JPH036564B2 - - Google Patents

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JPH036564B2
JPH036564B2 JP57139415A JP13941582A JPH036564B2 JP H036564 B2 JPH036564 B2 JP H036564B2 JP 57139415 A JP57139415 A JP 57139415A JP 13941582 A JP13941582 A JP 13941582A JP H036564 B2 JPH036564 B2 JP H036564B2
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Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は磁気ヘツドの製造方法に関するもので
ある。 従来例の構成とその問題点 近年高保磁力のメタルテープの出現により、高
磁束密度の磁心材料を用いるメタル系磁気ヘツド
の開発が盛んに進められている。これらメタル系
磁気ヘツド材料にはセンダストや非品質合金があ
げられる。しかしながら、従来よりフエライトへ
ツドを作製するのに使用されている磁気ギヤツプ
作製法を、これらメタル系ヘツド材料を用いた磁
気ヘツド作製に用いるのは困難であつた。すなわ
ち、従来の方法は磁気ギヤツプ部にガラスを用
い、これをフエライトではさんで高温度下で軟化
させ接合するというものであるが、このときガラ
スの一部分がわずかにフエライト中に拡散し、ギ
ヤツプ接着強度を上昇させる他、ガラスの熱膨張
係数がフエライトのそれに近いものが選べるとい
う利点があるためである。しかしながら、センダ
ストや非晶質合金のガラスによる接着強度はきわ
めて弱いほか、センダストの場合には熱膨張係数
aがa=170×10-7ときわめて大きく、それに比
べてガラスのそれがa=50×10-7〜120×10-7
小さいため、熱膨張係数があわせられないという
問題がある。上述のメタル材料をガラスによつて
接着することが困難な原因としては、フエライト
の場合と異なり、ガラスがメタル内へ拡散しにく
いということが考えられている。非晶質合金の場
合には、結晶化温度が500℃付近にあり、接着も
この温度以下で行なわないと合金の磁気特性がそ
こなわれるといつた問題点があり、センダストの
場合よりもガラスを軟化させ、合金内に拡散させ
て、接着強度を上げるのは困難なことである。ま
た、樹脂によりメタル材を接着することは比較的
低い温度でも可能であるが、磁気ギヤツプ部のよ
うに±0.1μm以上の精度を必要とする接着には、
樹脂自体が膨張,収縮することから、その使用は
好ましくない。 発明の目的 本発明は、上述のようなメタル系磁気ヘツドに
おける磁気ギヤツプ作製上の問題点を解決し、き
わめて精度よく磁気ギヤツプを形成することので
きる方法を提供することを目的とする。 発明の構成 本発明は、磁気ギヤツプ部をスパツター法で形
成し、補助的にガラス接着または樹脂接着を用い
ることによつて、精度のよい磁気ギヤツプを備え
た磁気ヘツドを容易に作製できる。 実施例の説明 以下、本発明の実施例について詳述する。 実施例 1 第1図に示したような厚さ300μmで熱膨張係
数aが104×10-7の耐摩耗性の良好な高融点ガラ
ス基板1を中央2で切断し、切断した一方のガラ
ス基板3の表面上に第2図に示したようにスパツ
ター法により厚さ20μmの零磁歪非晶質合金
Co88Nb8Zr4よりなる磁性層4を形成した。さら
に、この端面5を鏡面仕上げした後、第3図に示
すようにスパツター法によりSiO2層6を0.3μm付
着させた。次に、このようにして得られた複合体
と、前述の切断しておいたもう一方のガラス基板
7とを、第4図に示したように、ガラス基板3,
7の底面を一致させて、450℃接着を行なつた。
このとき、第4図においてアーチ形破線で示した
部分8を削り取り、この部分に上記の低融点ガラ
スを入れて接着すると、より効果的である。ま
た、基板3,7を構成する高融点ガラスを低融点
ガラスで接着するのは、拡散が起こりやすいので
比較的簡単である。このようにして得られた表面
に約20μmの段差を有する複合基板9の表面に、
第5図に示したように、さらにスパツター法によ
り、同じ非晶質合金Co88Nb8Zr4よりなる磁性層
10を20μm形成した。得られたものは第5図に
示したように磁性層10が連続して磁気的にシヨ
ートされた形状になつているので、このまま平板
状に研摩するか、もしくは、第6図に示したよう
に樹脂または低融点ガラス11によりモールドし
た後平板状に研摩して、第7図に示すようなギヤ
ツプを有するコア11が得られた。そして、これ
を第8図に示すように巻線12をあらかじめ施し
てあるサイドコア13に非晶質磁性層4,10が
接着面となるように接着すれば、磁気ヘツドの主
要部分が得られる。以下、これまでに実施されて
いる手順で磁気ヘツドに加工する。なお、14は
サイドコア13の高融点ガラス部である。なお、
第8図のようにサイドコアを用いずに単に同じガ
ラス板で非晶質磁性層をはさみ、これに透孔を設
けて巻線を施し、磁気ヘツド化してもよい。 実施例 2 ギヤツプ材として非磁性非晶質合金 Fe80Zr10Nb10をSiO2に代えてスパツターし、
実施例1と同様の方法で磁気ギヤツプを形成し
た。他の手順についても実施例1と同じとした。 実施例 3 第9図に示すように、中央部分21がフオルス
テライトよりなり、両側の部分22がフエライト
よりなる厚さ300μmの複合基板23を中央部分
24で切断し、一方の基板の端面上に非晶質合金
Co81Mo3Cr7Zr9からなる磁性層をスパツター法に
より厚さ20μmまで付け、以下実施例1と同じ手
順で第10図に示す形状の素体を作製した。図に
おいて、25はSiO2層、26,27は前記非晶
質合金からる磁性層、28はガラス層である。次
に、ガラス層28側を曲面状に研摩して、第11
図に示すような磁気ギヤツプを有するフロントコ
ア29を得た。このフロントコア29を、図に示
したように、フエライトよりなり、巻線30を有
するバツクコア31と接着することにより、磁気
ヘツドが作製される。 実施例 4 実施例3において中央部分がフオルステライト
に代えて熱膨張係数a=120×10-7の高融点ガラ
スであり、両側の部分がフエライトに代えてパー
マロイである厚さ300μmの複合基板を使用し、
以下実施例1と同じ手順で非晶質合金
Fe2Co83Nb15をスパツタしてフロントコアを作製
して、第11図に示すようなバツクコアと接着一
体化した。 実施例 5 実施例1において熱膨張係数a=104×10-7
代えてa=120×10-7の高融点ガラス基板を中央
部分より切断し、一方の基板上にセンダスト合金
を厚さ10μmまで付着させた後、以下実施例1と
同様にして第11図に示す形状の磁気ヘツドを作
製した。 以上実施例1〜5で示した本発明方法により作
成したメタル系ビデオテープレコーダ用磁気ヘツ
ドと、従来方法により作製されたメタル系ビデオ
テープレコーダ用磁気ヘツドとの寿命試験を行な
つた。ただし、従来法とはセンダストコア材のギ
ヤツプ部にガラスを用い、これを高温で溶かし、
コア材同士を突合わして接合する方法である。ま
た、非晶質合金単体では現在のところ、リボン形
状のものしか得られないので、上述のような工程
は実施困難であるため、厚さ20μmの零磁歪非品
質リボンCo81Mo3Cr7Zr9を板厚300μmのガラス板
ではさんで接着し、厚さ約620μmの板厚とした
後、中央で切断して以下一般に実施されている方
法で磁気ギヤツプを作製した。 寿命試験方法としては温度30℃、相対湿度90%
の雰囲気中に7日間各磁気ヘツドを放置した後、
室温において市販のVTRデツキを用いて8時間
走行試験を行ない、このサイクルを4回繰り返し
てから、各磁気ヘツドのギヤツプの状態を観察し
た。結果を下表に示す。
【表】 ただし、* 比較例
上表の結果から明らかなように、実施例1〜5
による磁気ヘツドでは、比較例に比べて、その磁
気ギヤツプの寸法精度がよい。そして、上記寿命
試験によつても、その磁気ギヤツプ長の実質的な
変化が認められなかつたのに対して、比較例のそ
れは大巾に変化していた。 発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明の方法
によれば、寸法精度よく磁気ギヤツプを形成でき
るだけでなく、磁気ギヤツプ長の変化が磁気ヘツ
ドの寿命中、従来の磁気ヘツドのそれに比べてき
わめて小さいという利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第8図までは本発明にかかる磁気ヘ
ツドの製造方法の一実施例の工程を示す斜視図、
第9図から第11図までは同じく他の実施例の工
程を示す斜視図である。 1,3……ガラス基板、4……磁性層、5……
端面、6……SiO2層(磁気ギヤツプ層)、7……
ガラス基板、9……複合基板、10……磁性層、
11……樹脂または低融点ガラス、12……巻
線、13……サイドコア、21……フオルステラ
イトよりなる中央部分、22……フエライトより
なる両側部分、23……複合基板、25……
SiO2層(磁気ギヤツプ層)、26,27……非晶
質合金よりなる磁性層、28……ガラス層、29
……フロントコア、30……巻線、31……バツ
クコア。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1の基板の表面にスパツター法もしくは蒸
    着法により磁性層を形成した後、前記第1基板と
    前記磁性層よりなる複合体の側面に非磁性体より
    なる磁気ギヤツプ層をスパツター法により所定の
    厚さに形成してから、前記第1の基板とほぼ同じ
    厚さの第2の基板を、前記磁気ギヤツプ層を介し
    て前記第1の基板に対向させて前記複合体に一体
    化し、得られた複合基板の前記磁性層形成面側に
    スパツター法もしくは蒸着法によりの磁性層を所
    定の厚さに形成した後、前記磁性層を研摩して前
    記ギヤツプ層を前記磁性層間に露出させることを
    特徴とする磁気ヘツドの製造方法。 2 磁性層が非晶質磁性合金よりなることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘツドの
    製造方法。 3 磁気ギヤツプ層がSiO2よりなることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘツドの
    製造方法。 4 第1,第2の基板がガラスもしくは非磁性の
    セラミツクよりなることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の磁気ヘツドの製造方法。 5 少なくとも第1の基板がフエライト部と非磁
    性セラミツクもしくはガラスよりなる非磁性体部
    とで構成され、磁気ギヤツプ層が前記非磁性体部
    であつて前記第1の基板の端面上に形成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    磁気ヘツドの製造方法。
JP57139415A 1982-08-10 1982-08-10 磁気ヘツドの製造方法 Granted JPS5930227A (ja)

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