JPS6174114A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS6174114A JPS6174114A JP19758984A JP19758984A JPS6174114A JP S6174114 A JPS6174114 A JP S6174114A JP 19758984 A JP19758984 A JP 19758984A JP 19758984 A JP19758984 A JP 19758984A JP S6174114 A JPS6174114 A JP S6174114A
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- core half
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドに関するものであシ、特に一方の磁
気コア半体の磁気ギャップ部が真空蒸着技術によって形
成された強磁性金属薄膜からなるヘッドに関するもので
ある。
気コア半体の磁気ギャップ部が真空蒸着技術によって形
成された強磁性金属薄膜からなるヘッドに関するもので
ある。
例えばVTR(ビデオテープレコーダ)等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応して磁気記
録媒体として磁性粉にFe+Co 、 Ni等の強磁性
金属の粉末を用いた所謂メタルテープや強磁性金属材料
を蒸着によりベースフィルム上に被着した所謂蒸着テー
プ等が使用されるようになっている。そして、この種の
磁気記録媒体は高い抗磁力Heを有するために、記録再
生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料にも高い飽和磁束密
度Bsを有することが要求されている。例えば、従来磁
気ヘッド材料として多用されているフェライト材では飽
和磁束密度Bsが低く、また、パーマロイでは耐摩耗性
に問題がある。
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応して磁気記
録媒体として磁性粉にFe+Co 、 Ni等の強磁性
金属の粉末を用いた所謂メタルテープや強磁性金属材料
を蒸着によりベースフィルム上に被着した所謂蒸着テー
プ等が使用されるようになっている。そして、この種の
磁気記録媒体は高い抗磁力Heを有するために、記録再
生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料にも高い飽和磁束密
度Bsを有することが要求されている。例えば、従来磁
気ヘッド材料として多用されているフェライト材では飽
和磁束密度Bsが低く、また、パーマロイでは耐摩耗性
に問題がある。
そこで従来、セラミックス等の非磁性基板上に強磁性金
属薄膜を被着形成しこれをトラック部分とした複合型磁
気ヘッドや、コア部がフェライトからなり磁気ギャップ
近傍部が強磁性金属薄膜からなる複合型磁気ヘッド等、
各種複合型磁気ヘッドが提案されている。例えば第16
図に示す磁気ヘッドは、一対の磁気コア半体101,1
02をMn−Znフェライト等の酸化物磁性体により形
成するとともに、磁気ギャップより発生する磁界の強度
を高めるだめ、一方の磁気コア半体102の磁気ギャッ
プ形成面に、スパフタリング等の真空薄膜形成技術を用
いてセンダスト等の強磁性金属薄膜103を形成し、こ
れら一対の磁気コア半体101.102を低融点ガラス
104等で融着接合してなるものであって、磁気ギャッ
プが高透磁率を有する強磁性金属薄膜103により構成
されることから、メタルテープ等の高い抗磁力Hcを持
つ磁気テープに対応し、充分な記録再生特性を有すると
ともに量産性や信頼性等に優れた磁気ヘッドとなってい
る。
属薄膜を被着形成しこれをトラック部分とした複合型磁
気ヘッドや、コア部がフェライトからなり磁気ギャップ
近傍部が強磁性金属薄膜からなる複合型磁気ヘッド等、
各種複合型磁気ヘッドが提案されている。例えば第16
図に示す磁気ヘッドは、一対の磁気コア半体101,1
02をMn−Znフェライト等の酸化物磁性体により形
成するとともに、磁気ギャップより発生する磁界の強度
を高めるだめ、一方の磁気コア半体102の磁気ギャッ
プ形成面に、スパフタリング等の真空薄膜形成技術を用
いてセンダスト等の強磁性金属薄膜103を形成し、こ
れら一対の磁気コア半体101.102を低融点ガラス
104等で融着接合してなるものであって、磁気ギャッ
プが高透磁率を有する強磁性金属薄膜103により構成
されることから、メタルテープ等の高い抗磁力Hcを持
つ磁気テープに対応し、充分な記録再生特性を有すると
ともに量産性や信頼性等に優れた磁気ヘッドとなってい
る。
しかしながら、この種の磁気ヘッドにおいては、上記強
磁性金属薄膜103と磁気コア半体102の間に擬似ギ
ャップが形成され、この結果、原信号に忠実な信号再生
が難しくなり、SN比の劣化も見られる等、実用上問題
が多い。
磁性金属薄膜103と磁気コア半体102の間に擬似ギ
ャップが形成され、この結果、原信号に忠実な信号再生
が難しくなり、SN比の劣化も見られる等、実用上問題
が多い。
上記擬似ギャップは、工程及び材料の充分な管理によっ
である程度減少させることができるものの、著しく困難
であって、生産性等に悪影響を及ぼすばかりか、この程
度の減少ではアナログ記録に対応可能か否かは疑かわし
い。
である程度減少させることができるものの、著しく困難
であって、生産性等に悪影響を及ぼすばかりか、この程
度の減少ではアナログ記録に対応可能か否かは疑かわし
い。
このように、磁気コア半体の磁気ギャップ形成面に強磁
性金属薄膜を被着あるいはラミネートした磁気ヘッドに
あっては、擬似ギャップの解消が大きな課題となってい
る。
性金属薄膜を被着あるいはラミネートした磁気ヘッドに
あっては、擬似ギャップの解消が大きな課題となってい
る。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、擬似ギャップの発生が無く、高周波域、
低周波域ともに原信号に忠実な信号再生が可能であると
ともに高磁界記録が可能でメタルテープ等の高い抗磁力
Heを有する磁気記録媒体に適用し得る磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
ものであって、擬似ギャップの発生が無く、高周波域、
低周波域ともに原信号に忠実な信号再生が可能であると
ともに高磁界記録が可能でメタルテープ等の高い抗磁力
Heを有する磁気記録媒体に適用し得る磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
上述の如き目的を達成するために、本発明は、強磁性酸
化物よりなる磁気コア半体対が接合されてなる磁気ヘッ
ドにおいて、一方の磁気コア半体の磁気ギャップ部がこ
の磁気コア半体の一平面上に真空薄膜形成技術により形
成される強磁性金属薄膜のみにより構成され、強磁性金
属薄膜形成面と磁気ギャップ形成面とが所要角度で傾斜
していることを特徴とするものである。
化物よりなる磁気コア半体対が接合されてなる磁気ヘッ
ドにおいて、一方の磁気コア半体の磁気ギャップ部がこ
の磁気コア半体の一平面上に真空薄膜形成技術により形
成される強磁性金属薄膜のみにより構成され、強磁性金
属薄膜形成面と磁気ギャップ形成面とが所要角度で傾斜
していることを特徴とするものである。
このように、一方の磁気コア半体に磁気ギャップ形成面
と傾斜する強磁性金属薄膜を設け、この強磁性金属薄膜
と他方の磁気コア半体とをギャップ材を介して突き合わ
せることにより、擬似ギャップが無く、高磁界記録を行
なうことが可能な磁気ヘッドを構成することができる。
と傾斜する強磁性金属薄膜を設け、この強磁性金属薄膜
と他方の磁気コア半体とをギャップ材を介して突き合わ
せることにより、擬似ギャップが無く、高磁界記録を行
なうことが可能な磁気ヘッドを構成することができる。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第1図は本発明を適用した複合型磁気ヘッドの一例を示
す外観斜視図であり、第2図はその磁気テープ摺接面を
示す平面図である。
す外観斜視図であり、第2図はその磁気テープ摺接面を
示す平面図である。
この磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体1,2
が例えばMn −Znフェライト等の酸化物磁性体によ
り形成され、一方の磁気コア半体2の強磁性金属薄膜形
成面2a上に被着形成される強磁性金属薄膜3と他方の
磁気コア半体1とをSiO2等のギャップ材を介して突
き合わせ、これら強磁性金属薄膜3と磁気コア半体1の
当接面間がトラック幅〜の磁気ギャップ4となるように
構成されている。なお、上記磁気ギャップ4の近傍部に
は、例えば低融点ガラスや高融点ガラス等の非磁性材5
,6が充填され、この磁気ヘッドの磁気テープ摺接面を
所定幅に確保し磁気テープの走行状態を安定なものとす
るとともに、上記強磁性金属薄膜3の摩耗を防止するよ
うにされている。
が例えばMn −Znフェライト等の酸化物磁性体によ
り形成され、一方の磁気コア半体2の強磁性金属薄膜形
成面2a上に被着形成される強磁性金属薄膜3と他方の
磁気コア半体1とをSiO2等のギャップ材を介して突
き合わせ、これら強磁性金属薄膜3と磁気コア半体1の
当接面間がトラック幅〜の磁気ギャップ4となるように
構成されている。なお、上記磁気ギャップ4の近傍部に
は、例えば低融点ガラスや高融点ガラス等の非磁性材5
,6が充填され、この磁気ヘッドの磁気テープ摺接面を
所定幅に確保し磁気テープの走行状態を安定なものとす
るとともに、上記強磁性金属薄膜3の摩耗を防止するよ
うにされている。
ここで、上記強磁性金属薄膜3が形成される磁気コア半
体2の強磁性金属薄膜形成面2aば、磁気コア半体1と
磁気コア半体2の突き合わせ面である磁気ギャップ形成
面7に対してθなる角度を持って傾斜しており、上記磁
気コア半体2におい ゛ては、強磁性金属薄膜
3のみにより磁気ギャップが構成されるように酸化物磁
性体である磁気コア半体2が切り欠かれている。
体2の強磁性金属薄膜形成面2aば、磁気コア半体1と
磁気コア半体2の突き合わせ面である磁気ギャップ形成
面7に対してθなる角度を持って傾斜しており、上記磁
気コア半体2におい ゛ては、強磁性金属薄膜
3のみにより磁気ギャップが構成されるように酸化物磁
性体である磁気コア半体2が切り欠かれている。
上記強磁性金属薄膜形成面2aと磁気ギャップ形成面7
とがなす角θは、20°から80°程度の範囲に設定す
ることが好ましい。ここで20°以下の角度であると、
隣接トラックからのクロストークが大きくなり、望まし
くは30°以上の角度を持たせるのがよい。また、上記
傾斜角度を90°にした場合は、耐摩耗性が劣ることか
ら、80°程度以下とするのがよい。まだ、傾斜角度を
90°にすると、磁気ギヤツブ驚の近傍部に形成される
上述の強磁性金属薄膜3の膜厚をトラック幅に等しく形
成する必要があり、真空薄膜形成技術を用いて薄膜を形
成するにあたって、多くの時間を要してしまうことや、
膜構造が不均一化してしまう点で好ましくない。
とがなす角θは、20°から80°程度の範囲に設定す
ることが好ましい。ここで20°以下の角度であると、
隣接トラックからのクロストークが大きくなり、望まし
くは30°以上の角度を持たせるのがよい。また、上記
傾斜角度を90°にした場合は、耐摩耗性が劣ることか
ら、80°程度以下とするのがよい。まだ、傾斜角度を
90°にすると、磁気ギヤツブ驚の近傍部に形成される
上述の強磁性金属薄膜3の膜厚をトラック幅に等しく形
成する必要があり、真空薄膜形成技術を用いて薄膜を形
成するにあたって、多くの時間を要してしまうことや、
膜構造が不均一化してしまう点で好ましくない。
すなわち、上記磁気コア半体2に被着形成される強磁性
金属薄膜3の膜厚tは、 t=Twiθ でよいことから、トラック幅に相当する膜厚を膜付けす
る必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮すること
ができる。ここで、Twはトラック幅であり、θは上記
強磁性金属薄膜形成面2aと磁気ギャップ形成面7との
なす角度である。
金属薄膜3の膜厚tは、 t=Twiθ でよいことから、トラック幅に相当する膜厚を膜付けす
る必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮すること
ができる。ここで、Twはトラック幅であり、θは上記
強磁性金属薄膜形成面2aと磁気ギャップ形成面7との
なす角度である。
また、上記強磁性金属薄膜3の材質としては、Fe −
1’J −Si系合金であるセンダスト合金や、Fe−
Aノ系合金、Fe−8t系合金、パーマロイ等が使用可
能であり、その膜付は方法としても、フラッジ−蒸着、
ガス中蒸着、イオンブレーティング。
1’J −Si系合金であるセンダスト合金や、Fe−
Aノ系合金、Fe−8t系合金、パーマロイ等が使用可
能であり、その膜付は方法としても、フラッジ−蒸着、
ガス中蒸着、イオンブレーティング。
スパッタリング、クラスター・イオンビーム法等に代表
される真空薄膜形成技術であれば如何なる手法であって
もよい。
される真空薄膜形成技術であれば如何なる手法であって
もよい。
このように構成される磁気ヘッドに対し、特に第2図中
矢印A方向に磁気テープを走行させることにより、強磁
性金属薄膜3が上記磁気テープとの相対運動を見た時の
走行方向におけるトレイリング・エツジ側に配置される
ことから、高磁界記録が可能となる。
矢印A方向に磁気テープを走行させることにより、強磁
性金属薄膜3が上記磁気テープとの相対運動を見た時の
走行方向におけるトレイリング・エツジ側に配置される
ことから、高磁界記録が可能となる。
次に、本発明に係る磁気ヘッドの構成をより明確なもの
とするために、その製造方法について説明する。
とするために、その製造方法について説明する。
本発明に係る磁気ヘッドを作製するには、先ず、第3図
に示すように第1の酸化物磁性体ブロック11を用意し
、この酸化物磁性体ブロック11の磁気ギャップ形成面
に対応する上面11aに断面路々コ字状の切溝12を全
幅に亘って複数形成し、さらに上記切溝12とオーバー
ラツプせずにこの切溝12と隣接して平行に配設される
幅規制溝13を形成する。このとき、上記切溝12と上
記幅規制溝13間に残存される突起部14の幅dは、ト
ラック幅Twよりも若干小さめになるようにこれら発情
12.13を形成しておく。
に示すように第1の酸化物磁性体ブロック11を用意し
、この酸化物磁性体ブロック11の磁気ギャップ形成面
に対応する上面11aに断面路々コ字状の切溝12を全
幅に亘って複数形成し、さらに上記切溝12とオーバー
ラツプせずにこの切溝12と隣接して平行に配設される
幅規制溝13を形成する。このとき、上記切溝12と上
記幅規制溝13間に残存される突起部14の幅dは、ト
ラック幅Twよりも若干小さめになるようにこれら発情
12.13を形成しておく。
次いで、第4図に示すように、上記切溝12及び幅規制
溝13内に、高融点酸化物ガラス15を充填し、上記磁
気ギャップ形成面に対応する酸化物磁性体ブロック11
の上面11aを鏡面加工し、上記突起部14の幅dを所
定のトラック幅Twになるようにする。
溝13内に、高融点酸化物ガラス15を充填し、上記磁
気ギャップ形成面に対応する酸化物磁性体ブロック11
の上面11aを鏡面加工し、上記突起部14の幅dを所
定のトラック幅Twになるようにする。
一方、先の第1の酸化物磁性体ブロック11と略同−形
状の第2の酸化物磁性体ブロック16を用意し、第5図
に示すように、この第2の酸化物磁性体ブロック16の
長手方向の一稜部に複数の切溝17を、回転砥石または
電解エツチング等により複数形成する。すなわち、上記
第2の酸化物磁性体ブロック16の上面16aは磁気ギ
ヤング形成面に対応し、上記切溝17は上記ブ0ツク1
6の磁気ギャップ形成位置近傍部に相当する部分に形成
される。
状の第2の酸化物磁性体ブロック16を用意し、第5図
に示すように、この第2の酸化物磁性体ブロック16の
長手方向の一稜部に複数の切溝17を、回転砥石または
電解エツチング等により複数形成する。すなわち、上記
第2の酸化物磁性体ブロック16の上面16aは磁気ギ
ヤング形成面に対応し、上記切溝17は上記ブ0ツク1
6の磁気ギャップ形成位置近傍部に相当する部分に形成
される。
次に、第6図に示すように、上記切溝17に高融点ガラ
ス18を溶融充填したのち、上面16aと前面16bと
を平面研摩する。
ス18を溶融充填したのち、上面16aと前面16bと
を平面研摩する。
次いで、第7図に示すように、ガラス18を充填した上
記切溝17の一部とオーバラップするように上記−稜部
にこの切溝17と隣り合う複数の切溝19を形成する。
記切溝17の一部とオーバラップするように上記−稜部
にこの切溝17と隣り合う複数の切溝19を形成する。
この時、形成される切溝19の内壁面20に°は、上記
ガラス18の一部が露出している。まだ、この内壁面2
0と上記上面16aとの交線21は、上記前面16bと
直角をなしている。また、この内壁面20は強磁性金属
薄膜形成面に対応し、しだがってこの内壁面20と上面
16aとのなす角度は角θに相幽し、20°〜80゜の
所要角度、たとえば45°に設定されている。
ガラス18の一部が露出している。まだ、この内壁面2
0と上記上面16aとの交線21は、上記前面16bと
直角をなしている。また、この内壁面20は強磁性金属
薄膜形成面に対応し、しだがってこの内壁面20と上面
16aとのなす角度は角θに相幽し、20°〜80゜の
所要角度、たとえば45°に設定されている。
さらに、第8図に示すように、上記酸化物磁性体ブロッ
ク16の切溝19近傍に、スパッタ法を用いて、高透磁
率合金のたとえばセンダストを被着形成し、強磁性金属
薄膜22を形成する。
ク16の切溝19近傍に、スパッタ法を用いて、高透磁
率合金のたとえばセンダストを被着形成し、強磁性金属
薄膜22を形成する。
続いて、第19図に示すように、上記金属薄膜22が被
着された上記切溝19内に、上記ガラス18よシも低融
点のガラス23を溶融充填したのち、上面16a及び前
面16bを平面研磨し、余分な強磁性金属薄膜を除去し
て鏡面仕上げを行なう。この結果、前の工程で被着した
強磁性金属薄膜22の一部が上記切溝19の内壁面20
に残り、この内壁面20に強磁性金属薄膜24が被着し
た状態となる。
着された上記切溝19内に、上記ガラス18よシも低融
点のガラス23を溶融充填したのち、上面16a及び前
面16bを平面研磨し、余分な強磁性金属薄膜を除去し
て鏡面仕上げを行なう。この結果、前の工程で被着した
強磁性金属薄膜22の一部が上記切溝19の内壁面20
に残り、この内壁面20に強磁性金属薄膜24が被着し
た状態となる。
さらに、この第2の酸化物磁性体ブロック16に対して
は、第10図に示すように、上記発情17゜19と直交
し、所定のデプス幅を確保するように巻線溝25を形成
する。なお、この巻線溝25は、上記第1の酸化物磁性
体ブロック11に形成することも考えられるが、この例
のように強磁性金属薄膜形成側のブロックに加工した方
が記録時のフロントギャップ飽和対策上好ましい。
は、第10図に示すように、上記発情17゜19と直交
し、所定のデプス幅を確保するように巻線溝25を形成
する。なお、この巻線溝25は、上記第1の酸化物磁性
体ブロック11に形成することも考えられるが、この例
のように強磁性金属薄膜形成側のブロックに加工した方
が記録時のフロントギャップ飽和対策上好ましい。
上述のような加工を施しだ第1の酸化物磁性体ブロック
11及び第2の酸化物磁性体ブロック16を、第11図
に示すように突起部14と強磁性金属薄膜24とが一致
するように重ね合わせ、ガラス融着により接合する。
11及び第2の酸化物磁性体ブロック16を、第11図
に示すように突起部14と強磁性金属薄膜24とが一致
するように重ね合わせ、ガラス融着により接合する。
最後に、上記接合により一体化された酸化物磁の位置で
スライシング加工し、磁気テープ摺接面を円筒研磨して
第1図に示すような磁気ヘッドを完成する。
スライシング加工し、磁気テープ摺接面を円筒研磨して
第1図に示すような磁気ヘッドを完成する。
ところで、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、例えば第1の酸化物磁性体ブロック11あるいは
第2の酸化物磁性体ブロック16に形成される溝形状や
、スライシング方向等を変更することにより第12図な
いし第15図にその磁気テープ摺接面を示すような磁気
ヘッドを構成することができる。なお、これら各側にお
いて、先の実施例と同一の部材には同一の符号を付して
、 。
なく、例えば第1の酸化物磁性体ブロック11あるいは
第2の酸化物磁性体ブロック16に形成される溝形状や
、スライシング方向等を変更することにより第12図な
いし第15図にその磁気テープ摺接面を示すような磁気
ヘッドを構成することができる。なお、これら各側にお
いて、先の実施例と同一の部材には同一の符号を付して
、 。
ある。
先ず、第12図に示す磁気ヘッドは、強磁性金属薄膜3
が形成される磁気コア半体2の先端が磁気ギャップ4近
傍まで残存されるものである。
が形成される磁気コア半体2の先端が磁気ギャップ4近
傍まで残存されるものである。
第13図及び第14図に示す磁気ヘッドにおいては、酸
化物磁性体により磁気ギャップが構成される第1の磁気
コア半体1のトラック幅が若干広く形成されており、し
たがって磁気コア半体1と磁気コア半体2の突き合わせ
誤差をある程度許容することができる。
化物磁性体により磁気ギャップが構成される第1の磁気
コア半体1のトラック幅が若干広く形成されており、し
たがって磁気コア半体1と磁気コア半体2の突き合わせ
誤差をある程度許容することができる。
第17図は、スライシング方向を変更することにより磁
気ギャップ4にアジマス角を持たせた例である。
気ギャップ4にアジマス角を持たせた例である。
また、先の実施例においては、第1の酸化物磁性体ブロ
ック11に対し切溝12及び幅規制溝13をバンクギャ
ップ側にまで同形状に形成し、磁気コア半体1がバック
ギャップ側においてもトラック幅で接合されるが、上記
切溝12及び幅規制溝13を第2の酸化物磁性体ブロッ
ク16に設けられる切溝17と同様に斜めに形成するこ
とにより、バックギャップ側を全てフェライト(酸化物
磁性体)同士の接合とすることも可能である。
ック11に対し切溝12及び幅規制溝13をバンクギャ
ップ側にまで同形状に形成し、磁気コア半体1がバック
ギャップ側においてもトラック幅で接合されるが、上記
切溝12及び幅規制溝13を第2の酸化物磁性体ブロッ
ク16に設けられる切溝17と同様に斜めに形成するこ
とにより、バックギャップ側を全てフェライト(酸化物
磁性体)同士の接合とすることも可能である。
上述の説明からも明らかなように、本発明に係る磁気ヘ
ッドにおいては、一方の磁気コア半体に斜めに設けられ
る強磁性金属薄膜と酸化物磁性体により形成される他方
の磁気コア半体とを突き合わせて磁気ギャップを構成し
ているので、擬似ギャップ現象が解消され、高周波域、
低周波域ともに原信号に忠実な信号再生が可能であり、
SN比も高いものとなる。
ッドにおいては、一方の磁気コア半体に斜めに設けられ
る強磁性金属薄膜と酸化物磁性体により形成される他方
の磁気コア半体とを突き合わせて磁気ギャップを構成し
ているので、擬似ギャップ現象が解消され、高周波域、
低周波域ともに原信号に忠実な信号再生が可能であり、
SN比も高いものとなる。
また、磁気ギャップの片側が強磁性金属材料により構成
されるので、高磁界記録が可能となり、メタルテープ等
の高抗磁力Hcを有する磁気記録媒体の記録再生に好適
なものである。
されるので、高磁界記録が可能となり、メタルテープ等
の高抗磁力Hcを有する磁気記録媒体の記録再生に好適
なものである。
さらに、本発明に係る磁気ヘッドにおいては、磁気テー
プ摺接面のフェライト露出面積が大きいだめに、フェラ
イトヘッドに近い耐摩耗性が確保される。
プ摺接面のフェライト露出面積が大きいだめに、フェラ
イトヘッドに近い耐摩耗性が確保される。
さらにまた、強磁性金属薄膜は真空薄膜形成技術により
作製され膜付は時間も短かいもので済むので、例えば強
磁性金属薄帯を接合して磁気ヘッドを作製する方法に比
べて生産性や信頼性、製造コスト等の点で有利である。
作製され膜付は時間も短かいもので済むので、例えば強
磁性金属薄帯を接合して磁気ヘッドを作製する方法に比
べて生産性や信頼性、製造コスト等の点で有利である。
第1図は本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す外観
斜視図であり、第2図はその磁気テープ摺接面を示す平
面図である。 第3図ないし第11図は第1図に示す磁気ヘッドの製造
方法をその工程順序に従って示す概略的な斜視図であっ
て、第3図は第1の酸化物磁性体ブロックの溝加工工程
、第4図は高融点酸化物ガラス充填工程、第5図は第2
の酸化物磁性体ブロックの第1の溝加工工程、第6図は
ガラス充填工程、第7図は第2の溝加工工程、第8図は
強磁性金属薄膜被着工程、第9図はガラス充填及び鏡面
加工工程、第10図は巻線溝加工工程、第11図は第1
の酸化物磁性体ブロックと第2の酸化物磁性体ブロック
の接合工程、をそれぞれ示すものである。 第12図ないし第15図は、それぞれ本発明の他の例に
おける磁気チー・プ摺接面を示す平面図である。 第16図は、従来の磁気ヘッドの一例の磁気テープ摺接
面を示す平面図である。 1.2・・・磁気コア体 2a・・・強磁性金属薄膜形成面 3・・・強磁性金属薄膜 4・・・磁気ギャップ 特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小 池 見 回 田村榮−
斜視図であり、第2図はその磁気テープ摺接面を示す平
面図である。 第3図ないし第11図は第1図に示す磁気ヘッドの製造
方法をその工程順序に従って示す概略的な斜視図であっ
て、第3図は第1の酸化物磁性体ブロックの溝加工工程
、第4図は高融点酸化物ガラス充填工程、第5図は第2
の酸化物磁性体ブロックの第1の溝加工工程、第6図は
ガラス充填工程、第7図は第2の溝加工工程、第8図は
強磁性金属薄膜被着工程、第9図はガラス充填及び鏡面
加工工程、第10図は巻線溝加工工程、第11図は第1
の酸化物磁性体ブロックと第2の酸化物磁性体ブロック
の接合工程、をそれぞれ示すものである。 第12図ないし第15図は、それぞれ本発明の他の例に
おける磁気チー・プ摺接面を示す平面図である。 第16図は、従来の磁気ヘッドの一例の磁気テープ摺接
面を示す平面図である。 1.2・・・磁気コア体 2a・・・強磁性金属薄膜形成面 3・・・強磁性金属薄膜 4・・・磁気ギャップ 特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小 池 見 回 田村榮−
Claims (1)
- 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対が接合されてなる
磁気ヘッドにおいて、一方の磁気コア半体の磁気ギャッ
プ部がこの磁気コア半体の一平面上に真空薄膜形成技術
により形成される強磁性金属薄膜のみにより構成され、
強磁性金属薄膜形成面と磁気ギャップ形成面とが所要角
度で傾斜していることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19758984A JPS6174114A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19758984A JPS6174114A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6174114A true JPS6174114A (ja) | 1986-04-16 |
JPH0476167B2 JPH0476167B2 (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=16376998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19758984A Granted JPS6174114A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6174114A (ja) |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19758984A patent/JPS6174114A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0476167B2 (ja) | 1992-12-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |