JP2723294B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JP2723294B2 JP2723294B2 JP1121332A JP12133289A JP2723294B2 JP 2723294 B2 JP2723294 B2 JP 2723294B2 JP 1121332 A JP1121332 A JP 1121332A JP 12133289 A JP12133289 A JP 12133289A JP 2723294 B2 JP2723294 B2 JP 2723294B2
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- magnetic
- glass
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気ヘッドに関し、詳しくはコイルを巻装し
た磁気コアを磁気記録媒体に対して摺動接触させて情報
の磁気記録又は再生を行なう誘導型の磁気ヘッドに関す
るものである。
た磁気コアを磁気記録媒体に対して摺動接触させて情報
の磁気記録又は再生を行なう誘導型の磁気ヘッドに関す
るものである。
［従来の技術］ この種の磁気ヘッドでビデオテープレコーダ、デジタ
ルオーディオテープレコーダ或いは高容量のフロッピー
ディスクドライブ装置等に用いられる磁気ヘッドでは、
高抗磁力媒体に対する記録を可能にするため、磁気コア
に高い飽和磁束密度が必要である。又磁気記録媒体の面
内の記録密度を向上させるためにできるだけ狭トラック
化が要求されている。更に磁気コアの磁束を外部に出す
磁気ギャップのギャップ長も極めて狭くする必要があ
る。
ルオーディオテープレコーダ或いは高容量のフロッピー
ディスクドライブ装置等に用いられる磁気ヘッドでは、
高抗磁力媒体に対する記録を可能にするため、磁気コア
に高い飽和磁束密度が必要である。又磁気記録媒体の面
内の記録密度を向上させるためにできるだけ狭トラック
化が要求されている。更に磁気コアの磁束を外部に出す
磁気ギャップのギャップ長も極めて狭くする必要があ
る。
このような磁気ヘッドで磁気コアの高飽和磁束密度化
を実現するため、最近では磁気コアの磁路全体がフェラ
イトから成る従来のフェライトヘッドに代ってフェライ
トから成る磁気コア半体の磁気ギャップ材を介し突き合
わされる突き合わせ面にセンダストやアモルファス合金
等の高飽和磁束密度の金属磁性薄膜をスパッタリング、
蒸着、イオンプレーティング等の真空薄膜形成技術によ
り成膜した複合ヘッド、いわゆるメタルインギャップヘ
ッドが主流となっている。
を実現するため、最近では磁気コアの磁路全体がフェラ
イトから成る従来のフェライトヘッドに代ってフェライ
トから成る磁気コア半体の磁気ギャップ材を介し突き合
わされる突き合わせ面にセンダストやアモルファス合金
等の高飽和磁束密度の金属磁性薄膜をスパッタリング、
蒸着、イオンプレーティング等の真空薄膜形成技術によ
り成膜した複合ヘッド、いわゆるメタルインギャップヘ
ッドが主流となっている。
このようなメタルインギャップヘッドの磁気ギャップ
材としては従来ではSiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、Cr、Ti
C、あるいはTa2O5等が用いられている。
材としては従来ではSiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、Cr、Ti
C、あるいはTa2O5等が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上記のような従来のメタルインギャップ
ヘッドでは磁気ギャップ材に関して以下のような問題が
あった。
ヘッドでは磁気ギャップ材に関して以下のような問題が
あった。
即ちまず磁気ギャップ材の種類によっては、磁気コア
半体同志をガラス溶着するための溶着ガラスに対する濡
れ性が悪いため、ヘッドの製造工程で磁気コア半体ブロ
ック同志のガラス溶着による接合工程でブロック間の隙
間に溶着ガラスが入り込みにくくなり、問題となる。
半体同志をガラス溶着するための溶着ガラスに対する濡
れ性が悪いため、ヘッドの製造工程で磁気コア半体ブロ
ック同志のガラス溶着による接合工程でブロック間の隙
間に溶着ガラスが入り込みにくくなり、問題となる。
ここで下記の第１表に従来の磁気ギャップ材のそれぞ
れについて行なったガラスに対する濡れ性試験の結果が
示してある。
れについて行なったガラスに対する濡れ性試験の結果が
示してある。
この第１表には各磁気ギャップ材と溶着ガラス（PbO
−SiO2−Bi2O3−B2O3系）との濡れ性を接触角θで示し
てある。接触角θが小さい程濡れ性は良いことになる。
なお接触角θの測定は第７図に示すようにして行なっ
た。即ち基板のフェライト22上に高飽和磁束密度の金属
磁性薄膜であるセンダスト薄膜21を５μｍの膜厚で成膜
した上に、上記の各磁気ギャップ材の薄膜を膜厚800Å
で成膜し、その上に一定重量の溶着ガラス５を載せて57
0℃で40分加熱して溶融させた後、接触角計で磁気ギャ
ップ材の薄膜20に対する溶着ガラス５の接触角θを測定
した。なおこの場合薄膜20は１層であるが、後述する本
発明の実施例に関わる試験では符合20a,20bのように２
層成膜する。ちなみにフェライトに対する溶着ガラスの
接触角は32゜であり、センダストに対する接触角は62゜
である。上記の第１表から明らかなようにCr、TiO2以外
の磁気ギャップ材は溶着ガラスに対する濡れ性が良くな
い。
−SiO2−Bi2O3−B2O3系）との濡れ性を接触角θで示し
てある。接触角θが小さい程濡れ性は良いことになる。
なお接触角θの測定は第７図に示すようにして行なっ
た。即ち基板のフェライト22上に高飽和磁束密度の金属
磁性薄膜であるセンダスト薄膜21を５μｍの膜厚で成膜
した上に、上記の各磁気ギャップ材の薄膜を膜厚800Å
で成膜し、その上に一定重量の溶着ガラス５を載せて57
0℃で40分加熱して溶融させた後、接触角計で磁気ギャ
ップ材の薄膜20に対する溶着ガラス５の接触角θを測定
した。なおこの場合薄膜20は１層であるが、後述する本
発明の実施例に関わる試験では符合20a,20bのように２
層成膜する。ちなみにフェライトに対する溶着ガラスの
接触角は32゜であり、センダストに対する接触角は62゜
である。上記の第１表から明らかなようにCr、TiO2以外
の磁気ギャップ材は溶着ガラスに対する濡れ性が良くな
い。
次に磁気ギャップ材の耐摩耗性が問題である。即ちま
ずCr、Al2O3、TiC、ZrO2は硬度が大で耐摩耗性が高過ぎ
るため、これらを用いると磁気コアの磁気ギャップ部に
出っ張りを生じ、スペーシングロスが発生してしまい、
磁気ギャップ材としては適さない。
ずCr、Al2O3、TiC、ZrO2は硬度が大で耐摩耗性が高過ぎ
るため、これらを用いると磁気コアの磁気ギャップ部に
出っ張りを生じ、スペーシングロスが発生してしまい、
磁気ギャップ材としては適さない。
又TiO2は逆に柔らか過ぎてこれを用いると磁気ギャッ
プ部に窪みを生じ、この窪みに磁気コアの金属磁性薄膜
材料が塑性変形して、いわゆるギャップかぶりが生じ、
実効ギャップ長が小さくなる不都合がある。
プ部に窪みを生じ、この窪みに磁気コアの金属磁性薄膜
材料が塑性変形して、いわゆるギャップかぶりが生じ、
実効ギャップ長が小さくなる不都合がある。
なおSiO2、Ta2O5は上記の両者の中間にあたり、上記
の出っ張りも窪みも生じず、耐摩耗性に関しては磁気ギ
ャップ材に適している。
の出っ張りも窪みも生じず、耐摩耗性に関しては磁気ギ
ャップ材に適している。
更に他の問題として磁気コア半体の突き合わせ面に成
膜される金属磁性薄膜と溶着ガラスとが反応して反応層
が生じる結果、溶着ガラスと金属磁性薄膜との接合強度
が弱くなり、磁気コアの機械的強度が弱くなってしまう
とともに、外観上も好ましくなくなるという問題があ
る。これに対して上記の磁気ギャップ材では上記の反応
層の発生を防止する効果は低い。
膜される金属磁性薄膜と溶着ガラスとが反応して反応層
が生じる結果、溶着ガラスと金属磁性薄膜との接合強度
が弱くなり、磁気コアの機械的強度が弱くなってしまう
とともに、外観上も好ましくなくなるという問題があ
る。これに対して上記の磁気ギャップ材では上記の反応
層の発生を防止する効果は低い。
但しCrは反応層の発生の防止効果が高い。しかしCrで
は、金属磁性薄膜の材料と光学顕微鏡の下でほぼ同色に
見えるため、ヘッドの製造工程で光学顕微鏡によるギャ
ップ長の検査が困難となり、その分コストがかかってし
まう。
は、金属磁性薄膜の材料と光学顕微鏡の下でほぼ同色に
見えるため、ヘッドの製造工程で光学顕微鏡によるギャ
ップ長の検査が困難となり、その分コストがかかってし
まう。
このように従来用いられている磁気ギャップ材では上
述した問題点を全てクリアするものがない。
述した問題点を全てクリアするものがない。
そこで本発明の課題は上記のメタルインギャップヘッ
ドにおいて上述のような磁気ギャップ材にかかわる問題
を解決できるようにすることにある。
ドにおいて上述のような磁気ギャップ材にかかわる問題
を解決できるようにすることにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明においては上述した課題を解決するために、互
いの突き合わせ面に金属磁性薄膜を成膜した一対の磁気
コア半体を磁気ギャップ材を介し突き合わせガラス溶着
により接合して構成された磁気コアを有する磁気ヘッド
において、前記金属磁性薄膜上に先ずSiO2薄膜が成膜さ
れ、その上にCr2O3薄膜が積層して成膜され、このSiO2
薄膜とCr2O3薄膜が磁気ギャップ材とされ、Cr2O3薄膜が
前記溶着用のガラスに接触する構造を採用した。
いの突き合わせ面に金属磁性薄膜を成膜した一対の磁気
コア半体を磁気ギャップ材を介し突き合わせガラス溶着
により接合して構成された磁気コアを有する磁気ヘッド
において、前記金属磁性薄膜上に先ずSiO2薄膜が成膜さ
れ、その上にCr2O3薄膜が積層して成膜され、このSiO2
薄膜とCr2O3薄膜が磁気ギャップ材とされ、Cr2O3薄膜が
前記溶着用のガラスに接触する構造を採用した。
［作 用］ このような構造によれば、耐摩耗性が適度であって、
色が金属磁性薄膜材料と異なるというSiO2薄膜の利点
と、溶着ガラスに対する濡れ性が良く溶着ガラスと金属
磁性薄膜の反応層の発生防止効果が大きいというCr2O3
薄膜の利点との組み合せにより磁気ギャップ材として好
ましい特性が得られる。
色が金属磁性薄膜材料と異なるというSiO2薄膜の利点
と、溶着ガラスに対する濡れ性が良く溶着ガラスと金属
磁性薄膜の反応層の発生防止効果が大きいというCr2O3
薄膜の利点との組み合せにより磁気ギャップ材として好
ましい特性が得られる。
特に、金属磁性薄膜上に先ずSiO2薄膜が成膜され、そ
の上にCr2O3薄膜が積層して成膜され、Cr2O3薄膜が溶着
用のガラスに接触することにより、Cr2O3薄膜の利点を
活かすことができる。
の上にCr2O3薄膜が積層して成膜され、Cr2O3薄膜が溶着
用のガラスに接触することにより、Cr2O3薄膜の利点を
活かすことができる。
［実施例］ 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細を説
明する。
明する。
まず第２図は本発明の実施例によるメタルインギャッ
プ型の磁気ヘッドの磁気コアの外観を示している。第２
図において符合10はそれぞれ磁気コア半体（以下コア半
体と略す）であり、図中上面が不図示の磁気記録媒体に
摺動接触する媒体摺動面となっている。一対のコア半体
10,10を図示のように磁気ギャップｇを介し突き合せ、
溶着ガラス５の溶着により接合して磁気コアが構成され
る。コア半体10の媒体摺動面において、磁気ギャップｇ
の両側の部分には磁気ギャップｇのトラック幅を規制す
るトラック溝６が形成されている。又コア半体10の突き
合せ面の中間部には不図示のコイル巻線７を巻装するた
めの巻き線溝７が形成されている。更にコア半体10の突
き合せ面の両側に沿ってガラス溝8aが形成され、図中下
端部にバックガラス溝8bが形成されている。溶着ガラス
５はトラック溝６、及びガラス溝8a,8bに充填される。
プ型の磁気ヘッドの磁気コアの外観を示している。第２
図において符合10はそれぞれ磁気コア半体（以下コア半
体と略す）であり、図中上面が不図示の磁気記録媒体に
摺動接触する媒体摺動面となっている。一対のコア半体
10,10を図示のように磁気ギャップｇを介し突き合せ、
溶着ガラス５の溶着により接合して磁気コアが構成され
る。コア半体10の媒体摺動面において、磁気ギャップｇ
の両側の部分には磁気ギャップｇのトラック幅を規制す
るトラック溝６が形成されている。又コア半体10の突き
合せ面の中間部には不図示のコイル巻線７を巻装するた
めの巻き線溝７が形成されている。更にコア半体10の突
き合せ面の両側に沿ってガラス溝8aが形成され、図中下
端部にバックガラス溝8bが形成されている。溶着ガラス
５はトラック溝６、及びガラス溝8a,8bに充填される。
このような本実施例の磁気ヘッドの磁気コアは上述の
ようにメタルインギャップ型であり、磁気ギャップ周辺
の構造は第１図に示すようになっている。なお第１図に
矢印で媒体摺動方向を示してある。
ようにメタルインギャップ型であり、磁気ギャップ周辺
の構造は第１図に示すようになっている。なお第１図に
矢印で媒体摺動方向を示してある。
第１図において符合２はフェライトであり、第２図の
コア半体10の本体部分はこのフェライト２から成ってい
る。そしてフェライト２から成るコア半体10の磁気ギャ
ップｇに面する突き合せ面のそれぞれには符合１で示す
高飽和磁束密度の金属磁性薄膜（例えばセンダスト薄
膜）が成膜されている。
コア半体10の本体部分はこのフェライト２から成ってい
る。そしてフェライト２から成るコア半体10の磁気ギャ
ップｇに面する突き合せ面のそれぞれには符合１で示す
高飽和磁束密度の金属磁性薄膜（例えばセンダスト薄
膜）が成膜されている。
次に金属磁性薄膜１の磁気ギャップｇに面する表面上
にはSiO2薄膜４が成膜されており、更に同薄膜４の表面
上にCr2O3薄膜３が積層して成膜されている。
にはSiO2薄膜４が成膜されており、更に同薄膜４の表面
上にCr2O3薄膜３が積層して成膜されている。
そしてこのようにフェライト２の突き合せ面に薄膜1,
4,3を成膜して成るコア半体10どうしを突き合せて溶着
ガラス５により溶着し、接合して磁気コアが構成されて
おり、Cr2O3薄膜３とSiO2薄膜４が磁気コアの磁気ギャ
ップｇを構成する磁気ギャップ材となっている。
4,3を成膜して成るコア半体10どうしを突き合せて溶着
ガラス５により溶着し、接合して磁気コアが構成されて
おり、Cr2O3薄膜３とSiO2薄膜４が磁気コアの磁気ギャ
ップｇを構成する磁気ギャップ材となっている。
なおCr2O3薄膜３の膜厚は100Å〜200Åの範囲内とす
る。SiO2薄膜４の膜厚は磁気ギャップ材全体の必要な膜
厚から上記のCr2O3薄膜３の膜厚を引いたものとする。
このように膜厚を設定する理由は後述する。
る。SiO2薄膜４の膜厚は磁気ギャップ材全体の必要な膜
厚から上記のCr2O3薄膜３の膜厚を引いたものとする。
このように膜厚を設定する理由は後述する。
次に第３図、第４図を参照して磁気コアの製造工程を
説明しておく。
説明しておく。
まず第３図において符号９は第２図のコア半体10を切
り出す母材のコア半体ブロックであり、フェライトから
細長い直方形に形成する。磁気コアの製造工程ではまず
このコア半体ブロック９の突き合せ面となる図中上面に
回転砥石による加工でトラック溝６とガラス溝8aを磁気
ギャップｇに対応した間隔で形成する。続いて巻線溝７
とバックガラス溝8bを加工する。
り出す母材のコア半体ブロックであり、フェライトから
細長い直方形に形成する。磁気コアの製造工程ではまず
このコア半体ブロック９の突き合せ面となる図中上面に
回転砥石による加工でトラック溝６とガラス溝8aを磁気
ギャップｇに対応した間隔で形成する。続いて巻線溝７
とバックガラス溝8bを加工する。
次に第３図のコア半体ブロック９の図中上面に第１図
の金属磁性薄膜（センダスト薄膜）１を成膜した後、そ
の上にSiO2薄膜４を成膜し、更にその上にCr2O3薄膜３
を積層して成膜する。薄膜1,4,3の成膜はスパッタリン
グ等による。
の金属磁性薄膜（センダスト薄膜）１を成膜した後、そ
の上にSiO2薄膜４を成膜し、更にその上にCr2O3薄膜３
を積層して成膜する。薄膜1,4,3の成膜はスパッタリン
グ等による。
次に以上の加工と薄膜形成を行なったコア半体ブロッ
ク９の一対を第４図に示すように突き合せ、不図示の溶
着ガラスのガラス棒をセットして例えば570℃の温度で4
0分程度加熱して溶着し、接合する。
ク９の一対を第４図に示すように突き合せ、不図示の溶
着ガラスのガラス棒をセットして例えば570℃の温度で4
0分程度加熱して溶着し、接合する。
次にコア半体ブロック9,9の接合体の第４図中上面を
媒体摺動面として円筒形状に加工した後、コア半体ブロ
ック9,9の接合体を第４図中のａ−ａ線に沿って切断し
て第２図に示す磁気コアが得られる。そして巻線溝７を
通して不図示のコイル巻線を磁気コアに巻装して磁気ヘ
ッドが完成する。
媒体摺動面として円筒形状に加工した後、コア半体ブロ
ック9,9の接合体を第４図中のａ−ａ線に沿って切断し
て第２図に示す磁気コアが得られる。そして巻線溝７を
通して不図示のコイル巻線を磁気コアに巻装して磁気ヘ
ッドが完成する。
このような本実施例の磁気ヘッドの磁気コアによれ
ば、磁気ギャップ材のCr2O3薄膜３は溶着ガラス５との
濡れ性が良く、又溶着ガラス５と金属磁性薄膜１の反応
層の発生を防止する効果が大きいという長所がある。又
SiO2薄膜４は前述のように磁気ギャップ材として適当な
硬度であり、又色が金属磁性薄膜１と異り光学顕微鏡に
よる磁気ギャップｇのギャップ長の測定が簡単に行なえ
るという長所がある。そしてこのような両薄膜3,4の長
所の組み合せによって磁気ギャップ材全体として好まし
い特性が得られる。
ば、磁気ギャップ材のCr2O3薄膜３は溶着ガラス５との
濡れ性が良く、又溶着ガラス５と金属磁性薄膜１の反応
層の発生を防止する効果が大きいという長所がある。又
SiO2薄膜４は前述のように磁気ギャップ材として適当な
硬度であり、又色が金属磁性薄膜１と異り光学顕微鏡に
よる磁気ギャップｇのギャップ長の測定が簡単に行なえ
るという長所がある。そしてこのような両薄膜3,4の長
所の組み合せによって磁気ギャップ材全体として好まし
い特性が得られる。
ところでCr2O3薄膜３及びSiO2薄膜４の上述のような
膜厚の設定と積層の順序は実験により検討した結果決定
したものである。以下その実験とその結果について説明
しておく。まずSiO2薄膜とCr2O3薄膜の異なる積層順序
と、異なる膜厚の組み合せにより前述した第７図の方法
で溶着ガラス５の接触角による濡れ性試験を行なった。
この場合に第７図のフェライト22の基板上のセンダスト
薄膜21上に薄膜20としてSiO2薄膜とCr2O3薄膜を符号20
a,20bで示すように積層して成膜し、前述のようにして
接触角θを測定した。下記の第２表及び第３表に両薄膜
の異なる積層順序と異なる膜厚の組み合せの試料〜
を示す。なお両表中で第１層とはセンダスト薄膜21に接
触する側の薄膜20aを示し、第２層とはその上に成膜さ
れる薄膜20bを示す。
膜厚の設定と積層の順序は実験により検討した結果決定
したものである。以下その実験とその結果について説明
しておく。まずSiO2薄膜とCr2O3薄膜の異なる積層順序
と、異なる膜厚の組み合せにより前述した第７図の方法
で溶着ガラス５の接触角による濡れ性試験を行なった。
この場合に第７図のフェライト22の基板上のセンダスト
薄膜21上に薄膜20としてSiO2薄膜とCr2O3薄膜を符号20
a,20bで示すように積層して成膜し、前述のようにして
接触角θを測定した。下記の第２表及び第３表に両薄膜
の異なる積層順序と異なる膜厚の組み合せの試料〜
を示す。なお両表中で第１層とはセンダスト薄膜21に接
触する側の薄膜20aを示し、第２層とはその上に成膜さ
れる薄膜20bを示す。
次に上記の試料〜の接触角θの測定結果を下記の
第４表に示す。
第４表に示す。
この第４表から明らかなように試料，，，が
溶着ガラスの濡れ性が良い。即ちガラスの濡れ性に関し
てはSiO2薄膜を金属磁性薄膜に接触する第１層として、
Cr2O3薄膜をその上に第２層として成膜して溶着ガラス
と接触する積層順とした方が良い。
溶着ガラスの濡れ性が良い。即ちガラスの濡れ性に関し
てはSiO2薄膜を金属磁性薄膜に接触する第１層として、
Cr2O3薄膜をその上に第２層として成膜して溶着ガラス
と接触する積層順とした方が良い。
次に溶着ガラスとの反応層の発生に関して上記の試料
〜について第７図の溶着ガラス５と薄膜20bの界面
を観察したところSiO2が溶着ガラス５と接触する試料
及び〜ではガラスとの反応層が見られた。これに対
してCr2O3とガラスが接触する試料〜では、Cr2O3の
膜厚が400Å,200Å,100Åと順次減少していくに従って
反応層が若干発生するが、SiO2の場合と比べるとその発
生は格段に少なかった。但しこの場合にCr2O3薄膜の膜
厚を100Å以下にすると反応層の発生が大きくなり、又
膜厚の制御が困難になる。従ってCr2O3薄膜の膜厚は最
低100Å以上必要である。
〜について第７図の溶着ガラス５と薄膜20bの界面
を観察したところSiO2が溶着ガラス５と接触する試料
及び〜ではガラスとの反応層が見られた。これに対
してCr2O3とガラスが接触する試料〜では、Cr2O3の
膜厚が400Å,200Å,100Åと順次減少していくに従って
反応層が若干発生するが、SiO2の場合と比べるとその発
生は格段に少なかった。但しこの場合にCr2O3薄膜の膜
厚を100Å以下にすると反応層の発生が大きくなり、又
膜厚の制御が困難になる。従ってCr2O3薄膜の膜厚は最
低100Å以上必要である。
次に第１図、第２図の磁気コアの構造でCr2O3薄膜３
とSiO2薄膜４の膜厚を異なる膜厚に設定して磁気コアを
形成して磁気ヘッドを作製し、自己記録再生出力の周波
数特性を測定した結果を下記の第５表に示す。なおこの
試験では媒体としてメタルテープを用い、テープとヘッ
ドの相対速度は3.14m/secとした。又磁気ギャップｇの
ギャップ幅は0.25μｍとした。なお試料ＤはSiO2薄膜の
膜厚が０であって第１図の構造と異なるが参考試料とし
て示した。
とSiO2薄膜４の膜厚を異なる膜厚に設定して磁気コアを
形成して磁気ヘッドを作製し、自己記録再生出力の周波
数特性を測定した結果を下記の第５表に示す。なおこの
試験では媒体としてメタルテープを用い、テープとヘッ
ドの相対速度は3.14m/secとした。又磁気ギャップｇの
ギャップ幅は0.25μｍとした。なお試料ＤはSiO2薄膜の
膜厚が０であって第１図の構造と異なるが参考試料とし
て示した。
又この自己記録再生特性の測定結果を第５図にグラフ
で示してある。更に第６図には第５表の試料Ａの出力を
0dBとした場合の試料B,Cの相対出力をグラフで示してあ
る。
で示してある。更に第６図には第５表の試料Ａの出力を
0dBとした場合の試料B,Cの相対出力をグラフで示してあ
る。
第５表、第５図及び第６図から明らかなようにCr2O3
薄膜の膜厚を薄くすると高域での特性が向上する。この
点でCr2O3薄膜の膜厚を０としてSiO2薄膜のみとすれ
ば、更に高域での特性が向上すると考えられるが、そう
すると溶着ガラス５と金属磁性薄膜１が反応して反応層
が生じ、溶着ガラス５による接合強度が弱くなり、溶着
ガラスが欠落してしまう等して磁気ヘッドには不適であ
る。
薄膜の膜厚を薄くすると高域での特性が向上する。この
点でCr2O3薄膜の膜厚を０としてSiO2薄膜のみとすれ
ば、更に高域での特性が向上すると考えられるが、そう
すると溶着ガラス５と金属磁性薄膜１が反応して反応層
が生じ、溶着ガラス５による接合強度が弱くなり、溶着
ガラスが欠落してしまう等して磁気ヘッドには不適であ
る。
一方Cr2O3薄膜の膜厚を大きくすると特性が劣化して
くるのは、Cr2O3の硬度が高いためギャップ部に出っ張
りを生じ、スペーシングロスを起しているものと思われ
る。周波数ｆ＝6MHzで試料Ｃに比べて試料Ｄは2dB出力
が劣化しているから、これが全てスペーシングロスによ
るものとすれば、 loss＝−54.6×d/λ （λ；記録波長,d;出っ張り） の式からｄ＝190Åと推察される。この値は出っ張りを
表面粗さ計で測定した値とほぼ一致するため高域で特性
が劣化しているのはスペーシングロスによると断定でき
る。
くるのは、Cr2O3の硬度が高いためギャップ部に出っ張
りを生じ、スペーシングロスを起しているものと思われ
る。周波数ｆ＝6MHzで試料Ｃに比べて試料Ｄは2dB出力
が劣化しているから、これが全てスペーシングロスによ
るものとすれば、 loss＝−54.6×d/λ （λ；記録波長,d;出っ張り） の式からｄ＝190Åと推察される。この値は出っ張りを
表面粗さ計で測定した値とほぼ一致するため高域で特性
が劣化しているのはスペーシングロスによると断定でき
る。
以上のようにCr2O3薄膜とSiO2薄膜の積層の順序はガ
ラスとの濡れ性の良さから第１図の積層の順序とする。
そしてその場合にCr2O3薄膜３の膜厚が100Åよりも小さ
いと溶着ガラス５とSiO2薄膜４が反応しやすくなり、20
0Åよりも大きいとスペーシングロスによる出力低下が
起きるのでCr2O3薄膜３の膜厚は100Å〜200Åの範囲内
とする。又このようにした本実施例の磁気ヘッドは金属
磁性薄膜１とSiO2薄膜４の色の違いにより光学顕微鏡に
よる磁気ギャップｇのギャップ長の測定が簡単に行なえ
る。
ラスとの濡れ性の良さから第１図の積層の順序とする。
そしてその場合にCr2O3薄膜３の膜厚が100Åよりも小さ
いと溶着ガラス５とSiO2薄膜４が反応しやすくなり、20
0Åよりも大きいとスペーシングロスによる出力低下が
起きるのでCr2O3薄膜３の膜厚は100Å〜200Åの範囲内
とする。又このようにした本実施例の磁気ヘッドは金属
磁性薄膜１とSiO2薄膜４の色の違いにより光学顕微鏡に
よる磁気ギャップｇのギャップ長の測定が簡単に行なえ
る。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、互
いの突き合わせ面に金属磁性薄膜を成膜した一対の磁気
コア半体を磁気ギャップ材を介し突き合わせガラス溶着
により接合して構成された磁気コアを有する磁気ヘッド
において、前記金属磁性薄膜上に先ずSiO2薄膜が成膜さ
れ、その上にCr2O3薄膜が積層して成膜され、このSiO2
薄膜とCr2O3薄膜が磁気ギャップ材とされ、Cr2O3薄膜が
前記溶着用のガラスに接触する構成を採用したので、磁
気ギャップ材の溶着ガラスに対する濡れ性が良いため磁
気コア半体のガラス溶着が良好に行なえること、磁気ギ
ャップ材の耐摩耗性が適度で摺動面のギャップ部分の偏
摩耗を防止でき、良好な記録再生特性が得られること、
溶着ガラスと金属磁性薄膜の反応層の発生を防止でき、
溶着ガラスによる磁気コア半体の接合強度が向上し、歩
留まりが向上すること、光学顕微鏡によるギャップ長の
測定を簡単に行なえ、コストダウンが図れること等の優
れた効果が得られる。
いの突き合わせ面に金属磁性薄膜を成膜した一対の磁気
コア半体を磁気ギャップ材を介し突き合わせガラス溶着
により接合して構成された磁気コアを有する磁気ヘッド
において、前記金属磁性薄膜上に先ずSiO2薄膜が成膜さ
れ、その上にCr2O3薄膜が積層して成膜され、このSiO2
薄膜とCr2O3薄膜が磁気ギャップ材とされ、Cr2O3薄膜が
前記溶着用のガラスに接触する構成を採用したので、磁
気ギャップ材の溶着ガラスに対する濡れ性が良いため磁
気コア半体のガラス溶着が良好に行なえること、磁気ギ
ャップ材の耐摩耗性が適度で摺動面のギャップ部分の偏
摩耗を防止でき、良好な記録再生特性が得られること、
溶着ガラスと金属磁性薄膜の反応層の発生を防止でき、
溶着ガラスによる磁気コア半体の接合強度が向上し、歩
留まりが向上すること、光学顕微鏡によるギャップ長の
測定を簡単に行なえ、コストダウンが図れること等の優
れた効果が得られる。
第１図は本発明の実施例による磁気ヘッドの磁気コアの
磁気ギャップ周辺の構造を示す拡大図、第２図は同実施
例の磁気コアの全体の外観を示す斜視図、第３図及び第
４図はそれぞれ同磁気コアの製造工程の説明図、第５図
は本実施例の磁気コアのギャップ材の薄膜の膜厚を決定
するために行なった自己記録再生出力の周波数特性の試
験の結果を示す線図、第６図は同試験の試料Ａの出力を
0dBとした場合の試料B,Cの相対出力を示す線図、第７図
は接触角の測定による溶着ガラスに対する磁気ギャップ
材の濡れ性試験の様子を示す説明図である。 １……金属磁性薄膜、２……フェライト ３……Cr2O3薄膜、４……SiO2薄膜 ５……溶着ガラス、６……トラック溝 ７……巻線溝、8a,8b……ガラス溝 ９……コア半体ブロック、10……コア半体
磁気ギャップ周辺の構造を示す拡大図、第２図は同実施
例の磁気コアの全体の外観を示す斜視図、第３図及び第
４図はそれぞれ同磁気コアの製造工程の説明図、第５図
は本実施例の磁気コアのギャップ材の薄膜の膜厚を決定
するために行なった自己記録再生出力の周波数特性の試
験の結果を示す線図、第６図は同試験の試料Ａの出力を
0dBとした場合の試料B,Cの相対出力を示す線図、第７図
は接触角の測定による溶着ガラスに対する磁気ギャップ
材の濡れ性試験の様子を示す説明図である。 １……金属磁性薄膜、２……フェライト ３……Cr2O3薄膜、４……SiO2薄膜 ５……溶着ガラス、６……トラック溝 ７……巻線溝、8a,8b……ガラス溝 ９……コア半体ブロック、10……コア半体
Claims (2)
- 【請求項１】互いの突き合わせ面に金属磁性薄膜を成膜
した一対の磁気コア半体を磁気ギャップ材を介し突き合
わせガラス溶着により接合して構成された磁気コアを有
する磁気ヘッドにおいて、 前記金属磁性薄膜上に先ずSiO2薄膜が成膜され、その上
にCr2O3薄膜が積層して成膜され、このSiO2薄膜とCr2O3
薄膜が磁気ギャップ材とされ、Cr2O3薄膜が前記溶着用
のガラスに接触することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記Cr2O3薄膜の膜厚が100Åから200Åの
範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121332A JP2723294B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 磁気ヘッド |
| DE3934284A DE3934284C2 (de) | 1988-10-13 | 1989-10-13 | Magnetkopf |
| US07/719,686 US5164870A (en) | 1988-10-13 | 1991-06-25 | Magnetic head employing a magnetic gap material composed of Cr2 O3 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121332A JP2723294B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302910A JPH02302910A (ja) | 1990-12-14 |
| JP2723294B2 true JP2723294B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=14808643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1121332A Expired - Lifetime JP2723294B2 (ja) | 1988-10-13 | 1989-05-17 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723294B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245005A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727612B2 (ja) * | 1986-12-09 | 1995-03-29 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘツドコア |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1121332A patent/JP2723294B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02302910A (ja) | 1990-12-14 |
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