JPH08153308A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH08153308A JPH08153308A JP29347094A JP29347094A JPH08153308A JP H08153308 A JPH08153308 A JP H08153308A JP 29347094 A JP29347094 A JP 29347094A JP 29347094 A JP29347094 A JP 29347094A JP H08153308 A JPH08153308 A JP H08153308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- gap
- magnetic head
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 融着時に発生するガラス部への発泡不良を低
減せしめ、磁気テープに対して良好な当たりを確保する
磁気ヘッドを提供する。 【構成】 一対の磁気コア半体の突き合わせ面間に形成
されるギャップ膜８が２層以上の膜からなる多層膜８
ａ，８ｂである磁気ヘッドの製造方法において、ギャッ
プ膜８の少なくとも最上層の膜８ｂを成膜する前にベー
キングする。
減せしめ、磁気テープに対して良好な当たりを確保する
磁気ヘッドを提供する。 【構成】 一対の磁気コア半体の突き合わせ面間に形成
されるギャップ膜８が２層以上の膜からなる多層膜８
ａ，８ｂである磁気ヘッドの製造方法において、ギャッ
プ膜８の少なくとも最上層の膜８ｂを成膜する前にベー
キングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルビデ
オテープレコーダーに用いて好適な磁気ヘッドの製造方
法に関し、特にギャップ膜の成膜方法に関する。
オテープレコーダーに用いて好適な磁気ヘッドの製造方
法に関し、特にギャップ膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の高記録密度化のために
磁気テープの保磁力が大きくなるのに伴い、磁気ヘッド
として磁気ギャップとほぼ平行となるように高飽和磁束
密度を有する磁性メタル膜がギャップ部近傍に配された
メタルインギャップヘッド（ＭＩＧヘッド）が８ｍｍビ
デオテープレコーダー（以下、８ｍｍＶＴＲという。）
等で実用化されている。
磁気テープの保磁力が大きくなるのに伴い、磁気ヘッド
として磁気ギャップとほぼ平行となるように高飽和磁束
密度を有する磁性メタル膜がギャップ部近傍に配された
メタルインギャップヘッド（ＭＩＧヘッド）が８ｍｍビ
デオテープレコーダー（以下、８ｍｍＶＴＲという。）
等で実用化されている。
【０００３】一方、民生用ディジタルビデオテープレコ
ーダーフォーマット（Digital VTRFormat）では、さら
なる高記録密度化に伴ってヘッドと磁気テープの相対速
度が８ｍｍＶＴＲの約３倍の１０．２ｍ／ｓとされてい
る。このため、ディジタルビデオテープレコーダーで
は、８ｍｍＶＴＲに比べて磁気ヘッドの磨耗が益々厳し
くなる。
ーダーフォーマット（Digital VTRFormat）では、さら
なる高記録密度化に伴ってヘッドと磁気テープの相対速
度が８ｍｍＶＴＲの約３倍の１０．２ｍ／ｓとされてい
る。このため、ディジタルビデオテープレコーダーで
は、８ｍｍＶＴＲに比べて磁気ヘッドの磨耗が益々厳し
くなる。
【０００４】磨耗に対する磁気ヘッドの長寿命化に関し
ては、ギャップデプスを大きくすることが最も簡便な方
法であることは明白である。しかし、ギャップデプスを
大きくすると、磁気ヘッドのコア効率が低下し、必要と
する電磁変換特性が得られなくなる。そのため、ギャッ
プデプスは、充分な電磁変換特性が得られる範囲で最大
の値に設定する必要がある。
ては、ギャップデプスを大きくすることが最も簡便な方
法であることは明白である。しかし、ギャップデプスを
大きくすると、磁気ヘッドのコア効率が低下し、必要と
する電磁変換特性が得られなくなる。そのため、ギャッ
プデプスは、充分な電磁変換特性が得られる範囲で最大
の値に設定する必要がある。
【０００５】このギャップデプスの高精度化には、加工
精度の向上の他に、ギャップデプスの測定精度の向上も
必要となる。融着ガラスとギャップ膜とが化学的な反応
を起こした場合、融着ガラスが曇り、ギャップデプスの
エッジ部が確認しずらくなり測定精度が悪くなる。これ
を改善するためには、ギャップ膜を２層以上の膜からな
る多層膜構造とし、最上層に融着ガラスとの反応を防止
する反応防止膜を設けることが有効である。
精度の向上の他に、ギャップデプスの測定精度の向上も
必要となる。融着ガラスとギャップ膜とが化学的な反応
を起こした場合、融着ガラスが曇り、ギャップデプスの
エッジ部が確認しずらくなり測定精度が悪くなる。これ
を改善するためには、ギャップ膜を２層以上の膜からな
る多層膜構造とし、最上層に融着ガラスとの反応を防止
する反応防止膜を設けることが有効である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反応防
止膜を設けた多層膜構造のギャップ膜では、単層ギャッ
プ膜と比較して、ギャップ膜を成膜したときに含まれる
アルゴンガスが融着ガラスに入り込む，いわゆる発泡に
よる不良が増加する。つまり、気泡が融着ガラスに入り
込むことになる。
止膜を設けた多層膜構造のギャップ膜では、単層ギャッ
プ膜と比較して、ギャップ膜を成膜したときに含まれる
アルゴンガスが融着ガラスに入り込む，いわゆる発泡に
よる不良が増加する。つまり、気泡が融着ガラスに入り
込むことになる。
【０００７】融着ガラスに入り込んだ気泡は、テープ摺
動時に磁気テープに傷を付ける等のダメージを与え、ま
た、この気泡に脱落した磁性粉が溜まることで、ヘッド
タッチが悪化する等の不都合を生じせしめる。このた
め、発泡不良は、先に述べた磁気ヘッドの長寿命化のた
めに磁気テープとの摺動幅（当たり幅）を大きくする
と、磁気ヘッドの媒体摺動面に臨む融着ガラスの割合が
大きくなり、益々無視できないことになる。
動時に磁気テープに傷を付ける等のダメージを与え、ま
た、この気泡に脱落した磁性粉が溜まることで、ヘッド
タッチが悪化する等の不都合を生じせしめる。このた
め、発泡不良は、先に述べた磁気ヘッドの長寿命化のた
めに磁気テープとの摺動幅（当たり幅）を大きくする
と、磁気ヘッドの媒体摺動面に臨む融着ガラスの割合が
大きくなり、益々無視できないことになる。
【０００８】そこで本発明は、上述の従来の有する課題
に鑑みて提案されたものであって、融着時に発生するガ
ラス部への発泡不良を低減し、磁気テープに対して良好
な当たりを確保できる磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことを目的とする。
に鑑みて提案されたものであって、融着時に発生するガ
ラス部への発泡不良を低減し、磁気テープに対して良好
な当たりを確保できる磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の磁気コ
ア半体の突き合わせ面間に形成されるギャップ膜が２層
以上の膜からなる多層膜である磁気ヘッドの製造方法で
ある。この磁気ヘッドを製造する工程のうちギャップ膜
を成膜する工程で、該ギャップ膜の少なくとも最上層の
膜を成膜する前にベーキングすることにより、融着ガラ
スへの発泡を抑制する。ベーキングは、多層膜構造とさ
れるギャップ膜の各膜を成膜した後にそれぞれ行うよう
にしてもよい。
ア半体の突き合わせ面間に形成されるギャップ膜が２層
以上の膜からなる多層膜である磁気ヘッドの製造方法で
ある。この磁気ヘッドを製造する工程のうちギャップ膜
を成膜する工程で、該ギャップ膜の少なくとも最上層の
膜を成膜する前にベーキングすることにより、融着ガラ
スへの発泡を抑制する。ベーキングは、多層膜構造とさ
れるギャップ膜の各膜を成膜した後にそれぞれ行うよう
にしてもよい。
【００１０】この製法で製造する磁気ヘッドとしては、
磁気コア半体を酸化物磁性基板と金属磁性膜とから構成
し、該金属磁性膜上にギャップ膜を成膜したＭＩＧヘッ
ドとする。
磁気コア半体を酸化物磁性基板と金属磁性膜とから構成
し、該金属磁性膜上にギャップ膜を成膜したＭＩＧヘッ
ドとする。
【００１１】ギャップ膜としては、２層以上の膜からな
る多層膜であればよい。例えば、反応防止膜とＳｉＯ2
膜の２層構造で、ＳｉＯ2 膜、反応防止膜の順に金属磁
性膜上に成膜したものが使用できる。反応防止膜として
は、Ｃｒ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 等の酸化物膜、Ｓｉ3
Ｎ4 等の窒化物膜、或いはＡｌ、Ｓｉ、Ｐｔ等の金属膜
又はそれらの合金膜が使用できる。
る多層膜であればよい。例えば、反応防止膜とＳｉＯ2
膜の２層構造で、ＳｉＯ2 膜、反応防止膜の順に金属磁
性膜上に成膜したものが使用できる。反応防止膜として
は、Ｃｒ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 等の酸化物膜、Ｓｉ3
Ｎ4 等の窒化物膜、或いはＡｌ、Ｓｉ、Ｐｔ等の金属膜
又はそれらの合金膜が使用できる。
【００１２】
【作用】本発明では、多層膜構造とされるギャップ膜を
形成するに際し、最上層の膜を成膜する前にベーキング
するので、スパッタによってギャップ膜に含まれたアル
ゴンガスがこのベーキングにより放出されることにな
る。その結果、ガラス融着時における融着ガラスへの発
泡が抑制される。
形成するに際し、最上層の膜を成膜する前にベーキング
するので、スパッタによってギャップ膜に含まれたアル
ゴンガスがこのベーキングにより放出されることにな
る。その結果、ガラス融着時における融着ガラスへの発
泡が抑制される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例を実
験結果を交えながら詳細に説明する。
験結果を交えながら詳細に説明する。
【００１４】磁気ヘッドを製造するには、先ず、図１に
示すような面方位を有する酸化物磁性基板１を用意す
る。そして、平面研削盤等を用いてこの酸化物磁性基板
１の平面出しを行う。
示すような面方位を有する酸化物磁性基板１を用意す
る。そして、平面研削盤等を用いてこの酸化物磁性基板
１の平面出しを行う。
【００１５】かかる酸化物磁性基板１としては、例えば
Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板やＮｉ−Ｚｎフェライト基
板、或いは他のフェライト材料からなる基板等が使用で
きる。また、この実施例では、同図に示すような面方位
を有する単結晶フェライト基板を用いたが、他の面方位
での単結晶基板や多結晶基板或いは単結晶フェライトと
多結晶フェライトとの接合基板を用いてもよい。
Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板やＮｉ−Ｚｎフェライト基
板、或いは他のフェライト材料からなる基板等が使用で
きる。また、この実施例では、同図に示すような面方位
を有する単結晶フェライト基板を用いたが、他の面方位
での単結晶基板や多結晶基板或いは単結晶フェライトと
多結晶フェライトとの接合基板を用いてもよい。
【００１６】次に、図２に示すように、上記酸化物磁性
基板１にコイルを巻回させる巻線溝２とガラス溝３をス
ライサー等を用いて、基板長手方向に沿って形成する。
ここでは、１つの酸化物磁性基板１で２つの磁気コア半
体ブロック基板を作成するため、これら巻線溝２とガラ
ス溝３を（１００）面に線対象形状として一対形成す
る。
基板１にコイルを巻回させる巻線溝２とガラス溝３をス
ライサー等を用いて、基板長手方向に沿って形成する。
ここでは、１つの酸化物磁性基板１で２つの磁気コア半
体ブロック基板を作成するため、これら巻線溝２とガラ
ス溝３を（１００）面に線対象形状として一対形成す
る。
【００１７】次に、図３に示すように、巻線溝２とガラ
ス溝３に対してほぼ直角な方向にトラック幅を規制する
ためのトラック幅規制溝４をスライサー等によって、所
定間隔に複数形成する。
ス溝３に対してほぼ直角な方向にトラック幅を規制する
ためのトラック幅規制溝４をスライサー等によって、所
定間隔に複数形成する。
【００１８】トラック幅規制溝４は、図４に示すよう
に、底面に行くに従って次第に開口幅が狭くなるような
断面略コ字状をなすストレート溝として形成する。
に、底面に行くに従って次第に開口幅が狭くなるような
断面略コ字状をなすストレート溝として形成する。
【００１９】次いで、この酸化物磁性基板１を図５に示
すように、一対の巻線溝２，２間で二分して、一対の磁
気コア半体ブロック基板５，６を作成する。
すように、一対の巻線溝２，２間で二分して、一対の磁
気コア半体ブロック基板５，６を作成する。
【００２０】次に、これら磁気コア半体ブロック５，６
の巻線溝２が形成された面に、図６に示すようにスパッ
タリング等によって金属磁性膜７を成膜した後、ギャッ
プ膜８を成膜した。
の巻線溝２が形成された面に、図６に示すようにスパッ
タリング等によって金属磁性膜７を成膜した後、ギャッ
プ膜８を成膜した。
【００２１】本実施例では、金属磁性膜７としてＦｅ−
Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ系合金からなる膜を用いた。この他、
金属磁性膜７には、センダスト膜、センダストにＯ又は
Ｎを加えた結晶質磁性膜、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ系合
金にＯ又はＮを加えた結晶質磁性膜、またはＦｅ系微結
晶膜、Ｃｏ系微結晶膜等が使用できる。また、基板とメ
タル膜との付着力向上のために、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5
等の酸化物膜、Ｓｉ3Ｎ4 膜をメタル膜の下地膜として
用いてもよい。本例では、図示は省略するが下地膜とし
て５ｎｍ厚のＳｉＯ2 膜を形成した。
Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ系合金からなる膜を用いた。この他、
金属磁性膜７には、センダスト膜、センダストにＯ又は
Ｎを加えた結晶質磁性膜、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ系合
金にＯ又はＮを加えた結晶質磁性膜、またはＦｅ系微結
晶膜、Ｃｏ系微結晶膜等が使用できる。また、基板とメ
タル膜との付着力向上のために、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5
等の酸化物膜、Ｓｉ3Ｎ4 膜をメタル膜の下地膜として
用いてもよい。本例では、図示は省略するが下地膜とし
て５ｎｍ厚のＳｉＯ2 膜を形成した。
【００２２】この工程において、ギャップ膜８にＳｉＯ
2 単層膜を用いたサンプルと、融着ガラスとの反応を防
止する反応防止膜として上層にＣｒ膜を設けたＣｒ／Ｓ
ｉＯ2 ２層膜を用いたサンプルを作成した。図６には、
金属磁性膜７の上にＳｉＯ2膜８ａとＣｒ膜８ｂを順次
成膜したＣｒ／ＳｉＯ2 ２層膜を図示する。
2 単層膜を用いたサンプルと、融着ガラスとの反応を防
止する反応防止膜として上層にＣｒ膜を設けたＣｒ／Ｓ
ｉＯ2 ２層膜を用いたサンプルを作成した。図６には、
金属磁性膜７の上にＳｉＯ2膜８ａとＣｒ膜８ｂを順次
成膜したＣｒ／ＳｉＯ2 ２層膜を図示する。
【００２３】次に、これら磁気コア半体ブロック基板
５，６を、図７に示すようにトラック位置合わせして圧
着しながら５００℃〜７００℃に加熱し、低融点ガラス
９にて接合する。
５，６を、図７に示すようにトラック位置合わせして圧
着しながら５００℃〜７００℃に加熱し、低融点ガラス
９にて接合する。
【００２４】そして、この接合一体化された接合ブロッ
ク１０を平面研削盤等を用いて所定の厚みにした後、図
８に示すように媒体摺動面となる面を円筒研削する。
ク１０を平面研削盤等を用いて所定の厚みにした後、図
８に示すように媒体摺動面となる面を円筒研削する。
【００２５】次いで、図９に示すように、上記巻線溝２
に巻回するコイルの巻装状態を良好なものとするため
に、この接合ブロック１０の両側面に断面コ字状をなす
巻線ガイド溝１１を形成する。そして、磁気テープに対
する当たりを確保するための当たり幅加工を施す。
に巻回するコイルの巻装状態を良好なものとするため
に、この接合ブロック１０の両側面に断面コ字状をなす
巻線ガイド溝１１を形成する。そして、磁気テープに対
する当たりを確保するための当たり幅加工を施す。
【００２６】しかる後、目的とするチップ厚、チップ長
に切断する。このとき、当たり幅加工及びチップ切断
は、目的とするアジマス角と同じ角度で行う。その結
果、アジマスを有した磁気ギャップを備えたＭＩＧヘッ
ドが得られる。
に切断する。このとき、当たり幅加工及びチップ切断
は、目的とするアジマス角と同じ角度で行う。その結
果、アジマスを有した磁気ギャップを備えたＭＩＧヘッ
ドが得られる。
【００２７】以上のようにして作製したヘッドチップの
図１０で示すデプス確認窓部１２の光の透過率を比較し
た。なお、図１０では、金属磁性膜７とギャップ膜８は
図示を省略する。
図１０で示すデプス確認窓部１２の光の透過率を比較し
た。なお、図１０では、金属磁性膜７とギャップ膜８は
図示を省略する。
【００２８】その結果、ギャップ膜にＳｉＯ2 単層膜を
用いたサンプルでは、透過率が約４０％であったのに対
して、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜を用いたサンプルでは、９
０％とＣｒ膜が融着ガラスとの反応防止に対して効果が
あることが確認できた。
用いたサンプルでは、透過率が約４０％であったのに対
して、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜を用いたサンプルでは、９
０％とＣｒ膜が融着ガラスとの反応防止に対して効果が
あることが確認できた。
【００２９】しかしながら、発泡による不良は、ギャッ
プ膜にＳｉＯ2 単層膜を用いたサンプルでは、約５％で
あったのに対して、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜を用いたサン
プルでは、その１０倍である約５０％もあった。
プ膜にＳｉＯ2 単層膜を用いたサンプルでは、約５％で
あったのに対して、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜を用いたサン
プルでは、その１０倍である約５０％もあった。
【００３０】この発泡不良対策として、Ｃｒ／ＳｉＯ2
２層膜形成後にガラス融着とほぼ同一条件でのベーキン
グを試みたが、発泡不良は約３０％と差ほど大きな効果
は得られなかった。
２層膜形成後にガラス融着とほぼ同一条件でのベーキン
グを試みたが、発泡不良は約３０％と差ほど大きな効果
は得られなかった。
【００３１】この発泡の原因を調べるため、図１１に示
す如き長方形状をなすダミー基板１３の上にＳｉＯ2 単
層膜、Ｃｒ単層膜、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜等の膜１４を
ギャップ膜と同一条件で成膜し、昇温脱離ガス分析装置
を用いてそれぞれのサンプルの脱離ガスの分析を行っ
た。
す如き長方形状をなすダミー基板１３の上にＳｉＯ2 単
層膜、Ｃｒ単層膜、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜等の膜１４を
ギャップ膜と同一条件で成膜し、昇温脱離ガス分析装置
を用いてそれぞれのサンプルの脱離ガスの分析を行っ
た。
【００３２】ＳｉＯ2 単層膜の場合、スパッタ中に取り
込まれたアルゴンガスが、図１２に示すように、昇温の
過程でのみ検出された。しかしながら、他のサンプルに
おいてもＳｉＯ2 単層膜と同様の結果となり、Ｃｒ／Ｓ
ｉＯ2 ２層膜の場合における発泡不良が多くなる原因の
究明に至らなかった。
込まれたアルゴンガスが、図１２に示すように、昇温の
過程でのみ検出された。しかしながら、他のサンプルに
おいてもＳｉＯ2 単層膜と同様の結果となり、Ｃｒ／Ｓ
ｉＯ2 ２層膜の場合における発泡不良が多くなる原因の
究明に至らなかった。
【００３３】そこで、各々のサンプルの上に棒状をなす
融着ガラス１５を置き、同様のガス分析を行った。その
結果、ＳｉＯ2 単層膜とＣｒ単層膜では、融着ガラス１
５を置かない場合と同様に昇温の過程でのみアルゴンガ
スが検出されたのに対し、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜では、
図１３に示すように昇温が終了し一定温度に保持する過
程でも断続的にアルゴンガスが検出された。
融着ガラス１５を置き、同様のガス分析を行った。その
結果、ＳｉＯ2 単層膜とＣｒ単層膜では、融着ガラス１
５を置かない場合と同様に昇温の過程でのみアルゴンガ
スが検出されたのに対し、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜では、
図１３に示すように昇温が終了し一定温度に保持する過
程でも断続的にアルゴンガスが検出された。
【００３４】これは、単層膜では昇温過程の融着ガラス
が溶ける前に、アルゴンガスが放出するために発泡が少
ないのに対し、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜では融着ガラスが
溶けてからＣｒ膜と融着ガラスとの僅かの反応によって
発生したピンホール等から下層のＳｉＯ2 膜中からアル
ゴンガスが放出され発泡が起こると推測される。
が溶ける前に、アルゴンガスが放出するために発泡が少
ないのに対し、Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜では融着ガラスが
溶けてからＣｒ膜と融着ガラスとの僅かの反応によって
発生したピンホール等から下層のＳｉＯ2 膜中からアル
ゴンガスが放出され発泡が起こると推測される。
【００３５】以上の結果を考慮して、下層のＳｉＯ2 膜
を成膜した後、ガラス融着とほぼ同一条件（５００℃〜
７００℃）でベーキングを行った後に、反応防止膜とし
てＣｒ膜を成膜したサンプルを作製したところ、Ｃｒ膜
形成後にベーキングを行わなくても発泡不良を１０％以
下に抑えることができた。
を成膜した後、ガラス融着とほぼ同一条件（５００℃〜
７００℃）でベーキングを行った後に、反応防止膜とし
てＣｒ膜を成膜したサンプルを作製したところ、Ｃｒ膜
形成後にベーキングを行わなくても発泡不良を１０％以
下に抑えることができた。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の方法によれば、２層以上の多層膜構造とされるギャ
ップ膜のうち最上層の膜を形成する前にガス抜きのため
のベーキングを行うため、ガラス融着前にスパッタによ
ってギャップ膜に含まれたアルゴンガスがベーキングに
より放出せしめられることになり、その後のガラス融着
時にガラス部に気泡として現れることがなくなり、発泡
不良を抑制できる。
明の方法によれば、２層以上の多層膜構造とされるギャ
ップ膜のうち最上層の膜を形成する前にガス抜きのため
のベーキングを行うため、ガラス融着前にスパッタによ
ってギャップ膜に含まれたアルゴンガスがベーキングに
より放出せしめられることになり、その後のガラス融着
時にガラス部に気泡として現れることがなくなり、発泡
不良を抑制できる。
【００３７】従って、媒体摺動面に出る融着ガラスに発
泡箇所が少なくなることから、磁気テープに傷を付ける
等のダメージを与えることもなく、また、脱落した磁性
粉が気泡の中に溜まることによって、ヘドタッチが悪化
する等の不都合を回避することができ、ヘッド寿命を延
ばすことができる。
泡箇所が少なくなることから、磁気テープに傷を付ける
等のダメージを与えることもなく、また、脱落した磁性
粉が気泡の中に溜まることによって、ヘドタッチが悪化
する等の不都合を回避することができ、ヘッド寿命を延
ばすことができる。
【図１】酸化物磁性基板の平面出し工程を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】巻線溝及びガラス溝加工工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】トラック幅規制溝加工工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】トラック幅規制溝を拡大して示す要部拡大斜視
図である。
図である。
【図５】酸化物磁性基板の切断加工工程を示す斜視図で
ある。
ある。
【図６】金属磁性膜及びギャップ膜成膜工程を示す要部
拡大斜視図である。
拡大斜視図である。
【図７】基板接合工程を示す斜視図である。
【図８】円筒研削工程を示す斜視図である。
【図９】チップ切断工程を示す斜視図である。
【図１０】磁気ギャップ部分を拡大して示す要部拡大断
面図である。
面図である。
【図１１】脱離ガスの分析に用いたダミー基板を示す斜
視図である。
視図である。
【図１２】ＳｉＯ2 単層膜の場合におけるギャップ膜中
に含まれるアルゴンガスの分布状態を示す特性図であ
る。
に含まれるアルゴンガスの分布状態を示す特性図であ
る。
【図１３】Ｃｒ／ＳｉＯ2 ２層膜の場合におけるギャッ
プ膜中に含まれるアルゴンガスの分布状態を示す特性図
である。
プ膜中に含まれるアルゴンガスの分布状態を示す特性図
である。
１ 酸化物磁性基板 ２ 巻線溝 ４ トラック幅規制溝 ７ 金属磁性膜 ８ ギャップ膜 ８ａ ＳｉＯ2 膜 ８ｂ Ｃｒ膜 ９ 融着ガラス
フロントページの続き (72)発明者 香坂 昌哉 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の磁気コア半体の突き合わせ面間に
形成されるギャップ膜が２層以上の膜からなる多層膜で
ある磁気ヘッドの製造方法において、 ギャップ膜の少なくとも最上層の膜を成膜する前にベー
キングすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 磁気コア半体が酸化物磁性基板と金属磁
性膜からなり、この金属磁性膜上にギャップ膜が成膜さ
れていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項３】 ギャップ膜が反応防止膜とＳｉＯ2 膜か
らなり、ＳｉＯ2 膜、反応防止膜の順に金属磁性膜上に
成膜されていることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29347094A JPH08153308A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29347094A JPH08153308A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153308A true JPH08153308A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17795170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29347094A Withdrawn JPH08153308A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153308A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6822828B2 (en) * | 2000-07-31 | 2004-11-23 | Sony Corporation | Magnetic head |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP29347094A patent/JPH08153308A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6822828B2 (en) * | 2000-07-31 | 2004-11-23 | Sony Corporation | Magnetic head |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0654527B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0656647B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0554167B2 (ja) | ||
| JPH08153308A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6214313A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH08329409A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2556479B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP3496302B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置 | |
| JPH08255310A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH09219008A (ja) | 磁気ヘッド装置及びその製造方法 | |
| JPH0721510A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH06349017A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH11185213A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH08161709A (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置 | |
| JPS63224011A (ja) | 複合磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH06338022A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0476168B2 (ja) | ||
| JPH07326017A (ja) | 磁気ヘッド並びにその製造方法及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPH10222811A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH07220216A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05151512A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH07110914A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH11175908A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH10154306A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0757210A (ja) | 磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020205 |