JP2002050005A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/255—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for protection against wear
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ガラス等の非磁性体が充填し易く、非磁性体内
の泡等の発生を抑えることができる磁気ヘッドを提供す
ること。 【解決手段】 磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面１２０と、この摺動面に少なくとも磁性膜を配置し
て形成される磁気ギャップｇと、この磁気ギャップの一
端部又は両端部に対して、前記磁気記録媒体２００の摺
動方向と略平行に配置された溝部１７０と、この溝部内
に配置されている非磁性体１６１と、を有する磁気ヘッ
ドであって、前記溝部の内側には、非磁性酸化膜とクロ
ム（Ｃｒ）膜が形成され、その上に前記非磁性体が充填
されることで磁気ヘッド１００を構成する。
の泡等の発生を抑えることができる磁気ヘッドを提供す
ること。 【解決手段】 磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面１２０と、この摺動面に少なくとも磁性膜を配置し
て形成される磁気ギャップｇと、この磁気ギャップの一
端部又は両端部に対して、前記磁気記録媒体２００の摺
動方向と略平行に配置された溝部１７０と、この溝部内
に配置されている非磁性体１６１と、を有する磁気ヘッ
ドであって、前記溝部の内側には、非磁性酸化膜とクロ
ム（Ｃｒ）膜が形成され、その上に前記非磁性体が充填
されることで磁気ヘッド１００を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に対
して音声信号や映像信号、あるいはデータ信号等の情報
信号を記録再生する磁気ヘッドに関するものである。
して音声信号や映像信号、あるいはデータ信号等の情報
信号を記録再生する磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気テープ等を磁気記録媒体とし
て用いているビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）、デジタ
ルオーディオテープレコーダ（ＤＡＴ）、あるいはデジ
タルデータ記録再生装置等は、磁気テープ等の記録トラ
ック上に情報信号を磁気信号として書き込み、あるいは
記録トラック上に記録されている情報信号を磁気信号と
して読み込む磁気ヘッドを備えている。
て用いているビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）、デジタ
ルオーディオテープレコーダ（ＤＡＴ）、あるいはデジ
タルデータ記録再生装置等は、磁気テープ等の記録トラ
ック上に情報信号を磁気信号として書き込み、あるいは
記録トラック上に記録されている情報信号を磁気信号と
して読み込む磁気ヘッドを備えている。
【０００３】この磁気ヘッドは、２つの磁気コア半体を
突き合わせることにより形成されている磁気コアを有
し、この磁気コアには、前記磁気テープが摺動するため
の摺動面が形成されている。この摺動面には、磁気ギャ
ップが形成されており、この磁気ギャップは、２つの磁
気コア半体を磁性膜やギャップ材を介して互いに突き合
わすことで形成されている。この磁気ギャップは、記録
時には磁気テープへの磁界の広がりの範囲を絞る働き
と、再生時には磁気テープから磁束を取り入れる働きを
するものである。
突き合わせることにより形成されている磁気コアを有
し、この磁気コアには、前記磁気テープが摺動するため
の摺動面が形成されている。この摺動面には、磁気ギャ
ップが形成されており、この磁気ギャップは、２つの磁
気コア半体を磁性膜やギャップ材を介して互いに突き合
わすことで形成されている。この磁気ギャップは、記録
時には磁気テープへの磁界の広がりの範囲を絞る働き
と、再生時には磁気テープから磁束を取り入れる働きを
するものである。
【０００４】このような磁気ヘッドの摺動面は、具体的
には図１２に示すように構成されている。すなわち、図
１２に示すように、磁気ヘッド１０は、磁気コア半体１
１ａ，１１ｂとを有している。そして、これら磁気コア
半体１１ａ，１１ｂに対して、磁気回路を形成するため
の金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂを形成されている。この
ように金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂが成膜された磁気コ
ア半体１１ａ，１１ｂをギャップ材を介して突き合わせ
ることで、磁気ギャップｇが形成されることになる。そ
して、この磁気ギャップｇ上を前記磁気テープが摺動す
ることで、磁気テープと磁気ヘッド１０との間で情報信
号の記録再生が行われることになる。ところで、この磁
気ギャップｇの図における縦方向の上端及び下端は、エ
ッジと呼ばれ、このエッジ部分で、突き合されている金
属磁性薄膜１２ａ，１２ｂがズレたり、もしくはダレが
生じる場合がある。このように金属磁性薄膜１２ａ，１
２ｂにズレやダレが生じると、磁気ギャップｇのエッジ
から不要な漏れ磁界が発生し、磁気ヘッド１０の摺動面
を走行する磁気テープの記録パターンを乱すことになっ
ていた。
には図１２に示すように構成されている。すなわち、図
１２に示すように、磁気ヘッド１０は、磁気コア半体１
１ａ，１１ｂとを有している。そして、これら磁気コア
半体１１ａ，１１ｂに対して、磁気回路を形成するため
の金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂを形成されている。この
ように金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂが成膜された磁気コ
ア半体１１ａ，１１ｂをギャップ材を介して突き合わせ
ることで、磁気ギャップｇが形成されることになる。そ
して、この磁気ギャップｇ上を前記磁気テープが摺動す
ることで、磁気テープと磁気ヘッド１０との間で情報信
号の記録再生が行われることになる。ところで、この磁
気ギャップｇの図における縦方向の上端及び下端は、エ
ッジと呼ばれ、このエッジ部分で、突き合されている金
属磁性薄膜１２ａ，１２ｂがズレたり、もしくはダレが
生じる場合がある。このように金属磁性薄膜１２ａ，１
２ｂにズレやダレが生じると、磁気ギャップｇのエッジ
から不要な漏れ磁界が発生し、磁気ヘッド１０の摺動面
を走行する磁気テープの記録パターンを乱すことになっ
ていた。
【０００５】これは、特に、情報信号の記録方式が、図
１３に示すような重ね書き記録方式の場合、いわゆるサ
イドイレーズにより記録のＳ／Ｎが低下し、磁気テープ
の全記録トラックを有効に利用することができないとい
う問題を引き起こすことになる。このような不都合を避
けるため、図１２に示すように、磁気ヘッド１０の磁気
ギャップｇの重ね書き側である下端側に溝３３を形成す
ることで、磁気ギャップｇの重ね書き側のエッジにズレ
やダレを生じないようにしている。また、この溝３３内
には、ガラス３３ａが充填されている。これは、磁気テ
ープの磁性粉による目詰まりや磁気ギャップのエッジの
欠けが発生するのを防止し、安定的して磁気テープを走
行させるためである。
１３に示すような重ね書き記録方式の場合、いわゆるサ
イドイレーズにより記録のＳ／Ｎが低下し、磁気テープ
の全記録トラックを有効に利用することができないとい
う問題を引き起こすことになる。このような不都合を避
けるため、図１２に示すように、磁気ヘッド１０の磁気
ギャップｇの重ね書き側である下端側に溝３３を形成す
ることで、磁気ギャップｇの重ね書き側のエッジにズレ
やダレを生じないようにしている。また、この溝３３内
には、ガラス３３ａが充填されている。これは、磁気テ
ープの磁性粉による目詰まりや磁気ギャップのエッジの
欠けが発生するのを防止し、安定的して磁気テープを走
行させるためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
磁気ヘッド１０の溝３３内にガラス３３ａを充填する
と、図１２に示すように、金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂ
の近傍と磁気コア半体１１ａ，１１ｂに沿ってガラス３
３ａ内に泡が発生してしまっていた。このような泡がガ
ラス３３ａに存在すると、磁気テープ走行中に泡に磁性
粉が詰りクロックが発生してしまうという問題があっ
た。このような泡の発生を防止するために、溝３３にガ
ラス３３ａを充填する前に酸素プラズマ洗浄や酸素雰囲
気でのブロックアニール等を行ったが、磁気コア半体１
１ａ，１１ｂに沿った泡は、若干減少したものの、金属
磁性薄膜１２ａ，１２ｂの近傍の泡には、変化がなく磁
気ヘッド１０の量産が困難であるという問題もあった。
磁気ヘッド１０の溝３３内にガラス３３ａを充填する
と、図１２に示すように、金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂ
の近傍と磁気コア半体１１ａ，１１ｂに沿ってガラス３
３ａ内に泡が発生してしまっていた。このような泡がガ
ラス３３ａに存在すると、磁気テープ走行中に泡に磁性
粉が詰りクロックが発生してしまうという問題があっ
た。このような泡の発生を防止するために、溝３３にガ
ラス３３ａを充填する前に酸素プラズマ洗浄や酸素雰囲
気でのブロックアニール等を行ったが、磁気コア半体１
１ａ，１１ｂに沿った泡は、若干減少したものの、金属
磁性薄膜１２ａ，１２ｂの近傍の泡には、変化がなく磁
気ヘッド１０の量産が困難であるという問題もあった。
【０００７】本発明は、以上の点に鑑み、ガラス等の非
磁性体が充填し易く、非磁性体内の泡等の発生を抑える
ことができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
磁性体が充填し易く、非磁性体内の泡等の発生を抑える
ことができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的は、請求項１の
発明によれば、磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、この摺動面に少なくとも磁性膜を配置して形成
される磁気ギャップと、この磁気ギャップの一端部又は
両端部に対して、前記磁気記録媒体の摺動方向と略平行
に配置された溝部と、この溝部内に配置されている非磁
性体と、を有する磁気ヘッドであって、前記溝部の内側
には、非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜が形成され、そ
の上に前記非磁性体が充填されることを特徴とする磁気
ヘッドにより、達成される。
発明によれば、磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、この摺動面に少なくとも磁性膜を配置して形成
される磁気ギャップと、この磁気ギャップの一端部又は
両端部に対して、前記磁気記録媒体の摺動方向と略平行
に配置された溝部と、この溝部内に配置されている非磁
性体と、を有する磁気ヘッドであって、前記溝部の内側
には、非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜が形成され、そ
の上に前記非磁性体が充填されることを特徴とする磁気
ヘッドにより、達成される。
【０００９】請求項１の構成によれば、前記溝部の内側
には、非磁性酸化膜が形成されている。したがって、こ
の非磁性酸化膜により、前記非磁性体と前記磁性膜との
反応が防止され非磁性体内に泡等が生じるのを防ぐこと
ができる。また、前記非磁性酸化膜には、クロム（Ｃ
ｒ）膜が形成されている。したがって、前記非磁性酸化
膜を前記溝部内にスパッタ等で膜付けしたときに発生す
る例えば希ガスイオンが、その後の前記非磁性体の充填
時における温度上昇により、この非磁性体内に放出さ
れ、泡等が発生してしまうのを、前記クロム（Ｃｒ）膜
で防ぐことができる。
には、非磁性酸化膜が形成されている。したがって、こ
の非磁性酸化膜により、前記非磁性体と前記磁性膜との
反応が防止され非磁性体内に泡等が生じるのを防ぐこと
ができる。また、前記非磁性酸化膜には、クロム（Ｃ
ｒ）膜が形成されている。したがって、前記非磁性酸化
膜を前記溝部内にスパッタ等で膜付けしたときに発生す
る例えば希ガスイオンが、その後の前記非磁性体の充填
時における温度上昇により、この非磁性体内に放出さ
れ、泡等が発生してしまうのを、前記クロム（Ｃｒ）膜
で防ぐことができる。
【００１０】好ましくは、請求項２の発明によれば、請
求項１の構成において、前記非磁性体がガラスで、この
ガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲
気で行われることを特徴とする磁気ヘッドである。
求項１の構成において、前記非磁性体がガラスで、この
ガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲
気で行われることを特徴とする磁気ヘッドである。
【００１１】請求項２の構成によれば、前記非磁性体が
ガラスで、このガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素
を含有した雰囲気で行われる。ところで、磁気ヘッドの
信頼性を確保するために、耐候性の良いガラスを充填す
るのが好ましいが、このガラスを前記溝部内に、充填す
るには、この耐候性の良いガラスを、例えば５４０度Ｃ
以上の温度にする必要があった。すなわち、このような
温度まで上昇させないと、ガラスが流れず、前記溝部内
に上手く充填できなかったからである。一方、このよう
に耐候性の良いガラスを５４０度以上の温度にすると、
ガラス内に析出物が発生してまうため、耐候性の良いガ
ラスを前記溝部内に用いるのは困難であった。しかし、
請求項２の構成によれば、前記非磁性体が耐候性の良い
ガラスで、このガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素
を含有した雰囲気で行われるので、前記ガラスの濡れ性
が向上し、ガラスを比較的低温で前記溝部内に充填して
も、ガラスが円滑に流れることになる。また、低温なた
め、ガラス内に析出物が発生しない。ゆえに、従来は用
いることができなかった耐候性の良いガラスを溝部内に
充填できるので、磁気ヘッドの信頼性が確保されること
になる。
ガラスで、このガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素
を含有した雰囲気で行われる。ところで、磁気ヘッドの
信頼性を確保するために、耐候性の良いガラスを充填す
るのが好ましいが、このガラスを前記溝部内に、充填す
るには、この耐候性の良いガラスを、例えば５４０度Ｃ
以上の温度にする必要があった。すなわち、このような
温度まで上昇させないと、ガラスが流れず、前記溝部内
に上手く充填できなかったからである。一方、このよう
に耐候性の良いガラスを５４０度以上の温度にすると、
ガラス内に析出物が発生してまうため、耐候性の良いガ
ラスを前記溝部内に用いるのは困難であった。しかし、
請求項２の構成によれば、前記非磁性体が耐候性の良い
ガラスで、このガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素
を含有した雰囲気で行われるので、前記ガラスの濡れ性
が向上し、ガラスを比較的低温で前記溝部内に充填して
も、ガラスが円滑に流れることになる。また、低温なた
め、ガラス内に析出物が発生しない。ゆえに、従来は用
いることができなかった耐候性の良いガラスを溝部内に
充填できるので、磁気ヘッドの信頼性が確保されること
になる。
【００１２】好ましくは、請求項３の発明によれば、請
求項２の構成において、前記非磁性酸化膜の厚みが０．
１μｍ以上であり、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃
至０．１μｍであることを特徴とする磁気ヘッドであ
る。
求項２の構成において、前記非磁性酸化膜の厚みが０．
１μｍ以上であり、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃
至０．１μｍであることを特徴とする磁気ヘッドであ
る。
【００１３】請求項３の構成によれば、前記非磁性酸化
膜の厚みが０．１μｍ以上であるので、前記耐候性の良
いガラスと前記磁性膜との反応が完全に防止され耐候性
の良いガラス内に泡等が生じるのを完全に防ぐことがで
きる。また、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃至０．
１μｍである。０．０１μｍ未満では、前記耐候性の良
いガラスとの反応により、このＣｒ膜が侵食される可能
性があるので、０．０１μｍ以上が好ましい。一方、
０．１μｍ超の場合は、Ｃｒ膜が厚くなり、透過性が悪
くなるので、このＣｒ膜を透過して確認する磁気ギャッ
プのデプス管理が困難になる。したがって、０．１μｍ
以下が好ましい。
膜の厚みが０．１μｍ以上であるので、前記耐候性の良
いガラスと前記磁性膜との反応が完全に防止され耐候性
の良いガラス内に泡等が生じるのを完全に防ぐことがで
きる。また、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃至０．
１μｍである。０．０１μｍ未満では、前記耐候性の良
いガラスとの反応により、このＣｒ膜が侵食される可能
性があるので、０．０１μｍ以上が好ましい。一方、
０．１μｍ超の場合は、Ｃｒ膜が厚くなり、透過性が悪
くなるので、このＣｒ膜を透過して確認する磁気ギャッ
プのデプス管理が困難になる。したがって、０．１μｍ
以下が好ましい。
【００１４】好ましくは、請求項４の発明によれば、請
求項３の構成において、前記磁性膜が、窒素添加の磁性
合金膜であることを特徴とする磁気ヘッドである。
求項３の構成において、前記磁性膜が、窒素添加の磁性
合金膜であることを特徴とする磁気ヘッドである。
【００１５】請求項４の構成によれば、前記磁性膜が、
窒素添加の磁性合金膜である。この窒素添加の磁性合金
膜は、少なくとも窒素ガス（Ｎ2 ）を流してスパッタ等
して成膜している。したがって、前記耐候性の良いガラ
スを前記溝部内に所定の温度で充填する際、窒素ガス
（Ｎ2 ）が発生し易く、これが前記耐候性の良いガラス
内に放出されると、泡等が生じやすくなる。しかし、請
求項４の構成によれば、前記溝部内に、前記非磁性酸化
膜とクロム（Ｃｒ）膜が形成されているので、特に前記
磁性膜として窒素添加の磁性合金膜を用いた場合、泡等
の発生をより効果的に防止することができる。
窒素添加の磁性合金膜である。この窒素添加の磁性合金
膜は、少なくとも窒素ガス（Ｎ2 ）を流してスパッタ等
して成膜している。したがって、前記耐候性の良いガラ
スを前記溝部内に所定の温度で充填する際、窒素ガス
（Ｎ2 ）が発生し易く、これが前記耐候性の良いガラス
内に放出されると、泡等が生じやすくなる。しかし、請
求項４の構成によれば、前記溝部内に、前記非磁性酸化
膜とクロム（Ｃｒ）膜が形成されているので、特に前記
磁性膜として窒素添加の磁性合金膜を用いた場合、泡等
の発生をより効果的に防止することができる。
【００１６】前記目的は、請求項５の発明によれば、磁
気コアに形成された磁気記録媒体の摺動面と、この摺動
面に少なくとも磁性膜を配置して形成される磁気ギャッ
プと、この磁気ギャップの一端部又は両端部に対して、
前記磁気記録媒体の摺動方向と略平行に配置された溝部
と、この溝部内に配置されている非磁性体と、を有する
磁気ヘッドであって、前記溝部の内側には、酸化クロム
（ＣｒＯ2 ）膜が形成され、その上に前記非磁性体が充
填されることを特徴とする磁気ヘッドにより、達成され
る。
気コアに形成された磁気記録媒体の摺動面と、この摺動
面に少なくとも磁性膜を配置して形成される磁気ギャッ
プと、この磁気ギャップの一端部又は両端部に対して、
前記磁気記録媒体の摺動方向と略平行に配置された溝部
と、この溝部内に配置されている非磁性体と、を有する
磁気ヘッドであって、前記溝部の内側には、酸化クロム
（ＣｒＯ2 ）膜が形成され、その上に前記非磁性体が充
填されることを特徴とする磁気ヘッドにより、達成され
る。
【００１７】請求項５の構成によれば、前記溝部の内側
には、酸化クロム（ＣｒＯ2 ）膜が形成され、その上に
前記非磁性体が充填されるので、この非磁性体と前記磁
性膜との反応が防止され非磁性体内部に泡等が生じるの
を防ぐことができる。
には、酸化クロム（ＣｒＯ2 ）膜が形成され、その上に
前記非磁性体が充填されるので、この非磁性体と前記磁
性膜との反応が防止され非磁性体内部に泡等が生じるの
を防ぐことができる。
【００１８】好ましくは、請求項６の発明によれば、請
求項５の構成において、前記酸化クロム（ＣｒＯ2 ）膜
の厚みが０．１μｍ以上であることを特徴とする磁気ヘ
ッドである。
求項５の構成において、前記酸化クロム（ＣｒＯ2 ）膜
の厚みが０．１μｍ以上であることを特徴とする磁気ヘ
ッドである。
【００１９】請求項６の構成によれば、前記酸化クロム
（ＣｒＯ2 ）膜の厚みが０．１μｍ以上であるので、前
記非磁性体と前記磁性膜との反応が完全に防止され非磁
性体内に泡等が生じるのを完全に防ぐことができる。
（ＣｒＯ2 ）膜の厚みが０．１μｍ以上であるので、前
記非磁性体と前記磁性膜との反応が完全に防止され非磁
性体内に泡等が生じるのを完全に防ぐことができる。
【００２０】好ましくは、請求項７の発明によれば、請
求項６の構成において、前記磁性膜が、窒素添加の磁性
合金膜であることを特徴とする磁気ヘッドである。
求項６の構成において、前記磁性膜が、窒素添加の磁性
合金膜であることを特徴とする磁気ヘッドである。
【００２１】請求項７の構成によれば、前記磁性膜が、
窒素添加の磁性合金膜である。この窒素添加の磁性合金
膜は、少なくとも窒素ガス（Ｎ2 ）を流してスパッタ等
して成膜している。したがって、前記非磁性体を前記溝
部内に所定の温度で充填する際、窒素ガス（Ｎ2 ）が発
生し易く、これが前記非磁性体内に放出されると、泡等
が生じやすくなる。しかし、請求項７の構成によれば、
前記溝部内に、前記非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜が
形成されているので、特に前記磁性膜として窒素添加の
磁性合金膜を用いた場合、泡等の発生をより効果的に防
止することができる。
窒素添加の磁性合金膜である。この窒素添加の磁性合金
膜は、少なくとも窒素ガス（Ｎ2 ）を流してスパッタ等
して成膜している。したがって、前記非磁性体を前記溝
部内に所定の温度で充填する際、窒素ガス（Ｎ2 ）が発
生し易く、これが前記非磁性体内に放出されると、泡等
が生じやすくなる。しかし、請求項７の構成によれば、
前記溝部内に、前記非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜が
形成されているので、特に前記磁性膜として窒素添加の
磁性合金膜を用いた場合、泡等の発生をより効果的に防
止することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
【００２３】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係るＭＩＧ（メタルインギャップ）型
磁気ヘッド１００を示す概略斜視図である。このＭＩＧ
型磁気ヘッド１００は、磁気記録媒体である例えば磁気
テープ２００に対して映像等の情報信号を記録したり、
逆に、磁気テープ２００の映像等の情報信号を再生した
りするための用いられる。ところで、このような映像等
の情報信号の記録再生には、近年、映像の高画質化等を
目的として、あるいは記憶容量の大容量化を目的とし
て、情報信号の波長をより短くし、より多くの情報信号
を記録再生するため高密度磁気記録方法が採用されてい
る。そして、この高密度磁気記録方法を採用するため
に、磁気テープ２００も高抗磁力型の磁気テープ２００
と成っている。このような高抗磁力型の磁気テープ２０
０は、具体的には、メタルテープや蒸着テープ等が挙げ
られる。このメタルテープは、例えばベースフィルム上
に強磁性金属粉末を磁性紛として塗布し、磁性層を形成
して成るものである。また、蒸着テープは、強磁性金属
材料をベースフィルム上に直接蒸着して形成するもので
ある。
１の実施の形態に係るＭＩＧ（メタルインギャップ）型
磁気ヘッド１００を示す概略斜視図である。このＭＩＧ
型磁気ヘッド１００は、磁気記録媒体である例えば磁気
テープ２００に対して映像等の情報信号を記録したり、
逆に、磁気テープ２００の映像等の情報信号を再生した
りするための用いられる。ところで、このような映像等
の情報信号の記録再生には、近年、映像の高画質化等を
目的として、あるいは記憶容量の大容量化を目的とし
て、情報信号の波長をより短くし、より多くの情報信号
を記録再生するため高密度磁気記録方法が採用されてい
る。そして、この高密度磁気記録方法を採用するため
に、磁気テープ２００も高抗磁力型の磁気テープ２００
と成っている。このような高抗磁力型の磁気テープ２０
０は、具体的には、メタルテープや蒸着テープ等が挙げ
られる。このメタルテープは、例えばベースフィルム上
に強磁性金属粉末を磁性紛として塗布し、磁性層を形成
して成るものである。また、蒸着テープは、強磁性金属
材料をベースフィルム上に直接蒸着して形成するもので
ある。
【００２４】このように形成される高抗磁力型の磁気テ
ープ２００との間で映像等の情報信号の記録再生を行う
ため、図１に示すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が用いられ
るが、このＭＩＧ型磁気ヘッド１００は、以下のような
構成となっている。すなわち、ＭＩＧ型磁気ヘッド１０
０は、先ず、図１に示すように２つの磁気コア半体１１
１，１１２を有している。これら磁気コア半体１１１，
１１２は、例えば、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の酸化物軟
磁性体により形成されている。また、これら磁気コア半
体１１１，１１２は、ガラス融着或いは貴金属同士の熱
拡散による低温熱拡散結合等により接合一体化される。
そして、接合一体化される磁気コア半体１１１，１１２
には、それぞれ、コイル巻線溝１４０、１４０が、図１
に示すように形成される。このようにして形成されるコ
イル巻線溝１４０、１４０に対応して、磁気コア半体１
１１，１１２には、図１に示すように巻線ガイド溝１５
０，１５０がそれぞれ形成されている。ところで、相互
に突き合わされた磁気コア半体１１１，１１２の図にお
ける上面には、上述の磁気テープ２００が摺動するため
の摺動面１２０が形成されている。
ープ２００との間で映像等の情報信号の記録再生を行う
ため、図１に示すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が用いられ
るが、このＭＩＧ型磁気ヘッド１００は、以下のような
構成となっている。すなわち、ＭＩＧ型磁気ヘッド１０
０は、先ず、図１に示すように２つの磁気コア半体１１
１，１１２を有している。これら磁気コア半体１１１，
１１２は、例えば、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の酸化物軟
磁性体により形成されている。また、これら磁気コア半
体１１１，１１２は、ガラス融着或いは貴金属同士の熱
拡散による低温熱拡散結合等により接合一体化される。
そして、接合一体化される磁気コア半体１１１，１１２
には、それぞれ、コイル巻線溝１４０、１４０が、図１
に示すように形成される。このようにして形成されるコ
イル巻線溝１４０、１４０に対応して、磁気コア半体１
１１，１１２には、図１に示すように巻線ガイド溝１５
０，１５０がそれぞれ形成されている。ところで、相互
に突き合わされた磁気コア半体１１１，１１２の図にお
ける上面には、上述の磁気テープ２００が摺動するため
の摺動面１２０が形成されている。
【００２５】この摺動面１２０の平面図を表したのが図
２である。図２に示すように磁気コア半体１１１、１１
２は、それぞれがトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
が形成されている。そして、このトラック幅規制溝１１
１ａ，１１２ａには、一定の厚みで窒素添加の磁性合金
膜１３０が、図１及び図２に示すようにされている。こ
の窒素添加の磁性合金膜１３０は、後述する磁気ギャッ
プｇとコイル巻線溝１４０に巻回されるコイルとの間に
磁気回路を形成するために配置される。そして、本実施
の形態では、窒素添加の磁性合金膜１３０は、例えば、
Ｆｅ，Ｒｕ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｎからなる膜である。
このような窒素添加の磁性合金膜１３０を磁気コア半体
１１１，１１２のトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
に成膜するには、ＡｒとＮ2 （窒素ガス）を用いてスパ
ッタすることが必要となる。このように成膜される窒素
添加の磁性合金膜１３０は、成膜する際に、Ｎ2 （窒素
ガス）を用いているため、この磁性合金膜１３０が高温
になるとＮ2 （窒素ガス）が放出されることになる。と
ころで、このように磁気コア半体１１１，１１２に成膜
された窒素添加の磁性合金膜１３０が、図２に示すよう
に、ＳｉＯ2 等のギャップスペーサ（図示せず）を介し
て、微小間隔を空けて突合されることで、磁気ギャップ
ｇが形成されることになる。この磁気ギャップｇを形成
する窒素添加の磁性合金膜１３０の外側、図２において
半円状に表されている部分には、たとえば、ガラス１６
０が配置されている。
２である。図２に示すように磁気コア半体１１１、１１
２は、それぞれがトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
が形成されている。そして、このトラック幅規制溝１１
１ａ，１１２ａには、一定の厚みで窒素添加の磁性合金
膜１３０が、図１及び図２に示すようにされている。こ
の窒素添加の磁性合金膜１３０は、後述する磁気ギャッ
プｇとコイル巻線溝１４０に巻回されるコイルとの間に
磁気回路を形成するために配置される。そして、本実施
の形態では、窒素添加の磁性合金膜１３０は、例えば、
Ｆｅ，Ｒｕ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｎからなる膜である。
このような窒素添加の磁性合金膜１３０を磁気コア半体
１１１，１１２のトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
に成膜するには、ＡｒとＮ2 （窒素ガス）を用いてスパ
ッタすることが必要となる。このように成膜される窒素
添加の磁性合金膜１３０は、成膜する際に、Ｎ2 （窒素
ガス）を用いているため、この磁性合金膜１３０が高温
になるとＮ2 （窒素ガス）が放出されることになる。と
ころで、このように磁気コア半体１１１，１１２に成膜
された窒素添加の磁性合金膜１３０が、図２に示すよう
に、ＳｉＯ2 等のギャップスペーサ（図示せず）を介し
て、微小間隔を空けて突合されることで、磁気ギャップ
ｇが形成されることになる。この磁気ギャップｇを形成
する窒素添加の磁性合金膜１３０の外側、図２において
半円状に表されている部分には、たとえば、ガラス１６
０が配置されている。
【００２６】以上のように形成されるＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の摺動面１２０には、図１及び図２に示すよう
に、溝部である平行溝１７０が設けられている。この平
行溝１７０は、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗの一端
部である図における下方の端部に設けられ、磁気テープ
２００の摺動方向と略平行に配置されている。ところ
で、このように構成されるＭＩＧ型磁気ヘッド１００に
用いられる磁気テープ２００の記録方式は、映像等の情
報信号を図１３に示すように重ね書きする重ね書き記録
方式となっている。そして、磁気テープ２００の重ね書
きをする側に前記平行溝１７０が形成されることにな
る。このように重ね書き側である磁気ギャップｇの一端
部に平行溝１７０を配置することにより、この磁気ギャ
ップｇの一端部において磁気コア半体１１１，１１２に
成膜されている窒素添加の磁性合金膜１３０、１３０相
互にズレやダレが生じても、この一端部から不要な漏れ
磁界が発生するのを未然に防止することができることに
なる。
ド１００の摺動面１２０には、図１及び図２に示すよう
に、溝部である平行溝１７０が設けられている。この平
行溝１７０は、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗの一端
部である図における下方の端部に設けられ、磁気テープ
２００の摺動方向と略平行に配置されている。ところ
で、このように構成されるＭＩＧ型磁気ヘッド１００に
用いられる磁気テープ２００の記録方式は、映像等の情
報信号を図１３に示すように重ね書きする重ね書き記録
方式となっている。そして、磁気テープ２００の重ね書
きをする側に前記平行溝１７０が形成されることにな
る。このように重ね書き側である磁気ギャップｇの一端
部に平行溝１７０を配置することにより、この磁気ギャ
ップｇの一端部において磁気コア半体１１１，１１２に
成膜されている窒素添加の磁性合金膜１３０、１３０相
互にズレやダレが生じても、この一端部から不要な漏れ
磁界が発生するのを未然に防止することができることに
なる。
【００２７】以上のようにＭＩＧ型磁気ヘッド１００の
摺動面１２０に形成される平行溝１７０には、最終的に
は図２に示すように例えば耐候性の良いガラス１６１が
充填される。しかし、この耐候性の良いガラス１６１が
充填される前に、平行溝１７０には、以下のような非磁
性酸化膜１８０とクロム（Ｃｒ）膜１９０が成膜され
る。具体的には、図３に示すように成膜される。図３
は、図２の平行溝１７０の部部の概略拡大図である。図
３に示すように平行溝１７０内には、先ず、非磁性酸化
膜１８０が配置される。ここで、非磁性酸化膜１８０
は、Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｃｕの酸化物層で
あるが、本実施の形態では、ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ2 を
例として説明する。すなわち、非磁性酸化膜１８０とし
て、ＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ2 を採用する場合は、例えば
膜厚が０．１８μｍとなるように成膜する。このとき、
膜厚は、０．１μｍ以上であるのが好ましい。なぜな
ら、膜厚が０．１μｍ未満の場合は、後述する耐候性の
良いガラス１６１と磁性合金膜１３０との反応が生じ、
耐候性の良いガラス１６１内に泡等が発生するおそれが
あるからである。このように平行溝１７０に非磁性酸化
膜１８０が成膜された後、この非磁性酸化膜１８０の上
にクロム（Ｃｒ）膜１９０が、例えば０．０２μｍの膜
厚で成膜される。この膜厚は、０．０２μｍ以外にも、
０．０１μｍ乃至０．１μｍの範囲で設定することがで
きる。このようにＣｒ膜１９０を用いるのは、Ｃｒ膜１
９０の代わりにＴｉ2 Ｏ3 膜を用いると、ガラスとの界
面に反応による結晶が析出してしまうことになり、Ａｕ
膜を用いるとガラスの濡れ性が悪く、ガラスが流れない
ため、使用できないからである。
摺動面１２０に形成される平行溝１７０には、最終的に
は図２に示すように例えば耐候性の良いガラス１６１が
充填される。しかし、この耐候性の良いガラス１６１が
充填される前に、平行溝１７０には、以下のような非磁
性酸化膜１８０とクロム（Ｃｒ）膜１９０が成膜され
る。具体的には、図３に示すように成膜される。図３
は、図２の平行溝１７０の部部の概略拡大図である。図
３に示すように平行溝１７０内には、先ず、非磁性酸化
膜１８０が配置される。ここで、非磁性酸化膜１８０
は、Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｃｕの酸化物層で
あるが、本実施の形態では、ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ2 を
例として説明する。すなわち、非磁性酸化膜１８０とし
て、ＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ2 を採用する場合は、例えば
膜厚が０．１８μｍとなるように成膜する。このとき、
膜厚は、０．１μｍ以上であるのが好ましい。なぜな
ら、膜厚が０．１μｍ未満の場合は、後述する耐候性の
良いガラス１６１と磁性合金膜１３０との反応が生じ、
耐候性の良いガラス１６１内に泡等が発生するおそれが
あるからである。このように平行溝１７０に非磁性酸化
膜１８０が成膜された後、この非磁性酸化膜１８０の上
にクロム（Ｃｒ）膜１９０が、例えば０．０２μｍの膜
厚で成膜される。この膜厚は、０．０２μｍ以外にも、
０．０１μｍ乃至０．１μｍの範囲で設定することがで
きる。このようにＣｒ膜１９０を用いるのは、Ｃｒ膜１
９０の代わりにＴｉ2 Ｏ3 膜を用いると、ガラスとの界
面に反応による結晶が析出してしまうことになり、Ａｕ
膜を用いるとガラスの濡れ性が悪く、ガラスが流れない
ため、使用できないからである。
【００２８】但し、０．０１μｍ未満の膜厚は、好まし
くない。なぜなら、後述する耐候性の良いガラス１６１
の充填により、この耐候性の良いガラス１６１と反応し
て、Ｃｒ膜１９０が侵食される可能性があるからであ
る。また、０．１μｍ超の膜厚も好ましくない。なぜな
ら、成膜されるＣｒ膜１９０が厚くなり、透過性が悪く
なる、このＣｒ膜１９０を透過して確認する磁気ギャッ
プのデプス管理が困難となるからである。このように平
行溝１７０に非磁性酸化膜１８０とクロム（Ｃｒ）膜１
９０を成膜した状態を、平行溝１７０の深さ方向の断面
で示したのが図４である。
くない。なぜなら、後述する耐候性の良いガラス１６１
の充填により、この耐候性の良いガラス１６１と反応し
て、Ｃｒ膜１９０が侵食される可能性があるからであ
る。また、０．１μｍ超の膜厚も好ましくない。なぜな
ら、成膜されるＣｒ膜１９０が厚くなり、透過性が悪く
なる、このＣｒ膜１９０を透過して確認する磁気ギャッ
プのデプス管理が困難となるからである。このように平
行溝１７０に非磁性酸化膜１８０とクロム（Ｃｒ）膜１
９０を成膜した状態を、平行溝１７０の深さ方向の断面
で示したのが図４である。
【００２９】以上のように平行溝１７０に非磁性酸化膜
１８０とクロム（Ｃｒ）を成膜した後、平行溝１７０内
に耐候性の良いガラス１６１を充填することになる。具
体的には、耐候性の良いガラス１６１をパック温度５２
０度Ｃで２時間かけて充填する。このときの雰囲気は、
窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で、窒素ガス
が２リットル／ｍｉｎ，酸素が５０ｐｐｍとなる。この
ような雰囲気で耐候性の良いガラス１６１を前記平行溝
１７０内に充填することになるが、このとき、平行溝１
７０内の表面には、Ｃｒ膜１９０が形成され、その上
に、耐候性の良いガラス１６１を流すことになる。この
Ｃｒ膜１９０は、金属膜なので、ガラスの濡れ性が劣っ
てしまい、そのままでは、耐候性の良いガラス１６１が
流れ難くなる。しかし、本実施の形態では、酸素を含有
した不活性ガスの雰囲気下で、耐候性の良いガラス１６
１の充填を行うので、Ｃｒ膜１９０のガラスの濡れ性が
良好となり、円滑に耐候性の良いガラス１６１を平行溝
１７０内に充填できることになる。また、本実施の形態
では、平行溝１７０内に非磁性酸化膜１８０が成膜され
ているので、例えば、５２０度Ｃの温度で、耐候性の良
いガラス１６１を平行溝１７０内に充填しても、この耐
候性の良いガラス１６１と窒素添加の磁性合金膜１３０
との間で反応が生じるのを防止することができる。
１８０とクロム（Ｃｒ）を成膜した後、平行溝１７０内
に耐候性の良いガラス１６１を充填することになる。具
体的には、耐候性の良いガラス１６１をパック温度５２
０度Ｃで２時間かけて充填する。このときの雰囲気は、
窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で、窒素ガス
が２リットル／ｍｉｎ，酸素が５０ｐｐｍとなる。この
ような雰囲気で耐候性の良いガラス１６１を前記平行溝
１７０内に充填することになるが、このとき、平行溝１
７０内の表面には、Ｃｒ膜１９０が形成され、その上
に、耐候性の良いガラス１６１を流すことになる。この
Ｃｒ膜１９０は、金属膜なので、ガラスの濡れ性が劣っ
てしまい、そのままでは、耐候性の良いガラス１６１が
流れ難くなる。しかし、本実施の形態では、酸素を含有
した不活性ガスの雰囲気下で、耐候性の良いガラス１６
１の充填を行うので、Ｃｒ膜１９０のガラスの濡れ性が
良好となり、円滑に耐候性の良いガラス１６１を平行溝
１７０内に充填できることになる。また、本実施の形態
では、平行溝１７０内に非磁性酸化膜１８０が成膜され
ているので、例えば、５２０度Ｃの温度で、耐候性の良
いガラス１６１を平行溝１７０内に充填しても、この耐
候性の良いガラス１６１と窒素添加の磁性合金膜１３０
との間で反応が生じるのを防止することができる。
【００３０】すなわち、上述のように窒素添加の磁性合
金膜１３０は、成膜時にＡｒとＮ2を用いてスパッタさ
れているため、耐候性の良いガラス１６１の温度に反応
して、この磁性合金膜１３０のＮ2 が放出されることに
なる。しかし、この窒素添加の磁性合金膜１３０のう
ち、平行溝１７０に露出している部分は、非磁性酸化膜
１８０を介して、耐候性の良いガラス１６１と接するこ
とになるため、この放出されたＮ2 が耐候性の良いガラ
ス１６１内に放出されるにが防止され、これによって、
耐候性の良いガラス１６１内に泡等が形成されるのを未
然に防ぐようになっている。さらに、この非磁性酸化膜
１８０を平行溝１７０内にスパッタ等により成膜する際
に発生する希ガスイオンが非磁性酸化膜１８０に含まれ
ている場合、耐候性の良いガラス１６１の温度により、
非磁性酸化膜１８０から放出され、耐候性の良いガラス
１６１内で泡等が発生するおそれがある。しかし、本実
施の形態では、この非磁性酸化膜１８０の上にＣｒ膜１
９０が成膜されているため、この放出された希ガスイオ
ンがＣｒ膜１９０で遮断され、耐候性の良いガラス１６
１内に入り込み泡等を発生されることがない。具体的に
は、以下のような比較を行った。すなわち、一方は、平
行溝１７０に、非磁性酸化膜１８０として、ＳｉＯ2 又
はＡｌ2 Ｏ2 を膜厚が０．１８μｍとなるように成膜
し、その上にＣｒ膜１９０を０．０２μｍ成膜し、耐候
性の良いガラス１６１をパック温度５２０度Ｃで２時間
かけて充填した。他方は、平行溝１７０に、非磁性酸化
膜１８０とＣｒ膜１９０を成膜しない状態で、耐候性の
良いガラス１６１をパック温度５２０度Ｃで２時間かけ
て充填した。いずれも、雰囲気は、窒素ガス（Ｎ2 ）に
酸素を含有した雰囲気で、窒素ガスが２リットル／ｍｉ
ｎ，酸素が５０ｐｐｍとした。このとき、他方の非磁性
酸化膜１８０とＣｒ膜１９０とを成膜しない平行溝内の
耐候性の良いガラス１６１内には、９０％乃至１００％
の確率で、窒素添加の磁性合金膜１３０との間の反応泡
が発生する。しかし、一方の非磁性酸化膜１８０とＣｒ
膜１９０とを成膜した平行溝内の耐候性の良いガラス１
６１内には反応泡が発生しなった。以上にように本実施
の形態によれば、平行溝１７０の例えば窒素添加の磁性
合金膜１３０の近傍や、磁気コア半体１１１，１１２に
沿って泡等が発生するのを有効に防止することができ
る。これにより、磁気テープ２００がＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の摺動面１２０を走行した際に、泡等に磁気テ
ープ２００の磁性紛による詰まりクロックが発生するの
を防止することができる。
金膜１３０は、成膜時にＡｒとＮ2を用いてスパッタさ
れているため、耐候性の良いガラス１６１の温度に反応
して、この磁性合金膜１３０のＮ2 が放出されることに
なる。しかし、この窒素添加の磁性合金膜１３０のう
ち、平行溝１７０に露出している部分は、非磁性酸化膜
１８０を介して、耐候性の良いガラス１６１と接するこ
とになるため、この放出されたＮ2 が耐候性の良いガラ
ス１６１内に放出されるにが防止され、これによって、
耐候性の良いガラス１６１内に泡等が形成されるのを未
然に防ぐようになっている。さらに、この非磁性酸化膜
１８０を平行溝１７０内にスパッタ等により成膜する際
に発生する希ガスイオンが非磁性酸化膜１８０に含まれ
ている場合、耐候性の良いガラス１６１の温度により、
非磁性酸化膜１８０から放出され、耐候性の良いガラス
１６１内で泡等が発生するおそれがある。しかし、本実
施の形態では、この非磁性酸化膜１８０の上にＣｒ膜１
９０が成膜されているため、この放出された希ガスイオ
ンがＣｒ膜１９０で遮断され、耐候性の良いガラス１６
１内に入り込み泡等を発生されることがない。具体的に
は、以下のような比較を行った。すなわち、一方は、平
行溝１７０に、非磁性酸化膜１８０として、ＳｉＯ2 又
はＡｌ2 Ｏ2 を膜厚が０．１８μｍとなるように成膜
し、その上にＣｒ膜１９０を０．０２μｍ成膜し、耐候
性の良いガラス１６１をパック温度５２０度Ｃで２時間
かけて充填した。他方は、平行溝１７０に、非磁性酸化
膜１８０とＣｒ膜１９０を成膜しない状態で、耐候性の
良いガラス１６１をパック温度５２０度Ｃで２時間かけ
て充填した。いずれも、雰囲気は、窒素ガス（Ｎ2 ）に
酸素を含有した雰囲気で、窒素ガスが２リットル／ｍｉ
ｎ，酸素が５０ｐｐｍとした。このとき、他方の非磁性
酸化膜１８０とＣｒ膜１９０とを成膜しない平行溝内の
耐候性の良いガラス１６１内には、９０％乃至１００％
の確率で、窒素添加の磁性合金膜１３０との間の反応泡
が発生する。しかし、一方の非磁性酸化膜１８０とＣｒ
膜１９０とを成膜した平行溝内の耐候性の良いガラス１
６１内には反応泡が発生しなった。以上にように本実施
の形態によれば、平行溝１７０の例えば窒素添加の磁性
合金膜１３０の近傍や、磁気コア半体１１１，１１２に
沿って泡等が発生するのを有効に防止することができ
る。これにより、磁気テープ２００がＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の摺動面１２０を走行した際に、泡等に磁気テ
ープ２００の磁性紛による詰まりクロックが発生するの
を防止することができる。
【００３１】特に、ＭＩＧ型磁気ヘッド１００の信頼性
を確保するために有効な耐候性の良いガラス１６１を使
用した場合でも、有効に泡等の発生を防ぐことができ
る。さらに、従来は、耐候性の良いガラス１６１を使用
する際には、５４０度Ｃ以上の温度にしなければ、耐候
性の良いガラス１６１が流れず、平行溝１７０等に充填
できなかった。しかし、本実施の形態では、酸素を含有
する不活性ガスの雰囲気内で行っているため、温度を５
２０度Ｃとしても、平行溝１７０内のＣｒ膜１９０に十
分なガラスの濡れ性が確保されることになり、円滑に耐
候性の良いガラス１６１を充填できる。また、このよう
に耐候性の良いガラス１６１を５２０度Ｃという比較的
低温で充填できるので、従来、発生していた析出物の発
生を抑えることができることになる。これにより、製造
されたＭＩＧ型ヘッド１００の製造上の歩留まりを大幅
に向上させることができる。
を確保するために有効な耐候性の良いガラス１６１を使
用した場合でも、有効に泡等の発生を防ぐことができ
る。さらに、従来は、耐候性の良いガラス１６１を使用
する際には、５４０度Ｃ以上の温度にしなければ、耐候
性の良いガラス１６１が流れず、平行溝１７０等に充填
できなかった。しかし、本実施の形態では、酸素を含有
する不活性ガスの雰囲気内で行っているため、温度を５
２０度Ｃとしても、平行溝１７０内のＣｒ膜１９０に十
分なガラスの濡れ性が確保されることになり、円滑に耐
候性の良いガラス１６１を充填できる。また、このよう
に耐候性の良いガラス１６１を５２０度Ｃという比較的
低温で充填できるので、従来、発生していた析出物の発
生を抑えることができることになる。これにより、製造
されたＭＩＧ型ヘッド１００の製造上の歩留まりを大幅
に向上させることができる。
【００３２】ところで、以上のように摺動面１２０上に
平行溝１７０を形成した後、所定の工程を経て図１に示
すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が構成されるが、以下に、
このＭＩＧ型磁気ヘッド１００の平行溝１７０形成工程
以外の工程の概要を説明する。先ず、図５に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの酸化物軟磁性体でなる磁
気コア半体１１１，１１２となる２つの磁気コア半体ブ
ロック１１１ｂ，１１２ｂを研削水を用いた砥石加工に
より作製する。続いて、各磁気コア半体ブロック１１１
ｂ，１１２ｂの長手方向に磁気ギャップｇのギャップデ
プスを規制し、巻線を施すためのコイル巻線溝１４０を
研削水を用いた砥石加工によりそれぞれ形成する。次
に、図６に示すように各磁気コア半体ブロック１１１
ｂ，１１２ｂの短手方向にトラック幅規制溝１１１ａ，
１１２ａを研削水を用いた砥石加工により形成する。そ
して、各磁気コア半体ブロック１１１ｂ、１１２ｂに形
成されたトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａを研磨加
工により表面粗度が２０Å（オングストローム）乃至１
００Å（オングストローム）程度になるように鏡面加工
した後、窒素添加の磁性合金膜１３０をスパッタリング
法により成膜し、続いて、図示しないギャップ材を成膜
する。
平行溝１７０を形成した後、所定の工程を経て図１に示
すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が構成されるが、以下に、
このＭＩＧ型磁気ヘッド１００の平行溝１７０形成工程
以外の工程の概要を説明する。先ず、図５に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの酸化物軟磁性体でなる磁
気コア半体１１１，１１２となる２つの磁気コア半体ブ
ロック１１１ｂ，１１２ｂを研削水を用いた砥石加工に
より作製する。続いて、各磁気コア半体ブロック１１１
ｂ，１１２ｂの長手方向に磁気ギャップｇのギャップデ
プスを規制し、巻線を施すためのコイル巻線溝１４０を
研削水を用いた砥石加工によりそれぞれ形成する。次
に、図６に示すように各磁気コア半体ブロック１１１
ｂ，１１２ｂの短手方向にトラック幅規制溝１１１ａ，
１１２ａを研削水を用いた砥石加工により形成する。そ
して、各磁気コア半体ブロック１１１ｂ、１１２ｂに形
成されたトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａを研磨加
工により表面粗度が２０Å（オングストローム）乃至１
００Å（オングストローム）程度になるように鏡面加工
した後、窒素添加の磁性合金膜１３０をスパッタリング
法により成膜し、続いて、図示しないギャップ材を成膜
する。
【００３３】次に、図７に示すように、各磁気コア半体
ブロック１１１ｂ，１１２ｂを互いに突き合わせ、ガラ
ス融着或いは貴金属同士の熱拡散による低温熱拡散結合
等により接合一体化して、一つの磁気コアブロックとす
る。これにより、磁気ギャップｇが形成される。そし
て、磁気コアブロックの短手方向に磁気ギャップｇの一
端部に接する平行溝１７０となる切り込みを研削水を用
いた砥石加工により、それぞれ形成し、磁気ギャップｇ
を所定のトラック幅Ｔｗに規制する。次に、上述の非磁
性酸化膜１８０を、図８に示すように平行溝１７０内の
全面に成膜する。そして、その上に窒素添加の磁性合金
膜１３０を上述のように成膜する。さらに、この窒素添
加の磁性合金膜１３０の上に上述の耐候性の良いガラス
１６１を充填する。その後、図９に示すように、磁気コ
アブロックの磁気ギャップｇの形成面を円筒研削加工に
より所定のデプスまで、曲率を持たせてラッピングして
摺動面１２０を形成する。また、最後に、磁気コアブロ
ックの長手方向に巻線ガイド溝１５０を研削水を用いて
砥石加工により形成し、切削加工により切断してＭＩＧ
型磁気ヘッド１００を形成することとなる。以上のよう
にして製造される本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００がアジマス記録方式の磁気ヘッドである場合
は、その摺動面１２０のにおいて、磁気テープ２００の
摺動方向と磁気ギャップｇとの間に所定のアジマス角が
設けられることになる。
ブロック１１１ｂ，１１２ｂを互いに突き合わせ、ガラ
ス融着或いは貴金属同士の熱拡散による低温熱拡散結合
等により接合一体化して、一つの磁気コアブロックとす
る。これにより、磁気ギャップｇが形成される。そし
て、磁気コアブロックの短手方向に磁気ギャップｇの一
端部に接する平行溝１７０となる切り込みを研削水を用
いた砥石加工により、それぞれ形成し、磁気ギャップｇ
を所定のトラック幅Ｔｗに規制する。次に、上述の非磁
性酸化膜１８０を、図８に示すように平行溝１７０内の
全面に成膜する。そして、その上に窒素添加の磁性合金
膜１３０を上述のように成膜する。さらに、この窒素添
加の磁性合金膜１３０の上に上述の耐候性の良いガラス
１６１を充填する。その後、図９に示すように、磁気コ
アブロックの磁気ギャップｇの形成面を円筒研削加工に
より所定のデプスまで、曲率を持たせてラッピングして
摺動面１２０を形成する。また、最後に、磁気コアブロ
ックの長手方向に巻線ガイド溝１５０を研削水を用いて
砥石加工により形成し、切削加工により切断してＭＩＧ
型磁気ヘッド１００を形成することとなる。以上のよう
にして製造される本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００がアジマス記録方式の磁気ヘッドである場合
は、その摺動面１２０のにおいて、磁気テープ２００の
摺動方向と磁気ギャップｇとの間に所定のアジマス角が
設けられることになる。
【００３４】（第２の実施の形態）以下に第２の実施の
形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド３００について説明す
る。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド３００は、
上述の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド１０
０の構成と多くの部分が共通しているため、共通点は同
一の符号を付す等して説明を省略し、相違点を中心に以
下、説明する。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
３００は、第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
１００と異なり、その平行溝３７０内に酸化クロム（Ｃ
ｒＯ2）のみが０．１μｍ以上の膜厚で成膜されてい
る。このＣｒＯ2 膜の上にＮ2 ガス雰囲気で、又は酸素
を含有したＮ2 ガス雰囲気で耐候性の良いガラス１６１
を充填することになる。この場合、酸素を含有していな
いＮ2 ガス雰囲気で耐候性の良いガラス１６１を平行溝
１７０内に流し込んでも、このＣｒＯ2 膜が酸化膜のた
め、ガラスの濡れ性が十分確保されることになる。な
お、ＣｒＯ2 膜は、０．１μｍ以上であればよいが、で
きるだけ薄い方が望ましい。本実施の形態のＭＩＧ型磁
気ヘッド３００は、以上のように構成され、平行溝１７
０内にＣｒＯ2 膜が形成されているので、窒素添加の磁
性合金膜１３０から放出された希ガスイオンがＣｒＯ2
膜で遮断され、耐候性の良いガラス１６１内に入り込み
反応泡等を発生させることがない。
形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド３００について説明す
る。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド３００は、
上述の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド１０
０の構成と多くの部分が共通しているため、共通点は同
一の符号を付す等して説明を省略し、相違点を中心に以
下、説明する。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
３００は、第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
１００と異なり、その平行溝３７０内に酸化クロム（Ｃ
ｒＯ2）のみが０．１μｍ以上の膜厚で成膜されてい
る。このＣｒＯ2 膜の上にＮ2 ガス雰囲気で、又は酸素
を含有したＮ2 ガス雰囲気で耐候性の良いガラス１６１
を充填することになる。この場合、酸素を含有していな
いＮ2 ガス雰囲気で耐候性の良いガラス１６１を平行溝
１７０内に流し込んでも、このＣｒＯ2 膜が酸化膜のた
め、ガラスの濡れ性が十分確保されることになる。な
お、ＣｒＯ2 膜は、０．１μｍ以上であればよいが、で
きるだけ薄い方が望ましい。本実施の形態のＭＩＧ型磁
気ヘッド３００は、以上のように構成され、平行溝１７
０内にＣｒＯ2 膜が形成されているので、窒素添加の磁
性合金膜１３０から放出された希ガスイオンがＣｒＯ2
膜で遮断され、耐候性の良いガラス１６１内に入り込み
反応泡等を発生させることがない。
【００３５】具体的には、以下のような比較を行った。
すなわち、一方は、平行溝１７０にＣｒＯ2 を膜厚が
０．１μｍとなるように成膜し、耐候性の良いガラス１
６１をパック温度５２０度Ｃで２時間かけて充填した。
他方は、平行溝１７０に、ＣｒＯ2 以外の酸化膜を成膜
した状態で、耐候性の良いガラス１６１をパック温度５
２０度Ｃで２時間かけて充填した。いずれも、雰囲気
は、窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で、窒素
ガスが２リットル／ｍｉｎ，酸素が５０ｐｐｍとした。
このとき、他方のＣｒＯ2 以外の酸化膜を成膜した平行
溝内の耐候性の良いガラス１６１内には、７％乃至３５
％の確率で、窒素添加の磁性合金膜１３０との間の反応
泡が発生する。しかし、一方のＣｒＯ2 膜を成膜した平
行溝内の耐候性の良いガラス１６１内には２％程度しか
反応泡が発生しなった。
すなわち、一方は、平行溝１７０にＣｒＯ2 を膜厚が
０．１μｍとなるように成膜し、耐候性の良いガラス１
６１をパック温度５２０度Ｃで２時間かけて充填した。
他方は、平行溝１７０に、ＣｒＯ2 以外の酸化膜を成膜
した状態で、耐候性の良いガラス１６１をパック温度５
２０度Ｃで２時間かけて充填した。いずれも、雰囲気
は、窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で、窒素
ガスが２リットル／ｍｉｎ，酸素が５０ｐｐｍとした。
このとき、他方のＣｒＯ2 以外の酸化膜を成膜した平行
溝内の耐候性の良いガラス１６１内には、７％乃至３５
％の確率で、窒素添加の磁性合金膜１３０との間の反応
泡が発生する。しかし、一方のＣｒＯ2 膜を成膜した平
行溝内の耐候性の良いガラス１６１内には２％程度しか
反応泡が発生しなった。
【００３６】（第３の実施の形態）図１０は、本発明の
第３の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド４００を示
す概略斜視図である。図１１は、図１０のＭＩＧ型磁気
ヘッド４００の摺動面４２０を平面より示した概略平面
図である。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド４０
０は、上述の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の構成と多くの部分が共通しているため、共通
点は同一の符号を付す等して説明を省略し、相違点を中
心に以下、説明する。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気
ヘッド４００は、所謂戻り書き記録方式等に用いられる
磁気ヘッドである。したがって、平行溝４７０は、第１
の実施の形態の平行溝１７０と異なり、図１１に示すよ
うに、磁気ギャップｇの両端に形成されている。このよ
うに平行溝４７０が磁気ギャップｇの両端にあることに
より、これら両端部で生じる不要な漏れ磁界を未然に防
ぐことができる。そして、これにより、摺動面を走行す
る磁気テープの記録パターンを乱すことなく戻り書き記
録方式で、情報信号を磁気テープに記録したり、磁気テ
ープから情報信号を再生したりすることができる。
第３の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド４００を示
す概略斜視図である。図１１は、図１０のＭＩＧ型磁気
ヘッド４００の摺動面４２０を平面より示した概略平面
図である。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド４０
０は、上述の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の構成と多くの部分が共通しているため、共通
点は同一の符号を付す等して説明を省略し、相違点を中
心に以下、説明する。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気
ヘッド４００は、所謂戻り書き記録方式等に用いられる
磁気ヘッドである。したがって、平行溝４７０は、第１
の実施の形態の平行溝１７０と異なり、図１１に示すよ
うに、磁気ギャップｇの両端に形成されている。このよ
うに平行溝４７０が磁気ギャップｇの両端にあることに
より、これら両端部で生じる不要な漏れ磁界を未然に防
ぐことができる。そして、これにより、摺動面を走行す
る磁気テープの記録パターンを乱すことなく戻り書き記
録方式で、情報信号を磁気テープに記録したり、磁気テ
ープから情報信号を再生したりすることができる。
【００３７】このときの平行溝４７０の構成は、第１の
実施の形態と同様に、非磁性酸化膜１８０とＣｒ膜１９
０が成膜されている。したがって、この平行溝４７０に
耐候性の良いガラス１６１を充填しても、窒素添加の磁
性合金膜１３０との反応泡や非磁性酸化膜１８０の希ガ
スイオンによる泡等が、耐候性の良いガラス１６１内に
発生せず、磁気テープが摺動面４２０を走行しても磁性
紛による詰まりクロックが発生しない高性能なＭＩＧ型
磁気ヘッド４００となる。また、この平行溝４７０内に
成膜される上述の非磁性酸化膜１８０とＣｒ膜１９０の
代わりに、第２の実施の形態で説明したＣｒＯ2 膜を成
膜しても構わない。
実施の形態と同様に、非磁性酸化膜１８０とＣｒ膜１９
０が成膜されている。したがって、この平行溝４７０に
耐候性の良いガラス１６１を充填しても、窒素添加の磁
性合金膜１３０との反応泡や非磁性酸化膜１８０の希ガ
スイオンによる泡等が、耐候性の良いガラス１６１内に
発生せず、磁気テープが摺動面４２０を走行しても磁性
紛による詰まりクロックが発生しない高性能なＭＩＧ型
磁気ヘッド４００となる。また、この平行溝４７０内に
成膜される上述の非磁性酸化膜１８０とＣｒ膜１９０の
代わりに、第２の実施の形態で説明したＣｒＯ2 膜を成
膜しても構わない。
【００３８】なお、上述の実施の形態の構成は、その一
部を省略したり、上述していない他の任意の組み合わせ
に変更することができる。
部を省略したり、上述していない他の任意の組み合わせ
に変更することができる。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ガラス
等の非磁性体が充填し易く、非磁性体内の泡等の発生を
抑えることができる磁気ヘッドを提供することができ
る。
等の非磁性体が充填し易く、非磁性体内の泡等の発生を
抑えることができる磁気ヘッドを提供することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気
ヘッドを示す概略斜視図である。
ヘッドを示す概略斜視図である。
【図２】図１のＭＩＧ型磁気ヘッドの概略平面図であ
る。
る。
【図３】図２の平行溝等の構成を示す概略拡大図であ
る。
る。
【図４】図２の平行溝の構成を示す概略断面図である。
【図５】図１のＭＩＧ型磁気ヘッドの製造工程を示す概
略図である。
略図である。
【図６】図５の次の製造工程を示す概略図である。
【図７】図６の次の製造工程を示す概略図である。
【図８】図７の次の製造工程を示す概略図である。
【図９】図８の次の製造工程を示す概略図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るＭＩＧ型磁
気ヘッドを示す概略斜視図である。
気ヘッドを示す概略斜視図である。
【図１１】図１０の平面を示す概略平面図である。
【図１２】従来の磁気ヘッドの摺動面を示す概略図であ
る。
る。
【図１３】重ね書き記録方式の説明図である。
１００、３００、４００・・・ＭＩＧ型磁気ヘッド、１
１１，１１２・・・磁気コア半体、１１１ａ，１１２ａ
・・・トラック幅規制溝、１１１ｂ，１１２ｂ・・・磁
気コア半体ブロック、１２０、４２０・・・摺動面、１
３０・・・窒素添加の磁性合金膜、１４０・・・コイル
巻線溝、１５０・・・巻線ガイド溝、１６０・・・ガラ
ス、１６１・・・耐候性の良いガラス、１７０、３７
０、４７０・・・平行溝、１８０・・・非磁性酸化膜、
１９０・・・クロム（Ｃｒ）膜、２００・・・磁気テー
プ
１１，１１２・・・磁気コア半体、１１１ａ，１１２ａ
・・・トラック幅規制溝、１１１ｂ，１１２ｂ・・・磁
気コア半体ブロック、１２０、４２０・・・摺動面、１
３０・・・窒素添加の磁性合金膜、１４０・・・コイル
巻線溝、１５０・・・巻線ガイド溝、１６０・・・ガラ
ス、１６１・・・耐候性の良いガラス、１７０、３７
０、４７０・・・平行溝、１８０・・・非磁性酸化膜、
１９０・・・クロム（Ｃｒ）膜、２００・・・磁気テー
プ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１２月２６日（２０００．１２．
２６）
２６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 磁気ヘッド
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に対
して音声信号や映像信号、あるいはデータ信号等の情報
信号を記録再生する磁気ヘッドに関するものである。
して音声信号や映像信号、あるいはデータ信号等の情報
信号を記録再生する磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気テープ等を磁気記録媒体とし
て用いているビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）、デジタ
ルオーディオテープレコーダ（ＤＡＴ）、あるいはデジ
タルデータ記録再生装置等は、磁気テープ等の記録トラ
ック上に情報信号を磁気信号として書き込み、あるいは
記録トラック上に記録されている情報信号を磁気信号と
して読み込む磁気ヘッドを備えている。
て用いているビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）、デジタ
ルオーディオテープレコーダ（ＤＡＴ）、あるいはデジ
タルデータ記録再生装置等は、磁気テープ等の記録トラ
ック上に情報信号を磁気信号として書き込み、あるいは
記録トラック上に記録されている情報信号を磁気信号と
して読み込む磁気ヘッドを備えている。
【０００３】この磁気ヘッドは、２つの磁気コア半体を
突き合わせることにより形成されている磁気コアを有
し、この磁気コアには、前記磁気テープが摺動するため
の摺動面が形成されている。この摺動面には、磁気ギャ
ップが形成されており、この磁気ギャップは、２つの磁
気コア半体を磁性膜やギャップ材を介して互いに突き合
わすことで形成されている。この磁気ギャップは、記録
時には磁気テープへの磁界の広がりの範囲を絞る働き
と、再生時には磁気テープから磁束を取り入れる働きを
するものである。
突き合わせることにより形成されている磁気コアを有
し、この磁気コアには、前記磁気テープが摺動するため
の摺動面が形成されている。この摺動面には、磁気ギャ
ップが形成されており、この磁気ギャップは、２つの磁
気コア半体を磁性膜やギャップ材を介して互いに突き合
わすことで形成されている。この磁気ギャップは、記録
時には磁気テープへの磁界の広がりの範囲を絞る働き
と、再生時には磁気テープから磁束を取り入れる働きを
するものである。
【０００４】このような磁気ヘッドの摺動面は、具体的
には図１２に示すように構成されている。すなわち、図
１２に示すように、磁気ヘッド１０は、磁気コア半体１
１ａ，１１ｂとを有している。そして、これら磁気コア
半体１１ａ，１１ｂに対して、磁気回路を形成するため
の金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂを形成されている。この
ように金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂが成膜された磁気コ
ア半体１１ａ，１１ｂをギャップ材を介して突き合わせ
ることで、磁気ギャップｇが形成されることになる。そ
して、この磁気ギャップｇ上を前記磁気テープが摺動す
ることで、磁気テープと磁気ヘッド１０との間で情報信
号の記録再生が行われることになる。ところで、この磁
気ギャップｇの図における縦方向の上端及び下端は、エ
ッジと呼ばれ、このエッジ部分で、突き合されている金
属磁性薄膜１２ａ，１２ｂがズレたり、もしくはダレが
生じる場合がある。このように金属磁性薄膜１２ａ，１
２ｂにズレやダレが生じると、磁気ギャップｇのエッジ
から不要な漏れ磁界が発生し、磁気ヘッド１０の摺動面
を走行する磁気テープの記録パターンを乱すことになっ
ていた。
には図１２に示すように構成されている。すなわち、図
１２に示すように、磁気ヘッド１０は、磁気コア半体１
１ａ，１１ｂとを有している。そして、これら磁気コア
半体１１ａ，１１ｂに対して、磁気回路を形成するため
の金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂを形成されている。この
ように金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂが成膜された磁気コ
ア半体１１ａ，１１ｂをギャップ材を介して突き合わせ
ることで、磁気ギャップｇが形成されることになる。そ
して、この磁気ギャップｇ上を前記磁気テープが摺動す
ることで、磁気テープと磁気ヘッド１０との間で情報信
号の記録再生が行われることになる。ところで、この磁
気ギャップｇの図における縦方向の上端及び下端は、エ
ッジと呼ばれ、このエッジ部分で、突き合されている金
属磁性薄膜１２ａ，１２ｂがズレたり、もしくはダレが
生じる場合がある。このように金属磁性薄膜１２ａ，１
２ｂにズレやダレが生じると、磁気ギャップｇのエッジ
から不要な漏れ磁界が発生し、磁気ヘッド１０の摺動面
を走行する磁気テープの記録パターンを乱すことになっ
ていた。
【０００５】これは、特に、情報信号の記録方式が、図
１３に示すような重ね書き記録方式の場合、いわゆるサ
イドイレーズにより記録のＳ／Ｎが低下し、磁気テープ
の全記録トラックを有効に利用することができないとい
う問題を引き起こすことになる。このような不都合を避
けるため、図１２に示すように、磁気ヘッド１０の磁気
ギャップｇの重ね書き側である下端側に溝３３を形成す
ることで、磁気ギャップｇの重ね書き側のエッジにズレ
やダレを生じないようにしている。また、この溝３３内
には、ガラス３３ａが充填されている。これは、磁気テ
ープの磁性粉による目詰まりや磁気ギャップのエッジの
欠けが発生するのを防止し、安定的して磁気テープを走
行させるためである。
１３に示すような重ね書き記録方式の場合、いわゆるサ
イドイレーズにより記録のＳ／Ｎが低下し、磁気テープ
の全記録トラックを有効に利用することができないとい
う問題を引き起こすことになる。このような不都合を避
けるため、図１２に示すように、磁気ヘッド１０の磁気
ギャップｇの重ね書き側である下端側に溝３３を形成す
ることで、磁気ギャップｇの重ね書き側のエッジにズレ
やダレを生じないようにしている。また、この溝３３内
には、ガラス３３ａが充填されている。これは、磁気テ
ープの磁性粉による目詰まりや磁気ギャップのエッジの
欠けが発生するのを防止し、安定的して磁気テープを走
行させるためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
磁気ヘッド１０の溝３３内にガラス３３ａを充填する
と、図１２に示すように、金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂ
の近傍と磁気コア半体１１ａ，１１ｂに沿ってガラス３
３ａ内に泡が発生してしまっていた。このような泡がガ
ラス３３ａに存在すると、磁気テープ走行中に泡に磁性
粉が詰りクロックが発生してしまうという問題があっ
た。このような泡の発生を防止するために、溝３３にガ
ラス３３ａを充填する前に酸素プラズマ洗浄や酸素雰囲
気でのブロックアニール等を行ったが、磁気コア半体１
１ａ，１１ｂに沿った泡は、若干減少したものの、金属
磁性薄膜１２ａ，１２ｂの近傍の泡には、変化がなく磁
気ヘッド１０の量産が困難であるという問題もあった。
磁気ヘッド１０の溝３３内にガラス３３ａを充填する
と、図１２に示すように、金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂ
の近傍と磁気コア半体１１ａ，１１ｂに沿ってガラス３
３ａ内に泡が発生してしまっていた。このような泡がガ
ラス３３ａに存在すると、磁気テープ走行中に泡に磁性
粉が詰りクロックが発生してしまうという問題があっ
た。このような泡の発生を防止するために、溝３３にガ
ラス３３ａを充填する前に酸素プラズマ洗浄や酸素雰囲
気でのブロックアニール等を行ったが、磁気コア半体１
１ａ，１１ｂに沿った泡は、若干減少したものの、金属
磁性薄膜１２ａ，１２ｂの近傍の泡には、変化がなく磁
気ヘッド１０の量産が困難であるという問題もあった。
【０００７】本発明は、以上の点に鑑み、ガラス等の非
磁性体が充填し易く、非磁性体内の泡等の発生を抑える
ことができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
磁性体が充填し易く、非磁性体内の泡等の発生を抑える
ことができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的は、請求項１の
発明によれば、磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、この摺動面に少なくとも磁性膜を配置して形成
される磁気ギャップと、この磁気ギャップの一端部又は
両端部に対して、前記磁気記録媒体の摺動方向と略平行
に配置された溝部と、この溝部内に配置されている非磁
性体と、を有する磁気ヘッドであって、前記溝部の内側
には、非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜が形成され、そ
の上に前記非磁性体が充填されることを特徴とする磁気
ヘッドにより、達成される。
発明によれば、磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、この摺動面に少なくとも磁性膜を配置して形成
される磁気ギャップと、この磁気ギャップの一端部又は
両端部に対して、前記磁気記録媒体の摺動方向と略平行
に配置された溝部と、この溝部内に配置されている非磁
性体と、を有する磁気ヘッドであって、前記溝部の内側
には、非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜が形成され、そ
の上に前記非磁性体が充填されることを特徴とする磁気
ヘッドにより、達成される。
【０００９】請求項１の構成によれば、前記溝部の内側
には、非磁性酸化膜が形成されている。したがって、こ
の非磁性酸化膜により、前記非磁性体と前記磁性膜との
反応が防止され非磁性体内に泡等が生じるのを防ぐこと
ができる。また、前記非磁性酸化膜には、クロム（Ｃ
ｒ）膜が形成されている。したがって、前記非磁性酸化
膜を前記溝部内にスパッタ等で膜付けしたときに発生す
る例えば希ガスイオンが、その後の前記非磁性体の充填
時における温度上昇により、この非磁性体内に放出さ
れ、泡等が発生してしまうのを、前記クロム（Ｃｒ）膜
で防ぐことができる。
には、非磁性酸化膜が形成されている。したがって、こ
の非磁性酸化膜により、前記非磁性体と前記磁性膜との
反応が防止され非磁性体内に泡等が生じるのを防ぐこと
ができる。また、前記非磁性酸化膜には、クロム（Ｃ
ｒ）膜が形成されている。したがって、前記非磁性酸化
膜を前記溝部内にスパッタ等で膜付けしたときに発生す
る例えば希ガスイオンが、その後の前記非磁性体の充填
時における温度上昇により、この非磁性体内に放出さ
れ、泡等が発生してしまうのを、前記クロム（Ｃｒ）膜
で防ぐことができる。
【００１０】好ましくは、請求項２の発明によれば、請
求項１の構成において、前記非磁性体がガラスで、この
ガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲
気で行われることを特徴とする磁気ヘッドである。
求項１の構成において、前記非磁性体がガラスで、この
ガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲
気で行われることを特徴とする磁気ヘッドである。
【００１１】請求項２の構成によれば、前記非磁性体が
ガラスで、このガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素
を含有した雰囲気で行われる。ところで、磁気ヘッドの
信頼性を確保するために、耐候性の良いガラスを充填す
るのが好ましいが、このガラスを前記溝部内に、充填す
るには、この耐候性の良いガラスを、例えば５４０°Ｃ
以上の温度にする必要があった。すなわち、このような
温度まで上昇させないと、ガラスが流れず、前記溝部内
に上手く充填できなかったからである。一方、このよう
に耐候性の良いガラスを５４０°Ｃ以上の温度にする
と、ガラス内に析出物が発生してまうため、耐候性の良
いガラスを前記溝部内に用いるのは困難であった。しか
し、請求項２の構成によれば、前記非磁性体が耐候性の
良いガラスで、このガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に
酸素を含有した雰囲気で行われるので、前記ガラスの濡
れ性が向上し、ガラスを比較的低温で前記溝部内に充填
しても、ガラスが円滑に流れることになる。また、低温
なため、ガラス内に析出物が発生しない。ゆえに、従来
は用いることができなかった耐候性の良いガラスを溝部
内に充填できるので、磁気ヘッドの信頼性が確保される
ことになる。
ガラスで、このガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素
を含有した雰囲気で行われる。ところで、磁気ヘッドの
信頼性を確保するために、耐候性の良いガラスを充填す
るのが好ましいが、このガラスを前記溝部内に、充填す
るには、この耐候性の良いガラスを、例えば５４０°Ｃ
以上の温度にする必要があった。すなわち、このような
温度まで上昇させないと、ガラスが流れず、前記溝部内
に上手く充填できなかったからである。一方、このよう
に耐候性の良いガラスを５４０°Ｃ以上の温度にする
と、ガラス内に析出物が発生してまうため、耐候性の良
いガラスを前記溝部内に用いるのは困難であった。しか
し、請求項２の構成によれば、前記非磁性体が耐候性の
良いガラスで、このガラスの充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に
酸素を含有した雰囲気で行われるので、前記ガラスの濡
れ性が向上し、ガラスを比較的低温で前記溝部内に充填
しても、ガラスが円滑に流れることになる。また、低温
なため、ガラス内に析出物が発生しない。ゆえに、従来
は用いることができなかった耐候性の良いガラスを溝部
内に充填できるので、磁気ヘッドの信頼性が確保される
ことになる。
【００１２】好ましくは、請求項３の発明によれば、請
求項２の構成において、前記非磁性酸化膜の厚みが０．
１μｍ以上であり、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃
至０．１μｍであることを特徴とする磁気ヘッドであ
る。
求項２の構成において、前記非磁性酸化膜の厚みが０．
１μｍ以上であり、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃
至０．１μｍであることを特徴とする磁気ヘッドであ
る。
【００１３】請求項３の構成によれば、前記非磁性酸化
膜の厚みが０．１μｍ以上であるので、前記耐候性の良
いガラスと前記磁性膜との反応が完全に防止され耐候性
の良いガラス内に泡等が生じるのを完全に防ぐことがで
きる。また、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃至０．
１μｍである。０．０１μｍ未満では、前記耐候性の良
いガラスとの反応により、このＣｒ膜が侵食される可能
性があるので、０．０１μｍ以上が好ましい。一方、
０．１μｍ超の場合は、Ｃｒ膜が厚くなり、透過性が悪
くなるので、このＣｒ膜を透過して確認する磁気ギャッ
プのデプス管理が困難になる。したがって、０．１μｍ
以下が好ましい。
膜の厚みが０．１μｍ以上であるので、前記耐候性の良
いガラスと前記磁性膜との反応が完全に防止され耐候性
の良いガラス内に泡等が生じるのを完全に防ぐことがで
きる。また、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃至０．
１μｍである。０．０１μｍ未満では、前記耐候性の良
いガラスとの反応により、このＣｒ膜が侵食される可能
性があるので、０．０１μｍ以上が好ましい。一方、
０．１μｍ超の場合は、Ｃｒ膜が厚くなり、透過性が悪
くなるので、このＣｒ膜を透過して確認する磁気ギャッ
プのデプス管理が困難になる。したがって、０．１μｍ
以下が好ましい。
【００１４】好ましくは、請求項４の発明によれば、請
求項３の構成において、前記磁性膜が、窒素添加の磁性
合金膜であることを特徴とする磁気ヘッドである。
求項３の構成において、前記磁性膜が、窒素添加の磁性
合金膜であることを特徴とする磁気ヘッドである。
【００１５】請求項４の構成によれば、前記磁性膜が、
窒素添加の磁性合金膜である。この窒素添加の磁性合金
膜は、少なくとも窒素ガス（Ｎ2 ）を流してスパッタ等
して成膜している。したがって、前記耐候性の良いガラ
スを前記溝部内に所定の温度で充填する際、窒素ガス
（Ｎ2 ）が発生し易く、これが前記耐候性の良いガラス
内に放出されると、泡等が生じやすくなる。しかし、請
求項４の構成によれば、前記溝部内に、前記非磁性酸化
膜とクロム（Ｃｒ）膜が形成されているので、特に前記
磁性膜として窒素添加の磁性合金膜を用いた場合、泡等
の発生をより効果的に防止することができる。
窒素添加の磁性合金膜である。この窒素添加の磁性合金
膜は、少なくとも窒素ガス（Ｎ2 ）を流してスパッタ等
して成膜している。したがって、前記耐候性の良いガラ
スを前記溝部内に所定の温度で充填する際、窒素ガス
（Ｎ2 ）が発生し易く、これが前記耐候性の良いガラス
内に放出されると、泡等が生じやすくなる。しかし、請
求項４の構成によれば、前記溝部内に、前記非磁性酸化
膜とクロム（Ｃｒ）膜が形成されているので、特に前記
磁性膜として窒素添加の磁性合金膜を用いた場合、泡等
の発生をより効果的に防止することができる。
【００１６】前記目的は、請求項５の発明によれば、磁
気コアに形成された磁気記録媒体の摺動面と、この摺動
面に少なくとも磁性膜を配置して形成される磁気ギャッ
プと、この磁気ギャップの一端部又は両端部に対して、
前記磁気記録媒体の摺動方向と略平行に配置された溝部
と、この溝部内に配置されている非磁性体と、を有する
磁気ヘッドであって、前記溝部の内側には、酸化クロム
膜が形成され、その上に前記非磁性体が充填されること
を特徴とする磁気ヘッドにより、達成される。
気コアに形成された磁気記録媒体の摺動面と、この摺動
面に少なくとも磁性膜を配置して形成される磁気ギャッ
プと、この磁気ギャップの一端部又は両端部に対して、
前記磁気記録媒体の摺動方向と略平行に配置された溝部
と、この溝部内に配置されている非磁性体と、を有する
磁気ヘッドであって、前記溝部の内側には、酸化クロム
膜が形成され、その上に前記非磁性体が充填されること
を特徴とする磁気ヘッドにより、達成される。
【００１７】請求項５の構成によれば、前記溝部の内側
には、酸化クロム膜が形成され、その上に前記非磁性体
が充填されるので、この非磁性体と前記磁性膜との反応
が防止され非磁性体内部に泡等が生じるのを防ぐことが
できる。
には、酸化クロム膜が形成され、その上に前記非磁性体
が充填されるので、この非磁性体と前記磁性膜との反応
が防止され非磁性体内部に泡等が生じるのを防ぐことが
できる。
【００１８】好ましくは、請求項６の発明によれば、請
求項５の構成において、前記酸化クロム膜の厚みが０．
１μｍ以上であることを特徴とする磁気ヘッドである。
求項５の構成において、前記酸化クロム膜の厚みが０．
１μｍ以上であることを特徴とする磁気ヘッドである。
【００１９】請求項６の構成によれば、前記酸化クロム
膜の厚みが０．１μｍ以上であるので、前記非磁性体と
前記磁性膜との反応が完全に防止され非磁性体内に泡等
が生じるのを完全に防ぐことができる。
膜の厚みが０．１μｍ以上であるので、前記非磁性体と
前記磁性膜との反応が完全に防止され非磁性体内に泡等
が生じるのを完全に防ぐことができる。
【００２０】好ましくは、請求項７の発明によれば、請
求項６の構成において、前記磁性膜が、窒素添加の磁性
合金膜であることを特徴とする磁気ヘッドである。
求項６の構成において、前記磁性膜が、窒素添加の磁性
合金膜であることを特徴とする磁気ヘッドである。
【００２１】請求項７の構成によれば、前記磁性膜が、
窒素添加の磁性合金膜である。この窒素添加の磁性合金
膜は、少なくとも窒素ガス（Ｎ2 ）を流してスパッタ等
して成膜している。したがって、前記非磁性体を前記溝
部内に所定の温度で充填する際、窒素ガス（Ｎ2 ）が発
生し易く、これが前記非磁性体内に放出されると、泡等
が生じやすくなる。しかし、請求項７の構成によれば、
前記溝部内に、前記非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜が
形成されているので、特に前記磁性膜として窒素添加の
磁性合金膜を用いた場合、泡等の発生をより効果的に防
止することができる。
窒素添加の磁性合金膜である。この窒素添加の磁性合金
膜は、少なくとも窒素ガス（Ｎ2 ）を流してスパッタ等
して成膜している。したがって、前記非磁性体を前記溝
部内に所定の温度で充填する際、窒素ガス（Ｎ2 ）が発
生し易く、これが前記非磁性体内に放出されると、泡等
が生じやすくなる。しかし、請求項７の構成によれば、
前記溝部内に、前記非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜が
形成されているので、特に前記磁性膜として窒素添加の
磁性合金膜を用いた場合、泡等の発生をより効果的に防
止することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
【００２３】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係るＭＩＧ（メタルインギャップ）型
磁気ヘッド１００を示す概略斜視図である。このＭＩＧ
型磁気ヘッド１００は、磁気記録媒体である例えば磁気
テープ２００に対して映像等の情報信号を記録したり、
逆に、磁気テープ２００の映像等の情報信号を再生した
りするための用いられる。ところで、このような映像等
の情報信号の記録再生には、近年、映像の高画質化等を
目的として、あるいは記憶容量の大容量化を目的とし
て、情報信号の波長をより短くし、より多くの情報信号
を記録再生するため高密度磁気記録方法が採用されてい
る。そして、この高密度磁気記録方法を採用するため
に、磁気テープ２００も高抗磁力型の磁気テープ２００
と成っている。このような高抗磁力型の磁気テープ２０
０は、具体的には、メタルテープや蒸着テープ等が挙げ
られる。このメタルテープは、例えばベースフィルム上
に強磁性金属粉末を磁性紛として塗布し、磁性層を形成
して成るものである。また、蒸着テープは、強磁性金属
材料をベースフィルム上に直接蒸着して形成するもので
ある。
１の実施の形態に係るＭＩＧ（メタルインギャップ）型
磁気ヘッド１００を示す概略斜視図である。このＭＩＧ
型磁気ヘッド１００は、磁気記録媒体である例えば磁気
テープ２００に対して映像等の情報信号を記録したり、
逆に、磁気テープ２００の映像等の情報信号を再生した
りするための用いられる。ところで、このような映像等
の情報信号の記録再生には、近年、映像の高画質化等を
目的として、あるいは記憶容量の大容量化を目的とし
て、情報信号の波長をより短くし、より多くの情報信号
を記録再生するため高密度磁気記録方法が採用されてい
る。そして、この高密度磁気記録方法を採用するため
に、磁気テープ２００も高抗磁力型の磁気テープ２００
と成っている。このような高抗磁力型の磁気テープ２０
０は、具体的には、メタルテープや蒸着テープ等が挙げ
られる。このメタルテープは、例えばベースフィルム上
に強磁性金属粉末を磁性紛として塗布し、磁性層を形成
して成るものである。また、蒸着テープは、強磁性金属
材料をベースフィルム上に直接蒸着して形成するもので
ある。
【００２４】このように形成される高抗磁力型の磁気テ
ープ２００との間で映像等の情報信号の記録再生を行う
ため、図１に示すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が用いられ
るが、このＭＩＧ型磁気ヘッド１００は、以下のような
構成となっている。すなわち、ＭＩＧ型磁気ヘッド１０
０は、先ず、図１に示すように２つの磁気コア半体１１
１，１１２を有している。これら磁気コア半体１１１，
１１２は、例えば、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の酸化物軟
磁性体により形成されている。また、これら磁気コア半
体１１１，１１２は、ガラス融着或いは貴金属同士の熱
拡散による低温熱拡散結合等により接合一体化される。
そして、接合一体化される磁気コア半体１１１，１１２
には、それぞれ、コイル巻線溝１４０、１４０が、図１
に示すように形成される。このようにして形成されるコ
イル巻線溝１４０、１４０に対応して、磁気コア半体１
１１，１１２には、図１に示すように巻線ガイド溝１５
０，１５０がそれぞれ形成されている。ところで、相互
に突き合わされた磁気コア半体１１１，１１２の図にお
ける上面には、上述の磁気テープ２００が摺動するため
の摺動面１２０が形成されている。
ープ２００との間で映像等の情報信号の記録再生を行う
ため、図１に示すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が用いられ
るが、このＭＩＧ型磁気ヘッド１００は、以下のような
構成となっている。すなわち、ＭＩＧ型磁気ヘッド１０
０は、先ず、図１に示すように２つの磁気コア半体１１
１，１１２を有している。これら磁気コア半体１１１，
１１２は、例えば、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の酸化物軟
磁性体により形成されている。また、これら磁気コア半
体１１１，１１２は、ガラス融着或いは貴金属同士の熱
拡散による低温熱拡散結合等により接合一体化される。
そして、接合一体化される磁気コア半体１１１，１１２
には、それぞれ、コイル巻線溝１４０、１４０が、図１
に示すように形成される。このようにして形成されるコ
イル巻線溝１４０、１４０に対応して、磁気コア半体１
１１，１１２には、図１に示すように巻線ガイド溝１５
０，１５０がそれぞれ形成されている。ところで、相互
に突き合わされた磁気コア半体１１１，１１２の図にお
ける上面には、上述の磁気テープ２００が摺動するため
の摺動面１２０が形成されている。
【００２５】この摺動面１２０の平面図を表したのが図
２である。図２に示すように磁気コア半体１１１、１１
２は、それぞれがトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
が形成されている。そして、このトラック幅規制溝１１
１ａ，１１２ａには、一定の厚みで窒素添加の磁性合金
膜１３０が、図１及び図２に示すようにされている。こ
の窒素添加の磁性合金膜１３０は、後述する磁気ギャッ
プｇとコイル巻線溝１４０に巻回されるコイルとの間に
磁気回路を形成するために配置される。そして、本実施
の形態では、窒素添加の磁性合金膜１３０は、例えば、
Ｆｅ，Ｒｕ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｎからなる膜である。
このような窒素添加の磁性合金膜１３０を磁気コア半体
１１１，１１２のトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
に成膜するには、ＡｒとＮ2 （窒素ガス）を用いてスパ
ッタすることが必要となる。このように成膜される窒素
添加の磁性合金膜１３０は、成膜する際に、Ｎ2 （窒素
ガス）を用いているため、この磁性合金膜１３０が高温
になるとＮ2 （窒素ガス）が放出されることになる。と
ころで、このように磁気コア半体１１１，１１２に成膜
された窒素添加の磁性合金膜１３０が、図２に示すよう
に、ＳｉＯ2 等のギャップスペーサ（図示せず）を介し
て、微小間隔を空けて突合されることで、磁気ギャップ
ｇが形成されることになる。この磁気ギャップｇを形成
する窒素添加の磁性合金膜１３０の外側、図２において
半円状に表されている部分には、たとえば、ガラス１６
０が配置されている。
２である。図２に示すように磁気コア半体１１１、１１
２は、それぞれがトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
が形成されている。そして、このトラック幅規制溝１１
１ａ，１１２ａには、一定の厚みで窒素添加の磁性合金
膜１３０が、図１及び図２に示すようにされている。こ
の窒素添加の磁性合金膜１３０は、後述する磁気ギャッ
プｇとコイル巻線溝１４０に巻回されるコイルとの間に
磁気回路を形成するために配置される。そして、本実施
の形態では、窒素添加の磁性合金膜１３０は、例えば、
Ｆｅ，Ｒｕ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｎからなる膜である。
このような窒素添加の磁性合金膜１３０を磁気コア半体
１１１，１１２のトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
に成膜するには、ＡｒとＮ2 （窒素ガス）を用いてスパ
ッタすることが必要となる。このように成膜される窒素
添加の磁性合金膜１３０は、成膜する際に、Ｎ2 （窒素
ガス）を用いているため、この磁性合金膜１３０が高温
になるとＮ2 （窒素ガス）が放出されることになる。と
ころで、このように磁気コア半体１１１，１１２に成膜
された窒素添加の磁性合金膜１３０が、図２に示すよう
に、ＳｉＯ2 等のギャップスペーサ（図示せず）を介し
て、微小間隔を空けて突合されることで、磁気ギャップ
ｇが形成されることになる。この磁気ギャップｇを形成
する窒素添加の磁性合金膜１３０の外側、図２において
半円状に表されている部分には、たとえば、ガラス１６
０が配置されている。
【００２６】以上のように形成されるＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の摺動面１２０には、図１及び図２に示すよう
に、溝部である平行溝１７０が設けられている。この平
行溝１７０は、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗの一端
部である図における下方の端部に設けられ、磁気テープ
２００の摺動方向と略平行に配置されている。ところ
で、このように構成されるＭＩＧ型磁気ヘッド１００に
用いられる磁気テープ２００の記録方式は、映像等の情
報信号を図１３に示すように重ね書きする重ね書き記録
方式となっている。そして、磁気テープ２００の重ね書
きをする側に前記平行溝１７０が形成されることにな
る。このように重ね書き側である磁気ギャップｇの一端
部に平行溝１７０を配置することにより、この磁気ギャ
ップｇの一端部において磁気コア半体１１１，１１２に
成膜されている窒素添加の磁性合金膜１３０、１３０相
互にズレやダレが生じても、この一端部から不要な漏れ
磁界が発生するのを未然に防止することができることに
なる。
ド１００の摺動面１２０には、図１及び図２に示すよう
に、溝部である平行溝１７０が設けられている。この平
行溝１７０は、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗの一端
部である図における下方の端部に設けられ、磁気テープ
２００の摺動方向と略平行に配置されている。ところ
で、このように構成されるＭＩＧ型磁気ヘッド１００に
用いられる磁気テープ２００の記録方式は、映像等の情
報信号を図１３に示すように重ね書きする重ね書き記録
方式となっている。そして、磁気テープ２００の重ね書
きをする側に前記平行溝１７０が形成されることにな
る。このように重ね書き側である磁気ギャップｇの一端
部に平行溝１７０を配置することにより、この磁気ギャ
ップｇの一端部において磁気コア半体１１１，１１２に
成膜されている窒素添加の磁性合金膜１３０、１３０相
互にズレやダレが生じても、この一端部から不要な漏れ
磁界が発生するのを未然に防止することができることに
なる。
【００２７】以上のようにＭＩＧ型磁気ヘッド１００の
摺動面１２０に形成される平行溝１７０には、最終的に
は図２に示すように例えば耐候性の良いガラス１６１が
充填される。しかし、この耐候性の良いガラス１６１が
充填される前に、平行溝１７０には、以下のような非磁
性酸化膜１８０とクロム（Ｃｒ）膜１９０が成膜され
る。具体的には、図３に示すように成膜される。図３
は、図２の平行溝１７０の部分の概略拡大図である。図
３に示すように平行溝１７０内には、先ず、非磁性酸化
膜１８０が配置される。ここで、非磁性酸化膜１８０
は、Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｃｕの酸化物層で
あるが、本実施の形態では、ＳｉＯ2 及びＡｌ 2 Ｏ3 を
例として説明する。すなわち、非磁性酸化膜１８０とし
て、ＳｉＯ2 又はＡｌ 2 Ｏ3 を採用する場合は、例えば
膜厚が０．１８μｍとなるように成膜する。このとき、
膜厚は、０．１μｍ以上であるのが好ましい。なぜな
ら、膜厚が０．１μｍ未満の場合は、後述する耐候性の
良いガラス１６１と磁性合金膜１３０との反応が生じ、
耐候性の良いガラス１６１内に泡等が発生するおそれが
あるからである。このように平行溝１７０に非磁性酸化
膜１８０が成膜された後、この非磁性酸化膜１８０の上
にクロム（Ｃｒ）膜１９０が、例えば０．０２μｍの膜
厚で成膜される。この膜厚は、０．０２μｍ以外にも、
０．０１μｍ乃至０．１μｍの範囲で設定することがで
きる。このようにＣｒ膜１９０を用いるのは、Ｃｒ膜１
９０の代わりに酸化チタン膜を用いると、ガラスとの界
面に反応による結晶が析出してしまうことになり、Ａｕ
膜を用いるとガラスの濡れ性が悪く、ガラスが流れない
ため、使用できないからである。
摺動面１２０に形成される平行溝１７０には、最終的に
は図２に示すように例えば耐候性の良いガラス１６１が
充填される。しかし、この耐候性の良いガラス１６１が
充填される前に、平行溝１７０には、以下のような非磁
性酸化膜１８０とクロム（Ｃｒ）膜１９０が成膜され
る。具体的には、図３に示すように成膜される。図３
は、図２の平行溝１７０の部分の概略拡大図である。図
３に示すように平行溝１７０内には、先ず、非磁性酸化
膜１８０が配置される。ここで、非磁性酸化膜１８０
は、Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｃｕの酸化物層で
あるが、本実施の形態では、ＳｉＯ2 及びＡｌ 2 Ｏ3 を
例として説明する。すなわち、非磁性酸化膜１８０とし
て、ＳｉＯ2 又はＡｌ 2 Ｏ3 を採用する場合は、例えば
膜厚が０．１８μｍとなるように成膜する。このとき、
膜厚は、０．１μｍ以上であるのが好ましい。なぜな
ら、膜厚が０．１μｍ未満の場合は、後述する耐候性の
良いガラス１６１と磁性合金膜１３０との反応が生じ、
耐候性の良いガラス１６１内に泡等が発生するおそれが
あるからである。このように平行溝１７０に非磁性酸化
膜１８０が成膜された後、この非磁性酸化膜１８０の上
にクロム（Ｃｒ）膜１９０が、例えば０．０２μｍの膜
厚で成膜される。この膜厚は、０．０２μｍ以外にも、
０．０１μｍ乃至０．１μｍの範囲で設定することがで
きる。このようにＣｒ膜１９０を用いるのは、Ｃｒ膜１
９０の代わりに酸化チタン膜を用いると、ガラスとの界
面に反応による結晶が析出してしまうことになり、Ａｕ
膜を用いるとガラスの濡れ性が悪く、ガラスが流れない
ため、使用できないからである。
【００２８】但し、０．０１μｍ未満の膜厚は、好まし
くない。なぜなら、後述する耐候性の良いガラス１６１
の充填により、この耐候性の良いガラス１６１と反応し
て、Ｃｒ膜１９０が侵食される可能性があるからであ
る。また、０．１μｍ超の膜厚も好ましくない。なぜな
ら、成膜されるＣｒ膜１９０が厚くなり、透過性が悪く
なる、このＣｒ膜１９０を透過して確認する磁気ギャッ
プのデプス管理が困難となるからである。このように平
行溝１７０に非磁性酸化膜１８０とクロム（Ｃｒ）膜１
９０を成膜した状態を、平行溝１７０の深さ方向の断面
で示したのが図４である。
くない。なぜなら、後述する耐候性の良いガラス１６１
の充填により、この耐候性の良いガラス１６１と反応し
て、Ｃｒ膜１９０が侵食される可能性があるからであ
る。また、０．１μｍ超の膜厚も好ましくない。なぜな
ら、成膜されるＣｒ膜１９０が厚くなり、透過性が悪く
なる、このＣｒ膜１９０を透過して確認する磁気ギャッ
プのデプス管理が困難となるからである。このように平
行溝１７０に非磁性酸化膜１８０とクロム（Ｃｒ）膜１
９０を成膜した状態を、平行溝１７０の深さ方向の断面
で示したのが図４である。
【００２９】以上のように平行溝１７０に非磁性酸化膜
１８０とクロム（Ｃｒ）を成膜した後、平行溝１７０内
に耐候性の良いガラス１６１を充填することになる。具
体的には、耐候性の良いガラス１６１をパック温度５２
０°Ｃで２時間かけて充填する。このときの雰囲気は、
窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で、窒素ガス
が２リットル／ｍｉｎ，酸素が５０ｐｐｍとなる。この
ような雰囲気で耐候性の良いガラス１６１を前記平行溝
１７０内に充填することになるが、このとき、平行溝１
７０内の表面には、Ｃｒ膜１９０が形成され、その上
に、耐候性の良いガラス１６１を流すことになる。この
Ｃｒ膜１９０は、金属膜なので、ガラスの濡れ性が劣っ
てしまい、そのままでは、耐候性の良いガラス１６１が
流れ難くなる。しかし、本実施の形態では、酸素を含有
した不活性ガスの雰囲気下で、耐候性の良いガラス１６
１の充填を行うので、Ｃｒ膜１９０のガラスの濡れ性が
良好となり、円滑に耐候性の良いガラス１６１を平行溝
１７０内に充填できることになる。また、本実施の形態
では、平行溝１７０内に非磁性酸化膜１８０が成膜され
ているので、例えば、５２０°Ｃの温度で、耐候性の良
いガラス１６１を平行溝１７０内に充填しても、この耐
候性の良いガラス１６１と窒素添加の磁性合金膜１３０
との間で反応が生じるのを防止することができる。
１８０とクロム（Ｃｒ）を成膜した後、平行溝１７０内
に耐候性の良いガラス１６１を充填することになる。具
体的には、耐候性の良いガラス１６１をパック温度５２
０°Ｃで２時間かけて充填する。このときの雰囲気は、
窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で、窒素ガス
が２リットル／ｍｉｎ，酸素が５０ｐｐｍとなる。この
ような雰囲気で耐候性の良いガラス１６１を前記平行溝
１７０内に充填することになるが、このとき、平行溝１
７０内の表面には、Ｃｒ膜１９０が形成され、その上
に、耐候性の良いガラス１６１を流すことになる。この
Ｃｒ膜１９０は、金属膜なので、ガラスの濡れ性が劣っ
てしまい、そのままでは、耐候性の良いガラス１６１が
流れ難くなる。しかし、本実施の形態では、酸素を含有
した不活性ガスの雰囲気下で、耐候性の良いガラス１６
１の充填を行うので、Ｃｒ膜１９０のガラスの濡れ性が
良好となり、円滑に耐候性の良いガラス１６１を平行溝
１７０内に充填できることになる。また、本実施の形態
では、平行溝１７０内に非磁性酸化膜１８０が成膜され
ているので、例えば、５２０°Ｃの温度で、耐候性の良
いガラス１６１を平行溝１７０内に充填しても、この耐
候性の良いガラス１６１と窒素添加の磁性合金膜１３０
との間で反応が生じるのを防止することができる。
【００３０】すなわち、上述のように窒素添加の磁性合
金膜１３０は、成膜時にＡｒとＮ2を用いてスパッタさ
れているため、耐候性の良いガラス１６１の温度に反応
して、この磁性合金膜１３０のＮ2 が放出されることに
なる。しかし、この窒素添加の磁性合金膜１３０のう
ち、平行溝１７０に露出している部分は、非磁性酸化膜
１８０を介して、耐候性の良いガラス１６１と接するこ
とになるため、この放出されたＮ2 が耐候性の良いガラ
ス１６１内に放出されるにが防止され、これによって、
耐候性の良いガラス１６１内に泡等が形成されるのを未
然に防ぐようになっている。さらに、この非磁性酸化膜
１８０を平行溝１７０内にスパッタ等により成膜する際
に発生する希ガスイオンが非磁性酸化膜１８０に含まれ
ている場合、耐候性の良いガラス１６１の温度により、
非磁性酸化膜１８０から放出され、耐候性の良いガラス
１６１内で泡等が発生するおそれがある。しかし、本実
施の形態では、この非磁性酸化膜１８０の上にＣｒ膜１
９０が成膜されているため、この放出された希ガスイオ
ンがＣｒ膜１９０で遮断され、耐候性の良いガラス１６
１内に入り込み泡等を発生されることがない。具体的に
は、以下のような比較を行った。すなわち、一方は、平
行溝１７０に、非磁性酸化膜１８０として、ＳｉＯ2 又
はＡｌ 2 Ｏ3 を膜厚が０．１８μｍとなるように成膜
し、その上にＣｒ膜１９０を０．０２μｍ成膜し、耐候
性の良いガラス１６１をパック温度５２０°Ｃで２時間
かけて充填した。他方は、平行溝１７０に、非磁性酸化
膜１８０とＣｒ膜１９０を成膜しない状態で、耐候性の
良いガラス１６１をパック温度５２０°Ｃで２時間かけ
て充填した。いずれも、雰囲気は、窒素ガス（Ｎ2 ）に
酸素を含有した雰囲気で、窒素ガスが２リットル／ｍｉ
ｎ，酸素が５０ｐｐｍとした。このとき、他方の非磁性
酸化膜１８０とＣｒ膜１９０とを成膜しない平行溝内の
耐候性の良いガラス１６１内には、９０％乃至１００％
の確率で、窒素添加の磁性合金膜１３０との間の反応泡
が発生する。しかし、一方の非磁性酸化膜１８０とＣｒ
膜１９０とを成膜した平行溝内の耐候性の良いガラス１
６１内には反応泡が発生しなった。以上にように本実施
の形態によれば、平行溝１７０の例えば窒素添加の磁性
合金膜１３０の近傍や、磁気コア半体１１１，１１２に
沿って泡等が発生するのを有効に防止することができ
る。これにより、磁気テープ２００がＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の摺動面１２０を走行した際に、泡等に磁気テ
ープ２００の磁性紛による詰まりクロックが発生するの
を防止することができる。
金膜１３０は、成膜時にＡｒとＮ2を用いてスパッタさ
れているため、耐候性の良いガラス１６１の温度に反応
して、この磁性合金膜１３０のＮ2 が放出されることに
なる。しかし、この窒素添加の磁性合金膜１３０のう
ち、平行溝１７０に露出している部分は、非磁性酸化膜
１８０を介して、耐候性の良いガラス１６１と接するこ
とになるため、この放出されたＮ2 が耐候性の良いガラ
ス１６１内に放出されるにが防止され、これによって、
耐候性の良いガラス１６１内に泡等が形成されるのを未
然に防ぐようになっている。さらに、この非磁性酸化膜
１８０を平行溝１７０内にスパッタ等により成膜する際
に発生する希ガスイオンが非磁性酸化膜１８０に含まれ
ている場合、耐候性の良いガラス１６１の温度により、
非磁性酸化膜１８０から放出され、耐候性の良いガラス
１６１内で泡等が発生するおそれがある。しかし、本実
施の形態では、この非磁性酸化膜１８０の上にＣｒ膜１
９０が成膜されているため、この放出された希ガスイオ
ンがＣｒ膜１９０で遮断され、耐候性の良いガラス１６
１内に入り込み泡等を発生されることがない。具体的に
は、以下のような比較を行った。すなわち、一方は、平
行溝１７０に、非磁性酸化膜１８０として、ＳｉＯ2 又
はＡｌ 2 Ｏ3 を膜厚が０．１８μｍとなるように成膜
し、その上にＣｒ膜１９０を０．０２μｍ成膜し、耐候
性の良いガラス１６１をパック温度５２０°Ｃで２時間
かけて充填した。他方は、平行溝１７０に、非磁性酸化
膜１８０とＣｒ膜１９０を成膜しない状態で、耐候性の
良いガラス１６１をパック温度５２０°Ｃで２時間かけ
て充填した。いずれも、雰囲気は、窒素ガス（Ｎ2 ）に
酸素を含有した雰囲気で、窒素ガスが２リットル／ｍｉ
ｎ，酸素が５０ｐｐｍとした。このとき、他方の非磁性
酸化膜１８０とＣｒ膜１９０とを成膜しない平行溝内の
耐候性の良いガラス１６１内には、９０％乃至１００％
の確率で、窒素添加の磁性合金膜１３０との間の反応泡
が発生する。しかし、一方の非磁性酸化膜１８０とＣｒ
膜１９０とを成膜した平行溝内の耐候性の良いガラス１
６１内には反応泡が発生しなった。以上にように本実施
の形態によれば、平行溝１７０の例えば窒素添加の磁性
合金膜１３０の近傍や、磁気コア半体１１１，１１２に
沿って泡等が発生するのを有効に防止することができ
る。これにより、磁気テープ２００がＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の摺動面１２０を走行した際に、泡等に磁気テ
ープ２００の磁性紛による詰まりクロックが発生するの
を防止することができる。
【００３１】特に、ＭＩＧ型磁気ヘッド１００の信頼性
を確保するために有効な耐候性の良いガラス１６１を使
用した場合でも、有効に泡等の発生を防ぐことができ
る。さらに、従来は、耐候性の良いガラス１６１を使用
する際には、５４０°Ｃ以上の温度にしなければ、耐候
性の良いガラス１６１が流れず、平行溝１７０等に充填
できなかった。しかし、本実施の形態では、酸素を含有
する不活性ガスの雰囲気内で行っているため、温度を５
２０°Ｃとしても、平行溝１７０内のＣｒ膜１９０に十
分なガラスの濡れ性が確保されることになり、円滑に耐
候性の良いガラス１６１を充填できる。また、このよう
に耐候性の良いガラス１６１を５２０°Ｃという比較的
低温で充填できるので、従来、発生していた析出物の発
生を抑えることができることになる。これにより、製造
されたＭＩＧ型ヘッド１００の製造上の歩留まりを大幅
に向上させることができる。
を確保するために有効な耐候性の良いガラス１６１を使
用した場合でも、有効に泡等の発生を防ぐことができ
る。さらに、従来は、耐候性の良いガラス１６１を使用
する際には、５４０°Ｃ以上の温度にしなければ、耐候
性の良いガラス１６１が流れず、平行溝１７０等に充填
できなかった。しかし、本実施の形態では、酸素を含有
する不活性ガスの雰囲気内で行っているため、温度を５
２０°Ｃとしても、平行溝１７０内のＣｒ膜１９０に十
分なガラスの濡れ性が確保されることになり、円滑に耐
候性の良いガラス１６１を充填できる。また、このよう
に耐候性の良いガラス１６１を５２０°Ｃという比較的
低温で充填できるので、従来、発生していた析出物の発
生を抑えることができることになる。これにより、製造
されたＭＩＧ型ヘッド１００の製造上の歩留まりを大幅
に向上させることができる。
【００３２】ところで、以上のように摺動面１２０上に
平行溝１７０を形成した後、所定の工程を経て図１に示
すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が構成されるが、以下に、
このＭＩＧ型磁気ヘッド１００の平行溝１７０形成工程
以外の工程の概要を説明する。先ず、図５に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの酸化物軟磁性体でなる磁
気コア半体１１１，１１２となる２つの磁気コア半体ブ
ロック１１１ｂ，１１２ｂを研削水を用いた砥石加工に
より作製する。続いて、各磁気コア半体ブロック１１１
ｂ，１１２ｂの長手方向に磁気ギャップｇのギャップデ
プスを規制し、巻線を施すためのコイル巻線溝１４０を
研削水を用いた砥石加工によりそれぞれ形成する。次
に、図６に示すように各磁気コア半体ブロック１１１
ｂ，１１２ｂの短手方向にトラック幅規制溝１１１ａ，
１１２ａを研削水を用いた砥石加工により形成する。そ
して、各磁気コア半体ブロック１１１ｂ、１１２ｂに形
成されたトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａを研磨加
工により表面粗度が２０Å（オングストローム）乃至１
００Å（オングストローム）程度になるように鏡面加工
した後、窒素添加の磁性合金膜１３０をスパッタリング
法により成膜し、続いて、図示しないギャップ材を成膜
する。
平行溝１７０を形成した後、所定の工程を経て図１に示
すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が構成されるが、以下に、
このＭＩＧ型磁気ヘッド１００の平行溝１７０形成工程
以外の工程の概要を説明する。先ず、図５に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの酸化物軟磁性体でなる磁
気コア半体１１１，１１２となる２つの磁気コア半体ブ
ロック１１１ｂ，１１２ｂを研削水を用いた砥石加工に
より作製する。続いて、各磁気コア半体ブロック１１１
ｂ，１１２ｂの長手方向に磁気ギャップｇのギャップデ
プスを規制し、巻線を施すためのコイル巻線溝１４０を
研削水を用いた砥石加工によりそれぞれ形成する。次
に、図６に示すように各磁気コア半体ブロック１１１
ｂ，１１２ｂの短手方向にトラック幅規制溝１１１ａ，
１１２ａを研削水を用いた砥石加工により形成する。そ
して、各磁気コア半体ブロック１１１ｂ、１１２ｂに形
成されたトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａを研磨加
工により表面粗度が２０Å（オングストローム）乃至１
００Å（オングストローム）程度になるように鏡面加工
した後、窒素添加の磁性合金膜１３０をスパッタリング
法により成膜し、続いて、図示しないギャップ材を成膜
する。
【００３３】次に、図７に示すように、各磁気コア半体
ブロック１１１ｂ，１１２ｂを互いに突き合わせ、ガラ
ス融着或いは貴金属同士の熱拡散による低温熱拡散結合
等により接合一体化して、一つの磁気コアブロックとす
る。これにより、磁気ギャップｇが形成される。そし
て、磁気コアブロックの短手方向に磁気ギャップｇの一
端部に接する平行溝１７０となる切り込みを研削水を用
いた砥石加工により、それぞれ形成し、磁気ギャップｇ
を所定のトラック幅Ｔｗに規制する。次に、上述の非磁
性酸化膜１８０を、図８に示すように平行溝１７０内の
全面に成膜する。そして、その上に窒素添加の磁性合金
膜１３０を上述のように成膜する。さらに、この窒素添
加の磁性合金膜１３０の上に上述の耐候性の良いガラス
１６１を充填する。その後、図９に示すように、磁気コ
アブロックの磁気ギャップｇの形成面を円筒研削加工に
より所定のデプスまで、曲率を持たせてラッピングして
摺動面１２０を形成する。また、最後に、磁気コアブロ
ックの長手方向に巻線ガイド溝１５０を研削水を用いて
砥石加工により形成し、切削加工により切断してＭＩＧ
型磁気ヘッド１００を形成することとなる。以上のよう
にして製造される本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００がアジマス記録方式の磁気ヘッドである場合
は、その摺動面１２０のにおいて、磁気テープ２００の
摺動方向と磁気ギャップｇとの間に所定のアジマス角が
設けられることになる。
ブロック１１１ｂ，１１２ｂを互いに突き合わせ、ガラ
ス融着或いは貴金属同士の熱拡散による低温熱拡散結合
等により接合一体化して、一つの磁気コアブロックとす
る。これにより、磁気ギャップｇが形成される。そし
て、磁気コアブロックの短手方向に磁気ギャップｇの一
端部に接する平行溝１７０となる切り込みを研削水を用
いた砥石加工により、それぞれ形成し、磁気ギャップｇ
を所定のトラック幅Ｔｗに規制する。次に、上述の非磁
性酸化膜１８０を、図８に示すように平行溝１７０内の
全面に成膜する。そして、その上に窒素添加の磁性合金
膜１３０を上述のように成膜する。さらに、この窒素添
加の磁性合金膜１３０の上に上述の耐候性の良いガラス
１６１を充填する。その後、図９に示すように、磁気コ
アブロックの磁気ギャップｇの形成面を円筒研削加工に
より所定のデプスまで、曲率を持たせてラッピングして
摺動面１２０を形成する。また、最後に、磁気コアブロ
ックの長手方向に巻線ガイド溝１５０を研削水を用いて
砥石加工により形成し、切削加工により切断してＭＩＧ
型磁気ヘッド１００を形成することとなる。以上のよう
にして製造される本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００がアジマス記録方式の磁気ヘッドである場合
は、その摺動面１２０のにおいて、磁気テープ２００の
摺動方向と磁気ギャップｇとの間に所定のアジマス角が
設けられることになる。
【００３４】（第２の実施の形態）以下に第２の実施の
形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド３００について説明す
る。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド３００は、
上述の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド１０
０の構成と多くの部分が共通しているため、共通点は同
一の符号を付す等して説明を省略し、相違点を中心に以
下、説明する。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
３００は、第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
１００と異なり、その平行溝３７０内に酸化クロムのみ
が０．１μｍ以上の膜厚で成膜されている。この酸化ク
ロム膜の上にＮ2 ガス雰囲気で、又は酸素を含有したＮ
2 ガス雰囲気で耐候性の良いガラス１６１を充填するこ
とになる。この場合、酸素を含有していないＮ2 ガス雰
囲気で耐候性の良いガラス１６１を平行溝１７０内に流
し込んでも、この酸化クロム膜が酸化膜のため、ガラス
の濡れ性が十分確保されることになる。なお、酸化クロ
ム膜は、０．１μｍ以上であればよいが、できるだけ薄
い方が望ましい。本実施の形態のＭＩＧ型磁気ヘッド３
００は、以上のように構成され、平行溝１７０内に酸化
クロム膜が形成されているので、窒素添加の磁性合金膜
１３０から放出された希ガスイオンが酸化クロム膜で遮
断され、耐候性の良いガラス１６１内に入り込み反応泡
等を発生させることがない。
形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド３００について説明す
る。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド３００は、
上述の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド１０
０の構成と多くの部分が共通しているため、共通点は同
一の符号を付す等して説明を省略し、相違点を中心に以
下、説明する。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
３００は、第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
１００と異なり、その平行溝３７０内に酸化クロムのみ
が０．１μｍ以上の膜厚で成膜されている。この酸化ク
ロム膜の上にＮ2 ガス雰囲気で、又は酸素を含有したＮ
2 ガス雰囲気で耐候性の良いガラス１６１を充填するこ
とになる。この場合、酸素を含有していないＮ2 ガス雰
囲気で耐候性の良いガラス１６１を平行溝１７０内に流
し込んでも、この酸化クロム膜が酸化膜のため、ガラス
の濡れ性が十分確保されることになる。なお、酸化クロ
ム膜は、０．１μｍ以上であればよいが、できるだけ薄
い方が望ましい。本実施の形態のＭＩＧ型磁気ヘッド３
００は、以上のように構成され、平行溝１７０内に酸化
クロム膜が形成されているので、窒素添加の磁性合金膜
１３０から放出された希ガスイオンが酸化クロム膜で遮
断され、耐候性の良いガラス１６１内に入り込み反応泡
等を発生させることがない。
【００３５】具体的には、以下のような比較を行った。
すなわち、一方は、平行溝１７０に酸化クロムを膜厚が
０．１μｍとなるように成膜し、耐候性の良いガラス１
６１をパック温度５２０°Ｃで２時間かけて充填した。
他方は、平行溝１７０に、酸化クロム以外の酸化膜を成
膜した状態で、耐候性の良いガラス１６１をパック温度
５２０°Ｃで２時間かけて充填した。いずれも、雰囲気
は、窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で、窒素
ガスが２リットル／ｍｉｎ，酸素が５０ｐｐｍとした。
このとき、他方の酸化クロム以外の酸化膜を成膜した平
行溝内の耐候性の良いガラス１６１内には、７％乃至３
５％の確率で、窒素添加の磁性合金膜１３０との間の反
応泡が発生する。しかし、一方の酸化クロム膜を成膜し
た平行溝内の耐候性の良いガラス１６１内には２％程度
しか反応泡が発生しなった。
すなわち、一方は、平行溝１７０に酸化クロムを膜厚が
０．１μｍとなるように成膜し、耐候性の良いガラス１
６１をパック温度５２０°Ｃで２時間かけて充填した。
他方は、平行溝１７０に、酸化クロム以外の酸化膜を成
膜した状態で、耐候性の良いガラス１６１をパック温度
５２０°Ｃで２時間かけて充填した。いずれも、雰囲気
は、窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で、窒素
ガスが２リットル／ｍｉｎ，酸素が５０ｐｐｍとした。
このとき、他方の酸化クロム以外の酸化膜を成膜した平
行溝内の耐候性の良いガラス１６１内には、７％乃至３
５％の確率で、窒素添加の磁性合金膜１３０との間の反
応泡が発生する。しかし、一方の酸化クロム膜を成膜し
た平行溝内の耐候性の良いガラス１６１内には２％程度
しか反応泡が発生しなった。
【００３６】（第３の実施の形態）図１０は、本発明の
第３の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド４００を示
す概略斜視図である。図１１は、図１０のＭＩＧ型磁気
ヘッド４００の摺動面４２０を平面より示した概略平面
図である。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド４０
０は、上述の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の構成と多くの部分が共通しているため、共通
点は同一の符号を付す等して説明を省略し、相違点を中
心に以下、説明する。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気
ヘッド４００は、所謂戻り書き記録方式等に用いられる
磁気ヘッドである。したがって、平行溝４７０は、第１
の実施の形態の平行溝１７０と異なり、図１１に示すよ
うに、磁気ギャップｇの両端に形成されている。このよ
うに平行溝４７０が磁気ギャップｇの両端にあることに
より、これら両端部で生じる不要な漏れ磁界を未然に防
ぐことができる。そして、これにより、摺動面を走行す
る磁気テープの記録パターンを乱すことなく戻り書き記
録方式で、情報信号を磁気テープに記録したり、磁気テ
ープから情報信号を再生したりすることができる。
第３の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド４００を示
す概略斜視図である。図１１は、図１０のＭＩＧ型磁気
ヘッド４００の摺動面４２０を平面より示した概略平面
図である。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド４０
０は、上述の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の構成と多くの部分が共通しているため、共通
点は同一の符号を付す等して説明を省略し、相違点を中
心に以下、説明する。本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気
ヘッド４００は、所謂戻り書き記録方式等に用いられる
磁気ヘッドである。したがって、平行溝４７０は、第１
の実施の形態の平行溝１７０と異なり、図１１に示すよ
うに、磁気ギャップｇの両端に形成されている。このよ
うに平行溝４７０が磁気ギャップｇの両端にあることに
より、これら両端部で生じる不要な漏れ磁界を未然に防
ぐことができる。そして、これにより、摺動面を走行す
る磁気テープの記録パターンを乱すことなく戻り書き記
録方式で、情報信号を磁気テープに記録したり、磁気テ
ープから情報信号を再生したりすることができる。
【００３７】このときの平行溝４７０の構成は、第１の
実施の形態と同様に、非磁性酸化膜１８０とＣｒ膜１９
０が成膜されている。したがって、この平行溝４７０に
耐候性の良いガラス１６１を充填しても、窒素添加の磁
性合金膜１３０との反応泡や非磁性酸化膜１８０の希ガ
スイオンによる泡等が、耐候性の良いガラス１６１内に
発生せず、磁気テープが摺動面４２０を走行しても磁性
紛による詰まりクロックが発生しない高性能なＭＩＧ型
磁気ヘッド４００となる。また、この平行溝４７０内に
成膜される上述の非磁性酸化膜１８０とＣｒ膜１９０の
代わりに、第２の実施の形態で説明した酸化クロム膜を
成膜しても構わない。
実施の形態と同様に、非磁性酸化膜１８０とＣｒ膜１９
０が成膜されている。したがって、この平行溝４７０に
耐候性の良いガラス１６１を充填しても、窒素添加の磁
性合金膜１３０との反応泡や非磁性酸化膜１８０の希ガ
スイオンによる泡等が、耐候性の良いガラス１６１内に
発生せず、磁気テープが摺動面４２０を走行しても磁性
紛による詰まりクロックが発生しない高性能なＭＩＧ型
磁気ヘッド４００となる。また、この平行溝４７０内に
成膜される上述の非磁性酸化膜１８０とＣｒ膜１９０の
代わりに、第２の実施の形態で説明した酸化クロム膜を
成膜しても構わない。
【００３８】なお、上述の実施の形態の構成は、その一
部を省略したり、上述していない他の任意の組み合わせ
に変更することができる。
部を省略したり、上述していない他の任意の組み合わせ
に変更することができる。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ガラス
等の非磁性体が充填し易く、非磁性体内の泡等の発生を
抑えることができる磁気ヘッドを提供することができ
る。
等の非磁性体が充填し易く、非磁性体内の泡等の発生を
抑えることができる磁気ヘッドを提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気
ヘッドを示す概略斜視図である。
ヘッドを示す概略斜視図である。
【図２】図１のＭＩＧ型磁気ヘッドの概略平面図であ
る。
る。
【図３】図２の平行溝等の構成を示す概略拡大図であ
る。
る。
【図４】図２の平行溝の構成を示す概略断面図である。
【図５】図１のＭＩＧ型磁気ヘッドの製造工程を示す概
略図である。
略図である。
【図６】図５の次の製造工程を示す概略図である。
【図７】図６の次の製造工程を示す概略図である。
【図８】図７の次の製造工程を示す概略図である。
【図９】図８の次の製造工程を示す概略図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るＭＩＧ型磁
気ヘッドを示す概略斜視図である。
気ヘッドを示す概略斜視図である。
【図１１】図１０の平面を示す概略平面図である。
【図１２】従来の磁気ヘッドの摺動面を示す概略図であ
る。
る。
【図１３】重ね書き記録方式の説明図である。
【符号の説明】 １００、３００、４００・・・ＭＩＧ型磁気ヘッド、１
１１，１１２・・・磁気コア半体、１１１ａ，１１２ａ
・・・トラック幅規制溝、１１１ｂ，１１２ｂ・・・磁
気コア半体ブロック、１２０、４２０・・・摺動面、１
３０・・・窒素添加の磁性合金膜、１４０・・・コイル
巻線溝、１５０・・・巻線ガイド溝、１６０・・・ガラ
ス、１６１・・・耐候性の良いガラス、１７０、３７
０、４７０・・・平行溝、１８０・・・非磁性酸化膜、
１９０・・・クロム（Ｃｒ）膜、２００・・・磁気テー
プ
１１，１１２・・・磁気コア半体、１１１ａ，１１２ａ
・・・トラック幅規制溝、１１１ｂ，１１２ｂ・・・磁
気コア半体ブロック、１２０、４２０・・・摺動面、１
３０・・・窒素添加の磁性合金膜、１４０・・・コイル
巻線溝、１５０・・・巻線ガイド溝、１６０・・・ガラ
ス、１６１・・・耐候性の良いガラス、１７０、３７
０、４７０・・・平行溝、１８０・・・非磁性酸化膜、
１９０・・・クロム（Ｃｒ）膜、２００・・・磁気テー
プ
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、 この摺動面に少なくとも磁性膜を配置して形成される磁
気ギャップと、 この磁気ギャップの一端部又は両端部に対して、前記磁
気記録媒体の摺動方向と略平行に配置された溝部と、 この溝部内に配置されている非磁性体と、を有する磁気
ヘッドであって、 前記溝部の内側には、非磁性酸化膜とクロム（Ｃｒ）膜
が形成され、その上に前記非磁性体が充填されることを
特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記非磁性体がガラスで、このガラスの
充填が窒素ガス（Ｎ2 ）に酸素を含有した雰囲気で行わ
れることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記非磁性酸化膜の厚みが０．１μｍ以
上であり、前記Ｃｒ膜の厚みが０．０１μｍ乃至０．１
μｍであることを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記磁性膜が、窒素添加の磁性合金膜で
あることを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、 この摺動面に少なくとも磁性膜を配置して形成される磁
気ギャップと、 この磁気ギャップの一端部又は両端部に対して、前記磁
気記録媒体の摺動方向と略平行に配置された溝部と、 この溝部内に配置されている非磁性体と、を有する磁気
ヘッドであって、 前記溝部の内側には、酸化クロム（ＣｒＯ2 ）膜が形成
され、その上に前記非磁性体が充填されることを特徴と
する磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記酸化クロム（ＣｒＯ2 ）膜の厚みが
０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項５に記載
の磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記磁性膜が、窒素添加の磁性合金膜で
あることを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000235281A JP2002050005A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 磁気ヘッド |
| US09/907,225 US6822828B2 (en) | 2000-07-31 | 2001-07-17 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000235281A JP2002050005A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050005A true JP2002050005A (ja) | 2002-02-15 |
Family
ID=18727518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000235281A Pending JP2002050005A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6822828B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002050005A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2834375B1 (fr) * | 2001-12-28 | 2005-05-20 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique et procede de fabrication de cette tete magnetique |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0654527B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1994-07-20 | ソニー株式会社 | 磁気ヘツド |
| US5245488A (en) * | 1986-08-13 | 1993-09-14 | Seiko Epson Corporation | Low-noise composite magnetic head for recording and producing |
| US5136775A (en) * | 1989-01-19 | 1992-08-11 | Pioneer Electronic Corporation | Method of manufacturing a magnetic head having wear resisting films |
| JP2971891B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1999-11-08 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド |
| JPH05325135A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜型磁気ヘッド |
| FR2726931B1 (fr) * | 1994-11-16 | 1996-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique verticale a bobinage integre et son procede de realisation |
| JPH08153308A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Sony Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000235281A patent/JP2002050005A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-17 US US09/907,225 patent/US6822828B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020015258A1 (en) | 2002-02-07 |
| US6822828B2 (en) | 2004-11-23 |
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