JPS63205809A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気ヘット、特に高透磁率材ブロック上に高飽
和磁束密度膜を形成した磁気コアを有する磁気ヘッドに
関するものである。

［従来例の技術］ 従来メタル塗布テープ、金属蒸着テープ等の高抗磁力磁
性媒体に適する磁気ヘッドとして、いわゆるＭ　Ｉ　Ｇ
　（Ｍｅｔａｌ　ｉｎ　Ｇａｐ）　ヘッドと呼ばれるも
のかあり、既に実用に供されている。

ＭＩＧヘッドは、コアの大部分にフェライト等の高透磁
率材を用いギャップ近傍の磁極先端部を高飽和磁束密度
材、即ち、パーマロイ、センタスト、アモルファス等の
合金磁性材て形成した構造となっている。ＭＩＧヘット
には、摺動面上における金属磁性材とフェライトとの境
界か、作動ギャップに平行なタイプ（これをＰタイプと
呼ぶことにする。たとえば特開昭５１−１４０７０８号
公報等が開示されている）と、前記境界か作動ギャップ
と非平行でアジマスが付いたタイプ（これをＡタイプと
呼ぶことにする。たとえば、特開昭５４− ９６０１３号公報、特開昭６０−３２１０７号公報等に
開示されている。）とがあり、現在まてのところＡタイ
プのＭＩＧヘッドが実用化されている。

ところで上述の如＜ＭＩＧヘッドにあっては、作動磁気
ギャップは、いわゆるツキ合わせ工程に依り形成されて
いた。このように従来のツキ合わせ工程により作動ギャ
ップを形成したヘットは、ギャップ幅のバラツキか多く
、結果としてヘット間の特性のバラツキも大きかった。

このバラツキを無くす目的でツキ合わせ工程な経ずにギ
ャップを形成したＭＩＧヘットも提案されている。この
種のヘットでは金属磁性膜上に磁気ギャップとなるギャ
ップ材となる絶縁膜を形成して、更にこの絶縁膜上に更
に金属磁性膜か形成されている。

この様なツキ合わせ工程を含まないＭＩＧヘットとして
はＡタイプのものか特開昭６０−１７７３１４号公報に
開示され、Ｐタイプのものとしては本出願人に係る特願
昭６０−１８７４８６号に開示している。

第５図（Ａ）、（Ｂ）は夫々従来の突合せ工程を含まな
いＭＩＧヘッドの例を示す斜視図であり、２はフェライ
ト等の高透磁率磁性材よりなるブロック、４は高透磁率
材ブロック２上に蒸着、スパッタリング等の薄膜堆積法
に被着されたセンダスト等の高飽和磁束密度磁性金属よ
りなる第１の磁性金属膜、６は第１の磁性金属膜４上に
堆積、被着されたＳｉｏ２等の非磁性材よりなる　非磁
性膜、８は非磁性膜６上に堆積、被着された第２の磁性
金属膜、１０．１４はガラス等の非磁性材、１２は巻線
窓である。

第５図（Ａ）に示す例では第２の磁性金属膜８に補強ブ
ロックとして非磁性の保護板１６をガラス溶着等の手法
により接合せしめたものである。他方第５図（Ｂ）に示
す例では補強ブロックとして非磁性材１８とフェライト
等の高透磁率磁性材２０とを接合したものを用いている
。

［発明の解決しようとする問題点］ 第５図（Ａ）に示した従来の磁気ヘッドにあっては、第
２磁極が第２の磁性金属膜８のみから構成されることに
なるので、磁気抵抗が大きく電磁変換特性については満
足のできるものてはない。

他方、第５図（Ｂ）に示した磁気ヘットにあっては非磁
性材１日の部分を特に第２の磁性金属膜に対向する部分
に於て少なくすることが望ましい。しかじなか−ら補強
ブロックに於てこの非磁性材１８の部分か小さくなって
しまうと、第５図（Ｂ）に示す如く、ヘッドの面取り更
には摩耗等により磁気記録媒体摺動面に高透磁率磁性材
１８が露呈してしまう。これに伴い、この高透磁率磁性
材２０と第２の磁性金属膜８との間に擬似ギャップを形
成してしまうことになり、周波数特性に於てリップルを
生じてしまう。

しかし、かといって補強ブロックに於る非磁性材１８の
占める割合を多くすれば、第５図（Ａ）の磁気ヘッドに
対して大きな電磁変換特性の改善ができない。

本発明は上述の如き問題に鑑みてなされ、電磁変換特性
か良好で、かつ突合せ工程の様な複雑な工程を必要とせ
ず良好な電磁変換を行うことが可能な磁気ヘッドを提供
することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ かかる目的下に於て本発明にあっては巻線用溝が形成さ
れている高透磁率材ブロックと、該クロックの前記溝の
形成されている面に対して被着された高飽和磁束密度材
よりなる第１の磁性膜と、該第１の磁性膜上に被着され
た磁気ギャップとなる非磁性膜と、該非磁性膜上に被着
された高飽和磁束密度材よりなる第２の磁性膜と、該第
２の磁性膜上に配置された補強プロツりを有し、該補強
ブロックの磁気記録媒体摺動面側部分は非磁性材より成
り、他の部分は高透磁率材より成ると共に、これらの境
界面の前記高透磁率材側が前記非磁性膜に対し鋭角とな
る様傾斜せしめた構成としている。

［作用］ 上述の如く構成することにより第２の磁性膜の媒体摺動
面近傍まで補強ブロックの高透磁率材か接することにな
り、良好な電磁変換特性が得られることになる。また、
媒体摺動面が摩耗しても媒体摺動面に高透磁率材が露呈
しないので擬似ギャップにより電磁変換特性への悪影響
も生じない。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。

第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は夫々本発明の実施例と
しての磁気ヘッドを示す斜視図であり、各例共高透磁率
材グロック２、第１の磁性金属膜４、非磁性膜６、第２
の磁性金属膜８、非磁性材１０．１４　、巻線窓１２に
ついては第５図（Ａ）　、（Ｂ）に示した磁気ヘットと
同様であるので説明は省略する。

第１図（Ａ）は高透磁率材クロック２２と非磁性材２４
とを溶着ガラス２６て接合した構造の補強グロックを有
するもので、この補強クロックを低融点ガラス２８によ
り第２の磁性金属膜と接合している。この補強ブロック
の高透磁率材２２と非磁性材との境界面の高透磁率材側
が磁気ギャップとなる非磁性膜６に対して鋭角θ０をな
す構成としている。

第１図（Ｂ）に示す磁気ヘッドは高透磁率材２２に対し
て高融点ガラス３０を接合してなる補強ブロックを有す
るもので、この高融点ガラス３０と高透磁率材２２との
境界面の高透磁率材側は非磁性膜６に対し鋭角をなす構
成としている。

上述各実施例の磁気ヘットによれば高透磁率材２２と非
磁性材２４．３０との境界面か磁気ギャップと高透磁率
材側でなす角が鋭角θ０　となっているので媒体摺動面
が摩耗してもすぐに高透磁率材が媒体摺動面に露呈する
様なことはなく摩耗が進むに伴って磁気ヘッドの周波数
特性にリップルを発生することはない。またこれにも係
らず高透磁率材２２と第２の磁性金属膜との接触面積は
大きくとれるので磁気ベットの電磁変換特性は極めて良
好なものとなる。

次に第１図（Ａ）、（Ｂ）に示す実施例に於て高透磁率
材２２と非磁性材２４．３０との境界面の理想的な位置
について考察を加える。第２図（Ａ）。

（Ｂ）は上記境界面の理想的な位置及び上記θの理想的
な数値について説明するための図であり、第２図（Ａ）
は第１図（Ａ）、（Ｂ）のヘッドのトラック幅内に於る
断面図である。

高透磁率材２２は本例のヘッドがヘッドとして作用する
以上は媒体摺動面に露呈しない構成とすることが望まし
く、ヘットがギャップデプスエンドＸの部分（第２図（
Ａ）に示す）まて摩耗しても媒体摺動面に露呈しない範
囲でてきるだけ媒体摺動面の近くまで存在する様にする
ことか望ましい。従って上記境界面はデプスエンドＸ近
傍から端を発していることが望ましく、かつ媒体摺動面
の端部Ｙに於いても非磁性材２４（または３０）の厚み
がギャップデプスＧ、と一致する様決定してやることか
望ましい。

ここで今媒体摺動面の曲率半径をＲｔ、ヘッドの全幅を
２Ｌｃとした時のθを計算してみる。第２図（Ｂ）に於
て本来の境界面は点線で示しているが、図中垂直方向が
磁気ギャップの方向とした時図中θで示す角度を計算す
ればよい。

ここでθ＝　ｔａｎ−１（Ｌｃ／　１２　）　　であり
、ｔ２＝ａｔ−ｔ、、即ち　Ｚ　２−Ｒｔ　　　ＲｔＴ
］７’である。従って 第１図（Ｃ）に示す実施例の磁気ヘットは」ニ述の境界
面か媒体摺動面に沿った曲率半径を持つ場合の例であり
、媒体摺動面の曲率半径がギャップデプス０４分たけ小
さく設定するのか理想的である。

次に第１図（Ａ）に示す如き磁気ヘッドの製造工程につ
いて第３図（Ａ）〜（Ｆ）を用いて説明する。

第３図（Ａ）において、３２は、フェライト単結晶の直
方体ブロックの一部で、その位置面には巻線窓用モ溝３
４を形成後第３図（Ｂ）に示す如くスパッタリング、物
理蒸着、メッキ、ＣＶＤ等の方法により、高飽和磁束密
度材３６を厚さ１０ＩＬｍ〜５０ｇｍ程度成膜する。

ここで高飽和磁束密度材としてセンダストを用いる場合
、ｌｌｌ３６の表面かフェライトｌの表面と平行かやや
凸状とすれば内部応力の発生を小さくできるものである
。成膜後筒３図（Ｃ）に示すように、アルミ、銅、ニッ
ケル、亜鉛、鉄等の細！Ｉａ３８を溝３４に落し込み、
融点が５５０°Ｃ〜６６０℃程の第１の低融点ガラス４
０で埋め込む。第３図（Ｃ）では、溝を第１の低融点ガ
ラス４０で埋め込んだ後、ギャップ面を形成するため平
面ラップした状態を示す。平面ラップ後、第３図（Ｄ）
のように先ずＳｉｎ、などのキャップ材４２を設計に応
じ、たとえば０，２〜０．３ｇｍ、続いてもう一方の磁
極を形成するための第２の金属磁性１１９４４をたとえ
ば厚さｌＯ〜５０ｐｍ程成膜する。第３図（Ｅ）は、ギ
ャップ近傍のトラック幅を規制するため、第２の溝４６
１〜４６．を加工した状態を示す。溝と溝とに挟まれた
トラック幅Ｔｗ規制部の両側面はほぼ平行である。３層
の膜３６，４２゜４４、相互及びフエライｌトとの密着
性その他に難があり、溝４６．〜４６．を一度で加工で
きない場合等には、トラックの右側を規制する溝と、左
側を規制する溝とを２度に分けて加工する。

また、溝を低融点ガラスで埋める際には、金属磁性膜と
低融点ガラスとの反応を防ぐ為、溝面に現われた金属磁
性膜面上にＣｒ　、　（：　ｒ　Ｏｚ等の金属膜、金属
酸化膜を薄く成膜しておくと良い。第３図（Ｆ）はトラ
ック暢加工用の溝４６．〜４６４を利用し、予め用意し
た保護ブロック４８，５０．５２を融点か５００℃〜５
５０℃程の第２の低融点ガラス５６１〜５６４で溶着し
た様子を示す。この時非磁性材４８と高透率材５２との
境界面の第２の磁性金属膜４４と接するギャップデプス
方向の位置がギャップデプスエンドＤ６と大略一致する
様接合する。保護ブロックの上部、摺動面側は、非磁性
材４８、下部はフェライト単結晶等の高透磁率材５２で
あり、２つの部材は、融点が５５０°Ｃ〜６００℃程の
第３の低融点ガラス等の接着剤５０で接着されている。

このコアブロックから点線Ｌｌ　、Ｌ２で示したように
切出したチップをカセイソータ水溶液などのアルカリ性
液あるいは塩酸等の酸性液に浸漬するなどして巻線窓用
溝に埋められた金属棒４を溶解除去し、巻線窓を形成す
る。摺動面等の外形加工を終えたヘッドチップの概略斜
視図が第１図（Ａ）である。

前記実施例中の非磁性剤２４と高透磁率材２２との複合
ブロックは、溶着ガラス２６で接合して作られるが溶着
ガラスに、耐久性、耐食性にすぐれたものを用いれば非
磁性材２１を用いることなく、溶着ガラスそのものを非
磁性材として媒体摺動面に露呈することも可能である。

また、高透磁率材２２の媒体摺動面側をヘッドの媒体摺
動面と同じ形状に加工しておいたのち、溶着ガラスをも
れば、第１図（Ｃ）に示すような補強ブロックが得られ
る。

また捲線溝を有するコア半休の金属磁性材料４の媒体摺
動面における形状としては、高透磁率材２との境界の擬
似ＧＡＰによる周波数特性のうねりなどを考慮して、第
４図（Ａ）〜（Ｋ）に示す如く様々な変形が考えられる
。

［発明の効果］ 以上説明した様に１本発明によれば高透磁率材ブロック
と、該ブロック上に高飽和磁束密度膜、非磁性膜、高飽
和磁束密度膜の順に被着する磁気ヘッドにおいて、磁気
抵抗か小さく摩耗後も良好な″Ｗｆ、磁変換特性を維持
できるものか得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）　、　（Ｂ）　、　（Ｃ）は夫々本発明の
磁気ヘットの実施例を示す外観斜視図。 第２図（Ａ）、（Ｂ）は第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
に示す磁気ヘットの理想的な構造を説明するための図、 第３図（Ａ）〜（Ｆ）　　は第１図（Ａ）に示す磁気ヘ
ッドの製造工程を示す図、 第４図（Ａ）〜（Ｋ）　　は第１の磁性金属膜の様々な
変形例を示す図、 第５図（Ａ）、（Ｂ）は夫々従来の磁気ヘッドを示す外
観斜視図である。 ２は高透磁率材ブロック ４は第１の磁性膜 ６は非磁性膜 ８は第２の磁性膜 ２２は補強ブロックの高透磁率材 ２４は補強ブロックの非磁性材 Ｘはギャップデプスエンド である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）巻線用溝が形成されている高透磁率材ブロックと
   、該ブロックの前記溝の形成され ている面に対して被着された高飽和磁束密 度材よりなる第１の磁性膜と、該第１の磁 性膜上に被着された磁気ギャップとなる非 磁性膜と、該非磁性膜上に被着された高飽 和磁束密度材よりなる第２の磁性膜と、該 第２の磁性膜上に配置された補強ブロック を有し、該補強ブロックの磁気記録媒体摺 動面側部分は非磁性材より成り、他の部分 は高透磁率材より成ると共に、これらの境 界面の前記高透磁率材側が前記非磁性膜に 対し鋭角となる様傾斜せしめたことを特徴 とする磁気ヘッド。
2. （２）前記境界面が前記磁気ギャップの深さ方向の端部
   近傍から前記媒体摺動面に沿って 前記補強ブロックの他端まで延在すること を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記 載の磁気ヘッド。