JPH0833980B2 - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はVTR（ビデオテープレコーダ）、DAT（デジタ
ルオーディオテープレコーダ）等の磁気記録再生装置に
使用される磁気ヘッドに関し、特に磁気コアの作動ギャ
ップ近傍に強磁性金属薄膜が被着形成されている複合型
の磁気ヘッドの製造方法に関する。

（ロ）従来の技術 近年、VTR、DAT等の磁気記録再生装置においては、記
録信号の高密度化が進められており、この高密度記録に
対応して、磁性粉としてFe、Co、Ni等の強磁性金属粉末
を用いた抗磁力の高いメタルテープが使用されるように
なっている。例えば、８ミリビデオと称する小型のVTR
ではHc＝1400〜1500エルステッド程度の高い抗磁力を有
するメタルテープが用いられる。その理由は、磁気記録
再生装置を小型化するために記録密度を高める必要性か
ら、信号の記録波長を短くすることの可能な記録媒体が
要求されてきたためである。

一方、このメタルテープに記録するために従来のフェ
ライトのみからなる磁気ヘッドを用いると、フェライト
の飽和磁束密度が高々5500ガウス程度であることから磁
気飽和現象が発生するため、メタルテープの性能を充分
に活用することができない。そこで、この高い抗磁力を
有するメタルテープに対応する磁気ヘッドとしては、通
常、磁気ヘッドとして要求される磁気コアの高周波特性
や耐摩耗性の他に、磁気コアのギャップ近傍部の飽和磁
束密度が大きいことが要求される。この要求を満たすメ
タルテープ対応型の磁気ヘッドとしては、特開昭60−22
9210号公報（G11B5/187）等に開示されているような磁
気飽和現象の最も生じやすい作動ギャップ近傍部分を、
磁気コアとして使用されるフェライトよりも飽和磁化の
大きな金属磁性材料（たとえば、パーマロイ、センダス
ト、アモルファス磁性体）で構成した磁気ヘッド（複合
型の磁気ヘッドと称する）が提案されている。この複合
型の磁気ヘッドは信頼性、磁気特性、耐摩耗性等の点で
優れた特性を有する。

この複合型の磁気ヘッドには、第10図（ａ）（ｂ）
（ｃ）（ｄ）に夫々示すように様々な形状がある。図
中、（１）（１′）はMn−Znフェライト等の強磁性酸化
物よりなる一対の磁気コア半体、（２）は作動ギャップ
であり、前記磁気コア半体（１）（１′）の作動ギャッ
プ（２）近傍にはセンダスト等の強磁性金属薄膜（３）
（３）が被着形成されている。（４）は巻線溝、（５）
は前記磁気コア半体（１）（１′）を結合するためのガ
ラスである。

第10図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す磁気ヘッドの
うち、磁気コア半体（１）（１′）と強磁性金属薄膜
（３）（３）との境界部（６）（６）が作動ギャップ
（２）のトラック幅方向と非平行である第10図（ｃ）
（ｄ）に示す磁気ヘッドは製造工程が複雑であり量産性
に適していない。

また、前記境界部（６）（６）と作動ギャップ（２）
のトラック幅方向とが平行である第10図（ａ）（ｂ）に
示す磁気ヘッドは製造工程が第10図（ｃ）（ｄ）に示す
磁気ヘッドに比べて簡単であるが、前記境界部（６）
（６）が疑似ギャップとして作用し、再生出力の周波数
特性に波打ち現象（以後疑似ギャップ現象という）が生
じる。このため、例えばVTRではS/N比が劣化し、DATで
はエラーレートが増加する。

第10図（ａ）（ｂ）に示す磁気ヘッドにおいても、特
願昭62−194893号に示されているように前記境界部にSi
O₂等の耐熱性薄膜を介在させることにより前述の疑似ギ
ャップ現象を抑制することが出来る。

しかし乍ら、第10図（ｂ）に示す磁気ヘッドは磁気コ
ア半体（１）（１′）の作動ギャップ衝き合わせ面の両
側にも強磁性金属薄膜（３）（３）が被着形成されてい
る。即ち、作動ギャップ（２）の両側では磁気コア半体
（１）（１′）と強磁性金属薄膜（３）（３）とガラス
（５）の３種類の各々の熱膨張係数が異なる異種材料が
隣接しているため、互いに応力を及ぼし合って歪が発生
し疑似ギャップ現象が多大になる。また、前記強磁性金
属薄膜（３）（３）とガラス（５）とは濡れ性等の馴染
みが悪いため磁気コア半体（１）（１′９同士の接合力
も第10図（ａ）に示す磁気ヘッドに比べて弱い。

上述の全ての点を考慮すると第10図（ａ）に示す磁気
ヘッドが最も有効である。

次に、第10図（ａ）に示す磁気ヘッドの製造方法につ
いて説明する。

先ず、第11図に示すように強磁性酸化物よりなる基板
（７）の上面に５μｍ厚の強磁性金属薄膜（３′）をス
パッタリング等により被着形成し、該強磁性金属薄膜
（３′）の上面にギャップ長の半分の膜厚を有するSiO₂
等の非磁性薄膜（８′）をスパッタリング等により被着
形成する。尚、前記基板（７）の上面にリン酸溶液等に
よるエッチング及び逆スパッタリングを施した後、前記
上面に1nm以上でギャップ長の1/10以下の膜厚を有するS
iO₂等の耐熱性薄膜（図示せず）をスパッタリング等に
より被着形成し、その後前記強磁性金属薄膜（３′）を
被着形成してもよい。

次に、第12図に示すように前記非磁性薄膜（８′）の
上面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジスト（９）
を所定のパターンで形成する。

次に、第13図に示すようにイオンビームエッチングに
より前記レジスト（９）形成部以外の非磁性薄膜及び強
磁性金属薄膜を除去して基板（７）を露出させ、所定の
パターン（ギャップ衝き合わせ部）の強磁性金属薄膜
（３）及び非磁性薄膜（８）を残す。

次に、前記基板（７）の上面露出部に第15図（ａ）
（ｂ）に示すように回転砥石（10）（11）により溝加工
を施して第14図に示すようにガラス充填溝（12）を形成
する。

以後、周知の如く第14図に示す基板（７）を一対用意
し、そのうち一方の基板に巻線溝及びガラス棒挿入溝を
形成した後、前記両基板をギャップ衝合面同士が衝き合
う状態でガラス接合してブロックを形成し、その後前記
ブロックに研摩、切断等の加工を施して複数のヘッドチ
ップを形成する。

しかし乍ら、上述の製造方法では、第15図（ａ）
（ｂ）に示す工程において、回転砥石（10）（11）が前
記強磁性金属薄膜（３）に接触したり、或いは非常に近
接した部分を通過するとその衝撃や振動等により前記強
磁性金属薄膜（３）に剥離が生じる。また、この膜剥れ
は前記基板（７）の上面に耐熱性薄膜を形成させた時は
特に顕著である。

また、前記強磁性金属薄膜（３）から離れた所に溝加
工を施すことにより上述の膜剥れを解消することは可能
であるが、第16図（ａ）に示すように作動ギャップ
（２）の両側において磁気コア半体（１）（１′）同士
が対向し、その部分（13）（13）がギャップとして作用
して隣接トラックの低周波数信号を拾う虞れがある。例
えば、DATにおいてはその部分（13）（13）がATF用のパ
イロット信号を拾ってしまう。また、また、前記強磁性
金属薄膜（３）から離れた所に溝加工を施すと第16図
（ｂ）に示すように作動ギャップ（２）の位置が中心か
らずれる虞れもある。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであ
り、強磁性金属薄膜に剥離が生じることなく、また、作
動ギャップを所定の位置に形成することが出来る磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明による磁気ヘッドの製造方法は、強磁性酸化物
よりなる一対の磁気コア半体の作動ギャップ衝き合わせ
面に強磁性金属薄膜が被着された磁気ヘッドの製造方法
において、強磁性酸化物よりなる一対の基板の上面に薄
膜形成面の幅を規定するガラス充填溝を形成し、該ガラ
ス充填溝内にガラスを充填した後、該ガラス部上を含む
前記基板の上面全域に強磁性金属薄膜を被着する第１の
工程と、前記強磁性金属薄膜上に所定の平面形状を有す
るレジストを形成してエッチングを行うことにより、前
記ガラス部上の強磁性金属薄膜を除去するとともに巻線
溝が形成される部分及び巻線溝に対向することになる部
分の強磁性金属薄膜を除去する第２の工程と、前記一対
の基板の一方若しくは両方に前記強磁性金属薄膜を切断
することなく巻線溝を形成し、該一対の基板同士を前記
強磁性金属薄膜及び作動ギャップとなる非磁性薄膜を介
して衝き合わせ接合する第３の工程とを備えることを特
徴とするものである。

（ホ）作用 上記本発明の製造方法に依れば、第１の工程において
強磁性金属薄膜を形成する前にガラス充填溝を形成する
ので、該ガラス充填溝の加工時に強磁性金属薄膜の剥離
は生じない。また、第２の工程においてガラス部上の強
磁性金属薄膜を除去するとともに巻線溝が形成される部
分及び巻線溝に対向することになる部分の強磁性金属薄
膜を除去するので、基板の上面全域に被着した強磁性金
属薄膜が縦横に分断されて強磁性金属薄膜内の歪も縦横
に分断され、強磁性金属薄膜の剥離が抑制される。ま
た、第２の工程において巻線溝形成部の強磁性金属薄膜
が除去されているので第３の工程において強磁性金属薄
膜を切断することなく巻線溝を形成することが可能にな
り、強磁性金属薄膜の剥離が抑制される。更に、上記製
造方法によれば、薄膜形成面の幅が作動ギャップのトラ
ック幅よりも大きいため、レジストパターンの位置合わ
せが容易であり、特に、イオンビームエッチングにより
強磁性金属薄膜の除去を行う場合、イオンビーム入射角
を変えることにより前記強磁性金属薄膜の側面の傾きを
調整し、前記強磁性金属薄膜の底面を前記薄膜形成面に
一致させることが出来る。

（ヘ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の第１実施例の磁気ヘ
ッドの製造方法について説明する。

先ず、第３図に示すようにMn−Zn単結晶フェライト等
の強磁性酸化物よりなる基板（７）の上面にトラック幅
規制溝（14）を形成して、所望のトラック幅よりも少許
大きい幅ａ（例えば26μｍ）を有する薄膜形成面（15）
を形成する。尚、前記トラック幅規制溝（14）の上部は
両側面（14a）（14a）が基板（７）上面と直交してお
り、下部は断面Ｖ字状である。

次に、前記基板（７）の上面に板状のガラスを圧着さ
せながら真空中で470〜500℃まで加熱して前記トラック
幅規制溝（14）内にガラス（16）を充填した。この時、
前記薄膜形成面（15）上にもガラスが被着している。そ
の後、第４図に示すように前記基板（７）の上面に薄膜
形成面（15）が露出するまで平面研摩を施した後、鏡面
に仕上げる。尚、前記トラック幅規制溝（14）は上部の
両側面（14a）（14a）が前記基板（７）の上面と直交し
ているので、前述の研摩量に関係なく前記薄膜形成面
（15）の幅ａを一定に保つことが出来る。

次に、前記基板（７）の薄膜形成面（15）及び充填さ
れたガラス（16）の上面にリン酸溶液等による化学的エ
ッチングを施すことにより研摩による加工変質層を除去
し、逆スパッタリングにより不純物を除去した後、前記
薄膜形成面（15）及びガラス（16）上にSiO₂等の耐熱性
薄膜（図示せず）をスパッタリング等により被着形成す
る。尚、前記耐熱性薄膜の膜厚は1nm以上でギャップ長
の1/10以下である。

次に、第５図に示すように前記耐熱性薄膜（図示せ
ず）上にセンダスト等の強磁性金属薄膜（３′）をスパ
ッタリング等により５μｍ厚被着形成し、該強磁性金属
薄膜（３′）上にギャップ長の1/2の膜厚を有するSiO₂
等の非磁性薄膜（８′）をスパッタリング等により被着
形成する。尚、前記耐熱性薄膜を形成せずに、前記基板
（７）の薄膜形成面（15）及びガラス（16）上に直接強
磁性金属薄膜（３′）及び非磁性薄膜（８′）を被着形
成してもよい。次に、第６図に示すように前記非磁性薄
膜（８′）のうち前記薄膜形成面（15）上に被着された
部分の上面にフォトリソグラフィ技術によりレジスト
（17）を形成する。前記レジスト（17）は基板（７）の
巻線溝形成部分（18）及びガラス棒挿入溝形成部分（1
9）には形成されていない。尚、本実施例では、幅22μ
ｍのパターンを有するフォトマスクを使用してレジスト
（17）を形成した。前記薄膜形成面（15）は幅ａが26μ
ｍであるので幅22μｍのパターンを位置合わせするのは
容易である。また、仮に１、２μｍのズレがあってもほ
とんど問題はない。

次に、第７図に示すようにイオンビームエッチングに
より前記レジスト（17）形成部以外の非磁性薄膜及び強
磁性金属薄膜を除去して基板（７）を露出させ、所定の
パターン（ギャップ衝き合わせ部）の強磁性金属薄膜
（３）及び非磁性薄膜（８）を残す。前記強磁性金属薄
膜（３）の底面（3a）の幅は第８図に示すように前記薄
膜形成面（15）の幅ａに略等しい。尚イオンビームエッ
チング時の入射角を選択することにより前記強磁性金属
薄膜（３）の側面（3b）の傾斜角を調整して前記底面
（3a）の幅を所定値にした。

次に、第７図に示す基板（７）（７′）を一対用意
し、一方の基板（７′）の巻線溝形成部（18）及びガラ
ス棒挿入溝形成部（19）に溝加工を施して巻線溝（４）
及びガラス棒挿入溝（20）を形成し、第９図に示すよう
に前記一対の基板（７）（７′）のギャップ衝き合わせ
部同士を衝合させる。

尚、前記ガラス（16）の上面に、前記強磁性金属薄膜
（３）に影響を与えない程度の溝（図示せず）を前記ガ
ラス充填溝（14）と同一方向に形成した後、巻線溝
（４）及びガラス棒挿入溝（20）を形成して前記両基板
（７）（７′）をガラス接合してもよい。この場合、巻
線溝（４）及びガラス棒挿入溝（20）加工時の衝撃は前
述の溝により緩和されるため、前記ガラス（16）にはヒ
ビ等は発生せず、また、ガラス接合時においては前述の
溝を通して溶融ガラスがよく流れるため、接合強度が強
くなる。以後は周知の如く、前記ガラス棒挿入溝（20）
内にガラス棒（図示せず）を挿入し、該ガラス棒を溶融
固化することにより前記両基板（７）（７′）を接合し
てブロックを形成し、該ブロックにＲ付加工を施した
後、第９図に示す一点鎖線Ａ−Ａ′、Ｂ−Ｂ′に相当す
る位置で切断して複数のヘッドチップを形成する。尚、
本実施例では前記ガラス接合を前記ガラス充填溝（14）
に充填したガラス（16）と同一のガラスを用いて、真空
中630℃の条件下で行った。

第１図は上述の製造方法によって製造された磁気ヘッ
ドの外観を示す斜視図、第２図はテープ摺接面を示す図
である。一対の磁気コア半体（１）（１′）はガラス
（16）（16）によって結合されており、前記磁気コア半
体（１）（１′）と強磁性金属薄膜（３）（３）の境界
部（６）（６）は作動ギャップ（４）に対して平行であ
る。

上述の第１実施例の磁気ヘッドの製造方法では、薄膜
形成面（15）を規定するガラス充填溝（14）を形成し、
該ガラス充填溝（14）にガラス（16）を充填した後、強
磁性金属薄膜（３′）及び非磁性薄膜（８′）を被着形
成するので、前記溝加工による強磁性金属薄膜（３′）
若しくは耐熱性薄膜の膜剥れは防止される。特に、疑似
ギャップ防止用の耐熱性薄膜を形成した時、その効果は
大である。また、イオンビームエッチングによりギャッ
プ衝き合わせ部の強磁性金属薄膜（３）及び非磁性薄膜
（８）を形成する際、イオンビームの入射角を調整する
ことにより前記薄膜形成部（３）の幅ａと前記強磁性金
属薄膜（３）の底面（3a）の幅とを一致させることが容
易に出来、製造された磁気ヘッドにおいて薄膜形成面
（15）（15）同士が直接対向することはなく、隣接トラ
ックの低周波数信号を拾う虞れはない。また、作動ギャ
ップ（４）の位置が中心からずれることもなくなる。

また、第２実施例の製造方法として、上述の第１実施
例の第３図に示す工程の際に、以下に示す加工を行って
もよい。

第17図（ａ）〜第21図（ａ）は第３図のＣ−Ｃ′断面
での加工工程を示す図、第17図（ｂ）〜第21図（ｂ）は
第３図のＤ−Ｄ′断面での加工工程を示す図である。

先ず、第17図（ａ）（ｂ）に示すように基板（７）の
上面に薄膜形成面（15）を規定するガラス充填溝（14）
を形成すると同時に該ガラス充填溝（14）と直交する方
向に端部が作動ギャップのギャップ深さ規制部Ｘに位置
する斜面（21a）を有するギャップ深さ規制溝（21）を
形成する。尚、作動ギャップのギャップ深さとは、作動
ギャップ（フロントギャップ）の媒体摺接面と直交する
方向の長さである。

次に、第18図（ａ）（ｂ）に示すように前記ガラス充
填溝（14）及びギャップ深さ規制溝（21）にガラス（1
6）を充填し、その後前記基板（７）の上面を鏡面研磨
する。

次に、第19図（ａ）（ｂ）に示すように前記基板
（７）の上面全域に強磁性金属薄膜（３′）及びギャッ
プスペーサ用の非磁性薄膜（８′）を被着形成する。

次に、上述の第１実施例の第６図と同様にレジストを
形成し、イオンビームエッチングを行うことにより非磁
性薄膜（８′）及び強磁性金属薄膜（３′）の不要部分
を除去し、第20図（ａ）（ｂ）に示すようにフロントギ
ャップ形成面（22a）上及びバックギャップ形成面（22
b）上の強磁性金属薄膜（３）及び非磁性薄膜（８）を
残す。尚、この時、フロントギャップ形成面（22a）上
の強磁性金属薄膜（３）のギャップ下端側の端部はギャ
ップ深さ規制溝（21）の斜面（21a）側の端部、即ち、
ギャップ深さ規制部Ｘに位置している。

次に、第21図（ａ）（ｂ）に示すように、前記強磁性
金属薄膜除去部に巻線溝（４）及びガラス棒挿入溝（2
0）を形成する。前記巻線溝（４）は前記ギャップ深さ
規定部Ｘから離れ、且つ前記ギャップ深さ規定溝（21）
の一部を削り取ることにより形成される。

以後は、上述の第１実施例の第９図と同様に第20図
（ａ）（ｂ）に示す基板（７）と第21図（ａ）（ｂ）に
示す基板（７′）のギャップ衝き合わせ部同士を衝合
し、その後周知の如くガラス棒によるガラス接合、Ｒ付
加工及び切断加工等を行い複数のヘッドチップを形成す
る。

この第２実施例の製造方法では、作動ギャップ（フロ
ントギャップ）のギャップ深さは、強磁性金属薄膜
（３′）被着以前に形成されガラス（16）が充填されて
いるギャップ深さ規制溝（21）により規制されており、
巻線溝（４）の加工位置は前記強磁性金属薄膜（３）と
は離れているため、この加工時の衝撃による前記強磁性
金属薄膜（３）の膜剥れ等の問題は生じない。また、ガ
ラス（16）が充填されたギャップ深さ規制溝（21）によ
り、磁気ヘッド完成体における作動ギャップの下端近傍
の磁束の漏れを防止するととが出来る。

また、第３実施例の製造方法として、上述の第１実施
例の製造方法での第３図に示す工程の際に、以下に示す
加工を行ってもよい。

第22図（ａ）〜第26図（ａ）は第３図のＣ−Ｃ′断面
での加工工程を示す図、第22図（ｂ）〜第26図（ｂ）は
第３図のＤ−Ｄ′断面での加工工程を示す図である。

先ず、第22図（ａ）（ｂ）に示すように基板（７）の
上面に形成された薄膜形成面（15）を規定するガラス充
填溝（14）にガラス（16）を充填し、その後前記基板
（７）上面を鏡面研磨する。

次に、第23図（ａ）（ｂ）に示すように前記基板
（７）の上面に前記ガラス充填溝（14）と直交する方向
に斜面（21a）を有するギャップ深さ規制溝（21）を形
成する。前記斜面（21a）の端部は作動ギャップ（２）
のギャップ深さ規制部Ｘに位置している。

次に、第24図（ａ）（ｂ）に示すように前記基板
（７）の上面全域に強磁性金属薄膜（３′）及びギャッ
プスペーサ用の非磁性薄膜（８′）を被着形成する。

次に、前記非磁性薄膜（８′）上にレジストを形成
し、イオンビームエッチングを行うことにより、不要な
非磁性薄膜（８′）及び強磁性金属薄膜（３′）を除去
し、第25図（ａ）（ｂ）に示すようにフロントギャップ
形成面（22a）からギャップ深さ規制溝（21）の斜面（2
1a）の一部とバックギャップ形成面（22b）上の強磁性
金属薄膜（３）及び非磁性薄膜（８）を残す。尚、この
工程において、ギャップ深さ規制部Ｘ近傍部でのレジス
トパターンは、第31図（ａ）に示すように、他の部分に
比べて幅広にしておく。

一般に、第24図（ａ）（ｂ）に示す基板（７）上にレ
ジスト（17）を形成した場合、第27図に示すようにギャ
ップ深さ規制部Ｘ近傍のレジスト（17）の厚みは他の部
分に比べて薄くなる。この第27図に示すようなレジスト
（17）の状態でイオンビームエッチングを行うと第28図
及び第29図に示すように非磁性薄膜（８′）及び強磁性
金属薄膜（３′）の不要部分が除去される。第28図は第
27図のＥ−Ｆ′断面図、第29図は第27図のＦ−Ｆ′断面
図だあり、夫々の図面において、（ａ）はレジスト形成
後の状態、（ｂ）はイオンビームエッチング後の状態、
（ｃ）はレジスト除去後の状態を示す図である。上記第
28図及び第29図から判るようにイオンビームエッチング
を行うと前記薄膜（３′）（８′）の不要部分のエッチ
ング進行と同時にレジスト（17）パターンも削られるた
め、第29図に示すようにレジスト（17）の厚みが薄い場
合、残すべき前記薄膜（３）（８）の両端部も削られ
る。即ち、第30図（ａ）に示すような状態でイオンビー
ムエッチングを行うと、第30図（ｂ）に示すようにレジ
スト（17）の厚みが薄いギャップ深さ規制部Ｘ近傍での
前記薄膜（３）（８）幅が小さくなってしまう。本実施
例のレジスト（17）パターンは、上述の欠点を予め回避
するために第31図（ａ）に示すようにギャップ深さ規制
部Ｘ近傍での幅を他の部分よりも幅広にしており、この
レジスト（17）パターンを用いてイオンビームエッチン
グを行うと第31図（ｂ）に示すように薄膜（３）（８）
の幅は略均一になる。尚、第30図及び第31図は夫々レジ
ストパターンの要部上面図であり、夫々の図面において
（ａ）はレジスト形成後の状態、（ｂ）はイオンビーム
エッチング、レジスト除去後の状態を示す図である。

第３実施例の製造方法では、次に第26図（ａ）（ｂ）
に示すように薄膜未形成部分に溝加工を施して巻線溝
（４）及びガラス棒挿入溝（20）を形成する。前記巻線
溝（４）は前記斜面（21a）上に被着している強磁性金
属薄膜（３）から離れ、且つ前記ギャップ深さ規制溝
（21）の一部を削り取ることにより形成される。

以後は、上述の第１実施例の第９図と同様に第25図
（ａ）（ｂ）に示す基板（７）と第26図（ａ）（ｂ）に
示す基板（７′）のギャップ衝き合わせ部同士を衝合
し、その後周知のガラス棒によるガラス接合、Ｒ付加工
及び切断加工等を行い複数のヘッドチップを形成する。

この第３実施例の製造方法においても、第２実施例と
同様に作動ギャップ（フロントギャップ）のギャップ深
さは、強磁性金属薄膜（３）被着以前に形成されたギャ
ップ深さ規制溝（21）により規制されているため、巻線
溝（４）の加工位置は前記強磁性金属薄膜（３）からは
離れており、この加工時の衝撃による前記強磁性金属薄
膜（３）の剥離は防止される。またギャップ深さ規制溝
（21）のギャップ深さ規制部Ｘ近傍には非磁性薄膜
（８）が被着されているため、磁気ヘッド完成体におけ
る作動ギャップの下端近傍での磁束の漏れを防止するこ
とが出来る。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、膜剥れを生じることなく作動ギャッ
プを所定の位置に正確に形成出来、また、量産性優れた
磁気ヘッドの製造方法を提供し得る。

また、本発明に依れば、作動ギャップのギャップ深さ
を高精度に規制することが出来る磁気ヘッドの製造方法
を提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第９図は本発明に係り、第１図は磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第２図は磁気ヘッドのテープ摺接
面を示す図、第３図、第４図、第５図、第６図、第７
図、第８図及び第９図は夫々磁気ヘッドの製造方法に示
す図である。第10図は磁気ヘッドの外観を示す斜視図、
第11、第12図、第13図、第14図及び第15図は夫々従来の
磁気ヘッドの製造方法を示す図、第16図は従来の磁気ヘ
ッドのテープ摺接面を示す図である。第17図、第18図、
第19図、第20図及び第21図は夫々本発明の第２実施例の
磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。第22図乃至
第31図は本発明の第３実施例に係り、第22図、第23図、
第24図、第25図及び第26図は夫々磁気ヘッドの製造方法
を示す断面図、第27図はレジストの状態を示す断面図、
第28図及び第29図は夫々イオンビームエッチング工程を
示す断面図、第30図及び第31図は夫々レジストパターン
の要部上面図である。 （１）（１′）…磁気コア半体、（２）…作動ギャッ
プ、（３）…強磁性金属薄膜、（６）…境界部、（７）
…基板、（８）…非磁性薄膜、（14）…ガラス充填溝、
（15）…薄膜形成面、（16）…ガラス、（17）…レジス
ト、（21）…ギャップ深さ規制溝、Ｘ…ギャップ深さ規
制部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊野 一夫 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 石原 宏三 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 山野 孝雄 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 清水 司 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−164010（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−288407（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体
   の作動ギャップ衝き合わせ面に強磁性金属薄膜が被着さ
   れた磁気ヘッドの製造方法において、 強磁性酸化物よりなる一対の基板の上面に薄膜形成面の
   幅を規定するガラス充填溝を形成し、該ガラス充填溝内
   にガラスを充填した後、該ガラス部上を含む前記基板の
   上面全域に強磁性金属薄膜を被着する第１の工程と、 前記強磁性金属薄膜上に所定の平面形状を有するレジス
   トを形成してエッチングを行うことにより、前記ガラス
   部上の強磁性金属薄膜を除去するとともに巻線溝が形成
   される部分及び巻線溝に対向することになる部分の強磁
   性金属薄膜を除去する第２の工程と、 前記一対の基板の一方若しくは両方に前記強磁性金属薄
   膜を切断することなく巻線溝を形成し、該一対の基板同
   士を前記強磁性金属薄膜及び作動ギャップとなる非磁性
   薄膜を介して衝き合わせ接合する第３の工程とを備える
   ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】前記第１の工程において、前記ガラス充填
   溝にガラスを充填する前に、前記一対の基板のうち少な
   くとも一方の基板の上面に作動ギャップの深さを規制す
   るためのギャップ深さ規制溝を形成し、その後、前記ガ
   ラス充填溝及び前記ギャップ深さ規制溝にガラスを充填
   し、 前記第３の工程において、前記ギャップ深さ規制溝に連
   接して巻線溝を形成することを特徴とする請求項（１）
   記載の磁気ヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】前記第１の工程において、前記ガラス充填
   溝にガラスを充填した後、前記一対の基板のうち少なく
   とも一方の基板の上面に作動ギャップの深さを規制する
   ためのギャップ深さ規制溝を形成し、その後、該基板の
   上面全域に強磁性金属薄膜を被着し、 前記第３の工程において、前記ギャップ深さ規制溝に連
   接して巻線溝を形成することを特徴とする請求項（１）
   記載の磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】前記薄膜形成面の幅が前記作動ギャップの
   トラック幅よりも大きいことを特徴とする請求項（１）
   記載の磁気ヘッドの製造方法。