JPS60201509A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録の記録再生に用いる磁気ヘッドの製造
方法に関するものである。

従来例の構成とその問題点 従来から高抗磁力磁気テープ対応磁気ヘッドとして、飽
和磁束密度の高い金属コア材料、と９わけ、センダスト
合金やアモルファス合金を用いたものが提案されている
。これら金属材料磁気ヘッドは、高周波での渦電流損失
を少なくするために数枚の薄板を所定のヘッドトランク
幅になるよう必要枚数重ね合わせた積層構造で構成して
いる。

しかし、薄板磁性材を出発点としたヘッドコアは積層コ
ア半休をつくる積層技術が非常にむずかしい。特にビデ
オヘッドのような数ミクロンから数１０ミクロン程度の
比較的狭いトランク幅の場合、数ミクロンの薄板を数枚
積層した構造では、ヘッド加工工程途中で機械的強度が
なく破損することが多い。このため金属薄板コアを、他
のガラス基板あるいはアルミナ基板などの寸法的にも強
度的にも許容できる補助基板を両側からサンドインチ構
造で接着合体した構造としているのが一般的である。従
来、上述のようなサンドインチ構造の接着において、金
属コアがアモルファス合金の場合にはその結晶化温度が
低いだめ、接着相としてガラス材料による製法は困難で
実用化されていない。

又、センダスト合金の場合も、その熱膨張係数の適合す
るガラスを選択することがきわめて困難であるため、ガ
ラス接着はまだ集用化されていない。

そのため、現在のところ、サンドインチ積層のだめの接
着材としてはエポキシ樹脂を用いざるを得なかった。し
かし、エポキシ樹脂による積層接着コアは、機械的強度
が弱いために、ヘッド製造工程中の加工に対して弱く、
しかも、次工程で前工程よりも高い温度による処理を施
すと積層した部分がはく離するなどの問題を生じる。特
にヘッドギャップ形成時点でギャップ材料に８１０２の
ようなガラス材料を用いても、左右のコア半休の結合を
樹脂接着で行う限り強固に結合させることができず、特
に切断加工あるいは温度変化に対してギャップ幅精度が
確保できないだけでなく、構造的にも不安定となるとい
う欠点があった。

他方、金属コアをスパック法などによって補助基板上に
膜形成し、積層したコアがある。これは補助基板に金属
膜厚と８ｉ　０２などの酸化物膜を交互に積層したもの
でｓｂ、これらは前記補助基板に対して強固に接着保持
させることができる。しかし、実際に磁気ヘッドとする
には、この積層して形成したヘッドコア上に他の補助基
板を接着して、実使用に十分耐えることのできる機械的
強度をもたせなければならない。この場合も、上述と同
様エポキシ樹脂を用いて接着しなければならない。また
、ヘッドギャップを形成する工程でも、ガラス融着には
長時間を要するだけでなく、剥離するため、樹脂を使用
していた。このため、上述の方法による磁気ヘッドは、
ギャップ幅精度及び機械的な安定性の点で、基本的に不
安定なものであった。

さらに上記の従来構成において、特に金属コアとしてア
モルファス合金を用いた場合についての製法とその欠点
について述べる。

アモルファス合金はその結晶化温度が高々ＳＯＯ℃から
６６０℃程度でらっ、て、その結晶化温度を超える熱処
理を施すとアモルファス金属の磁気特性の劣化は勿論、
材料の機械的強度も極端に低下して、磁気へラドコアと
しての働きをしなくなるという欠点がある。このため従
来はこのようなコア材料としてのアモルファス合金を用
い補助板に積層するときの接着材あるいはギャップ形成
時の結合材としては、低温処理ですむ樹脂が多く使用さ
れていたが、樹脂ではヘッド加工に対する強度がなく、
寸法的にも構造的にも安定な磁気ヘッドを製造すること
ができない欠点があった。このようなことから、樹脂に
代ってガラスによる接着が望まれていた。しかし、ガラ
スで接着する場合には、アモルファスコアの結晶化温度
よりも低いガラスを選ばなければならず、そのガラス組
成として、鉛が主体のガラスに限定されてくる。このよ
うな鉛ガラスによるアモルファスコアと補助板との接着
では、アモルファス金属中に鉛ガラスの酸素がうばわれ
、アモルファスコア表面に金属鉛が還元されて析出する
現象が生じる。これによって、鉛ガラスの接着力が極端
に弱くなり、接着できないという欠点があった。又、ヘ
ッドギャップ形成において１対のコア半休の巻線穴に鉛
ガラスを介挿して両者を接合する際、アモルファスコア
の結晶化温度を考慮して、許容できる範囲の温度と時間
で加熱処理しても鉛ガラスの流動性が悪く、コア間結合
ができないという欠点があった。すなわち、アモルファ
ス合金をヘッドコアとした場合にはその結晶化温度の制
限から低融点鉛ガラスに使用が限定される訳であるが、
実際には上記のようなアモルファスコアとの反応による
接着不良や流動性不足による結合力不足という点で鉛ガ
ラスを使用できない。

発明の目的 本発明は、磁気ヘッドの製造方法において、金属コア特
に結晶化温度の低い非晶質磁性合金を用い、ガラス積層
とガラスギャップ形成を可能とする方法を提供すること
を目的とする。

発明の構成 本発明は、上記目的を達成するために、基板上にアモル
ファス合金の薄膜をスパッタリング法によって形成し、
そのアモルファス合金薄膜上に５ｉ０２などの酸化物層
を形成した後、低融点ガラス層を介し補助板をサンドイ
ンチ接着することによってコアブロック体を形成し、コ
アブロック体から１対のコア半休を切り出し、コア半休
に設けた巻線溝中にガラスと塗れ性のよいクロームや銅
などの金属層を設けると共に、これらコア半休のギャッ
プ対向面を研磨することによって、ギャップ対向面と巻
線溝中の金属層の区分開示を行った後、ギャップ材を介
して一体に結合合体するものである。

実施例の説明 第１図から第１６図は本発明の方法の一実施例である金
属薄膜積層形のビデオヘッドの製造工程を示す図である
。

まず、第１図に示すように、ガラスやアルミナなどのセ
ラミックあるいはフェライト材料などからなる、支持体
として十分な強度をもつ補助基板１の片面に、ヘッド材
料である例えば、アモルファス磁性合金あるいはセンダ
スト合金などの軟磁性材料をスパンクリング法や蒸着法
などによって、必要なヘッドトラック幅の厚みに応じた
膜厚で付着形成する。このとき、膜厚の全厚の途中でＳ
ｉＣ２またはＡｌ２Ｏ３などからなる酸化物層を、スパ
ッタリング法や蒸着法によシ、６００へ２０００人程度
０厚みで形成し、再び、その上からアモルファス磁性合
金層２人をスパッタする。すなわち、上記の如き方法に
よって、補助基板１上にアモルファス磁性合金層２人と
酸化物層例えば５ｉ０２層３人を交互にスパッタ蒸着し
て、多層膜帯ＴＡを形成する。

次に、アモルファス磁性合金層２人の最上層上に５００
〜５０００人厚みの酸化物層例えば８１０２層４Ａを形
成する１、膜厚が５００Å以下では薄すぎて前述した鉛
金属が析出し、また上限については厚いほどこの効果に
対しては優れているが、５ｉ０２の熱膨張係数がアモル
ファス合金のそれと異なるため、厚いほど機械的な加工
に対して弱く、実用的には５ｏｏｏ人程度までが望まし
い。

次に、上記アモルファス合金のスパッタしたガラス補助
基板１の裏面にも上記アモルファス磁性合金層２ムと５
ｉ０２層３ムと同様の工程でスパッタしたアモルファス
磁性合金層２Ｂと５ｉ０２層３Ｂを形成し、かつ、アモ
ルファス磁性合金層２Ｂの最終面上には上記５ｉ０２層
４人と同様の工程で５ｉ０２層４Ｂを形成する。即ち、
第２図に示すような、ガラス基板１の表裏両面に同質か
つ同一厚さのアモルファス磁性合金層を形成した複合基
板アを形成する。

しかる後、第３図に示す如く、上記ガラス基板１と同質
のガラス補助板θ上にガラス層５を５００人から数ミク
ロンの範囲の適当なる厚みで均一に付着せしめ用意する
。上記ガラス層６はスパック法あるいはガラス板又はガ
ラヌ粉を融着せしめて構成する。しかる後、前記第２図
で得た複合基板７の表裏両面に第１図に示すよう前記ガ
ラス基板６のガラス層６を接合せしめ、加圧しながら、
アモルファス磁性合金の特性が劣化しない条件、例えば
アモルファス磁性合金の結晶化温度よシも低い温度で熱
処理を施し、ガラス層５を軟化せしめ５ｉ０２層４０表
面に融着せしめることにより、第４図に示すコアブロッ
ク体８を製造する。即ち、コアブロック体８はアモルフ
ァス磁性合金をスパッタしたガラス基板１の両面にガラ
ス接着層５を介して、補助基板６でサンドインチ積層し
た２列のアモルファス磁性合金層帯ＴＡ　、ＴＢを有す
るものである。第６図に示すように、コアブロック体８
を用い、ブロック日中のアモルファス磁性合金薄膜帯Ｔ
Ａに対し、必要なヘンドギャップアジマス角に相当する
傾斜角θをもって、必要な厚みに順次切断する。これに
よりコア半休の出発点である短冊状コア半体８Ａ　、８
Ｂを得る。第６図は上述のようにして得た短冊コア半休
ｓＡ　、ａＢを示している。切断後、その短冊片の両面
を必要な厚みに研磨し、少なくともコア半休としてギャ
ップ形成するギャップ形成面の反射面８Ｎを平面かつ鏡
面加工し、さらに、第７図に示すように、ギャップ形成
面側には、アモルファス磁性合金薄膜帯ＴＡおよび同Ｔ
Ｂの方向と直交する方向に巻線溝９を複数順次加工する
。、前記巻線溝９は１対のコア半休ブロック８Ａ　、８
Ｂの少なくとも片方に設ける構成としても構わない。

次に、第８図に示すように、巻線溝９を設けたコア半休
８Ｂの少なくとも巻線溝９中の全域から必要に応じてギ
ャップ対向面１２上に１０００人から２０００人程度０
非磁性の酸化物層１０例えばム１２０３あるいは５ｉ０
２　（以下８ｉ０２を代表させる）をスパック法や蒸着
法により層状に付着形成゛せしめるとともに、さらにこ
の酸化物層（以下８ｉ０２層を代表させて記す）１０上
からクロム又は銅などの非磁性の金属層（以下クロム層
を代表させて記す）１１をＳＯＯ人から数ミクロン程度
の厚みでスパッタ法又は蒸着法などにより付着形成せし
める。しかる後、第９図の如く、コア半体ｓＡ　（８Ｂ
）のギャップ対向面を平面かつ鏡面に加工する。この時
、ギャップ対向面上に付着したＳｉ　０２層１ｏとクロ
ム層１１も研磨除去する。これにより、ギャップ対向面
の露出と同時に巻線溝中の金属層１１の露出をさせるこ
とができるので、金属層１１の露出作業を容易とし、コ
ア半休のギャップ対向面位置及び金属層の位置が明確と
なる。

次に、第１０図に示す如く、１対のコア半休８ム（８Ｂ
）のギャップ形成面上に必要とするヘッドギャップ幅と
等しいか若干厚い厚みでギャップ材をスパッタ法あるい
は蒸着法などによって付着形成する。ギャップ層は、ギ
ャップ形成面上にＳｉ　０２またはＡｌ２Ｏ３等の高融
点材により第１層１３を形成し、少なくともコア半休の
一方にアモルファス磁性合金コアの結晶化温度よシも低
い軟化温度のガラス例えば主成分が鉛からなる鉛ガラス
の低融点ガラス接着層１４を設けた構成とする。

さらに、上記コア半休のギャップ形成面１２上のギャッ
プ材層１３．１４を付着形成する時点において、巻線溝
９上をマスキングにより、ギャップ材が巻線溝９中のク
ロム層１１上に付着しないようにすることが後工程にお
ける低融点ガラスの流れをよくする点で重要であり、マ
スキングが困難な場合には例えばギャップ形成面１２上
のギャップ材１３．１４上をレジスト又はテープなどに
よシコーティングした後、巻線溝９中のクロム層１１上
のギャップ材を有機溶剤あるいは沸化アンモニウムある
いは沸酸などの適当な液中でエツチング除去する方法、
あるいは他の方法として前記第８図工程において巻線溝
上及びギャップ対向面上のクロム層上を覆うよう、接着
剤層例えばレジストを均一塗布せし粘る。その後、第９
図の如く、ギャップ面を平面かつ鏡面研磨し、ギヤツブ
対向面の開示を行うことによって、巻線溝中にのみレジ
スト層を残存せしめるとともに、前記同様に必要な厚み
と材質のギャップ材をギャップ対向面上から巻線溝中に
スパッタ付着せしめる。

さらに、前記工程と同様にギャップ対向面上のギャップ
材層を樹脂テープあるいはレジストなどによって覆い、
前記巻線溝中の前記レジスト層をトリクレン又はトルエ
ンなどの溶剤中で洗浄し除去することによって、レジス
ト上のギャップ材を除去でき、巻線、溝中の表面にクロ
ム層を容易に露提せしめることができる方法でもよい。

次に第１１図ａ上記ギャップ材を付着したコア半休８ム
、８Ｂのギャップ対向面１２上のギャップ材１４を接合
させ、両コア半体中のアモルファス磁性合金薄膜帯Ｔム
とＴＢを許容範囲内で位置ずれなく高精度で対向せしめ
、治具にて少なくとも両コア半休のガラス基板１の長手
方向の全域にわたシ互いにギャップ面ギャップ材を接合
せしめて加圧する。同図すはコア半体ｓＡ　（ｓＢ）の
巻線溝９の前部即ち先端アペックス部１６を下に向けた
位置を示し、コア半休によって形成された巻線穴１７に
低融点ガラス棒１８を挿入した状態を示すとともに、コ
ア拐アモルファス磁性合金の特性が劣化しない温度と時
間で熱処理を施し、上記低融点ガラス棒１８を軟化せし
め両コア半体８Ａ。

８Ｂ間をガラス融着結合合体し、ヘッドギャップｑから
なるアモルファス磁性合金によるヘッドトラック幅帯Ｔ
Ａと同ＴＢの２列に複数個のヘントチツブｈ４．ｈ２・
・・・・・ｈｎ個を内蔵したヘッドブロック体１９を製
造したものである。

次に第１２図の如く、上記ギャップｑに対して必要なア
ジマス角度θをもって、第１の磁性アモルファス合金ヘ
ッドトラック帯ＴＡの両側から必要なコア幅部２０を残
し、ガラス補助基板１と補助基板６を通シヘッドプロノ
ク体１９の長さｌの全域にわたりｃ、　−ｃ、’の如く
切断する。同様に他方のアモルファス磁性合金ヘッドト
ラック帯ＴＢについても、その両側から補助基板６Ｂと
ガラス基板１を通りＣ２−０２’切断を行うことによっ
て、コア幅部２１を製造する。上記切断コア部２０から
ヘッドトラック幅Ｔムのチップ群と同コア部２１からヘ
ッドトラック幅ＴＢのチップ群を取り出すことができる
。第１３図は上記切断を容易にするためアジマス角度θ
付き台座上にヘッドブロック体１９を配置切断する様子
を示す。第１４図は上記チップ群から単体へラドチップ
を分離したものである。即ち巻線穴１７のアペックス部
１６から必要なヘッドギャップ深さと研磨量をもった寸
法ｄの位置で０３−　Ｃ，’切断し、かつ、チップ高さ
Ｈを確保する位置でａ４−　ｃ４’切断を行うことによ
って第１６図に示す如きヘッドチップ２２を得る。

次に第１６図ａはへラドチップの前面即ち磁気テープ摺
動する面部をテープ研磨し、必要へッドギャソプ深さ６
寸法を規制し、かつ、その前面形状を整形したものであ
る。同図すは上記ヘッドチップの前面を示すもので、ガ
ラス基板１の側面１′に対してヘッドギャップｑが必要
なアジマス角度θヲモって構成され、かつ、アモルファ
ス部ヘッドトラックＴＶの５ｉ０２層２で絶縁されたア
モルファス磁性合金膜層３ムによシ構成され、かつ、ア
モルファスコアの端面は５ｉ０２層４で絶縁され、かつ
、その５ｉ０２層４に低融点ガラス層６を介し、補助板
６が融着し、アモルファス磁性合金コアＴ人又はＴＢに
よるヘラ１ドトラソクを補助板６でサンドインチした構
造のヘッドを製造するものである。

なお、上記の本発明例の磁気ヘッドチップ製造において
、アモルファス磁性合金薄膜層２人及び２Ｂは例えばＧ
ｏ　−Ｎｂ　−Ｚｒ　系を用いた。同合金の緒特性は次
の通りである。即ち、熱膨張係数が１１０Ｘ１０−’と
結晶化温度５５０℃、ビッカース硬さ８００程度のもの
を使用した。一方、基板１の材料は、その熱膨張係数が
上記アモルファス磁性合金の値とほぼ近似し、かつ、耐
熱温度と硬さの高いガラスセラミックス材やフェライト
を用いることにより良好なヘッドチップが製造てきた。

この結果、特にコア材料と基板１材の熱膨張係数が近似
した組合わせであると、例えばその熱膨張係数が大きい
センダスト合金コア材料によるヘッド製造も容易である
ことがわかった。

さらに、本発明では基板１０表裏両面にコア材アモルフ
ァス磁性合金薄膜層２人と２Ｂをスパッタリング形成す
ることによって、１ギャップドパ−当りのヘッドチップ
数量を大巾に増すことができる長所を持つものである。

上記アモルファス磁性合金のスパッタリンク薄膜の一層
厚みを１ｏミクロンとし、かつ、アモルファス磁性合金
薄膜の層間には５ｉ０２層を１０００人から２０００人
の厚みでスパッタリングすることによって介在させるこ
とによって、アモルファス磁性合金の高周波渦電流損失
による透磁率などの磁気特性の劣化しない優れた特性で
あることがわかった。上記Ｓｉ　０２をアルミナあるい
はフォルステライトなどの酸化物でも代用できるもので
ある。

上記アモルファス合金薄膜２Ａ、２Ｂの最外面上には５
１０２層を６００人から５０００人スパッタリング付着
形成することによって、次工程でその表面上に融着する
低融点ガラスとアモルファス磁性合金との反応が防止で
きた。特に、鉛主体の低融点ガラスを融着させた場合で
も、アモルファス磁性合金はガラスによる影響をほとん
ど受けない。従って、低融点ガラス自体もＳｉ　０２層
上に強固に融着し、接着力を発揮し、コアブロック体８
を製造できた。さらに、上記補助板ｅ上のガラス６は軟
化温度が４６５℃程度のガラスを６００人から５ミクロ
ン程度の厚みで約６ｏｏ℃前後の高温で溶着せしめたも
の、あるいは、軟化温度３６６℃程度の低融点ガラスを
５００℃程度の温度で溶着せしめたものを使用した。い
ずれも、補助板６上にはアモルファス磁性合金層が存在
しないため、ガラス溶着温度はアモルファス磁性合金の
結晶化温度よりも十分高い温度で、処理できるため、補
助板６上に均一かつ強固に塗布できるものである。

上記補助板６上へのガラス塗布の他の方法として、スパ
ッタリングあるいは蒸着による方法も有効である。

上記複合基板７をガラス６を有する補助基板６で両側か
らサンドインチ積層し、３０　Ｋｇ　／　Ｃ４以上で加
圧した。また、アモルファス磁性合金の結晶化温度より
も低い４８０℃で３０分間程度窒素ガスなどを導入した
還元雰囲気炉中で熱処理を施すことによってガラス５を
軟化溶着せしめ、一体化したコアブロック体８を製造し
た。

さらに第５図の如く、コアブロック体８のアモルファス
合金帯１人、ＴＨに対して、必要なギャップアジマス角
度に相当する角度θをもって切断し、切断面をヘッドギ
ャップ形成面とすることによって、最終的にヘッドギャ
ップのアジマス構造をもつヘッドを容易に製造できた。

さらに、巻線溝９中には５ｉ０２層１０を例えば２Ｑ０
０人とクロム層１１を１ミクロンの厚与でスパッタする
ことによって、巻線穴１７中のガラス層１８をアモルフ
ァス磁性合金２人、２Ｂの結晶化温度よりも低い温度即
ち４８０℃、３０分の熱処理を窒素雰囲気中でコア間に
溶着させることができ、強固なヘッドブロック体１９を
製造できた。

さらに、例えば０．２６ミクロンのギャップ幅ｑのヘッ
ドをつくる場合、１対のコア半休のそれぞれのギャップ
面にまず第１層として５ｉ０２に１ｏｏＯ人づつと、上
記接着ガラス６と同質又は若干高融点の第２ガラス層を
２５．０人から若干厚目にその合計厚さが目標ギャップ
幅ｑと同等もしくはそれよシ厚目につけた後、両コア半
休をそのギャップ面ガラスを接合せしめ、重ね合わせ、
アモルファス磁性合金の結晶化温度よりも低い４８０℃
、３０分程度で窒素ガス導入雰囲気炉で熱処理を施すこ
とによって、精度の良好な０．２５ミクロン近傍のガラ
スギャップ幅ｑを得た。上記のギャップ材の第２ガラス
層はどちらか一方のコア半休に集中膜付けした場合も同
じく精度の良好なギャップｑを得ることができる。もの
である。

発明の効果 以上のように製造した磁気へッドチソプは、その磁気コ
アが二つのガラス基板でサンドインチされ、しかも、一
方のガラス基板上−にはスパッタリング形成され、かつ
、他方の基板とは、ガラスで溶着した状態で積層してい
るものであり、上記コア半体表面に酸化物層を約３００
０人の厚さで介在せしめることにより前記ガラスとの接
着を確実にし、さらにヘッドギャップｑには高融点ガラ
ス層でほぼギャップ幅を形成するとともに、低融点ガラ
ス層を介在させてギャップ面ガラス接着し、ギャップ面
接着力を育め、かつ、二つのコア半体間をその巻線大中
に金属層を設けることによってガラスの流動性を高めて
溶着させて一体結合しているため、このようなガラス接
着積層とガラス結合ギャップ構造をもつヘッドチップは
、そのヘッド前面のテープ摺動時においても、サンドイ
ンチ積層部での剥離のおそれがなく、かつ、ヘッドぐ体
が機械的衝撃や温度湿度などの環境変化に対して強力で
安定である。同時に、各ガラス積層及び融着結合をコア
材の磁気特性を劣化させない条件下で行っている。特に
アモルファス磁性合金コアの場合、アモルファス合金の
結晶化温度以下の温度と時間あるいはそのキュリ一点以
上の温度による透磁率の特性の向上を考慮した熱処理条
件で製造することによって、良好な電磁変換特性を得る
ことができた。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１６図は本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法の一実施例を説明するための工程図である。 １．６・・・・・・補助基ｍ、２　Ａ　、　２　Ｂ・・
・・・・アモルファス磁性合金層、３Ａ　、３Ｂ　、４
Ａ　、４Ｂ・・・・・・Ｓｉ　０２層（酸化物層）、５
・・・・・・ガラス層、６Ａ。 ６Ｂ・・・・・・補助基板、７・・・・・・複合基板、
８・・・・・コアブロック体、ｓＡ、ａＢ・・・・・・
短冊状コア半体、９・・・・・・巻線溝、１０・・・・
・・Ｓｉ　０２層（酸化物層）、１１・・・・・・クロ
ム層（金属層）、１２・・・・・・ギャップ対向面、１
６・・・・・・アペックス部、１了・・・・・・巻線穴
、１８・・・・・・ガスラ棒、１９・・・・−・ヘンド
ブロック体、２０．２１・・・・・・切断コア部、２２
・・・・・・ヘッドチップ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第８図 第　１ｘｅ　Ｃ（Ｌ）　Ｃｂ、ン ７ 第１２図　第１３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ０）基板上の少なくとも一部分に、少なくとも軟磁性合
   金膜を形成し、前記軟磁性合金膜上に酸化物層を形成し
   た第１のブロックを製造する第１の工程、上記第１のブ
   ロック上の上記軟磁性合金膜を無機接着層を介して、他
   の基板によってはさみこんだ形の第２のブロックを製造
   する第２の工程、上記第２のブロックを切断して短冊状
   の第３のブロックを製造する第３の工程、上記第３のブ
   ロックの一対をそれぞれコア半休とし、少なくとも所定
   の巻線溝や補助溝を第３のブロックの長手方向に順次加
   工する第４の工程、上記一対の第３ブロツクの少なくと
   も一方にギャップ対向面および巻線溝、補助溝に金属膜
   を形成した後、研磨Ａｖ、上記ギャップ対向面上の金属
   膜を除去すると同時に鏡面状に研摩した後、上記ギャッ
   プ対向面上に非磁性のギャップスペーサを所定の厚みで
   形成した一対の第４ブロツクを製造する第５の工程、上
   記一対の第４のブロックのギャップ面を接合して合体し
   、第６のブロックを製造する第６の工程、上記第５のブ
   ロックを所定の寸法に切断してヘッドチップを製造する
   第７の工程を含む磁気ヘッドの製造方法。 に））軟磁性合金膜が非晶質合金膜であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッドの製造方法
   。 （３）軟磁性合金膜を基板の両面に形成することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッドの製造方
   法。 （４）第５工程において金属膜を形成する前に非磁性の
   酸化物層を形成することを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の磁気ヘッドの製造方法。 （５）第６エ程において少な、くとも金属膜を形成した
   後、被膜剤でコーティングし、ギャップ対向面を鏡面研
   磨して、前記ギャップ対向面に非磁性のギャップスペー
   サを所定の厚みで形成した後、上記被膜を被膜除去剤に
   よって除去することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の磁気ヘッドの製造方法。 （６）第６の工程におけるギャップスペーサとして、一
   対の第３ブロツクの両方に非晶質合金の結晶化温度より
   も高融点の酸化物膜を形成した後、少なくとも第３のブ
   ロックの一方に、該結晶化温度よりも低い軟化温度を有
   する酸化物を形成したことを特徴とする特許請求の範囲
   第２項記載の磁気ヘッドの製造方法。 （７）第１工程において酸化物膜の厚みを６００人〜５
   ０００人の範囲にしたことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の磁気ヘッドの製造方法。