JPS5870418A - 磁気ヘツドの製法 - Google Patents
磁気ヘツドの製法Info
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- JPS5870418A JPS5870418A JP16922081A JP16922081A JPS5870418A JP S5870418 A JPS5870418 A JP S5870418A JP 16922081 A JP16922081 A JP 16922081A JP 16922081 A JP16922081 A JP 16922081A JP S5870418 A JPS5870418 A JP S5870418A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1272—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸化物磁性材と軟質磁性材層複合コアから成
る磁気ヘッドの製法に関する。
る磁気ヘッドの製法に関する。
近年、高記録密度化に伴い高抗磁力テープが開発されて
きたが、フエライ）、（Ｍ化物磁性材）磁気ヘッドはそ
の高周波特性が優れているものの、これらの高抗磁力テ
ープの特長を充分に生かしきれないという欠点がある。
きたが、フエライ）、（Ｍ化物磁性材）磁気ヘッドはそ
の高周波特性が優れているものの、これらの高抗磁力テ
ープの特長を充分に生かしきれないという欠点がある。
一方、セノダスト等の金属磁性材（軟質磁性材）は飽和
磁束密度Ｂｓが大きいためにフェライトに比べて記録特
性が向上するが、高周波損失が大きいために再生特性が
劣化するという欠点がある。斯る金属磁性膜単層の欠点
をなくすために金属磁性膜を積層する方法がある。しか
し、１層の厚みを薄くするには製造上の限界があり、３
（ＲＶＩＩＩｚ 〜５０ＭＨｚ （ｒ）高周波ニなると
、やはりコア損７メが問題となり再生特性が落ちる。
磁束密度Ｂｓが大きいためにフェライトに比べて記録特
性が向上するが、高周波損失が大きいために再生特性が
劣化するという欠点がある。斯る金属磁性膜単層の欠点
をなくすために金属磁性膜を積層する方法がある。しか
し、１層の厚みを薄くするには製造上の限界があり、３
（ＲＶＩＩＩｚ 〜５０ＭＨｚ （ｒ）高周波ニなると
、やはりコア損７メが問題となり再生特性が落ちる。
本発明は、上述の点に鑑み、記録時には磁気飽和を生じ
難くして高抗磁力テープを充分に記録できると共に、高
周波での再生特性を良好ならしめた磁気ヘッドの製法を
提供するものである。
難くして高抗磁力テープを充分に記録できると共に、高
周波での再生特性を良好ならしめた磁気ヘッドの製法を
提供するものである。
以下、実施例乞用いて本発明による磁気ヘッドの製法を
説明しよう。
説明しよう。
第１図は本発明の一実施例である。本例においては、先
ず第１図Ａに示すようにガラスセラミツり等の非磁性ガ
ード基板（１）を用；帳し、このガード基板（１）の−
主面」二に軟質磁性材層例えばセンダスト膜（２）と非
磁性絶縁材層例えば８１０２膜（３）とを交互に複数積
層してなる複合基板（５）を形成する。
ず第１図Ａに示すようにガラスセラミツり等の非磁性ガ
ード基板（１）を用；帳し、このガード基板（１）の−
主面」二に軟質磁性材層例えばセンダスト膜（２）と非
磁性絶縁材層例えば８１０２膜（３）とを交互に複数積
層してなる複合基板（５）を形成する。
次に、第１図Ｂに示すように複数の複合基板（５）を積
層合体して第１の積層体（６）ヲ形成する。この積層に
当っては各非磁性ガード月（］）の他主面（裏面）に例
えばＨｚ０３−８ｉ０２−ＡＱ２０ａ系の接合ガラスを
スパッタリングにて付着し、５５０°０の雰囲気で圧着
接合する。これによって複合基板（５）を数層〜士数層
積層した積層体（６）が得られろ。又、この時センダス
ト膜（２） −５ｉ０２膜（３）の積層膜（４）におい
てその最上層のセンダスト膜（２）土にＣｒ膜、次いで
５ｉ０２膜を形成すると接合ガラスとのなじみがよくな
り接着力が向」ニする。
層合体して第１の積層体（６）ヲ形成する。この積層に
当っては各非磁性ガード月（］）の他主面（裏面）に例
えばＨｚ０３−８ｉ０２−ＡＱ２０ａ系の接合ガラスを
スパッタリングにて付着し、５５０°０の雰囲気で圧着
接合する。これによって複合基板（５）を数層〜士数層
積層した積層体（６）が得られろ。又、この時センダス
ト膜（２） −５ｉ０２膜（３）の積層膜（４）におい
てその最上層のセンダスト膜（２）土にＣｒ膜、次いで
５ｉ０２膜を形成すると接合ガラスとのなじみがよくな
り接着力が向」ニする。
次に、第１図Ｃに示すように第１の積層体（６）に対し
てその積層方向に沿った方向で、即ち点線（力の位置よ
り切断してブロック（８）を得ろ。そして、この切断さ
れたブロック（８）と酸化物磁性材料即ちフェライトよ
りなるブロック（９）を第１図りに示すように交互に積
層合体して第２の積層体（ＩＯｌを形成する。このとき
の接合は、上記と同じ接合ガラスあるいは之より若干軟
化点の低い接合ガラスをスパッタリングにて接合面に付
着させ５００℃程度で接合する。
てその積層方向に沿った方向で、即ち点線（力の位置よ
り切断してブロック（８）を得ろ。そして、この切断さ
れたブロック（８）と酸化物磁性材料即ちフェライトよ
りなるブロック（９）を第１図りに示すように交互に積
層合体して第２の積層体（ＩＯｌを形成する。このとき
の接合は、上記と同じ接合ガラスあるいは之より若干軟
化点の低い接合ガラスをスパッタリングにて接合面に付
着させ５００℃程度で接合する。
次に、第１図Ｅに示すように、この第２の積層体０Ｑを
ブロック（８）（最初の第１積層体（６））の積層方向
を直交する２面で、すなわち点線θυで示すフェライト
ブロック（９）の中間の位置と、之と直交する点線０２
で示す位置で切り出す。第１図Ｆは切り出されたブロッ
クコア対 （１３）及び（ｌ（１）を示す。
ブロック（８）（最初の第１積層体（６））の積層方向
を直交する２面で、すなわち点線θυで示すフェライト
ブロック（９）の中間の位置と、之と直交する点線０２
で示す位置で切り出す。第１図Ｆは切り出されたブロッ
クコア対 （１３）及び（ｌ（１）を示す。
次に、第１図Ｇに示すようにブロックコア対０３）及び
（１４Ｉの一方、例えばブロックコアα階の一面にその
ガード基板（１）とセンダストの積層膜（４）との積層
方向に沿って巻線溝α９を形成して後、両ブロックコア
（Ｉ■及び０４）のギャップ形成面を鏡面加工する。
（１４Ｉの一方、例えばブロックコアα階の一面にその
ガード基板（１）とセンダストの積層膜（４）との積層
方向に沿って巻線溝α９を形成して後、両ブロックコア
（Ｉ■及び０４）のギャップ形成面を鏡面加工する。
次に、第１図Ｈに示すように一方のブロックコアＣｆ３
に空隙片となる例えば５ｉ０２膜（図示せず）をスパッ
タリングによって被着して、両ブロックコア０■及びα
力を接合する。この所謂ギャップ接合は、第１図Ｂ及び
第１図りの工程で使用した接合ガラスよりも軟化点の低
いガラス例えばＰｂＯ−８２０３−ＺｎＯ系のガラスを
ブロックコア０：１のギャップ形成面にスパッタリング
にて付着して接合する。
に空隙片となる例えば５ｉ０２膜（図示せず）をスパッ
タリングによって被着して、両ブロックコア０■及びα
力を接合する。この所謂ギャップ接合は、第１図Ｂ及び
第１図りの工程で使用した接合ガラスよりも軟化点の低
いガラス例えばＰｂＯ−８２０３−ＺｎＯ系のガラスを
ブロックコア０：１のギャップ形成面にスパッタリング
にて付着して接合する。
然る後、かかるヘッドブロック０６）をガード基板（１
）の部分で切断して第１図１に示す如きヘッドチップ（
１７）を得る。この後、ヘッドチップに対してテープ対
接面の研磨及び巻線孔（１５’）へのコイル巻装等を施
す。
）の部分で切断して第１図１に示す如きヘッドチップ（
１７）を得る。この後、ヘッドチップに対してテープ対
接面の研磨及び巻線孔（１５’）へのコイル巻装等を施
す。
かかる製法によれば、ヘッドコアに於てその作動ギャッ
プｇの形成されたフロントコア部が飽和磁束密度Ｂｓの
大きい軟磁性材料、例えばセンダストによる積層膜（４
）で形成されると共に、バックコア部が固有抵抗−の大
きいフェライト材（多結晶フェライトを可とする）（９
）で形成され、さらにコア両側に非磁性ガード基板（１
）が配されて成る磁気ヘッドが得られる。
プｇの形成されたフロントコア部が飽和磁束密度Ｂｓの
大きい軟磁性材料、例えばセンダストによる積層膜（４
）で形成されると共に、バックコア部が固有抵抗−の大
きいフェライト材（多結晶フェライトを可とする）（９
）で形成され、さらにコア両側に非磁性ガード基板（１
）が配されて成る磁気ヘッドが得られる。
この磁気ヘッドは、作動ギャップｇを有するフロントコ
ア部がセンダスト膜（２）を用いている故に記録時に磁
気飽和が生ぜず、又フロントコア部がセンダスト膜と８
１０２膜による積層膜（４）で構成されて渦電流損が小
さいと共に、バックコア部がフェライト材（９）の故に
高周波特性に優れ、高抗磁力テープ用の録再兼用ヘッド
に適用して好適なものとなる。
ア部がセンダスト膜（２）を用いている故に記録時に磁
気飽和が生ぜず、又フロントコア部がセンダスト膜と８
１０２膜による積層膜（４）で構成されて渦電流損が小
さいと共に、バックコア部がフェライト材（９）の故に
高周波特性に優れ、高抗磁力テープ用の録再兼用ヘッド
に適用して好適なものとなる。
因みに、ヘッド特性について比較してみると、下記の通
りであり、本発明による磁気ヘッドの方が従来のヘッド
よりも高周波特性において優れている。但し、ヘッドの
トラック巾には２０μ、本発明によるセンダスト膜（２
）の１層の厚みは５μであるＯ そして、コアの両側にガラスセラミックによる ′非磁
性ガード基板（１）が配されるので、小トラック巾にも
拘らず機械的強度も大きく安定に使用できる。
りであり、本発明による磁気ヘッドの方が従来のヘッド
よりも高周波特性において優れている。但し、ヘッドの
トラック巾には２０μ、本発明によるセンダスト膜（２
）の１層の厚みは５μであるＯ そして、コアの両側にガラスセラミックによる ′非磁
性ガード基板（１）が配されるので、小トラック巾にも
拘らず機械的強度も大きく安定に使用できる。
又、製造に際しては、第１図Ｂの複合基板（６）の積層
、第１図りのブロック（フロントコア部） （８）とブ
ロック（バックコア部）（９）との接合及び第１図Ｈの
ギャップ接合のいずれもがガラス接合であるために、従
来の有機接着剤による接合に比べて信頼性の高い磁気ヘ
ッドが得られる。
、第１図りのブロック（フロントコア部） （８）とブ
ロック（バックコア部）（９）との接合及び第１図Ｈの
ギャップ接合のいずれもがガラス接合であるために、従
来の有機接着剤による接合に比べて信頼性の高い磁気ヘ
ッドが得られる。
尚、第１図においてブロックコア対（１３１及ヒ（１４
）ヲ設け、一方のブロックコツα階に巻線溝α最を形成
した第１図Ｇの工程の後、さらにいずれか一方のブロッ
クコア、例えばブロックコア０４）側に第２（８）に示
すようにガラス融着用の切り欠は部０樽を設け、この切
り欠は部０樽に棒状のガラス（第１図）Ｉの工程で用い
たと同じガラス） Ｑｌを挿入し、両ブロックコア０′
５及び０４）をガラス融着し、その後ガード基板（１）
の部分で切断してヘッドチップ（２υを得ることもでき
る。
）ヲ設け、一方のブロックコツα階に巻線溝α最を形成
した第１図Ｇの工程の後、さらにいずれか一方のブロッ
クコア、例えばブロックコア０４）側に第２（８）に示
すようにガラス融着用の切り欠は部０樽を設け、この切
り欠は部０樽に棒状のガラス（第１図）Ｉの工程で用い
たと同じガラス） Ｑｌを挿入し、両ブロックコア０′
５及び０４）をガラス融着し、その後ガード基板（１）
の部分で切断してヘッドチップ（２υを得ることもでき
る。
又、第１図■（のギャップ接合に於ては、上側の他に水
ガラスと称する液状ガラスをギヤツブ形成又、磁気ヘッ
ドにおいては、チップの主面に対して作動ギャップが直
交よりも傾いたヘッドチップ主面をそのままヘッド基板
に取付けて、所謂アジマス記録７行うようにしたアジマ
スヘッドが知られている。第１図の実施例においてもブ
ロックコアの切り出し方を変えることによって容易に形
成することができる。
ガラスと称する液状ガラスをギヤツブ形成又、磁気ヘッ
ドにおいては、チップの主面に対して作動ギャップが直
交よりも傾いたヘッドチップ主面をそのままヘッド基板
に取付けて、所謂アジマス記録７行うようにしたアジマ
スヘッドが知られている。第１図の実施例においてもブ
ロックコアの切り出し方を変えることによって容易に形
成することができる。
さらに、上側においては積層膜（４）としてはセンダス
ト膜（２）と８１０２膜（３）の積層で構成したが、そ
の他例えばｌ；’ｅ−Ｃｏ−８ｉＢ系のアモルファス磁
性膜とＳ ｉＯｚの積層であってもよい。この場合もス
パッタリングで被着積層する。さらには積層の代りにア
モルファスリボンを使うことも可能である。
ト膜（２）と８１０２膜（３）の積層で構成したが、そ
の他例えばｌ；’ｅ−Ｃｏ−８ｉＢ系のアモルファス磁
性膜とＳ ｉＯｚの積層であってもよい。この場合もス
パッタリングで被着積層する。さらには積層の代りにア
モルファスリボンを使うことも可能である。
第１図で示すような軟磁性膜例えばセンダスト膜（２）
と非磁性絶縁膜例えば５ｉ０２膜（３）を交互に積層し
て成るコアは渦電流損が小さく高周波特性を良好にする
が、この場合特に絶縁膜（３）の厚みが高周波特性に影
響を与える。第３図に示すように厚さｔが４μのセンダ
スト膜（２）を絶縁膜（３）を挾んで４層積層し、両側
にガード基板（１）を配して成る磁気ヘッド０υを試作
し、その際に絶縁膜（３）としての５ｉＯｚ膜の厚みを
２００Ｘ、 １００ＯＸ、 ３０００Ｘ、 ５０００Ｘ
の４種類としたときのヘッド特性を下記の表及び第４図
に示す。
と非磁性絶縁膜例えば５ｉ０２膜（３）を交互に積層し
て成るコアは渦電流損が小さく高周波特性を良好にする
が、この場合特に絶縁膜（３）の厚みが高周波特性に影
響を与える。第３図に示すように厚さｔが４μのセンダ
スト膜（２）を絶縁膜（３）を挾んで４層積層し、両側
にガード基板（１）を配して成る磁気ヘッド０υを試作
し、その際に絶縁膜（３）としての５ｉＯｚ膜の厚みを
２００Ｘ、 １００ＯＸ、 ３０００Ｘ、 ５０００Ｘ
の４種類としたときのヘッド特性を下記の表及び第４図
に示す。
第４図において、曲ｉ１ （Ｉ）は膜厚２００Ｘのヘッ
ド、曲線（Ｉ）は膜厚１０００″Ｋ及び３０００χのヘ
ッド、曲１（Ｉｔ）は膜厚５０００Ｘのヘッドである。
ド、曲線（Ｉ）は膜厚１０００″Ｋ及び３０００χのヘ
ッド、曲１（Ｉｔ）は膜厚５０００Ｘのヘッドである。
このような表及び第４図から明らかなように、２００Ｘ
で数行性が悪くなる。一方、膜厚５０００χのヘッドは
、膜厚１０００λ及び３０００χのヘッドに比べて全帯
域で出力低下している。これは膜のμ特性が悪くなった
ためである。５０００Ｘのように厚くなると軟磁性膜と
の熱膨張係数の違いによる応力が軟磁性膜に蓄えられμ
特性の劣化を招く。膜厚３０００Ｘ以下であれば軟磁性
膜（センダスト膜）単体と磁気特性は変わらない。又、
膜厚５ｏｏｏ、ｉ以上になれば有効トラック中の減少が
無視できなくなる。なお、絶縁膜（３）としては５ｉＯ
ｚ以外（７） Ａｇ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＣｒｚＯａにつ
いても同様であると確認した。
で数行性が悪くなる。一方、膜厚５０００χのヘッドは
、膜厚１０００λ及び３０００χのヘッドに比べて全帯
域で出力低下している。これは膜のμ特性が悪くなった
ためである。５０００Ｘのように厚くなると軟磁性膜と
の熱膨張係数の違いによる応力が軟磁性膜に蓄えられμ
特性の劣化を招く。膜厚３０００Ｘ以下であれば軟磁性
膜（センダスト膜）単体と磁気特性は変わらない。又、
膜厚５ｏｏｏ、ｉ以上になれば有効トラック中の減少が
無視できなくなる。なお、絶縁膜（３）としては５ｉＯ
ｚ以外（７） Ａｇ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＣｒｚＯａにつ
いても同様であると確認した。
上述せる如く、本発明によれば記録時におけるヘッドコ
アの磁気飽和を生じ難くし且つ再生特性を向上せしめた
磁気ヘッドが容易に且つ高信頼性をもって製造できるも
のであり、例えば高抗磁力テープ用の録再兼用ヘッドに
適用して好適ならしめるものである。
アの磁気飽和を生じ難くし且つ再生特性を向上せしめた
磁気ヘッドが容易に且つ高信頼性をもって製造できるも
のであり、例えば高抗磁力テープ用の録再兼用ヘッドに
適用して好適ならしめるものである。
第１崗Ａ〜■は本発明による磁気ヘッドの製法の実施例
な示す工程図、第２図は本発明で得られる磁気ヘッドの
他の実施例を示す斜視囚、第３図は本発明の説明に供す
る磁気ヘッドの斜視図、第４図は本発明の説明に供する
軟質磁性材の積層膜における絶縁膜の厚みと周波数特性
の関係を示す特性図である。 （１）は非磁性基板、（２）は軟質磁性材料層、（３）
は非磁性絶縁材層、（９）は酸化物磁性材料である。 同 松 隈 秀 盛・：１′？−ミ＼
、・＋ｊ４．ｔ” 第１１ネ１ １Ｃ １θ
な示す工程図、第２図は本発明で得られる磁気ヘッドの
他の実施例を示す斜視囚、第３図は本発明の説明に供す
る磁気ヘッドの斜視図、第４図は本発明の説明に供する
軟質磁性材の積層膜における絶縁膜の厚みと周波数特性
の関係を示す特性図である。 （１）は非磁性基板、（２）は軟質磁性材料層、（３）
は非磁性絶縁材層、（９）は酸化物磁性材料である。 同 松 隈 秀 盛・：１′？−ミ＼
、・＋ｊ４．ｔ” 第１１ネ１ １Ｃ １θ
Claims (1)
- 非磁性基板上に軟質磁性材層と非磁性絶縁材層を交互に
複数積層して複合基板を形成する工程と、該複合基板を
複数積層して第１の積層体を得る工程と、該第１の積層
体を積層方向に沿った方向で切断する工程と、切断して
得たブロックと酸化物磁性材料よりなるブロックを交互
に積層して第２の積層体を得る工程と、該第２の積層体
を上記最初の積層方向を含む直交する２面で切り出し該
そのうちのｌ’ｆｆ１ｉ＆上上記酸化物磁性材料のブロ
ック中とする工程と、該切り出されたブロックコア対に
所要の溝加工を施して後、空隙片を介して接合合体し、
個々のチップを切り出す工程とを有して成る磁気ヘッド
の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16922081A JPS5870418A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 磁気ヘツドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16922081A JPS5870418A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 磁気ヘツドの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870418A true JPS5870418A (ja) | 1983-04-26 |
Family
ID=15882437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16922081A Pending JPS5870418A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 磁気ヘツドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870418A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5996519A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS605411A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6050705A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | Canon Inc | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
| JPS60201509A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6148108A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| US4899241A (en) * | 1983-07-05 | 1990-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a magnetic head having a thin film in a portion of its core |
| US5726842A (en) * | 1992-05-25 | 1998-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin-film type magnetic head having an auxiliary magnetic film |
| KR980011057A (ko) * | 1996-07-25 | 1998-04-30 | 조희재 | Vcr 영상 헤드용 칩 코어의 제조방법 |
-
1981
- 1981-10-22 JP JP16922081A patent/JPS5870418A/ja active Pending
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