JPH0546009B2 - - Google Patents
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- JPH0546009B2 JPH0546009B2 JP58140136A JP14013683A JPH0546009B2 JP H0546009 B2 JPH0546009 B2 JP H0546009B2 JP 58140136 A JP58140136 A JP 58140136A JP 14013683 A JP14013683 A JP 14013683A JP H0546009 B2 JPH0546009 B2 JP H0546009B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気ヘツド特にVTR用等の磁気ヘツ
ドに関する。
ドに関する。
背景技術とその問題点
近年、磁気記録技術の発展に伴ないVTR用の
磁気ヘツドとしては高磁束密度、高抗磁力の磁気
テープへの記録再生が可能であること又、磁気テ
ープの面内での記録密度を向上させるためにでき
るだけ狭トラツク化が可能であることが要求され
ている。前者の要求に対しては飽和磁束密度の大
きい金属磁制材料（アモルフアス、センダスト、
パーマロイ等）がフエライトに代わつて用いられ
ている。又、後者の要求に対しても数十マイクロ
以下のトラツク幅を実現するためにスパツタリン
グ、蒸着、イオンプレーテイング等の真空薄膜形
成技術による金属磁性薄膜が適している。
磁気ヘツドとしては高磁束密度、高抗磁力の磁気
テープへの記録再生が可能であること又、磁気テ
ープの面内での記録密度を向上させるためにでき
るだけ狭トラツク化が可能であることが要求され
ている。前者の要求に対しては飽和磁束密度の大
きい金属磁制材料（アモルフアス、センダスト、
パーマロイ等）がフエライトに代わつて用いられ
ている。又、後者の要求に対しても数十マイクロ
以下のトラツク幅を実現するためにスパツタリン
グ、蒸着、イオンプレーテイング等の真空薄膜形
成技術による金属磁性薄膜が適している。
この強磁制金属薄膜を形成する磁気ヘツドは各
種提案されている。例えば第１図に示す磁気ヘツ
ド１は非磁性基板２の上にスパツタリングにより
センダスト等の金属磁性薄膜３を形成した磁気コ
ア半体１ａ，１ｂを突き合わせて形成し、又、第
２図に示す磁気ヘツド１′はフエライト板４ａ，
４ｂを第１図に示すごとく形成した磁気コア半体
１ａ，１ｂの両面から貼り付けて形成し、更に
又、第３図に示す磁気ヘツド１″はフエライトヘ
ツドコア４のギヤツプｇ部分だけに金属磁性薄膜
３をスパツタで形成している。
種提案されている。例えば第１図に示す磁気ヘツ
ド１は非磁性基板２の上にスパツタリングにより
センダスト等の金属磁性薄膜３を形成した磁気コ
ア半体１ａ，１ｂを突き合わせて形成し、又、第
２図に示す磁気ヘツド１′はフエライト板４ａ，
４ｂを第１図に示すごとく形成した磁気コア半体
１ａ，１ｂの両面から貼り付けて形成し、更に
又、第３図に示す磁気ヘツド１″はフエライトヘ
ツドコア４のギヤツプｇ部分だけに金属磁性薄膜
３をスパツタで形成している。
しかし、第１図及び第２図に示すごとき構成の
もの即ち非磁性基板２上にスパツタリング等の真
空薄膜形成技術によつて作成する金属磁性薄膜３
は膜成長速度が極めて遅く作成に時間を要する欠
点がある。
もの即ち非磁性基板２上にスパツタリング等の真
空薄膜形成技術によつて作成する金属磁性薄膜３
は膜成長速度が極めて遅く作成に時間を要する欠
点がある。
又、第３図に示すものは金属磁性薄膜３が磁路
と直交する方向であるため渦電流損が多く、更に
金属磁性薄膜３を積層すると膜間の絶縁膜がギヤ
ツプとしての働きをもつてしまう欠点がある。
と直交する方向であるため渦電流損が多く、更に
金属磁性薄膜３を積層すると膜間の絶縁膜がギヤ
ツプとしての働きをもつてしまう欠点がある。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑み、金属磁性薄膜でギヤツ
プ及び巻線孔近傍を形成し、テープ摺動面の大部
分を高耐摩耗性の強磁性酸化物により形成して信
頼性が高く且つ安価な磁気ヘツドを提供するもの
である。
プ及び巻線孔近傍を形成し、テープ摺動面の大部
分を高耐摩耗性の強磁性酸化物により形成して信
頼性が高く且つ安価な磁気ヘツドを提供するもの
である。
発明の概要
本発明は上記の目的を達成するため、強磁性酸
化物よりなる磁気コア半体対の接合面に真空薄膜
形成技術により強磁性金属薄膜を形成しこの磁気
コア半体対を突き合わせて磁気ギヤツプを形成し
てなる磁気ヘツドにおいて、この磁気ギヤツプ形
成面と強磁性金属薄膜形成面とを所要角度で傾斜
して形成したものである。
化物よりなる磁気コア半体対の接合面に真空薄膜
形成技術により強磁性金属薄膜を形成しこの磁気
コア半体対を突き合わせて磁気ギヤツプを形成し
てなる磁気ヘツドにおいて、この磁気ギヤツプ形
成面と強磁性金属薄膜形成面とを所要角度で傾斜
して形成したものである。
実施例
以下、第４図以降を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
先ず第４図及び第５図は本発明による一例の磁
気ヘツド１１を示すものである。強磁性酸化物例
えばフエライトよりなる磁気コア半体対１１ａ，
１１ｂの接合面においてガラス等の非磁性材１２
の充填により巾が規定される磁気ギヤツプｇが金
属磁性薄膜１３の積層方向とほぼ45°をなしてお
り金属磁性薄膜１３，１３1，１３2…間の積層の
絶縁膜１４と磁気ギヤツプｇとのテープへの記録
再生時における相互作用が最も少ない向きになつ
ている。即ち、本発明による磁気ヘツドは第６図
に両磁気コア半体１１ａ，１１ｂをギヤツプ面ｇ
より分解して示すように、磁路の最短距離の領域
のほとんどを金属磁性薄膜１３で形成しており、
この金属磁性薄膜１３の面積が少なくても有効な
配置であると共に金属磁性薄膜１３は積層構造で
あり且つテープ対接面のほとんどが両磁気コア半
体１１ａ，１１ｂを形成するフエライトとなつて
いるため高耐摩耗な磁気ヘツドが構成される。な
お、第４図及び第６図において１５は巻線溝であ
る。
気ヘツド１１を示すものである。強磁性酸化物例
えばフエライトよりなる磁気コア半体対１１ａ，
１１ｂの接合面においてガラス等の非磁性材１２
の充填により巾が規定される磁気ギヤツプｇが金
属磁性薄膜１３の積層方向とほぼ45°をなしてお
り金属磁性薄膜１３，１３1，１３2…間の積層の
絶縁膜１４と磁気ギヤツプｇとのテープへの記録
再生時における相互作用が最も少ない向きになつ
ている。即ち、本発明による磁気ヘツドは第６図
に両磁気コア半体１１ａ，１１ｂをギヤツプ面ｇ
より分解して示すように、磁路の最短距離の領域
のほとんどを金属磁性薄膜１３で形成しており、
この金属磁性薄膜１３の面積が少なくても有効な
配置であると共に金属磁性薄膜１３は積層構造で
あり且つテープ対接面のほとんどが両磁気コア半
体１１ａ，１１ｂを形成するフエライトとなつて
いるため高耐摩耗な磁気ヘツドが構成される。な
お、第４図及び第６図において１５は巻線溝であ
る。
次に第７図〜第１４図について本発明による磁
気ヘツドの一例を製造工程を説明する。
気ヘツドの一例を製造工程を説明する。
先ず第７図に示すごとくフエライト基板２１に
回転砥石又は電解エツチングにより溝加工を行な
い例えば断面Ｖ字状の溝２１ａ，２１a1，２１
a2，２１a3…を形成し、この溝２１ａに高融点酸
化物ガラス２２を溶解充填した後、平面研摩加工
を行なう（第８図参照）。次に第９図に示すごと
く溝２１a1，２１a2，２１a3…の間即ちガラス２
２が充填されなかつた部分を溝加工し例えば前述
と同様の断面Ｖ字状の溝２１ｂ，２１b1，２１
b2，２１b3…を形成し、この溝２１ｂにセンダス
ト、アモルハス等の金属磁性材料をスパツタリン
グ、イオンプレーテイング、蒸着等の薄膜形成技
術により金属磁性薄膜２３，２３1，２３2…を
SiO2、ZrO2、Ta2O5等の高硬度絶縁膜２４を介
して積層形成する（第１０図参照）。然る後、第
１１図に示すごとく平面研摩加工を再び行ないコ
ア半体ブロツク３１ａ，３１ｂを形成する。そし
て一方のコア半体ブロツク３１ａには第１２図に
示すごとく巻線溝２５及びガラス溝２６の溝加工
を行なう。次いでこの溝加工を施した一方のコア
半体ブロツク２１ａと溝の無い他方のコア半体ブ
ロツク３１ｂをその平面部を突き合わせて巻線溝
２５及びガラス溝２６にガラス棒を挿入し、この
ガラス棒を溶融して金属磁性薄膜部２３の方面側
溝部２１b′，２１b′1，２１b′2，２１b′3…により
形成される中空部に溶融ガラス２７を充填して両
ブロツク３１ａ，３１ｂを融着合体する（第１３
図参照）。
回転砥石又は電解エツチングにより溝加工を行な
い例えば断面Ｖ字状の溝２１ａ，２１a1，２１
a2，２１a3…を形成し、この溝２１ａに高融点酸
化物ガラス２２を溶解充填した後、平面研摩加工
を行なう（第８図参照）。次に第９図に示すごと
く溝２１a1，２１a2，２１a3…の間即ちガラス２
２が充填されなかつた部分を溝加工し例えば前述
と同様の断面Ｖ字状の溝２１ｂ，２１b1，２１
b2，２１b3…を形成し、この溝２１ｂにセンダス
ト、アモルハス等の金属磁性材料をスパツタリン
グ、イオンプレーテイング、蒸着等の薄膜形成技
術により金属磁性薄膜２３，２３1，２３2…を
SiO2、ZrO2、Ta2O5等の高硬度絶縁膜２４を介
して積層形成する（第１０図参照）。然る後、第
１１図に示すごとく平面研摩加工を再び行ないコ
ア半体ブロツク３１ａ，３１ｂを形成する。そし
て一方のコア半体ブロツク３１ａには第１２図に
示すごとく巻線溝２５及びガラス溝２６の溝加工
を行なう。次いでこの溝加工を施した一方のコア
半体ブロツク２１ａと溝の無い他方のコア半体ブ
ロツク３１ｂをその平面部を突き合わせて巻線溝
２５及びガラス溝２６にガラス棒を挿入し、この
ガラス棒を溶融して金属磁性薄膜部２３の方面側
溝部２１b′，２１b′1，２１b′2，２１b′3…により
形成される中空部に溶融ガラス２７を充填して両
ブロツク３１ａ，３１ｂを融着合体する（第１３
図参照）。
この合体ブロツクを第１３図に示すＡ−A′線
の位置でスライシング加工して後部のガラス溝部
２６を切り取りヘツド素材を形成した後、この両
側面及び前面のテープ摺接面を研摩加工すること
により第１４図に示すごとき磁気ギヤツプｇが金
属磁性薄膜層２３の積層方向と所要の角度をなす
磁気ヘツド３１が得られる。
の位置でスライシング加工して後部のガラス溝部
２６を切り取りヘツド素材を形成した後、この両
側面及び前面のテープ摺接面を研摩加工すること
により第１４図に示すごとき磁気ギヤツプｇが金
属磁性薄膜層２３の積層方向と所要の角度をなす
磁気ヘツド３１が得られる。
この様にして磁気ヘツドを形成することにより
単位金属磁性薄膜形成面積から作成可能な磁気ヘ
ツドの個数が従来の平面に金属磁性薄膜層を形成
するもので比し極めて多く、即ちヘツド幅３mm、
ヘツドチツプ厚150〜200μ、スライシングの切り
しろ100〜150μとすると約10倍の磁気ヘツドが作
成可能となる。
単位金属磁性薄膜形成面積から作成可能な磁気ヘ
ツドの個数が従来の平面に金属磁性薄膜層を形成
するもので比し極めて多く、即ちヘツド幅３mm、
ヘツドチツプ厚150〜200μ、スライシングの切り
しろ100〜150μとすると約10倍の磁気ヘツドが作
成可能となる。
又、フエライトブロツク２１に溝加工したもの
が直接金属磁性薄膜２３の形成時の基板となつて
いるので第２図に示したようなフエライト両側よ
り貼り合わせる手数も要せず製作工数が著しく消
減されて安価な製法となつている。
が直接金属磁性薄膜２３の形成時の基板となつて
いるので第２図に示したようなフエライト両側よ
り貼り合わせる手数も要せず製作工数が著しく消
減されて安価な製法となつている。
第１５図はアジマス記録用の磁気ヘツドを作成
するコアブロツク合体を示すもので各コア半体ブ
ロツク３１ａ，３１ｂの酸化物ガラス２２を溶融
充填する溝２１ａと金属磁性薄膜層２３を形成す
る溝２１ｂとはその両辺の傾斜を非対称に形成し
即ち一方を急角度に他方を緩角度に形成してあ
り、夫々の溝２１ａ，２１ｂにガラス２２を溶融
充填し又、金属磁性薄膜層２３を形成した状態で
両コア半体ブロツク３１ａと３１ｂを、金属性薄
膜層２３が緩角度傾斜面において金属連続するよ
うに接合合体する。そしてＢ−B′線の位置でス
ライシングすることにより第１６図に示した様な
アジマス磁気ギヤツプg′を有する磁気ヘツド３
１′が得られる。
するコアブロツク合体を示すもので各コア半体ブ
ロツク３１ａ，３１ｂの酸化物ガラス２２を溶融
充填する溝２１ａと金属磁性薄膜層２３を形成す
る溝２１ｂとはその両辺の傾斜を非対称に形成し
即ち一方を急角度に他方を緩角度に形成してあ
り、夫々の溝２１ａ，２１ｂにガラス２２を溶融
充填し又、金属磁性薄膜層２３を形成した状態で
両コア半体ブロツク３１ａと３１ｂを、金属性薄
膜層２３が緩角度傾斜面において金属連続するよ
うに接合合体する。そしてＢ−B′線の位置でス
ライシングすることにより第１６図に示した様な
アジマス磁気ギヤツプg′を有する磁気ヘツド３
１′が得られる。
尚、本例の場合に限るものではないが第１６図
に示すごとく巻線溝２５の深さを浅く形成するこ
とにより、即ち巻線溝２５を金属磁性薄膜層２３
の一部を残すように溝加工をすることにより巻線
溝を形成した側のコア３１ａにおいても金属磁性
薄膜がフロントギヤツプよりバツクギヤツプに至
るまで連続的に延在することになる。
に示すごとく巻線溝２５の深さを浅く形成するこ
とにより、即ち巻線溝２５を金属磁性薄膜層２３
の一部を残すように溝加工をすることにより巻線
溝を形成した側のコア３１ａにおいても金属磁性
薄膜がフロントギヤツプよりバツクギヤツプに至
るまで連続的に延在することになる。
第１７図は本発明の他の実施例を示すもので金
属磁性薄膜層２３を両コア半体３１ａ，３１ｂの
両側面側に配した場合である。
属磁性薄膜層２３を両コア半体３１ａ，３１ｂの
両側面側に配した場合である。
又、第１８図に示す他の実施例は金属磁性薄膜
２３を一層のみにより形成しギヤツプ幅を狭くし
た場合である。
２３を一層のみにより形成しギヤツプ幅を狭くし
た場合である。
又、第１９図に示す更に他の実施例はテープ摺
動面においてコア半体３１ａ，３１ｂを形成する
フエライトの先端をギヤツプ面より後方に位置す
るようになしコアブロツク３１ａ，３１ｂの研摩
寸法精度（研摩終了時点の判断）に余裕をもたせ
てもよい。そのためには上述した第３工程の金属
磁性薄膜層２３の形成溝２１ｂの購入加工におい
てその溝幅及び深さを大となし溝エツジ部がガラ
ス部２２に充分かかるように加工しておけばよ
い。
動面においてコア半体３１ａ，３１ｂを形成する
フエライトの先端をギヤツプ面より後方に位置す
るようになしコアブロツク３１ａ，３１ｂの研摩
寸法精度（研摩終了時点の判断）に余裕をもたせ
てもよい。そのためには上述した第３工程の金属
磁性薄膜層２３の形成溝２１ｂの購入加工におい
てその溝幅及び深さを大となし溝エツジ部がガラ
ス部２２に充分かかるように加工しておけばよ
い。
以上の様に構成される本発明の磁気ヘツドにお
いて金属磁性薄膜層２３の積層面とギヤツプ面ｇ
とのなす角は20°以上であることが必要で、それ
以下の角度では隣接トラツクからのクロストーク
が大きくなり、最も望ましくは30°以上の角度を
付けるのがよい。又、角度の最大値については
90°まで可能であるが耐摩耗性の観点が80°以下が
望ましい。
いて金属磁性薄膜層２３の積層面とギヤツプ面ｇ
とのなす角は20°以上であることが必要で、それ
以下の角度では隣接トラツクからのクロストーク
が大きくなり、最も望ましくは30°以上の角度を
付けるのがよい。又、角度の最大値については
90°まで可能であるが耐摩耗性の観点が80°以下が
望ましい。
尚、本例では金属磁性薄膜層２３間に介在させ
る絶縁膜２４はSiO2、Ta2O5としたがAl2O3、
ZrO2、Si3N4等その他の高耐摩耗性絶縁膜であつ
てもよい。又、金属磁性薄膜層２３もスパツタリ
ングによるセンダストに限らず、スパツタリング
によるアモルフアス磁性膜等高飽和磁束密度の金
属磁性薄膜であればよい。
る絶縁膜２４はSiO2、Ta2O5としたがAl2O3、
ZrO2、Si3N4等その他の高耐摩耗性絶縁膜であつ
てもよい。又、金属磁性薄膜層２３もスパツタリ
ングによるセンダストに限らず、スパツタリング
によるアモルフアス磁性膜等高飽和磁束密度の金
属磁性薄膜であればよい。
又、ガラス２２その他の非磁性材料を充填埋設
して基板とする酸化物磁性材料はNi−Znフエラ
イト、フエクロスプレーナその他の高周波酸化物
磁性材料であつてもよいことは言うまでもない。
して基板とする酸化物磁性材料はNi−Znフエラ
イト、フエクロスプレーナその他の高周波酸化物
磁性材料であつてもよいことは言うまでもない。
以上の様に本例では磁性ギヤツプｇを形成する
金属磁性薄膜層２３は真空薄膜形成技術即ち真空
薄膜形成装置の中で絶縁膜２４との交互積層によ
り形成するので従来のごとく金属強磁性箔をガラ
ス無機接着剤、有機接着剤等の接着層を積層して
形成するものに比して金属磁性薄膜間に間隙があ
くこともなく又、金属磁性薄膜の積層は従来のハ
ンドリングによる積層に較らべ簡単且つ確実に行
なうことができ高周波特性の優れた高磁束密度の
記録再生が可能な高耐摩耗性磁気ヘツドを得るこ
とができる。
金属磁性薄膜層２３は真空薄膜形成技術即ち真空
薄膜形成装置の中で絶縁膜２４との交互積層によ
り形成するので従来のごとく金属強磁性箔をガラ
ス無機接着剤、有機接着剤等の接着層を積層して
形成するものに比して金属磁性薄膜間に間隙があ
くこともなく又、金属磁性薄膜の積層は従来のハ
ンドリングによる積層に較らべ簡単且つ確実に行
なうことができ高周波特性の優れた高磁束密度の
記録再生が可能な高耐摩耗性磁気ヘツドを得るこ
とができる。
発明の効果
以上の様に本発明によれば磁気ギヤツプ近傍は
金属磁性薄膜が全体に亘つて膜構造が均一に形成
されて透磁率が一定となり、またこの磁性金属薄
膜は磁気ギヤツプ形成面に対して傾斜しているた
め、この膜厚をトラツク幅相当とすることなく磁
気ギヤツプを形成できてヘツド作製に要する時間
が短縮され、また磁気ギヤツプ近傍から離れた領
域においては即ちテープ摺動面の大部分が高耐摩
耗性の強磁性酸化物より形成されるので高周波特
性の優れた高磁束密度の記録再生が可能な高耐摩
耗性磁気ヘツドを安価に提供できる等の効果を有
する。
金属磁性薄膜が全体に亘つて膜構造が均一に形成
されて透磁率が一定となり、またこの磁性金属薄
膜は磁気ギヤツプ形成面に対して傾斜しているた
め、この膜厚をトラツク幅相当とすることなく磁
気ギヤツプを形成できてヘツド作製に要する時間
が短縮され、また磁気ギヤツプ近傍から離れた領
域においては即ちテープ摺動面の大部分が高耐摩
耗性の強磁性酸化物より形成されるので高周波特
性の優れた高磁束密度の記録再生が可能な高耐摩
耗性磁気ヘツドを安価に提供できる等の効果を有
する。
第１図〜第３図は従来のVTR用の磁気ヘツド
の各例の斜視図、第４図は本発明による磁気ヘツ
ドの一例の斜視図、第５図は同一部の拡大正面
図、第６図は同磁気ヘツドの分解斜視図、第７図
〜第１３図は本発明による磁気ヘツドの一例の製
造工程図、第１４図は同工程により製造された磁
気ヘツドの斜視図、第１５図はアジマス記録用磁
気ヘツドの切削工程を示す斜視図、第１６図は同
アジマス記録用磁気ヘツドの斜視図、第１７図〜
第１９図は本発明による磁気ヘツドの他例の斜視
図である。 図中、１１，３１，３１′は磁気ヘツド、１１
ａ，１１ｂ，３１ａ，３１ｂは磁気コア半体、１
３，２３は金属磁性薄膜層、１２，２２は非磁性
材、ｇは磁気ギヤツプである。
の各例の斜視図、第４図は本発明による磁気ヘツ
ドの一例の斜視図、第５図は同一部の拡大正面
図、第６図は同磁気ヘツドの分解斜視図、第７図
〜第１３図は本発明による磁気ヘツドの一例の製
造工程図、第１４図は同工程により製造された磁
気ヘツドの斜視図、第１５図はアジマス記録用磁
気ヘツドの切削工程を示す斜視図、第１６図は同
アジマス記録用磁気ヘツドの斜視図、第１７図〜
第１９図は本発明による磁気ヘツドの他例の斜視
図である。 図中、１１，３１，３１′は磁気ヘツド、１１
ａ，１１ｂ，３１ａ，３１ｂは磁気コア半体、１
３，２３は金属磁性薄膜層、１２，２２は非磁性
材、ｇは磁気ギヤツプである。
Claims (1)
- １ 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合
面に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形
成し、この磁気コア半体対を突き合わせて磁気ギ
ヤツプを形成してなり、該磁気ギヤツプは磁気コ
ア半体接合面の略中央に位置してなる磁気ヘツド
において、強磁性酸化物に対する強磁性金属薄膜
の接合面と該接合面に対する強磁性金属薄膜の外
周面とが磁気ギヤツプ形成面に対し所要角度で傾
斜しており、上記強磁性金属薄膜のみにより磁気
ギヤツプを形成し、強磁性金属薄膜は、磁気コア
半体の一平面上に形成されていることを特徴とす
る磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14013683A JPS6032107A (ja) | 1983-07-30 | 1983-07-30 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14013683A JPS6032107A (ja) | 1983-07-30 | 1983-07-30 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032107A JPS6032107A (ja) | 1985-02-19 |
| JPH0546009B2 true JPH0546009B2 (ja) | 1993-07-12 |
Family
ID=15261716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14013683A Granted JPS6032107A (ja) | 1983-07-30 | 1983-07-30 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032107A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126614A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
| JPS63205809A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Canon Inc | 磁気ヘツド |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496013A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Compound magnetic head |
| JPS56124112A (en) * | 1980-03-06 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| JPS56169214A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic head |
| JPS58155513A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS58175122A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1983
- 1983-07-30 JP JP14013683A patent/JPS6032107A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496013A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Compound magnetic head |
| JPS56124112A (en) * | 1980-03-06 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| JPS56169214A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic head |
| JPS58155513A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS58175122A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6032107A (ja) | 1985-02-19 |
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