JPH0215406A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0215406A JPH0215406A JP16571388A JP16571388A JPH0215406A JP H0215406 A JPH0215406 A JP H0215406A JP 16571388 A JP16571388 A JP 16571388A JP 16571388 A JP16571388 A JP 16571388A JP H0215406 A JPH0215406 A JP H0215406A
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- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 27
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
- G11B5/2452—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track where the dimensions of the effective gap are controlled
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁気記録再生用の磁気ヘッドに関し、特に７
ｉｑ膜プロセスによって磁気回路を構成する薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
ｉｑ膜プロセスによって磁気回路を構成する薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
［従来の技術］
薄膜磁気ヘッドは、下部磁性層と上部磁性層との間に、
非磁性ギャップ層と、コイルを内部に含む絶縁層とを有
している。下部磁性層および上部磁性層は、通常は、パ
ーマロイまたはセンダストから作られている。
非磁性ギャップ層と、コイルを内部に含む絶縁層とを有
している。下部磁性層および上部磁性層は、通常は、パ
ーマロイまたはセンダストから作られている。
きわめてまれなケースとして、下部磁性層にバルク状の
フェライトを用い、上部磁性層にのみ薄膜磁性体を使用
することもある。
フェライトを用い、上部磁性層にのみ薄膜磁性体を使用
することもある。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の薄膜磁気ヘッドでは、同一のギャップで
信号の占ぎ込み、読み出しを行うため、それぞれの場合
について必ずしも最適のギャップ寸法とはなっていない
。つまり、書き込みと読み出しの両方が可能であるよう
なギャップ長が設定されており、これは逆に言えば、書
き込みに対しても読み出しに対しても最適なギャップ長
には設定されていないといえる。
信号の占ぎ込み、読み出しを行うため、それぞれの場合
について必ずしも最適のギャップ寸法とはなっていない
。つまり、書き込みと読み出しの両方が可能であるよう
なギャップ長が設定されており、これは逆に言えば、書
き込みに対しても読み出しに対しても最適なギャップ長
には設定されていないといえる。
この点を以下に具体的に述べる。書き込み時には、媒体
を十分に磁化するために、強い磁界を発生させる必要が
ある。このためには、ギャップ長を大ぎくすることが好
ましく、コア材料としては飽和磁束密度の大ぎなものを
使用することが望ましい。一方で、大きな読み出し出力
を得るには、ギャップ長はできるだけ小さくすることが
好ましく、コア材料としては高周波での透磁率が大きい
磁性体を使用することが望ましい。
を十分に磁化するために、強い磁界を発生させる必要が
ある。このためには、ギャップ長を大ぎくすることが好
ましく、コア材料としては飽和磁束密度の大ぎなものを
使用することが望ましい。一方で、大きな読み出し出力
を得るには、ギャップ長はできるだけ小さくすることが
好ましく、コア材料としては高周波での透磁率が大きい
磁性体を使用することが望ましい。
このように、ギャップ長については、書き込みと読み出
しでは最適寸法が異なっている。これに対して、従来の
薄膜ヘッドでは上述のように同一のギャップ長で書き込
みと読み出しを行うため、十分な記録再生性能が得られ
ないという欠点がある。
しでは最適寸法が異なっている。これに対して、従来の
薄膜ヘッドでは上述のように同一のギャップ長で書き込
みと読み出しを行うため、十分な記録再生性能が得られ
ないという欠点がある。
本発明の目的は、同一のギャップを利用するにもかかわ
らず書き込みと読み出しにおいてそれぞれ最適なギャッ
プ長が得られるような薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
らず書き込みと読み出しにおいてそれぞれ最適なギャッ
プ長が得られるような薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
［１題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッド
は、下部磁性層と上部磁性層との間に、非磁性ギャップ
層と、コイルを内部に含む絶縁層とを有する薄’Ａ’Ａ
ｒａ気ヘッドにおいて、前記下部磁性層と上部磁性層
の少なくとも一方は、前記非磁性ギャップ層に隣接して
いて第１の磁性材料からなる第１の磁性層と、前記非磁
性ギャップ層に隣接していないで第２の磁性材料からな
る第２の磁性層とを有し、 前記第１の磁性材おｌは前記第２の磁性材料Ｊ：りも飽
和磁束密度が小ざいことを特徴とする。
は、下部磁性層と上部磁性層との間に、非磁性ギャップ
層と、コイルを内部に含む絶縁層とを有する薄’Ａ’Ａ
ｒａ気ヘッドにおいて、前記下部磁性層と上部磁性層
の少なくとも一方は、前記非磁性ギャップ層に隣接して
いて第１の磁性材料からなる第１の磁性層と、前記非磁
性ギャップ層に隣接していないで第２の磁性材料からな
る第２の磁性層とを有し、 前記第１の磁性材おｌは前記第２の磁性材料Ｊ：りも飽
和磁束密度が小ざいことを特徴とする。
［作用］
非磁性ギャップ層に隣接する第１の磁性層の飽和磁束密
度が小さく、反対に、非磁性ギャップ層に隣接していな
い第２の磁性層の飽和密度が大きいことから、次の現象
が生じる。書き込み時には、第１の磁性層で磁束密度が
飽和し、非磁性ギＶツブ層から遠い第２の磁性層からも
多量の漏洩１６束が発生する。すなわら、ヘッドが発生
する磁界分布は、非磁性ギャップ層の厚さだけに依存す
るのではなくて、第１の磁性層の厚さも実質的にギＶツ
ブ層として磁界分イ［に寄与する。その結果、書き込み
時のヘッドギャップは、磁界分布の観点から見れば、非
磁性ギャップ層の厚さよりも大きくなる。
度が小さく、反対に、非磁性ギャップ層に隣接していな
い第２の磁性層の飽和密度が大きいことから、次の現象
が生じる。書き込み時には、第１の磁性層で磁束密度が
飽和し、非磁性ギＶツブ層から遠い第２の磁性層からも
多量の漏洩１６束が発生する。すなわら、ヘッドが発生
する磁界分布は、非磁性ギャップ層の厚さだけに依存す
るのではなくて、第１の磁性層の厚さも実質的にギＶツ
ブ層として磁界分イ［に寄与する。その結果、書き込み
時のヘッドギャップは、磁界分布の観点から見れば、非
磁性ギャップ層の厚さよりも大きくなる。
一方、読み出し時には、ヘッドの磁性層が検出する磁界
強度は極めて小さいので、第１の磁性層においても磁束
密度が飽和することがない。したがって、読み出し時の
ギャップ長は、非磁性ギャップ層の厚さに等しい。
強度は極めて小さいので、第１の磁性層においても磁束
密度が飽和することがない。したがって、読み出し時の
ギャップ長は、非磁性ギャップ層の厚さに等しい。
［実施例］
次に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図でおる。この薄膜磁
気ヘッドは、アルミナチタン酸カーバイドからなるセラ
ミック基板１０の上に、各種の薄膜層を形成して作られ
ている。セラミック基板１０の上には、アルミナの下地
１２０がスパッタリングで形成される。その上には、パ
ーマロイからなる下部磁性層３０がメツキによって形成
される。その上には、アルミナからなる非磁性ギャップ
層４０と、フォトレジストからなる絶縁層５２と、コイ
ル６０とが形成される。コイル６０の周囲には、再びフ
ォトレジストからなる絶縁層５４が形成される。その上
には、上部磁性層７０が形成される。上部磁性層７０の
上には、アルミナからなる保護膜８０が形成される。
気ヘッドは、アルミナチタン酸カーバイドからなるセラ
ミック基板１０の上に、各種の薄膜層を形成して作られ
ている。セラミック基板１０の上には、アルミナの下地
１２０がスパッタリングで形成される。その上には、パ
ーマロイからなる下部磁性層３０がメツキによって形成
される。その上には、アルミナからなる非磁性ギャップ
層４０と、フォトレジストからなる絶縁層５２と、コイ
ル６０とが形成される。コイル６０の周囲には、再びフ
ォトレジストからなる絶縁層５４が形成される。その上
には、上部磁性層７０が形成される。上部磁性層７０の
上には、アルミナからなる保護膜８０が形成される。
上述の上部磁性層７０は、２種類の磁性層からなる積層
構造となっている。すなわち、絶縁層５４の上には、第
１の磁性層７２が形成され、さらにその上に、第２の磁
性層７４が形成される。
構造となっている。すなわち、絶縁層５４の上には、第
１の磁性層７２が形成され、さらにその上に、第２の磁
性層７４が形成される。
第１の磁性層７２は、Ｎ １−２ｎ層からなり、スパッ
タリングによって約０．５μｍの厚さに形成される。第
２の磁性層７４は、パーマロイからなり、メツキによっ
て約２μｍの厚さに形成される。
タリングによって約０．５μｍの厚さに形成される。第
２の磁性層７４は、パーマロイからなり、メツキによっ
て約２μｍの厚さに形成される。
ところで、この実施例では２種類の磁性材料を使用して
いるが、Ｎｉ −Ｚｎ層の飽和磁束密度は約３５００ガ
ウスであり、パーマロイの飽和磁束密度は９０００ガウ
スである。すなわち、非磁性ギャップ層４０に隣接した
第１の磁性層７２の飽和磁束密度は、非磁性ギャップ層
４０に隣接していない第２の磁性層７４の飽和磁束密度
よりも小さくされている。
いるが、Ｎｉ −Ｚｎ層の飽和磁束密度は約３５００ガ
ウスであり、パーマロイの飽和磁束密度は９０００ガウ
スである。すなわち、非磁性ギャップ層４０に隣接した
第１の磁性層７２の飽和磁束密度は、非磁性ギャップ層
４０に隣接していない第２の磁性層７４の飽和磁束密度
よりも小さくされている。
次にこの実施例の動きを説明する。第３図はこの薄ＩＢ
Ｉ ＣＯ気ヘッドのギャップ付近の拡大断面図である。
Ｉ ＣＯ気ヘッドのギャップ付近の拡大断面図である。
このヘッドによって磁気記録媒体に信号を出き込む場合
は、コイル６０が励磁され、下部磁性層３０と上部磁性
層７０が磁化される。このとさ、上部磁性層７０のうち
、第１の磁性層７２は、飽和磁束密度が小さいため、磁
束密度が飽和状態になる。したがって、第２の磁性層７
４からも多字の漏洩磁束が発生する。このため、書き込
み時の磁界分イ１は、非磁性ギャップ層４０の厚ざＧの
みによって決定されるものではなく、第１の磁性層７２
の厚ざＡも実質的にギャップ層として磁界分布に寄与す
る。したがって、書き込み時の実質的なギャップ長は、
非磁性ギＶツブ層の厚さＧよりも大きくなる。ギャップ
長が大ぎくなれば、ヘッドの発生する磁界のうち媒体と
平行な成分の強度が大さくなり、媒体を十分に磁化する
ことができる。
は、コイル６０が励磁され、下部磁性層３０と上部磁性
層７０が磁化される。このとさ、上部磁性層７０のうち
、第１の磁性層７２は、飽和磁束密度が小さいため、磁
束密度が飽和状態になる。したがって、第２の磁性層７
４からも多字の漏洩磁束が発生する。このため、書き込
み時の磁界分イ１は、非磁性ギャップ層４０の厚ざＧの
みによって決定されるものではなく、第１の磁性層７２
の厚ざＡも実質的にギャップ層として磁界分布に寄与す
る。したがって、書き込み時の実質的なギャップ長は、
非磁性ギＶツブ層の厚さＧよりも大きくなる。ギャップ
長が大ぎくなれば、ヘッドの発生する磁界のうち媒体と
平行な成分の強度が大さくなり、媒体を十分に磁化する
ことができる。
一方で、読み出し時には、ヘッドの磁性層が検出する磁
界強度は極めて小さく、したがって、第１の磁性層７２
の磁束密度が飽和することがない。
界強度は極めて小さく、したがって、第１の磁性層７２
の磁束密度が飽和することがない。
このため、読み出し時のギャップ長は、非磁性ギャップ
層４０の厚ざＧに等しい。つまり、書き込み時よりも狭
いギャップ長によって信号の読み出しが行われ、ギヤ・
ツブ損失は小さく抑えられて大きな読み出し出力が１９
られる。
層４０の厚ざＧに等しい。つまり、書き込み時よりも狭
いギャップ長によって信号の読み出しが行われ、ギヤ・
ツブ損失は小さく抑えられて大きな読み出し出力が１９
られる。
上述の実施例では、上部磁性層７０を積層６ｉ造とした
が、その代わりに、下部磁性層３０を積層構造とするこ
ともできる。また、その両方を積層構造とづ−ることも
できる。いずれの場合も、非磁性ギャップ層に隣接する
側の磁性層に、飽和磁束密度の小さい材料を使用するこ
とになる。
が、その代わりに、下部磁性層３０を積層構造とするこ
ともできる。また、その両方を積層構造とづ−ることも
できる。いずれの場合も、非磁性ギャップ層に隣接する
側の磁性層に、飽和磁束密度の小さい材料を使用するこ
とになる。
また、上述の実施例では、飽和磁束密度の小ざい材料と
してＮｉ−Ｚｎ層を、そして飽和磁束密度の大ぎい材料
としてパーマロイを使用しているが、本発明はこれらの
磁性材料に限定されるものではなく、ヘッドの用途に応
じて種々の材料を使用することができる。
してＮｉ−Ｚｎ層を、そして飽和磁束密度の大ぎい材料
としてパーマロイを使用しているが、本発明はこれらの
磁性材料に限定されるものではなく、ヘッドの用途に応
じて種々の材料を使用することができる。
［発明の効果」
以上説明したように本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、下
部磁性層と上部磁性層の少なくとも一方を２種類の磁性
層からなる積層構造としている。
部磁性層と上部磁性層の少なくとも一方を２種類の磁性
層からなる積層構造としている。
そして、非磁性ギャップ層に隣接している磁性層の飽和
磁束密度を、隣接していない磁性層の飽和磁束密度より
小さくしである。したがって、出き込み時には、非磁性
ギャップ層に隣接する磁性層の磁束密度の飽和のために
、非磁性ギャップ層に隣接しない磁性層から多足の漏洩
磁束があり、実質的に広いギャップ長となる。一方、読
み出し時には狭いギャップ長のままである。その結果、
理想的な記録再生動作を行うことができる。
磁束密度を、隣接していない磁性層の飽和磁束密度より
小さくしである。したがって、出き込み時には、非磁性
ギャップ層に隣接する磁性層の磁束密度の飽和のために
、非磁性ギャップ層に隣接しない磁性層から多足の漏洩
磁束があり、実質的に広いギャップ長となる。一方、読
み出し時には狭いギャップ長のままである。その結果、
理想的な記録再生動作を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、
第２図はこの実施例の拡大断面図である。
１０・・・下部磁性層
４０・・・非磁性ギャップ層
７０・・・上部磁性層
７２・・・第１の磁性層
７４・・・第２の磁性層
第 １ 図
３０ 下部磁性層
第２の磁性層
第
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下部磁性層と上部磁性層との間に、非磁性ギャップ層と
、コイルを内部に含む絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッド
において、 前記下部磁性層と上部磁性層の少なくとも一方は、前記
非磁性ギャップ層に隣接していて第１の磁性材料からな
る第１の磁性層と、前記非磁性ギャップ層に隣接してい
ないで第２の磁性材料からなる第２の磁性層とを有し、 前記第１の磁性材料は前記第２の磁性材料よりも飽和磁
束密度が小さいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16571388A JPH0215406A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16571388A JPH0215406A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215406A true JPH0215406A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15817647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16571388A Pending JPH0215406A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215406A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001468A (en) * | 1997-07-04 | 1999-12-14 | Fujitsu Limited | Magnetic head |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724015A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film magnetic head |
| JPS5868211A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6134707A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS6246409A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Tdk Corp | 磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP16571388A patent/JPH0215406A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724015A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film magnetic head |
| JPS5868211A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6134707A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS6246409A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Tdk Corp | 磁気ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001468A (en) * | 1997-07-04 | 1999-12-14 | Fujitsu Limited | Magnetic head |
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