JPH0227726B2 - Jikihetsudo - Google Patents
JikihetsudoInfo
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- JPH0227726B2 JPH0227726B2 JP24511883A JP24511883A JPH0227726B2 JP H0227726 B2 JPH0227726 B2 JP H0227726B2 JP 24511883 A JP24511883 A JP 24511883A JP 24511883 A JP24511883 A JP 24511883A JP H0227726 B2 JPH0227726 B2 JP H0227726B2
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- Japan
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- glass
- bonding
- gap
- melting point
- magnetic head
- Prior art date
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/235—Selection of material for gap filler
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、VTR等の磁気ヘツドに関する。
（従来例の構成とその問題点）
従来磁気ヘツドの作製法としては第１図に示す
ように、左右のコア１，１′のギヤツプ面にSiO2
等のギヤツプ材３，３′をスパツター法により形
成し、更にこの上に接着材、ギヤツプ材の両者の
役目を兼ねた低融点ガラス２，２′をやはりスパ
ツター法等により形成し、両者を所定の温度でボ
ンデイングガラス４を溶融する事により接合して
磁気ヘツドを構成していた。この場合上述のボン
デイングガラス４が該低融点ガラス２，２′上で、
はじかれて丸くなつてしまつてうまく流れず、第
１図に示すように謂ゆるアペツクス部にボンデイ
ングガラスが流れていない部分が生じ、実用上機
械的耐久性に問題があつた。
ように、左右のコア１，１′のギヤツプ面にSiO2
等のギヤツプ材３，３′をスパツター法により形
成し、更にこの上に接着材、ギヤツプ材の両者の
役目を兼ねた低融点ガラス２，２′をやはりスパ
ツター法等により形成し、両者を所定の温度でボ
ンデイングガラス４を溶融する事により接合して
磁気ヘツドを構成していた。この場合上述のボン
デイングガラス４が該低融点ガラス２，２′上で、
はじかれて丸くなつてしまつてうまく流れず、第
１図に示すように謂ゆるアペツクス部にボンデイ
ングガラスが流れていない部分が生じ、実用上機
械的耐久性に問題があつた。
（発明の目的）
本発明はこれらの問題点を解決し、ギヤツプ精
度が良好で、かつ機械的耐久性が高く信頼性のあ
る磁気ヘツドの構成法に関するものである。
度が良好で、かつ機械的耐久性が高く信頼性のあ
る磁気ヘツドの構成法に関するものである。
（発明の構成）
第２図及び第３図ａ，ｂを用いて本発明の概要
を説明する。本発明者らは実験の結果、低融点ガ
ラス膜上にボンデイングガラスをのせて溶融する
とたとえボンデイングガラスは軟化しても低融点
ガラス膜上ではじいてしまいぬれ性の悪い事、適
当な金属膜上ではボンデイングガラスはよくなじ
んで極めて良好な接着が可能な事を見い出し、第
２図に示すような構造の磁気ヘツドを試作した。
即ち同図において１，１′は左右のヘツドコア、
３はSiO2等の非磁性酸化物絶縁膜からなるギヤ
ツプ材、２は接合面の接着材及びギヤツプ材を兼
ねる低融点ガラスで、600℃以下の軟化点を有す
る。５はCr、Mo、Ｗ、Ti等の、ボンデイングガ
ラスとのぬれ性の良好な金属膜である。このよう
にする事により、第１図の場合では、はじいて丸
くなつてしまつていたボンデイングガラス４が、
第２図に示すように、よくなじんでアペツクス部
分をきれいにうめる事がわかつた。ところが信頼
性試験を行なつたところ、テープ摺動面に出てい
る上述の金属膜５が偏摩耗を生じ、磁気ヘツドの
出力が低下するという問題点がある事がわかつ
た。そこでこの問題点を解決するために金属膜を
形成する際、レジスト等をつけて巻き線溝部だけ
に金属膜をつけたり、一度全面につけた金属膜を
リフトオフ法もしくはエツチングなどにより溝部
以外は取除くという方式もとられたが、いたずら
に工程を複雑にするばかりか、ギヤツプ面に金属
膜が無い場合、低融点ガラス膜を厚くしないとこ
の部分の接着強度が低下する事がわかつた。低融
点ガラス膜層部２又は２′の厚さが増加すると磁
気ヘツドを形成する際圧力を加えて接合するので
多少変形し、ギヤツプ精度が出にくいという問題
点が生ずるため、これは望ましくない事である。
以上の問題点を解決するために考案したのが本発
明の磁気ヘツドの構成法で、一例を第３図ａ，ｂ
に示す。図ａ，ｂは低融点ガラス２と金属膜５と
が左右逆になつているだけであり、同図において
１，１′は左右の磁気ヘツドコア、２は低融点ガ
ラス、３，３′はSiO2等のギヤツプ材、４はボン
デイングガラス、５はボンデイングガラスとのぬ
れ性の良い適当な金属膜であり、２の低融点ガラ
ス膜は厚さが800Å以下、５の金属膜の厚さは
2000Å以下である事が望ましい。何故ならば、こ
のようにする事によりテープ摺動面のギヤツプ部
偏摩耗が避けられるばかりか、低融点ガラス層を
薄くする事によりギヤツプ精度を上げる事が出来
るからである。このように一方のコア接合面に
SiO2等の酸化物と薄い低融点ガラスとの二層膜
を、他方のコア接合面上に同じ上述の酸化物と薄
い金属との二層膜を形成し、両者を低融点ガラス
と金属膜が対向するようにボンデイングガラス４
を用いて接合した場合、該金属膜が極めて薄くと
もボンデイングガラス４の流れは良く、同図に示
したように良好なアペツクス部の接合ができる。
その上ギヤツプ面自体の接合力も低融点ガラス２
と金属膜５とのなじみが良好なため、低融点ガラ
ス同士の場合よりも向上するばかりか、低融点ガ
ラス層の厚みが薄くてもうまく接合するため、ギ
ヤツプ精度も向上する事がわかつた。
を説明する。本発明者らは実験の結果、低融点ガ
ラス膜上にボンデイングガラスをのせて溶融する
とたとえボンデイングガラスは軟化しても低融点
ガラス膜上ではじいてしまいぬれ性の悪い事、適
当な金属膜上ではボンデイングガラスはよくなじ
んで極めて良好な接着が可能な事を見い出し、第
２図に示すような構造の磁気ヘツドを試作した。
即ち同図において１，１′は左右のヘツドコア、
３はSiO2等の非磁性酸化物絶縁膜からなるギヤ
ツプ材、２は接合面の接着材及びギヤツプ材を兼
ねる低融点ガラスで、600℃以下の軟化点を有す
る。５はCr、Mo、Ｗ、Ti等の、ボンデイングガ
ラスとのぬれ性の良好な金属膜である。このよう
にする事により、第１図の場合では、はじいて丸
くなつてしまつていたボンデイングガラス４が、
第２図に示すように、よくなじんでアペツクス部
分をきれいにうめる事がわかつた。ところが信頼
性試験を行なつたところ、テープ摺動面に出てい
る上述の金属膜５が偏摩耗を生じ、磁気ヘツドの
出力が低下するという問題点がある事がわかつ
た。そこでこの問題点を解決するために金属膜を
形成する際、レジスト等をつけて巻き線溝部だけ
に金属膜をつけたり、一度全面につけた金属膜を
リフトオフ法もしくはエツチングなどにより溝部
以外は取除くという方式もとられたが、いたずら
に工程を複雑にするばかりか、ギヤツプ面に金属
膜が無い場合、低融点ガラス膜を厚くしないとこ
の部分の接着強度が低下する事がわかつた。低融
点ガラス膜層部２又は２′の厚さが増加すると磁
気ヘツドを形成する際圧力を加えて接合するので
多少変形し、ギヤツプ精度が出にくいという問題
点が生ずるため、これは望ましくない事である。
以上の問題点を解決するために考案したのが本発
明の磁気ヘツドの構成法で、一例を第３図ａ，ｂ
に示す。図ａ，ｂは低融点ガラス２と金属膜５と
が左右逆になつているだけであり、同図において
１，１′は左右の磁気ヘツドコア、２は低融点ガ
ラス、３，３′はSiO2等のギヤツプ材、４はボン
デイングガラス、５はボンデイングガラスとのぬ
れ性の良い適当な金属膜であり、２の低融点ガラ
ス膜は厚さが800Å以下、５の金属膜の厚さは
2000Å以下である事が望ましい。何故ならば、こ
のようにする事によりテープ摺動面のギヤツプ部
偏摩耗が避けられるばかりか、低融点ガラス層を
薄くする事によりギヤツプ精度を上げる事が出来
るからである。このように一方のコア接合面に
SiO2等の酸化物と薄い低融点ガラスとの二層膜
を、他方のコア接合面上に同じ上述の酸化物と薄
い金属との二層膜を形成し、両者を低融点ガラス
と金属膜が対向するようにボンデイングガラス４
を用いて接合した場合、該金属膜が極めて薄くと
もボンデイングガラス４の流れは良く、同図に示
したように良好なアペツクス部の接合ができる。
その上ギヤツプ面自体の接合力も低融点ガラス２
と金属膜５とのなじみが良好なため、低融点ガラ
ス同士の場合よりも向上するばかりか、低融点ガ
ラス層の厚みが薄くてもうまく接合するため、ギ
ヤツプ精度も向上する事がわかつた。
（実施例の説明）
参考例
非晶質合金をガラスでサンドイツチしたヘツド
コアの一方のギヤツプ面にSiO2と低融点ガラス
をそれぞれ500Åずつスパツターし、他方のコア
のギヤツプ面に2500ÅCrをスパツターし第２図
に示したような構成とし、棒状のボンデイングガ
ラスを480℃でアペツクスに流して接合を行なつ
た。その結果ボンデイングガラスはよく流れギヤ
ツプ接合には何ら問題のない事がわかつた。次に
この得られたヘツドを通常のVTRデツキにつけ
市販されているVTRテープを500時間走行させた
ところ第４図に示すようにギヤツプ面内のCr5が
偏摩耗してその大きさδが約500Å生じたためス
ペーシングロスのため大幅な出力低下をきたし問
題のある事がわかつた。第４図中２は低融点ガラ
ス、３はSiO2、４は溶融したボンデイングガラ
スである。又金属膜としてCrのかわりにMo、
Ｗ、Ti等を用いても同じように偏摩耗を生じた。
コアの一方のギヤツプ面にSiO2と低融点ガラス
をそれぞれ500Åずつスパツターし、他方のコア
のギヤツプ面に2500ÅCrをスパツターし第２図
に示したような構成とし、棒状のボンデイングガ
ラスを480℃でアペツクスに流して接合を行なつ
た。その結果ボンデイングガラスはよく流れギヤ
ツプ接合には何ら問題のない事がわかつた。次に
この得られたヘツドを通常のVTRデツキにつけ
市販されているVTRテープを500時間走行させた
ところ第４図に示すようにギヤツプ面内のCr5が
偏摩耗してその大きさδが約500Å生じたためス
ペーシングロスのため大幅な出力低下をきたし問
題のある事がわかつた。第４図中２は低融点ガラ
ス、３はSiO2、４は溶融したボンデイングガラ
スである。又金属膜としてCrのかわりにMo、
Ｗ、Ti等を用いても同じように偏摩耗を生じた。
実施例
非晶質合金をガラスでサンドイツチしたヘツド
コアの一方のギヤツプ面にSiO2と低融点ガラス
をそれぞれ厚さ800Åと600Åスパツター法により
設け、他方のコアのギヤツプ面にSiO2とCrを厚
さ800Å及び1000Åスパツター法により設けて第
３図に示したような構成とし、棒状のボンデイン
グガラスを480℃でアペツクスに流して接合を行
なつた。その結果ボンデイングガラスはよく流れ
ギヤツプ接合には何ら問題のない事がわかつた。
次にこの得られたヘツドを通常のVTRデツキに
つけ市販されているVTRテープを500時間走行さ
せたところギヤツプ面内のCr膜部及び低融点ガ
ラス部の偏摩耗は100Å以下でヘツド出力の低下
はまつたく生じなかつた。
コアの一方のギヤツプ面にSiO2と低融点ガラス
をそれぞれ厚さ800Åと600Åスパツター法により
設け、他方のコアのギヤツプ面にSiO2とCrを厚
さ800Å及び1000Åスパツター法により設けて第
３図に示したような構成とし、棒状のボンデイン
グガラスを480℃でアペツクスに流して接合を行
なつた。その結果ボンデイングガラスはよく流れ
ギヤツプ接合には何ら問題のない事がわかつた。
次にこの得られたヘツドを通常のVTRデツキに
つけ市販されているVTRテープを500時間走行さ
せたところギヤツプ面内のCr膜部及び低融点ガ
ラス部の偏摩耗は100Å以下でヘツド出力の低下
はまつたく生じなかつた。
（発明の効果）
以上のように本発明は、従来より問題であつた
アペツクス部のボンデイングガラスの流れをよく
すると同時にギヤツプ部の偏摩耗の問題も生じず
極めて有用である。
アペツクス部のボンデイングガラスの流れをよく
すると同時にギヤツプ部の偏摩耗の問題も生じず
極めて有用である。
第１図は従来のヘツドギヤツプ部接合法を示す
図、第２図は、本発明の構成を導くに当つて試作
した参考例の構成図、第３図ａ，ｂは、それぞれ
本発明の実施例の構成図、第４図は、本発明によ
るヘツドのギヤツプ近傍における偏摩耗の状態を
示す図である。 １，１′……ヘツドコア、２……低融点ガラス、
３，３′……酸化物ギヤツプ材、４……ボンデイ
ングガラス、５……金属膜。
図、第２図は、本発明の構成を導くに当つて試作
した参考例の構成図、第３図ａ，ｂは、それぞれ
本発明の実施例の構成図、第４図は、本発明によ
るヘツドのギヤツプ近傍における偏摩耗の状態を
示す図である。 １，１′……ヘツドコア、２……低融点ガラス、
３，３′……酸化物ギヤツプ材、４……ボンデイ
ングガラス、５……金属膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 二つの磁気ヘツドコアを接合して磁気ギヤツ
プを形成する磁気ヘツドにおいて、接合面にギヤ
ツプ材となる非磁性酸化物絶縁膜と接合面の接着
材及びギヤツプ材を兼ねる低融点ガラス層とを積
層した第１のコアと、接合面に前記非磁性酸化物
絶縁膜とボンデイングガラスとのぬれ性の良好な
Cr、Mo、Ｗ、Tiの中から選択された一種の金属
膜とを積層した第２のコアとを、前記両接合面を
重ねてボンデイングガラスの溶融により接合した
構造を有することを特徴とする磁気ヘツド。 ２ 金属膜の厚さが2000Å以下でかつ低融点ガラ
ス層の厚さが800Å以下であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24511883A JPH0227726B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | Jikihetsudo |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24511883A JPH0227726B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | Jikihetsudo |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140507A JPS60140507A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH0227726B2 true JPH0227726B2 (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=17128885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24511883A Expired - Lifetime JPH0227726B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | Jikihetsudo |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227726B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0389510U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-12 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24511883A patent/JPH0227726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60140507A (ja) | 1985-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |