JPH0654527B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPH0654527B2 JPH0654527B2 JP59249127A JP24912784A JPH0654527B2 JP H0654527 B2 JPH0654527 B2 JP H0654527B2 JP 59249127 A JP59249127 A JP 59249127A JP 24912784 A JP24912784 A JP 24912784A JP H0654527 B2 JPH0654527 B2 JP H0654527B2
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- metal thin
- thin film
- ferromagnetic metal
- ferromagnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
- G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
- G11B5/1872—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. compensation of "contour effect"
- G11B5/1874—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. compensation of "contour effect" specially adapted for composite pole pieces, e.g. for avoiding "pseudo-gap"
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ヘッドに関するものであり、特に磁気ギ
ャップ近傍部が強磁性金属薄膜で形成されている、いわ
ゆる複合型の磁気ヘッドに関するものである。
ャップ近傍部が強磁性金属薄膜で形成されている、いわ
ゆる複合型の磁気ヘッドに関するものである。
例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化が進められてお
り、この高密度記録に対応して磁気記録媒体として磁性
粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属やその合金の粉末
を用いた、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を
蒸着によりベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着
テープ等が使用されるようになっている。そして、この
種の磁気記録媒体は高い抗磁力Hcを有するために、記録
再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料にも高い飽和磁束
密度Bsを有することが要求されている。例えば、従来磁
気ヘッド材料として多用されているフェライト材では飽
和磁束密度Bsが低く、またパーマロイでは耐摩耗性に問
題がある。
生装置においては、記録信号の高密度化が進められてお
り、この高密度記録に対応して磁気記録媒体として磁性
粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属やその合金の粉末
を用いた、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を
蒸着によりベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着
テープ等が使用されるようになっている。そして、この
種の磁気記録媒体は高い抗磁力Hcを有するために、記録
再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料にも高い飽和磁束
密度Bsを有することが要求されている。例えば、従来磁
気ヘッド材料として多用されているフェライト材では飽
和磁束密度Bsが低く、またパーマロイでは耐摩耗性に問
題がある。
一方、上述の高密度記録化に伴って、磁気記録媒体に記
録される記録トラックのトラック幅の狭小化も進められ
ており、これに対応して磁気ヘッドのトラック幅も極め
て狭いものが要求されている。
録される記録トラックのトラック幅の狭小化も進められ
ており、これに対応して磁気ヘッドのトラック幅も極め
て狭いものが要求されている。
そこで従来、例えばセラミックス等の非磁性基板上に強
磁性金属薄膜を被着形成し、これをトラック部分とした
複合型磁気ヘッドが提案されているが、この種の磁気ヘ
ッドでは磁路が膜厚の薄い強磁性金属薄膜のみにより構
成されるので、磁気抵抗が大きく効率上好ましくない、
また上記強磁性金属薄膜の膜形成を膜成長速度の極めて
遅い真空薄膜形成技術で行うため、磁気ヘッド作製に時
間を要する等の問題があった。
磁性金属薄膜を被着形成し、これをトラック部分とした
複合型磁気ヘッドが提案されているが、この種の磁気ヘ
ッドでは磁路が膜厚の薄い強磁性金属薄膜のみにより構
成されるので、磁気抵抗が大きく効率上好ましくない、
また上記強磁性金属薄膜の膜形成を膜成長速度の極めて
遅い真空薄膜形成技術で行うため、磁気ヘッド作製に時
間を要する等の問題があった。
あるいは、磁気コア部がフェライト等の強磁性酸化物か
らなり、これら各磁気コア部の磁気ギャップ形成面に強
磁性金属薄膜を被着した複合型磁気ヘッドも提案されて
いるが、この場合には磁路と上記金属薄膜とが直交する
方向に位置するため渦電流損失が発生し再生出力の低下
を招く虞れがあり、また上記磁気コア部と上記金属薄膜
間に擬似ギャップが形成され、再生出力の周波数応答に
おける信頼性が充分に得られない等の問題がある。
らなり、これら各磁気コア部の磁気ギャップ形成面に強
磁性金属薄膜を被着した複合型磁気ヘッドも提案されて
いるが、この場合には磁路と上記金属薄膜とが直交する
方向に位置するため渦電流損失が発生し再生出力の低下
を招く虞れがあり、また上記磁気コア部と上記金属薄膜
間に擬似ギャップが形成され、再生出力の周波数応答に
おける信頼性が充分に得られない等の問題がある。
そこで本願出願人は、先に特願昭58-250988号明細書に
おいて、例えばメタルテープ等の高い抗磁力を有する磁
気テープに高密度記録するのに適した複合型磁気ヘッド
を提案した。この磁気ヘッドは、第２０図に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物により形成
される一対の磁気コア半体１０１，１０２の突き合わせ
面をそれぞれ斜めに切り欠いて強磁性金属薄膜形成面１
０３，１０４を形成し、この強磁性金属薄膜形成面１０
３，１０４上に真空薄膜形成技術によりセンダスト等の
強磁性金属薄膜１０５，１０６を被着形成し、これら強
磁性金属薄膜１０５，１０６を当接することにより磁気
ギャップ１０７を構成し、さらにトラック幅規制溝内に
テープ摺接面を確保し強磁性金属薄膜１０５，１０６の
摩耗を防止するために低融点ガラス１０８，１０９ある
いは高融点ガラス１１０，１１１を充填して構成される
ものであって、信頼性や磁気特性、耐摩耗性等の点で優
れた特性を有するものである。
おいて、例えばメタルテープ等の高い抗磁力を有する磁
気テープに高密度記録するのに適した複合型磁気ヘッド
を提案した。この磁気ヘッドは、第２０図に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物により形成
される一対の磁気コア半体１０１，１０２の突き合わせ
面をそれぞれ斜めに切り欠いて強磁性金属薄膜形成面１
０３，１０４を形成し、この強磁性金属薄膜形成面１０
３，１０４上に真空薄膜形成技術によりセンダスト等の
強磁性金属薄膜１０５，１０６を被着形成し、これら強
磁性金属薄膜１０５，１０６を当接することにより磁気
ギャップ１０７を構成し、さらにトラック幅規制溝内に
テープ摺接面を確保し強磁性金属薄膜１０５，１０６の
摩耗を防止するために低融点ガラス１０８，１０９ある
いは高融点ガラス１１０，１１１を充填して構成される
ものであって、信頼性や磁気特性、耐摩耗性等の点で優
れた特性を有するものである。
ところで、この種の磁気ヘッドを作製するには、通常、
強磁性酸化物基板に対して、第１の溝加工工程、第１の
ガラス充填工程、第２の溝加工工程、強磁性金属薄膜形
成工程、第２のガラス充填工程、鏡面加工工程等を経て
コアブロックを作成し、これを接合した後、スライシン
グ加工を施して各磁気ヘッドチップに切断するという方
法が採られている。
強磁性酸化物基板に対して、第１の溝加工工程、第１の
ガラス充填工程、第２の溝加工工程、強磁性金属薄膜形
成工程、第２のガラス充填工程、鏡面加工工程等を経て
コアブロックを作成し、これを接合した後、スライシン
グ加工を施して各磁気ヘッドチップに切断するという方
法が採られている。
しかしながら、上述の構成の磁気ヘッドでは、上記スラ
イシング加工による切断時に、磁気ギャップを構成する
部分と同一平面上に被着形成される強磁性金属薄膜を直
接切断するので、上記強磁性金属薄膜と強磁性酸化物と
の間の熱膨脹率の差に起因する歪が開放され、上記強磁
性金属薄膜と上記強磁性酸化物の間のヒビ割れが生ずる
という問題がある。
イシング加工による切断時に、磁気ギャップを構成する
部分と同一平面上に被着形成される強磁性金属薄膜を直
接切断するので、上記強磁性金属薄膜と強磁性酸化物と
の間の熱膨脹率の差に起因する歪が開放され、上記強磁
性金属薄膜と上記強磁性酸化物の間のヒビ割れが生ずる
という問題がある。
そこで本発明は、前述の実情に鑑みて提案されたもので
あって、スライシング加工時の強磁性金属薄膜あるいは
強磁性酸化物のヒビ割れの発生を著しく低減せしめて、
このヒビ割れによる不良の発生が極めて少ない磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
あって、スライシング加工時の強磁性金属薄膜あるいは
強磁性酸化物のヒビ割れの発生を著しく低減せしめて、
このヒビ割れによる不良の発生が極めて少ない磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段］ この目的を達成するために本発明の磁気ヘッドは、強磁
性酸化物よりなる磁気コア半体の接合面を切り欠き強磁
性薄膜形成面を形成し、この強磁性薄膜形成面上に真空
薄膜形成技術による強磁性金属薄膜を形成するととも
に、前記強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギャッ
プを構成してなる磁気ヘッドにおいて、上記強磁性金属
薄膜と磁気ギャップ形成面と磁気ギャップ近傍部で所要
角度で傾斜するとともに、上記強磁性金属薄膜が磁気ギ
ャップよりもトラック幅方向外側に位置する中途部で屈
曲してなるものである。
性酸化物よりなる磁気コア半体の接合面を切り欠き強磁
性薄膜形成面を形成し、この強磁性薄膜形成面上に真空
薄膜形成技術による強磁性金属薄膜を形成するととも
に、前記強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギャッ
プを構成してなる磁気ヘッドにおいて、上記強磁性金属
薄膜と磁気ギャップ形成面と磁気ギャップ近傍部で所要
角度で傾斜するとともに、上記強磁性金属薄膜が磁気ギ
ャップよりもトラック幅方向外側に位置する中途部で屈
曲してなるものである。
したがって本発明によれば、強磁性金属薄膜に屈曲部を
持たせ、スライシング加工時に、磁気ギャップを構成す
る部分と同一平面上に被着形成される強磁性金属薄膜を
直接切断することがないように構成しているので、歪の
開放によるヒビ割れの発生が防止される。
持たせ、スライシング加工時に、磁気ギャップを構成す
る部分と同一平面上に被着形成される強磁性金属薄膜を
直接切断することがないように構成しているので、歪の
開放によるヒビ割れの発生が防止される。
以下、本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第１図は本発明を適用した複合型磁気ヘッドの一例を示
す外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ摺接面を
示す要部平面図である。
す外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ摺接面を
示す要部平面図である。
この磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体１，２
が例えばＭn −Ｚn 系フェライト等の強磁性酸化物によ
り形成され、上記磁気コア半体１，２に切削形成される
第１の切溝３，４内には強磁性金属薄膜５，６が被着形
成されている。さらに、上記磁気コア半体１，２には、
上記第１の切溝３，４に隣接して、上記強磁性金属薄膜
５，６のみにより磁気ギャップが構成されるように、第
２の切溝１１，１２が切削加工されている。
が例えばＭn −Ｚn 系フェライト等の強磁性酸化物によ
り形成され、上記磁気コア半体１，２に切削形成される
第１の切溝３，４内には強磁性金属薄膜５，６が被着形
成されている。さらに、上記磁気コア半体１，２には、
上記第１の切溝３，４に隣接して、上記強磁性金属薄膜
５，６のみにより磁気ギャップが構成されるように、第
２の切溝１１，１２が切削加工されている。
そして、これら一対の磁気コア半体１，２をＳｉＯ2等
のギャップ材を介して突き合わせ、上記強磁性金属薄膜
５，６の当接面間がトラック幅Ｔw の磁気ギャップ１０
となるように構成されている。
のギャップ材を介して突き合わせ、上記強磁性金属薄膜
５，６の当接面間がトラック幅Ｔw の磁気ギャップ１０
となるように構成されている。
ここで、上記磁気ギャップ１０を構成する部分の強磁性
金属薄膜５，６が被着形成される強磁性薄膜形成面７，
８は、磁気コア半体１，２の突き合わせ面である接合
面、すなわち磁気ギャップ形成面９に対してθなる角度
で傾斜しており、したがって、上記強磁性金属薄膜５，
６は、磁気ギャップ１０近傍部において、上記磁気ギャ
ップ形成面９と角度θで傾斜している。
金属薄膜５，６が被着形成される強磁性薄膜形成面７，
８は、磁気コア半体１，２の突き合わせ面である接合
面、すなわち磁気ギャップ形成面９に対してθなる角度
で傾斜しており、したがって、上記強磁性金属薄膜５，
６は、磁気ギャップ１０近傍部において、上記磁気ギャ
ップ形成面９と角度θで傾斜している。
上記強磁性金属薄膜形成面７，８と磁気ギャップ形成面
９とがなす角θは、２０度から８０度程度の範囲に設定
することが好ましい。ここで２０度以下の角度である
と、隣接トラックからのクロストークが大きくなり、望
ましくは３０度以上の角度を持たせるのがよい。また、
上記傾斜角度を９０度にした場合、耐摩耗性が劣ること
から、８０度程度以下とするのがよい。また、傾斜角度
を９０度にすると、磁気ギャップ１０の近傍部に形成さ
れる上述の強磁性金属薄膜５，６の膜厚をトラック幅Ｔ
w に等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を用
いて薄膜を形成するにあたって、多くの時間を要してし
まうことや、膜構造が不均一化してしまう点で好ましく
ない。
９とがなす角θは、２０度から８０度程度の範囲に設定
することが好ましい。ここで２０度以下の角度である
と、隣接トラックからのクロストークが大きくなり、望
ましくは３０度以上の角度を持たせるのがよい。また、
上記傾斜角度を９０度にした場合、耐摩耗性が劣ること
から、８０度程度以下とするのがよい。また、傾斜角度
を９０度にすると、磁気ギャップ１０の近傍部に形成さ
れる上述の強磁性金属薄膜５，６の膜厚をトラック幅Ｔ
w に等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を用
いて薄膜を形成するにあたって、多くの時間を要してし
まうことや、膜構造が不均一化してしまう点で好ましく
ない。
すなわち、上記磁気コア半対１，２に被着形成される強
磁性金属薄膜５，６の膜厚ｔは、 ｔ＝Ｔw sin θ でよいことから、トラック幅Ｔw に相当する膜厚を膜付
けする必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮する
ことができる。ここでＴw はトラック幅であり、θは上
記強磁性金属薄膜形成面７，８と磁気ギャップ形成面９
とのなす角度である。
磁性金属薄膜５，６の膜厚ｔは、 ｔ＝Ｔw sin θ でよいことから、トラック幅Ｔw に相当する膜厚を膜付
けする必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮する
ことができる。ここでＴw はトラック幅であり、θは上
記強磁性金属薄膜形成面７，８と磁気ギャップ形成面９
とのなす角度である。
また、上記強磁性金属薄膜５，６の材質としては、強磁
性非晶質金属合金、いわゆるアモルファス合金（例えば
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉ
の１つ以上の元素とからなる合金、またこれを主成分と
したＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，
Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金等のメタ
ルーメタロイド系アモルファス合金、あるいはＣｏ，Ｈ
ｆ，Ｚｒ等を主成分とするメタル−メタル系アモルファ
ス合金）、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金であるセンダスト合
金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、パーマロイ
等が使用可能であり、その膜付け方法としても、フラッ
シュ蒸着，真空蒸着，イオンプレーティング，スパッタ
リング、クラスター・イオンビーム法等に代表される真
空薄膜形成技術が採用される。
性非晶質金属合金、いわゆるアモルファス合金（例えば
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉ
の１つ以上の元素とからなる合金、またこれを主成分と
したＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，
Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金等のメタ
ルーメタロイド系アモルファス合金、あるいはＣｏ，Ｈ
ｆ，Ｚｒ等を主成分とするメタル−メタル系アモルファ
ス合金）、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金であるセンダスト合
金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、パーマロイ
等が使用可能であり、その膜付け方法としても、フラッ
シュ蒸着，真空蒸着，イオンプレーティング，スパッタ
リング、クラスター・イオンビーム法等に代表される真
空薄膜形成技術が採用される。
さらに、上記強磁性金属薄膜５，６が被着形成される第
１の切溝３，４内には、この強磁性金属薄膜５，６の摩
耗を防止するために、例えば高融点ガラス等の非磁性材
１３，１４が充填され、トラック幅を規制するための第
２の切溝１１，１２内には、例えば低融点ガラス等の非
磁性材１５，１６が充填されている。
１の切溝３，４内には、この強磁性金属薄膜５，６の摩
耗を防止するために、例えば高融点ガラス等の非磁性材
１３，１４が充填され、トラック幅を規制するための第
２の切溝１１，１２内には、例えば低融点ガラス等の非
磁性材１５，１６が充填されている。
一方、上記強磁性金属薄膜５，６は、磁気ギャップ１０
から離れた中途部に屈曲部５ａ，６ａを有し、上記第１
の切溝３，４に沿って、略Ｖ字状に形成されている。そ
して、上記強磁性金属薄膜５，６の端部５ｂ，６ｂが、
上記磁気コア半体１，２の切断面１ａ，２ａに露出しな
いように構成されている。
から離れた中途部に屈曲部５ａ，６ａを有し、上記第１
の切溝３，４に沿って、略Ｖ字状に形成されている。そ
して、上記強磁性金属薄膜５，６の端部５ｂ，６ｂが、
上記磁気コア半体１，２の切断面１ａ，２ａに露出しな
いように構成されている。
すなわち、上記第１の切溝３，４の幅と上記第２の切溝
１１，１２の幅を合わせた幅Ｄが、上記磁気コア半体
１，２の厚みＷよりも小さくなるように設定されてい
る。したがって、磁気ヘッドの各ヘッドチップをスライ
シングする際に、上記強磁性金属薄膜５，６を横切って
切断することがなく、ヒビ割れの発生が皆無となってい
る。
１１，１２の幅を合わせた幅Ｄが、上記磁気コア半体
１，２の厚みＷよりも小さくなるように設定されてい
る。したがって、磁気ヘッドの各ヘッドチップをスライ
シングする際に、上記強磁性金属薄膜５，６を横切って
切断することがなく、ヒビ割れの発生が皆無となってい
る。
このように構成される磁気ヘッドでは、磁気ギャップ形
成面９の両端部において、強磁性酸化物同士が突き合わ
され、この部分でも磁気ギャップが構成されてしまう。
そこで、磁気テープ摺接面のテープ摺接方向に沿って両
端部に対して断面略Ｌ字状となるように面取り加工を施
し、段差部１７，１８を形成して、上記磁気テープ摺接
面には、上記強磁性金属薄膜５，６による磁気ギャップ
１０のみが臨むようにされている。
成面９の両端部において、強磁性酸化物同士が突き合わ
され、この部分でも磁気ギャップが構成されてしまう。
そこで、磁気テープ摺接面のテープ摺接方向に沿って両
端部に対して断面略Ｌ字状となるように面取り加工を施
し、段差部１７，１８を形成して、上記磁気テープ摺接
面には、上記強磁性金属薄膜５，６による磁気ギャップ
１０のみが臨むようにされている。
次に、本発明に係る磁気ヘッドの構成をより明確なもの
とするために、その製造方法について説明する。
とするために、その製造方法について説明する。
本発明に係る磁気ヘッドを作製するには、まず、第３図
に示すように、例えばＭn −Ｚn フェライト等の強磁性
酸化物基板２０の上面２０ａ、すなわちこの強磁性酸化
物基板２０における磁気コア半体突き合わせ時の接合面
に、回転砥石等により断面略Ｖ字状の第１の切溝２１を
全幅に亘って複数平行に形成し、強磁性金属薄膜形成面
２１ａを形成する。なお、上記強磁性金属薄膜形成面２
１ａは、上記強磁性酸化物基板２０の磁気ギャップ形成
面に対応する上面２０ａと所定角度θで傾斜するように
斜面として形成され、その角度θは、ここではおよそ４
５゜に設定されている。
に示すように、例えばＭn −Ｚn フェライト等の強磁性
酸化物基板２０の上面２０ａ、すなわちこの強磁性酸化
物基板２０における磁気コア半体突き合わせ時の接合面
に、回転砥石等により断面略Ｖ字状の第１の切溝２１を
全幅に亘って複数平行に形成し、強磁性金属薄膜形成面
２１ａを形成する。なお、上記強磁性金属薄膜形成面２
１ａは、上記強磁性酸化物基板２０の磁気ギャップ形成
面に対応する上面２０ａと所定角度θで傾斜するように
斜面として形成され、その角度θは、ここではおよそ４
５゜に設定されている。
次いで、第４図に示すように、上記強磁性金属薄膜形成
面２１ａを含む第１の切溝２１内にセンダスト等の合金
材料からなる強磁性金属薄膜２３をスパッタ等の真空薄
膜形成技術により形成する。
面２１ａを含む第１の切溝２１内にセンダスト等の合金
材料からなる強磁性金属薄膜２３をスパッタ等の真空薄
膜形成技術により形成する。
さらに、第５図に示すように、強磁性金属薄膜２３が被
着形成された第１の切溝２１内に、例えば低融点ガラス
等の非磁性材２５を充填した後、上記基板２０の上面２
０ａを平面研削し、平滑度良く面出しを行い、上記基板
２０の上面２０ａに上記強磁性金属薄膜形成面２１ａに
被着される第１の強磁性金属薄膜２３を露出させる。
着形成された第１の切溝２１内に、例えば低融点ガラス
等の非磁性材２５を充填した後、上記基板２０の上面２
０ａを平面研削し、平滑度良く面出しを行い、上記基板
２０の上面２０ａに上記強磁性金属薄膜形成面２１ａに
被着される第１の強磁性金属薄膜２３を露出させる。
つぎに、第６図に示すように、上記第１の強磁性金属薄
膜２３が被着形成された強磁性金属薄膜形成面２１ａに
隣接して、上記強磁性金属薄膜２３の一側縁２３ａと若
干オーバーラップするように第１の切溝２１と平行に第
２の切溝２７を切削加工し、上記基板２０の上面２０ａ
に対して鏡面加工を施す。この結果、上記強磁性金属薄
膜２３のみにより磁気ギャップが構成されるようにトラ
ック幅が規制される。なお、上記第１の切溝２１と上記
第２の切溝２７の両者を合わせた幅Ｄｗは、後述のスラ
イシング加工時の切断間隔よりも小さくなるように設定
されている。
膜２３が被着形成された強磁性金属薄膜形成面２１ａに
隣接して、上記強磁性金属薄膜２３の一側縁２３ａと若
干オーバーラップするように第１の切溝２１と平行に第
２の切溝２７を切削加工し、上記基板２０の上面２０ａ
に対して鏡面加工を施す。この結果、上記強磁性金属薄
膜２３のみにより磁気ギャップが構成されるようにトラ
ック幅が規制される。なお、上記第１の切溝２１と上記
第２の切溝２７の両者を合わせた幅Ｄｗは、後述のスラ
イシング加工時の切断間隔よりも小さくなるように設定
されている。
ところで、上記第２の切溝２７の断面形状としては、例
えば断面多角形状とし、この溝２７の内壁面を２段階あ
るいはそれ以上に屈曲した形状とし、磁気ヘッドのテー
プ摺接面から見た時に、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜
との距離を確保するようにしてもよい。このような溝形
状とすることにより、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜の
接合面積を大きくしたままで、長波長成分の信号を再生
することによるクロストーク成分を低減することができ
る。さらに、上記のような形状とすることにより、上記
強磁性酸化物の端面が、磁気ギャップのアジマス角と異
なる方向で傾斜され、アジマス損失によって隣接又は隣
々接トラックからの信号のピックアップ量すなわちクロ
ストークを減少させることができる。
えば断面多角形状とし、この溝２７の内壁面を２段階あ
るいはそれ以上に屈曲した形状とし、磁気ヘッドのテー
プ摺接面から見た時に、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜
との距離を確保するようにしてもよい。このような溝形
状とすることにより、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜の
接合面積を大きくしたままで、長波長成分の信号を再生
することによるクロストーク成分を低減することができ
る。さらに、上記のような形状とすることにより、上記
強磁性酸化物の端面が、磁気ギャップのアジマス角と異
なる方向で傾斜され、アジマス損失によって隣接又は隣
々接トラックからの信号のピックアップ量すなわちクロ
ストークを減少させることができる。
上述のような工程により作製される一対の強磁性酸化物
基板２０のうち、一方の基板２０に対して、第７図に示
すように、上記第１の切溝２１及び第２の切溝２７と直
交する方向に溝加工を施し、巻線溝２９を形成し強磁性
酸化物基板３０を得る。
基板２０のうち、一方の基板２０に対して、第７図に示
すように、上記第１の切溝２１及び第２の切溝２７と直
交する方向に溝加工を施し、巻線溝２９を形成し強磁性
酸化物基板３０を得る。
続いて、上記基板２０の上面２０ａか、上記基板３０の
上面３０ａ上の少なくともいずれか一方にギャップスペ
ーサを被着し、第８図に示すように、これら基板２０，
３０を上記強磁性金属薄膜２３同士が突き合わされるよ
うに接合配置する。
上面３０ａ上の少なくともいずれか一方にギャップスペ
ーサを被着し、第８図に示すように、これら基板２０，
３０を上記強磁性金属薄膜２３同士が突き合わされるよ
うに接合配置する。
そして、これら基板２０及び３０をガラスにより融着す
ると同時に、上記第２の切溝２７内に上記ガラス２８を
充填する。なお、上記ギャップスペーサとしては、Ｓｉ
Ｏ2,ＺｒＯ2,Ｔａ2Ｏ5,Ｃｒ等が使用される。
ると同時に、上記第２の切溝２７内に上記ガラス２８を
充填する。なお、上記ギャップスペーサとしては、Ｓｉ
Ｏ2,ＺｒＯ2,Ｔａ2Ｏ5,Ｃｒ等が使用される。
そして、第８図中Ａ−Ａ線及びＡ′−Ａ′線の位置でス
ライシング加工し、複数個のヘッドチップを切り出した
後、磁気テープ摺接面を円筒研磨する。ここで、上記Ａ
−Ａ線及びＡ′−Ａ′線の間隔Ｍは、上記第１の切溝２
１及び第２の切溝２７を合わせた幅Ｄｗよりも広く設定
され、このスライシング加工時に、上記強磁性金属薄膜
２３を横切って切断することのないように構成されてい
る。
ライシング加工し、複数個のヘッドチップを切り出した
後、磁気テープ摺接面を円筒研磨する。ここで、上記Ａ
−Ａ線及びＡ′−Ａ′線の間隔Ｍは、上記第１の切溝２
１及び第２の切溝２７を合わせた幅Ｄｗよりも広く設定
され、このスライシング加工時に、上記強磁性金属薄膜
２３を横切って切断することのないように構成されてい
る。
最後に、上記スライシング加工で得られたヘッドチップ
４０の磁気テープ摺接面４０ａのうち、第９図中Ｃ−Ｃ
線及びＣ′−Ｃ′線の外側部分を面取り加工により削り
落とし、上記磁気テープ摺接面４０ａを円筒研磨して第
１図に示すような磁気ヘッドを完成する。このとき、上
記磁気テープ摺接面４０ａの両端部を面取り加工したこ
とにより、この両端部に露出する強磁性酸化物同士で形
成される磁気ギャップ部が、上記磁気テープ摺接面４０
ａから除かれる。なお、上記面取り加工は、上述のよう
な段差を持つような加工でなく、斜面状に研磨してもよ
い。
４０の磁気テープ摺接面４０ａのうち、第９図中Ｃ−Ｃ
線及びＣ′−Ｃ′線の外側部分を面取り加工により削り
落とし、上記磁気テープ摺接面４０ａを円筒研磨して第
１図に示すような磁気ヘッドを完成する。このとき、上
記磁気テープ摺接面４０ａの両端部を面取り加工したこ
とにより、この両端部に露出する強磁性酸化物同士で形
成される磁気ギャップ部が、上記磁気テープ摺接面４０
ａから除かれる。なお、上記面取り加工は、上述のよう
な段差を持つような加工でなく、斜面状に研磨してもよ
い。
また、上述の製造工程において、上記第２の切溝２７へ
のガラスの充填は、基板２０，３０の融着と同時でな
く、例えば第６図に示す工程で第２の切溝２７内にガラ
スを充填し、第８図に示す工程ではガラス融着のみにし
てもよい。
のガラスの充填は、基板２０，３０の融着と同時でな
く、例えば第６図に示す工程で第２の切溝２７内にガラ
スを充填し、第８図に示す工程ではガラス融着のみにし
てもよい。
ところで、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、例えば第１０図に示すように、第１の切溝３，４
及び第２の切溝１１，１２を合わせた幅Ｄが、磁気コア
半体１，２の厚みＷよりも若干大きくなるように設定
し、上記強磁性金属薄膜５，６のうち、磁気ギャップ１
０に対して屈曲部５ａ，６ａの遠方に延在する部分５
ｃ，６ｃを横切って切断するような構成としてもよい。
この場合、上記強磁性金属薄膜５，６の屈曲部５ａ，６
ａの遠方に延在する部分５ｃ，６ｃでは、膜厚も薄く、
歪も少ないので、上記磁気ギャップ１０近傍部の強磁性
金属薄膜５，６やガラス、強磁性酸化物部等にヒビ割れ
が生ずることはない。なお、この場合も第１０図中Ｅ−
Ｅ線及びＥ′−Ｅ′線の外側に対して面取り加工を施し
て、磁気テープと接触する面より後退させてやること
は、先の実施例と同様である。
なく、例えば第１０図に示すように、第１の切溝３，４
及び第２の切溝１１，１２を合わせた幅Ｄが、磁気コア
半体１，２の厚みＷよりも若干大きくなるように設定
し、上記強磁性金属薄膜５，６のうち、磁気ギャップ１
０に対して屈曲部５ａ，６ａの遠方に延在する部分５
ｃ，６ｃを横切って切断するような構成としてもよい。
この場合、上記強磁性金属薄膜５，６の屈曲部５ａ，６
ａの遠方に延在する部分５ｃ，６ｃでは、膜厚も薄く、
歪も少ないので、上記磁気ギャップ１０近傍部の強磁性
金属薄膜５，６やガラス、強磁性酸化物部等にヒビ割れ
が生ずることはない。なお、この場合も第１０図中Ｅ−
Ｅ線及びＥ′−Ｅ′線の外側に対して面取り加工を施し
て、磁気テープと接触する面より後退させてやること
は、先の実施例と同様である。
あるいは、第１１図に示すように、上記第１の切溝３，
４の形状に段差を持たせ、上記強磁性金属薄膜５，６に
略Ｓ字状の屈曲部５ｄ，６ｄを持たせて、この屈曲部５
ｄ，６ｄより遠方の強磁性金属薄膜５ｅ，６ｅを横切る
ように各ヘッドチップを切断するように構成してもよ
い。この場合にも、先の第１０図に示すものと同様に、
磁気ギャップ１０近傍の強磁性金属薄膜５，６及び近傍
の強磁性酸化物部にヒビ割れが生ずることはない。ま
た、第１１図中、Ｆ−Ｆ線及びＦ′−Ｆ′線の外側を面
取り加工することは、先の各例と同様である。
４の形状に段差を持たせ、上記強磁性金属薄膜５，６に
略Ｓ字状の屈曲部５ｄ，６ｄを持たせて、この屈曲部５
ｄ，６ｄより遠方の強磁性金属薄膜５ｅ，６ｅを横切る
ように各ヘッドチップを切断するように構成してもよ
い。この場合にも、先の第１０図に示すものと同様に、
磁気ギャップ１０近傍の強磁性金属薄膜５，６及び近傍
の強磁性酸化物部にヒビ割れが生ずることはない。ま
た、第１１図中、Ｆ−Ｆ線及びＦ′−Ｆ′線の外側を面
取り加工することは、先の各例と同様である。
次に、強磁性金属薄膜を磁気ギャップ近傍部のみに形成
した実施例について説明する。
した実施例について説明する。
第１２図は、磁気ギャップ近傍部にのみ強磁性金属薄膜
を形成した磁気ヘッドの一例を示すものである。この磁
気ヘッドは、一対のコア半体５１，５２がＭｎ−Ｚｎフ
ェライト等の強磁性酸化物で形成され、磁気ギャップｇ
近傍のフロントデプス側にのみ屈曲部５４ａを有する強
磁性金属薄膜５４が、例えばセンダスト等の高透磁率合
金をスパッタリング等の真空薄膜形成技術で被着形成す
ることにより設けられている。また、ガラス等の非磁性
材５５，５６が磁気ギャップｇの形成面近傍に溶融充填
されている。
を形成した磁気ヘッドの一例を示すものである。この磁
気ヘッドは、一対のコア半体５１，５２がＭｎ−Ｚｎフ
ェライト等の強磁性酸化物で形成され、磁気ギャップｇ
近傍のフロントデプス側にのみ屈曲部５４ａを有する強
磁性金属薄膜５４が、例えばセンダスト等の高透磁率合
金をスパッタリング等の真空薄膜形成技術で被着形成す
ることにより設けられている。また、ガラス等の非磁性
材５５，５６が磁気ギャップｇの形成面近傍に溶融充填
されている。
さらに、この磁気ヘッドにおいては、磁気テープ摺接面
の両側稜部が斜めに削り取られ、面取り加工が施されて
いる。
の両側稜部が斜めに削り取られ、面取り加工が施されて
いる。
このような磁気ヘッドは、例えば第１３図ないし第１９
図に示すような工程を経て製造される。
図に示すような工程を経て製造される。
すなわち、まず、第１３図に示すように、例えばＭｎ−
Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物基板６０の長手方向一
稜部に複数の切溝６１を、回転砥石または電解エッチン
グ等により形成する。上記基板６０の上面６０ａは磁気
ギャップ形成面に対応し、上記切溝６１は基板６０の磁
気ギャップ形成位置近傍に相当する部分に形成される。
Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物基板６０の長手方向一
稜部に複数の切溝６１を、回転砥石または電解エッチン
グ等により形成する。上記基板６０の上面６０ａは磁気
ギャップ形成面に対応し、上記切溝６１は基板６０の磁
気ギャップ形成位置近傍に相当する部分に形成される。
次に、第１４図に示すように、上記切溝６１にガラス６
２を溶融充填した後、上面６ａと前面６０ｂとを平面研
磨する。
２を溶融充填した後、上面６ａと前面６０ｂとを平面研
磨する。
次いで、第１５図に示すように、ガラス６２を溶融充填
した上記切溝６１の一部とオーバーラップするように上
記一稜部に切溝６１と隣り合う複数の切溝６５を形成す
る。この時、形成される切溝６５の内壁面６５ａには、
上記ガラス６２の一部が露出している。また、この内。
壁面６５ａと上記上面６０ａとの交線６６は、上記基板
６０の前面６０ｂと直角をなしている。また、この内壁
面６５ａと上面６０ａとのなす角度は、所要角度たとえ
ば４５度となっている。さらに、上記切溝６１と切溝６
５を合わせた幅は、上記基板６０の前面６０ｂにおい
て、後述のスライシング加工時の各ヘッドチップの幅よ
りも若干小さく設定されている。
した上記切溝６１の一部とオーバーラップするように上
記一稜部に切溝６１と隣り合う複数の切溝６５を形成す
る。この時、形成される切溝６５の内壁面６５ａには、
上記ガラス６２の一部が露出している。また、この内。
壁面６５ａと上記上面６０ａとの交線６６は、上記基板
６０の前面６０ｂと直角をなしている。また、この内壁
面６５ａと上面６０ａとのなす角度は、所要角度たとえ
ば４５度となっている。さらに、上記切溝６１と切溝６
５を合わせた幅は、上記基板６０の前面６０ｂにおい
て、後述のスライシング加工時の各ヘッドチップの幅よ
りも若干小さく設定されている。
続いて、第１６図に示すように、上記基板６０の少なく
とも上記切溝６５を覆うように、スパッタリング等の真
空薄膜形成技術を用いて、高透磁率合金のたとえばセン
ダストを被着形成し、強磁性金属薄膜６８を形成する。
このとき、上記内壁面６５ａ上に上記高透磁率合金が効
率よく被着するように、上記基板６０を傾斜させスパッ
タリング装置内に配置するようにする。
とも上記切溝６５を覆うように、スパッタリング等の真
空薄膜形成技術を用いて、高透磁率合金のたとえばセン
ダストを被着形成し、強磁性金属薄膜６８を形成する。
このとき、上記内壁面６５ａ上に上記高透磁率合金が効
率よく被着するように、上記基板６０を傾斜させスパッ
タリング装置内に配置するようにする。
次に、第１７図に示すように、上記強磁性金属薄膜６８
が被着された上記切溝６５内に、先のガラス６２よりも
低融点のガラス６９の溶融充填した後，上面６０ａと前
面６０ｂとを平面研磨し鏡面仕上げを行う。このとき、
前の工程で被着した強磁性金属薄膜６８の一部が上記切
溝６５内に残り、基板６０の前面６０ｂから見た時に、
この切溝６５内に強磁性金属薄膜６８が略Ｖ字状に被着
した状態となる。
が被着された上記切溝６５内に、先のガラス６２よりも
低融点のガラス６９の溶融充填した後，上面６０ａと前
面６０ｂとを平面研磨し鏡面仕上げを行う。このとき、
前の工程で被着した強磁性金属薄膜６８の一部が上記切
溝６５内に残り、基板６０の前面６０ｂから見た時に、
この切溝６５内に強磁性金属薄膜６８が略Ｖ字状に被着
した状態となる。
また、巻線溝側のコア半体を形成するために、第１７図
に示すように加工を施した強磁性酸化物基板６０に、巻
線溝７１を形成する溝加工を行い、第１８図に示す強磁
性酸化物基板７０を得る。
に示すように加工を施した強磁性酸化物基板６０に、巻
線溝７１を形成する溝加工を行い、第１８図に示す強磁
性酸化物基板７０を得る。
さらに、上記基板６０の磁気ギャップ形成面となる上面
６０ａと上記基板７０の磁気ギャップ形成面となる上面
７０ａとを膜付けしたギャップスペーサを介して第１９
図に示すように突き合わせ、ガラス融着を行う。その
後、基板６０と基板７０とを合体させたブロックを、第
１９図中Ｇ−Ｇ線及びＧ′−Ｇ′線の位置でスライシン
グ加工し、複数のヘッドチップを得る。
６０ａと上記基板７０の磁気ギャップ形成面となる上面
７０ａとを膜付けしたギャップスペーサを介して第１９
図に示すように突き合わせ、ガラス融着を行う。その
後、基板６０と基板７０とを合体させたブロックを、第
１９図中Ｇ−Ｇ線及びＧ′−Ｇ′線の位置でスライシン
グ加工し、複数のヘッドチップを得る。
最後に、切り出した各ヘッドチップに対し、磁気テープ
摺接面を円筒研磨し、さらに、この磁気テープ摺接面の
テープ摺接方向の両側に沿う各稜部を削り落とし、面取
り加工を施して、第１２図に示す磁気ヘッドを完成す
る。
摺接面を円筒研磨し、さらに、この磁気テープ摺接面の
テープ摺接方向の両側に沿う各稜部を削り落とし、面取
り加工を施して、第１２図に示す磁気ヘッドを完成す
る。
このように構成される磁気ヘッドにおいては、先の実施
例と同様に、強磁性金属薄膜や強磁性酸化物にヒビ割れ
が生ずることがなく、さらに、高透磁率合金の被着面積
が少ないことから、生産性の点等で利点を有している。
例と同様に、強磁性金属薄膜や強磁性酸化物にヒビ割れ
が生ずることがなく、さらに、高透磁率合金の被着面積
が少ないことから、生産性の点等で利点を有している。
以上の説明からも明らかなように、本発明に係る磁気ヘ
ッドにおいては、強磁性金属薄膜と磁気ギャップ形成面
とが磁気ギャップ近傍部で所定の角度で傾斜するととも
に、上記強磁性金属薄膜が中途部で屈曲し、この屈曲部
よりも遠方位置でスライシング加工されているので、こ
のスライシング加工時に上記強磁性金属薄膜あるいは強
磁性酸化物に生じるヒビ割れを著しく低減することがで
き、したがって不良品の発生が極めて少なくなってい
る。
ッドにおいては、強磁性金属薄膜と磁気ギャップ形成面
とが磁気ギャップ近傍部で所定の角度で傾斜するととも
に、上記強磁性金属薄膜が中途部で屈曲し、この屈曲部
よりも遠方位置でスライシング加工されているので、こ
のスライシング加工時に上記強磁性金属薄膜あるいは強
磁性酸化物に生じるヒビ割れを著しく低減することがで
き、したがって不良品の発生が極めて少なくなってい
る。
また、上記強磁性金属薄膜を中途部で屈曲させることに
より、トラック幅を規制するための溝に充填するガラス
等の非磁性材の充填量を減らすことができ、したがっ
て、この非磁性材や上記強磁性金属薄膜、強磁性酸化物
のヒビ割れをより一層抑制することができる。
より、トラック幅を規制するための溝に充填するガラス
等の非磁性材の充填量を減らすことができ、したがっ
て、この非磁性材や上記強磁性金属薄膜、強磁性酸化物
のヒビ割れをより一層抑制することができる。
第１図は本発明が適用される磁気ヘッドの一例を示す外
観斜視図、第２図はその磁気テープ摺接面を示す要部平
面図である。 第３図ないし第９図は第１図及び第２図に示す磁気ヘッ
ドを製造するための製造工程をその工程順序に従って示
す概略的な斜視図である。 第１０図は本発明の他の実施例の磁気テープ摺接面を示
す要部平面図であり、第１１図は本発明のさらに他の実
施例の磁気テープ摺接面を示す要部平面図である。 第１２図は強磁性金属薄膜を磁気ギャップ近傍部にのみ
形成した実施例を示す外観斜視図であり、第１３図ない
し第１９図はその製造方法を工程順序に従って示す概略
的な斜視図である。 第２０図は従来の磁気ヘッドの構成を示す外観斜視図で
ある。 １，２……磁気コア半体 ３，４……第１の切溝 ５，６……強磁性金属薄膜 ７，８……強磁性金属薄膜形成面 ９……磁気ギャップ形成面 １０……磁気ギャップ １１，１２……第２の切溝
観斜視図、第２図はその磁気テープ摺接面を示す要部平
面図である。 第３図ないし第９図は第１図及び第２図に示す磁気ヘッ
ドを製造するための製造工程をその工程順序に従って示
す概略的な斜視図である。 第１０図は本発明の他の実施例の磁気テープ摺接面を示
す要部平面図であり、第１１図は本発明のさらに他の実
施例の磁気テープ摺接面を示す要部平面図である。 第１２図は強磁性金属薄膜を磁気ギャップ近傍部にのみ
形成した実施例を示す外観斜視図であり、第１３図ない
し第１９図はその製造方法を工程順序に従って示す概略
的な斜視図である。 第２０図は従来の磁気ヘッドの構成を示す外観斜視図で
ある。 １，２……磁気コア半体 ３，４……第１の切溝 ５，６……強磁性金属薄膜 ７，８……強磁性金属薄膜形成面 ９……磁気ギャップ形成面 １０……磁気ギャップ １１，１２……第２の切溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今野 清記 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ーマグネプロダクツ株式会社内 (72)発明者 佐藤 平吉 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ーマグネプロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−606（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】強磁性酸化物よりなる磁気コア半体の接合
面を切り欠き強磁性薄膜形成面を形成し、この強磁性薄
膜形成面上に真空薄膜形成技術による強磁性金属薄膜を
形成するとともに、前記強磁性金属薄膜同士を突き合わ
せて磁気ギャップを構成してなる磁気ヘッドにおいて、
上記強磁性金属薄膜と磁気ギャップ形成面とが磁気ギャ
ップ近傍部で所要角度で傾斜するとともに、上記強磁性
金属薄膜が磁気ギャップよりもトラック幅方向外側に位
置する中途部で屈曲してなる磁気ヘッド。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249127A JPH0654527B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 磁気ヘツド |
| AU50037/85A AU583320B2 (en) | 1984-11-26 | 1985-11-19 | Magnetic transducer head |
| CA000495974A CA1254299A (en) | 1984-11-26 | 1985-11-22 | Magnetic transducer head |
| NL8503246A NL194175C (nl) | 1984-11-26 | 1985-11-25 | Magnetische transducentkop. |
| AT3434/85A AT393568B (de) | 1984-11-26 | 1985-11-25 | Magnetwandlerkopf |
| GB08529056A GB2167597B (en) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Magnetic transducer heads and methods of making such heads |
| IT48826/85A IT1200147B (it) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Testina magnetica trasduttrice e metodo per la sua fabbricazione |
| FR858517470A FR2573902B1 (fr) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Tete de transducteur magnetique |
| CN85109351A CN1009136B (zh) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | 磁性传感器头 |
| DE3541762A DE3541762C2 (de) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Magnetischer Wandlerkopf und Verfahren zu seiner Herstellung |
| KR1019850008829A KR940003642B1 (ko) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | 자기변환헤드와그제조방법 |
| US07/149,977 US4788611A (en) | 1984-11-26 | 1988-01-26 | Magnetic transducer head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249127A JPH0654527B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129716A JPS61129716A (ja) | 1986-06-17 |
| JPH0654527B2 true JPH0654527B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=17188333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59249127A Expired - Lifetime JPH0654527B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 磁気ヘツド |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4788611A (ja) |
| JP (1) | JPH0654527B2 (ja) |
| KR (1) | KR940003642B1 (ja) |
| CN (1) | CN1009136B (ja) |
| AT (1) | AT393568B (ja) |
| AU (1) | AU583320B2 (ja) |
| CA (1) | CA1254299A (ja) |
| DE (1) | DE3541762C2 (ja) |
| FR (1) | FR2573902B1 (ja) |
| GB (1) | GB2167597B (ja) |
| IT (1) | IT1200147B (ja) |
| NL (1) | NL194175C (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257904A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Pioneer Electronic Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| US5170301A (en) * | 1988-08-03 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having core parts joined by low-melting point crystallized glass with composite gap |
| JPH02168404A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH0778851B2 (ja) * | 1989-09-13 | 1995-08-23 | 三洋電機株式会社 | 磁気ヘッドの製造方法 |
| DE4030326C2 (de) * | 1989-09-27 | 1995-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Gerät zur magnetischen Aufzeichnung und Wiedergabe mit mehreren Verbund-Magnetköpfen und Verfahren zur Herstellung eines bei diesem Gerät verwendbaren Verbund-Magnetkopfes |
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