JPH0565924B2 - - Google Patents
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- JPH0565924B2 JPH0565924B2 JP23209684A JP23209684A JPH0565924B2 JP H0565924 B2 JPH0565924 B2 JP H0565924B2 JP 23209684 A JP23209684 A JP 23209684A JP 23209684 A JP23209684 A JP 23209684A JP H0565924 B2 JPH0565924 B2 JP H0565924B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘツドに関するものであり、特に
磁気ギヤツプ近傍部が強磁性金属薄膜で形成され
てなる、いわゆる複合型の磁気ヘツドに関するも
のである。
磁気ギヤツプ近傍部が強磁性金属薄膜で形成され
てなる、いわゆる複合型の磁気ヘツドに関するも
のである。
例えばVTR（ビデオテープレコーダ）等の磁気
記録再生装置においては、記録信号の高密度化が
進められており、この高密度記録に対応して磁気
記録媒体として磁性粉にFe，Co，Ni等の強磁性
金属の粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、
強磁性金属材料を蒸着によりベースフイルム上に
被着した、いわゆる蒸着テープ等が使用されるよ
うになつている。そして、この種の磁気記録媒体
は高い抗磁力Hcを有するために、記録再生に用
いる磁気ヘツドのヘツド材料にも高い飽和磁束密
度Bsを有することが要求されている。例えば、
従来磁気ヘツド材料として多用されているフエラ
イト材では飽和磁束密度Bsが低く、またパーマ
ロイでは耐摩耗性に問題がある。
記録再生装置においては、記録信号の高密度化が
進められており、この高密度記録に対応して磁気
記録媒体として磁性粉にFe，Co，Ni等の強磁性
金属の粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、
強磁性金属材料を蒸着によりベースフイルム上に
被着した、いわゆる蒸着テープ等が使用されるよ
うになつている。そして、この種の磁気記録媒体
は高い抗磁力Hcを有するために、記録再生に用
いる磁気ヘツドのヘツド材料にも高い飽和磁束密
度Bsを有することが要求されている。例えば、
従来磁気ヘツド材料として多用されているフエラ
イト材では飽和磁束密度Bsが低く、またパーマ
ロイでは耐摩耗性に問題がある。
一方、上述の高密度記録化に伴つて、磁気記録
媒体に記録される記録トラツクのトラツク幅の狭
小化も進められており、これに対応して磁気ヘツ
ドのトラツク幅も極めて狭いものが要求されてい
る。
媒体に記録される記録トラツクのトラツク幅の狭
小化も進められており、これに対応して磁気ヘツ
ドのトラツク幅も極めて狭いものが要求されてい
る。
そこで従来、例えばセラミツクス等の非磁性基
板上に強磁性金属薄膜を被着形成し、これをトラ
ツク部分とした複合型磁気ヘツドが提案されてい
るが、この種の磁気ヘツドでは磁路が膜厚の薄い
強磁性金属薄膜のみにより構成されるので、磁気
抵抗が大きく効率上好ましくなく、また上記強磁
性金属薄膜の膜形成を膜成長速度の極めて遅い真
空薄膜形成技術で行うため、磁気ヘツド作製に時
間を要する等の問題があつた。
板上に強磁性金属薄膜を被着形成し、これをトラ
ツク部分とした複合型磁気ヘツドが提案されてい
るが、この種の磁気ヘツドでは磁路が膜厚の薄い
強磁性金属薄膜のみにより構成されるので、磁気
抵抗が大きく効率上好ましくなく、また上記強磁
性金属薄膜の膜形成を膜成長速度の極めて遅い真
空薄膜形成技術で行うため、磁気ヘツド作製に時
間を要する等の問題があつた。
あるいは、磁気コア部がフエライト等の強磁性
酸化物からなり、これら各磁気コア部の磁気ギヤ
ツプ形成面に強磁性金属薄膜を被着した複合型磁
気ヘツドも提案されているが、この場合には磁路
と上記金属薄膜とが直交する方向に位置するため
渦電流損失が発生し再生出力の低下を招く虞れが
あり、また上記磁気コア部と上記金属薄膜間に擬
似ギヤツプが形成され、充分な信頼性が得られな
い等の問題がある。
酸化物からなり、これら各磁気コア部の磁気ギヤ
ツプ形成面に強磁性金属薄膜を被着した複合型磁
気ヘツドも提案されているが、この場合には磁路
と上記金属薄膜とが直交する方向に位置するため
渦電流損失が発生し再生出力の低下を招く虞れが
あり、また上記磁気コア部と上記金属薄膜間に擬
似ギヤツプが形成され、充分な信頼性が得られな
い等の問題がある。
そこで本願出願人は、先に特願昭58−250988号
（特開昭60−229210号）明細書において、例えば
メタルテープ等の高い抗磁力を有する磁気テープ
に高密度記録するのに適した複合型磁気ヘツドを
提案した。この磁気ヘツドは、第１１図に示すよ
うに、Mn−Znフエライト等の強磁性酸化物によ
り形成される一対の磁気コア半体１０１，１０２
の突き合わせ面をそれぞれ斜めに切り欠いて強磁
性金属薄膜形成面１０３，１０４を形成し、この
強磁性金属薄膜形成面１０３，１０４上に真空薄
膜形成技術によりセンダスト等の強磁性金属薄膜
１０５，１０６を被着形成し、これら強磁性金属
薄膜１０５，１０６を当接することにより磁気ギ
ヤツプ１０７を構成し、さらにトラツク幅規制溝
内にテープ摺接面を確保し強磁性金属薄膜１０
５，１０６の摩耗を防止するために低融点ガラス
１０８，１０９あるいは高融点ガラス１１０，１
１１を充填して構成されるものであつて、信頼性
や磁気特性、耐摩耗性等の点で優れた特性を有す
るものである。
（特開昭60−229210号）明細書において、例えば
メタルテープ等の高い抗磁力を有する磁気テープ
に高密度記録するのに適した複合型磁気ヘツドを
提案した。この磁気ヘツドは、第１１図に示すよ
うに、Mn−Znフエライト等の強磁性酸化物によ
り形成される一対の磁気コア半体１０１，１０２
の突き合わせ面をそれぞれ斜めに切り欠いて強磁
性金属薄膜形成面１０３，１０４を形成し、この
強磁性金属薄膜形成面１０３，１０４上に真空薄
膜形成技術によりセンダスト等の強磁性金属薄膜
１０５，１０６を被着形成し、これら強磁性金属
薄膜１０５，１０６を当接することにより磁気ギ
ヤツプ１０７を構成し、さらにトラツク幅規制溝
内にテープ摺接面を確保し強磁性金属薄膜１０
５，１０６の摩耗を防止するために低融点ガラス
１０８，１０９あるいは高融点ガラス１１０，１
１１を充填して構成されるものであつて、信頼性
や磁気特性、耐摩耗性等の点で優れた特性を有す
るものである。
ところで、上述の如く構成される磁気ヘツドで
は、磁気ギヤツプを構成する強磁性金属薄膜とし
て、ターゲツトに対し傾斜して配置される強磁性
金属薄膜形成面上に被着形成される強磁性金属薄
膜を使用しているので、この強磁性金属薄膜の磁
気ギヤツプ構成部での透磁率が若干低下し、記録
再生出力が高い磁気ヘツドが得難いという問題が
ある。
は、磁気ギヤツプを構成する強磁性金属薄膜とし
て、ターゲツトに対し傾斜して配置される強磁性
金属薄膜形成面上に被着形成される強磁性金属薄
膜を使用しているので、この強磁性金属薄膜の磁
気ギヤツプ構成部での透磁率が若干低下し、記録
再生出力が高い磁気ヘツドが得難いという問題が
ある。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提
案されたものであつて、磁気ギヤツプ近傍部での
強磁性金属薄膜の透磁率の低下を防ぎ、信頼性が
高く、高出力の磁気ヘツドを提供することを目的
とする。
案されたものであつて、磁気ギヤツプ近傍部での
強磁性金属薄膜の透磁率の低下を防ぎ、信頼性が
高く、高出力の磁気ヘツドを提供することを目的
とする。
この目的を達成するために本発明の磁気ヘツド
は、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体の接合面
を切り欠き強磁性薄膜形成面を形成し、この強磁
性薄膜形成面上に真空薄膜形成技術による第１の
強磁性金属薄膜を形成するとともに、前記第１の
強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギヤツプ
を構成してなる磁気ヘツドにおいて、上記強磁性
薄膜形成面と磁気ギヤツプ形成面とが所要角度で
傾斜するとともに、上記第１の強磁性金属薄膜の
みにより磁気ギヤツプが構成され、上記第１の強
磁性金属薄膜の磁気ギヤツプ構成部に上記磁気ギ
ヤツプ形成面に対して略直交する向きの柱状構造
を有する第２の強磁性金属薄膜を設けてなるもの
である。
は、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体の接合面
を切り欠き強磁性薄膜形成面を形成し、この強磁
性薄膜形成面上に真空薄膜形成技術による第１の
強磁性金属薄膜を形成するとともに、前記第１の
強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギヤツプ
を構成してなる磁気ヘツドにおいて、上記強磁性
薄膜形成面と磁気ギヤツプ形成面とが所要角度で
傾斜するとともに、上記第１の強磁性金属薄膜の
みにより磁気ギヤツプが構成され、上記第１の強
磁性金属薄膜の磁気ギヤツプ構成部に上記磁気ギ
ヤツプ形成面に対して略直交する向きの柱状構造
を有する第２の強磁性金属薄膜を設けてなるもの
である。
このように、磁気ギヤツプ形成面に対して傾斜
する斜面、すなわち強磁性金属薄膜形成面上に被
着形成される第１の強磁性金属薄膜の磁気ギヤツ
プ構成部上に、上記磁気ギヤツプ形成面と直交す
る方向の柱状構造を有する第２の強磁性金属薄膜
を設けているので、磁気ギヤツプ近傍部の強磁性
金属薄膜の透磁率がより一層高くなる。
する斜面、すなわち強磁性金属薄膜形成面上に被
着形成される第１の強磁性金属薄膜の磁気ギヤツ
プ構成部上に、上記磁気ギヤツプ形成面と直交す
る方向の柱状構造を有する第２の強磁性金属薄膜
を設けているので、磁気ギヤツプ近傍部の強磁性
金属薄膜の透磁率がより一層高くなる。
以下、本発明を適用した磁気ヘツドの一実施例
を図面を参照しながら説明する。
を図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明を適用した複合型磁気ヘツドの
一例を示す外観斜視図であり、第２図はその磁気
テープ摺接面を示す要部平面図である。
一例を示す外観斜視図であり、第２図はその磁気
テープ摺接面を示す要部平面図である。
この磁気ヘツドにおいては、一対の磁気コア半
体１，２が例えばMn−Zn系フエライト等の強磁
性酸化物により形成され、上記磁気コア半体１，
２の磁気ギヤツプ形成面１１に対してθなる角度
で傾斜している強磁性金属薄膜形成面３，４上に
第１の強磁性金属薄膜５，６が被着形成され、さ
らに上記第１の強磁性金属薄膜５，６の磁気ギヤ
ツプ構成部７，８上に第２の強磁性金属薄膜９，
１０が、その柱状構造成長方向が磁気ギヤツプ形
成面１１に対して略直角になるように被着形成さ
れている。そして、これら一対の磁気コア半体
１，２をSiO2等のギヤツプ材を介して突き合わ
せ、上記第２の強磁性金属薄膜９，１０の当接面
間がトラツク幅Twの磁気ギヤツプ１２となるよ
うに構成されている。なお、上記磁気ギヤツプ１
２の近傍部には、例えばガラス等の非磁性材１
３，１４が充填され、この磁気ヘツドの磁気テー
プ摺接面を所定の幅に確保し磁気テープの走行状
態を安定なものとするとともに、上記第１の強磁
性金属薄膜５，６及び第２の強磁性金属薄膜９，
１０の摩耗を防止するようにされている。
体１，２が例えばMn−Zn系フエライト等の強磁
性酸化物により形成され、上記磁気コア半体１，
２の磁気ギヤツプ形成面１１に対してθなる角度
で傾斜している強磁性金属薄膜形成面３，４上に
第１の強磁性金属薄膜５，６が被着形成され、さ
らに上記第１の強磁性金属薄膜５，６の磁気ギヤ
ツプ構成部７，８上に第２の強磁性金属薄膜９，
１０が、その柱状構造成長方向が磁気ギヤツプ形
成面１１に対して略直角になるように被着形成さ
れている。そして、これら一対の磁気コア半体
１，２をSiO2等のギヤツプ材を介して突き合わ
せ、上記第２の強磁性金属薄膜９，１０の当接面
間がトラツク幅Twの磁気ギヤツプ１２となるよ
うに構成されている。なお、上記磁気ギヤツプ１
２の近傍部には、例えばガラス等の非磁性材１
３，１４が充填され、この磁気ヘツドの磁気テー
プ摺接面を所定の幅に確保し磁気テープの走行状
態を安定なものとするとともに、上記第１の強磁
性金属薄膜５，６及び第２の強磁性金属薄膜９，
１０の摩耗を防止するようにされている。
なお、上記強磁性金属薄膜形成面３，４と磁気
ギヤツプ形成面１１とがなす角θは、20度から80
度程度の範囲に設定することが好ましい。ここで
20度以下の角度であると、隣接トラツクからのク
ロストークが大きくなり、望ましくは30度以上の
角度を持たせるのがよい。また、上記傾斜角度を
90度にした場合は、耐摩耗性が劣ることから、80
度程度以下とするのがよい。また、傾斜角度を90
度にすると、磁気ギヤツプ１２の近傍部に形成さ
れる上述の強磁性金属薄膜５，６の膜厚をトラツ
ク幅Twに等しく形成する必要があり、真空薄膜
形成技術を用いて薄膜を形成するにあたつて、多
くの時間を要してしまうことや、膜構造が不均一
化してしまう点で好ましくない。
ギヤツプ形成面１１とがなす角θは、20度から80
度程度の範囲に設定することが好ましい。ここで
20度以下の角度であると、隣接トラツクからのク
ロストークが大きくなり、望ましくは30度以上の
角度を持たせるのがよい。また、上記傾斜角度を
90度にした場合は、耐摩耗性が劣ることから、80
度程度以下とするのがよい。また、傾斜角度を90
度にすると、磁気ギヤツプ１２の近傍部に形成さ
れる上述の強磁性金属薄膜５，６の膜厚をトラツ
ク幅Twに等しく形成する必要があり、真空薄膜
形成技術を用いて薄膜を形成するにあたつて、多
くの時間を要してしまうことや、膜構造が不均一
化してしまう点で好ましくない。
すなわち、上記磁気コア半対１，２に被着形成
される強磁性金属薄膜５，６の膜厚ｔは ｔ＝Twsinθ でよいことから、トラツク幅Twに相当する膜厚
を膜付けする必要がなく、ヘツド作製に要する時
間を短縮することができる。ここで、Twはトラ
ツク幅であり、θは上記強磁性金属薄膜形成面
３，４と磁気ギヤツプ形成面１１とのなす角度で
ある。
される強磁性金属薄膜５，６の膜厚ｔは ｔ＝Twsinθ でよいことから、トラツク幅Twに相当する膜厚
を膜付けする必要がなく、ヘツド作製に要する時
間を短縮することができる。ここで、Twはトラ
ツク幅であり、θは上記強磁性金属薄膜形成面
３，４と磁気ギヤツプ形成面１１とのなす角度で
ある。
また、上記強磁性金属薄膜５，６，９，１０の
材質としては、Fe−Al−Si系合金であるセンダ
スト合金が使用可能であり、その膜付け方法とし
ても、フラツシユ蒸着、ガス蒸着、イオンプレー
テイング、スパツタリング、クラスター・イオン
ビーム法等に代表される真空薄膜形成技術が採用
される。
材質としては、Fe−Al−Si系合金であるセンダ
スト合金が使用可能であり、その膜付け方法とし
ても、フラツシユ蒸着、ガス蒸着、イオンプレー
テイング、スパツタリング、クラスター・イオン
ビーム法等に代表される真空薄膜形成技術が採用
される。
上記第１の強磁性金属薄膜５，６の磁気ギヤツ
プ構成部７，８上に被着形成される第２の強磁性
金属薄膜９，１０は、例えば上記第１の強磁性金
属薄膜５，６の磁気ギヤツプ部７，８がターゲツ
トに対して平行になるように配置して真空蒸着技
術により被着することによつて形成され、従つ
て、この第２の強磁性金属薄膜９，１０の柱状構
造は磁気ギヤツプ形成面に対して直交する方向に
生起され、透磁率の高いものとなる。
プ構成部７，８上に被着形成される第２の強磁性
金属薄膜９，１０は、例えば上記第１の強磁性金
属薄膜５，６の磁気ギヤツプ部７，８がターゲツ
トに対して平行になるように配置して真空蒸着技
術により被着することによつて形成され、従つ
て、この第２の強磁性金属薄膜９，１０の柱状構
造は磁気ギヤツプ形成面に対して直交する方向に
生起され、透磁率の高いものとなる。
次に、本発明に係る磁気ヘツドの構成をより明
確なものとするために、その製造方法について説
明する。
確なものとするために、その製造方法について説
明する。
本発明に係る磁気ヘツドを作製するには、ま
ず、第３図に示すように、例えばMn−Zn系フエ
ライト等の強磁性酸化物基板２０の上面２０ａ、
すなわちこの強磁性酸化物基板２０における磁気
コア半体突き合わせ時の接合面に、回転砥石等に
より断面略Ｖ字状の第１の切溝２１を全幅に亘つ
て複数平行に形成して、強磁性金属薄膜形成面２
１ａを形成する。なお、上記強磁性金属薄膜形成
面２１ａは、上記強磁性酸化物基板２０の磁気ギ
ヤツプ形成面に対応する上面２０ａと所定角度θ
で傾斜するように斜面として形成され、その角度
θは、ここではおよそ45°に設定されている。
ず、第３図に示すように、例えばMn−Zn系フエ
ライト等の強磁性酸化物基板２０の上面２０ａ、
すなわちこの強磁性酸化物基板２０における磁気
コア半体突き合わせ時の接合面に、回転砥石等に
より断面略Ｖ字状の第１の切溝２１を全幅に亘つ
て複数平行に形成して、強磁性金属薄膜形成面２
１ａを形成する。なお、上記強磁性金属薄膜形成
面２１ａは、上記強磁性酸化物基板２０の磁気ギ
ヤツプ形成面に対応する上面２０ａと所定角度θ
で傾斜するように斜面として形成され、その角度
θは、ここではおよそ45°に設定されている。
次いで、第４図に示すように、上記基板２０を
ターゲツトと平行に配置して、上記強磁性金属薄
膜形成面２１ａ上にセンダスト等の第１の強磁性
金属薄膜２３をスパツタ等の真空薄膜形成技術に
より形成する。
ターゲツトと平行に配置して、上記強磁性金属薄
膜形成面２１ａ上にセンダスト等の第１の強磁性
金属薄膜２３をスパツタ等の真空薄膜形成技術に
より形成する。
さらに、第５図に示すように、上記基板２０の
上面２０ａを平面研削し、平滑度良く面出しを行
い、上記基板２０の上面２０ａに上記強磁性金属
薄膜形成面２１ａに被着される第１の強磁性金属
薄膜２３を露出させる。
上面２０ａを平面研削し、平滑度良く面出しを行
い、上記基板２０の上面２０ａに上記強磁性金属
薄膜形成面２１ａに被着される第１の強磁性金属
薄膜２３を露出させる。
つぎに、第６図に示すように、上記第１の強磁
性金属薄膜２３が被着形成された強磁性金属薄膜
形成面２１ａに隣接して、上記強磁性金属薄膜２
３の一側縁２３ａと若干オーバーラツプするよう
に第１の切溝２１と平行に第２の切溝２５を切削
加工し、上記基板２０の上面２０ａに対して鏡面
加工を施す。この結果、上記強磁性金属薄膜２３
のみにより磁気ギヤツプが構成されるようにトラ
ツク幅が規制される。
性金属薄膜２３が被着形成された強磁性金属薄膜
形成面２１ａに隣接して、上記強磁性金属薄膜２
３の一側縁２３ａと若干オーバーラツプするよう
に第１の切溝２１と平行に第２の切溝２５を切削
加工し、上記基板２０の上面２０ａに対して鏡面
加工を施す。この結果、上記強磁性金属薄膜２３
のみにより磁気ギヤツプが構成されるようにトラ
ツク幅が規制される。
上述のような工程により作製される一対の強磁
性酸化物基板２０のうち、一方の基板２０に対し
て、第７図に示すように、上記第１の切溝２１及
び第２の切溝２５と直交する方向に溝加工を施
し、巻線溝３１を形成し強磁性酸化物基板３０を
得る。
性酸化物基板２０のうち、一方の基板２０に対し
て、第７図に示すように、上記第１の切溝２１及
び第２の切溝２５と直交する方向に溝加工を施
し、巻線溝３１を形成し強磁性酸化物基板３０を
得る。
次いで、上記強磁性酸化物基板２０及び上記巻
線溝３１を形成した強磁性酸化物基板３０を、タ
ーゲツトに対して平行に配置し、第８図に示すよ
うに、これら基板２０，３０の上面２０ａ，３０
ａに垂直方向からスパツタリング等の真空薄膜形
成技術により第２の強磁性金属薄膜３５，３６を
全面に亘つて被着形成する。
線溝３１を形成した強磁性酸化物基板３０を、タ
ーゲツトに対して平行に配置し、第８図に示すよ
うに、これら基板２０，３０の上面２０ａ，３０
ａに垂直方向からスパツタリング等の真空薄膜形
成技術により第２の強磁性金属薄膜３５，３６を
全面に亘つて被着形成する。
このとき、上記強磁性金属薄膜２３の突き合わ
せ面２３ｂは、上記ターゲツトと平行に対向する
ので、この突き合わせ面２３ｂ上には、これら基
板２０，３０の上面２０ａ，３０ａ、すなわち磁
気ギヤツプ形成面と直交する方向の柱状構造を有
する強磁性金属薄膜が第２の強磁性金属薄膜３
５，３６として形成される。
せ面２３ｂは、上記ターゲツトと平行に対向する
ので、この突き合わせ面２３ｂ上には、これら基
板２０，３０の上面２０ａ，３０ａ、すなわち磁
気ギヤツプ形成面と直交する方向の柱状構造を有
する強磁性金属薄膜が第２の強磁性金属薄膜３
５，３６として形成される。
続いて、上記基板２０に被着形成される第２の
強磁性金属薄膜３５上か上記基板３０に被着形成
される強磁性金属薄膜３６上のいずれか一方にギ
ヤツプスペーサ（SiO2等により形成される。）を
被着し、第８図に示すように、これら基板２０，
３０を上記強磁性金属薄膜２３同士が突き合わさ
れるように接合配置する。そして、これら基板２
０及び３０をガラスにより融着すると同時に、上
記第１の切溝２１と上記第２の切溝２５に上記ガ
ラスを充填する。
強磁性金属薄膜３５上か上記基板３０に被着形成
される強磁性金属薄膜３６上のいずれか一方にギ
ヤツプスペーサ（SiO2等により形成される。）を
被着し、第８図に示すように、これら基板２０，
３０を上記強磁性金属薄膜２３同士が突き合わさ
れるように接合配置する。そして、これら基板２
０及び３０をガラスにより融着すると同時に、上
記第１の切溝２１と上記第２の切溝２５に上記ガ
ラスを充填する。
最後に、第８図中ａ−ａ線及びa′−a′線の位置
でスライシング加工し、複数個のヘツドチツプを
切り出した後、磁気テープ摺接面を円筒研磨する
ことにより、第１図に示す磁気ヘツドを完成す
る。
でスライシング加工し、複数個のヘツドチツプを
切り出した後、磁気テープ摺接面を円筒研磨する
ことにより、第１図に示す磁気ヘツドを完成す
る。
なお、上述の製造工程において、上記切溝２１
及び切溝２５へのガラスの充填は、基板２０，３
０の融着と同時でなく、例えば第５図に示す工程
で第１の強磁性金属薄膜２３が被着形成された第
１の切溝２１内にあらかじめガラスを充填し、さ
らに第６図に示す工程で第２の切溝２５内にガラ
スを充填し、第８図に示す工程ではガラス融着の
みとしてもよい。
及び切溝２５へのガラスの充填は、基板２０，３
０の融着と同時でなく、例えば第５図に示す工程
で第１の強磁性金属薄膜２３が被着形成された第
１の切溝２１内にあらかじめガラスを充填し、さ
らに第６図に示す工程で第２の切溝２５内にガラ
スを充填し、第８図に示す工程ではガラス融着の
みとしてもよい。
ところで、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、例えば第９図にしめすように、強
磁性酸化物よりなるコア半体５１，５２の磁気ギ
ヤツプ５３形成面側に突き出た突起部５４，５５
をまたぐように第１の強磁性金属薄膜５６，５７
が形成される磁気ヘツドに適用し、上記強磁性金
属薄膜５６，５７の磁気ギヤツプ構成部５６ａ，
５７ａ上に上記磁気ギヤツプ５３形成面と直交す
る方向の柱状構造を有する第２の強磁性金属薄膜
５８，５９を設けてもよい。
ものではなく、例えば第９図にしめすように、強
磁性酸化物よりなるコア半体５１，５２の磁気ギ
ヤツプ５３形成面側に突き出た突起部５４，５５
をまたぐように第１の強磁性金属薄膜５６，５７
が形成される磁気ヘツドに適用し、上記強磁性金
属薄膜５６，５７の磁気ギヤツプ構成部５６ａ，
５７ａ上に上記磁気ギヤツプ５３形成面と直交す
る方向の柱状構造を有する第２の強磁性金属薄膜
５８，５９を設けてもよい。
あるいは、第１０図に示すように、第１の強磁
性金属薄膜６４，６５が磁気ギヤツプ６３近傍部
のみに形成されるものに適用し、前述の各実施例
と同様にこれら第１の強磁性金属薄膜６４，６５
の磁気ギヤツプ構成部６４ａ，６５ａ上に上記磁
気ギヤツプ６３形成面と直交する方向の柱状構造
を有する第２の強磁性金属薄膜６６，６７を設け
てもよい。
性金属薄膜６４，６５が磁気ギヤツプ６３近傍部
のみに形成されるものに適用し、前述の各実施例
と同様にこれら第１の強磁性金属薄膜６４，６５
の磁気ギヤツプ構成部６４ａ，６５ａ上に上記磁
気ギヤツプ６３形成面と直交する方向の柱状構造
を有する第２の強磁性金属薄膜６６，６７を設け
てもよい。
以上の説明からも明らかなように、本発明に係
る磁気ヘツドにおいては、磁気ギヤツプ形成面に
対して傾斜する斜面、すなわち強磁性金属薄膜形
成面上に被着形成される第１の強磁性金属薄膜の
磁気ギヤツプ構成部上に、上記磁気ギヤツプ形成
面と直交する方向の柱状構造を有する第２の強磁
性金属薄膜を設けてなるので、磁気ギヤツプ近傍
の強磁性金属薄膜が高透磁率を示すようになり、
したがつて、記録再生出力が高く、高信頼性を有
する磁気ヘツドを提供することが可能となつてい
る。
る磁気ヘツドにおいては、磁気ギヤツプ形成面に
対して傾斜する斜面、すなわち強磁性金属薄膜形
成面上に被着形成される第１の強磁性金属薄膜の
磁気ギヤツプ構成部上に、上記磁気ギヤツプ形成
面と直交する方向の柱状構造を有する第２の強磁
性金属薄膜を設けてなるので、磁気ギヤツプ近傍
の強磁性金属薄膜が高透磁率を示すようになり、
したがつて、記録再生出力が高く、高信頼性を有
する磁気ヘツドを提供することが可能となつてい
る。
第１図は本発明が適用される磁気ヘツドの一例
を示す外観斜視図、第２図はその磁気テープ摺接
面を示す要部平面図である。第３図ないし第８図
は本発明の一実施例を製造するための製造工程を
その工程順序に従つて示す概略的な斜視図であ
る。第９図は本発明の他の実施例の磁気テープ摺
接面を示す要部平面図であり、第１０図は本発明
のさらに他の実施例の磁気テープ摺接面を示す要
部平面図である。第１１図は従来の磁気ヘツドの
構成を示す外観斜視図である。 １，２……強磁性酸化物基板、５，６……第１
の強磁性金属薄膜、７，８……磁気ギヤツプ構成
部、９，１０……第２の強磁性金属薄膜、１１…
…磁気ギヤツプ形成面、１２……磁気ギヤツプ。
を示す外観斜視図、第２図はその磁気テープ摺接
面を示す要部平面図である。第３図ないし第８図
は本発明の一実施例を製造するための製造工程を
その工程順序に従つて示す概略的な斜視図であ
る。第９図は本発明の他の実施例の磁気テープ摺
接面を示す要部平面図であり、第１０図は本発明
のさらに他の実施例の磁気テープ摺接面を示す要
部平面図である。第１１図は従来の磁気ヘツドの
構成を示す外観斜視図である。 １，２……強磁性酸化物基板、５，６……第１
の強磁性金属薄膜、７，８……磁気ギヤツプ構成
部、９，１０……第２の強磁性金属薄膜、１１…
…磁気ギヤツプ形成面、１２……磁気ギヤツプ。
Claims (1)
- １ 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体の接合面
を切り欠き強磁性薄膜形成面を形成し、この強磁
性薄膜形成面上に真空薄膜形成技術による第１の
強磁性金属薄膜を形成するとともに、前記第１の
強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギヤツプ
を構成してなる磁気ヘツドにおいて、上記強磁性
薄膜形成面と磁気ギヤツプ形成面とが所要角度で
傾斜するとともに、上記第１の強磁性金属薄膜の
みにより磁気ギヤツプが構成され、上記第１の強
磁性金属薄膜の磁気ギヤツプ構成部に上記磁気ギ
ヤツプ形成面に対して略直交する向きの柱状構造
を有する第２の強磁性金属薄膜を設けてなる磁気
ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23209684A JPS61110309A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23209684A JPS61110309A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110309A JPS61110309A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0565924B2 true JPH0565924B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=16933938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23209684A Granted JPS61110309A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110309A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6371906A (ja) * | 1986-09-13 | 1988-04-01 | Canon Inc | 磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP23209684A patent/JPS61110309A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61110309A (ja) | 1986-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |