JPS62188206A - Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性膜及びその製造方法並びに薄膜積層磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〜　　　　　　　　　１ 本発明は、一般にはＦｅ−Ｓｉ−Ａ！Ｌ合金膜に関する
ものであり、特に皮膜中の内部応力を実質的に零にし、
磁気的特性に優れたＦｅ−Ｓｉ−Ａ交合全磁性膜及びそ
の製造方法に関するものである。斯る本発明に従ったＦ
ｅ−Ｓｉ−Ａ旦合金磁性膜は、高周波用で且つ高いＳ／
Ｎ比の要求される高密度記録用ヘッド、主としてビデオ
ヘッド、デジタル用ヘッド等に使用される薄膜積層磁気
ヘッドの磁性膜として好適に利用し得る。

′−びエ　占 磁気記録技術の分野における最近の記録密度の向上は著
しく、これに伴なって例えば電磁変換素子としての磁気
ヘッドに対する狭トラツク化及びコア材料の飽和磁化の
増大化並びに高周波領域におけるｍ磁率の改善といった
要求が高まっている。

従来、磁気ヘッドのコア部材は、第５図に示すようにフ
ェライト或いはＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金１をブロック状に
切り出し、グイシングブレードソー等でトラック幅２の
規制を行なうための溝３とコイル巻線のｆ４４とを加工
形成したものであった。しかしながら、３０ｐｍ以下の
狭トラツクを有した磁気ヘッドを作製する場合には、ト
ラック幅規制のための溝３の間隔を極めて狭くする必要
があり、そのためにトラック幅２の精度に１ｉｔｌｌｌ
が生じたり又はトラック幅２部分のチッピングによる形
状不良が発生するという問題が生じてきた。

一方、従来のＦｅ−Ｓｉ　−Ａｌ合金等の金属磁性薄膜
を用いた金属磁性薄膜ヘッドは、３〜１０ルｍの該金属
磁性膜と約０．５ｕＬｍの非磁性絶縁膜とを交互に積層
し、所定の膜厚まで多層化した磁性体が利用されている
。

更に説明すれば、斯る全屈磁性ｎ！ｌヘッドの製造にお
いては、トラック幅は、基板上にスパッタリングによっ
てトラック幅に相当する膜厚にて前記多層化磁性体を形
成すればよく、トラック幅を規制する加工が省略され、
従って上述の如きブロック状コア材を用いて磁気ヘッド
を作製する場合に生ずる問題は解決される。

しかしながら、本発明者等の研究、実験では。

スパッタされた金属磁性膜は著しく内部応力の大きい膜
となり、かかる金属磁性膜による多層化磁性体、つまり
磁性コア層を用いて金属薄膜種Ｊ！Ｊ磁気ヘッドを作製
しても、磁歪の影響を受は磁気特性が悪くなった。つま
り、該磁歪は軟質磁性材料であるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金
磁性体内の内部応力と関連して磁気異方性エネルギーを
増加させ軟磁性体では保磁力の増大、透磁率の低下等好
ましくない現象を生ぜしめ、従って、高出力の磁気ヘッ
ドを得ることはできないということが分かった。

更に、上述のように金属薄膜ｆｋ層磁気ヘッドは、一般
にガラス等の非磁性基板上に金属磁性薄膜をスパッタリ
ングで形成し、絶縁層と交互に積層した後に接合材を用
いて他の非磁性基板を堆積して挟み込むことにより磁性
コアを形成するといった製造方法が採用されている。し
かし、本発明者等の研究では、スパッタリングによる成
膜の場合には、膜の内部応力により、成膜した基板に反
りが生じ、接合面全体で一様な接合が得られ難いという
問題があることが分かった。

本発明者等は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合全磁性体から成る軟
質磁性膜、更には該Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性体から成
る軟質磁性膜と非磁性絶縁膜とを交互にａＦ！ｔして構
成される薄膜積層磁気ヘッドを研究する過程において、
上述のように、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性体を基板にス
パッタして形成された軟磁性膜内に内部応力が形成され
、斯る内部応力が軟磁性膜に悪影響を及ぼし、結果的に
は磁気ヘッドの特性を劣化させていることを見出した。

更に、斯る軟磁性膜中に生じる内部応力について研究し
た結果、該内部応力は基板と膜との熱膨張係数の差から
生じる熱応力以外に、所謂真性応力が生じており、該真
性応力はＡｒによりターゲットからスパッタされた高エ
ネルギー粒子が堆積中の皮膜に衝突しくピーニング）、
もぐりこむことにより該皮膜中に生じる圧縮応力と、Ａ
ｒが該皮膜中に取り込まれることにより生じる圧縮応力
とから成ることが分かった。

更に又、本発明者等は、上記被膜中の内部応力を除去す
る方法について研究実験を行なったところ、ピーニング
による圧縮応力は成膜後の磁性膜を熱処理温度に昇温す
る過程で除去することができ、又Ａｒ内包による圧縮応
力は皮膜つまりＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜中に内包される
Ａｒ量を０゜０１〜０．３ｗｔ％となるように制御し、
且つ基板の熱膨張係数を該Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ文合金膜の熱
膨張係数より小とすることによりなくすることができる
ことを見出した。

又、本発明者等は、上述のように内部応力を実質的に除
去した磁性膜を有効に製造するには、（１）ＤＣスパッ
タ装置を使用し、基板にはＲＦバイアスを印加すること
、 （２）基板には該基板上に形成される皮膜の熱膨張係数
より小さな熱膨張係数を有した材料を使用すること、 （３）スパッタ作業により作製されたＡｒ含有Ｆｅ−５
Ｉ−Ａｌ１合金磁性膜を４５０℃〜８００℃にて熱処理
すること、 が重要であることを見出した。

本発明は斯る新規な知見に基づくものである。

及」ＪＬＩＪ 従って、本発明の目的は、上記従来の問題点を解決しＦ
ｅ−Ｓｉ−Ａ交合金膜中の内部応力を実質的に零にし、
良好な磁気特性を有した、即ち。

保磁力が小さく、透磁率の大なるＦｅ−Ｓｉ−Ａ文合金
磁性膜及び斯る磁性膜の製造方法を提供することである
。

本発明の他の目的は、前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ見合全磁性膜
を利用し、良好な磁気特性を有した、即ち、保磁力が小
さく、透磁率の大なる薄膜積層磁気ヘッドを提供するこ
とである。

一 上記目的は本発明に係るｆ［積層磁気ヘッドにて達成さ
れる。要約すれば本発明は、基板と、該基板上に形成さ
れたＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜とを有した磁性膜であって
、前記基板の熱膨張係数は前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜
の熱膨張係数より小とされ、且つ前記Ｆｅ−Ｓｉ　−Ａ
ｌ合金膜中の内部応力が実質的に零となるように膜中の
Ａｒ含有量を０．Ｏ２Ｎ２．３ｗｔ％の範囲で制御した
ことを特徴とするＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ１合金磁性膜である
。該Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｉ合金磁性膜は、非磁性絶縁膜と交
互に積層されて１８８層磁気ヘッドの磁性膜として極め
て有効に利用し得る。

本発明の好ましい実施態様によると、基板の熱膨張係数
は１００　〜１３５Ｘ１０　　ｄｅｇ　　であり、Ｆｅ
−５＋−Ａｌ合金膜はＦｅ８３ｗｔ％以上の飽和磁化の
高い範囲の組成とされ、熱膨張係数は１１０−１７０　
Ｘ　１０−７ｄ　ｅ　ｇ−’とされる。

又、磁性膜の膜厚はｌｕＬｍ〜２０ＩＬｍとされる。

上記要件を満足する基板としては１例えば結晶化ガラス
（例えばＨＯＹＡ社製のＰＥＧＳｉ２０Ｃ）が好適であ
る。

又、基板上に形成されるＦｅ−Ｓｉ　−Ａｌ合金膜の組
成は、通常のものとし得るが、好ましくは、フェライト
と比較して高い飽和磁化を有するＦｅ８３ｗｔ％以上の
範囲ｃ７）Ｆｅ−ｓｔ−Ａｌ合金膜であり、例えばＦｅ
８５ｗｔ％、Ｓｉ９．６ｗｔ％、Ａｌ１５．４ｗｔ％；
　Ｆｅ８８ｗｔ％、Ｓｉ７．７ｗｔ％、ＡＪＬ４．３ｗ
ｔ％；Ｆｅ９（）ｗｔ％、Ｓｉ７．８ｗｔ％、ＡＪＬ２
．２ｗｔ％等の組成のものが好適である。

又、磁性膜中に内包されるＡｒ量が０．０１ｗｔ％未渦
の場合には熱処理により生じる引張応力を緩和するには
不十分であり、又、Ａｒｌが０゜３ｗｔ％を越えた場合
には皮膜中に１０’Ｐａ以上に達する大きな圧縮応力が
発生し、斯る圧縮応力を実質的に零にすることができな
い。

本発明者等は、上記の如き本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａ
ｌ合金軟磁性膜は、上述のように。

（１）ＤＣスパッタ装置を使用し、基板にはＲＦバイア
スを印加すること。

（２）基板には該基板上に形成される皮膜の熱膨張係数
より小さな熱膨張係数を有した材料を使用すること。

（３）スパッタ作業により作製されたＡｒ含有軟磁性膜
を４５０℃〜８００℃にて熱処理すること、 が重要であることを見出した。

上述のように、本発明において磁性膜に含有されるＡｒ
量は極めて重要である０本発明者等の研究では、ＲＦス
パッタで膜作製を行なうとＤＣバイアス印加を行なった
ときには１ｗｔ％以上にも達する相当量のＡｒが膜中に
含有され、又ＤＣバイアス印加なしの状態にても膜中に
０．７〜０゜９ｗｔ％程度取込まれてしまい、Ａｒ量を
応力制御に有効な範囲で変化させることができないこと
が分かった。ＲＦスパッタにＲＦバイアス印加は位相コ
ントロールが困難であり実際的でない。

又、ＤＣスパッタにて膜作製を行なったときには、バイ
アスを印加しない状態又はＤＣバイアスを印加した状態
のいずれの場合においても膜中に取込まれるＡｒ量が０
．０１ｗｔ％以下であり、ＡｒＪｌを応力制御に有効な
範囲で変化させることができない。

本発明の軟磁性膜に要求されるＡｒＪｌは、ＤＣスパッ
タにＲＦバイアスを印加することによって始めて応力制
御に有効な範囲で変化させることができる。即ち１本発
明者等は、ＤＣグローの電力及び基板ホルダーへの印加
ＲＦ電力、更には基板とターゲット間の距離等を調整す
ることによってＡｒ１１を制御し、Ａｒ量によって生じ
る圧縮性応力の大きさを制御し得ることを見出した。

又、このように制御されたＡｒ量によって生じ°る圧縮
性応力は、基板と膜との熱膨張の差、即ち、基板の熱膨
張係数を膜のそれより小とすることによって皮膜中に生
じる引張応力とで相殺され、更に皮膜に生じているピー
ニング効果による圧縮応力は、熱処理温度に昇温する過
程で除去することができ、結果として本発明に係る軟磁
性膜及び該軟磁性膜を利用して製造された薄膜積層磁気
ヘッドにて内部応力は実質的に零とされる。

次に、第１図及び第２図を参照すると１本発明に係るＦ
ｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金軟磁性膜を利用して製造し得る薄膜
積層磁気ヘッドｌＯ及びその製造工程の一実施例が示さ
れる。

第２図を参照すると、例えば結晶化ガラス等の非磁性の
基板１１が準備される（第２図（Ａ））、該基板１１上
に、第３図に関連して後述する構成のＤＣのマグネトロ
ンスパッタ装置を使用し、上記条件にてＦｅ−Ｓｉ　−
Ａｌ１合金薄膜１２が膜厚ｌ〜２０４ｍにてｔＳされる
０次いで、該合金磁性［１２上に非磁性絶縁膜１３が形
成される（第２図（Ｂ））、該非磁性絶縁膜１３として
は　Ｓ　ｉ　Ｏｌ　、　ＡＪｌｚ　Ｏｘ等が用いられ、
前記磁性膜１２を成膜したと同様のＲＦマグネトロンス
パッタ装置を使用して、膜厚０．０３〜０．５ｕＬｍに
て成膜される。

上記工程を繰返して、磁性膜１２と非磁性絶縁膜１３が
必要回数８１層され、第２図（Ｃ）に図示するような積
層膜構造１４が形成される。斯る磁性膜１２と非磁性絶
縁ｆｉ１３の膜厚及び積層回数は積層部の厚さがトラッ
ク幅Ｗ（第１図）となるように適宜設定される。

次いで、前記積層膜構造１４の上に接合材１５が通常の
スパッタリング等で形成され（第２図（Ｄ））、他の基
板１Ｂが積層される。接合材１５としては接合ガラス（
日本電気硝子社製ＧＡ−１２０、ＦＨ−１１，コーニン
グ社製１９９０等）が使用され、特にＢｚ　０３−３　
ｉＯｚ　−Ａｌ２Ｏ２系の接合ガラスが最適であり、基
板１６は前記基板１１と同様の材料にて作製される。

このようにして作製された積層構造体１７は、第２図Ｃ
Ｆ）に図示されるように、積層した厚さ方向に切断し、
一対のコア半休ブロック１８，１９が形成される。この
とき、図示されるようにアジマス角０にて切断するのが
好ましい０次いで、少なくとも片方のコア半休、本実施
例ではコア半体１８に巻線Ｉ＃２０（第１図）を形成し
た後１両コア半休ブロック１８．１９の突合せ面１８ａ
、１９ａを研摩し、該面にＳｉＯｚ等の非磁性のギヤツ
ブスペーサー２１をスパッタ等の手段にて形成しく第２
図（Ｆ））、第１図に図示されるように両コア半休ブロ
ック１Ｂ、１９は前記接合面１８ａ、１９ａ部にて接着
される。

最後に、テープ摺動面を形成するべくＲ研摩加工及び他
の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、Ｆｊ膜積層磁気
ヘッド１０が得られる。

次に１本発明を実施例について説明する。

実施例１ 第３図に本実施例に使用したＤＣマグネトロンスパッタ
（ＲＦバイアス印加）装Ｍ（日型アネルバ社製５ＰＦ−
２１０型）の概略を示す、ＤＣスパッタ＠＠３０は高圧
直流電源Ｓｉに接続された陰極３２と、ＲＦバイアス電
源３３に接続され電気的に絶縁された基板ホルダー３４
とを具備し、前記陰、［３２にはターゲット３５が配置
され、ホルダー３４には基板１１が配置された。又、装
置は一方の口３６から真空ポンプ（図示せず）にて真空
引され、又他方の口３７からＡｒガスが導入された。

ターゲット３５としてはＳｉ１０．５ｗｔ％。

ＡｆＬ５．５ｗｔ％、残部Ｆｅから成るホットプレスさ
れた直径４インチ、厚さ４ｍｍのものを使用した。

基板１１は、熱膨張係数が１２０Ｘｌｏ−７ｄｅｇ−１
の結晶化ガラス（ＨＯＹＡ社製ＰＥＧＳｉ２０Ｃ）であ
り、直径が２インチのものを表面粗さ１５０大にポリッ
シュして使用した。

ターゲット３５と基板１１との距離は４５ｍｍとされ、
Ａｒ圧力は４Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、投入電力はｓｏｏｗ
とした。又、基板温度は６０℃であり、成膜速度は０　
、４　ｐ、　ｍ　／　ｍ　ｉ　ｎであった。

上記条件にてＲＦ電力をホルダーに同装置のＲＦ電源用
発振管プレート電圧でＯ−０，６ｋｖの範囲で変動して
印加し、基板ｌｌ上にＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜を膜厚４
ルｍにて成膜した。該成膜された軟磁性膜は、その後６
５０℃でｌｈｒ、熱処理した。

このようにして作製されたＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜の熱
膨張係数はｌ　１０−１０−１７０Ｘ１０−７ｄｅであ
り、又、該軟磁性膜の内部応力、Ａｒ含有量、ＲＦ電力
との関係は第４図に示される通りであった。

第４図から、Ａｒ含有量と圧縮応力との間には明瞭な比
例関係があり、Ａｒ含有量は印加したＲＦ電源の発振管
プレート電圧に比例することにより内部応力を引張応力
から圧縮応力にまで変化せしめ得ることが分かる０本実
施例では、該プレート電圧が０．３５ｋｖのとき、成膜
中の内部応力は±ｌＸｌ０８Ｐａ以内となり、磁気特性
として保磁力０．１６０ｓ、ＩＭＩ（ｚでの実効化初透
磁率２０００が得られた。

実施例２ 実施例１で使用したＤＣマグネトロンスパッタ（ＲＦバ
イアス印加）装Ｎ（日型アネルバ社製５ＰＦ−２１０型
）、基板１１及びターゲット３５を使用し、同じスパッ
タ条件にて該基板１１上にＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金１１５
１１２を膜厚４．７ｐｍにて成膜した。

このようにして作製されたＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜の熱
膨張係数は１１０ｌ１０−１７０Ｘ１０−７ｄｅであり
、又、上述したように、該軟磁性膜の内部応力、Ａｒ含
有量、ＲＦ電力との関係は第４図に示される通りであっ
た０本実施例において、ＲＦ主電源発振管プレート電圧
が０．３５ｋｖのとき、成膜中の内部応力は±ｌＸｌｏ
ｇＰａ以内であった。

続いて、こノＦ　ｅ　−Ｓ　ｉ　−Ａ　１合金ＷＩ４１
２の上に絶縁膜１３を形成した。絶縁膜の作製は、Ｆｅ
−Ｓｉ−Ａｌ１合金膜作製に使用した前記マグネトロン
スパッタ装置にＲＦ主電源接続したものを用い、ターゲ
ットとして直径４インチ、厚さ５ｍｍのＳｉＯ２を使用
した。ターゲットと磁性膜形成済の基板との距離は４５
　ｍ　ｍとした。Ａｒ圧力は４Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、投
入電力は３００Ｗとした。又基板の温度は６０℃であり
、成膜速度は０　、１４　ｍ　／　ｍ　Ｉ　ｎであった
。斯る条件にて基板の磁性膜上にＳｉｎｚ膜が膜厚０．
３井ｍにて形成された。

次いで、上記方法にて前記絶縁膜上に磁性！Ｉ１２及び
絶縁膜１３の順に４回繰り返し、８１Ｒ膜構造１４を得
た。該積層膜構造１４の全膜厚は２ｅ延ｍであった。該
ａ層膜構造１４の上に接合材１５、本実施例では日本電
気硝子社製ＦＨ−１１を通常のスパッタリング等で形成
し、前記基板１１と同じ材料で形成された他の基板１６
を積層して８＆層構造体１７を作製した。該積層構造体
１７、つまり積層膜構造１４の磁性膜１２は、その後６
５０℃でｌｈｒ熱処理した。

このようにして作製されたＦＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金膜　Ｓ
　ｉ　Ｏｚ　ｌｌｋ層軟層性磁性膜部応力は士ｌ×１０
ｇＰａ以内であり１本研究者等の多くの研究実験による
と、このようにしてｒ＆膜された積層軟磁性膜は全膜厚
が３〜４０ルｍの範囲では士ｌ×１０ｇ　Ｐａ以内であ
った。

磁気特性は、保磁力０．１８０ｅ、１ＭＨｚでの比初透
磁率２０００が得られた。この積層構造体１７を第２図
（Ｆ）に示した工程により加工して、第１図に図示する
如き形状の、トラック巾が膜厚方向とされるＶＴＲ用磁
気ヘッドとし、電磁変換特性評価を行なった。ヘッドの
諸元は表１に、測定条件は表２に、各周波数での最大再
生出力は表３に示す。

表１（ヘッド諸元） 表２　（ＡＭ定条件） 表３　（Ｊｌｌ定結果） 表３より、５ＭＨｚでの規格化出力で比較すると本発明
に従って製造されたＦｅ−Ｓｉ　−Ａｌ合金薄膜積層磁
気ヘッドの最大再生出力値は、ＶＨ５型ビデオテープレ
コーダーに用いられる従来の単結晶Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフ
ェライトヘッドの値の約３倍に相当し、本発明に従った
磁気ヘッドによると極めて大さな再生出力が得られるこ
とが理解される。

尚、本発明においてＡｒをいれる方法としては、上記実
施例に限定されず、スパッタ膜に直接Ａｒをイオン注入
したり、真空蒸着法とイオン注入法の組合せによる方法
等も適用可能である。

又、本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａ見合金薄膜は磁気ヘッ
ドに限定されず、例えば薄膜インダクター、磁気シール
ド用皮膜等にも有効に利用することができ、又１本発明
に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａ見合金ｉｌｌ！を有効に利用して
構成される磁気ヘッドの構造についても１本実施例では
ＶＴＲ用ヘッドとしたが、何らこれに限定されるもので
はなく１例えばコンピュータ用の磁気ディスク装置用ヘ
ッド等にも適用可能である。

ｉ且立亘」 以上説明したように、本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａ見合
金薄膜は、金属磁性膜の内部応力を実質的に零とし、こ
れにともなって初透磁率が大幅に向上するものであって
、従来技術よりも再生出力が大幅に増大した高性能の薄
膜積層磁気ヘッド及びその他の磁気デバイスの磁性膜と
して極めて有効に利用し得る。又１本発明に係る製造法
によると、斯るＦｅ−Ｓｉ−Ａ見合金薄膜、延いてはう
膜積層磁気ヘッドが極めて好適に製造される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａ見合金薄膜を利
用した薄膜積層磁気ヘッドの一実施例を示す斜視図であ
る。 第２図Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆは本発明に係るＦｅ−Ｓ
ｉ−１１合金薄膜を利用した薄膜積層磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を示す製造工程図である。 第３図は、本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜及び
薄膜積層磁気ヘッドの製造に使用されるＤＣマグネトロ
ンスパッタ装置の一実施例を示す概略断面図である。 第４図は、本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａ交合全軟磁性膜
の一実施例の内部応力、Ａｒ含有量、ＲＦバイアスの関
係を示す図である。 第５図は、従来の磁気ヘッドを製造するためのコア部材
の斜視図である。 ｌＯ：薄ｌｌ！積層磁気ヘッド １１．１６：基板 １２：磁性膜 １３：絶縁膜 １４：薄膜構造 １５：接合材 Ｓｉ：高圧電源 ３２：陰極 ３３：ＲＦ主電 源４：陽極 １υａ 第３図 ＲＦ電源発振管のプレート電圧

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板と、該基板上に形成されたＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合
   金膜とを有した磁性膜であつて、前記基板の熱膨張係数
   は前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜の熱膨張係数より小とさ
   れ、且つ前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜中の内部応力が実
   質的に零となるように膜中のＡｒ含有量を０．０１〜０
   ．３ｗｔ％の範囲で制御したことを特徴とするＦｅ−Ｓ
   ｉ−Ａｌ合金磁性膜。 ２）基板の熱膨張係数は１００〜１３５×１０＾−＾７
   ｄｅｇ＾−＾１であり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜はＦｅ
   ８３ｗｔ％以上の飽和磁化の高い範囲の組成とされ、熱
   膨張係数は１１０〜１７０×１０＾−＾７ｄｅｇ＾−＾
   １とされる特許請求の範囲１項記載のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ
   合金磁性膜。 ３）基板は結晶化ガラスであり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金
   膜はＦｅ８３〜９４ｗｔ％、Ｓｉ４〜１１ｗｔ％、Ａｌ
   ２〜６ｗｔ％の組成である特許請求の範囲第１項又は第
   ２項記載のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性膜。 ４）ＤＣスパッタ装置を使用し、基板にはＲＦバイアス
   を印加し、そして該基板上に、該基板の熱膨張係数より
   大きな熱膨張係数を有し且つ膜中のＡｒ含有量を０．０
   １〜０．３ｗｔ％の範囲で制御して膜中の内部応力を実
   質的に零としたＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜を形成したこと
   を特徴とするＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性膜の製造方法。 ５）基板の熱膨張係数は１００〜１３５×１０＾−＾７
   ｄｅｇ＾−＾１であり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜はＦｅ
   ８３ｗｔ％以上の飽和磁化の高い範囲の組成とされ、熱
   膨張係数は１１０〜１７０×１０＾−＾７ｄｅｇ＾−＾
   １とされる特許請求の範囲第４項記載のＦｅ−Ｓｉ−Ａ
   ｌ合金磁性膜の製造方法。 ６）基板は結晶化ガラスであり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金
   膜はＦｅ８３〜９４ｗｔ％、Ｓｉ４〜１１ｗｔ％、Ａｌ
   ２〜６ｗｔ％の組成である特許請求の範囲第４項又は第
   ５項記載のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性膜の製造方法。 ７）２つの基板間にＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜と非磁性絶
   縁膜とが交互に積層されて成る薄膜積層磁気ヘッドにお
   いて、前記基板の熱膨張係数は前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合
   金膜の熱膨張係数より小とされ、且つ前記Ｆｅ−Ｓｉ−
   Ａｌ合金膜中のＡｒ含有量を０．０１〜０．３ｗｔ％の
   範囲で制御して膜中の内部応力が実質的に零としたこと
   を特徴とする薄膜積層磁気ヘッド。 ８）基板の熱膨張係数は１００〜１３５×１０＾−＾７
   ｄｅｇ＾−＾１であり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜はＦｅ
   ８３ｗｔ％以上の飽和磁化の高い範囲の組成とされ、熱
   膨張係数は１１０〜１７０×１０＾−＾７ｄｅｇ＾−＾
   １とされる特許請求の範囲第７項記載の薄膜積層磁気ヘ
   ッド。 ９）基板は結晶化ガラスであり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金
   膜はＦｅ８３〜９４ｗｔ％、Ｓｉ４〜１１ｗｔ％、Ａｌ
   ２〜６ｗｔ％の組成である特許請求の範囲第７項又は第
   ８項記載の薄膜積層磁気ヘッド。