギヤツプ4の近
傍部には、例えば低融点ガラスや高融点ガラス等
の非磁材5,,6が充填され、この磁気ヘツドの
磁気テープ摺接面を所定幅に確保し磁気テープの
走行状態を安定なものとするとともに、上記強磁
性金属薄膜3の摩耗を防止するようにされてい
る。
ここで、上記強磁性金属薄膜3が形成される磁
気コア半体2の強磁性金属薄膜形成面2aは、磁
気コア半体1と磁気コア半体2の突き合わせ面で
ある磁気ギヤツプ形成面7に対してθなる角度を
持つて傾斜しており、上記磁気コア半体2におい
ては、強磁性金属薄膜3のみにより磁気ギヤツプ
が構成されるように酸化物磁性体である磁気コア
半体2が切り欠かれている。
上記強磁性金属薄膜形成面2aと磁気ギヤツプ
形成面7とがなす角θは、20゜から80゜程度の範囲
に設定することが好ましい。ここで20゜以下の角
度であると、隣接トラツクからのクロストークが
大きくなり、望ましくは30゜以上の角度を持たせ
るのがよい。また、上記傾斜角度を90゜にした場
合は、耐摩耗性が劣ることから、80゜程度以下と
するのがよい。また、傾斜角度を90゜にすると、
磁気ギヤツプ4の近傍部に形成される上述の強磁
性金属薄膜3の膜厚をトラツク幅に等しく形成す
る必要があり、真空薄膜形成技術を用いて薄膜を
形成するにあたつて、多くの時間を要してしまう
ことや、膜構造が不均一化してしまう点で好まし
くない。
すなわち、上記磁気コア半体2に被着形成され
る強磁性金属薄膜3の膜厚tは、 t=Tw sinθ でよいことから、トラツク幅に相当する膜厚を膜
付けする必要がなく、ヘツド作製に要する時間を
短縮することができる。ここで、Twはトラツク
幅であり、θは上記強磁性金属薄膜形成面2aと
磁気ギヤツプ形成面7とのなす角度である。
また、上記強磁性金属薄膜3の材質としては、
Fe―Al―Si系合金であるセンダスト合金や、Fe
―Al系合金、Fe―Si系合金、パーマロイ等が使
用可能であり、その膜付け方法としても、フラツ
シユ蒸着、ガス中蒸着、イオンプレーテイング、
スパツタリング、クラスター・イオンビーム法等
に代表される真空薄膜形成技術であれば如何なる
手法であつてもよい。
このように構成される磁気ヘツドに対し、特に
第2図中矢印A方向に磁気テープを走行させるこ
とにより、強磁性金属薄膜3が上記磁気テープと
の相対運動を見た時の走行方向におけるトレイリ
ング・エツジ側に配置されることから、高磁界記
録が可能となる。
次に、本発明に係る磁気ヘツドの構成をより明
確なものとするために、その製造方法について説
明する。
本発明に係る磁気ヘツドを作製するには、先
ず、第3図に示すように第1の酸化物磁性体ブロ
ツク11を用意し、この酸化物磁性体ブロツク1
1の磁気ギヤツプ形成面に対応する上面11aに
断面略々コ字状の切溝12を全幅に亘つて複数形
成し、さらに上記切溝12とオーバーラツプせず
にこの切溝12と隣接して平行に配設される幅規
制溝13を形成する。このとき、上記切溝12と
上記幅規制溝13間に残存される突起部14の幅
dは、トラツク幅Twよりも若干小さめになるよ
うにこれら各溝12,13を形成しておく。
次いで、第4図に示すように、上記切溝12及
び幅規制溝13内に、高融点酸化物ガラス15を
充填し、上記磁気ギヤツプ形成面に対応する酸化
物磁性体ブロツク11の上面11aを鏡面加工
し、上記突起部14の幅dを所定のトラツク幅
Twになるようにする。
一方、先の第1の酸化物磁性体ブロツク11と
略同一形状の第2の酸化物磁性体ブロツク16を
用意し、第5図に示すように、この第2の酸化物
磁性体ブロツク16の長手方向の一稜部に複数の
切溝17を、回転砥石または電解エツチング等に
より複数形成する。すなわち、上記第2の酸化物
磁性体ブロツク16の上面16aは磁気ギヤツプ
形成面に対応し、上記切溝17は上記ブロツク1
6の磁気ギヤツプ形成位置近傍部に相当する部分
に形成される。
次に、第6図に示すように、上記切溝17に高
融点ガラス18を溶融充填したのち、上面16a
と前面16bとを平面研摩する。
次いで、第7図に示すように、ガラス18を充
填した上記切溝17の一部とオーバラツプするよ
うに上記一稜部にこの切溝17と隣り合う複数の
切溝19を形成する。この時、形成される切溝1
9の内壁面20には、上記ガラス18の一部が露
出している。また、この内壁面20と上記上面1
6aとの交線21は、上記前面16bと直角をな
している。また、この内壁面20は強磁性金属薄
膜形成面に対応し、したがつてこの内壁面20と
上面16aとのなす角度は角θに相当し、20゜〜
80゜の所要角度、たとえば45゜に設定されている。
さらに、第8図に示すように、上記酸化物磁性
体ブロツク16の切溝19近傍に、スパツタ法を
用いて、高透磁率合金のたとえばセンダストを被
着形成し、強磁性金属薄膜22を形成する。
続いて、第19図に示すように、上記金属薄膜
22が被着された上記切溝19内に、上記ガラス
18よりも低融点のガラス23を溶融充填したの
ち、上面16a及び前面16bを平面研磨し、余
分な強磁性金属薄膜を除去して鏡面仕上げを行な
う。この結果、前の工程で被着した強磁性金属薄
膜22の一部が上記切溝19の内壁面20に残
り、この内壁面20に強磁性金属薄膜24が被着
した状態となる。
さらに、この第2の酸化物磁性体ブロツク16
に対しては、第10図に示すように、上記各溝1
7,19と直交し、所定のデプス幅を確保するよ
うに巻線溝25を形成する。なお、この巻線溝2
5は、上記第1の酸化物磁性体ブロツク11に形
成することも考えられるが、この例のように強磁
性金属薄膜形成側のブロツクに加工した方が記録
時のフロントギヤツプ飽和対策上好ましい。
上述のような加工を施した第1の酸化物磁性体
ブロツク11及び第2の酸化物磁性体ブロツク1
6を、第11図に示すように突起部14と強磁性
金属薄膜24とが一致するように重ね合わせ、ガ
ラス融着により接合する。
最後に、上記接合により一体化された酸化物磁
性体ブロツク11,16をa−a線及びa′−a′線
の位置でスライシング加工し、磁気テープ摺接面
を円筒研磨して第1図に示すような磁気ヘツドを
完成する。
ところで、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、例えば第1の酸化物磁性体ブロツ
ク11あるいは第2の酸化物磁性体ブロツク16
に形成される溝形状や、スライシング方向等を変
更することにより第12図ないし第15図にその
磁気テープ摺接面を示すような磁気ヘツドを構成
することができる。なお、これら各例において、
先の実施例と同一の部材には同一の符号を付して
ある。
先ず、第12図に示す磁気ヘツドは、強磁性金
属薄膜3が形成される磁気コア半体2の先端が磁
気ギヤツプ4近傍まで残存されるものである。
第13図及び第14図に示す磁気ヘツドにおい
ては、酸化物磁性体により磁気ギヤツプが構成さ
れる第1の磁気コア半体1のトラツク幅が若干広
く形成されており、したがつて磁気コア半体1と
磁気コア半体2の突き合わせ誤差をある程度許容
することができる。
第17図は、スライシング方向を変更すること
により磁気ギヤツプ4にアジマス角を持たせた例
である。
また、先の実施例においては、第1の酸化物磁
性体ブロツク11に対し切溝12及び幅規制溝1
3をバツクギヤツプ側にまで同形状に形成し、磁
気コア半体1がバツクギヤツプ側においてもトラ
ツク幅で接合されるが、上記切溝12及び幅規制
溝13を第2の酸化物磁性体ブロツク16に設け
られる切溝17と同様に斜めに形成することによ
り、バツクギヤツプ側を全てフエライト(酸化物
磁性体)同士の接合とすることも可能である。
〔発明の効果〕
上述の説明からも明らかなように、本発明に係
る磁気ヘツドにおいては、一方の磁気コア半体に
斜めに設けられる強磁性金属薄膜と酸化物磁性体
により形成される他方の磁気コア半体とを突き合
わせて磁気ギヤツプを構成しているので、擬似ギ
ヤツプ現象が解消され、高周波域、低周波域とも
に原信号に忠実な信号再生が可能であり、SN比
も高いものとなる。
また、磁気ギヤツプの片側が強磁性金属材料に
より構成されるので、強磁界記録が可能となり、
メタルテープ等の高抗磁力Hcを有する磁気記録
媒体の記録再生に好適なものである。
さらに、本発明に係る磁気ヘツドにおいては、
磁気テープ摺接面のフエライト露出面積が大きい
ために、フエライトヘツドに近い耐摩耗性が確保
される。
さらにまた、強磁性金属薄膜は真空薄膜形成技
術により作製され膜付け時間も短かいもので済む
ので、例えば強磁性金属薄帯を接合して磁気ヘツ
ドを作製する方法に比べて生産性や信頼性、製造
コスト等の点で有利である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を適用した磁気ヘツドの一例を
示す外観斜視図であり、第2図はその磁気テープ
摺接面を示す平面図である。第3図ないし第11
図は第1図に示す磁気ヘツドの製造方法をその工
程順序に従つて示す概略的な斜視図であつて、第
3図は第1の酸化物磁性体ブロツクの溝加工工
程、第4図は高融点酸化物ガラス充填工程、第5
図は第2の酸化物磁性体ブロツクの第1の溝加工
工程、第6図はガラス充填工程、第7図は第2の
溝加工工程、第8図は強磁性金属薄膜被着工程、
第9図はガラス充填及び鏡面加工工程、第10図
は巻線溝加工工程、第11図は第1の酸化物磁性
体ブロツクと第2の酸化物磁性体ブロツクの接合
工程、をそれぞれ示すものである。第12図ない
し第15図は、それぞれ本発明の他の例における
磁気テープ摺接面を示す平面図である。第16図
は、従来の磁気ヘツドの一例の磁気テープ摺接面
を示す平面図である。 1,2…磁気コア体、2a…強磁性金属薄膜形
成面、3…強磁性金属薄膜、4…磁気ギヤツプ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対が接合
    されてなる磁気ヘツドにおいて、一方の磁気コア
    半体の磁気ギヤツプ部がこの磁気コア半体の一平
    面上に真空薄膜形成技術により形成される強磁性
    金属薄膜のみにより構成され、強磁性金属薄膜形
    成面と磁気ギヤツプ形成面とが所要角度で傾斜し
    ていることを特徴とする磁気ヘツド。
JP19758984A 1984-09-20 1984-09-20 磁気ヘツド Granted JPS6174114A (ja)

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JPS6174114A JPS6174114A (ja) 1986-04-16
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