JP3496302B2 - 磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置 - Google Patents
磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置Info
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- JP3496302B2 JP3496302B2 JP29770994A JP29770994A JP3496302B2 JP 3496302 B2 JP3496302 B2 JP 3496302B2 JP 29770994 A JP29770994 A JP 29770994A JP 29770994 A JP29770994 A JP 29770994A JP 3496302 B2 JP3496302 B2 JP 3496302B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＶＴＲ（ビデオ
テープレコーダ）に搭載される磁気ヘッド及び異なるア
ジマス角を有する一組の上記磁気ヘッドが磁気ヘッド走
行方向に配列されてなる磁気ヘッド装置に関するもので
ある。
テープレコーダ）に搭載される磁気ヘッド及び異なるア
ジマス角を有する一組の上記磁気ヘッドが磁気ヘッド走
行方向に配列されてなる磁気ヘッド装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近時においては、磁気記録の高記録密度
化に対する要請が益々高まりつつある。この要請に答え
る有効な手法の１つとして、磁気コアを構成する各磁気
コア半体の対向面に磁気ギャップと略々平行に高飽和磁
束密度材料からなる金属磁性膜がそれぞれ成膜され、融
着用のガラス材（融着ガラス）にて各磁気コア半体が接
合一体化されてなるいわゆるメタル・イン・ギャップ型
の磁気ヘッド（以下、単にＭＩＧヘッドと記す。）が提
案されている。
化に対する要請が益々高まりつつある。この要請に答え
る有効な手法の１つとして、磁気コアを構成する各磁気
コア半体の対向面に磁気ギャップと略々平行に高飽和磁
束密度材料からなる金属磁性膜がそれぞれ成膜され、融
着用のガラス材（融着ガラス）にて各磁気コア半体が接
合一体化されてなるいわゆるメタル・イン・ギャップ型
の磁気ヘッド（以下、単にＭＩＧヘッドと記す。）が提
案されている。
【０００３】一方、走行方向に直交する方向に対して所
定の傾斜角（アジマス角）を有するアジマス型の磁気ヘ
ッド（以下、単にアジマスヘッドと記す。）を用いて、
記録トラックが上記アジマス角を有する磁気テープにア
ジマス記録を行うことによりデータ記録密度を増大させ
ることができる。このとき、トラックピッチが例えば１
０μｍである磁気テープに対して最短波長０．５μｍの
信号を記録することとすると０．４ｂｉｔ／μｍのデー
タ記録密度を実現することができ、記録データを再生歪
が少くなるかたちで圧縮する方法を併用することによっ
て、テープ幅が８ｍｍ或はそれ以下の幅狭の磁気テープ
を用いても長時間の記録再生が可能となる。
定の傾斜角（アジマス角）を有するアジマス型の磁気ヘ
ッド（以下、単にアジマスヘッドと記す。）を用いて、
記録トラックが上記アジマス角を有する磁気テープにア
ジマス記録を行うことによりデータ記録密度を増大させ
ることができる。このとき、トラックピッチが例えば１
０μｍである磁気テープに対して最短波長０．５μｍの
信号を記録することとすると０．４ｂｉｔ／μｍのデー
タ記録密度を実現することができ、記録データを再生歪
が少くなるかたちで圧縮する方法を併用することによっ
て、テープ幅が８ｍｍ或はそれ以下の幅狭の磁気テープ
を用いても長時間の記録再生が可能となる。
【０００４】そこで、アジマス型の上記ＭＩＧヘッドの
使用が考えられるが、異なるアジマス角を有する２つの
アジマス型ＭＩＧヘッドを回転ドラム上に１８０゜離間
させて各ベース上に搭載し、これらのＭＩＧヘッドを用
いて各磁気ヘッドによりそれぞれ個別に記録・再生を行
うような場合では、上記回転ドラムが正常な状態である
ときには正常な記録パターンが発生することに対して、
回転ドラムの偏心等により、先行する上記ＭＩＧヘッド
によって記録された信号が後続のＭＩＧヘッドによって
その一部が消去されるという異常記録パターンが発生す
ることがある。この異常記録パターンの影響は、磁気テ
ープのトラックピッチが狭くなる程大きくなる。例え
ば、１０μｍのトラックピッチに対して１μｍの幅で消
去されると約１ｄＢの出力低下が起こり、十分な再生出
力が得られずにビットエラーレートが極めて高くなる。
使用が考えられるが、異なるアジマス角を有する２つの
アジマス型ＭＩＧヘッドを回転ドラム上に１８０゜離間
させて各ベース上に搭載し、これらのＭＩＧヘッドを用
いて各磁気ヘッドによりそれぞれ個別に記録・再生を行
うような場合では、上記回転ドラムが正常な状態である
ときには正常な記録パターンが発生することに対して、
回転ドラムの偏心等により、先行する上記ＭＩＧヘッド
によって記録された信号が後続のＭＩＧヘッドによって
その一部が消去されるという異常記録パターンが発生す
ることがある。この異常記録パターンの影響は、磁気テ
ープのトラックピッチが狭くなる程大きくなる。例え
ば、１０μｍのトラックピッチに対して１μｍの幅で消
去されると約１ｄＢの出力低下が起こり、十分な再生出
力が得られずにビットエラーレートが極めて高くなる。
【０００５】そこで、アジマス角の異なる一組の上記Ｍ
ＩＧヘッドを所定の磁気ギャップ間距離をもって回転ド
ラム上に設けてなるＭＩＧ型の磁気ヘッド装置を用い
て、各ＭＩＧヘッドにより同時に記録・再生を行う方法
が有効である。この方法により、回転ドラムの偏心等に
よる出力低下が大幅に改善されることになる。
ＩＧヘッドを所定の磁気ギャップ間距離をもって回転ド
ラム上に設けてなるＭＩＧ型の磁気ヘッド装置を用い
て、各ＭＩＧヘッドにより同時に記録・再生を行う方法
が有効である。この方法により、回転ドラムの偏心等に
よる出力低下が大幅に改善されることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に、磁気ヘッドが
搭載されているＶＴＲ等の磁気記録システムにおいて
は、その消費電力を低値に抑えるために、当該磁気ヘッ
ドのいわゆる最適記録電流値（ＯＲＣ）を低くする必要
がある。上記ＭＩＧヘッドの場合では、金属磁性膜の材
料として飽和磁束密度のより高いものを用いることが低
ＯＲＣ化に有効である。しかしながら、高い飽和磁束密
度化を実現するには金属磁性膜の材料のうちＦｅの含有
量を多くすることが必要であり、このＦｅ含有量の増大
に伴って、各磁気コア半体を接合する際に金属磁性膜と
有着ガラスとの反応が激しくなってギャップデプスの正
確な確認が極めて困難となる。また、低ＯＲＣ化のため
には金属磁性膜の膜厚を厚くすることも有効であるが、
この場合、当該金属磁性膜の残留歪の影響で各磁気コア
半体を接合する際に融着ガラスにヒビ割れ等の損傷が発
生し易くなり、製品の歩留まり及び信頼性の著しい低下
が生じるという深刻な問題がある。
搭載されているＶＴＲ等の磁気記録システムにおいて
は、その消費電力を低値に抑えるために、当該磁気ヘッ
ドのいわゆる最適記録電流値（ＯＲＣ）を低くする必要
がある。上記ＭＩＧヘッドの場合では、金属磁性膜の材
料として飽和磁束密度のより高いものを用いることが低
ＯＲＣ化に有効である。しかしながら、高い飽和磁束密
度化を実現するには金属磁性膜の材料のうちＦｅの含有
量を多くすることが必要であり、このＦｅ含有量の増大
に伴って、各磁気コア半体を接合する際に金属磁性膜と
有着ガラスとの反応が激しくなってギャップデプスの正
確な確認が極めて困難となる。また、低ＯＲＣ化のため
には金属磁性膜の膜厚を厚くすることも有効であるが、
この場合、当該金属磁性膜の残留歪の影響で各磁気コア
半体を接合する際に融着ガラスにヒビ割れ等の損傷が発
生し易くなり、製品の歩留まり及び信頼性の著しい低下
が生じるという深刻な問題がある。
【０００７】従来ではこの問題に対処するために、上記
金属磁性膜の材料として例えばＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ
（ＳＭＸ）を用いる場合では、融着ガラスとしてＦｅ2
Ｏ3を１０〜１５重量％含有するＰｂ系低融点ガラスを
用いて改善を図っている。このとき、金属磁性膜と融着
ガラスとの反応を防止する膜を磁気ギャップ膜に用いる
必要があるが、近年では高密度記録化の要請に対応して
磁気ギャップのギャップ長を小さくする方向にあり、そ
のため磁気ギャップ膜の膜厚も小さくなるために上記の
反応防止膜を用いても十分に金属磁性膜と融着ガラスと
の反応を抑止することは困難である。
金属磁性膜の材料として例えばＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ
（ＳＭＸ）を用いる場合では、融着ガラスとしてＦｅ2
Ｏ3を１０〜１５重量％含有するＰｂ系低融点ガラスを
用いて改善を図っている。このとき、金属磁性膜と融着
ガラスとの反応を防止する膜を磁気ギャップ膜に用いる
必要があるが、近年では高密度記録化の要請に対応して
磁気ギャップのギャップ長を小さくする方向にあり、そ
のため磁気ギャップ膜の膜厚も小さくなるために上記の
反応防止膜を用いても十分に金属磁性膜と融着ガラスと
の反応を抑止することは困難である。
【０００８】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、消費電力を低値に
抑えるとともに、加工工程においてギャップデプスが正
確に確認でき、且つ加工工程において生じがちなガラス
材の損傷を防止することを可能とする磁気ヘッド及び磁
気ヘッド装置を提供することにある。
のであり、その目的とするところは、消費電力を低値に
抑えるとともに、加工工程においてギャップデプスが正
確に確認でき、且つ加工工程において生じがちなガラス
材の損傷を防止することを可能とする磁気ヘッド及び磁
気ヘッド装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の対象とするもの
は、対向面が平坦な第１の磁気コア半体と対向面に巻線
溝、ガイド溝等の溝部が形成された第２の磁気コア半体
とを有し、高飽和磁束密度材料からなる金属磁性膜がそ
れぞれの対向面に成膜されるとともに当該各対向面にて
磁気ギャップ膜を介して突き合わされガラス材により融
着されて所定のアジマス角を有する磁気ギャップが形成
されてなる磁気ヘッド及び当該磁気ヘッドを２つ設けた
磁気ヘッド装置である。本発明では、主に磁気ギャップ
長が０．２５μｍ以下の磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置
をその対象としている。
は、対向面が平坦な第１の磁気コア半体と対向面に巻線
溝、ガイド溝等の溝部が形成された第２の磁気コア半体
とを有し、高飽和磁束密度材料からなる金属磁性膜がそ
れぞれの対向面に成膜されるとともに当該各対向面にて
磁気ギャップ膜を介して突き合わされガラス材により融
着されて所定のアジマス角を有する磁気ギャップが形成
されてなる磁気ヘッド及び当該磁気ヘッドを２つ設けた
磁気ヘッド装置である。本発明では、主に磁気ギャップ
長が０．２５μｍ以下の磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置
をその対象としている。
【００１０】本発明においては、第１及び第２の磁気コ
ア半体の金属磁性膜をそれぞれＦｅを７５原子％以下含
有するＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ及びＦｅを８５原子％以
上含有するＦｅ−Ａｌ−Ｎｂの微結晶材を用いるととも
に、磁気ギャップ膜を第２の磁気コア半体の金属磁性膜
上にのみ成膜されていることを特徴とするものである。
ここで、第１の磁気コア半体の金属磁性膜に含まれるＦ
ｅが７５原子％より大とすると金属磁性膜と融着用のガ
ラス材との反応が防止しきれなくなり、また第２の磁気
コア半体の金属磁性膜に含まれるＦｅが８５原子％より
小とすると加工工程における当該ガラス材の破損を防止
しきれなくなり、更にギャップデプスの確認が困難とな
る。
ア半体の金属磁性膜をそれぞれＦｅを７５原子％以下含
有するＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ及びＦｅを８５原子％以
上含有するＦｅ−Ａｌ−Ｎｂの微結晶材を用いるととも
に、磁気ギャップ膜を第２の磁気コア半体の金属磁性膜
上にのみ成膜されていることを特徴とするものである。
ここで、第１の磁気コア半体の金属磁性膜に含まれるＦ
ｅが７５原子％より大とすると金属磁性膜と融着用のガ
ラス材との反応が防止しきれなくなり、また第２の磁気
コア半体の金属磁性膜に含まれるＦｅが８５原子％より
小とすると加工工程における当該ガラス材の破損を防止
しきれなくなり、更にギャップデプスの確認が困難とな
る。
【００１１】このとき、上記ガラス材としてはＦｅ2 Ｏ
3 を１０〜１５重量％含有するＰｂ系低融点ガラスを用
いることが好ましい。
3 を１０〜１５重量％含有するＰｂ系低融点ガラスを用
いることが好ましい。
【００１２】さらに、第１及び第２の磁気コア半体の各
対向面と金属磁性膜との間の密着力の向上を図るため
に、両者の間に下地膜を形成してもよい。
対向面と金属磁性膜との間の密着力の向上を図るため
に、両者の間に下地膜を形成してもよい。
【００１３】この下地膜の材料としては、Ｓｉ０2 ，Ｔ
ａ2 Ｏ5 等の酸化物，Ｓｉ3 Ｎ4 等の窒化物，Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属及びそれらの合金を用いること
が望ましく、或は当該下地膜をこれらの金属材料よりな
る金属膜を組み合わせた積層膜とすることも考えられ
る。
ａ2 Ｏ5 等の酸化物，Ｓｉ3 Ｎ4 等の窒化物，Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属及びそれらの合金を用いること
が望ましく、或は当該下地膜をこれらの金属材料よりな
る金属膜を組み合わせた積層膜とすることも考えられ
る。
【００１４】一方、磁気ギャップ膜の材料としても、上
記下地膜の場合と同様に、Ｓｉ０2，Ｔａ2 Ｏ5 等の酸
化物，Ｓｉ3 Ｎ4 等の窒化物，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ
等の金属及びそれらの合金を用いることが望ましく、或
は当該磁気ギャップ膜をこれらの金属材料よりなる金属
膜を組み合わせた積層膜とすることが望ましい。
記下地膜の場合と同様に、Ｓｉ０2，Ｔａ2 Ｏ5 等の酸
化物，Ｓｉ3 Ｎ4 等の窒化物，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ
等の金属及びそれらの合金を用いることが望ましく、或
は当該磁気ギャップ膜をこれらの金属材料よりなる金属
膜を組み合わせた積層膜とすることが望ましい。
【００１５】また、本発明においては、上記磁気ヘッド
が搭載される回転ドラムの偏心等による出力低下を抑止
して所望の出力を得るために、アジマス角の異なる一組
の上記磁気ヘッドを用い、これらの磁気ヘッドを所定の
磁気ギャップ間距離をもって磁気ヘッド走行方向に配列
させて磁気ヘッド装置を構成することを特徴とする。
が搭載される回転ドラムの偏心等による出力低下を抑止
して所望の出力を得るために、アジマス角の異なる一組
の上記磁気ヘッドを用い、これらの磁気ヘッドを所定の
磁気ギャップ間距離をもって磁気ヘッド走行方向に配列
させて磁気ヘッド装置を構成することを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明に係る磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置に
おいては、第１及び第２の磁気コア半体の金属磁性膜が
それぞれＦｅを７５原子％以下含有するＦｅ−Ｒｕ−Ｇ
ａ−Ｓｉ及びＦｅを８５原子％以上含有するＦｅ−Ａｌ
−Ｎｂの微結晶材よりなるとともに、磁気ギャップ膜が
第２の磁気コア半体の金属磁性膜上にのみ成膜されてい
る。ここで、第１の磁気コア半体の金属磁性膜のＦｅ含
有率は７５原子％以下に抑えられているために、加工時
において当該金属磁性膜と融着用のガラス材とが激しい
反応を起こすことはない。このとき、第１の磁気コア半
体においては、その対向面が平坦に形成されているため
に金属磁性膜が分断されることなく成膜され、磁路が形
成されているために、当該金属磁性膜のＦｅ含有率を比
較的低値としても最適記録電流値は殆ど変化を示さな
い。さらに、第２の磁気コア半体においては、その金属
磁性膜のＦｅ含有率が高いために最適記録電流値が低下
するとともに、当該金属磁性膜上に磁気ギャップ膜が成
膜されているためにこの磁気ギャップ膜が反応防止膜と
して働いて金属磁性膜と融着用のガラス材との反応が防
止される。
おいては、第１及び第２の磁気コア半体の金属磁性膜が
それぞれＦｅを７５原子％以下含有するＦｅ−Ｒｕ−Ｇ
ａ−Ｓｉ及びＦｅを８５原子％以上含有するＦｅ−Ａｌ
−Ｎｂの微結晶材よりなるとともに、磁気ギャップ膜が
第２の磁気コア半体の金属磁性膜上にのみ成膜されてい
る。ここで、第１の磁気コア半体の金属磁性膜のＦｅ含
有率は７５原子％以下に抑えられているために、加工時
において当該金属磁性膜と融着用のガラス材とが激しい
反応を起こすことはない。このとき、第１の磁気コア半
体においては、その対向面が平坦に形成されているため
に金属磁性膜が分断されることなく成膜され、磁路が形
成されているために、当該金属磁性膜のＦｅ含有率を比
較的低値としても最適記録電流値は殆ど変化を示さな
い。さらに、第２の磁気コア半体においては、その金属
磁性膜のＦｅ含有率が高いために最適記録電流値が低下
するとともに、当該金属磁性膜上に磁気ギャップ膜が成
膜されているためにこの磁気ギャップ膜が反応防止膜と
して働いて金属磁性膜と融着用のガラス材との反応が防
止される。
【００１７】すなわち、上記磁気ヘッド及び磁気ヘッド
装置においては、最適記録電流値が低値に抑えられると
ともに、金属磁性膜と融着用のガラス材との反応が抑止
され、しかも磁気ギャップ膜が第２の磁気コア半体のみ
に設けられているために狭ギャップ長化が可能となる。
装置においては、最適記録電流値が低値に抑えられると
ともに、金属磁性膜と融着用のガラス材との反応が抑止
され、しかも磁気ギャップ膜が第２の磁気コア半体のみ
に設けられているために狭ギャップ長化が可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を図面を参照
しながら詳細に説明する。
しながら詳細に説明する。
【００１９】本実施例の対象となるものは、一対の磁気
コア半体よりなるアジマス角の異なる２つの磁気ヘッド
が所定の磁気ギャップ間距離をもって設けられて一組の
磁気ヘッドとされてなる磁気ヘッド装置、いわゆるダブ
ルアジマスヘッドである。
コア半体よりなるアジマス角の異なる２つの磁気ヘッド
が所定の磁気ギャップ間距離をもって設けられて一組の
磁気ヘッドとされてなる磁気ヘッド装置、いわゆるダブ
ルアジマスヘッドである。
【００２０】上記磁気ヘッド装置において、各磁気ヘッ
ドを構成する各磁気コア１，２は、図１及び図２に示す
ように、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の酸化物磁性体を材料
とする第１及び第２の磁気コア半体１１，１２からな
り、これら一対の磁気コア半体１１，１２の各対向面１
１ａ，１２ａに下地膜２４を介して高飽和磁束密度材料
からなる金属磁性膜２１ａ，２１ｂが成膜されている。
そして、金属磁性膜２１ａ，２１ｂが成膜された各対向
面１１ａ，１２ａが突き合わせされて所定のアジマス角
を有する磁気ギャップｇ１，ｇ２が形成され、Ｆｅ2 Ｏ
3 を１０〜１５重量％、ここでは１４重量％含有するＰ
ｂ系低融点ガラスである融着用ガラス２３により融着さ
れて各磁気コア１，２が構成されている。
ドを構成する各磁気コア１，２は、図１及び図２に示す
ように、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の酸化物磁性体を材料
とする第１及び第２の磁気コア半体１１，１２からな
り、これら一対の磁気コア半体１１，１２の各対向面１
１ａ，１２ａに下地膜２４を介して高飽和磁束密度材料
からなる金属磁性膜２１ａ，２１ｂが成膜されている。
そして、金属磁性膜２１ａ，２１ｂが成膜された各対向
面１１ａ，１２ａが突き合わせされて所定のアジマス角
を有する磁気ギャップｇ１，ｇ２が形成され、Ｆｅ2 Ｏ
3 を１０〜１５重量％、ここでは１４重量％含有するＰ
ｂ系低融点ガラスである融着用ガラス２３により融着さ
れて各磁気コア１，２が構成されている。
【００２１】ここで、磁気ギャップｇ１，ｇ２のギャッ
プ長は０．２５μｍ以下の所定値とされており、また各
磁気コア１，２においては、記録電流を流すためのコイ
ルを巻回するための溝部である巻線溝１３及びガイド溝
１４が各磁気コア半体１２のみに形成されており、磁気
コア半体１１の対向面１１ａは平坦に形成されている。
プ長は０．２５μｍ以下の所定値とされており、また各
磁気コア１，２においては、記録電流を流すためのコイ
ルを巻回するための溝部である巻線溝１３及びガイド溝
１４が各磁気コア半体１２のみに形成されており、磁気
コア半体１１の対向面１１ａは平坦に形成されている。
【００２２】そして特に、第１の磁気コア半体１１につ
いては、金属磁性膜２１ａがＦｅを７５原子％以下含有
するＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ（ＳＭＸ）を材料とするも
のであり、第２の磁気コア半体１２については、金属磁
性膜２１ｂがＦｅを８５原子％以上含有するＦｅ系微結
晶材を材料として成膜されるとともに、さらに当該金属
磁性膜２１ｂ上にギャップ材よりなる磁気ギャップ膜２
２が成膜されている。
いては、金属磁性膜２１ａがＦｅを７５原子％以下含有
するＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ（ＳＭＸ）を材料とするも
のであり、第２の磁気コア半体１２については、金属磁
性膜２１ｂがＦｅを８５原子％以上含有するＦｅ系微結
晶材を材料として成膜されるとともに、さらに当該金属
磁性膜２１ｂ上にギャップ材よりなる磁気ギャップ膜２
２が成膜されている。
【００２３】具体的には、金属磁性膜２１ａの材料はＦ
ｅを７５原子％含有する飽和磁束密度Ｂｓが約１．４
（Ｔ）のものであり、金属磁性膜２１ｂの材料はＦｅを
９８原子％含有する飽和磁束密度Ｂｓが約２（Ｔ）のＦ
ｅ−Ａｌ−Ｎｂである。
ｅを７５原子％含有する飽和磁束密度Ｂｓが約１．４
（Ｔ）のものであり、金属磁性膜２１ｂの材料はＦｅを
９８原子％含有する飽和磁束密度Ｂｓが約２（Ｔ）のＦ
ｅ−Ａｌ−Ｎｂである。
【００２４】また、磁気ギャップ膜２２の材料として
は、本実施例ではＳｉＯ２を用いるが、このＳｉＯ２の
代わりにＴａ２Ｏ５等の酸化物，Ｓｉ３Ｎ４等の窒化
物，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属及びそれらの合金
を用いることが望ましく、或は当該磁気ギャップ膜２２
をこれらの金属材料よりなる金属膜を組み合わせた積層
膜とすることも考えられる。本実施例においては、磁気
ギャップ膜２２はＣｒ／ＳｉＯ２の２層構造とされてお
り、Ｃｒ膜が約０．１５μｍの膜厚に、ＳｉＯ２膜が約
０．０５μｍの膜厚に成膜されている。さらに、各磁気
コア半体１１，１２の各対向面１１ａ，１２ａと金属磁
性膜２１との間の密着力の向上を図るために成膜する下
地膜２４も、磁気ギャップ膜２２と同様に、本実施例で
はＳｉＯ２を用いるが、このＳｉＯ２の代わりにＴａ２
Ｏ５等の酸化物，Ｓｉ３Ｎ４等の窒化物，Ｃｒ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｐｔ等の金属及びそれらの合金を用いることが望
ましく、或は当該下地膜２４をこれらの金属材料よりな
る金属膜を組み合わせた積層膜としてもよい。
は、本実施例ではＳｉＯ２を用いるが、このＳｉＯ２の
代わりにＴａ２Ｏ５等の酸化物，Ｓｉ３Ｎ４等の窒化
物，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属及びそれらの合金
を用いることが望ましく、或は当該磁気ギャップ膜２２
をこれらの金属材料よりなる金属膜を組み合わせた積層
膜とすることも考えられる。本実施例においては、磁気
ギャップ膜２２はＣｒ／ＳｉＯ２の２層構造とされてお
り、Ｃｒ膜が約０．１５μｍの膜厚に、ＳｉＯ２膜が約
０．０５μｍの膜厚に成膜されている。さらに、各磁気
コア半体１１，１２の各対向面１１ａ，１２ａと金属磁
性膜２１との間の密着力の向上を図るために成膜する下
地膜２４も、磁気ギャップ膜２２と同様に、本実施例で
はＳｉＯ２を用いるが、このＳｉＯ２の代わりにＴａ２
Ｏ５等の酸化物，Ｓｉ３Ｎ４等の窒化物，Ｃｒ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｐｔ等の金属及びそれらの合金を用いることが望
ましく、或は当該下地膜２４をこれらの金属材料よりな
る金属膜を組み合わせた積層膜としてもよい。
【００２５】上記の如く構成された各磁気コア１１，１
２に図示しない巻線等が施されて一組の磁気ヘッドであ
る磁気ヘッド装置とされ、ヘッドベース３に設置されて
回転ドラムに搭載される。
２に図示しない巻線等が施されて一組の磁気ヘッドであ
る磁気ヘッド装置とされ、ヘッドベース３に設置されて
回転ドラムに搭載される。
【００２６】ここで、上記磁気ヘッド装置を作製する方
法について工程順に従って説明する。
法について工程順に従って説明する。
【００２７】先ず図３に示すように、Ｍｎ−Ｚｎフェラ
イト等の酸化物磁性体よりなる基板３１を用意し、この
基板３１の両面に対して平面研削盤等を用いて平面出し
を施す。次いで、図４に示すように、上記基板３１の一
主面３１ａ側にスライサ等を用いて巻線溝３２及び融着
ガラス２３を流し込むためのガラス溝３３を当該基板３
１の長手方向に互いに略々平行となるように形成する。
イト等の酸化物磁性体よりなる基板３１を用意し、この
基板３１の両面に対して平面研削盤等を用いて平面出し
を施す。次いで、図４に示すように、上記基板３１の一
主面３１ａ側にスライサ等を用いて巻線溝３２及び融着
ガラス２３を流し込むためのガラス溝３３を当該基板３
１の長手方向に互いに略々平行となるように形成する。
【００２８】その後、図５及び図６（図６中、楕円Ｓ内
の拡大図）に示すように、スライサ等を用いて巻線溝３
２及びガラス溝３３と略々直交する方向に所定間隔をも
ってトラック幅規制溝３５を形成する。このとき、当該
トラック幅規制溝３５を形成することにより、上記主面
３１ａ上にトラック幅規制溝３５と平行に、上面に所定
の磁気ギャップ幅を有する突状部３４が形成されること
になる。
の拡大図）に示すように、スライサ等を用いて巻線溝３
２及びガラス溝３３と略々直交する方向に所定間隔をも
ってトラック幅規制溝３５を形成する。このとき、当該
トラック幅規制溝３５を形成することにより、上記主面
３１ａ上にトラック幅規制溝３５と平行に、上面に所定
の磁気ギャップ幅を有する突状部３４が形成されること
になる。
【００２９】続いて、ポリッシング等の手法により上記
基板３１の主面３１ａ上に鏡面加工を施した後、図７に
示すように、当該基板３１をその長手方向に沿って２等
分して一対の磁気コア半体ブロック４１，４２を作製す
る。そして、スパッタ法等の薄膜形成技術によってＳｉ
０2 を材料として磁気コア半体ブロック４１，４２の各
対向面４１ａ，４２ａに下地膜２４を膜厚５ｎｍに成膜
した後、磁気コア半体ブロック４１の下地膜２４上にＦ
ｅを７５原子％含有する高飽和磁束密度材料であるＳＭ
Ｘを用いてスパッタ法等の手法により金属磁性膜２１ａ
を成膜する。また、磁気コア半体ブロック４２の下地膜
２４上にＦｅを９８原子％含有する高飽和磁束密度材料
のＦｅ系微結晶材であるＦｅ−Ａｌ−Ｎｂを用いてスパ
ッタ法等の手法により金属磁性膜２１ｂを成膜し、更に
この金属磁性膜２１ｂ上にＣｒ／Ｓｉを材料とする磁気
ギャップ膜２２をＣｒ膜が約０．１５μｍの膜厚となる
ように、Ｓｉ０2 膜が約０．０５μｍの膜厚となるよう
にスパッタ法等の手法により成膜する。
基板３１の主面３１ａ上に鏡面加工を施した後、図７に
示すように、当該基板３１をその長手方向に沿って２等
分して一対の磁気コア半体ブロック４１，４２を作製す
る。そして、スパッタ法等の薄膜形成技術によってＳｉ
０2 を材料として磁気コア半体ブロック４１，４２の各
対向面４１ａ，４２ａに下地膜２４を膜厚５ｎｍに成膜
した後、磁気コア半体ブロック４１の下地膜２４上にＦ
ｅを７５原子％含有する高飽和磁束密度材料であるＳＭ
Ｘを用いてスパッタ法等の手法により金属磁性膜２１ａ
を成膜する。また、磁気コア半体ブロック４２の下地膜
２４上にＦｅを９８原子％含有する高飽和磁束密度材料
のＦｅ系微結晶材であるＦｅ−Ａｌ−Ｎｂを用いてスパ
ッタ法等の手法により金属磁性膜２１ｂを成膜し、更に
この金属磁性膜２１ｂ上にＣｒ／Ｓｉを材料とする磁気
ギャップ膜２２をＣｒ膜が約０．１５μｍの膜厚となる
ように、Ｓｉ０2 膜が約０．０５μｍの膜厚となるよう
にスパッタ法等の手法により成膜する。
【００３０】そして、図８に示すように、当該磁気コア
半体ブロック４１，４２を各対向面４１ａ，４２ａにて
突状部３４の上面が対向するように突き合わせて圧着し
ながら５００℃〜７００℃に加熱し、Ｆｅ2 Ｏ3 を１０
〜１５重量％、ここでは１４重量％含有するＰｂ系低融
点ガラスである融着ガラス２３を巻線溝３２及びガラス
溝３３に流し込んで磁気コア半体ブロック４１，４２を
接合一体化して磁気コアブロック４４を作製する。
半体ブロック４１，４２を各対向面４１ａ，４２ａにて
突状部３４の上面が対向するように突き合わせて圧着し
ながら５００℃〜７００℃に加熱し、Ｆｅ2 Ｏ3 を１０
〜１５重量％、ここでは１４重量％含有するＰｂ系低融
点ガラスである融着ガラス２３を巻線溝３２及びガラス
溝３３に流し込んで磁気コア半体ブロック４１，４２を
接合一体化して磁気コアブロック４４を作製する。
【００３１】次いで、図９に示すように、磁気コアブロ
ック４４の磁気テープの摺動面ａとなる一側面ｂに平面
研削盤等を用いて円筒研削を施す。そして、磁気コアブ
ロック４４にガイド溝１３となる溝加工及び当り幅加工
等を施した後、目的とするチップ厚、チップ長となるよ
うに、磁気コアブロック４４の長手方向と直交する方向
から所望のアジマス角だけ傾けた方向に各ヘッドチップ
４３を切り出す。
ック４４の磁気テープの摺動面ａとなる一側面ｂに平面
研削盤等を用いて円筒研削を施す。そして、磁気コアブ
ロック４４にガイド溝１３となる溝加工及び当り幅加工
等を施した後、目的とするチップ厚、チップ長となるよ
うに、磁気コアブロック４４の長手方向と直交する方向
から所望のアジマス角だけ傾けた方向に各ヘッドチップ
４３を切り出す。
【００３２】続いて、各ヘッドチップ４３を２つづつ１
組としてヘッドベース３上の所定箇所に接着固定するこ
とによって、上記図１に示すような磁気ヘッド装置が完
成する。
組としてヘッドベース３上の所定箇所に接着固定するこ
とによって、上記図１に示すような磁気ヘッド装置が完
成する。
【００３３】このように、本実施例の磁気ヘッド装置に
おいては、第１の磁気コア半体１１の金属磁性膜２１ａ
のＦｅ含有率は７５原子％以下に抑えられているため
に、加工時において当該金属磁性膜２１ａと融着ガラス
２３とが激しい反応を起こすことはない。このとき、磁
気コア半体１１においては、その対向面１１ａが平坦に
形成されているために金属磁性膜２１ａが分断されるこ
となく成膜され、磁路が形成されているために、当該金
属磁性膜２１ａのＦｅ含有率を比較的低値としても最適
記録電流値は殆ど変化を示さない。さらに、第２の磁気
コア半体１２においては、その金属磁性膜２１ｂのＦｅ
含有率が８５原子％以上と高いために最適記録電流値が
低下するとともに、当該金属磁性膜２１ｂ上に磁気ギャ
ップ膜２２が成膜されているためにこの磁気ギャップ膜
２２が反応防止膜として働いて金属磁性膜２２ｂと融着
ガラス２３との反応が防止される。
おいては、第１の磁気コア半体１１の金属磁性膜２１ａ
のＦｅ含有率は７５原子％以下に抑えられているため
に、加工時において当該金属磁性膜２１ａと融着ガラス
２３とが激しい反応を起こすことはない。このとき、磁
気コア半体１１においては、その対向面１１ａが平坦に
形成されているために金属磁性膜２１ａが分断されるこ
となく成膜され、磁路が形成されているために、当該金
属磁性膜２１ａのＦｅ含有率を比較的低値としても最適
記録電流値は殆ど変化を示さない。さらに、第２の磁気
コア半体１２においては、その金属磁性膜２１ｂのＦｅ
含有率が８５原子％以上と高いために最適記録電流値が
低下するとともに、当該金属磁性膜２１ｂ上に磁気ギャ
ップ膜２２が成膜されているためにこの磁気ギャップ膜
２２が反応防止膜として働いて金属磁性膜２２ｂと融着
ガラス２３との反応が防止される。
【００３４】すなわち、上記磁気ヘッド装置において
は、最適記録電流値が低値に抑えられるとともに、金属
磁性膜２１ａ，２１ｂと融着ガラス２３との反応が抑止
され、しかも磁気ギャップ膜２２が磁気コア半体１２の
みに設けられているために狭ギャップ長化が可能とな
る。
は、最適記録電流値が低値に抑えられるとともに、金属
磁性膜２１ａ，２１ｂと融着ガラス２３との反応が抑止
され、しかも磁気ギャップ膜２２が磁気コア半体１２の
みに設けられているために狭ギャップ長化が可能とな
る。
【００３５】ここで、１つの実験例について説明する。
この実験は、上記磁気ヘッド装置のＯＲＣ及びギャップ
デプスを確認する際のギャップデプス確認箇所における
融着ガラス２３の透明性（融着ガラス２３の透過率）に
ついて調べたものである。この実験においては、上記実
施例の磁気ヘッド装置をサンプル１とし、このサンプル
１に対する比較例として以下に示すサンプル２，３と当
該サンプル１との差異を調べた。
この実験は、上記磁気ヘッド装置のＯＲＣ及びギャップ
デプスを確認する際のギャップデプス確認箇所における
融着ガラス２３の透明性（融着ガラス２３の透過率）に
ついて調べたものである。この実験においては、上記実
施例の磁気ヘッド装置をサンプル１とし、このサンプル
１に対する比較例として以下に示すサンプル２，３と当
該サンプル１との差異を調べた。
【００３６】サンプル２は、第２の磁気コア半体１２に
Ｆｅを７５原子％含有するＳＭＸを材料とする金属磁性
膜２１ａ及び磁気ギャップ膜２２を成膜し、第１の磁気
コア半体１１にＦｅを９８原子％含有するＦｅ−Ａｌ−
Ｎｂ材料とする金属磁性膜２１ｂを成膜したものであ
り、サンプル３は、磁気コア半体１１，１２の双方にＦ
ｅを７５原子％含有するＳＭＸを材料とする金属磁性膜
２１ａ及び磁気ギャップ膜２２を成膜したものである。
Ｆｅを７５原子％含有するＳＭＸを材料とする金属磁性
膜２１ａ及び磁気ギャップ膜２２を成膜し、第１の磁気
コア半体１１にＦｅを９８原子％含有するＦｅ−Ａｌ−
Ｎｂ材料とする金属磁性膜２１ｂを成膜したものであ
り、サンプル３は、磁気コア半体１１，１２の双方にＦ
ｅを７５原子％含有するＳＭＸを材料とする金属磁性膜
２１ａ及び磁気ギャップ膜２２を成膜したものである。
【００３７】上記実験の結果としては、全サンプルを通
して融着ガラス２３の透過率については差異はなく、正
確な確認が可能であった。ところが、ＯＲＣについて
は、サンプル１がサンプル３と比較して約２ｄＢの低下
を示したのに対して、サンプル２，３間では約０．５ｄ
Ｂ程の差異しか見られなかった。すなわちこの実験では
サンプル１、即ち本実施例の磁気ヘッド装置がＯＲＣ及
びギャップデプス確認の確実性の双方について正確な結
果を表し、したがってサンプル２，３に対する明かな優
位性が示されたことになる。
して融着ガラス２３の透過率については差異はなく、正
確な確認が可能であった。ところが、ＯＲＣについて
は、サンプル１がサンプル３と比較して約２ｄＢの低下
を示したのに対して、サンプル２，３間では約０．５ｄ
Ｂ程の差異しか見られなかった。すなわちこの実験では
サンプル１、即ち本実施例の磁気ヘッド装置がＯＲＣ及
びギャップデプス確認の確実性の双方について正確な結
果を表し、したがってサンプル２，３に対する明かな優
位性が示されたことになる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、消費電力が低値に抑え
られるとともに、加工工程においてギャップデプスが正
確に確認でき、且つ加工工程において生じがちなガラス
材の損傷を防止することが可能となる。
られるとともに、加工工程においてギャップデプスが正
確に確認でき、且つ加工工程において生じがちなガラス
材の損傷を防止することが可能となる。
【図１】本実施例の磁気ヘッド装置を模式的に示す側面
図である。
図である。
【図２】本実施例の磁気ヘッド装置の摺動面を模式的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】平面出し加工を施した基板を模式的に示す斜視
図である。
図である。
【図４】基板に巻線溝及びガラス溝が形成された様子を
模式的に示す斜視図である。
模式的に示す斜視図である。
【図５】基板にトラック幅規制溝が形成された様子を模
式的に示す斜視図である。
式的に示す斜視図である。
【図６】図６中に示す楕円Ｓ内の拡大斜視図である。
【図７】作製された磁気コア半体ブロックの各対向面に
金属磁性膜等が成膜された様子を模式的に示す斜視図で
ある。
金属磁性膜等が成膜された様子を模式的に示す斜視図で
ある。
【図８】各磁気コア半体ブロックが突き合わされて磁気
コアブロックとされた様子を模式的に示す斜視図であ
る。
コアブロックとされた様子を模式的に示す斜視図であ
る。
【図９】磁気コアブロックの摺動面に円筒研削が施され
た様子を模式的に示す斜視図である。
た様子を模式的に示す斜視図である。
【図１０】ガイド溝が形成された磁気コアブロックから
各ヘッドチップの切り出しを行う様子を模式的に示す斜
視図である。
各ヘッドチップの切り出しを行う様子を模式的に示す斜
視図である。
１，２ 磁気コア
３ ヘッドベース
１１，１２ 磁気コア半体
１３ 巻線溝
１４ ガイド溝
７ 巻線溝
１１，１２ 磁気コア
１３ 融着ガラス
２１ 金属磁性膜
２２ 磁気ギャップ膜
２３ 融着ガラス
２４ 下地膜
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−295409（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−176304（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−209607（ＪＰ，Ａ)
実開 昭62−61012（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/127 - 5/255
Claims (6)
- 【請求項１】 対向面が平坦な第１の磁気コア半体と対
向面に溝部が形成された第２の磁気コア半体とを有し、
高飽和磁束密度材料からなる金属磁性膜がそれぞれの対
向面に成膜されるとともに当該各対向面にて磁気ギャッ
プ膜を介して突き合わされガラス材により融着されて所
定のアジマス角を有する磁気ギャップが形成されてなる
磁気ヘッドにおいて、前記 第１及び第２の磁気コア半体の金属磁性膜がそれぞ
れＦｅを７５原子％以下含有するＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓ
ｉ及びＦｅを８５原子％以上含有するＦｅ−Ａｌ−Ｎｂ
の微結晶材よりなるとともに、前記 磁気ギャップ膜が第２の磁気コア半体の金属磁性膜
上にのみ成膜されていることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記ガラス材がＦｅ２Ｏ３を１０〜１５
重量％含有するＰｂ系低融点ガラスであることを特徴と
する請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記磁気ギャップ膜がＳｉＯ２，Ｔａ２
Ｏ５，Ｓｉ３Ｎ４，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔのうちから
選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする請求
項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記第１及び第２の磁気コア半体の各対
向面と金属磁性膜との間にＳｉＯ ２ ，Ｔａ ２ Ｏ ５ ，Ｓｉ
３ Ｎ ４ ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔのうちから選ばれた少
なくとも１種からなる膜が成膜されていることを特徴と
する請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記磁気ギャップ長が０．２５μｍ以下
であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 アジマス角の異なる一組の請求項１記載
の磁気ヘッドが所定の磁気ギャップ間距離をもって磁気
ヘッド走行方向に配列されてなることを特徴とする磁気
ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29770994A JP3496302B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29770994A JP3496302B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08161710A JPH08161710A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3496302B2 true JP3496302B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=17850155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29770994A Expired - Fee Related JP3496302B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3496302B2 (ja) |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP29770994A patent/JP3496302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08161710A (ja) | 1996-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031028 |
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