JPH0322404A

JPH0322404A - 軟磁性薄膜

Info

Publication number: JPH0322404A
Application number: JP15654589A
Authority: JP
Inventors: Toru Hori; 徹堀; Masaki Aoki; 正樹青木; Kenichi Fujii; 謙一藤井
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-06-19
Filing date: 1989-06-19
Publication date: 1991-01-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、磁気ヘッドや磁気抵抗素子等に用いられる軟
磁性薄膜、特に高保持力の高密度磁気記録用の媒体に対
して優れた記録再生特性を有する軟磁性薄膜、およびそ
の製造方法、およびこれを用いた磁気ヘッドに関するも
のである。

従来の技術従来磁気ヘッドの材料としては、金属酸化物のへエライ
トが広く使われてきた。近年はそれよりも飽和磁束密度
の高いパーマロイ（ニッケルー鉄系合金）やセンダスト
（鉄−アルξニウムーシリコン系合金）も使われている
。

さらに最近では、飽和磁束密度が１．０〜１．４テスラ
のアモルファス材料（コハルトージルコニウム系非品質
合金）が開発され、８ミリＶＴＲなどのメタルテープ対
応ヘッド用に使われ始めている。

記録密度向上の要求に答えて、このような飽和磁束密度
の高い磁性材料が次々に登場してきたが、媒体の方の進
歩も目覚ましく、メタルテープの出現によって従来の酸
化テープの保持力６００〜７０００ｅに対して１５００
〜２０００ｉ１１ｅの保磁力を持つ媒体が得られるよう
になった。

次世代の大容量磁気記録媒体ではさらに大きな保持力を
持つ媒体も開発中であり、このような高保持力の磁気記
録媒体に十分記録させるためには、１．５テスラ以上の
飽和磁束密度を有する磁気へッドコア用磁性材料が必要
であるといわれている〔例えば『日立１第４９巻第６号
８〜９ページ〕。

飽和磁束密度の高い物質としては、２．２テスラという
純鉄がある。ところが純鉄は透磁率が低いため、そのま
までは磁気ヘッド材料として使えない。そこで炭化鉄系
多層膜が研究され、高い飽和磁束密度と透磁率を兼ね備
えた軟磁性薄膜が報告されている〔例えばＩｒＪｏｕｒ
ｎａｌ　ｏｆ　ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，Ｉ　Ｖ
ｏｌ．６３，　　Ｎｏ．　８　，　　Ａｐｒｉｌ，　　
１９８８＋　　ｐｐ．３２０３〜３２０５；『日本応用
磁気学会Ｉ　Ｖｏｌ．１２，　Ｎｏ．３．１９８８，　
ｐｐ．４６０〜４６４〕。しかし耐触性などの点で問題
があり、実用化されるまでには至っていない。

また一方では高い耐触性を持つ高飽和磁束密度の窒化鉄
薄膜の研究が報告されている〔例えば『日本応用磁気学
会第ｌ１回学術講演概要集Ａ　３ｐＢ−１３，１９８７
）。しかし上記薄膜は高い透磁率は持っていない。

発明が解決しようとする課題上記のように飽和磁束密度が１．５テスラ以上の磁性材
料では、これまで高い耐久性と透磁率を兼ね備えたもの
が得られないという課題があった。

本発明は上記課題に鑑み、高い耐久性と透磁率を兼ね備
えた、飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜、およびその製造
方法、およびこれを用いた磁気ヘッドを提供するもので
ある。

課題を解決するための手段上記課題を解決するために本発明の軟磁性薄膜は、炭化
鉄の層と炭窒化鉄の層とを交互に積層するか、もしくは
炭化鉄の層と炭窒化鉄の層と非磁性体の層とを交互に積
層するという構或を備えたものである。

作用本発明は、上記した構或によって炭化鉄の層の高透磁率
と炭窒化鉄の層の高耐久性とが互いに補い合って、１．
５テスラ以上の飽和磁束密度と高い透磁率と耐久性とを
兼ね備えた軟磁性薄膜を提供することとなる。

実施例以下本発明の一実施例の軟磁性薄膜について、図面を参
照しながら説明する。

第１図は本発明の第１および第２の実施例の軟磁性薄膜
における炭化鉄と炭窒化鉄との層状構造を示した断面図
である。第１図において、１１は炭化鉄、１２は炭窒化
鉄である。

上記のような構造を有した軟磁性薄膜について、以下第
２０図を用いて本実施例の製造方法を説明する。

第２０図はプレーナ型高周波スパッタ装置の概略を示し
た図であって、反応室４１内は排気系４２によって排気
し、ガスボンへ４３および４４からガスを導入している
状態で反応室４１内を１．０〜ＩＯＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ
程度に保つ。アルゴンボンベ４３から反応室４１に導入
されたアルゴンガスは、高周波電源４５によって電極４
６間に供給されるラジオ波のエネルギーによってプラズ
マ化され、炭化鉄合金ターゲット４７をスパッタリング
する。スパッタリングされた炭化鉄はセラ稟ツタなどの
材質からなる基板４８に達して炭化鉄薄膜となる。上記
の過程で、窒素ボンベ４４から特性量の窒素ガスを反応
室４１に導入すると、基板４８に生成される磁性膜は炭
窒化鉄となる。このとき窒素ボンベ４４から反応室４ｌ
に窒素を導入する時間と回数を制御することにより、夕
一ゲット４７を取り替えることなしに、任意の膜厚の炭
化鉄と炭窒化鉄の多層膜を或膜することができる。

上記のような製造方法によって戒膜された軟磁性薄膜に
ついて、以下第１表および第３図から第１８図を用いて
その特徴を説明する。なお本実施例に於いては、鉄と炭
素の比は炭化鉄の層と炭窒化鉄の層において、ほぼ同じ
値を示し、また各層の膜厚によらず全膜厚が２μｍ程度
になるように層数を調節してある。さらに各磁性層は生
膜後３２０゜Ｃで１時間アニールしてある。

まず第１表は、炭化鉄層の膜厚が２５ｎｍ、炭窒化鉄層
の膜厚が２０ｎｍ、炭化鉄層の炭素濃度がモル百分率で
１７％、炭窒化鉄層の窒素濃度がモル百分率で４％の本
実施例の軟磁性薄膜と、炭素濃度がモル百分率で１７％
、窒素濃度がモル百分率で５．５％の窒化鉄の単層膜、
および炭素濃度がモル百分率でそれぞれ１７％（炭化鉄
ｌ）と２４％（炭化鉄２）の炭化鉄単層膜との特性を比
較した表である。

第１表において、比透磁率は２０ＭＨｚにおける値であ
り、耐候性は３％塩水噴霧中に２００時間放置した後の
薄膜の飽和磁束密度と放置前の飽和磁束密度との比で表
してある。

以下余白第１表から明らかなように本実施例では、単層膜では得
ることのできない、高い飽和磁束密度と透磁率と耐久性
とを兼ね備えた軟磁性薄膜を実現することができる。

第３図．第４図および第５図はそれぞれ、炭窒化鉄屑の
厚さを２５ｎｍに固定して炭化鉄層の膜厚を０．６　ｎ
ｍ〜３０００ｎｍまで変化させた場合の飽和磁束密度、
保磁力および２０ＭＨｚでの比透磁率の変化を示したグ
ラフである。このとき炭化鉄屑中の炭素濃度はモル百分
率で１７％、炭窒化鉄屑中の炭素濃度はモル百分率で１
６％、窒素濃度はモル百分率で５．５％である。

第３図，第４図および第５図から明らかなように、炭素
濃度がモル百分率で１７％の炭化鉄屑と、炭素濃度がモ
ル百分率で１６％、窒素濃度がモル百分率で５．５％、
膜厚が２５ｎｌＩ１の炭窒化鉄屑とを積層した場合、炭
化鉄層の膜厚が０　．　６ｎｍより大きく、１０００ｎ
ｍより小さい時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜を
実現することができる。

第６図，第７図および第８図はそれぞれ、炭化鉄層の厚
さを２０ｎｍに固定して炭窒化鉄層の膜厚を０．５　ｎ
ｍ〜３５００ｎｍまで変化させた場合の飽和磁束密度、
保磁力および２０ＭＨｚでの比透磁率の変化を示したグ
ラフである。このとき炭窒化鉄屑中の炭素濃度はモル百
分率で１６％、窒素濃度はモル百分率で５．５％で、炭
化鉄屑中の炭素濃度はモル百分率で１７％である。

第６図．第７図および第８図から明らかなように、膜厚
が２０ｎｍで炭素濃度がモル百分率で１７％の炭化鉄屑
と、炭素濃度がモル百分率で１６％、窒素濃度がモル百
分率で５．５％の炭窒化鉄の層とを積層した場合、窒化
鉄層の膜厚が０．６ｎｍより大きく、３００　ｎｍより
小さい時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜を実現す
ることができる。

第９図，第１０図および第１１図はそれぞれ、炭化鉄層
の厚さを２５ｎｍ、炭窒化鉄屑の厚さを２０ｎｍに固定
して、炭化鉄屑の炭素濃度をモル百分率で１．０％〜３
８％まで変化させた場合の飽和磁束密度、保磁力および
２０ＭＨｚでの比透磁率の変化を示したグラフである。

このとき炭窒化鉄層中の炭素濃度はモル百分率で１６％
、窒素濃度はモル百分率で５．５％である。

第９図，第１０図および第１１図から明らかなように、
膜厚が２５ｎｍの炭化鉄層と、膜厚が２０ｎｍで炭素濃
度がモル百分率で１６％、窒素濃度がモル百分率で５．
５％の炭窒化鉄の層とを積層した場合、炭化鉄屑中の炭
素濃度が３．０〜３５％の時に良好な軟磁気特性を備え
た磁性薄膜を実現することができる。

第１２図．第１３図および第１４図はそれぞれ、炭化鉄
層の厚さを２５ｎｍ、炭窒化鉄層の厚さを２０ｎｍに、
ｑ１０炭窒化鉄層中の炭素と鉄とのモル比をほぼ１７対８３に
固定して、炭窒化鉄層の炭素濃度をモル百分率で０．２
％〜２６％まで変化させた場合の飽和磁束密度、保磁力
および２０ＭＨｚでの比透磁率の変化を示したグラフで
ある。このとき炭化鉄層中の炭素濃度はモル百分率で１
７％である。

第１２図．第１３図および第１４図から明らかなように
、膜厚が２５ｎｍので炭素濃度がモル百分率で１７％の
炭化鉄層と、膜厚が２０ｎｍで層中の炭素と鉄とのモル
比がほぼ１７対８３に固定された炭窒化鉄の層とを積層
した場合、炭窒化鉄層中の窒素濃度が０．２〜１５％の
時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜を実現すること
ができる。

第１５図は、炭化鉄層の厚さを２５ｎ＋ｎに固定して、
炭窒化鉄層の膜厚を０．６ｎｍ〜３０００ｎｍまで変化
させたそれぞれの薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間
放置して、放置前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそ
れぞれの飽和磁束密度との比を表したグラフである。

このとき炭化鉄層中の炭素濃度はモル百分率で１７％、
炭窒化鉄層中の炭素濃度はモル百分率で１６％、窒素濃
度はモル百分率で５．５％である。

第ｌ５図から明らかなように、モル百分率で１７％の炭
素濃度の炭化鉄層と、膜厚が２０ｎｍ、炭素濃度がモル
百分率で１６％、窒素濃度がモル百分率で５．５％の炭
窒化鉄層とを積層した場合、炭化鉄層の膜厚がｌｎｍ以
上３０００ｎｍ以下の場合に良好な耐候性を備えた磁性
薄膜を実現することができる。

第１６図は、炭化鉄層の厚さを２５ｎｍに固定して炭窒
化鉄層の膜厚を０．５ｎｍ〜３５００ｎｍまで変化させ
たそれぞれの薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放置
して、放置前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれぞ
れの飽和磁束密度との比を表したグラフである。

このとき炭窒化鉄屑中の炭素濃度はモル百分率で１６％
、窒素濃度はモル百分率で５．５％、炭化鉄屑中の炭素
濃度はモル百分率で１７％である。

第１６図から明らかなように、膜厚が２５ｎｍでモル百
分率で１７％の炭素濃度の炭化鉄層と、炭素濃度がモル
百分率で１６％、窒素濃度がモル百分率で１１１２５．５％の炭窒化鉄屑とを積層した場合、炭窒化鉄屑の
膜厚が０．５ｎｍ以上の場合に良好な耐候性を備えた磁
性薄膜を実現することができる。

第Ｉ７図は、炭化鉄層の厚さを２５ｎｍ、炭窒化鉄層の
厚さを２０ｎｗｌに固定して、炭化鉄層の炭素濃度をモ
ル百分率で１．０％〜３８％まで変化させたそれぞれの
薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放置して、放置前
の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽和磁束
密度との比を表したグラフである。

第１７図から明らかなように、膜厚が２５ｎｍで炭化鉄
層と、膜厚が２０ｎｍで炭素濃度がモル百分率でｌ６％
、窒素濃度がモル百分率で５．５％の炭窒化鉄の層を積
層した場合、炭化鉄層の炭素濃度がモル百分率で３％以
上の場合に良好な耐候性を備えた磁性薄膜を実現するこ
とができる。

第１８図は、炭化鉄層の厚さを２５ｎｍ、炭窒化鉄層の
厚さを２０ｎｍに、炭窒化鉄層中の炭素と鉄とのモル比
をほぼ１７対８３に固定して、炭窒化鉄層の炭素濃度を
モル百分率で０．２％〜２６％まで変化させたそれぞれ
の薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放置して、放置
前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽和磁
束密度との比を表したグラフである。

このとき炭化鉄屑中の炭素濃度はモル百分率でＩ７％で
ある。

第１８図から明らかなように、膜厚が２５ｎｍで炭素濃
度がモル百分率で１７％の炭化鉄層と、膜厚が２０ｎｍ
で層中の炭素と鉄とのモル比がほぼ１７対８３に固定さ
れた炭窒化鉄の層とを積層した場合、炭窒化鉄層中の窒
素濃度が３％と２８％以外の場合に良好な耐候性を備え
た磁性薄膜を実現することができる。

以上の結果から、Ｃ濃度がモル百分率で３〜３５％の炭
化鉄の層と、Ｎ濃度がモル百分率で０．２〜１５％の炭
窒化鉄の層とが交互に配置され、かつ炭化鉄の単層の厚
さを０．５〜１０００ｎｍ、炭窒化鉄の単層の厚さを０
．５〜３００ｎｍに設定することにより、高い耐久性と
透磁率を兼ね備えた、飽和磁束密度１３１４の高い軟磁性薄膜を提供することができる。

以下本発明の第２の実施例の磁気ヘッドについて、図面
を参照しながら説明する。

第１９図は、本発明の第２の実施例の磁気ヘッドの一部
の断面図である。第１９図において３１は表面を充分に
研磨・洗浄したセラミック基板である。

３２は本発明の軟磁性薄膜で、膜厚が２５ｎｍで炭素濃
度がモル百分率で１７％の炭化鉄層と、膜厚が２０ｎｍ
で炭素濃度がモル百分率で１６％、窒素濃度がモル百分
率で５．５％の炭窒化鉄の層とを積層したもので、積層
数は炭化鉄屑が５０層、炭窒化鉄層が５１層である。

なお軟磁性薄膜３２はセラミック基板３ｌ上全面にスパ
ッタリング方によって形威された後、イオンミリング法
あるいはウエットエッチング法などにより所定の磁気コ
ア形状にパターニングする。３３・３４・３５はそれぞ
れＳｉＯｚなどのギャップ材・有機絶縁層、導体コイル
であり、順次スパッタリング法などの威膜法により全面
に堆積された後、イオンミリング法あるいはウエットエ
ッチング法１５などにより所定の形状にバターニングしたものである。

３６は３１と同じ軟磁性薄膜を同じ層数だけ形威したも
のである。３７は保護膜でＡ１２０３などの絶縁層を全
面に堆積させたものである。

以上のように構威された第１９図に示す堆積物を所定の
形状に切り出し、ヘッド先端側３９を研磨して磁気ギャ
ップ３８を形威して、一つの薄膜磁気ヘッドとする。

上記磁気ヘッドの磁気特性を、同一条件で別の基板上に
形威した薄膜によって測定した結果、飽和磁束密度は１
．８８テスラ、磁化困難方向の保持力は０．１７０ｅ、
２０ＭＨｚにおける比透磁率は３８００と優れた特性を
示すことが確認された。

また上記ヘッドの電磁変換特性を従来のコバルト系非品
質合金薄膜ヘッドとを比較すると、再生出力が約２５％
向上することを確認した。また摂氏６０’Ｃ、相対湿度
９０％の恒温恒湿槽中で、従来のコバルト系非晶質合金
薄膜を用いたヘッドの再生出力が３０％ダウンするまで
放置したところ、本実施例の磁気ヘッドの再生出力には
ほとんど変化がみ１６られなかった。

以上のように本実施例によれば、本発明の軟磁性薄膜を
透磁層に使用することにより、飽和磁束密度が１．８８
テスラと高く、かつ高い透磁率と耐触性とを兼ね備えた
磁気ヘッドを提供することができる。

以下本発明の第３の実施例の軟磁性薄膜について、図面
を参照しながら説明する。

第２図は本発明の第３の実施例の軟磁性薄膜における炭
化鉄と炭窒化鉄と酸化珪素などの非磁性体の層との層状
構造を示した断面図である。第２図において、２１は炭
化鉄、２２は炭窒化鉄、２３は酸化珪素などの非磁性体
である。

本実施例においては、膜厚が２５ｎｍで炭素濃度がモル
百分率で１７％の炭化鉄層と、膜厚が１６ｎｍで炭素濃
度がモル百分率で１６％、窒素濃度がモル百分率で５．
５％の炭窒化鉄の層と、膜厚が４ｎｍの酸化珪素の層と
をそれぞれ５０層ずつ積層したもので、第２の実施例と
全く同様の薄膜磁気ヘッドを形威し、電磁変換特性を第
２の実施例の薄膜ヘッドをと比較すると、高周波領域で
再生出力がさらに２０％向上することを確認した。

また摂氏６０゜Ｃ、相対湿度９０％の恒温恒湿槽中で、
従来のコバルト系非晶質合金薄膜を用いたヘッドの再生
出力が３０％ダウンするまで放置したところ、本実施例
の磁気ヘッドも、第２の実施例のヘッドと同様に再生出
力にはほとんど変化がみられなかった。

なお本発明の実施例において、製造方法は本発明の製造
方法のみを挙げたが、製造方法はスパッタ法に限らずプ
ラズマＣＶＤ法や、ＥＣＲＣＶＤ法等でもよい。

また本発明の実施例に於いては、鉄と炭素の比は炭素鉄
の層と炭窒化鉄の層において、ほぼ同じ値を示している
が、必ずしも炭化鉄の層と炭窒化鉄の層において一致し
ている必要はない。

また本発明の実施例に於いては、各層の膜厚によらず全
膜厚が２μｍ程度になるように層数を調節してあるが、
ヘッドに組み込める厚さであればよい。

１７１８さらに本発明の実施例に於いては、各磁性層は生膜後３
２０゜Ｃで１時間アニールしてあるが、２５０゜Ｃ〜５
５０’Ｃの温度でもよい。

発明の効果以上のように本発明は、Ｃ濃度がモル百分率で３〜３５
％の炭化鉄の層と、Ｎ濃度がモル百分率で０．２〜１５
％の炭窒化鉄の層とが交互に配置され、かつ炭化鉄の各
層の厚さが０．５〜１０００ｎｍ、炭窒化鉄の各層の厚
さが０．５〜３００ｎｍであるという構成を備えること
により、炭化鉄の層の高透磁率と窒化鉄の層の高耐久性
とが互いに補い合って、１．５テスラ以上の飽和磁束密
度と高い透磁率と耐久性とを兼ね備えた軟磁性薄膜を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の軟磁性薄膜における炭
化鉄と炭窒化鉄との層状構造を示した断面図、第２図は
本発明の第１の実施例の軟磁性薄膜における炭化鉄と純
鉄との層状構造を示した断面図、第３図は炭窒化鉄層の
厚さを固定したとき１９の、炭化鉄層の膜厚と飽和磁束密度との関係を示したグ
ラフ、第４図は炭窒化鉄屑の厚さを固定したときの炭化
鉄層の膜厚と保磁力との関係を示したグラフ、第５図は
炭窒化鉄層の厚さを固定したときの炭化鉄層の膜厚と比
透磁率の変化を示したグラフ、第６図は炭化鉄層の厚さ
を固定したときの炭窒化鉄層の膜厚と飽和磁束密度との
関係を示したグラフ、第７図は炭化鉄屑の厚さを固定し
たときの炭窒化銖層の膜厚と保磁力との関係を示したグ
ラフ、第８図は炭化鉄屑の厚さを固定したときの炭窒化
鉄層の膜厚と２０ＭＨｚでの比透磁率との関係を示した
グラフ、第９図は炭化鉄層中の炭素濃度を変化させた場
合の、膜厚２５ｎｍの炭化鉄層と膜厚２０ｎｍの炭窒化
鉄層との積層膜の、炭化鉄屑中の炭素濃度と、飽和磁束
密度との関係を示したグラフ、第１０図は炭化鉄層中の
炭素濃度を変化させた場合の、膜厚２５ｎｍの炭化鉄層
と膜厚２０ｎｍの炭窒化鉄屑との積層膜の、炭化鉄層中
の炭素濃度と、保磁力との関係を示したグラフ、第１１
図は炭化鉄層中の炭素濃度を変化させた場合の、膜厚２
５ｎｍの２０炭化鉄屑と、膜厚２０ｎｍの炭窒化鉄層との積層膜の、
炭化鉄層中の炭素濃度と、比透磁率との関係を示したグ
ラフ、第１２図は炭窒化鉄屑中の窒素濃度を変化させた
場合の、膜厚２５ｎｍの炭化鉄層と膜厚２０。ｎｍの炭
窒化鉄層との積層膜の、炭窒化鉄層中の窒素濃度と、飽
和磁束密度との関係を示したグラフ、第１３図は炭窒化
鉄屑中の窒素濃度を変化させた場合の、膜厚２５ｎｍの
炭化鉄屑と膜厚２０ｎｍの炭窒化鉄層との積層膜の、炭
窒化鉄層中の窒素濃度と、保磁力との関係を示したグラ
フ、第１４図は炭窒化鉄層中の窒素濃度を変化させた場
合の、膜厚２５ｎｍの炭化鉄層と、膜厚２０ｎｍの炭窒
化鉄層との積層膜の、炭窒化鉄層中の窒素濃度と、比透
磁率との関係を示したグラフ、第１５図は炭化鉄層の膜
厚を変化させた薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放
置して、放置前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれ
ぞれの飽和磁束密度との比と、炭化鉄層の膜厚と、の関
係を表したグラフ、第１６図は炭窒化鉄層の膜厚を変化
させた薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放置して、
放置前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽
和磁束密度との比と、炭窒化鉄層の膜厚と、の関係を表
したグラフ、第１７図は炭化鉄層の炭素濃度を変化させ
た薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放置して、放置
前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽和磁
束密度との比と、炭化鉄屑の炭素濃度と、の関係を表し
たグラフ、第１８図は炭窒化鉄屑の窒素濃度を変化させ
た薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放置して、放置
前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽和磁
束密度との比と、炭窒化鉄層の窒素濃度と、の関係を表
したグラフ、第１９図は本発明の第２の実施例の磁気ヘ
ッドの一部の断面図、第２０図は本発明の磁性薄膜の製
造装置を表す概略図である。１１・・・・・・炭化鉄、１２・・・・・・窒化鉄、２
１・・・・・・炭化鉄、２２・・・・・・窒化鉄、２３
・・・・・・酸化珪素などの非磁性体、３１・・・・・
・セラミック基板、３２・・・・・・本発明の軟磁性薄
膜、３３・・・・・・ギャップ材、３４・・・・・・有
機絶縁層、３５・・・・・・導体コイル、３６・・・・
・・３１と同じ軟磁性薄膜、３７・・・・・・保護膜、
３８・・・・・・磁気ギャップ、３９・・・・・・ヘッ
ド先２１２２端、４１・・・・・・反応室、４２・・・・・・排気系
、４３・・・・・・アルゴンガスポンベ、４４・・・・
・・窒素ガスボンベ、４５・・・・・・高周波電源、４
６・・・・・・電極、４７・・・・・・炭化鉄合金ター
ゲット、４８・・・・・・基板。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）炭化鉄の層と炭窒化鉄の層とを交互に積層するこ
とを特徴とする軟磁性薄膜。
（２）Ｃ濃度がモル百分率で３〜３５％の炭化鉄の層と
、Ｎ濃度がモル百分率で０．２〜１５％の炭窒化鉄の層
とが交互に配置され、かつ炭化鉄の各層の厚さが０．５
〜１０００ｎｍ、炭窒化鉄の各層の厚さが０．５〜３０
０ｎｍであることを特徴とする軟磁性薄膜。
（３）Ｃ濃度がモル百分率で５〜３０％の炭化鉄の層と
、Ｎ濃度がモル百分率で５〜１０％の炭窒化鉄の層とが
交互に配置され、かつ炭化鉄の各層の厚さが５〜１００
ｎｍ、炭窒化鉄の各層の厚さが５〜９０ｎｍであること
を特徴とする軟磁性薄膜。
（４）スパッタ中に窒素ガスを供給することにより炭化
鉄の層を製膜するのと同じターゲットで炭窒化鉄の層を
製膜することを特徴とする軟磁性薄膜。
（５）透磁層の少なくとも一部に請求項（１），（２）
または（３）のいずれかの軟磁性薄膜が使用されること
を特徴とする磁性ヘッド。
（６）請求項（１），（２）または（３）のいずれかの
軟磁性薄膜中に非磁性層を挿入することによって、再生
効率を高めたことを特徴とする磁気ヘッド。