JPH0282601A - 多層磁性膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録用磁気ヘッド、高周波用のインダクタ
ンス、コイルの磁芯材料等に用いられる多層磁性膜に関
する。更に詳しくは高密度磁気記録に好適な多層磁性膜
に関するものである。

［従来の技術］ 磁気記録分野における磁気記録の高密度化に伴い、磁気
ヘッドに用いら）る磁極材料の性能の向上が強く望まれ
ている。すなわち、線記録密度を向上させるためには高
保磁力の記録媒体を使用する必要があるが、この記録媒
体を高密度で記録再生するためには優れた磁気特性を有
する磁気ヘッド用磁性膜が必要となる。具体的には高飽
和磁束密度を有し、保磁力が低く透磁率の高い軟磁気特
性を有し、更に高周波に至るまでの透磁率に減衰の見ら
れない優れた高周波特性を有する磁気ヘッド用磁性膜が
必要となる。

従来、この種の磁気ヘッド用磁性膜としてパーマロイと
よばれるＦｅ−Ｎｉ系合金が使用されてきたが、このパ
ーマロイ系合金では飽和磁束密度が高々１．２テスラ程
度であり、更に飽和磁束密度の高い磁性膜が要求されて
来ている。

一方、Ｆｅ又はＣｏは単体或いは合金で優れた高飽和磁
束密度を持つ材料であるが、この強磁性金属はスパッタ
リング、蒸着等の薄膜形成技術を用いて多結晶磁性薄膜
を形成させた場合に、これらの金属或いは合金のもつ大
きな結晶磁気異方性のため、保磁力が大きく軟磁気特性
に劣り磁気ヘッド材料に適しない。このためこれらの金
属同士又はこの金属に他の元素を添加した材料を積層化
して結晶磁気異方性或いは配向性を制御することにより
軟磁気特性の向上を図っている。

具体的にはＦｅ層の間に０層又はＣｕ層を積層した多層
磁性膜については文献［Ｎ、Ｋｕｍａｓａｋａ　ｅｔ　
ａｌ、。

Ｊ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、５５　（１９８４）　２
２３８］に記載があり、ＦｅとＮｉの合金層の間にＦｅ
とＣの合金層又はＦｅとＳＬの合金層を積層した多層磁
性膜については文献ＴＫｏｂａｙａｓｈｉｅｔ　　ａｔ
、、ＩＥＥＥ　　Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ、ＭＡＧ−２３
（１９８７）　２７４６］に記載があり、Ｆｅ層とＣｏ
層を積層した多層磁性膜については文献［Ｍ、５ｅｎｄ
ａ　ａｎｄ　Ｙ。

Ｎａｇａｉ、、　Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、、
５２，６７２（１９８８）コに記載があり、Ｆｅ層とＮ
ｉ層を積層した多層磁性膜については文献［Ｙ、Ｎａｇ
ａｉ、　Ｍ、５ｅｎｄａ　ａｎｄ　Ｔ、Ｔｏｓｈｉｍａ
、、　Ｊ。

Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、６３．１１３６　（１９８８）
コに記載されている。

しかしこれらの磁性膜は、なお電気抵抗が比較的小さく
て膜内に発生する渦電流損失が依然大きいため、高密度
磁気記録には高周波特性が十分でない。この点を改善す
るためにこれらの磁性膜に更に非導電性又は導電率の小
さい材料、例えば、半導体等で使われる絶縁膜、或いは
５ｉＯａ、　Ａｌ□０３等の非磁性膜を積層する技術が
特開昭６１−９７９０６号公報に記載されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし上記５ｉＯｚ等の非磁性膜は熱膨張係数が０．６
Ｘ　１０−’ｄｅｇ−’程度で比較的小さいため、積層
時にその内部応力を緩和させるための基板温度や熱処理
温度の適切な設定が困難で、結果として優れた高周波特
性が依然得られない欠点があった。

また従来の磁性膜はその構成材料である磁性金属元素又
はこれを含む合金の結晶粒の微細化が不十分であるため
、これらの金属或いは合金の結晶磁気異方性が大きく、
これらを積層した磁性膜には優れた軟磁気特性が得られ
ない問題点があった。

本発明の目的は、１．５テスラ以上の高飽和磁束密度を
有し、かつ優れた軟磁気特性並びに高周波特性を有する
多層磁性膜を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、高周波特性を向上させるために磁性層（
金属材料）と高抵抗相（酸化物材料）の積層化により渦
電流が軽減できることに着目し、そのための材料として
種々の酸化物材料について検討した結果、５ｉＯｚ、　
Ａｌ□０３等の酸化物材料では磁性金属又は合金の結晶
粒を十分に微細にできなかったものが、亜鉛を含む酸化
物材料を用いると、磁性金属又は合金の結晶粒を十分に
微細にできることを知見し、これにより結晶磁気異方性
が小さくなることから本発明に到達した。

すなわち、本発明の多層磁性膜は、磁性金属元素又は磁
性金属元素群のうちより選ばれた少なくとも１種の元素
を主成分とする合金により構成された磁性薄膜と、Ｚｎ
を含む酸化物により構成された酸化物薄膜とが交互に積
層して形成されたものである。

本発明を更に詳述すると、本発明の磁性薄膜を構成する
材料は、高飽和磁束密度を有するＦｅ、Ｃｏ。

Ｎｉ等の金属元素又はこれらの金属元素群のうちより選
ばれた少なくとも１種の元素を主成分とする合金である
。特にＦｅもしくはＣｏ又はこれらの合金或いはその両
者を含む合金であることが好ましい。

磁性薄膜がＦｅとＣｏの合金により構成される場合には
、Ｃｏの割合の増加により飽和磁束密度が向上するが、
保磁力が増大し透磁率が低下するため、あの割合は重量
比で５０％以下であることが好ましい。

磁性薄膜一層の厚さは、少なくとも１原子層以上ある必
要があり、また結晶粒を微細化させるために薄い方がよ
い。このため０．３層ｍ以上で５０ｎｍ以下であること
が望ましい。

また本発明の酸化物薄膜を構成する材料は亜鉛元素を含
む酸化物である。この材料は本発明の多層磁性膜が具有
すべき種々の特性を考慮して選定される。例えば、渦電
流損失を少なくして高周波特性を向上させるためには、
導電率の小さいＺｎＯ又はＮｉＺｎフェライトなどの材
料が好ましい。軟磁気特性を向上させるためには、Ｍｎ
Ｚｎフェライト又はＮｉＺｎフェライトなどが好ましい
。例示した酸化物の熱膨張係数は、従来の５ｉｎ２の０
．６Ｘ　１０−’ｄｅｇ−’に比べて、ＺｎＯで５Ｘ　
１０−’ｄｅｇ−’であり、更にＺｎを含むフェライト
の場合でＩＯＸ　１０−’ｄｅｇ−’である。

この値はＦｅ又はＣｏの膨張係数の１５Ｘ　１０−’ｄ
ｅｇ−”に近く、薄膜形成時の内部応力歪みの影響を小
さくし軟磁気特性を向上させる。また磁気ヘッドにおい
て高トラツク密度化を進めるためには非磁性層としてＺ
ｎＯなどを用いれば、狭トラツク化が可能となる。すな
わち、従来の薄膜ヘッドでは狭トラツク化すると磁極先
端部に発生する還流磁区のため再生効率が急減するが、
本発明のＺｎＯなどの非磁性層を磁性層の間に積層して
多層化すれば、磁性層間に静磁結合を起こし、磁極先端
部の磁区構造を制御することができるため、狭トラツク
化が可能となる。

更に酸化物薄膜一層の厚さは、保磁力の増大を抑えるた
め少なくとも１原子層以上ある必要があり、また全体の
磁束密度を低下させない程度に薄い方がよい。このため
１ｎｍ以上で１０ｎｍ以下であることが望ましい。

上述した磁性薄膜と酸化物薄膜とを交互に積層すること
により、本発明の多層磁性膜が形成される。この多層磁
性膜の形成方法としては、ＭＢＥ（分子線エピタキシャ
ル生長）法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンビ
ームスパッタ法、ＣＶＤ（気相化学反応）法、ＭＯＣＶ
Ｄ（有機金属気相化学反応）法等を用いることができる
が、メツキ法、クラスタビーム法、イオンビーム形成法
等を用いてもよい。実用的にはスパッタリング法が好ま
しい。この方法は、磁性金属元素又は磁性金属元素群の
うちより選ばれた少なくとも１種の元素を主成分とする
合金の構成元素と、Ｚｎを含む酸化物の構成元素とを基
板上に交互にスパッタリングする。この方法により、磁
性金属元素又は磁性金属元素群のうちより選ばれた少な
くとも１種の元素を主成分とする合金により構成された
磁性薄膜と、Ｚｎを含む酸化・物により構成された酸化
物薄膜が交互に積層される。

磁性薄膜を形成するためのスパッタリングのターゲット
としては、磁性金属元素のターゲット又はその合金の構
成元素からなる合金ターゲットを用いる。酸化物薄膜を
形成するためのスパッタリングのターゲットとしては、
酸化物の構成元素からなる化合物ターゲット又は金属・
合金ターゲットを用いる。薄膜形成時には、必要に応じ
てその雰囲気を酸化性にする。

スパッタリングによる薄膜形成時に基板を１００℃以上
３００℃以下の温度に昇温し保持すれば、薄膜の内部応
力が緩和され、軟磁気特性をより向上させることができ
る。またスパッタリングにより多層磁性膜を形成した後
、１００°Ｃ以上５００℃以下の温度で熱処理すれば、
ターゲットからスパッタされた高エネルギー粒子が堆積
中の皮膜に衝突した時に生じた圧縮応力を除去すること
ができ好ましい。更に必要に応じて一軸異方性を制御す
るために、薄膜形成時又は熱処理時に磁場を印加すれば
、軟磁気特性を更に向上させることができる。

本発明の多層磁性膜を用いて磁気ヘッドを構成すれば、
高密度磁気記録に好適な磁気ヘッドとなる。この磁気ヘ
ッドはバルクヘッド、薄膜ヘッドのいずれでもよいが、
特に薄膜ヘッドに本発明の多層磁性膜を用いた場合には
顕著な特性向上が認められる。すなわち、少なくとも磁
極先端を本発明の多層磁性膜により構成し、その膜厚を
１μｍ以上とすることで、特に従来の面内記録用磁気ヘ
ッドに好適なヘッドを提供することができる。−方、少
なくとも一方の磁極先端膜厚を０．３μｍ以下とすれば
垂直磁気記録用に好適である。しかし、いずれのヘッド
もその用途を垂直、面内方式に限定されるわけではない
。また多層磁性膜には硬いセラミック層である酸化物薄
膜層を含むことから、記録媒体に対する耐摩耗特性が向
上し磁気ヘッドとして好都合である。

更に、本発明の多層磁性膜は磁気ヘッドに限らず、高周
波用のインダクタンス、コイルの磁性材料としても用い
ることができる。

［実施例］ 次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく説明する。

〈実施例１〉 第１図は基板ｌｌ上に磁性薄膜１２及び酸化物薄膜１３
が交互に多数回積層された多層磁性膜１０の断面図であ
る。この例では磁性薄膜１２はＦｅにより構成され、酸
化物薄膜１３はＺｎＯにより構成される。この多層磁性
膜１０は高周波スパッタ法により、Ｆｅ及びＺｎＯのタ
ーゲットを用いて、ＦｅとＺｎＯとを交互に積層してガ
ラス及びポリイミド基板１１上に８５ｎｍの厚さで形成
された。このスパッタ条件は、アルゴン圧力　　　　　
　　・・・　３Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ基板とターゲット
との間隔　・・・　５　ｃｍ高周波電力密度　　　　　
　・・・　２Ｗ／ｃｍ’Ｆｅの堆積速度　　　　　　　
・・・　２．４　ｎｍ７分ＺｎＯの堆積速度　　　　　
　−・１０．Ｏｎｍ７分であった。

く比較例〉 比較例の多層磁性膜は、実施例１のＺｎＯの代りにＳｉ
Ｏｘのターゲットを用いて同一条件で高周波スパッタ法
によりＦｅと５ｉｎ２とを交互に積層してガラス及びポ
リイミド基板上に８５ｎｍの厚さで形成された。５ｉｎ
２の堆積速度は１０．Ｏｎｍ７分であった。

実施例１及び比較例とも酸化物薄膜であるＺｎＯ又はＳ
ｉｎ、の一層の厚さをそれぞれ５ｎｍ一定とし、磁性薄
膜であるＦｅの一層の厚さを種々変えた。この結果を第
２図〜第６図に示す。

第２図は実施例１においてＦｅ一層の厚さ（ａ　ｐ　−
）を１．４ｎｍ、　１．７ｎｍ、　２．８ｎｍ、　５．
７ｎｍ、　１０．８ｎｍに変化させたときの多層磁性膜
１０のブラッグ倍角度と回折強度との相関を示すＸ線回
折グラフである。第２図においてＦｅとＺｎＯの回折像
が観察されることからＦｅとＺｎＯはほとんど反応する
ことなく積層構造になっていることが分る。

第３図に実施例１のＦｅ／ＺｎＯ多層膜及び比較例のＦ
ｅ／５ｉｂ さ依存性を示す。Ｆｅ／ＺｎＯ多層膜ではＦｅ一層の厚
さが２０ｎｍ以下で保磁力Ｈｃが急激に減少し、５ｎｍ
以下では１．６０ｅと非常にソフトになり優れた軟磁気
特性を示す。これに対してＦｅ／Ｓｉｎ、多層膜の保磁
力ＨｃはＦｅ一層の厚さ（ａ　Ｆ　−）の減少とともに
次第に減少するが、２０ｎｍ以下でもＦｅ／ＺｎＯ多層
膜の保磁力Ｈｃの約１０倍の高い値を示す。

第４図に実施例１のＦｅ／ＺｎＯ多層膜及び比較例のＦ
ｅ／Ｓｉｎ、多層膜におけるＦｅ一層の厚さを変えたと
きの磁場５０００ｓにおける磁束密度の変化を示す。

Ｆｅ／ＺｎＯ多層膜は破線で示すように、Ｆｅ一層の厚
さの変化にほぼ比例して直線的に変化する。特にＦｅ一
層の厚さが１０ｎｍ以下では１．５〜２．０テスラの高
い値を示し、Ｆｅ／ＺｎＯ多層膜は高磁束密度であるこ
とが分る。−点鎖線はＦｅ元素の飽和磁束密度を示す。

これに対してＦｅ／ＳｉＯ□多層膜はＦｅ一層の厚さの
変化に対してバラツキが大きく、１０ｎｍ以下でも高い
値を示さない場合がある。なお、Ｆｅ一層の厚さが１０
ｎｍ以上で磁束密度が低下しているが、これは磁場が５
０００ｅと小さいためである。磁場１０ｋＯｅを印加し
て飽和磁束密度を測定した結果、Ｆｅ一層の厚さが小さ
くなるとともに飽和磁束密度は大きくなり、Ｆｅ元素の
飽和磁束密度の大きさに近づくことが分った。

第５図に実施例１及び比較例のＸ線回折によるＦｅ（１
１０）回折線の半値幅より求めたＺｎＯ及び５ｉｎ２の
結晶粒の平均粒径りを示す。第５図によればＦｅ／Ｚｎ
Ｏ多層膜では平均粒径りはＦｅ一層の厚さ（ｄＰ、）が
２０ｎｍ以下ではｄ２．にほぼ一致する。一方Ｆｅ／Ｓ
ｉｎ。

多層膜では平均粒径りはやはりｄ、、が２０ｎｍ以下で
急激に減少するが、Ｆｅ／ＺｎＯ多層膜の平均粒径りに
比べて相対的に大きい。この粒径の差が膜の軟磁気特性
の差に反映していると考えられる。

第６図に実施例１のＦｅ／ＺｎＯ多層膜の高周波特性を
示す。ａはＦｅ一層の厚さが２．８ｎｍでＺｎＯ一層の
厚さが５ｎｍの場合の透磁率の変化を示し、ｂはＦｅ一
層の厚さが５．７　ｎｍでＺｎＯ一層の厚さが５ｎｍの
場合の透磁率の変化を示す。第６図がら実施例１のＦｅ
／ＺｎＯ多層膜は１０ＭＨｚ以上の高周波まで透磁率に
は減衰がみられず極めて優れた高周波特性を持つことが
分る。

第７図に実施例１のＦｅ一層の厚さを１．７ｎｍ一定と
し、ＺｎＯ一層の厚さを変えたときの保磁力Ｈｅの変化
を示す。第７図からＺｎＯ一層の厚さが］、５ｎｍ以下
では保磁力Ｈｅは急激に大きくなり軟磁気特性を示さな
くなるが、２．Ｏｎｍ以上では２０ｅ程度と小さくなる
ことが分る。

〈実施例２〉 この例では磁性薄膜はＦｅ８０ｗｔ％でＣｐ、２０ｗｔ
％のＦｅ−Ｃｏの合金により構成され、酸化物薄膜はＺ
ｎＯにより構成される。この多層磁性膜は高周波スパッ
タ法により、８０Ｆｅ−Ｃｏ及びＺｎＯのターゲットを
用いて、８０Ｆｅ−ＣｏとＺｎＯとを交互に積層してガ
ラス及びポリイミド基板上に１１００ｎの厚さで形成さ
れた。このスパッタ条件は、 アルゴン圧力　　　　　　　・・・　３Ｘ　１Ｏ−２Ｔ
ｏｒｒ基板とターゲットとの間隔　・・・　５　ｃｍ高
周波電力密度　　　　　　・・・　２Ｗ／ｃｍ”８０Ｆ
ｅ−Ｃｏの堆積速度　　　　−４ｎｍ／分ＺｎＯの堆積
速度　　　　　　・・・１０　ｎｍ７分であった。Ｚｎ
Ｏ一層の厚さは実施例１と同じ５ｎｍ−定とした。

第８図に実施例２の８０Ｆｅ　−Ｃｏ／　ＺｎＯ多層膜
における保磁力Ｈｃの８０Ｆｅ−Ｃｏ一層の厚さ依存性
を示し、第９図に実施例２の８０Ｆｅ　−Ｃｏ／　Ｚｎ
Ｏ多層膜の１０ＭＨｚにおける透磁率μの８０Ｆａ−Ｃ
ｏ一層の厚さ依存性を示す。第８図及び第９図から８０
Ｆｅ−Ｃｏ一層の厚さが約３０ｎｍ以下で保磁力Ｈｃが
急激に減少し、ａｎｍ付近で２．００ｅとなり、透磁率
μは８５０とソフトになり優れた軟磁気特性を示すこと
が分る。

第１０図に実施例２の８０Ｆｅ　−Ｃｏ／　ＺｎＯ多層
膜の高周波特性を示す。第１０図において８０Ｆｅ−Ｃ
ｏ一層の厚さは２．８ｎｍでＺｎＯ一層の厚さは５ｎｍ
である。

この８０Ｆｅ　−Ｃｏ／　ＺｎＯ多層膜は１０ＭＨｚ以
上の高周波まで透磁率には減衰がみられず極めて優れた
高周波特性を持つことが分る。

〈実施例３〉 この例では磁性薄膜はＣｏとＦｅ３０ｗｔ％でＣｏ５０
ｗｔ％のＦｅ−Ｃｏの合金により構成され、酸化物薄膜
はＺｎＯにより構成される。この多層磁性膜は高周波ス
パッタ法により、Ｃｏ、　５０Ｆｅ−Ｃｏ及びＺｎＯの
ターゲットを用いて、ＣｏとＺｎＯ或いは５０Ｆｅ−Ｃ
ｏとＺｎＯとを交互に積層してガラス及びポリイミド基
板上に１１００ｎの厚さで形成された。このスパッタ条
件は、アルゴン圧力　　　　　　　・・・　３Ｘ　１Ｏ
−２Ｔｏｒｒ基板とターゲットとの間隔　・・・　５　
ｃｍ高周波電力密度　　　　　　・・・　２Ｗ／ｃｍ２
Ｃｏの堆積速度　　　　　　　・・・　４　ｎｍ７分５
０Ｆｅ−Ｃｏの堆積速度　　　　−４ｎｍ７分ＺｎＯの
堆積速度　　　　　　・・・　１０　ｎｍ７分であった
。ＺｎＯ一層の厚さは実施例１及び２と同じ５ｎｍ一定
とした。

第１１図に実施例３のＣｏ／ＺｎＯ多層膜と５０Ｆｅ−
Ｃｏ／ＺｎＯ多層膜における保磁力Ｈｃのｃｏ及び５０
Ｆｅ−Ｃｏの磁性層一層の厚さ依存性を示す。第１１図
からＣｏ及び５０Ｆｅ−Ｃｏの磁性層一層の厚さが約５
０ｎｍ以下になると保磁力Ｈｅが減少し、軟磁気特性を
示すことが分る。

第１２図に実施例３のＦｅ　−Ｃｏ／　ＺｎＯ多層膜の
透磁率μ及び保磁力Ｈｃの組成依存性を示す。第１２図
からＣｏが約５０ｗｔ％以下の領域で透磁率μが高くな
り保磁力Ｈｃが低くなることが分る。

［発明の効果］ 以上述べたように、Ｚｎを含む酸化物薄膜を高飽和磁束
密度を持つ磁性薄膜と交互に積層した本発明の多層磁性
膜は、従来のパーマロイ系合金の飽和磁束密度より高い
、１．５テスラ以上の高飽和磁束密度を持ち、しかも優
れた軟磁気特性及び高周波特性を有する。

また酸化物薄膜層の材料として非磁性で硬度の高い酸化
物セラミックスを用いることから、狭トラツク化が図ら
れかつ耐摩耗性が向上でき、高密度用磁気記録のための
薄膜磁気ヘッドの材料として極めて好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は基板上に形成された本発明実施例１の多層磁性
膜の断面図。 第２図は実施例１のＦｅ一層の厚さを変化させたときの
多層磁性膜のブラッグ倍角度と回折強度との相関を示す
Ｘ線回折グラフ。 第３図は実施例１のＦｅ／ＺｎＯ多層膜及び比較例のＦ
ｅ／Ｓｉｎ、多層膜における保磁力ＨｅのＦｅ一層の厚
さ依存性を示す図。 第４図は実施例１のＦｅ／ＺｎＯ多層膜及び比較例のＦ
ｅ／　Ｓｔｏｗ多層膜におけるＦｅ一層の厚さを変えた
ときの磁場５０００ｅにおける磁束密度の変化を示す図
。 第５図は実施例１及び比較例のＸ線回折によるＦｅ（１
１０）回折線の半値幅より求めたＺｎＯ及び５ｉｎ２の
結晶粒の平均粒径りを示す図。 第６図は実施例１のＦｅ／ＺｎＯ多層膜の高周波特性を
示す図。 第７図は実施例１のＦｅ一層の厚さを一定とし、ＺｎＯ
一層の厚さを変えたときの保磁力Ｈｃの変化を示す図。 第８図は実施例２の８０Ｆｅ　−Ｃｏ／　ＺｎＯ多層膜
における保磁力Ｈｃの８０Ｆｅ−Ｃｏ合金一層の厚さ依
存性を示す図。 第９図は実施例２の８０Ｆｅ　−Ｃｏ／　ＺｎＯ多層膜
の１゜ＭＨｚにおける透磁率μの８０Ｆｅ−Ｃｏ合金一
層の厚さ依存性を示す図。 第１０図は実施例２の８０Ｆｅ　−Ｃｏ／　ＺｎＯ多層
膜の高周波特性を示す図。 第１１図は実施例３のＣｏ／ＺｎＯ多層膜と５０Ｆｅ−
Ｃｏ／ＺｎＯ多層膜における保磁力ＨｃのＣｏ及び５０
Ｆｅ−Ｃｏの磁性層一層の厚さ依存性を示す図。 第１２図は実施例３のＦｅ　−Ｃｏ／　ＺｎＯ多層膜の
透磁率μ及び保磁力Ｈｅの組成依存性を示す図。 ｌＯ：多層磁性膜、　　１１：基板、 １２：磁性薄膜、　　　１３二酸化物薄膜。 ＺｎＯ及びＳｉＯ□の結晶粒の平均粒径Ｄ　（ｎｍ）璽 羅 ２θ（ブラッグ倍角度） 第２図 第９図 Ｃｏ（ｗｔ’／ｓ） 第１２図 磁性Ｎ−Ｎの厚さ（ｎｍ） 第１１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）磁性金属元素又は磁性金属元素群のうちより選ばれ
   た少なくとも１種の元素を主成分とする合金により構成
   された磁性薄膜と、Ｚｎを含む酸化物により構成された
   酸化物薄膜とが交互に積層して形成されたことを特徴と
   する多層磁性膜。 ２）磁性薄膜がＦｅもしくはＣｏ又はこれらの合金或い
   はその両者を含む合金により構成された請求項１記載の
   多層磁性膜。 ３）磁性薄膜がＦｅにより構成され、酸化物薄膜がＺｎ
   Ｏにより構成された請求項１記載の多層磁性膜。 ４）磁性薄膜がＦｅとＣｏの合金により構成され、酸化
   物薄膜がＺｎＯにより構成され、かつＦｅとＣｏの合金
   中に含まれるＣｏの割合が重量比で５０％以下である請
   求項１記載の多層磁性膜。 ５）磁性薄膜一層の厚さが０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下
   である請求項１記載の多層磁性膜。 ６）酸化物薄膜一層の厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下で
   ある請求項１記載の多層磁性膜。