JPH09219008A - 磁気ヘッド装置及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド装置及びその製造方法Info
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- JPH09219008A JPH09219008A JP2514396A JP2514396A JPH09219008A JP H09219008 A JPH09219008 A JP H09219008A JP 2514396 A JP2514396 A JP 2514396A JP 2514396 A JP2514396 A JP 2514396A JP H09219008 A JPH09219008 A JP H09219008A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 隣接イレーズに起因するＣ／Ｎの劣化を抑止
するとともに、容易且つ確実に量産を可能とし、製品の
歩留り及び信頼性の大幅な向上を図る。 【解決手段】 各磁気コア１１を、対向する磁気コア半
体１，２の突合せ面１ａ，２ａの幅が相異なるととも
に、磁気ギャップｇの一端部Ｐにおける開き角βの２等
分線と直交する方向と磁気テープの長手方向とのなす角
度が大きいもの同士を組み合わせて構成する。
するとともに、容易且つ確実に量産を可能とし、製品の
歩留り及び信頼性の大幅な向上を図る。 【解決手段】 各磁気コア１１を、対向する磁気コア半
体１，２の突合せ面１ａ，２ａの幅が相異なるととも
に、磁気ギャップｇの一端部Ｐにおける開き角βの２等
分線と直交する方向と磁気テープの長手方向とのなす角
度が大きいもの同士を組み合わせて構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれ所定のア
ジマス角を有する一対の磁気ヘッド素子を備えた磁気ヘ
ッド装置に関し、特に、各磁気ヘッド素子を構成する磁
気コア半体の突合せ面に高飽和磁束密度をもつ金属磁性
膜が成膜されてなる磁気ヘッド装置及びその製造方法に
関する。
ジマス角を有する一対の磁気ヘッド素子を備えた磁気ヘ
ッド装置に関し、特に、各磁気ヘッド素子を構成する磁
気コア半体の突合せ面に高飽和磁束密度をもつ金属磁性
膜が成膜されてなる磁気ヘッド装置及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）
等に設けられている磁気ヘッド装置は、一対の磁気ヘッ
ド素子がそれぞれ回転ドラムの周面に設けられてなり、
磁気記録媒体である磁気テープに磁気記録媒体摺動面が
摺動することにより映像や音声等の記録・再生を行うも
のである。
等に設けられている磁気ヘッド装置は、一対の磁気ヘッ
ド素子がそれぞれ回転ドラムの周面に設けられてなり、
磁気記録媒体である磁気テープに磁気記録媒体摺動面が
摺動することにより映像や音声等の記録・再生を行うも
のである。
【０００３】近時の要請である高記録密度化に答えるた
めに磁気テープの保磁力が大きくなるに伴って、各磁気
コア半体の突合せ面に高飽和磁束密度をもつ金属磁性膜
が成膜されてなる、いわゆるメタル・イン・ギャップの
磁気ヘッド装置（ＭＩＧヘッド装置）が実用化されてい
る。
めに磁気テープの保磁力が大きくなるに伴って、各磁気
コア半体の突合せ面に高飽和磁束密度をもつ金属磁性膜
が成膜されてなる、いわゆるメタル・イン・ギャップの
磁気ヘッド装置（ＭＩＧヘッド装置）が実用化されてい
る。
【０００４】このＭＩＧヘッド装置の各磁気ヘッド素子
は、フェライト等の磁性材料よりなり突合せ面に上記金
属磁性膜が成膜されてなる一対の磁気コア半体がＳｉ０
2 等の絶縁材料よりなるギャップ膜を介して突き合わせ
られて所定のアジマス角をもつ磁気ギャップが形成され
てなる磁気コアを備え、この磁気コアに銅線等の線材が
巻回され磁気コイルが形成されて構成されている。
は、フェライト等の磁性材料よりなり突合せ面に上記金
属磁性膜が成膜されてなる一対の磁気コア半体がＳｉ０
2 等の絶縁材料よりなるギャップ膜を介して突き合わせ
られて所定のアジマス角をもつ磁気ギャップが形成され
てなる磁気コアを備え、この磁気コアに銅線等の線材が
巻回され磁気コイルが形成されて構成されている。
【０００５】上記磁気ヘッド装置を製造するに際して
は、先ず、一対の磁気コア半体ブロックの一主面に複数
の帯状のトラック幅規制溝をギャップ幅間隔をもって切
削或は研削により後述の所定形状に形成し、さらに巻線
溝を形成する。
は、先ず、一対の磁気コア半体ブロックの一主面に複数
の帯状のトラック幅規制溝をギャップ幅間隔をもって切
削或は研削により後述の所定形状に形成し、さらに巻線
溝を形成する。
【０００６】続いて、各磁気コア半体ブロックの一主面
にＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ（ＳＭＸ）等を材料とした金
属磁性膜を成膜した後に、当該金属磁性膜上にＳｉＯ2
等よりなるギャップ膜を成膜する。
にＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ（ＳＭＸ）等を材料とした金
属磁性膜を成膜した後に、当該金属磁性膜上にＳｉＯ2
等よりなるギャップ膜を成膜する。
【０００７】次いで、各磁気コア半体ブロックをこれら
の上記一主面の各磁気コア半体ブロックのギャップ幅間
隔の箇所にて突き合わせ、融着用のガラス材を高温に加
熱することにより溶融させて一対の磁気コア半体ブロッ
クを接合して磁気コアブロックを作製する。
の上記一主面の各磁気コア半体ブロックのギャップ幅間
隔の箇所にて突き合わせ、融着用のガラス材を高温に加
熱することにより溶融させて一対の磁気コア半体ブロッ
クを接合して磁気コアブロックを作製する。
【０００８】続いて、この磁気コアブロックの磁気ギャ
ップが形成されてなる一主面に円筒研削を施して磁気記
録媒体摺動面を形成し、巻線用のガイド溝加工を施した
後、この磁気記録媒体摺動面に磁気記録媒体に対する当
り幅を確保するための当り幅加工を施す。
ップが形成されてなる一主面に円筒研削を施して磁気記
録媒体摺動面を形成し、巻線用のガイド溝加工を施した
後、この磁気記録媒体摺動面に磁気記録媒体に対する当
り幅を確保するための当り幅加工を施す。
【０００９】次いで、この磁気コアブロックに目的のア
ジマス角を同角度にて切断加工を施してそれぞれアジマ
ス角をもつ磁気ギャップを有する各ヘッドチップを作製
する。その後、各ヘッドチップに巻線等の後処理を施す
ことにより上記磁気ヘッド素子が完成する。
ジマス角を同角度にて切断加工を施してそれぞれアジマ
ス角をもつ磁気ギャップを有する各ヘッドチップを作製
する。その後、各ヘッドチップに巻線等の後処理を施す
ことにより上記磁気ヘッド素子が完成する。
【００１０】そして、上記磁気ヘッド素子を所定のヘッ
ドベースに接着固定し、当該磁気ヘッド素子を２つ１組
のＭＩＧヘッド装置として回転ドラムの周面に搭載す
る。
ドベースに接着固定し、当該磁気ヘッド素子を２つ１組
のＭＩＧヘッド装置として回転ドラムの周面に搭載す
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近時におけ
る更なる高記録密度化に伴って、磁気記録媒体である磁
気テープ上に記録される記録パターンのピッチ（トラッ
クピッチ）の幅狭化が進行している。
る更なる高記録密度化に伴って、磁気記録媒体である磁
気テープ上に記録される記録パターンのピッチ（トラッ
クピッチ）の幅狭化が進行している。
【００１２】この場合、トラックピッチが狭くなると、
記録／再生時に上記ＭＩＧヘッド装置を構成する各磁気
ヘッド素子のうち先行する磁気ヘッド素子によって既に
磁気テープに記録された記録信号の一部が、この磁気ヘ
ッド素子とアジマス角の異なる後続の磁気ヘッド素子の
もつ磁気ギャップの端部（ギャップエッジ部）からの漏
れ磁界によって消去されることがある。例えば、このい
わゆる隣接イレーズによって既に記録された記録信号の
うち、磁気テープ上において１μｍ分が消去されると仮
定すると、トラックピッチが２０μｍである場合の再生
出力の劣化は０．４ｄＢ程度であるのに対して、トラッ
クピッチが５μｍである場合では２ｄＢも再生出力が劣
化する。
記録／再生時に上記ＭＩＧヘッド装置を構成する各磁気
ヘッド素子のうち先行する磁気ヘッド素子によって既に
磁気テープに記録された記録信号の一部が、この磁気ヘ
ッド素子とアジマス角の異なる後続の磁気ヘッド素子の
もつ磁気ギャップの端部（ギャップエッジ部）からの漏
れ磁界によって消去されることがある。例えば、このい
わゆる隣接イレーズによって既に記録された記録信号の
うち、磁気テープ上において１μｍ分が消去されると仮
定すると、トラックピッチが２０μｍである場合の再生
出力の劣化は０．４ｄＢ程度であるのに対して、トラッ
クピッチが５μｍである場合では２ｄＢも再生出力が劣
化する。
【００１３】上記ＭＩＧヘッド装置において、上述の隣
接イレーズを極力抑えるためには、各磁気コア半体ブロ
ックに形成するトラック幅規制溝をその角度が磁気ギャ
ップ幅方向の突合せ面に略々直交するように削設すれば
よいが、このＭＩＧヘッド装置においては、その磁気ヘ
ッド素子の磁気ギャップ近傍における磁気コアの断面積
が小さく、記録再生特性の点で好ましくない。
接イレーズを極力抑えるためには、各磁気コア半体ブロ
ックに形成するトラック幅規制溝をその角度が磁気ギャ
ップ幅方向の突合せ面に略々直交するように削設すれば
よいが、このＭＩＧヘッド装置においては、その磁気ヘ
ッド素子の磁気ギャップ近傍における磁気コアの断面積
が小さく、記録再生特性の点で好ましくない。
【００１４】トラック幅規制溝の角度が大きい場合で
も、各磁気コア半体の磁気ギャップ幅方向の突合せ面幅
が略々同一であってギャップエッジ部に殆どズレがない
場合には隣接イレーズは無視し得る程度となる。しかし
ながら、ギャップエッジ部にズレのない磁気ヘッド素子
のみを製造するには現在のところ加工精度の飛躍的な向
上が必要であり、量産の点で極めて困難な現状にある。
も、各磁気コア半体の磁気ギャップ幅方向の突合せ面幅
が略々同一であってギャップエッジ部に殆どズレがない
場合には隣接イレーズは無視し得る程度となる。しかし
ながら、ギャップエッジ部にズレのない磁気ヘッド素子
のみを製造するには現在のところ加工精度の飛躍的な向
上が必要であり、量産の点で極めて困難な現状にある。
【００１５】そこで本発明は、上述の課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、隣接イレー
ズに起因するＣ／Ｎの劣化を抑止するとともに、容易且
つ確実に量産を可能とし、製品の歩留り及び信頼性の大
幅な向上を図ることができる磁気ヘッド装置及びその製
造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、隣接イレー
ズに起因するＣ／Ｎの劣化を抑止するとともに、容易且
つ確実に量産を可能とし、製品の歩留り及び信頼性の大
幅な向上を図ることができる磁気ヘッド装置及びその製
造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の対象とするもの
は、それぞれ一対の磁気コア半体がギャップ膜を介して
各々の突合せ面にて接合されて相異なるアジマス角をも
つ磁気ギャップが形成されてなる一対の磁気ヘッド素子
を備えてなる磁気ヘッド装置及びその製造方法である。
は、それぞれ一対の磁気コア半体がギャップ膜を介して
各々の突合せ面にて接合されて相異なるアジマス角をも
つ磁気ギャップが形成されてなる一対の磁気ヘッド素子
を備えてなる磁気ヘッド装置及びその製造方法である。
【００１７】ここでは、主に各磁気コア半体の突合せ面
に高飽和磁束密度をもつ金属磁性膜が成膜されてなる、
いわゆるＭＩＧヘッド装置に主眼を置いている。
に高飽和磁束密度をもつ金属磁性膜が成膜されてなる、
いわゆるＭＩＧヘッド装置に主眼を置いている。
【００１８】本発明の磁気ヘッド装置は、上記磁気ヘッ
ド素子における対向する磁気コア半体の突合せ面幅が異
なるとともに、磁気ギャップの一端部における開き角内
にアジマス角が存するものである。この場合、磁気ギャ
ップのギャップ幅は狭い方の突合せ面幅によって決ま
り、上記開き角は磁気ギャップの一端部を頂点としてこ
の頂点から磁気ギャップを延長した第１の仮想線と当該
頂点から幅狭の突合せ面幅をもつトラック規制溝に沿っ
て延長した第２の仮想線によって張る鋭角となる。すな
わち、この鋭角領域内に上記アジマス角が存することに
なる。
ド素子における対向する磁気コア半体の突合せ面幅が異
なるとともに、磁気ギャップの一端部における開き角内
にアジマス角が存するものである。この場合、磁気ギャ
ップのギャップ幅は狭い方の突合せ面幅によって決ま
り、上記開き角は磁気ギャップの一端部を頂点としてこ
の頂点から磁気ギャップを延長した第１の仮想線と当該
頂点から幅狭の突合せ面幅をもつトラック規制溝に沿っ
て延長した第２の仮想線によって張る鋭角となる。すな
わち、この鋭角領域内に上記アジマス角が存することに
なる。
【００１９】また、本発明の磁気ヘッド装置の製造方法
は、上述の磁気ヘッド装置を製造するに際して、トラッ
ク幅が交互に異なるように各トラック幅規制溝を削設し
て各磁気コア半体ブロックの突合せ面を形成する工程
と、各磁気コア半体ブロックを互いに異なるトラック幅
の突合せ面にて突き合わせ接合して磁気コアブロックを
作製する工程と、当該磁気コアブロックに所定のアジマ
ス角をもって切断加工を施して各磁気コアを切り出す工
程とを経ることにより上記磁気ヘッド装置が製造され
る。
は、上述の磁気ヘッド装置を製造するに際して、トラッ
ク幅が交互に異なるように各トラック幅規制溝を削設し
て各磁気コア半体ブロックの突合せ面を形成する工程
と、各磁気コア半体ブロックを互いに異なるトラック幅
の突合せ面にて突き合わせ接合して磁気コアブロックを
作製する工程と、当該磁気コアブロックに所定のアジマ
ス角をもって切断加工を施して各磁気コアを切り出す工
程とを経ることにより上記磁気ヘッド装置が製造され
る。
【００２０】上述のように、上記磁気ヘッド装置におい
ては、各磁気ヘッド素子の対向する磁気コア半体の突合
せ面幅が異なるため、このままでは上記開き角が小さく
なって隣接イレーズの低減を図ることはできない。
ては、各磁気ヘッド素子の対向する磁気コア半体の突合
せ面幅が異なるため、このままでは上記開き角が小さく
なって隣接イレーズの低減を図ることはできない。
【００２１】しかしながらこの場合、磁気ギャップの一
端部近傍では上記開き角の２等分線上に仮想的な磁気ギ
ャップが存在することとなり、この２等分線と略々直交
する方向に漏れ磁界が発生すると見なすことができる。
したがって、上記２等分線と略々直交する方向と磁気テ
ープの長手方向（配向方向）とのなす角度が小さければ
隣接イレーズは大きくなり、逆に当該角度が大きければ
隣接イレーズの発生量は減少する。
端部近傍では上記開き角の２等分線上に仮想的な磁気ギ
ャップが存在することとなり、この２等分線と略々直交
する方向に漏れ磁界が発生すると見なすことができる。
したがって、上記２等分線と略々直交する方向と磁気テ
ープの長手方向（配向方向）とのなす角度が小さければ
隣接イレーズは大きくなり、逆に当該角度が大きければ
隣接イレーズの発生量は減少する。
【００２２】そこで、磁気ヘッド装置を構成する双方の
磁気ヘッド素子をそれぞれ磁気ギャップの一端部におけ
る開き角の２等分線の法線が磁気テープの長手方向とな
す角度が大きくなるように配することにより、どちらの
磁気ヘッド素子も上記角度が大きくなり全体として隣接
イレーズの発生量は無視し得る程度のものとなる。
磁気ヘッド素子をそれぞれ磁気ギャップの一端部におけ
る開き角の２等分線の法線が磁気テープの長手方向とな
す角度が大きくなるように配することにより、どちらの
磁気ヘッド素子も上記角度が大きくなり全体として隣接
イレーズの発生量は無視し得る程度のものとなる。
【００２３】このように、上記磁気ヘッド装置において
は、積極的に各磁気ヘッド素子の対向する磁気コア半体
の突合せ面幅が相異なるように形成することにより量産
性の向上を図るとともに、上述の如く各磁気ヘッド素子
を配設することにより各磁気ヘッド素子の対向する磁気
コア半体の突合せ面幅が正確に一致する場合と等価とな
って隣接イレーズの発生に起因するＣ／Ｎの劣化が抑止
されることになる。
は、積極的に各磁気ヘッド素子の対向する磁気コア半体
の突合せ面幅が相異なるように形成することにより量産
性の向上を図るとともに、上述の如く各磁気ヘッド素子
を配設することにより各磁気ヘッド素子の対向する磁気
コア半体の突合せ面幅が正確に一致する場合と等価とな
って隣接イレーズの発生に起因するＣ／Ｎの劣化が抑止
されることになる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気ヘッド及
びその製造方法の具体的な実施の形態について図面を参
照しながら詳細に説明する。
びその製造方法の具体的な実施の形態について図面を参
照しながら詳細に説明する。
【００２５】本実施の形態における磁気ヘッド装置は、
それぞれ一対の磁気コア半体がギャップ膜を介して各々
の突合せ面にて接合されて相異なるアジマス角をもつ磁
気ギャップが形成されてなる一対の磁気ヘッド素子を備
えてなるものである。
それぞれ一対の磁気コア半体がギャップ膜を介して各々
の突合せ面にて接合されて相異なるアジマス角をもつ磁
気ギャップが形成されてなる一対の磁気ヘッド素子を備
えてなるものである。
【００２６】特に、一主面に複数の帯状のトラック幅規
制溝がギャップ幅間隔をもって形成されるとともに、軟
磁性金属材料からなる金属磁性膜が成膜されギャップ面
が形成されて磁気コア半体ブロックとされ、一対の前記
磁気コア半体ブロックのギャップ面同士がギャップ材を
介して突き合わされ複数の磁気ギャップが形成されて磁
気コアブロックとされて、この磁気コアブロックから所
要のチップ幅のヘッドチップに切り出されて各磁気ヘッ
ド素子が作製されてなる、いわゆるメタル・イン・ギャ
ップ型の磁気ヘッド装置（ＭＩＧヘッド装置）を本実施
の形態の主な対象とする。
制溝がギャップ幅間隔をもって形成されるとともに、軟
磁性金属材料からなる金属磁性膜が成膜されギャップ面
が形成されて磁気コア半体ブロックとされ、一対の前記
磁気コア半体ブロックのギャップ面同士がギャップ材を
介して突き合わされ複数の磁気ギャップが形成されて磁
気コアブロックとされて、この磁気コアブロックから所
要のチップ幅のヘッドチップに切り出されて各磁気ヘッ
ド素子が作製されてなる、いわゆるメタル・イン・ギャ
ップ型の磁気ヘッド装置（ＭＩＧヘッド装置）を本実施
の形態の主な対象とする。
【００２７】上記ＭＩＧヘッド装置において、図１に示
すように、各磁気コア素子の磁気コア１１は、一対の磁
気コア半体１，２のトラック幅規制溝３，４が形成され
た各主面に高飽和磁束密度をもつ軟磁性金属材料からな
る金属磁性膜５が成膜され、これら各磁気コア半体１，
２が上記各主面にてギャップ膜６を介して突き合わされ
磁気ギャップｇが形成されて構成されている。これら磁
気コア半体１，２が突き合わされた際に図示しないガラ
ス溝に融着用のガラス材９が挿入され高温にて溶融さ
れ、これら磁気コア半体１，２が接合されている。
すように、各磁気コア素子の磁気コア１１は、一対の磁
気コア半体１，２のトラック幅規制溝３，４が形成され
た各主面に高飽和磁束密度をもつ軟磁性金属材料からな
る金属磁性膜５が成膜され、これら各磁気コア半体１，
２が上記各主面にてギャップ膜６を介して突き合わされ
磁気ギャップｇが形成されて構成されている。これら磁
気コア半体１，２が突き合わされた際に図示しないガラ
ス溝に融着用のガラス材９が挿入され高温にて溶融さ
れ、これら磁気コア半体１，２が接合されている。
【００２８】上記磁気コア半体１，２には、記録電流を
流すための磁気コイルを巻回するための巻線溝７及びガ
イド溝８が形成されている。そして、これら巻線溝７及
びガイド溝８に図示しない巻線が施されて各磁気ヘッド
素子が構成されて上記ＭＩＧヘッド装置が構成されてい
る。
流すための磁気コイルを巻回するための巻線溝７及びガ
イド溝８が形成されている。そして、これら巻線溝７及
びガイド溝８に図示しない巻線が施されて各磁気ヘッド
素子が構成されて上記ＭＩＧヘッド装置が構成されてい
る。
【００２９】ここで、各磁気コア１１においては、図２
に示すように、対向する磁気コア半体１，２の突合せ面
１ａ，２ａの幅が相異なるとともに、磁気ギャップｇの
一端部Ｐにおける開き角β内にアジマス角θが存する。
この場合、磁気ギャップｇのギャップ幅は狭い方の突合
せ面１ａの幅によって決まり、上記開き角βは、磁気ギ
ャップｇの一端部Ｐを頂点としてこの頂点から磁気ギャ
ップｇを延長した第１の仮想線Ｌ１と当該頂点から磁気
コア半体２の幅狭の突合せ面２ａからトラック規制溝３
に沿って延長した第２の仮想線Ｌ２によって張る鋭角と
なる。すなわち、この開き角βの領域内にアジマス角θ
が存することになる。
に示すように、対向する磁気コア半体１，２の突合せ面
１ａ，２ａの幅が相異なるとともに、磁気ギャップｇの
一端部Ｐにおける開き角β内にアジマス角θが存する。
この場合、磁気ギャップｇのギャップ幅は狭い方の突合
せ面１ａの幅によって決まり、上記開き角βは、磁気ギ
ャップｇの一端部Ｐを頂点としてこの頂点から磁気ギャ
ップｇを延長した第１の仮想線Ｌ１と当該頂点から磁気
コア半体２の幅狭の突合せ面２ａからトラック規制溝３
に沿って延長した第２の仮想線Ｌ２によって張る鋭角と
なる。すなわち、この開き角βの領域内にアジマス角θ
が存することになる。
【００３０】上述のように、上記ＭＩＧヘッド装置にお
いては、各磁気ヘッド素子の対向する磁気コア半体１，
２の突合せ面１ａ，１ｂの幅が異なるため、このままで
は上記開き角βが小さくなって隣接イレーズの低減を図
ることはできない。
いては、各磁気ヘッド素子の対向する磁気コア半体１，
２の突合せ面１ａ，１ｂの幅が異なるため、このままで
は上記開き角βが小さくなって隣接イレーズの低減を図
ることはできない。
【００３１】しかしながらこの場合、磁気ギャップｇの
一端部Ｐの近傍では上記開き角βの図２中破線で示す２
等分線Ｄ上に仮想的な磁気ギャップが存在することとな
り、この２等分線Ｄと略々直交する方向に漏れ磁界が発
生すると見なすことができる。したがって、上記２等分
線Ｄと略々直交する方向と磁気テープ６の長手方向（配
向方向）Ｍとのなす角度の絶対値が小さければ隣接イレ
ーズは大きくなり、逆に当該角度の絶対値が大きければ
隣接イレーズの発生量は減少する。
一端部Ｐの近傍では上記開き角βの図２中破線で示す２
等分線Ｄ上に仮想的な磁気ギャップが存在することとな
り、この２等分線Ｄと略々直交する方向に漏れ磁界が発
生すると見なすことができる。したがって、上記２等分
線Ｄと略々直交する方向と磁気テープ６の長手方向（配
向方向）Ｍとのなす角度の絶対値が小さければ隣接イレ
ーズは大きくなり、逆に当該角度の絶対値が大きければ
隣接イレーズの発生量は減少する。
【００３２】そこで、ＭＩＧヘッド装置を構成する双方
の磁気ヘッド素子をそれぞれ磁気ギャップｇの一端部Ｐ
における開き角β内にアジマス角θが存するように配す
ることにより、どちらの磁気ヘッド素子も上記角度が大
きくなり全体として隣接イレーズの発生量は無視し得る
程度のものとなる。
の磁気ヘッド素子をそれぞれ磁気ギャップｇの一端部Ｐ
における開き角β内にアジマス角θが存するように配す
ることにより、どちらの磁気ヘッド素子も上記角度が大
きくなり全体として隣接イレーズの発生量は無視し得る
程度のものとなる。
【００３３】このように、上記ＭＩＧヘッド装置におい
ては、積極的に各磁気ヘッド素子の対向する磁気コア半
体１，２の突合せ面１ａ，１ｂの幅が相異なるように形
成することにより量産性の向上を図るとともに、図３に
示すように各磁気ヘッド素子を配設して上記ＭＩＧヘッ
ド装置を構成することにより各磁気ヘッド素子の対向す
る磁気コア半体の突合せ面幅が正確に一致する場合と等
価となって隣接イレーズの発生に起因するＣ／Ｎの劣化
が抑止されることになる。
ては、積極的に各磁気ヘッド素子の対向する磁気コア半
体１，２の突合せ面１ａ，１ｂの幅が相異なるように形
成することにより量産性の向上を図るとともに、図３に
示すように各磁気ヘッド素子を配設して上記ＭＩＧヘッ
ド装置を構成することにより各磁気ヘッド素子の対向す
る磁気コア半体の突合せ面幅が正確に一致する場合と等
価となって隣接イレーズの発生に起因するＣ／Ｎの劣化
が抑止されることになる。
【００３４】上記各磁気ヘッド素子を製造するに際して
は、先ず図４に示すように、平面研削盤等を用いてＭｎ
−Ｚｎ等よりなるフェライト基板２１の平面出しを行
う。ここでは、図示の如き面方位とされた単結晶基板を
用いたが、他の面方位の単結晶基板や多結晶基板或は単
結晶フェライトと多結晶フェライトとの接合基板を用い
てもよい。
は、先ず図４に示すように、平面研削盤等を用いてＭｎ
−Ｚｎ等よりなるフェライト基板２１の平面出しを行
う。ここでは、図示の如き面方位とされた単結晶基板を
用いたが、他の面方位の単結晶基板や多結晶基板或は単
結晶フェライトと多結晶フェライトとの接合基板を用い
てもよい。
【００３５】続いて、図５に示すように、フェライト基
板２１の一主面に巻線溝７及びガラス溝２２をスライサ
ー等を用いてそれぞれ２本ずつ削設した後に、図６に示
すように、巻線溝７及びガラス溝２２と略々直交する方
向に複数の帯状のトラック幅規制溝３，４を切削或は研
削により形成する。このとき、図７（図６中の楕円Ｃ
内）に示すように、トラック幅が交互に異なるように、
上記一主面の垂直方向に対して溝角度が３０゜となるよ
うに各トラック幅規制溝３，４を削設して突合せ面１
ａ，２ａを形成する。
板２１の一主面に巻線溝７及びガラス溝２２をスライサ
ー等を用いてそれぞれ２本ずつ削設した後に、図６に示
すように、巻線溝７及びガラス溝２２と略々直交する方
向に複数の帯状のトラック幅規制溝３，４を切削或は研
削により形成する。このとき、図７（図６中の楕円Ｃ
内）に示すように、トラック幅が交互に異なるように、
上記一主面の垂直方向に対して溝角度が３０゜となるよ
うに各トラック幅規制溝３，４を削設して突合せ面１
ａ，２ａを形成する。
【００３６】次いで、フェライト基板２１の一主面にポ
リッシング等を施して鏡面加工を施す。このとき、突合
せ面１ａ，２ａがそれぞれ１４μｍ及び１６μｍ幅とな
る。そして、図８に示すように、フェライト基板２１を
その中心部にて切断し、一対の磁気コア半体ブロック２
３，２４を作製する。
リッシング等を施して鏡面加工を施す。このとき、突合
せ面１ａ，２ａがそれぞれ１４μｍ及び１６μｍ幅とな
る。そして、図８に示すように、フェライト基板２１を
その中心部にて切断し、一対の磁気コア半体ブロック２
３，２４を作製する。
【００３７】次いで、図９（上記楕円Ｃ内）に示すよう
に、各磁気コア半体ブロック２３，２４のトラック幅規
制溝３，４等が形成された一主面上にＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ
−Ｓｉ（ＳＭＸ）等の軟磁性金属材料からなる金属磁性
膜５を膜厚数μｍに当該一主面全体に均一にスパッタ成
膜する。
に、各磁気コア半体ブロック２３，２４のトラック幅規
制溝３，４等が形成された一主面上にＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ
−Ｓｉ（ＳＭＸ）等の軟磁性金属材料からなる金属磁性
膜５を膜厚数μｍに当該一主面全体に均一にスパッタ成
膜する。
【００３８】ここでは、金属磁性膜５の材料としてＳＭ
Ｘを用いたが、その代わりにセンダスト，センダスト＋
０，センダスト＋Ｎ，ＳＭＸ＋０，ＳＭＸ＋Ｎ等の結晶
質磁性膜或はＦｅ系微結晶膜，Ｃｏ系微結晶膜等を用い
てもよい。また、フェライト基板２１と金属磁性膜５と
の密着性向上のために、ＳｉＯ2 やＴａ2 Ｏ5 等の酸化
物やＳｉ3 Ｎ4 等の窒化物、或はＣｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ
ｔ等の金属及びこれらの合金、並びにそれらを組み合わ
せた材料を用いてフェライト基板２１の一主面上に下地
膜を成膜することが好ましい。本実施の形態において
は、ＳｉＯ2 よりなる下地膜を膜厚５μｍに成膜した。
Ｘを用いたが、その代わりにセンダスト，センダスト＋
０，センダスト＋Ｎ，ＳＭＸ＋０，ＳＭＸ＋Ｎ等の結晶
質磁性膜或はＦｅ系微結晶膜，Ｃｏ系微結晶膜等を用い
てもよい。また、フェライト基板２１と金属磁性膜５と
の密着性向上のために、ＳｉＯ2 やＴａ2 Ｏ5 等の酸化
物やＳｉ3 Ｎ4 等の窒化物、或はＣｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ
ｔ等の金属及びこれらの合金、並びにそれらを組み合わ
せた材料を用いてフェライト基板２１の一主面上に下地
膜を成膜することが好ましい。本実施の形態において
は、ＳｉＯ2 よりなる下地膜を膜厚５μｍに成膜した。
【００３９】さらに、上記金属磁性膜５上にＳｉＯ2 よ
りなる単層のギャップ膜６をスパッタ成膜する。なお、
このギャップ膜の材料としては、融着ガラスとの反応を
防止するために上層にＣｒ膜等を積層する２層構造或は
多層構造としてもよい。
りなる単層のギャップ膜６をスパッタ成膜する。なお、
このギャップ膜の材料としては、融着ガラスとの反応を
防止するために上層にＣｒ膜等を積層する２層構造或は
多層構造としてもよい。
【００４０】続いて、図１０に示すように、各磁気コア
半体ブロック２３，２４において突合せ面１ａ，２ａと
が対向するように当該磁気コア半体ブロック２３，２４
を突き合わせ圧着させながら５００〜７００℃に加熱
し、低融点のガラス材９を用いて両者を接合して磁気コ
アブロック２５を作製する。
半体ブロック２３，２４において突合せ面１ａ，２ａと
が対向するように当該磁気コア半体ブロック２３，２４
を突き合わせ圧着させながら５００〜７００℃に加熱
し、低融点のガラス材９を用いて両者を接合して磁気コ
アブロック２５を作製する。
【００４１】続いて、図１１に示すように、この磁気コ
アブロック２５の磁気ギャップｇが形成されてなる一主
面に円筒研削を施して磁気記録媒体摺動面ａを形成し、
巻線用のガイド溝加工を施した後、この磁気記録媒体摺
動面ａに対する当り幅を確保するための当り幅加工を施
す。
アブロック２５の磁気ギャップｇが形成されてなる一主
面に円筒研削を施して磁気記録媒体摺動面ａを形成し、
巻線用のガイド溝加工を施した後、この磁気記録媒体摺
動面ａに対する当り幅を確保するための当り幅加工を施
す。
【００４２】そして、図１２に示すように、この磁気コ
アブロック２５に切断加工を施してそれぞれ磁気ギャッ
プｇをもつ各ヘッドチップ２６を作製する。この切断加
工時には、砥石の剛性を確保するために当該砥石の厚み
を０．１５ｍｍ以上とする必要がある。一方、トラック
幅規制溝３，４のピッチは、磁気コア半体ブロック２
３，２４の融着の際に必要な融着ガラスの量を少なくす
るために、この切断幅よりも小さくすることが好まし
く、切断のピッチはトラック幅規制溝３，４のピッチの
少なくとも２倍程度となる。したがって、上述のように
突合せ幅の異なる場合でも突合せ幅が略々同一である場
合と比較して歩留りが低下することはない。
アブロック２５に切断加工を施してそれぞれ磁気ギャッ
プｇをもつ各ヘッドチップ２６を作製する。この切断加
工時には、砥石の剛性を確保するために当該砥石の厚み
を０．１５ｍｍ以上とする必要がある。一方、トラック
幅規制溝３，４のピッチは、磁気コア半体ブロック２
３，２４の融着の際に必要な融着ガラスの量を少なくす
るために、この切断幅よりも小さくすることが好まし
く、切断のピッチはトラック幅規制溝３，４のピッチの
少なくとも２倍程度となる。したがって、上述のように
突合せ幅の異なる場合でも突合せ幅が略々同一である場
合と比較して歩留りが低下することはない。
【００４３】その後、各ヘッドチップ２６（磁気コア１
１）に巻線等の後処理を施すことにより各磁気ヘッド素
子とし、上記図３に示す如く各磁気ヘッド素子を配設す
ることによって上記ＭＩＧヘッド装置が完成する。
１）に巻線等の後処理を施すことにより各磁気ヘッド素
子とし、上記図３に示す如く各磁気ヘッド素子を配設す
ることによって上記ＭＩＧヘッド装置が完成する。
【００４４】ここで、上記ＭＩＧヘッド装置において、
上記実施の形態に示したように作製された各磁気ヘッド
素子の配置の仕方を変え、それぞれの場合に発生する隣
接イレーズについて測定した実験例について説明する。
上記実施の形態に示したように作製された各磁気ヘッド
素子の配置の仕方を変え、それぞれの場合に発生する隣
接イレーズについて測定した実験例について説明する。
【００４５】このとき、参照例として、各磁気ヘッド素
子において磁気コア半体３１，３２の突合せ面３１ａ，
３２ａの幅が同一である磁気ヘッド素子Ｒｅｆ−Ａ，Ｒ
ｅｆ−Ｂを用意した。そして、これら磁気ヘッド素子Ｒ
ｅｆ−Ａ，Ｒｅｆ−Ｂを図１３に示すように配設し、隣
接イレーズに起因するＣ／Ｎの減少値をこの場合を基準
として０．０ｄＢとした。
子において磁気コア半体３１，３２の突合せ面３１ａ，
３２ａの幅が同一である磁気ヘッド素子Ｒｅｆ−Ａ，Ｒ
ｅｆ−Ｂを用意した。そして、これら磁気ヘッド素子Ｒ
ｅｆ−Ａ，Ｒｅｆ−Ｂを図１３に示すように配設し、隣
接イレーズに起因するＣ／Ｎの減少値をこの場合を基準
として０．０ｄＢとした。
【００４６】この実験においては、図１４，図１５に示
す磁気ヘッド素子をそれぞれサンプルＡ１，Ａ２とし、
図１６，図１７に示す磁気ヘッド素子をそれぞれサンプ
ルＢ１，Ｂ２として、サンプルＡ１とサンプルＢ１，サ
ンプルＡ１とサンプルＢ２，サンプルＡ２とサンプルＢ
１，及びサンプルＡ２とサンプルＢ２の４通りの配列に
ついてそれぞれＣ／Ｎの減少値を測定した。
す磁気ヘッド素子をそれぞれサンプルＡ１，Ａ２とし、
図１６，図１７に示す磁気ヘッド素子をそれぞれサンプ
ルＢ１，Ｂ２として、サンプルＡ１とサンプルＢ１，サ
ンプルＡ１とサンプルＢ２，サンプルＡ２とサンプルＢ
１，及びサンプルＡ２とサンプルＢ２の４通りの配列に
ついてそれぞれＣ／Ｎの減少値を測定した。
【００４７】また、この実施の形態においては、各磁気
ヘッド素子のアジマス角を±２０゜とし、Ｃ／Ｎ測定に
はトラックピッチが１０μｍとなるように改造された８
ｍｍＶＴＲを用いた。なお、この８ｍｍＶＴＲにおい
て、磁気テープの長手方向と磁気ヘッド素子の摺動方向
とのなす角度は約１０゜である。
ヘッド素子のアジマス角を±２０゜とし、Ｃ／Ｎ測定に
はトラックピッチが１０μｍとなるように改造された８
ｍｍＶＴＲを用いた。なお、この８ｍｍＶＴＲにおい
て、磁気テープの長手方向と磁気ヘッド素子の摺動方向
とのなす角度は約１０゜である。
【００４８】実験結果を以下の表１に示す。なお、測定
したＣ／Ｎの減少値の単位はｄＢである。
したＣ／Ｎの減少値の単位はｄＢである。
【００４９】
【表１】
【００５０】この表１に示すように、サンプルＡ２とサ
ンプルＢ２の組合せ、即ち上記図３に示す配列では、Ｒ
ｅｆ−ＡとＲｅｆ−Ｂの組合せと同等のＣ／Ｎを示し、
この組合せの場合が最も隣接イレーズが少ないことが分
かる。
ンプルＢ２の組合せ、即ち上記図３に示す配列では、Ｒ
ｅｆ−ＡとＲｅｆ−Ｂの組合せと同等のＣ／Ｎを示し、
この組合せの場合が最も隣接イレーズが少ないことが分
かる。
【００５１】ここで、上記図２において、磁気テープ６
の長手方向Ｍと磁気ヘッド素子の摺動方向Ｎとのなす角
をαとすると、上記各サンプルＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２
における２等分線Ｄと略々直交する方向と磁気テープ６
の長手方向（配向方向）Ｍとのなす角度ΘA1，ΘA2，Θ
B1，及びΘB2は、それぞれ角α，β，及びθ（全て正
値）を用いて、以下に示すように表される。
の長手方向Ｍと磁気ヘッド素子の摺動方向Ｎとのなす角
をαとすると、上記各サンプルＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２
における２等分線Ｄと略々直交する方向と磁気テープ６
の長手方向（配向方向）Ｍとのなす角度ΘA1，ΘA2，Θ
B1，及びΘB2は、それぞれ角α，β，及びθ（全て正
値）を用いて、以下に示すように表される。
【００５２】ΘA1：−θ−（１／２）β＋α ΘA2：θ＋（１／２）β；＋α ΘB1：−θ＋（１／２）β＋α ΘB2：θ＋（１／２）β−α すなわち、上記角度ΘA1，ΘA2，ΘB1，及びΘB2の絶対
値はそれぞれ以下に示す関係をもつ。
値はそれぞれ以下に示す関係をもつ。
【００５３】ΘA1＞ΘA2 ΘB1＞ΘB2 したがって、２等分線Ｄと略々直交する方向と磁気テー
プ６の長手方向（配向方向）Ｍとのなす角度Θの絶対値
が小さければ隣接イレーズは大きくなり、逆に当該角度
Θの絶対値が大きければ隣接イレーズの発生量が減少す
ることが分かる。
プ６の長手方向（配向方向）Ｍとのなす角度Θの絶対値
が小さければ隣接イレーズは大きくなり、逆に当該角度
Θの絶対値が大きければ隣接イレーズの発生量が減少す
ることが分かる。
【００５４】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッド装置及びその製造方
法によれば、隣接イレーズに起因するＣ／Ｎの劣化が抑
止されるとともに、容易且つ確実に量産が可能となり、
製品の歩留り及び信頼性の大幅な向上を図ることができ
る。
法によれば、隣接イレーズに起因するＣ／Ｎの劣化が抑
止されるとともに、容易且つ確実に量産が可能となり、
製品の歩留り及び信頼性の大幅な向上を図ることができ
る。
【図１】本実施の形態における磁気ヘッド素子を模式的
に示す斜視図である。
に示す斜視図である。
【図２】各磁気ヘッド素子の磁気記録媒体摺動面近傍と
当該摺動面に摺接する磁気テープとを模式的に示す斜視
図である。
当該摺動面に摺接する磁気テープとを模式的に示す斜視
図である。
【図３】各磁気ヘッド素子（磁気コア）が配設されて磁
気ヘッド装置とされた様子を模式的に示す平面図であ
る。
気ヘッド装置とされた様子を模式的に示す平面図であ
る。
【図４】平面出しが施されたフェライト基板を模式的に
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図５】フェライト基板に巻線溝及びガラス溝が削設さ
れた様子を模式的に示す斜視図である。
れた様子を模式的に示す斜視図である。
【図６】フェライト基板にトラック幅規制溝が削設さ
れ、さらに鏡面加工が施された様子を模式的に示す斜視
図である。
れ、さらに鏡面加工が施された様子を模式的に示す斜視
図である。
【図７】削設されたトラック幅規制溝近傍を拡大して模
式的に示す斜視図である。
式的に示す斜視図である。
【図８】フェライト基板を切断して作製された一対の磁
気コア半体ブロックを模式的に示す斜視図である。
気コア半体ブロックを模式的に示す斜視図である。
【図９】フェライト基板に金属磁性膜が成膜された様子
を模式的に示す斜視図である。
を模式的に示す斜視図である。
【図１０】各磁気コア半体ブロックが突き合わせられて
磁気コアブロックが作製された様子を模式的に示す斜視
図である。
磁気コアブロックが作製された様子を模式的に示す斜視
図である。
【図１１】磁気コアブロックに円筒研削が施された様子
を模式的に示す斜視図である。
を模式的に示す斜視図である。
【図１２】磁気コアブロックから各ヘッドチップを切り
出した様子を模式的に示す斜視図である。
出した様子を模式的に示す斜視図である。
【図１３】参考例として掲げたＭＩＧヘッド装置を模式
的に示す平面図である。
的に示す平面図である。
【図１４】磁気ヘッド素子のサンプルＡ１を模式的に示
す平面図である。
す平面図である。
【図１５】磁気ヘッド素子のサンプルＡ２を模式的に示
す平面図である。
す平面図である。
【図１６】磁気ヘッド素子のサンプルＢ１を模式的に示
す平面図である。
す平面図である。
【図１７】磁気ヘッド素子のサンプルＢ２を模式的に示
す平面図である。
す平面図である。
１，２ 磁気コア半体 １ａ，１ｂ 突合せ面 ３，４ トラック幅規制溝 ５ 金属磁性膜 ６ ギャップ膜 １１ 磁気コア ２２ ガラス溝 ２３，２４ 磁気コア半体ブロック ２５ 磁気コアブロック β 開き角 θ アジマス角 ２６ ヘッドチップ
Claims (3)
- 【請求項１】 それぞれ一対の磁気コア半体がギャップ
膜を介して各々の突合せ面にて接合されて相異なるアジ
マス角をもつ磁気ギャップが形成されてなる一対の磁気
ヘッド素子を備え、 上記磁気ヘッド素子が、対向する磁気コア半体の突合せ
面幅が異なるとともに、磁気ギャップの一端部における
開き角の２等分線の法線と磁気テープとのなす角度が大
きくなるものであることを特徴とする磁気ヘッド装置。 - 【請求項２】 各磁気コア半体の突合せ面に高飽和磁束
密度をもつ金属磁性膜が成膜されてなることを特徴とす
る請求項１記載の磁気ヘッド装置。 - 【請求項３】 それぞれ一対の磁気コア半体がギャップ
膜を介して各々の突合せ面にて接合されて相異なるアジ
マス角をもつ磁気ギャップが形成されてなる一対の磁気
コアを備えてなる磁気ヘッド装置を製造するに際して、 トラック幅が交互に異なるように各トラック幅規制溝を
削設して各磁気コア半体ブロックの突合せ面を形成する
工程と、 各磁気コア半体ブロックを互いに異なるトラック幅の突
合せ面にて突き合わせ接合して磁気コアブロックを作製
する工程と、 当該磁気コアブロックに所定のアジマス角をもって切断
加工を施して各磁気コアを切り出す工程とを有すること
を特徴とする磁気ヘッド装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2514396A JPH09219008A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 磁気ヘッド装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2514396A JPH09219008A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 磁気ヘッド装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219008A true JPH09219008A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12157774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2514396A Withdrawn JPH09219008A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 磁気ヘッド装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219008A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7184362B2 (en) | 2005-05-18 | 2007-02-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Page access circuit of semiconductor memory device |
| JP2021118013A (ja) * | 2020-01-24 | 2021-08-10 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置、磁気テープカートリッジおよび磁気テープカートリッジ群 |
-
1996
- 1996-02-13 JP JP2514396A patent/JPH09219008A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7184362B2 (en) | 2005-05-18 | 2007-02-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Page access circuit of semiconductor memory device |
| US7310284B2 (en) | 2005-05-18 | 2007-12-18 | Hynix Semiconductor Inc. | Page access circuit of semiconductor memory device |
| JP2021118013A (ja) * | 2020-01-24 | 2021-08-10 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置、磁気テープカートリッジおよび磁気テープカートリッジ群 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |