JPH0370283B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はVTR等の高周波信号の記録再生に適
した磁気ヘツドに係り、特に高保磁力記録媒体に
対して好適な複合型磁気ヘツドの製造方法に関す
る。

〔従来の技術〕

高密度磁気記録再生装置において、磁気記録媒
体の保持力Hcを大きくすれば有利であることは
よく知られているが、高保磁力の磁気記録媒体に
情報を記録するためには、強い磁場が必要とな
る。ところが、現在磁気ヘツドに用いられている
フエライト在は、その飽和磁束密度Bsが4000〜
5000ガウス程度であるため、得られた記録磁界の
強さに限度があり、磁気記録媒体の保磁力Hcが
1000エルステツドを越える場合には、記録が不十
分になるという欠点がある。

一方、金属磁性材料で総称されるFe−Al−Si
合金（センダストと称されている）、Ni−Fe合金
（パーマロイ）等の結晶質磁性合金、あるいは、
非晶質磁性合金を用いた磁気ヘツドは、一般にフ
エライト材より飽和磁束密度の高いものがあり、
かつ摺動ノイズが低いという優れた特性を有す
る。しかし、一般に使用されるトラツク幅（10μ
ｍ以上）の厚みでは渦電流損失によりビデオ周波
数領域での実効透磁率がフエライトより低下し、
再生能率が低くなる欠点を有する。また耐摩耗性
に関してはフエライトより数段劣る。

そこで、上記のような問題を解決するために、
フエライトと金属磁性材を組み合せて両者の良い
点を利用した複合型磁気が提案されている。

たとえば、第１図にその磁気ヘツドコアの斜視
図を示すごとく、コア部１０が高透磁率フエライ
トからなり、記録作用の主要部となる作動ギヤツ
プ近傍部１１が物理蒸着によつて形成された金属
磁性材からなる複合型磁気ヘツドが提案されてい
る。さらに、高密度記録用磁気ヘツドに対しては
狭トラツク化のために、作動ギヤツプ近傍にトラ
ツク幅絞り用の切り欠き溝１２を設け、ここに補
強用の非磁性材が充填されている。１３はコイル
巻線用の窓である。第２図は上記従来の磁気ヘツ
ドの記録媒体対向面の平面図を示したものであ
る。ここでフエライトコア部１０，１０′と金属
磁性材部１１，１１′との結合境界部１４，１
４′が疑似の作動ギヤツプとして作用して記録再
生特性を損なう欠点がある。特に、結合境界部１
４，１４′と作動ギヤツプ１５が平行になるとそ
の境界部で相当量の信号を拾うことにより、コン
タ効果が激しいという欠点を有する。

また、コンタ効果を除くためにフエライトコア
部１０，１０′と金属磁性材部１１，１１′の結合
境界部１４，１４′に適当な凹凸を設ける方法が
知られている。しかし、コンター効果を完全除去
することは難かしい。

他の従来例としては第３図に示すような構造の
ヘツドが知られている。該ヘツドは非磁性基板２
０の上に高飽和磁束密度を有する金属磁性材２１
をスパツタリングや真空蒸着等の物理蒸着によつ
てトラツク幅に等しい膜厚に形成し、その上に非
磁性材２０′をガラス薄膜で接着した後、２等分
してギヤツプ突き合せ面をラツプし、コイル巻線
窓２２を形成し、ギヤツプ突き合せ面２３に規定
の非磁性膜を介して接合することによつて得られ
る。この構造はギヤツプ形成法に問題があり、非
能率的で、ギヤツプ長精度も得難く、歩留が悪く
生産性に欠点を持つ。

特開昭56−169214号には、第１１図ニ、ホに示
すようなヘツドが開示されている。該ヘツドは第
１１図イに示すように、第１１図ハに示す巻線窓
１３より上の部分に三角形が連続した屋根形のフ
エライトブロツク１００を用意し、その屋根形の
部分にセンダスト合金のような磁性合金１１をス
パツタリング法等で被着形成し、第１１図ロに示
すような複合磁性ブロツクとする、ついで磁性合
金１１のみからなる屋根形の頂上の部分を研摩し
てヘツドギヤツプ突き合わせ面を形成し、ここに
酸化珪素膜を被着形成してヘツドチツプの一方を
なす複合磁性ブロツク１００ａを製作する。次に
第１１図ハに示すように巻線窓１３が設けられた
チツプの他方をなす複合磁性ブロツク１００ｂと
上述の１００ａを突き合わせ接着する。その後第
１１図ハの点線で示す部分を切断し、第１１図
ニ、ホで示すごとき複合磁気ヘツドとする。

このように製作された複合磁気ヘツドは、フエ
ライトコア部１０，１０′と磁性合金１１との接
合面の方向と、作動ギヤツプ１５の方向が斜交す
るため不所望の等価ヘツドギヤツプに起因する特
性の劣化を低減できる。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、高保持力記録媒体にも優れた
記録再生特性を有する複合型磁気ヘツドを容易か
つ確実に製造しうる複合型磁気ヘツドの製造方法
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上述した目的を達成するために本発明の複合型
磁気ヘツドの製造方法は、（）基体ブロツクの
ギヤツプ形成側の面に、トラツク幅より狭い幅の
先端部を有する突起部を挟持するように隣接する
２本の溝を１組とする少なくとも１組の溝を平行
に設ける工程、（）工程（）を終了した前記
基体ブロツクのギヤツプ形成面の少なくとも前記
溝面上に磁性体を被着せしめる工程、（）前記
磁性体が表面に被着されている前記溝に非磁性材
を充填する工程、（）前記非磁性材ならびに磁
性体の不要部を除去し、所定のトラツク幅を有す
るギヤツプ形成面を露呈せしる工程、（）工程
（）を終了したブロツクを一対用意する工程、
（）工程（）を終了した前記１対のブロツク
の少なくとも一方のギヤツプ形成側の面に所要の
厚さの非磁性層を形成する工程、（）工程（）
を終了した前記１対のブロツクのギヤツプ形成面
を相対峙せしめ、互いに接合して一体化する工
程、および（）接合された前記ブロツクを所定
の位置にて切断し、少なくとも１個の磁気コアを
得る工程を有することを特徴とする。

工程（）において、前記溝を、前記ブロツク
のギヤツプ形成側の面の一つの稜から他の稜にか
けて縦断するように設けてもよいが、一稜部側に
のみ設けてもよい。また、工程（）において、
前記隣接する溝間の突起部の先端部には平坦面が
存在するように加工してもよいし、平坦面が存在
しないように加工してもよい。さらにまた、工程
（）において、前記突出部の先端が前記各組の
溝に隣接する平坦部と同一レベルになるようにし
てもよく、あるいは該隣接する平坦部より低くな
るようにしてもよい。隣接平坦部より低くする場
合には突起部の先端と隣接平坦部とのレベル差は
前記高飽和磁束密度の磁性体の厚さ以下、すなわ
ちトラツク幅の半分以下とする。そのようにしな
いと、前記磁性体を突起部に被着後も前記レベル
差が存在することになり、前記工程（）が困難
となる。

本発明で製造される複合型磁気ヘツドはコアの
占める大部分は高透磁率のMn−Znフエライトあ
るいはNi−Znフエライトのバルク材からなり、
作動ギヤツプ部を構成する部分およびその近傍の
大部分は高飽和磁束密度を有する磁性材、たとえ
ば、Fe−Si系、Fe−Al−Si系、Ni−Fe系などの
結晶質合金あるいは非晶質合金からなり、スパツ
タリング、真空蒸着等の物理蒸着によつて得られ
る。場合によつてはケミカル蒸着、メツキ等によ
つても可能である。また、高飽和磁束密度の磁性
体は堆積可能なものであれば金属磁性体以外のも
のでもよい。

前述のように、本発明で製造される磁気ヘツド
は、高透磁率フエライトブロツクと該フエライト
よりも飽和磁束密度の大きい磁性体とからなり、
該フエライトブロツクのギヤツプ突き合せ面とな
る面にトラツク幅より狭い幅のフエライト突起部
を残して隣接する溝を形成し、該突起部の両側面
に前記高飽和磁束密度の磁性体を堆積し、非磁性
ギヤツプ材を介して相対峙してなる構造を有する
複合型磁気ヘツドである。

また、本発明においてはトラツク幅に対して芯
となる突起部が作動ギヤツプより離れるにしたが
つて幅広になるように加工することによつて溝側
面に高飽和磁束密度の磁性体を効率よく堆積する
ことができ、基本ブロツクとの接触面積を広くす
ることができるので得られるヘツド特性が優れて
いる。

その他、本発明の複合型磁気ヘツドの製造方法
において、本明細書に記載していないことは、す
べて従来技術を踏襲するものである。

突起部の頂角が大き過ぎるとトラツク幅に誤差
を生じ易くなり、小さ過ぎると突起部が機械的に
弱くなるので、突起部の頂角（または両側面によ
り形成される角）は45°〜90°が好ましい。しか
し、この角度範囲外でも製造可能であり、これに
限定されない。前記基体ブロツクは通常、Mn−
Znフエライト又はNi−Znフエライトとする。ま
た、前記磁性体は前記基体ブロツクよりも飽和磁
束密度が高く且つ磁歪が０付近の高透磁率材料で
あれば何でもよいが、代表的なもとしては周知の
Fe−Si合金、Fe−Al−Si合金（いわゆるセンダ
スト系合金）、Ni−Fe合金（いわゆるパーマロイ
系合金）および各種の高透磁率非晶合金等を挙げ
ることができる。また、例えばSiO₂、Al₂O₃のよ
うな非磁性体からなる厚さ100Å〜1μｍの非磁性
体層と前記高飽和磁束密度磁性体層とを交互に積
層した磁性体でもよい。なお、このように、磁性
体層と非磁性体層を交互に積層することにより磁
気特性を向上せしめることができる。作動ギヤツ
プ形成面は、ギヤツプ近傍の飽和磁束密度を高め
るため、前記磁性体のみで形成するのが望ましい
が、前記磁性体と前記ブロツクの両者で形成して
もフエライトのみで形成する従来のものに比較し
て本発明の効果は認められる。ブロツク突起部の
両側面上の前記磁性体膜とコア側面との間には非
磁性材料が充填される。

作動ギヤツプ形成面が前記高飽和磁束密度の磁
性体のみからなる場合、前記突起部における先端
部のトラツク軸方向の幅はトラツク幅の1/2以下
とするのが好ましく、先端部の幅を０にする、即
ち先端部を角形にしてもよい。このようにするこ
とによつて、コンタ効果がほとんど問題にならな
い程度まで低下する。また前記先端部のブロツク
面が平坦にならないように加工すればコンタ効果
の面でさらに好ましい結果が得られる。

作動ギヤツプ形成面が前記高飽和磁束密度の磁
性体と前記ブロツクの両者からなる場合、作動ギ
ヤツプ近傍の飽和磁束密度を高めるため、ギヤツ
プ形成面における前記磁性体のトラツク軸方向の
幅の合計をブロツクの幅の２倍以上とすることが
望ましい。

前記ブロツクの突起部の両側面上に被着された
前記高飽和磁束密度の磁性体の厚さは、通常、ト
ラツク幅の1/2以下とする。これは、作動ギヤツ
プ部において記録媒体対向面に露出している前記
磁性体のトラツク幅方向の幅が、突起部の両側面
に被着された磁性体厚さの和もしくはそれ以上の
値となるからである。前記ブロツク突起部の先端
部が角形の場合には、作動ギヤツプ部の幅はほぼ
前記磁性体の厚さの和になるので、磁性体の厚さ
はトラツク幅のほぼ1/2にするのがよい。

本発明においては、前記磁性体はブロツク突起
部の両側面に被着せしめるのであり、一方の側面
のみに被着したのでは該磁性体と該ブロツクとの
接合面積が小さくなり磁気回路の磁気抵抗が増大
し、また被着する該磁性体の厚さをトラツク幅程
度まで厚くしなければならず、さらには一方の側
面のみに被着するために工程が複雑になり、好ま
しくない。

なお、上上述べた磁気ヘツドは、コイル巻線窓
以外は実質的に同じ上記構造の２個のコア半体か
らなるものであるが、これを一方のコア半体のみ
として他方については、作動ギヤツプ形成面に基
体ブロツクより高飽和磁束密度の第２の磁性体が
存在することを除いては異なる構造としてもよ
い。例えば、非磁性材料からなる作動ギヤツプを
介して相対峙している高飽和磁束密度性体のう
ち、一方は上記構造の複合体においてブロツクに
複合してなる第１の高飽和磁束密度磁性体で、他
方はこの複合材の上に堆積された第２の高飽和磁
束密度磁性体であつてもよい。この場合、巻線コ
イルは薄膜作成技術によつて設けることが可能で
ある。両磁性体の材料は同一であつても、異なつ
ていてもよい。

〔作用〕

本発明の複合型磁気ヘツドの製造方法では、基
体コアの突起部表面に形成された磁性体の不要部
を除去してギヤツプ形成面を露呈せしめるため、
トラツク幅を自在に調整することができる。また
一枚の金属磁性体膜を作動ギヤツプ部で２倍に利
用しているので金属磁性体膜の堆積時間が半分で
済み量産性がある。さらに、トラツク幅決め加工
の時に金属磁性体膜の側面を砥石で加工する必要
がなく、加工部のピツチングやバリおよび膜のは
く離等の問題がない。しかも基体ブロツクの溝部
に非磁性体を充填して補強してから突起部の先端
を加工しているので破損がなく、高精度のトラツ
ク幅加工ができる。

〔実施例〕

以下本発明の前記複合型磁気ヘツドの種々の製
造方法を実施例によつて詳細に説明する。

実施例 １ 本発明の第１の製造方法の各工程の説明図を第
８図イ〜リに示す。

() 第８図イは高透磁率フエライトよりなるブ
ロツク４０のギヤツプ突き合せ面となる面４１
にトラツク幅より狭い突起を残して隣接する２
本の溝４２，４２′を組とする複数組の溝を平
行に設ける工程である。ここで高透磁率フエラ
イトはMn−Znフエライト、Ni−Znフエライ
トの単結晶あるいは多結晶からなり、磁気コア
の主要部を形成する。溝は先端がＶ字もしくは
Ｕ字状に形成されたメタルボン砥石もしくはレ
ジンボンド砥石が用いられ、高速ダイサ等によ
つて加工される。また、溝４２，４２′は２枚
の砥石を重ね同時に加工することも可能であ
る。第８図ロは第８図イで示す工程で加工され
た溝４２，４２′の拡大側面を示す（以下、第
８図イ、第８図ロ等に対応する工程を工程イ、
工程ロ等とする）。ここで、各組の溝の間に残
された平坦部４３は後工程、たとえば工程ホの
研磨や工程チのブロツクの接合時における金属
磁性体膜の補強部であり、基準面となる。

() 工程ハは前記イの工程で得られた溝部を含
めギヤツプ突き合せ面全面にフエライトより飽
和磁束密度の高い金属磁性体膜４４をスパツタ
リングによつて堆積させる工程である。金属磁
性体はFe−Si（Si6.5重量％）、Fe−Al−Si合金
（センダスト）、Ni−Fe合金（パーマロイ）等
で代表される結晶質合金であり、非晶質合金は
Co−Fe−Si−Ｂ系で代表される周知のメタル
−メタロイド系合金やCo−Ti、Co−Mo−Zr
等の周知のメタル−メタル系合金等が用いられ
る。堆積法は他に真空蒸着、イオンプレーテイ
ング、化学蒸着あるいはメツキ法等でも可能で
あるが、限られた金属しかできないことや組成
変動が大きい等の難点があり、スパツタリング
法が適している。また、スパツタリング法は付
着強度が高く、溝部にも廻り込みがよいという
利点があり本発明法に対して適している。堆積
する金属磁性体の膜厚は所要のトラツク幅の約
１／２でよい。したがつて、従来法に比較して単
一の磁性体膜でも渦電流損失が低減できる。ま
た、必要ならば、前述のように非磁性物質を交
互に積層した多層膜としてもよい。

() 工程ニは工程ハで得られた金属磁性体膜の
上に少なくとも残りの溝部が埋まる程度に非磁
性材４５を充填する工程である。非磁性材４５
はガラス、セラミツク系の無機接着材あるいは
硬質の樹脂が用いられる。安定性面からガラス
が適している。ガラス材は金属磁性体膜４４が
結晶質合金であれば作業温度が800℃以下の広
い範囲で選ぶことが可能である。一方非結晶質
合金の場合は少なくとも結晶化温度以下のもの
が選ばれ、作業温度が500℃以下の低融点ガラ
スにする必要がある。

() 工程ホは工程ニで得られたブロツクの不要
の非磁性材４５および金属磁性体膜４４を除去
し、所要のトラツク幅ｔの金属磁性体膜からな
る作業ギヤツプ形成面を露呈させる工程であ
る。除去法は研削および研磨によつて行われ、
ギヤツプ突き合せ面を得るため、最終仕上げは
鏡面研磨面とする。鏡面研磨は前記トラツク幅
ｔが得られるまで行う。

() 工程ヘは工程ホで得られたブロツクを一対
用意し、少なくとも一方のブロツク４０′にコ
イル巻線用溝４６を形成し、次にギヤツプ形成
面にSiO₂、ガラス等非磁性材を所要の厚さに
スパツタリングしてギヤツプ形成膜とする工程
である。

() 工程トは前記一対のブロツク４０，４０′
のギヤツプ突き合面を互いにトラツク部が合う
ように突き合せて加熱、加圧しならが接合一体
化する工程である。この場合、接合は溝に充填
されている非磁性材４５がガラスならばお互い
のガラスによつて行われ、樹脂を用いた場合に
は別途コイル巻線窓の一部、および後部接合部
に切り溝を設けて樹脂によつて行われる。

() 第８図チは工程トで得られた接合ブロツク
４７の磁気テープ摺動面を示す。工程チはトラ
ツク幅を中心にして点線で示す所要のコア幅Ｔ
になるように切断して複合型磁気ヘツドを複数
個得る工程である。場合によつてはアジマス角
だけ傾けて切断される。このようにして、第８
図リにその磁気テープ摺動面を示すような構造
の狭トラツク複合型磁気ヘツドコアが得られ
る。これにコイルを巻装することにより複合型
磁気ヘツドが得られる。

以下、本発明の磁気ヘツドの製造方法によつて
得られる複合型磁気ヘツドについて詳しく説明す
る。

第４図ａ，ｂは上記した本発明の第１の実施例
によつて製造された複合型磁気ヘツドの構造を示
す斜視図と平面図である。３０，３０′はトラツ
ク部および作動ギヤツプ部を形成し、高飽和磁束
密度の金属磁性体からなり、Fe−Si、Fe−Al−
Si、Ni−Feの結晶質合金もしくは非晶質合金で
構成されており、それぞれ、ほぼ磁歪零近傍の組
成を有するものである。一方、３１，３１′は
Mn−Znフエライト、Ni−Znフエライト等の高
透磁率のバルク材からなり、前記金属磁性体と磁
気的に連結されている。また、一対の金属磁性体
の突き合せ部には所定の非磁性膜が形成され、作
動ギヤツプ３２を構成している。なお、トラツク
幅はコア幅より狭くなつており、トラツク幅を決
めるための切り溝が設けてある。この切り溝はあ
らかじめフエライトブロツクのギヤツプ形成側の
面にトラツク幅より狭い幅のフエライト部を残し
てその両側部にコア前部から後部まで形成され
る。この残されたフエライト突起部の側部に向け
てスパツタリングあるいは真空蒸着等の薄膜形成
技術によつて前記金属磁性材料３０，３０′が付
着される。なお、溝部にはガラス、セラミツク、
樹脂等の非磁性材３３，３３′が補強材として充
填されてなる。３４はコイル巻線用窓である。ま
た、第４図ｂは磁気テープ摺動面の拡大図を示
す。本発明においては、フエライト突起部３５，
３５′の両側部に金属磁性体膜３０，３０′を付着
する。そのため金属磁性体の厚みはトラツク幅ｔ
の半分程度ですみ、膜形成時間が短縮される。第
４図ｂの磁気テープ摺動面において、フエライト
突起部３５，３５′が作動ギヤツプ３２から離れ
るにしたがつて広くなる形状にすればコア半体の
時に作動ギヤツプ面側から金属磁性体膜をスパツ
タリングすれば効率良く膜形成ができる。また、
前記金属磁性体膜が２本に分割されているので単
層膜でも渦電流損失の影響を低減できる。さら
に、フエライト部と金属磁性体膜の接合部の形状
が作動ギヤツプ３２と平行部を持たない構造にな
つているためコンタ効果による特性劣化の心配が
ない。さらに、フエライト突起部３５，３５′が
金属磁性体膜の芯となつており、しかも、作動ギ
ヤツプの近傍まであるので耐摩耗性が保障され、
機械的強度も高いものである。さらに、本発明が
十数ミクロン以下のトラツク幅を有する磁気ヘツ
ドに適しているのは、金属磁性体膜を付着した後
にトラツク幅規制用の切り欠き溝加工を不用とす
るものであり、加工中におこる膜のはく離の問題
が解消される。

実施例 ２ 次に本発明の他の実施例を第９図に示す。第８
図イ〜リに示す実施例では工程イにおいて溝をギ
ヤツプ形成面にコア後部（磁気記録媒体対向面と
反対の側）まで通し形成されており、一度に大ブ
ロツクに溝が形成でき、後で小ブロツクに分割す
ればよく、この点で量産に適しているが、トラツ
ク幅が狭くなつた場合に後部コア部の接触面積が
狭くコア後部の磁気抵抗が高くなつてしまい好ま
しくない。また、前部（磁気記録媒体対向面側）
でトラツク幅の突き合せを行つても後部に合せず
れが起り10ミクロン以下のトラツク幅ではほとん
ど磁性体部での接触部がなくなつてしまう場合が
ある。この問題に対しては、第９図に示すように
高透磁率フエライトブロツク４０の稜部に切り欠
き溝４２，４２′を形成することによつて解決し
ている。以後は第８図ハ以後の工程により磁気ヘ
ツドを得るものである。完成ヘツドは第５図に示
すような複合型磁気ヘツドが得られる。

第５図ａ，ｂは本発明の第２の実施例によつて
製造された複合型磁気ヘツドの構造を示す斜視図
と平面図である。概略は切り込み溝を磁気ヘツド
コアの前部すなわち記録媒体対向面側のみに形成
し、後部はフエライトのコア幅全面で接触する構
造になつているものである。このようにすれば、
さらに狭トラツクを有する磁気ヘツドに対して
も、後部の磁気抵抗が増大しないため効率のよい
狭トラツクヘツドを得ることができる。それぞれ
に付記した符号は第４図と同一である。なお、補
強材３３，３３の充填溝形状は砥石の形状によつ
て種々選ぶことができ、いずれもフエライトの突
起部３５，３５′は作動ギヤツプより離れるに従
つて広がる構造となつており、所定のアジマス損
失を生じさせてクロストークの減少が図られてい
る。また、フエライト突起部が作動ギヤツプ部に
近づけられば作動ギヤツプ面近傍での渦電流損失
を低減することができ望ましい。なお、第５図の
構造の磁気ヘツドの場合にはコア後部の接合部に
切り欠き溝を設けこれに補強材３６を充填すると
よい。

実施例 ３ 第１０図ａ〜ｄに種々の溝形状ならびに加工法
について他の実施例を示す。第１０図ａは先端が
Ｖ字状の成形砥石を用いて加工した溝４２，４
２′で示す。この場合、溝の角度θがあまり大き
いと突起部４８の角度θ′が大きくなり、金属磁性
体膜を形成した後研磨して第８図ホに示すように
トラツク幅ｔを得る寸法精度のばらつきが大きく
なる。逆に角度θ′を小さくすると狭トラツクの場
合突起部が機械的に弱くなり、加工中に欠けてし
まうことがある。したがつて、突起部角度θ′は45
〜90°程度が好ましい。しかし、この範囲外でも
製造可能であり、これに限定されない。一方、第
１０図ｂに示すように突起部４８の先端部だけを
矩形にすることができるが、この場合、突起部の
先端に平坦部がない方が好ましい。この加工法は
機械加工によつてもよいが、金属磁性体膜を堆積
する前に逆スパツタリング法によつて点線４９で
示すように角部を加工することによつてもよい。

以上のような溝加工は第１０図ｃに示すように
２枚重ねの砥石５０を用いれば一度に突起を形成
することができる。また第１０図ｄに示すように
マルチワイヤーソを用いれば同時に多数のブロツ
ク加工が可能である。この場合溝４２の形状はＵ
字状に形成される。また、レザー加工やホツトエ
ツチング技術が適用でき、これらの技術を併用し
てもよい。

第６図は本発明によつて製造される複合型磁気
ヘツドの１例の平面図を示す。この図は磁気テー
プ摺動面の拡大図を示している。金属磁性体膜３
０，３０′の芯となるフエライト突起部３５，３
５′の先端部の接合面は作動ギヤツプ面と平行部
を形成してもトラツク幅ｔに対してフエライト突
起部の幅ａが1/2以下なら再生におけるコンタ効
果が0.5dB以下となりほとんど問題とならない。
この時、フエライト突起部の先端部が平坦になら
ないように加工しておけばより好ましい。

第７図は本発明によつて製造される複合型磁気
ヘツドの他の１例の概略平面図であり、磁気テー
プ衝動面を拡大して示している。本実施例の磁気
ヘツドは作動ギヤツプ部３２が金属磁性体膜３
０，３０′とフエライト３５，３５′からなり、ト
ラツク幅ｔを構成する前記金属磁性体膜の幅が前
記フエライトの幅ｂの２倍以上にしてなる。この
ようにすれば記録の場合は高飽和磁束密度を有す
る金属磁性体部で支配的に行われ、特に再生の場
合に高透磁率のフエライト部が支配的となり全体
に再生効率が高められる。なお、フエライトの幅
が広いとトラツク中央部の記録が不十分となり、
再生出力が劣化してしまう。

以上に説明したごとく、本発明によつて製造さ
れる複合型磁気ヘツドは高保磁力を有する記録媒
体にも十分記録可能な高飽和磁束密度の金属磁性
体と高透磁率で高耐摩耗性を有する基体ブロツク
とを組み合せ、互いに欠点を補なつて、記録およ
び再生特性の優れた狭トラツク磁気ヘツドとなつ
ている。

なお、磁気ヘツドを示す各図において、コイル
の図示を省略してあるが、コイルは装着するもの
とする。

以上の説明したごとく本発明によつて製造され
る複合型磁気ヘツドは、従来の複合型磁気ヘツド
に比べ、 (1) 渦電流損失が小さくできる構造となつてい
る、 (2) コンター効果が無視できる、 (3) 金属磁性体膜とフエライトとの接触面積が広
く取れる、等の構造的利点があり優れたヘツド
性能が得られる。

さらに本発明の複合型磁気ヘツドの製造方法は (1) 一枚の金属磁性体膜を作動ギヤツプ部で２倍
に利用しているので金属磁性体膜の堆積時間が
半分で済み量産性がある、 (2) トラツク幅決め加工の時に金属磁性体膜の側
面を砥石で加工する必要がなく、加工部のチツ
ピングやバリおよび膜のはく離等の問題がな
い、 (3) 基体ブロツクの溝部に非磁性体を充填してか
ら、突起部の先端部を加工しているので、破損
がなく、高精度のトラツク幅加工ができる。

等の大きな利点があり、その製造も容易である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来の複合型磁気ヘツドの斜
視図および上面図、第３図は他の従来の複合型磁
気ヘツドの斜視図、第４図ａ，ｂは本発明の一実
施例において製造される複合型磁気ヘツドの斜視
図および磁気テープ摺動面の拡大図、第５図ａ，
ｂは本発明の他の実施例において製造される複合
型磁気ヘツドの斜視図および磁気テープ摺動面拡
大図、第６図、第７図は本発明のさらに他の実施
例において製造される複合型磁気ヘツドの磁気テ
ープ摺動面拡大図、第８図イ〜リは本発明の複合
型磁気ヘツドの製造方法の一実施例における各工
程の説明図、第９図は本発明の複合型磁気ヘツド
製造方法の他の実施例における加工されたフエラ
イトブロツクの斜視図、第１０図ａ，ｂ，ｄは本
発明の各種実施例における加工されたフエライト
ブロツクの平面図、第１０図ｃは本発明の一実施
例において用いるフエライトブロツク加工用砥石
の断面図、第１１図イ〜ホは従来の複合型磁気ヘ
ツドの製造工程の説明図、斜視図及び平面図であ
る。 符号の説明、３０，３０′……金属磁性体膜、
３１，３１′……高透磁率フエライトブロツク、
３２……作動ギヤツプ、３３，３３′……非磁性
充填材、３４……コイル巻線窓、３５，３５′…
…フエライト突起部、４０……高透磁率フエライ
トブロツク、４１……ギヤツプ形成側の面、４
２，４２′……溝、４４……金属磁性体膜、４５
……非磁性材、４７……接合ブロツク、５０……
砥石。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ （）基体ブロツクのギヤツプ形成側の面
   に、トラツク幅より狭い幅の先端部を有する突起
   部を挟持するように隣接する２本の溝を１組とす
   る少なくとも１組の溝を平行に設ける工程、（）
   工程（）を終了した前記基体ブロツクのギヤツ
   プ形成側の面の少なくとも前記溝面上に磁性体を
   被着せしめる工程、（）前記磁性体が表面に被
   着されている前記溝に非磁性材を充填する工程、
   （）前記非磁性材ならびに磁性体の不要部を除
   去し、所定のトラツク幅を有するギヤツプ形成面
   を露呈せしめる工程、（）工程（）を終了し
   たブロツクを一対用意する工程、（）工程（）
   を終了した前記１対のブロツクの少なくとも一方
   のギヤツプ形成側の面に所要の厚さの非磁性層を
   形成する工程、（）工程（）を終了した前記
   １対のブロツクのギヤツプ形成面を相対峙せし
   め、互いに接合して一体化する工程、および
   （）接合された前記ブロツクを所定の位置にて
   切断し、少なくとも１個の磁気コアを得る工程を
   有することを特徴とする複合型磁気ヘツドの製造
   方法。 ２ 工程（）において、前記溝を前記ブロツク
   のギヤツプ形成側の面の一稜部側にのみ設けるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合
   型磁気ヘツドの製造方法。 ３ 工程（）において、前記隣接する溝間の突
   起部の先端部に平坦面が存在するように前記溝を
   設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項も
   しくは第２項記載の複合型磁気ヘツドの製造方
   法。 ４ 工程（）において、前記隣接する溝間の突
   起部の先端部に平坦面が存在しないように前記溝
   を設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   もしくは第２項記載の複合型磁気ヘツドの製造方
   法。 ５ 工程（）において、前記突起部の先端が、
   前記各組の溝に隣接する平坦部より低くならしめ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
   ４項のいずれかの項に記載の複合型磁気ヘツドの
   製造方法。 ６ 前記基体ブロツクとして高透磁率のMn−Zn
   フエライトあるいはNi−Znフエライトのバルク
   材を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項乃至第５項のいずれかの項に記載の複合型磁気
   ヘツドの製造方法。 ７ 前記磁性体として非晶質合金を用いることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６項のい
   ずれかの項に記載の複合型磁気ヘツドの製造方
   法。 ８ 前記磁性体としてFe−Si系、Fe−Al系、Fe
   −Al−Si系、Ni−Fe系のうち少なくとも一つを
   用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
   至第６項のいずれかの項に記載の複合型磁気ヘツ
   ドの製造方法。 ９ 工程（）を終了したブロツクのギヤツプ形
   成側の面に、前記溝とほぼ直交するようにコイル
   巻線窓用溝を形成する工程を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第６項乃至第８項のいずれか
   の項に記載の複合型磁気ヘツドの製造方法。 １０ 工程（）において、露呈される作動ギヤ
   ツプ形成面が前記磁性体からなることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の複合型磁気ヘツド
   の製造方法。 １１ 工程（）において前記突起部の先端部に
   おける幅がトラツク幅の1/2以下であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１０項記載の複合型磁
   気ヘツドの製造方法。 １２ 工程（）において前記突起部の先端部に
   おける前記ブロツクの幅がほぼ０であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１０項記載の複合型磁
   気ヘツドの製造方法。 １３ 工程（）において被着される前記磁性体
   の厚さがトラツク幅の1/2以下であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の複合型磁気ヘ
   ツドの製造方法。 １４ 工程（）において被着される前記磁性体
   の厚さがトラツク幅のほぼ1/2であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１２項記載の複合型磁気
   ヘツドの製造方法。 １５ 工程（）において露呈される作動ギヤツ
   プ形成面が前記磁性体ならびに前記ブロツクから
   なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の複合型磁気ヘツドの製造方法。 １６ 前記作動ギヤツプ形成面における前記磁性
   体のトラツク幅方向の幅が前記突起部の先端部に
   おける前記ブロツクの幅の少なくとも２倍である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１５項記載の
   複合型磁気ヘツドの製造方法。 １７ 工程（）において前記磁性体は多層構造
   となつていることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項乃至第１６項のうちいずれかの項に記載の複
   合型磁気ヘツドの製造方法。 １８ 前記磁性体は非磁性体と交互に積層された
   多層構造となつていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１７項記載の複合型磁気ヘツドの製造方
   法。 １９ 前記非磁性体はSiO₂又はAl₂O₃であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１８項記載の複合
   型磁気の製造方法。 ２０ 前記多層構造はスパツタリング法により形
   成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
   １７項乃至第１９項のうちいずれかに記載の複合
   型磁気ヘツドの製造方法。 ２１ 前記突起部の頂角もしくは該突起部の両側
   面により形成される角度は45°〜90°であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１９項の
   うちいずれかに記載の複合型磁気ヘツドの製造方
   法。