JPH113510A - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents

複合型薄膜磁気ヘッド

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JPH113510A
JPH113510A JP9169516A JP16951697A JPH113510A JP H113510 A JPH113510 A JP H113510A JP 9169516 A JP9169516 A JP 9169516A JP 16951697 A JP16951697 A JP 16951697A JP H113510 A JPH113510 A JP H113510A
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magnetic
film layer
width
magnetic film
protrusion
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JP9169516A
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Masayuki Takagishi
雅幸 高岸
Shinichi Akaho
伸一 赤穂
Daisuke Iizuka
大助 飯塚
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Read Rite SMI Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 読み出し性能を犠牲にすることなく、磁性材
をトラック幅方向に均一に磁化することができ、イレー
ズ幅が小さく、書き込み性能が優れた複合型薄膜磁気ヘ
ッドを開発する。 【解決手段】 第２磁性膜層３０に段差状の突起３１が
設けられている。突起３１が設けられた位置は、前記第
２磁性膜層３０が第３磁性膜層１２とギャップ膜層１１
を挟んで対峙する部位である。突起３１の幅ｂは、第３
磁性膜層１２の幅ａよりも小さい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録用インダクテ
ィブヘッドと再生用の磁気抵抗効果ヘッド（ＭＲヘッ
ド）を一体的に備える、ＭＲ−インダクティブ複合型薄
膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピューターや、ワードプロセッサ等
の機器は、今日わが国の産業界に広く普及し、これらの
機器に内蔵される磁気記憶装置は、大容量化の一途をた
どっている。そして磁気記憶装置の大容量化に伴い、薄
膜磁気ヘッドの記録・再生性能の向上が望まれている。
この状況の下、従来のインダクティブヘッドに代わり、
記録用インダクティブヘッドと再生用の磁気抵抗効果ヘ
ッド（ＭＲヘッド magneto-resisitive head）を一体
的に備える、複合型薄膜磁気ヘッドが提案されている。
【０００３】複合型薄膜磁気ヘッドの層構成は、図１
１、図１２の通りであり、記録用インダクティブヘッド
と再生用の磁気抵抗効果ヘッドを一体的に積層したもの
である。即ち複合型薄膜磁気ヘッドでは、図面の上側部
分（図１２においてカッコＡで示される部分）によって
記録用インダクティブヘッドが形成される。またその下
の層内に磁気抵抗効果素子５が内蔵され、当該部分で磁
気抵抗効果ヘッドＢが構成されている。各層を具体的に
説明すると次の通りである。
【０００４】複合型薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣのセラミック等からなる基板６をベースとし、該基
板６の上にＡｌ2 Ｏ3 の絶縁膜７が設けられている。そ
して絶縁膜７上に第１磁性膜層８が積層されている。な
お、第１磁性膜層８は下部シールド磁性膜と称されてい
る。さらにその第１磁性膜層８上に磁気抵抗効果素子５
が埋設されている。磁気抵抗効果素子５は、一種の電流
磁気効果を有する部材であり、材料が磁化されることに
より、電気抵抗が変化するものである。磁気抵抗効果を
有する素材には、例えばＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，Ｎｉ
Ｃｏ，ＦｅＭｎ，Ｆｅ3 Ｏ4 ，ＣｏＰｔ／Ｃｒ，Ｆｅ／
Ｃｒ等があり、磁気抵抗効果素子５はこれらの中から、
適切なものが選択される。
【０００５】磁気抵抗効果素子５の上部には、第２磁性
膜層１０が形成されている。第２磁性膜層１０は、基板
６の略全域の面積に渡って積層されている。なお、第２
磁性膜層１０は上部シールド磁性膜とも称されている。
そして第２磁性膜層１０の上には、磁気ギャップ膜層１
１があり、この磁気ギャップ膜層１１を挟んで第３磁性
膜層１２が積層されている。なお、この第３磁性膜層１
２は、記録インダクティブ磁性膜層１２とも称される。
この第３磁性膜層１２の上部には保護層１８が設けられ
ている。磁気ギャップ膜層１１と第３磁性膜層１２の平
面形状は、図１１の通りであり、前端部分（磁気ギャッ
プとなる部位）が細く作られており、内側は面積がやや
大きい。そして第３磁性膜層１２は、図１１、図１２の
様に複合型薄膜磁気ヘッドの内側では第２磁性膜層１０
及び磁気ギャップ膜層１１と離れた位置関係にあり、第
２磁性膜層１０と、第３磁性膜層１２の間に、絶縁膜１
４、導体コイル膜１５及び絶縁膜１６が介在されてい
る。また第２磁性膜層１０と、第３磁性膜層１２は、後
方のリアギャップ２０部分で結合され、導体コイル膜１
５は、図１１に示した様に、リアギャップ２０を中心と
して渦巻き状に設けられている。
【０００６】一方、第２磁性膜層１０と、第３磁性膜層
１２の前端部同士は、磁気ギャップ膜層１１を介して対
峙し、当該部分で磁気ギャップを構成している。
【０００７】複合型薄膜磁気ヘッドは、記録時において
は、導体コイル膜１５に信号電流を印加し、第３磁性膜
層１２と第２磁性膜層１０が対向する先端部の磁気ギャ
ップに磁束を発生させ、磁気媒体２２に信号を書き込
む。再生時には、磁気媒体２２からの磁束が、第１磁性
膜層８と第２磁性膜層１０との間を、磁化遷移領域が通
過するタイミングで通るので、その際磁束の変化によ
り、第１磁性膜層８と第２磁性膜層１０との間にある磁
気抵抗効果素子５の抵抗が変化し、再生信号が出力され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで磁気記録は、
磁気ディスク等の磁性材を磁化し、磁気ディスク等に残
された残留磁化を利用するものであり、磁化された部分
のトラック幅全域にわたり充分な磁束が出ることが望ま
しい。すなわち図１３（ａ）様に磁気媒体をトラック幅
方向に均一に磁化し、同（ｂ）の様に書き込み幅の全域
から出力波形が読み取り可能であることが望ましい。し
かしながら、実際上は、記録ヘッドから出力される磁場
の強さがトラック幅の端部側で弱く、また漏洩磁束の影
響もあり、図１４（ａ）のようにトラック幅の端部側の
残留磁化が弱い。そのため図１４（ｂ）の様にトラック
幅の両端部では出力波形を読み取ることが出来ないのが
現状である。すなわち、書き込み幅の両端部分に、イレ
ーズ幅と称される出力波形が出ない部分ができてしま
う。
【０００９】つまりイレーズ幅部分は、出力波形が出な
い領域であり、磁気記録としてはデッドゾーンとなる。
そのためイレーズ幅が大きいとその分、高線記録密度化
（高ＴＩＰ化）が図られず、高トラック密度化の大きな
阻害原因となる。さらに加えて、従来技術の複合型薄膜
磁気ヘッドでは、磁化遷移領域の形状がいびつであり、
ノイズが多いという問題がある。すなわち磁化遷移領域
の形状は、従来技術の複合型薄膜磁気ヘッドでは矩形と
はならず、「Ｕ」字に近い形状となってしまう。この原
因を説明すると次の通りである。
【００１０】図１５は、従来技術の薄膜磁気ヘッドの磁
気ギャップ周辺の磁束の方向を模式的に表した説明図で
ある。図１６は、従来技術の薄膜磁気ヘッドのギャップ
上下の磁場の形状及び磁気遷移領域を模式的に表した説
明図である。図１６において、（ａ）は、薄膜磁気ヘッ
ドのギャップ上下の磁場の形状を示し、枠で囲った部分
は、磁気媒体２２の抗磁力Ｈｃを越える範囲である。ま
た（ｂ）は、磁化初期の磁気媒体２２の磁場の形状を表
し、（ｃ）は、磁気媒体２２上の磁気遷移領域を表す。
【００１１】磁気ギャップ部分では、磁性膜層の端面
（スライダーのＡＢＳ面側）部分では、図１５の中央部
の矢印の様に、磁気媒体２２にほぼ垂直方向に磁束が出
る。しかしながら、第３磁性膜層の端部近くからは、図
１５の両端部の矢印の様に、ギッャプに対して平行方向
に磁束が出るため、キッャプ近傍の磁場の形状は、図１
６（ａ）の様な形状となり、第３磁性層近傍の磁場形成
はやや両端が持ち上がった「Ｕ」字型になる。
【００１２】そして磁化初期においては、磁気媒体２２
は、図１６（ｂ）の様に磁化されるが、最終的に磁気媒
体２２上に残留する磁化遷移領域は図１６（ｃ）に示す
様にギャップ上部の磁場形状で決定されるため、磁化遷
移領域４０の形状は図の様に両端が持ち上がった形とな
る。そしてこの様な端部形状は、再生パルス幅を大きく
し、分解能を劣化させていた。またこの端部形状はノイ
ズ源となるため、Ｓ／Ｎ比が悪くなる等の問題があっ
た。この問題は、線記録密度を高めるための阻害原因と
なるものであった。そこで本発明は、上記した問題点に
注目し、イレーズ幅を小さくし、かつ磁化遷移領域形状
を良好にすることができ、高記録密度を実現できる複合
型薄膜磁気ヘッドの開発を課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そして上記した課題を解
決するための請求項１記載の発明は、第１磁性膜層と第
２磁性膜層及び第３磁性膜層を有し、前記第１磁性膜層
と第２磁性膜層との間に磁気抵抗効果素子が介在されて
再生用の磁気抵抗効果ヘッドが構成され、前記第２磁性
膜層と第３磁性膜層の端部同士は、ギャップ膜層を介し
て対峙し記録用インダクティブヘッドが構成される複合
型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第２磁性膜層の第３磁
性膜層との対峙部位には段差状の突起が設けられ、当該
突起の対峙部位の幅は第３磁性膜層の対峙部位の幅より
も小さいことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドであ
る。
【００１４】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドは、第２磁
性膜層の第３磁性膜層との対峙部位に段差状の突起が設
けられ、当該突起部分で磁気ギャップが構成されてい
る。また本発明では、突起の幅ｂとよ第３磁性膜の対峙
部位の幅ａとがａ＞ｂの関係にある。すなわち突起を設
けた場合でも、第３磁性膜の対峙部位の幅ａが、突起の
幅ｂよりも小さい場合は、図３（ａ）の様に従来技術と
同様に両端の持ち上がった遷移領域形状となる。また第
３磁性膜の対峙部位の幅ａが突起の幅ｂと等しい場合
は、前記した場合よりも両端の持ち上がりは緩和される
が、図３（ｂ）の様にやはり両端部が持ち上がる。とこ
ろが第３磁性膜の対峙部位の幅ａを突起の幅ｂよりも大
きくした場合は、図３（ｃ）の様にギャップ両端の磁束
は第３磁性膜層より下方に出るようになり、遷領域形状
は矩形に改善される。これらはギャップ近傍の形状に依
存する。つまり突起部分の第３磁性膜層との対峙部の幅
ｂが第３磁性膜層対峙部の幅ａより小さい時に磁化遷移
領域は良好な形状を示す。さらに図３にみるようにａ＞
ｂの場合、ギャップ横の磁束は磁化遷移領域の幅を決定
する第３磁性膜層から下方に出るため、この幅を越えて
広がる漏洩磁束量はａ＜ｂあるいはａ＝ｂに比べて格段
に小さくなる。このためデッドゾーンであるイレーズ幅
は小さくなり、高トラックピッチの実現が可能となる。
また本発明の複合型薄膜磁気ヘッドでは、第２磁性膜層
の突起以外の部位は、従来と同様の大きな幅を持たせる
ことができる。そのため第２磁性膜層は、再生用の磁気
抵抗効果ヘッド側の磁気シールドとしての機能も高い。
【００１５】上記した発明を具体化した請求項２に記載
の発明は、突起の高さは書き込みギャップの長さの１．
４倍以上、５倍以下であることを特徴とする請求項１に
記載の複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００１６】また上記した発明を具体化した請求項３に
記載の発明は、突起の高さは０．５μｍ以上、２μｍ以
下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに
記載の複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００１７】また上記した発明を具体化した請求項４に
記載の発明は、第２磁性膜層の突起の幅と第３磁性膜層
の対峙部位の幅との差は、０．０５μｍ以上であること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の複合型
薄膜磁気ヘッドである。
【００１８】また上記した発明を具体化した請求項５に
記載の発明は、第２磁性膜層の突起の幅と第３磁性膜層
の対峙部位の幅との差は、０．０５μｍ以上、０．８μ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
かに記載の複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００１９】また上記した発明を具体化した請求項６に
記載の発明は、第２磁性膜層の突起の幅と第３磁性膜層
の対峙部位の幅との差は、０．２μｍ以上、０．８μｍ
以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
に記載の複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００２０】また上記した発明を具体化した請求項７に
記載の発明は、第２磁性膜層は、本体磁性膜層と、非磁
性膜層及び突起部層が積層されて成り、突起部層は、非
磁性膜層を介して本体磁性膜層に設けられていることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の複合型薄
膜磁気ヘッドである。
【００２１】また上記した発明を具体化した請求項８に
記載の発明は、第３磁性膜層の第２磁性膜層との対峙部
位の角部には、３０°以下の傾斜部が設けられているこ
とを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の複合
型薄膜磁気ヘッドである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下さらに本発明の実施の形態に
ついて説明する。図１は、本発明の実施形態の複合型薄
膜磁気ヘッドのギャップ部分の斜視図である。図２は、
本発明の実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドの層構成を簡
略化して説明した説明図である。図３は、第２磁性膜層
の突起の幅と第３磁性膜層の幅が異なる条件下での薄膜
磁気ヘッドのギャップ上下の磁場の形状を模式的に示す
説明図である。図４は、第２磁性膜層の突起と第３磁性
膜層との幅の差とイレーズ幅及び記録電流の関係を示す
グラフである。図５は、第２磁性膜層の突起と第３磁性
膜層との幅の差とイレーズ幅及び第２磁性膜層の突起の
高さの関係を示すグラフである。図６は、第２磁性膜層
の突起と第３磁性膜層との幅の差とイレーズ幅及び第２
磁性膜層の突起の高さの関係を示すもう一つのグラフで
ある。図７、図８、図９、図１０は、本発明の他の実施
形態の複合型薄膜磁気ヘッドの層構成を簡略化して説明
した説明図である。
【００２３】本発明の実施形態の複合型薄膜磁気ヘッド
は、第２磁性膜層３０を除いて図１１、図１２のそれと
同一である。本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドで肝心
な点は、図１，図２の様に第２磁性膜層３０に段差状の
突起３１が設けられている点である。突起３１が設けら
れた位置は、前記第２磁性膜層３０が第３磁性膜層１２
とギャップ膜層１１を挟んで対峙する部位である。そし
てこの突起３１の幅ｂは、第３磁性膜層１２の幅ａより
も小さい。
【００２４】また第２磁性膜層３０の突起３１の幅ｂと
第３磁性膜層の対峙部位の幅ａとの差は、０．０５μｍ
以上、０．８μｍ以下であることが望ましい。
【００２５】前記した様に、突起３１の幅ｂと第３磁性
膜層１２の幅ａの関係が、ａ＜ｂの場合は、同様に両端
の持ち上がった遷移領域形状となる。またａ＝ｂの場合
もａ＜ｂの場合よりも緩和されてはいるが、やはり両端
部が持ち上がる。ところがａ＞ｂにし、さらに上述した
範囲内であればギャップ両端の磁束は第３磁性膜層１２
より下方に出るようになり、遷領域形状は図３（ｃ）の
様に改善される。
【００２６】第２磁性膜層と第３磁性膜層との幅の差と
イレーズ幅との関係は、図４の様なグラフとなる。この
グラフから明らかなようにイレーズ幅は、突起３１の幅
ｂと第３磁性膜層１２の幅ａとに相関し、突起３１の幅
ｂが第３磁性膜層１２の幅ａより大きいと急激にイレー
ズ幅が大きくなる。しかし逆に突起３１の幅ｂが第３磁
性膜層１２の幅ａより小さい場合は、イレーズ幅は安定
する。
【００２７】イレーズ幅の大きさの変化勾配は、例えば
突起の高さｄが１μｍ程度と高い場合には、突起３１の
幅ｂと第３磁性膜層１２の幅ａとの差が「０」（両者が
同一幅の場合）となる付近で急激である。そのため少な
くとも突起３１の幅ｂが、第３磁性膜層１２の幅ａより
も小さい場合には、本発明の効果が期待できる。しか
し、フォトリソグラフィー等で第３磁性膜層のフレーム
を作成する場合、両者の差があまりに小さいと露光機の
位置あわせ精度等で突起部、第３磁性膜層の両対峙部が
ずれ、片方の第３磁性膜層の端部が突起３１の端部より
内側におかれる場合がある。この場合片側でのイレーズ
幅が同様に大きくなる。従って突起３１の幅ｂと第３磁
性膜層１２の幅ａとの差は少なくとも０．０５μｍ程度
大きくすることが望ましい。逆に両者の差が、０．８μ
ｍ以上となる場合は、磁束の収束が不十分となり、イレ
ーズ幅は安定ではあるが、全体的な磁場強度が低下し、
好ましくない。なお、図５の様なグラフから明らかな様
に、突起３１の幅ｂが第３磁性膜層１２の幅ａよりも小
さい場合にイレーズ幅が安定する傾向は、記録電流の強
弱に係わらず見られる現象である。
【００２８】また突起３１の高さｄは、０．５μｍ以
上、２μｍ以下であることが望ましい。すなわち記録電
流Ｉｗを３５ｍＡに固定した条件下で、第２磁性膜層３
０の突起３１と第３磁性膜層１２との幅の差ｂとイレー
ズ幅及び第２磁性膜層３０の突起の高さｄの関係は、図
５の様なグラフとなる。このグラフから明らかなように
イレーズ幅は、突起３１の高さｄに相関し、突起３１の
高さｄが高いほどイレーズ幅が安定する。また突起３１
の高さｄが、０．５μｍ以上、の場合にイレーズ幅の安
定性が顕著となる。
【００２９】磁気ディスク外周部では通常、ギャップ方
向とディスク半径方向のスキュウと呼ばれる角度が無視
できないほど大きくなる。この場合、突起３１の高さｄ
が２μｍを越えると、リードライトオフセットが大きく
なり過ぎる問題があり、好ましくない。上記した突起の
高さｄの推奨される範囲を、書き込みギャップの長さｃ
との関係で換算すると、突起３１の高さｄは、書き込み
ギャップの長さｃの１．４倍以上、望ましくは５倍以下
の範囲が望ましいといえる。また突起の高さｄは、リー
ドライトオフセットの関係から、書き込みギャップと、
読み出しギャップの中心間の距離ｅが、３μｍ以下とな
る様に設定することが望ましい。また書き込みギャップ
の長さｃとの関係で換算すると、読み出しギャップの中
心間の距離ｅは、書き込みギャップの長さｃの９倍以下
であることが望ましい。
【００３０】図５は、同様の実験を記録電流Ｉｗが５０
ｍＡの場合に固定した条件下で行ったものであり、記録
電流Ｉｗが３５ｍＡの場合と同様の傾向があることが分
かる。
【００３１】なお、第２磁性膜層３０の突起３１と第３
磁性膜層１２とのギャップ対峙幅の関係が上述した条件
を満足する場合は、図７の様に第３磁性膜層１２のギャ
ップ対峙部分よりも上の部位で第３磁性膜層１２の幅が
小さくても、本発明の効果は発揮される。第２磁性膜層
３０及び第３磁性膜層１２の素材は、公知のパーマロイ
が使用されるが、ギャップ対峙部には部分的に特に高飽
和磁束密度の磁性材料を用いることが推奨される。具体
的には、図８のハッチング部分、すなわち第２磁性膜層
３０の突起３１と、第３磁性膜層１２のギャップ側の部
位には高飽和磁束密度の磁性材料を用いることが推奨さ
れる。また、こうすることで、記録磁場を大きくした時
の飽和によるイレーズ幅の増加を抑えることができる。
【００３２】なお本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドで
は、第２磁性膜層３０は、大部分が平坦であり、磁気ギ
ャップを形成する部位だけに突起３１が設けられている
ので、第２磁性膜層３０は磁気シールドとしての機能も
十分に発揮する。すなわち複合型薄膜磁気ヘッドにおい
ては、第２磁性膜層１０は、記録用インダクティブヘッ
ドの一方のコアとしての機能だけではなく、再生用の磁
気抵抗効果ヘッド側の磁気シールドとしての機能も兼用
している。そして横型ＭＲヘッド等の多くは、ＭＲ素子
磁感部以外にもＭＲ膜や素子の不安定性を軽減するため
のハード膜等のシールドが必要な部分が多く、第２磁性
膜層３０には磁気シールドとしての機能も要求されてい
る。これに対して本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッド
は、第２磁性膜層３０の面積が広く、磁気シールドとし
ての機能は十分である。
【００３３】上記した実施形態では、突起３１は第２磁
性膜層３０に直接的に設けたが、両者の間に非磁性膜層
が介在されたものであっても良い。図９は、その例を示
すものであり、第２磁性膜層３０は、本体磁性膜層３２
と、非磁性膜層３３及び突起部層が積層されて成り、突
起３１は、非磁性膜層３３を介して本体磁性膜層３２に
設けられている。なお、図９に示した様な非磁性膜層３
３が介在された第２磁性膜層３０を採用する場合、突起
の高さｄの条件は、図９の様に非磁性膜層３３を含めた
高さと考えて、前述の条件に適合する様に設計される。
【００３４】また上記した実施形態では、第３磁性膜層
１２の角は、いずれも直角であるが、図１０に示す様に
端部に傾斜が設けられていても良い。傾斜の角度は、３
０°以下であることが推奨され、傾斜の角度が３０°を
越える場合は、磁化遷移領域の両端部が持ち上がる傾向
となる。
【００３５】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの製造は、
公知の薄膜形成技術を応用して行われる。そして第２磁
性膜層の高さを隣接するアルミナ等の絶縁層部とそろ
え、そこにギャップ層を形成した後、第３磁性膜層１３
を形成する。ここで第３磁性膜層１３の作成時に、露光
機の位置合わせ精度等により、第３磁性膜層１２の下端
と突起部３１の上端とがずれる可能性がある。このため
第３磁性膜層１２の幅ｂは突起３１の幅ａより０．０５
μｍ以上大きいほうが好ましい。
【００３６】
【発明の効果】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドは、イレ
ーズ幅を小さく、かつ磁化遷移領域形状を良好にするこ
とができ、高記録密度を実現することができる効果があ
る。また本発明の複合型薄膜磁気ヘッドは、磁気ディス
クに信号が記録される際に形成される、トラック幅端部
の磁化が不均一な部分を減少させることができる効果も
あり、高いトラックピッチ密度が実現できる。また本発
明の複合型薄膜磁気ヘッドは、第２磁性膜層に十分な幅
を確保することができ、第２磁性膜層は、シールド膜と
して満足できる機能を発揮するので、縦型、横型を問わ
ず、幅広いＭＲヘッド素子の種類に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドのギ
ャップ部分の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドの層
構成を簡略化して説明した説明図である。
【図３】第２磁性膜層の突起の幅と第３磁性膜層の幅が
異なる条件下での薄膜磁気ヘッドのギャップ上下の磁場
の形状を模式的に示す説明図である。
【図４】第２磁性膜層の突起と第３磁性膜層との幅の差
とイレーズ幅及び記録電流の関係を示すグラフである。
【図５】第２磁性膜層の突起と第３磁性膜層との幅の差
とイレーズ幅及び第２磁性膜層の突起の高さの関係を示
すグラフである。
【図６】第２磁性膜層の突起と第３磁性膜層との幅の差
とイレーズ幅及び第２磁性膜層の突起の高さの関係を示
すもう一つのグラフである。
【図７】本発明の他の実施形態の複合型薄膜磁気ヘッド
の層構成を簡略化して説明した説明図である。
【図８】本発明の他の実施形態の複合型薄膜磁気ヘッド
の層構成を簡略化して説明した説明図である。
【図９】本発明の他の実施形態の複合型薄膜磁気ヘッド
の層構成を簡略化して説明した説明図である。
【図１０】本発明の他の実施形態の複合型薄膜磁気ヘッ
ドの層構成を簡略化して説明した説明図である。
【図１１】一般的な複合形薄膜磁気ヘッドの内部構造を
示す斜視図である。
【図１２】一般的な複合形薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。
【図１３】理想的な磁性材の磁化パターンを示す説明図
である。
【図１４】現実の磁性材の磁化パターンを示す説明図で
ある。
【図１５】従来技術の薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップ周
辺の磁束の方向を模式的に表した説明図である。
【図１６】従来技術の薄膜磁気ヘッドのギャップ上下の
磁場の形状及び磁気遷移領域を模式的に表した説明図で
ある。
【符号の説明】
１ 複合型薄膜磁気ヘッド ５ 磁気抵抗効果素子 ６ 基板 ７ 絶縁膜 ８ 第１磁性膜層 １１ ギャップ膜層 １２ 第３磁性膜層 １８ 保護層 ３０ 第２磁性膜層 ２１ 突起

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１磁性膜層と第２磁性膜層及び第３磁
    性膜層を有し、前記第１磁性膜層と第２磁性膜層との間
    に磁気抵抗効果素子が介在されて再生用の磁気抵抗効果
    ヘッドが構成され、前記第２磁性膜層と第３磁性膜層の
    端部同士は、ギャップ膜層を介して対峙し記録用インダ
    クティブヘッドが構成される複合型薄膜磁気ヘッドにお
    いて、前記第２磁性膜層の第３磁性膜層との対峙部位に
    は段差状の突起が設けられ、当該突起の対峙部位の幅は
    第３磁性膜層の対峙部位の幅よりも小さいことを特徴と
    する複合型薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 突起の高さは書き込みギャップの長さの
    １．４倍以上、５倍以下であることを特徴とする請求項
    １に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 突起の高さは０．５μｍ以上、２μｍ以
    下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに
    記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 第２磁性膜層の突起の幅と第３磁性膜層
    の対峙部位の幅との差は、０．０５μｍ以上であること
    を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の複合型
    薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 第２磁性膜層の突起の幅と第３磁性膜層
    の対峙部位の幅との差は、０．０５μｍ以上、０．８μ
    ｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
    かに記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 第２磁性膜層の突起の幅と第３磁性膜層
    の対峙部位の幅との差は、０．２μｍ以上、０．８μｍ
    以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
    に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 第２磁性膜層は、本体磁性膜層と、非磁
    性膜層及び突起部層が積層されて成り、突起部層は、非
    磁性膜層を介して本体磁性膜層に設けられていることを
    特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の複合型薄
    膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 第３磁性膜層の第２磁性膜層との対峙部
    位の角部には、３０°以下の傾斜部が設けられているこ
    とを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の複合
    型薄膜磁気ヘッド。
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