JPH05151512A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

磁気ヘツドの製造方法

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JPH05151512A
JPH05151512A JP31491091A JP31491091A JPH05151512A JP H05151512 A JPH05151512 A JP H05151512A JP 31491091 A JP31491091 A JP 31491091A JP 31491091 A JP31491091 A JP 31491091A JP H05151512 A JPH05151512 A JP H05151512A
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JP
Japan
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thin film
sputtering
metal thin
magnetic
ferromagnetic metal
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JP31491091A
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English (en)
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Shigeru Sugano
茂 菅野
Hideaki Kojima
秀明 小島
Nobuyuki Oikawa
信幸 及川
Shigemi Chiba
茂実 千葉
Masaya Kosaka
昌哉 香坂
Tomio Kobayashi
富夫 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 安定した信頼性の高い磁気ヘッドを歩留りよ
く得るものである。 【構成】 強磁性金属薄膜5をスパッタ停止区間を設け
た断続的直流スパッタによって形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性金属薄膜が用いら
れて成る磁気ヘッドの製造方法に係わる。
【0002】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い、高保磁力の
磁気記録媒体が用いられる。本出願人は、この高保磁力
を有する磁気記録媒体に対する高密度記録に適した磁気
ヘッドの提案を特開昭60−229210号において提
案した。
【0003】この磁気ヘッドは、図1に示すように、メ
タル・イン・ギャップ型構成を採り、一対の磁気コア半
体21及び22を高透磁率Mn−Znフェライト等の強
磁性酸化物により形成すると共に、これら磁気コア半体
21及び22の衝き合わせ面を斜めに切欠き、この斜面
3上にセンダスト等の飽和磁束密度の高い強磁性金属薄
膜5を被着し、これら強磁性金属薄膜5の端面を当接さ
せることにより両者間に磁気ギャップgを形成する。そ
して、この磁気ギャップgの例えば両端に第1及び第2
のトラック幅規制溝2及び7が切込まれ、これら溝2及
び7内に磁気記録媒体との摺接面を確保し強磁性金属薄
膜5の摩耗を防止するため等のガラス融着材6を充填し
て構成されるものであって、この場合信頼性や、磁気特
性、耐摩耗性等の点で優れた特性を有するものである。
【0004】この種の磁気ヘッドの製造方法としては、
例えば同様に本出願人によって提案した特開昭61−1
05710号公報に開示されている方法がある。
【0005】この方法を図6A〜C、図7A〜Cに示し
た各工程における要部の拡大斜視図を参照して説明す
る。この場合、まず表面をラップ処理等によって平行度
よくかつ平滑度よく加工された例えばMn−Znフェラ
イトよりなる強磁性酸化物基板1による少なくとも対の
コアブロック15,16を用意する。
【0006】そして、図6Aに示すように、この強磁性
酸化物基板1の磁気ギャップ形成面に対応する主面1a
に、第1のトラック幅規制溝2を複数本平行に切り込み
形成する。
【0007】これら、第1の溝2は断面ほぼ直角三角形
としてその1側面を斜面3とする。この斜面3の基板1
の主面1aに対し角度θで傾斜する斜面3とする。この
斜面3の角度θは20°〜80°例えば40°とする。
【0008】次いで、図6Bに示すように、強磁性酸化
物基板1の斜面3に厚さ例えば20〜30μmの強磁性
金属薄膜5を例えばセンダストスパッタにより被着形成
する。
【0009】そして、図6Cに示すように、強磁性酸化
物基板1の強磁性金属薄膜5によって覆われた第1のト
ラック幅規制溝2内にガラス融着材6を充填し、基板1
の主面1a上の強磁性金属薄膜5を平面研磨して除去す
る。
【0010】さらに、図7Aに示すように、強磁性金属
薄膜5を被着した斜面3と隣接し、第1のトラック幅規
制溝2と平行に、同様に第2のトラック幅規制溝7を形
成する。このときの第2のトラック幅規制溝7の切削位
置は、この溝7が斜面3上に形成される強磁性金属薄膜
5の、基板1の主面1aと同一面とされた端面5aとほ
ぼ一致するように設定されている。次いで、主面1aを
平行研磨し、さらに鏡面仕上げを行い、主面1aすなわ
ち磁気ギャップ形成面に、第1及び第2のトラック幅規
制溝2及び7によって主面1aに臨む強磁性金属薄膜5
の端面5aによるトラック幅Twの矯正を行う。
【0011】そして、図7Bに示すように、例えば一方
のブロック16に対し、トラック幅規制溝2及び7に直
交して巻線溝11を形成する。
【0012】次に、図7Cに示すようにコアブロック1
5及び16を互いに第1のトラック幅規制溝2が、互い
に他のコアブロック16及び15の第2のトラック幅規
制溝7と対向するように合体する。この場合、例えばコ
アブロック15,16のいずれか一方の面1aに、Si
2 等の所要の厚さに膜付けされたギャップスペーサを
介して、それぞれ強磁性金属薄膜5の端面5aが一致す
るように重ね合わせ、両者間に磁気ギャップgを形成す
る。そして、この場合、第2の巻線溝7内にもガラス融
着材を充填して対のブロック15及び16を融着合体す
る。
【0013】このようにしてコアブロック15及び16
が合体された合体ブロックを、図8C中a−a線、及び
1 −a1 線の位置でスライシングして図1に示す磁気
ヘッドチップを複数個切り出した後、あるいは図7Cで
示した合体ブロックの状態でその磁気ギャップgが臨む
前方面を円筒研磨して巻線溝11とその研磨面との間に
おいて磁気ギャップgのギャップテプスを所定の値に設
定する。
【0014】このような構成による磁気ヘッドは、磁気
ギャップgの形成部がセンダスト等の高飽和磁束密度B
sを有する強磁性金属薄膜5によって形成されることか
ら高密度記録再生を行うことができる磁気ヘッドが構成
される。
【0015】さらにまたこのような構成による磁気ヘッ
ドは、その強磁性金属薄膜5が傾いて形成されることか
ら、磁気記録媒体との対接面に臨んで形成される強磁性
金属薄膜5とフェライト等よりなるコア部との間に発生
する擬似ギャップが、本来の磁気ギャップgとは互いに
非平行に形成することができて、この擬似ギャップにお
けるアジマス損が大となり、この擬似ギャップによる実
質的影響を小さくできるというものである。
【0016】このように磁気ギャップgの形成部が強磁
性金属薄膜5によって構成され、この強磁性金属薄膜の
膜面が磁気ギャップgのトラック幅方向に対し非平行を
なすいわゆるTSS型の磁気ヘッドによる場合高密度記
録に好適であるが、その製造において比較的不良品の発
生率が高く、歩留りが低いという問題がある。
【0017】本発明者等は、これに対して種々の研究考
察を行った結果、その歩留り低下の発生が図6Bで説明
した第1のトラック幅規制溝2の斜面3に対する強磁性
金属薄膜5の形成に当たってのスパッタに問題があるこ
とを究明した。
【0018】すなわち、この強磁性金属薄膜5として例
えばセンダストを直流スパッタリングによって、斜面3
上に20〜30μmに及ぶ厚さに形成すると、このスパ
ッタ膜にひび割れが発生し、これがその発生場所によっ
てあるいは発生態様によって磁気ヘッドの記録再生特性
を低下させるとか所定の磁気ギャップ形成を阻害する等
の原因となっていることを究明した。
【0019】更に、また上述のTSS型磁気ヘッドに限
られず図2で示すように、それぞれ磁性或いは非磁性基
板31及び32間に強磁性金属薄膜5を挾み込んだサン
ドウィッチ型の磁気ヘッド、或いは図3で示すように、
トラック幅規制溝2,7内を含んで両コア半体21及び
22の互いの衝き合せ面に強磁性金属薄膜5を被着形成
したメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッド等において
も、スパッタによる強磁性金属薄膜5の膜質に問題が生
じる場合がある。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した強
磁性金属薄膜を有して成る磁気ヘッドにおいて、その強
磁性金属薄膜の被着を良好な膜質として形成することが
できるようにして歩留りの向上と特性の安定化及び信頼
性の向上をはかる。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明は、強磁性金属薄
膜を直流スパッタリング法により形成する磁気ヘッドの
製造方法において、強磁性金属薄膜の形成途中に、スパ
ッタ停止区間を設けた断続的直流スパッタによりこの強
磁性金属薄膜を形成する。
【0022】また、本発明は、例えば図1に本発明方法
によって得ようとする磁気ヘッドの一例の拡大斜視図を
示すように、磁気ギャップgのトラック幅規制溝(第1
のトラック幅規制溝)2に斜面3が設けられ、この斜面
3に強磁性金属薄膜5が被着され、トラック幅規制溝2
内にガラス融着材6が充填されてなる対の磁気コア半体
21及び22が、強磁性金属薄膜5の端面5aを衝き合
わせて接合合体され、強磁性金属薄膜5の衝き合わせ端
面5a間に磁気ギャップgが形成された磁気ヘッドの製
造に当たって、対の磁気コア半体21及び22を構成す
る対の磁気コアブロックに形成したトラック幅規制溝2
の斜面3に強磁性金属薄膜5を、スパッタ停止区間を設
けた断続的直流スパッタによって形成する。
【0023】
【作用】上述したように強磁性金属薄膜5のスパッタを
直流スパッタによって行う場合、高周波(交流)スパッ
タによって形成する場合に比して、その成膜時間の短縮
化等をはかることができるものであるが、特に本発明に
おいてはこの直流スパッタによるにも拘らず、このスパ
ッタ処理に際してスパッタ停止区間を設けつつ行うよう
にしたことによって上述したひびの発生が効果的に回避
された磁気ヘッドを得ることができた。
【0024】また、上述した本発明によれば、その強磁
性金属薄膜の直流スパッタ工程において、スパッタ停止
区間を設けて断続的に行うことによって、そのスパッタ
のパワーを大として、そのスパッタリングのためのスパ
ッタ材のターゲットを破損させるなどの発熱による破
損、亀裂等の発生を回避でき、安定した所望量のスパッ
タを行うことができる。
【0025】
【実施例】本発明による磁気ヘッドの製造方法は、例え
ば前述した図1に示した特にTSS型磁気ヘッドに適用
するものであり、その製造方法は図6及び図7で説明し
たと同様の工程を採り得るので重複説明を省略するもの
であるが、本発明においてはこのようなTSS型磁気ヘ
ッドの製造に当たって、図6Bで説明した厚さが例えば
20〜30μmの強磁性金属薄膜5のスパッタリングに
おいて特殊の方法を採るものである。
【0026】すなわち、本発明においては、例えば図1
に示した対の磁気コア半体21及び22を構成する図6
Aで説明した対のコアブロック15及び16に形成した
第1のトラック幅規制溝2の斜面3に、強磁性金属薄膜
5例えばセンダストを、スパッタ停止区間を設けた断続
的直流スパッタによって形成する。
【0027】すなわち、この直流スパッタは、所定の期
間τ1 において直流スパッタをなし、その後の所定区間
τ2 においてスパッタ停止、すなわち電圧供給を停止す
る。
【0028】このようなスパッタ区間τ1 とスパッタ停
止区間τ2 を繰り返し行う。このようにすることによっ
て図4に実線曲線をもってその温度プログラムを示すよ
うに、断続的に温度の上昇、低下が繰り返されてそのス
パッタがなされる。図4において破線図示は通常の連続
直流スパッタによる場合の温度プログラムを示すもの
で、この場合は所要の高い温度TH で一定に保持されて
そのスパッタが行われるものである。
【0029】この場合、斜面3の傾きは、図6A及び図
5に示すように、基板1の主面1aに対する角度θが2
0〜80°例えば40°に選定されるとき、図5中実線
図示のように、スパッタの主たる方向0−0に対しその
板面が90°より角α=9°〜11°傾くように配置す
る。
【0030】尚、角度αの選定は、実際問題としてスパ
ッタ容器内でのあるいはスパッタ容器内外への搬送等を
考慮するときα≦10°が実用的である。
【0031】実施例1 図5に示すように、トラック幅規制溝2の斜面3が、θ
=40°としたコアブロック15,16を構成する基板
1に、α=10°として真空度2×10-3mb下で3.
9kWをもって直流スパッタを、スパッタリング期間τ
1 が8分間、停止区間τ2 を30分として繰返し19回
のスパッタを行った。この場合、スパッタのターゲット
は、厚さt=2mmのセンダストターゲットを用い厚さ
30μmの強磁性金属薄膜5を形成した。
【0032】このようにして得た本発明による磁気ヘッ
ドは、1つの合体ブロックから例えば340個のヘッド
チップを切出すとき、ひびの発生による不良品の発生は
ほとんど生じなかった。
【0033】因みに、通常の連続直流スパッタによって
形成した場合、100〜6800本のひび割れの発生が
生じた。
【0034】実施例2 厚さ0.8mm幅2.8mmの長方形のフォトセラム
(商品名)基板に厚さt=2mmのセンダストターゲッ
トを用いて膜厚5μmのセンダストスパッタをスパッタ
リング期間τ1 /停止区間τ2 を10分/10分として
直流断続スパッタで行った。この場合の6インチ径円形
ターゲット1枚に印加するパワーを2.4kW、3.3
kW、3.9kWとした各例におけるフォトセラムのそ
りを15mmの長さに亘って測定した結果を、各透磁率
保磁力と共に表1に示す。
【0035】
【表1】
【0036】表1において比較例は、実施例2における
と同様の基板に、同様のターゲットを用いて交流の高周
波スパッタを行なった場合である。これによれば、透磁
率の向上もみられる。
【0037】そして、上述したように本発明において、
断続的直流スパッタを行った場合、通常の連続スパッタ
においては3.9kWでは過負荷状態となってターゲッ
トにひびが発生してスパッタ不能となるものであるが、
この方法による場合には充分高いパワーによるスパッタ
を行うことができる。
【0038】上述の本発明方法による場合、そのひび割
れの発生が生じないようになる理由については、次のよ
うに考えられる。即ち、高パワーは、結晶膜形成時の緻
密さを向上させ、いわゆる結晶欠陥を低減し、また結晶
粒径も比較的大きく、粒界面積を低減した構造をもたら
すものである。そのことによって、膜応力がひびの発生
しにくい状態とすることができ、更にその膜特性が向上
することによって透磁率の向上、また低い保磁力がはか
られ磁気ヘッドとして優れた特性を有する強磁性金属薄
膜を構成できるものである。
【0039】また、本発明を適用するTSS型の磁気ヘ
ッドとしては、図示の例に限らず種々の変形変更をなし
得るものであることは明らかで、斜面に対する強磁性薄
膜の被着を行う各種TSS型磁気ヘッドに適用し得るも
のである。
【0040】また、本発明はTSS型磁気ヘッドの製造
に限らず、図2で説明したサンドウィッチ型の磁性ヘッ
ド、或いは図3で説明した磁気ギャップに傾きがないな
ど各種メタル・イン・ギャップ磁気ヘッドなど強磁性金
属薄膜5が用いられる磁気ヘッドの製造に適用すること
ができる。尚、図2及び図3において図1と対応する部
分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0041】いずれの場合においても、直流スパッタに
よる高速膜形成により、強磁性金属磁性薄膜の緻密化を
はかり、かつ停止区間τ2 のいわば冷却過程で膜中のス
トレスの開放を促し、結果として透磁率の飛躍的向上を
もたらすことができる。
【0042】したがって種々のタイプの磁気ヘッドにお
いて出力の向上をはかることができる。例えば図2で示
したサンドウィッチ型磁気ヘッドに本発明を適用した場
合、パワー3.9kW、τ1 /τ2 を10分/10分と
して強磁性金属膜5の成膜を行ったものにおいて、約3
dBの出力向上を達成できた。
【0043】また、例えば図2に示すヘッドにおいて、
その強磁性金属薄膜5は、単層構造の場合に限られるも
のではなく、例えば5〜10μmの厚さ、強磁性金属薄
膜を1000〜2000Å程度のSiO2 等の絶縁層を
介して多層、例えば3層に順次スパッタをもって積層す
る場合において各強磁性金属薄膜のスパッタにおいて、
本発明による断続的スパッタ工程を採る。
【0044】尚、強磁性金属薄膜5としては、センダス
トに限らず、Fe−Si−Ru−Ga系、Fe−Si−
Al−O系、Fe−Si−Al−N系、Fe−Si−R
u−Ga−O系等の各種結晶膜タイプ合金を用いる場合
にも本発明方法を適用できる。
【発明の効果】上述したように本発明によれば、強磁性
金属薄膜5を形成する工程を有する磁気ヘッドの製造方
法において、強磁性薄膜にひびの発生を効果的に回避す
ることができ、これによって歩留りの向上、特性の安定
かつ信頼性の向上をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による磁気ヘッドの製造方法を適用する
磁気ヘッドの一例の略線的拡大斜視図である。
【図2】本発明による磁気ヘッドの製造方法を適用する
磁気ヘッドの他の一例の略線的拡大斜視図である。
【図3】本発明による磁気ヘッドの製造方法を適用する
磁気ヘッドの更に他の一例の略線的拡大斜視図である。
【図4】本発明方法の説明に供する直流スパッタの温度
プログラミング図である。
【図5】本発明方法のスパッタリング作業の説明図であ
る。
【図6】本発明製造方法を適用する磁気ヘッドの製造方
法の一例の工程図(その1)である。
【図7】本発明製造方法を適用する磁気ヘッドの製造方
法の一例の工程図(その2)である。
【符号の説明】
1 基板 2 第1のトラック幅規制溝 3 斜面 5 強磁性金属薄膜 6 ガラス融着材 7 第2のトラック幅規制溝 g 磁気ギャップ 15 コアブロック 16 コアブロック 21 磁気コア半体 22 磁気コア半体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 及川 信幸 宮城県登米郡中田町宝江新井田字加賀野境 30番地ソニー・プレシジヨン・マグネ株式 会社内 (72)発明者 千葉 茂実 宮城県登米郡中田町宝江新井田字加賀野境 30番地ソニー・プレシジヨン・マグネ株式 会社内 (72)発明者 香坂 昌哉 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 小林 富夫 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 強磁性金属薄膜を直流スパッタリング法
    により形成する磁気ヘッドの製造方法において、 上記強磁性金属薄膜の形成途中に、スパッタ停止区間を
    設けた断続的直流スパッタにより上記強磁性金属薄膜を
    形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項2】 磁気ギャップのトラック幅規制溝に斜面
    が設けられ、該斜面に強磁性金属薄膜が被着され、上記
    トラック幅規制溝内にガラス融着材が充填されてなる対
    の磁気コア半体が、上記強磁性金属薄膜の端面を衝き合
    わせて接合合体され、該強磁性金属薄膜の衝き合わせ端
    面間に磁気ギャップが形成された磁気ヘッドの製造に当
    たって、 上記対の磁気コア半体を構成する対の磁気コアブロック
    に形成した上記トラック幅規制溝の斜面に、上記強磁性
    金属薄膜を、スパッタ停止区間を設けた断続的直流スパ
    ッタによって形成することを特徴とする磁気ヘッドの製
    造方法。
JP31491091A 1991-11-28 1991-11-28 磁気ヘツドの製造方法 Pending JPH05151512A (ja)

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