JPS6093610A - 磁気ヘツド製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド製造方法Info
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- JPS6093610A JPS6093610A JP19820283A JP19820283A JPS6093610A JP S6093610 A JPS6093610 A JP S6093610A JP 19820283 A JP19820283 A JP 19820283A JP 19820283 A JP19820283 A JP 19820283A JP S6093610 A JPS6093610 A JP S6093610A
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- Japan
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- magnetic
- magnetic layer
- magnetic head
- glass
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
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- G—PHYSICS
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- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年高保磁力のメタルテープの出現により、高磁束密度
の磁心材料を用いるメタル系磁気ヘッドの開発が盛んに
進められている。これらメタル系磁気ヘッドの材料には
センダストや非晶質合金があげられる。しかし、従来よ
シフエライトヘッドを製作するのに使用されている磁気
ギャップ製造方法を、これらメタル系ヘッド材料を用い
た磁気ヘッド製作に用いるのは困難であった。すなわち
、従来の方法は磁気ギャップ部にガラスを用い、これを
フェライトではさんで高温度下で軟化させ、接合するも
のであるが、このときガラスの一部分かわずかにフェラ
イト中に拡散し、ギャップ接着強度を上昇させるほか、
ガラスの熱膨張係数がフェライトのそれに近いものが選
べる利点があるためである。
の磁心材料を用いるメタル系磁気ヘッドの開発が盛んに
進められている。これらメタル系磁気ヘッドの材料には
センダストや非晶質合金があげられる。しかし、従来よ
シフエライトヘッドを製作するのに使用されている磁気
ギャップ製造方法を、これらメタル系ヘッド材料を用い
た磁気ヘッド製作に用いるのは困難であった。すなわち
、従来の方法は磁気ギャップ部にガラスを用い、これを
フェライトではさんで高温度下で軟化させ、接合するも
のであるが、このときガラスの一部分かわずかにフェラ
イト中に拡散し、ギャップ接着強度を上昇させるほか、
ガラスの熱膨張係数がフェライトのそれに近いものが選
べる利点があるためである。
しかし、センダストや非晶質合金のガラスによる接着強
度がきわめて弱いほか、センダストの場合には熱膨張係
数αが α１＝０Ｘ１０ ／′Ｃ ときわめて犬きく、それにくらべてガラスノ熱膨張係数
α、は α１＝５０Ｘ１０−ン℃ないし１２０×１０」尤と小さ
いため、両者の熱膨張係数が合わせられないという問題
点がある。
度がきわめて弱いほか、センダストの場合には熱膨張係
数αが α１＝０Ｘ１０ ／′Ｃ ときわめて犬きく、それにくらべてガラスノ熱膨張係数
α、は α１＝５０Ｘ１０−ン℃ないし１２０×１０」尤と小さ
いため、両者の熱膨張係数が合わせられないという問題
点がある。
なおメタル材料をガラスによって接着することが困難な
原因としては、フェライトの場合と異なシ、ガラスがメ
タル内へ拡散しにくいことが考えられている。非晶質合
金の場合には、結晶化温度が５００℃付近にあシ、接着
もこの温度以下で行なわないと合金の磁気特性がそこな
われる問題点があシ、センダストの場合よシもガラスを
軟化させ、合金内に拡散させて、接着強度を上げるのは
困難である。また樹脂にょシメタル材を接着することは
比較的低い温度でも可能であるが、磁気ギャップ部のよ
うに±０．１μｍ以上の精度を必要とする接着には、樹
脂自体が膨張、収縮するので、使用できない。
原因としては、フェライトの場合と異なシ、ガラスがメ
タル内へ拡散しにくいことが考えられている。非晶質合
金の場合には、結晶化温度が５００℃付近にあシ、接着
もこの温度以下で行なわないと合金の磁気特性がそこな
われる問題点があシ、センダストの場合よシもガラスを
軟化させ、合金内に拡散させて、接着強度を上げるのは
困難である。また樹脂にょシメタル材を接着することは
比較的低い温度でも可能であるが、磁気ギャップ部のよ
うに±０．１μｍ以上の精度を必要とする接着には、樹
脂自体が膨張、収縮するので、使用できない。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記のようなメタル系磁気ヘッドにお
ける磁気ギャップ製作上の問題点を解決し、精度良く磁
気ギャップを形成することのできる方法を提供すること
である。
ける磁気ギャップ製作上の問題点を解決し、精度良く磁
気ギャップを形成することのできる方法を提供すること
である。
（発明の構成）
本発明の磁気ヘッド製造方法は、磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ部をス・やツタリング法で形成し、補助的にガラス
接着または樹脂接着を用いることによって、精度のよい
磁気ギャップを備えた磁気ヘッドを容易に製作するもの
である。
ップ部をス・やツタリング法で形成し、補助的にガラス
接着または樹脂接着を用いることによって、精度のよい
磁気ギャップを備えた磁気ヘッドを容易に製作するもの
である。
（実施例の説明）
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
する。
する。
第１図（、）に示したように、耐摩耗性の高融点ガラス
基板ｌを中央部２で切断し、同図（ｂ）で示すように切
断した一方のガラス基板３の表面上にス・ぐツタリング
法によシ非晶質合金よりなる磁性層４を形成する。つぎ
に、同図（ｃ）で示すように端面５を鏡面仕上げしたの
ち、スパッタリング法によシＳ ｒ ０２層６をｆ」着
させる。つぎに、同図（ｄ）で示すように、上記のよう
にして得られた複合体の底部と、前記の切断したもう一
方のガラス基板７の底部を一致させて、接着する。接着
に際しては、アーチ形破線で示した部分８を削Ｄｉシ、
この部分に上記の低融点ガラスを入れて接着すると、よ
シ効果的である。
基板ｌを中央部２で切断し、同図（ｂ）で示すように切
断した一方のガラス基板３の表面上にス・ぐツタリング
法によシ非晶質合金よりなる磁性層４を形成する。つぎ
に、同図（ｃ）で示すように端面５を鏡面仕上げしたの
ち、スパッタリング法によシＳ ｒ ０２層６をｆ」着
させる。つぎに、同図（ｄ）で示すように、上記のよう
にして得られた複合体の底部と、前記の切断したもう一
方のガラス基板７の底部を一致させて、接着する。接着
に際しては、アーチ形破線で示した部分８を削Ｄｉシ、
この部分に上記の低融点ガラスを入れて接着すると、よ
シ効果的である。
また基板３，７を構成する高融点ガラスを低融点ガラス
で接着するのは、拡散が起こシやすいので比較的簡単で
ある。このようにして得られた複合基板９の表面に、同
図（ｅ）で示すように、さらにスミ４ツタリング法によ
シ、同じ非晶質合金よりなる磁性層１０を形成する。得
られたものはｅ＆性層１０が連続して磁気的にショート
された形状になっているので、このまま平板状に研磨し
て、同図（ｆ）に示すようなギャップ６を有するコア１
１が得られる。
で接着するのは、拡散が起こシやすいので比較的簡単で
ある。このようにして得られた複合基板９の表面に、同
図（ｅ）で示すように、さらにスミ４ツタリング法によ
シ、同じ非晶質合金よりなる磁性層１０を形成する。得
られたものはｅ＆性層１０が連続して磁気的にショート
された形状になっているので、このまま平板状に研磨し
て、同図（ｆ）に示すようなギャップ６を有するコア１
１が得られる。
このようにして得られた磁気ヘッドは、従来の製法に比
べて極めてギャップ精度の良い特徴をもっている。
べて極めてギャップ精度の良い特徴をもっている。
しかし、この方法でヘッドを作製する際の唯一の問題点
は、同図（ｄ）で示した接着時における基板３と基板７
との表面位置の精度である。その理由は基板３上の磁性
層４と基板７上の磁性層１゜が、磁気ヘッドのトラック
となる構造の場合、側基板３，７の接着時に段差を生ず
ると、それがギャップを介して、磁気ヘッドの左右のト
ラック幅のずれとなるからである。トラック幅が３０μ
ｍの磁気ヘッドの場合には、第１図で示しだような作製
法でも、あまシ精度的に問題にならないが、トラック幅
が１０μｍ以下の場合には精度的に問題となる。本発明
ではさらにこの問題点をも解決し、極めてギャップ精度
がよく、ギャップ部を介して左右のトラックすれかなく
、狭トラツクヘッドの製作に適した磁気へ、ドの製作を
可能にするものである。
は、同図（ｄ）で示した接着時における基板３と基板７
との表面位置の精度である。その理由は基板３上の磁性
層４と基板７上の磁性層１゜が、磁気ヘッドのトラック
となる構造の場合、側基板３，７の接着時に段差を生ず
ると、それがギャップを介して、磁気ヘッドの左右のト
ラック幅のずれとなるからである。トラック幅が３０μ
ｍの磁気ヘッドの場合には、第１図で示しだような作製
法でも、あまシ精度的に問題にならないが、トラック幅
が１０μｍ以下の場合には精度的に問題となる。本発明
ではさらにこの問題点をも解決し、極めてギャップ精度
がよく、ギャップ部を介して左右のトラックすれかなく
、狭トラツクヘッドの製作に適した磁気へ、ドの製作を
可能にするものである。
第２図（、）において２１は基板、２２はスパッタリン
グ法または蒸着法によシ形成された磁性層である。つぎ
に同図（ｂ）で示すように一方の側面を鏡面研磨し、非
磁性体２３を、磁性ギャップとなる所望の厚さまでスパ
ッタリング法により形成する。
グ法または蒸着法によシ形成された磁性層である。つぎ
に同図（ｂ）で示すように一方の側面を鏡面研磨し、非
磁性体２３を、磁性ギャップとなる所望の厚さまでスパ
ッタリング法により形成する。
つぎに同図（Ｃ）で示すように、これを裏がえしてＡ第
２の基板２４に第１の基板２１の磁性層２２が対向する
ように接合する。この接合方法は、基板２４の表面にあ
らかじめ低融点ガラスを５００Ｘないし１００ＯＸの厚
さに、スパッタリング法により付着させておき、温度を
上げて接合する。
２の基板２４に第１の基板２１の磁性層２２が対向する
ように接合する。この接合方法は、基板２４の表面にあ
らかじめ低融点ガラスを５００Ｘないし１００ＯＸの厚
さに、スパッタリング法により付着させておき、温度を
上げて接合する。
つぎに同図（ｄ）で示すように、さらにこの上よりスパ
ッタリング法により磁性層２２′の形成を行なって、複
合体を得る。この複合体の一部を一点鎖線で示した位置
で切断し、平面研磨を行なえば）同図（、）で示すよう
な磁気ギャップ２３とトラック２２．２２’との磁気ヘ
ッドが得られる。しかし、このままでは偏摩耗する恐れ
もちるし、テープタッチもよくないので、同図（ｆ）で
示すようにサイドコア２４′を接合する。この接合は樹
脂接着で行なう。
ッタリング法により磁性層２２′の形成を行なって、複
合体を得る。この複合体の一部を一点鎖線で示した位置
で切断し、平面研磨を行なえば）同図（、）で示すよう
な磁気ギャップ２３とトラック２２．２２’との磁気ヘ
ッドが得られる。しかし、このままでは偏摩耗する恐れ
もちるし、テープタッチもよくないので、同図（ｆ）で
示すようにサイドコア２４′を接合する。この接合は樹
脂接着で行なう。
なお、第そ図においては、ヘッドの前面より見た断面図
が示されているので、巻き練水は図示されていない。こ
の巻き練水に巻線を施して磁気ヘッドとして完成する。
が示されているので、巻き練水は図示されていない。こ
の巻き練水に巻線を施して磁気ヘッドとして完成する。
なお、基板２１にエツチングされ易い材料を使用し、基
板２４にはエツチングされにくい材料を用いれば、エツ
チングで処理できるので、同図（ｄ）で示した切断の工
程が不要となシ、工程が簡略化される。
板２４にはエツチングされにくい材料を用いれば、エツ
チングで処理できるので、同図（ｄ）で示した切断の工
程が不要となシ、工程が簡略化される。
以下に具体的な材質、寸法等を適用した実施例を示す。
（１）実施例１
フェライト基板上に厚さ１０μｍの非晶質ｆｆ１ｌ’４
Ｅ合金Ｃ０８６Ｎｂ１ｏＺｒ４をスパッタリング法によ
シ形成し、基板２１の側面を鏡面研磨し、厚さ０．３μ
ｍの８１０２をその上に形成する。この複合体の非晶質
合金膜面と、α＝１２０×１０−７／′ｃのガラス基板
とを対向さぜ、低融点ガラスを用いて接合し、第２図（
ｄ）で示したような複合体を作る。図において２２・２
２′は非晶質合金膜、２１はフェライト基板１２３はＳ
＋ ０２膜、２４はガラス基板である。つぎに一点鎖
線で示した位置で切断加工し、ラッピングを行なって同
図（ｅ）で示したヘッドコアを得て、それにα＝ｘ２ｏ
ｘ１ｏ−７ｃのガラス基板２４′を側板として同図（ｆ
）で示すように樹脂接着し、その後巻線等の工程を加え
て磁気ヘッドを完成する。
Ｅ合金Ｃ０８６Ｎｂ１ｏＺｒ４をスパッタリング法によ
シ形成し、基板２１の側面を鏡面研磨し、厚さ０．３μ
ｍの８１０２をその上に形成する。この複合体の非晶質
合金膜面と、α＝１２０×１０−７／′ｃのガラス基板
とを対向さぜ、低融点ガラスを用いて接合し、第２図（
ｄ）で示したような複合体を作る。図において２２・２
２′は非晶質合金膜、２１はフェライト基板１２３はＳ
＋ ０２膜、２４はガラス基板である。つぎに一点鎖
線で示した位置で切断加工し、ラッピングを行なって同
図（ｅ）で示したヘッドコアを得て、それにα＝ｘ２ｏ
ｘ１ｏ−７ｃのガラス基板２４′を側板として同図（ｆ
）で示すように樹脂接着し、その後巻線等の工程を加え
て磁気ヘッドを完成する。
（２）実施例２
この実施例において、銅基板上に厚さ１０μｍの非晶質
合金Ｃ０８４Ｆｅ２Ｎｂ１４をスパッタリング法によシ
形成し、以下実施例１と同様の手順によシ第２図（ｄ）
で示すような複合体を作成する。図中２２゜２２′は非
晶質合金膜、２１は銅基板、３はＳｉＯ□、２１を取シ
除く、この場合ガラス基板２４．５ｉＯ２２３、非晶質
合金２２．２２’はエツチング液に対し何の変化もない
のでマスクの必要はない。りぎにラッピングによシ図（
ｅ）で示すようなコアとし、以下実施例１と同様の工程
を経て磁気ヘッドを完成する。
合金Ｃ０８４Ｆｅ２Ｎｂ１４をスパッタリング法によシ
形成し、以下実施例１と同様の手順によシ第２図（ｄ）
で示すような複合体を作成する。図中２２゜２２′は非
晶質合金膜、２１は銅基板、３はＳｉＯ□、２１を取シ
除く、この場合ガラス基板２４．５ｉＯ２２３、非晶質
合金２２．２２’はエツチング液に対し何の変化もない
のでマスクの必要はない。りぎにラッピングによシ図（
ｅ）で示すようなコアとし、以下実施例１と同様の工程
を経て磁気ヘッドを完成する。
（３）実施例３
Ｎ ａｃｌ単結晶基板上に非晶質合金膜Ｃ０８５Ｎｂ１
ｏＴｉ５をスパッタリング法により形成し、以下実施例
２と同じ順序で第２図（ｄ）で示すような複合体を作成
する。図中２２ 、２１’は非晶質合金膜、２１はＮａ
Ｃｔ単結晶基板２３はＳ １０２膜、２４はα＝１２０
Ｘ１０／’Ｃのガラス基板である。つぎに、これを水中
に入れ、図中のＮａＣ！単結晶基板２１を取シ除く・つ
ぎにラッピングによシ同図（ｅ）で示すようなコアとし
、以下実施例１と同様の工程を経て磁気ヘッドを完成す
る。
ｏＴｉ５をスパッタリング法により形成し、以下実施例
２と同じ順序で第２図（ｄ）で示すような複合体を作成
する。図中２２ 、２１’は非晶質合金膜、２１はＮａ
Ｃｔ単結晶基板２３はＳ １０２膜、２４はα＝１２０
Ｘ１０／’Ｃのガラス基板である。つぎに、これを水中
に入れ、図中のＮａＣ！単結晶基板２１を取シ除く・つ
ぎにラッピングによシ同図（ｅ）で示すようなコアとし
、以下実施例１と同様の工程を経て磁気ヘッドを完成す
る。
実施例１，２および３で製作した磁気ヘッドと従来のガ
ラス接合によるギャップ形成を行なったフェライトの磁
気ヘッドとの比較を表に示す。
ラス接合によるギャップ形成を行なったフェライトの磁
気ヘッドとの比較を表に示す。
（発明の効果）
本発明によれば、表で示したように、磁気ギャップの精
度が従来例のガラス接合のフェライトヘッドに比較して
極めて良好であシ、かつトラックずれも非常に少なくな
るなど種々の効果がある。
度が従来例のガラス接合のフェライトヘッドに比較して
極めて良好であシ、かつトラックずれも非常に少なくな
るなど種々の効果がある。
第１図は従来の磁気ヘッドフロントコア製作方法斜視図
、第２図は本発明の一実施例による磁気ヘッドフロント
コア製作方法斜視図である。 １．３．７・・・ガラス基板、２・・・基板中央部、４
・・・非晶質合金磁性層、５・・・端面、６・・・５１
０２層、８・・・削シ取シ部分、９・・・複合基板、１
０・・・磁性層、１１・・・コア、２１．２４・・・基
板、２２，２２′・・・磁性層、２３・・・磁気ギャッ
プ、２４′・・・サイドコア。 第１図 第２図 （０）〒イ２１ （ｂｌ〒１′。 つり
、第２図は本発明の一実施例による磁気ヘッドフロント
コア製作方法斜視図である。 １．３．７・・・ガラス基板、２・・・基板中央部、４
・・・非晶質合金磁性層、５・・・端面、６・・・５１
０２層、８・・・削シ取シ部分、９・・・複合基板、１
０・・・磁性層、１１・・・コア、２１．２４・・・基
板、２２，２２′・・・磁性層、２３・・・磁気ギャッ
プ、２４′・・・サイドコア。 第１図 第２図 （０）〒イ２１ （ｂｌ〒１′。 つり
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ 第１の基板の表面にスパッタリング法または蒸着
法によシ磁性層を形成し、前記第１の基板と磁性層より
なる複合体の側面に非磁性体よりなる磁性ギャップ層を
スパッタリング法によシ所定の厚さに形成し、第２の基
板上一部に、前記第１の基板の磁性層が対向するように
接合し、得られた複合体の、前記第２の基板の表面、お
よび前記第１の基板裏面側よシス・母ツタリング法また
は蒸着法により、所定の厚さの磁性層を形成し、得られ
た複合体のうち、前記第１の基板部を切断研磨によシ取
９除き、前記非磁性体よシなるギャップ層を露出させ、
磁気へラドコアを形成することを特徴とする磁気ヘッド
製造方法。 （２）第１の基板またはその一部にエツチングされ易い
材質を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載の磁気ヘッド製造方法。 （３） 磁気層が耐蝕性に優れた非晶質合金であること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁気ヘッ
ド製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19820283A JPS6093610A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 磁気ヘツド製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19820283A JPS6093610A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 磁気ヘツド製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093610A true JPS6093610A (ja) | 1985-05-25 |
Family
ID=16387174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19820283A Pending JPS6093610A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 磁気ヘツド製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2646001A1 (fr) * | 1989-04-14 | 1990-10-19 | Europ Composants Electron | Procede de realisation d'un dispositif utilisant une structure de films a couches minces |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP19820283A patent/JPS6093610A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2646001A1 (fr) * | 1989-04-14 | 1990-10-19 | Europ Composants Electron | Procede de realisation d'un dispositif utilisant une structure de films a couches minces |
| US5042140A (en) * | 1989-04-14 | 1991-08-27 | Compagnie Europeenne De Composants Electroniques Lcc | Process for making an apparatus utilizing a layered thin film structure |
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