JPS6134707A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置、ＶＴＲ等の高密度ｚ 磁気記録に適した磁気ヘッドに係り、特電高保磁力記録
媒体を用いた磁気記録装置に好適な磁気ヘッドに関する
。

〔発明の背景〕

高保磁力の記録媒体にも十分記録できる磁気ヘッドとし
て高飽和磁束密度の金属磁性体を用いた磁気ヘッドが数
多く提案されてきた。しかし、金属磁性体で構成した磁
気ヘッドは、 （１）金属磁性材料であるために渦電損失により高周波
領域の特性が悪い。

（２）　　（１）を回避するためには、薄い磁性合金を
非磁性絶縁層を介して積層する方法があるが、磁性合金
のバルク材では１０μｍ以下の薄板化が困難であり５ま
た、薄板化の困難な材料があるために材料選択が限られ
てしまう６さらに、接着剤で接合し積層する作業がむず
かしく、製造上の歩留りも非常に悪い。

（３）磁性合金はフェライトに比較して耐摩耗性が数段
劣るため、磁気ヘッドの寿命が短い。等の欠点があった
。

磁性合金を用いて高保磁力の磁気記録媒体との組み合せ
使用に適するようにした磁気ヘッドに関しては、例えば
特公昭５４−３２３８号公報に示されるように、高保磁
力磁気記録媒体に対接する磁気ヘッドの先端部分が磁気
的に飽和しないようにするために飽和磁束密度Ｂ８の大
きい磁性合金を周知の薄膜形成方法により多数層に積層
した磁性合金膜をもってヘッドコアの全体を構成した磁
性合金膜多層磁気ヘッドが知られている。この種の磁気
ヘッドコアの一例を第１図に示す。一般的にコア材は１
層が３〜１０μｍの厚さのＦｅ−３ｉ−ＡＱ合金からな
る磁性薄膜１０と０．１〜１μｍのＳｉＯ２１１からな
る非磁性薄膜とを交互に積層して所定の厚さに構成され
ている。ここで、１２は作動ギャップであり、１３はコ
イル巻線用の窓である。

しかし、上記磁性合金膜多層磁気ヘッドは、特性は良好
であるが、１個１個を突き合せ方法によって製作せざる
を得ないので、生産性が低く、また、製品の特性ばらつ
きが大きい、という欠点があった。また、耐摩耗性に関
しても不十分である。

一方、耐摩耗性に優れた磁性合金として非晶質磁性合金
が開発され、非晶質磁性合金で磁気回路を構成した磁気
ヘッドが特開昭５１−９４２１１号公報に開示されてい
る。非晶質磁性合金はビッカース硬度Ｈｖで９００〜１
０００あり、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）、センダス
ト（Ｆｅ−８ｉ　−ＡＱ合金）等の磁性合金のＨｖ＝３
００〜４ｏ○に比較して硬く、耐摩耗性にも優れている
。しかし、フェライトと比較すると不十分である。

上記従来例に対して、高保磁力磁気記録媒体に対接する
磁気ヘッドの先端部分が磁気的に飽和しないようにする
ために、磁気的に飽和が問題となるヘッドコアの先端部
分のみを飽和磁束密度Ｂ８の大きい磁性合金をもって構
成し、ヘッドコアの他の部分は高周波における透磁率μ
の大きいフェライトをもって構成した磁性合金膜フェラ
イト複合磁気ヘッドが特開昭５］−１４０７０８号公報
に開示されている。例えばその−例を第２Ｉ？Ｊ　（ａ
）に示す。

すなわち、作動ギャップ１２の近傍部が高飽和磁束密度
Ｂ５の磁性膜１０で構成され、これとフェライト１４と
が連結され磁気回路を構成している。

このような磁性合金膜フェライト複合磁気ヘッドは、前
者に比して、耐摩耗性に優れ、生産性も格段に良好であ
るが、特性上、つぎのような欠点がある。倒えば、第２
図（ｂ）に磁気ヘッドの媒体枯動面拡メ図を示すと、磁
性合金膜１０を非磁性層１１を介して多層化すると作動
ギャップ１２に平行して非磁性層１１が存在し、その部
分での不４１■似ギャップ作用が起るために、特異な電
磁変換特性を呈して記録再生特性に悪影脣を与える。

また、磁性合金膜とフェライトの接合部においても、２
つの磁性体の磁気特性が異なると同様な疑似ギャップ作
用が起る。

この問題を解決するための方法として、特開昭５４−９
６０１３、特開昭５６−１６９２］、４号公報に開示さ
れている構造がある。その−例を第３図（斜視図）、第
４図（平面図と側面図）に示す。この磁気ヘッドは、磁
性合金膜１０とフェライト１４の接合部が作動ギャップ
１２と平行部を持たないように斜交させている。このよ
うにすることによって不要の疑似ギャップ作用がなくな
り記録再生特性が良好となる。しかし、磁性合金膜の構
成要件、０質についての考慮は示されていない。

以上、に述べたごとく、磁性合金を用いた磁気ヘットは
種々の改良が加えられてヘッド特性、耐摩耗性、生産性
が良好になってきている。

しかし、磁性合金を薄膜形成技術によって形成し、磁気
へラドコアを製作する場合、種々のＵｋ磁性合金おいて
それぞれ長所、短所があり、それぞれの磁性的特性、物
理的特性、構成、加工プロセスを十分考慮した選択が必
要である。

例えば、非晶質磁性合金膜において１４ＫＧ以上の飽和
磁束密度の材料を選ぼうとすると結晶化温度が低く、熱
安定性に劣る。しかし、フェライトとは相性が良く密着
強度が高く、結晶構造を持たないため複雑な形状の基板
に堆積しても磁気特性の劣化が少ないという利点力Ｓあ
る。

一方、多結晶質磁性合金膜は１４ＫＧ以上の飽和磁束密
度の材料は容易に得ることができる。しかし、フェライ
トとの密着強度が悪く、はく離やクラックを生ずる。ま
た、柱状構造を持つために複雑な形状の基板に形成する
と磁気特性が劣化する欠点がある。ところが、非晶質磁
性合金膜とは密着強度が高いという性質がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述した従来の種々の問題を一挙に解
決してその欠点を除去し、高飽和磁束密度を有する多結
晶質磁性合金膜と非晶質磁性合金膜の持つ特質を生かし
磁気コアを構成することによって高密度磁気記録に適し
た磁気ヘッドを提供することにある。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するため、本発明の磁気ヘッドは、磁気
コアの少なくとも一部が多結晶質磁性合金と非晶質磁性
合金とからなるものである。

さらに本発明の磁気ヘッドは多結晶質磁性合金と非晶質
磁性合金で磁気回路が構成されてなり、耐摺動性の非磁
性保護材を組み合せるか、もしくは、多結晶質磁性合金
と非晶質磁性合金とフェライトで磁気回路が構成されて
なるものである。その構成は少なくとも一方の作動ギャ
ップ面が多結晶質磁性合金で形成され、非晶質磁性合金
、フェライトのある場合はさらにフェライトの順に連結
して磁気回路が構成され、その飽和磁束密度が多結晶質
磁性合金Ｂ８１．非晶質磁性合金Ｂａ２、フェライトの
ある場合はフェライトＢＳ１からなり、その大きさがＢ
　ａｘ　＞　Ｂ　ｌ１２　＞　Ｂ　ａ３である。具体的
には多結晶質磁性合金の飽和磁束密度Ｂ、、が１４ＫＧ
以上、非晶質磁性合金の飽和磁束密度１３ａｚが７ＫＧ
以上であることが好ましい。その理由は、飽和磁束密が
５〜５．５ＫＧ　のものはＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフ′エライ
トで容易に達成することが可能である。磁性合金と複合
化する場合には７ＫＧ以上でないと生産性などから考え
て実用的効果が少ない。非晶質磁性合金膜はフェライト
との密着性に優れ、結晶ｉ造を持たないため複雑な形状
にも付き廻りが良く、形状による磁性特性の劣化が多結
晶質磁性届 合金膜に比べて少ないため、主流路を形成するのに適し
ている。しかし、非晶質磁性合金は耐熱性、耐蝕性を考
慮して選択すると飽和磁束密度が１４Ｋ　Ｇ以下と限度
がある。

これに対して、多結晶質磁性合金膜は飽和磁束密度が１
．４　Ｋ　Ｇ〜２０ＫＧと大きいものがある。

しかし、フェライトに直接形成した場合、熱膨張係数が
大きいために厚膜（５μｍ以上）にするとフェライト基
板からはく離したり、膜にクラックが入る等の欠点があ
る。また、薄膜形成術で形成した多結晶質膜は膜厚方向
に柱状構造の結晶が成長するために、基板の屈曲部で磁
性特性が劣化する等の問題がある。一方、多結晶質磁性
合金膜は非晶質磁性合金膜に対しては密着強度が高いと
いう利点があるため、非晶質磁性合金膜を主磁路として
、作動ギャップ近傍部を飽和磁束密度の大きい多結晶質
磁性合金膜として磁気回路を構成することが理想的であ
る。また、保護材を耐摩耗性の良い非磁性材料もしくは
高透磁率のフェライトで構成するとよい。保護材をフェ
ライトで構成した場合は、磁束の相当部分をフェライト
に流せるので、磁気抵抗をさらに低下させ得るという利
点もある。このうに本発明は多結晶質磁性合金膜と非晶
質磁性合金膜のそれぞれの特長を生かすことによって、
優れた構造の磁気ヘッドが得られている。

各磁性体の接合部は作動ギャップと平行にならないよう
に斜交させることが好ましいが、透磁率μを同等に選ぶ
ことによって平行部があっても接合部での疑似ギャップ
作用が問題にならないことが判った。各磁性体間の透磁
率の差は、例えば、周波数領域、１−５ＭＨｚで１００
０−３０００のμの値の場合は、これに対して±２０％
以内にしておくことが好ましい。磁性合金膜の透磁率は
膜形成の磁界、もしくは後で磁界中熱処理等の方法で制
御することが可能である。

本発明に用いられる信相磁束密度１４ＫＧ以上の多結晶
質磁性合金はＦｅ、ＣｏもしくはＦｅ−Ｇｏを主体とし
てこれとＳｊ、ＡＱ、Ｔｉ、Ｖ。

Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｊからなる群より選択された１種もしく
は２ｇ１以上の元素からなる合金を挙げることができる
。また、Ｆｅ、Ｃｏもしくはその両者とＮ、Ｃ，Ｐ等の
化合物でも高飽和磁束密度の薄膜を得ることができる。

また、Ｐ　ｔ　ｖ　Ｐ　ｄ　ｐ　Ａ　ｕ　ｒＡｇ、Ｒｕ
、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉ　ｒ等の泳加によって耐飽性を確保す
ることができる。また、磁歪は±ｌＸｌ０−１′の範囲
内にしておくことが好ましい。

一方、非晶質磁性合金膜は大きく分けてメタル−メタロ
イド系、メタル−メタル系を挙げることができるが、そ
の合金の種類は非常に多い。例えば、組成式がＭ、Ｔ、
Ｘ、Ｚ、で示され、ＭがＦｅ。

Ｎｉ、Ｃｏの群の中からｊｚばれた少なくとも１種の元
素、７１’がＭｏ、Ｃｒ＋　Ｗｅ　Ｖ、Ｎｂ、ＴａｎＭ
ｎ、Ａ１１．、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｐｄ。

Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ＋　　Ｉ　ｒｌＢ
　ｅ　ｒ　Ｍ　ｇ　ｔ　　Ｌ　ａ　＋　　Ｎ　ｄ　ｐ　
　Ｓ　ｒｎ　ｇ　　Ｅ　ｕ　＋　Ｇ　ｄ　ｇＴｂｔ　Ｄ
ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕの群の中から選ばれた少なくとも
１種の元素、ＸがＺｒ、Ｔｉ、Ｙ。

Ｈｆ　、　Ｇｅ　、　Ｓ　ｂ　、　Ｂ　ｊ、　、　Ｔ　
ｅの群の中から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｚがｐ
、Ｂ、Ｃ。

Ｓｉ、Ｎの群の中から選ばれた少なくとも１種の元素で
あり、かつ、ａ＋ｂ＋Ｃ＋ｄ＝１００なる条件下で０≦
ｂ≦９５．３０≦ａ＋１）≦９５．０≦Ｃ≦７０．０≦
ｄ≦３０を満足するイエ位的に非晶質であるものを拳げ
ることができる。

上記合金の中で、飽和磁束密度が７　Ｋ　Ｇ以」二、結
晶化温度が４００℃以−ヒ、磁歪が±ｌＸｌ０−’酸化
物、窒化物、炭化物、硼化物等のセラミック材およびガ
ラス等を挙げることができる。主な条件としては、耐摩
耗性、耐蝕性を確保し、熱膨張係数が８０Ｘ１０−７か
ら１４０Ｘ］−０−７の範囲のものが好ましい。また、
磁性材料の中から選ぶとするとＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを挙げることができる。特
にＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトが透磁率が高く好適であ
る。

前記磁性合金膜はスパッタリング、蒸着、イオンブレー
ティング、メッキ等の公知の薄膜形成技術によって行な
われる。特に非晶質磁性合金膜は元素によっては蒸着や
メッキで形成困難なものがあり、限られた元素となるの
で−、スパッタリング法で形成することが好ましい。

磁気回路の構成は保護コアが非磁性材の場合、主な磁路
を非晶質磁性合金で形成し、少なくとも作動ギャップ面
を含む近傍部を多結晶質磁性合金膜で形成する。非晶質
磁性合金膜の厚さは５μｍから１００　／Ｌｍ程度で構
成され、多結晶質磁性合金膜は０．５μｍ〜１０μｍ程
度で構成されることが好ましい。非晶質合金の厚さが５
μｍ未満では磁路の抵抗が高くなるためヘッド特性が悪
く、１００μｍを越えると磁性金属部の面積が広くなり
、摩耗特性劣化し、いずれも好ましくない。

また多結晶質磁性合金膜の厚さが０．５μｍ未満では透
磁率特性が急激に劣化し、３０μｍを越えると、５　Ｍ
　Ｈｚ以上の高周波領域の透磁率が急激に低くなるので
いずれも好ましくない。多結晶質磁性合金膜はヘッド構
造によって０．５μｍ〜５μｍ、もしくは５μｍ〜３０
μｍとして用いられる。前者はトラック幅１０μｍ以下
の狭トラツクヘッドの場合、後者はトラック幅１０μｍ
以上のヘッドの場合に用いて好適である。

一方、保護コアが高透磁率フェライトの場合、主な磁路
はフェライトもしくは非晶質磁性合金膜とフェライトで
構成され、少なくとも作動ギャップ面を含む近傍部を多
結晶質磁性合金膜で構成する。各合金膜の厚さ範囲は前
述と同様である。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。

第５図は本発明の磁気ヘッドの基本的構成を示す記録媒
体対向面の平面図および側面図である。すなわち、作動
ギャップ２０の近傍部が厚さ０．５μｍ〜３０μｍの高
飽和磁束密度の多結晶質磁性合金２１で構成され、これ
と非晶質磁性合金２２が接続され磁気回路が構成される
。例えば、多結晶質磁性合金２１は周知のＦｅ−３ｉ、
Ｆｅ−Ｃｏ−８ｊ、Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｔｊ。

Ｆｅ−ＡＤ、−８ｉ合金を挙げることができる。非晶質
磁性合金２２は、周知のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ。

Ｃｏ−Ｍｏ＝Ｚｒ、Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚ　
ｒ　、　Ｃｏ　−Ｔ　ｊ、　、　Ｃｏ　−Ｚ　ｒ　、　
ＣＯ−Ｚ　ｒ　−Ｂ　、　Ｆ　ｅ　−Ｃｏ　−Ｓ　ｉ、
　−Ｂ等を挙げることができる。２３は保護材であり、
Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等
の高透磁率磁性材料もしくは、セラミックス、ガラス等
の非磁性材料で構成される。例えば、保護林２３を磁性
材料とする場合、磁気回路は多結晶質磁性合金膜、非晶
質磁性合金膜および保護材で構成される。また、保護林
２３を非磁性材料とする場合、磁気回路は多結晶磁性合
金膜と非晶質磁性合金膜で構成される。

この場合、主な磁気回路は非晶質磁性合金膜で構成され
、いずれの場合も少なくとも作動ギャップ近傍部が多結
晶質磁性合金膜で構成される。

第６図は本発明の他の磁気ヘッドの構造を示す側面図で
ある。例えば、第５図に示す磁気ヘッド１〜で保護材２
３にＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフエライ１−のような高透磁率磁
性材を用いた場合には、第６図に示すように多結晶磁性
合金膜２１と非晶質磁性合金膜２２をコイル巻線窓２４
で分断した構造にすることができる。

次に、第５図、第６図に示すように多結晶磁性合金膜２
１と非晶質磁性合金膜２２と保護材２３の接合部が作動
ギャップ２０と平行になる場合には、各磁性材料の透磁
率をほぼ同等にすることが好ましい。そうすれば、接合
部における疑似ギャップ作用を減少することができる。

また、透磁率が異なる場合には作動ギャップに近い磁性
体の透磁率を大きくしておくことが好ましい。

第７図、第８図は本発明の他の実施例による磁気ヘッド
の構造を示す記録媒体対向面の平面図と側面図である６ 第７図は保護林２３の突起部に非晶質磁性合金膜２２を
形成し接合境部が作動ギャップ２０と平行部を持たない
ようにした構造である。このようにすれば、非晶質磁性
合金膜を非磁性材を介して多層化した多層磁性膜にして
も非磁性中間層が作動ギャップ２０と平行部を形成しな
いため疑似ギャップ作用を回避することができる。そし
て、多結晶質磁性合金膜２１は作動ギャップ近傍部に０
．５μｍ〜５μｎ１形成される。多結晶質磁性合金膜は
磁界中スパッタリングもしくは磁界中熱処理によって記
録媒体に対して垂直方向に透磁率を高くする処理を行な
うことによって記録、再特性を向上することができる。

第８図は本発明の他の実施例を示す磁気ヘッドの平面図
を示す。本実施例は、多結晶質磁性合金膜２１と非晶質
磁性合金＠２２と保護林２３とのすべての接合部が作動
ギャップと平行部を持たないように構成した磁気ヘッド
である。このような構造にすれば、それぞれの磁性材の
透磁率の値が異なっても接合部における疑似ギャップ作
用の影響を回避することができる。この時、作動ギャッ
プ対向面は少なくとも多結晶質磁性合金膜で構成される
。多結晶質磁性合金膜の厚さはトラック幅くする必要が
ある。

なお、上記各実施例において、多結晶質磁性合録媒体に
対して磁気ヘッドの記録再生感度が約３ｄＢ低下し、保
護材がＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトで且つ非晶質磁性合
金膜のない場合は、多結晶質磁性合金膜がフェライトか
ら剥離する傾向を生じ、いずれも好ましくなかった。

以下本発明の前記磁気ヘッドの製造方法の一例を実施例
により詳細に説明する。

本発明の第１の製造方法の各工程の説明図を第９図（イ
）〜（す）に示す６ １）、第９図（イ）は高透磁率フェライトよりなる保護
ブロック並のギャップ突き合せ面となる面３１にコイル
巻線用溝３２を形成する工程である。面３１はあらかじ
め鏡面研摩しておくとよい。ここで高透磁率フェライト
は１例えば、飽和磁束密度が５ＫＧ、比透磁率が１５０
０のＭ　ｎ　−Ｚｎフェライトが用いられる６コイル巻
線用溝３２は少なくとも先端が傾斜しており、θ、は２
０″〜７０ａ、好適には３０°〜６０６とするのが良い
。また、後部（図示せず）も傾斜しておくと磁性合金膜
を形成するのに有効である。

■）、第９図（ロ）で示す工程は前記（イ）の工程で得
られるコイル巻線溝に直行して、ギャップ突き合せ面と
なる面３１にトラック幅より狭い突起を残して隣接する
２本の溝３３．３３’　を組とする複数組の溝を平行に
設ける工程である。溝は先端が７字もしくはＵ字状に成
形されたメタルボンド砥石もしくはレジンボンド砥石が
用いられ、高速ダイサ等によって加工される。ここで突
起部の角度０２（第９図（ハ）に示す）は３０°〜１２
０″に選ばれる。各組の溝の間に残された平坦部３４は
後工程、ｔ±＝＝；−一たとえば第９図（ホ）に対応す
る工程の研摩や第９図（チ）に対応する工程のブロック
の接合時における金属磁性合金属の補強部であり、基準
面となる。

■）、第９図（ハ）は第９図（ロ）で示す工程で加工さ
れた溝３３．３３’の拡大側面を示す（以下、第９図（
ロ）、第９図（ハ）等に対応する工程を、工程（ロ）、
工程（ハ）等とする）。

工程（ハ）はギャップ突き合せ面全面にフェライトより
飽和磁束密度の高い非晶質磁性合金膜３５と多結晶質磁
性合金膜３６をスパッタリングによって堆積させる工程
である。非晶質磁性合金膜は、例えば、Ｇ　ｏ、４Ｎ　
ｂｌ、　Ｚ　ｒ３合金（原子％）からなる下記の特性の
ものが用いられる。

飽和磁束密度Ｂ、２　；９．５ＫＧ 磁歪λ、；−２Ｘ１０−７ 結晶化温度Ｔ、　　　　：５２５℃ 保磁力Ｈａ　　　’　　　：０．１５０ｅ異方性磁界Ｈ
１ｌ　　　：８０ｅ ５　Ｍ　Ｈｚの比透磁率；　２０００ 膜厚　　　　　　　；３０μｍ スパッタリングはＲＦスパッタ装置を用い、以下の条件
で行なった。

スパッタ電力ｐ、　　　；ａｏｏｗ アルゴン圧力ＰＡ、　　；５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ電極間
距！？ｉｄ　　　　；５０ｎｎ 基板温度ｔ　　　　；８０℃ 他の非晶質磁性合金としてはＣｏ−Ｆｅ−８ｉ−Ｂ系で
代表される周知のメタル−メタロイド系合金や、Ｃｏ　
−Ｚ　ｒ　＊　Ｃｏ　−Ｔ　ｉ　ｔ　Ｃｏ　−Ｍ　ｏ　
−Ｚｒ等の周知のメタル−メタル系合金等が用いられる
。

次に、非晶質磁性合金膜３５の上に飽和磁束密度Ｂ４が
１４．　Ｋ　Ｃｒ以上の多結晶質磁性合金膜３６をスバ
タリングによって堆積する。多結晶質磁性合金は１例え
ば、Ｆｅ−４，５％５ｉ−５％Ｒｕ（重量％）からなる
下記の特性のものが用いられる。

飽和磁束密度Ｂ、１．；１７ＫＧ 磁歪λ、　　　　　　　；１ｘｌＯ−’保磁力Ｈ，；０
．８０ｅ 異方性磁界Ｈ＊　　　　；１００ｅ ５　Ｍ　Ｈｚの比透磁率；　１８００ 膜厚　　　　　　　；１０μｍ スパッタリングは以下の条件で行なった。

スパッタ電力ｐｔ　　　；５００Ｗ アルゴン圧力ＰＡｒ　　；　２　Ｘ　１０−２Ｔｏｒｒ
電極間距離ｄ　　　；２５皿 基板温度ｔ　　　　　；　３５０℃ 多結晶質磁性合金膜３６としては、この他に、Ｆｅ−８
ｉ系、Ｆｅ−Ｃｏ−８ｉ系、Ｆｅ−Ｔｊ系、Ｆｅ−Ａｆ
ｌ−８ｉ系およびＦｅ−Ｎ系、Ｆｅ−Ｃ系等で代表され
る合金が用いられる。堆積法は他に真空蒸着、イオンブ
レーティング、化学蒸着あるいはメッキ等でも可能であ
るが、限られた金属しかできないことや組成変動が大き
い等の難点があり、スパッタリング法が適している。ま
た、スパッタリング法は付着強度が高く、溝部にも廻り
込みがよいという利点があり本発明法に対して適してい
る。

なお、非晶質磁性合金膜３５の厚みｔｌは１０〜５０μ
ｍと厚くすれば磁気回路を構成する上で好適である。一
方、多結晶質磁性合金膜３６の厚みｔ２は工程（ホ）で
示すトラック幅ｔ、を構成する厚みが必要である。好適
には１０〜３ｏμｍである。特に、多結晶質磁性合金膜
は非磁性膜もしくは磁性膜を中間層として多層化するこ
とによって磁気特性を改善することができる。

ね）、工程（ニ）は工程（ハ）で得られた金属磁性体膜
の上に少なくとも残りの溝部が埋まる程度に非磁性材３
７を充填する工程である。非磁性材３７はガラス、セラ
ミック系の無機接着材あるいは硬質の樹脂が用いられる
。安定性の面がらガラスが適している。ガラス椙は非晶
質磁性合金の結晶化温度以下の軟化点のものが選ばれる
。好適には作業温度が結晶化温度より５０℃以下のもの
を選ぶとよい。

また、非磁性材を充填する前に前記磁性合金膜を保護す
るた？ｂニＳ　ｉ　Ｏ，、Ａ　Ｑ、Ｏ１等ヲ１〜５μｍ
形成しておくことが好ましい。このようにすれば、ガラ
スを充填する時に磁性合金膜と反応することを防ぐこと
ができる。

■）、工程（ホ）は工程（ニ）で得られたブロックの非
磁性材３７および多結晶質磁性合金膜３６の不要部分を
除去し、ギャップ形成面を露呈させる工程である。除去
法は研削および研摩によって行なわれ、ギャップ突き合
せ面を得るため、最終仕上げは鏡面とする。鏡面研摩は
前記ト・ラック幅ｔ、が得られるまで行なう。なお、ギ
ャップ突き合せ面は多結晶質磁性合金膜で形成される。

ｖｉ）、第９図（へ）は工程（ホ）で得られたコイル巻
線溝を有する一方のコアブロックの斜視図を示す。もう
一方のコアブロックはコイル巻線溝がなくてもよい。工
程（へ）はこのような一対のコアブロックの少なくとも
一方のコアブロックのギャップ形成面に５ｊＯ２、ガラ
ス等の非磁性材を０．１〜０．３μｍ形成しく図示せず
）ギャップ形成膜とする工程である。

が合うように突き合せて加熱、加圧しながら接合一体化
する工程である。この場合、接合は溝に充填されている
非磁性材３７がガラスならばお互いのガラスによって行
なわれ、樹脂あるいはセラミック材を用いた場合には別
途コイル巻終窓の一部、および後部接合部に切り欠きｊ
Ｆｊを設けて樹脂等によって行なわれる。

軸）、第９図（チ）は工程（ト）で得られた接合ブロッ
ク３８の磁気テープ慴動面を示す。工程（チ）はトラッ
ク幅を中心にして点線で示す所要のコア幅Ｔになるよう
に切断して複合型磁気ヘッドを複数個得る工程である。

場合によってはアジマス角だけ傾斜して切断される。こ
のようにして、第９図（す）にその磁気テープ摺動面を
示すような構造の狭トラツク磁気へラドコアが得られる
。

これにコイルを巻装することにより本発明の磁気ヘッド
が得られる。

なお１本発明法においては、工程（イ）のコイル巻線溝
加工を上点（ホ）の後に行なってもよい。

次に本発明において磁性合金膜の透磁率を好適に制御し
た一例について述べる。第１０図は本発明磁気ヘッドの
記録媒体対向面を示す平面図である。図示の記号は第７
図、第８図示した記号と同一とした。すなわち、２０は
作動ギャップ、２１は多結晶質磁性合金、２２は非晶質
磁性合金、２３は保護材、２５は非磁性充填材である。

ここで、保護材２３はＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトであ
る。

非晶質磁性合金膜２２は飽和磁束密度Ｂ８２が８ＫＧの
Ｇｏ−Ｍｏ−Ｚｒをスパッタリング法で３０μｍ形成し
た。透磁率は周知の回転磁界中スパッタリングあるいは
周知の一方向磁界中熱処理によって磁気異方性を制御し
、ＩＭＨｚ〜５Ｍ　Ｈｚでの比透磁率を２０００〜３０
００とした。そして多結晶質磁性合金膜２１は飽和磁束
密度ＢＳ３が１１ＫＧのＦｅ−Ａｆｌ−８ｉをトラック
幅方向（第１０図の矢印）の磁界中でスパッタリングし
、０．５〜５μｍ形成した。すなわち、磁化容易軸をト
ラック幅方向に形成して記録媒体対向面に垂直方向の比
透磁率を２０００とした。このようにして作動ギャップ
近傍部の磁束を強く、急峻にすることによって、記録、
再生効果を大幅に改善した。

本発明の磁気ヘッドは高密度磁気記録に適した構造を有
するものである。さらに、垂直磁気記録媒体に対しても
好適な記録、再生ができる構造となっている。

〔発明の効果〕

以北に説明したごとく本発明の磁気ヘッドは従来の磁気
ヘッドに比べ、つぎの効果を有する。

（１）高飽和磁束密度（１４ＫＧ以上）の多結晶質磁性
合金膜で作動ギャップ近傍部を構成しているため高保磁
力（Ｈｃ＞１５０００　ｅ　）の記録媒体にも十分記録
ができ、この多結晶質磁性合金膜と接続して結晶構造を
持たない非晶質磁性合金膜で磁気回路が構成されている
ため、リング状の形状においても磁気特性の劣化がなく
記録、再生効率を高める構造となっている。

（２）フェライトに多結晶質磁性合金膜を形成した場合
、密着強度が悪く、はく離やクラックが入ってしまうの
に対して、非晶質磁性合金膜はフェライトおよび多結晶
質磁性合金膜には密着強度が良く、優れたヘッド構造を
有する。したがって、量産性にも優れている。

（３）磁気的に飽和が問題となるヘッドコアの先端部に
飽和磁束密度の大きい磁性合金をもって構成しているた
め、急峻な磁束を発生することができ、高密度記録に適
した構造となっている６

【図面の簡単な説明】

例における磁気ヘッドの平面図と側面図、第６図は本発
明の他の実施例における磁気ヘッドの側面図、第７図、
第８図は本発明のさらに他の実施例を示す磁気ヘッドの
平面図と側面図、第９図（イ）〜（す）は本発明の磁気
ヘッド製造方法の一実施例における各工程の説明図、第
１０図は本発明の他の実施例における磁気ヘッドの記録
媒体対向面を示す拡大平面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気コアの少なくとも一部が多結晶質磁性合金と非
   晶質磁性合金からなることを特徴とする磁気ヘッド。 ２、多結晶質磁性合金と非晶質磁性合金で磁気回路を構
   成し、さらに非磁性保護材を設けたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド。 ３、多結晶質磁性合金と非晶質磁性合金とフェライトで
   磁気回路を構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の磁気ヘッド。 ４、少なくとも一方の作動ギャップ面が多結晶質磁性合
   金で形成され、非晶質磁性合金、フェライトの順に連結
   して磁気回路が構成され、その飽和磁束磁束密度が多結
   晶質磁性合金Ｂ＿Ｓ＿１、非晶質磁性合金Ｂ＿Ｓ＿２、
   フェライトＢ＿Ｓ＿３からなり、その大きさがＢ＿Ｓ＿
   １＞Ｂ＿Ｓ＿２＞Ｂ＿Ｓ＿３であることを特徴とする特
   許請求の範囲第３項記載の磁気ヘッド。 ５、多結晶質磁性合金の飽和磁束密度Ｂ＿Ｓ＿１が１４
   ＫＧ以上、非晶質磁性合金の飽和磁束密度Ｂ＿Ｓ＿２が
   ７ＫＧ以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項、第２項、第３項もしくは第４項記載の磁気ヘッド。