CN108022751A - 磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件 - Google Patents

磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件，该沉积方法包括以下步骤：S1，在待加工工件上沉积粘附层；S2，沉积磁性/隔离单元；磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，可以增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而可拓宽由其制备所得的电感器件的应用频率范围。

Description

磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，具体地，涉及一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件。
背景技术
随着科学技术的发展，集成电路制造工艺已可以显著缩小处理器的尺寸，但是仍然有一些诸如集成电感、噪声抑制器等的核心元器件在高频化、微型化、集成化等方面面临诸多困难。为了解决此问题，具有高磁化强度、高磁导率、高共振频率及高电阻率的软磁薄膜材料引起人们越来越多的关注。
图1为现有的磁性薄膜叠层的结构图。如图1所示，磁性薄膜叠层是由交替设置隔离层和磁性膜层组成，其中，在所述待加工工件直接沉积隔离层。
但在上述磁性薄膜叠层中，由于磁性膜层拉应力大、质脆，由该磁性膜层所得的上述磁性薄膜叠层不易做厚，且若制备的上述磁性薄膜叠层总厚度超过500nm，因磁性膜层拉应力大、质脆的特性造成磁性薄膜叠层拉应力大，则会出现上述磁性薄膜叠层脱落其所附的待加工工件(或龟裂脱落)现象，而不能用于制备微电感器件。此外，由于上述磁膜叠层不易做厚，制备所得的上述磁膜叠层厚度较小，因而由其制备所得电感器件的应用频率范围也仅为1～5GHz，而无法涵盖MHz的频率范围。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层以及一种微电感器件，该磁性薄膜叠层的沉积方法可以增大磁性薄膜叠层的总厚度，拓宽由其制备的电感器件的应用频率范围，并可将其应用在大尺寸被加工件上制作微电感器件。
为实现本发明的目的而提供一种磁性薄膜叠层的沉积方法，包括以下步骤：
S1，在待加工工件上沉积粘附层；
S2，在所述粘附层上沉积磁性/隔离单元；所述磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。
优选地，在所述步骤S2中，在所述粘附层上沉积所述磁性膜层，在所述磁性膜层上沉积所述隔离层。
优选地，交替进行所述步骤S1和所述步骤S2至少两次。
优选地，还包括：S3，在所述磁性/隔离单元上沉积一层所述磁性膜层。
优选地，交替进行所述步骤S1、所述步骤S2和所述步骤S3至少两次。
优选地，所述粘附层采用具有压应力的材料制作。
优选地，所述具有压应力的材料包括Ta薄膜、TaN薄膜或者TiN薄膜。
优选地，在所述步骤S1中，采用溅射工艺沉积所述粘附层，所述溅射工艺中，靶材与脉冲直流电源电连接。
优选地，所述脉冲直流电源输出的溅射功率小于或等于15kw。
优选地，所述脉冲直流电源输出的溅射功率的取值范围在3～10kw。
优选地，在所述步骤S1中，采用溅射工艺沉积所述粘附层，所述溅射工艺的工艺压力小于或等于5mTorr。
优选地，所述溅射工艺的工艺压力的取值范围在0.5～2mTorr。
优选地，在所述步骤S1中，采用溅射工艺沉积所述粘附层，所述溅射工艺中，靶材与射频电源电连接，所述射频电源输出的溅射功率小于或等于3kw；或者，靶材与直流电源电连接，所述直流电源输出的溅射功率小于或等于20kw。
优选地，所述射频电源输出的溅射功率的取值范围在0.3～1.5kw；或者，所述直流电源输出的溅射功率的取值范围在15～19kw。
优选地，所述磁性膜层采用具有软磁性的材料制作。
优选地，所述具有软磁性的材料包括NiFe坡莫合金材料、CoZrTa非晶态材料、Co基材料、Fe基材料或者Ni基材料。
优选地，在所述步骤S2中，采用溅射工艺沉积所述磁性膜层，所述溅射工艺中，靶材与激励电源电连接；所述激励电源输出的溅射功率小于或等于2kw；所述溅射工艺的工艺压力小于或等于5mTorr。
优选地，所述溅射功率的取值范围在0.5～1.5kw；所述溅射工艺的工艺压力的取值范围在0.3～3mTorr。
优选地，在沉积所述磁性膜层的同时，利用偏置磁场装置在用于沉积所述磁性薄膜叠层的晶片附近形成水平磁场，所述水平磁场用于使沉积的所述磁性膜层具有面内各向异性。
优选地，所述隔离层由非导磁性材料制作。
优选地，所述非导磁性材料包括Cu、Ta、SiO2或者TiO2。
优选地，在所述步骤S2中，采用溅射工艺沉积所述隔离层，所述溅射工艺中，靶材与激励电源电连接；所述激励电源输出的溅射功率的小于或等于5kw；所述溅射工艺的工艺压力小于或等于20mTorr。
优选地，所述激励电源输出的溅射功率的取值范围在1～2kw；所述溅射工艺的工艺压力的取值范围在9～12mTorr。
优选地，所述粘附层厚度的取值范围在50～300nm；所述磁性膜层厚度的取值范围在30～200nm；所述隔离层厚度的取值范围在3～10nm。
优选地，所述粘附层厚度的取值范围在80～200nm；所述磁性膜层厚度的取值范围在50～150nm；所述隔离层厚度的取值范围在5～8nm。
本发明还提供一种磁性薄膜叠层，包括：粘附层；磁性/隔离单元；所述磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。
优选地，所述磁性膜层位于所述粘附层上，所述隔离层位于所述磁性膜层上。
优选地，包括至少两个磁性薄膜叠层单元，其中，每个所述磁性薄膜叠层单元包括所述粘附层和所述磁性/隔离单元。
优选地，在所述磁性薄膜叠层的顶层还设置有一层所述磁性膜层。
优选地，包括至少两个磁性薄膜叠层单元，其中，每个所述磁性薄膜叠层单元包括所述粘附层、所述磁性/隔离单元和所述磁性膜层。
优选地，所述磁性薄膜叠层的总厚度的取值范围在400～3000nm。
优选地，所述交替设置的磁性膜层和隔离层的对数为2～50对。
优选地，在所述步骤S1中，所述粘附层厚度的取值范围在3～50nm。
本发明还提供一种微电感器件，包括磁芯，所述磁芯采用如本发明上述提供的的磁性薄膜叠层制备，所述微电感器件的应用频率的取值范围在100MHz～5GHz。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，其在粘附层上沉积磁性/隔离单元，该粘附层可以调节由于磁性膜层的拉应力造成的磁性薄膜叠层的拉应力过大现象，从而可以制得总厚度较大的磁性薄膜叠层，拓宽由其制备的电感器件的应用频率范围；此外，由于粘附层对磁性薄膜叠层的应力调节作用，可在大尺寸被加工工件上制备厚度较大的磁性薄膜叠层，并可避免龟裂脱落现象。
本发明提供的磁性薄膜叠层，其磁性/隔离单元沉积于粘附层上，该粘附层可以调节磁性膜层的拉应力，进而调节磁性薄膜叠层的应力，包含粘附层的磁性薄膜叠层总厚度较大，拓宽了由其制备的电感器件的应用频率范围。
本发明提供的微电感器件，包括由本发明提供的磁性薄膜叠层制备的磁芯，该微电感器件的应用频率的取值范围在100MHz～5GHz。
附图说明
图1为现有的磁性薄膜叠层的结构图；
图2为本发明第一实施例提供的磁性薄膜叠层的沉积方法的流程框图；
图3为采用本发明第一实施例提供的磁性薄膜叠层的沉积方法获得的磁性薄膜叠层的结构图；
图4为采用本发明第二实施例提供的磁性薄膜叠层的沉积方法获得的磁性薄膜叠层的结构图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法及磁性薄膜叠层进行详细描述。
图2为本发明第一实施例提供的磁性薄膜叠层的沉积方法的流程框图。图3为采用本发明第一实施例提供的磁性薄膜叠层的沉积方法获得的磁性薄膜叠层的结构图。请一并参阅图2和图3，磁性薄膜叠层的沉积方法，其包括以下步骤：
S1，在待加工工件上沉积粘附层1；
S2，在粘附层1上沉积磁性/隔离单元，该磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层2和隔离层3。
其中，在粘附层1上沉积磁性膜层2，在在磁性膜层2上沉积隔离层3。
隔离层3采用非导磁的材料制作，该非导磁性材料包括Cu、Ta、SiO2或者TiO2。隔离层3不仅可以对相邻的两层磁性膜层2进行隔离，减小磁通趋肤效应，而且还可以起到调节磁性薄膜叠层的电阻率，减少涡流损耗以及提高磁性薄膜叠层的高频性能的作用。容易理解，为了起到隔离层3的上述作用，在粘附层1上沉积磁性膜层2，磁性膜层2上沉积隔离层3，通过交替设置磁性膜层2和隔离层3，且使最顶层为隔离层3，可以进一步提高磁性薄膜叠层的电阻率。
而且，可选的，还包括以下步骤：
S3，在磁性/隔离单元上沉积一层磁性膜层2。
在本实施例中，磁性膜层2和隔离层3对数为4对，且在最上层的隔离层3上沉积一层磁性膜层2。即，磁性膜层2的总层数为5层；隔离层3的总层数为4层。当然，在实际应用中，也可以省去步骤S3，即，磁性膜层2和隔离层3的总层数相等。
借助上述粘附层1，可以调节由磁性膜层2的拉应力作用造成的磁性薄膜叠层的拉应力过大现象，可以制得总厚度较大的磁性薄膜叠层，拓宽由其制备的电感器件的应用频率范围。
粘附层1可以采用诸如Ta薄膜、TaN薄膜或者TiN薄膜等的具有压应力的材料制作，以起到调节磁性膜层2的拉应力的作用。
对磁性薄膜叠层而言，磁性薄膜叠层的性能由磁性膜层2以及隔离层3共同决定。磁性膜层2形成微电感的磁芯，增加磁通。隔离层3起到隔离相邻的两层磁性膜层2的作用，并调节磁性膜层2的电阻率，减少涡流损耗，提高高频性能。优选的，步骤S3在磁性/隔离单元上沉积一层磁性膜层2，可以进一步增加磁性薄膜叠层中的磁性膜层2的厚度，从而可以增加磁性能，进而可以实现在实际应用过程中对所需磁性薄膜叠层磁性能进行匹配。
下面对粘附层1的沉积方法进行详细描述。
具体地，在步骤S1中，采用溅射工艺沉积粘附层1。进行该溅射工艺的设备主要包括反应腔室、靶材、用于承载基片的基座和脉冲直流电源，其中，靶材设置在反应腔室内的顶部，基座设置在反应腔室内，且位于该靶材的下方，可选的，靶材与基座之间的竖直间距(即，靶基间距)为30～90mm。而且，靶材与脉冲直流电源电连接，用于向靶材加载溅射功率，以激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，并轰击靶材，溅射出的靶材材料沉积在晶片表面，形成薄膜。由于受限于工艺过程中所用到的光刻胶的耐温范围，在工艺整合中，采用较低的溅射功率更容易实现晶片及其上光刻胶的温度控制，而采用靶材与脉冲直流电源电连接，在该较低的溅射功率下仍可得到应力调节效果较优的粘附层1。
进行上述溅射工艺的参数为：脉冲直流电源输出的溅射功率小于或等于15kw；溅射工艺的工艺压力小于或等于5mTorr。优选的，为了满足工艺整合需求，提高工艺效果，脉冲直流电源输出的溅射功率的取值范围在3～10kw。溅射工艺的工艺压力的取值范围在0.5～2mTorr；溅射厚度的取值范围在80～200nm。
可选的，在步骤S1中，上述靶材也可以与射频电源电连接，该射频电源输出的溅射功率小于或等于3kw；或者，靶材还可以与直流电源电连接，该直流电源输出的溅射功率小于或等于20kw。优选的，为了满足工艺整合需求，提高工艺效果，射频电源输出的溅射功率的取值范围在0.3～1.5kw。或者，直流电源输出的溅射功率的取值范围在15～19kw。
在步骤S2中，可以采用溅射工艺沉积磁性膜层2。进行该溅射工艺的设备主要包括反应腔室、靶材、用于承载基片的基座、溅射电源和偏置磁场装置，其中，靶材设置在反应腔室内的顶部，基座设置在反应腔室内，且位于该靶材的下方，而且，靶材与溅射电源电连接，溅射电源用于向靶材加载溅射功率，以激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，并轰击靶材，溅射出的靶材材料沉积在晶片表面，形成薄膜。
此外，偏置磁场装置设置在反应腔室内，且包括极性相反的两组磁体组，两组磁体组分别设置在基座相对的两侧。该偏置磁场装置可以在反应腔室内靠近基座的区域形成水平磁场(平行于晶片表面)，该水平磁场的磁场强度可以达到50～300Gs，这使得在进行溅射工艺时，沉积在晶片表面上的磁性材料的磁畴沿水平方向排列，从而能够在磁畴排列方向上形成易磁化场，而在与磁畴排列方向相互垂直的方向上形成难磁化场，即，形成面内各向异性场，进而获得面内各向异性的磁性薄膜叠层，从而用于制备微电感器件。
进行上述溅射工艺的参数为：激励电源输出的溅射功率小于或等于2kw；溅射工艺的工艺压力小于或等于5mTorr。优选的，为了满足工艺整合需求，优化磁性膜层的性能，提高工艺效果，激励电源输出的溅射功率的取值范围在0.5～1.5kw；溅射工艺的工艺压力的取值范围在0.3～3mTorr。
磁性膜层2采用具有软磁性的材料制作，该软磁性材料满足饱和磁化强度(Ms)高，剩余磁化强度(Mr)低；初始磁导率(μi)和最大磁导率(μmax)高；矫顽力(Hc)小的条件，可迅速响应外磁场的变化，且能低损耗地获得高磁通密度。可选的，该具有软磁性的材料包括NiFe坡莫合金材料、CoZrTa非晶态材料、Co基材料、Fe基材料或者Ni基材料。其中，NiFe坡莫合金材料例如可以为Ni80Fe20、Ni45Fe55或者Ni81Fe19等等。CoZrTa非晶态材料例如可以为Co91.5Zr4.0Ta4.5等等。Co基材料、Fe基材料或者Ni基材料例如可以为Co60Fe40、NiFeCr等等。
在步骤S2中，可以采用溅射工艺沉积隔离层3。进行该溅射工艺的设备主要包括反应腔室、靶材、用于承载基片的基座和溅射电源，其中，靶材设置在反应腔室内的顶部，基座设置在反应腔室内，且位于该靶材的下方。而且，靶材与溅射电源电连接。
进行上述溅射工艺的参数为：溅射电源输出的溅射功率小于或等于5kw；溅射工艺的工艺压力小于或等于20mTorr。优选的，为了满足工艺整合需求，提高工艺效果，溅射电源输出的溅射功率的取值范围在1～2kw；溅射工艺的工艺压力的取值范围在9～12mTorr。
可选的，粘附层1厚度的取值范围在50～300nm。磁性膜层2厚度的取值范围在30～200nm。隔离层3厚度的取值范围在3～10nm。优选的，粘附层1厚度的取值范围在80～200nm。磁性膜层2厚度的取值范围在50～150nm。隔离层3厚度的取值范围在5～8nm。
图4为采用本发明第二实施例提供的磁性薄膜叠层的沉积方法获得的磁性薄膜叠层的结构图。请参阅图4，本实施例提供的沉积方法与上述第一实施例相比，其区别在于：步骤S1和步骤S2交替进行至少两次，以获得区别于实施例一中的磁性薄膜叠层的结构。
具体来说，采用本实施例提供的沉积方法获得的磁性薄膜叠层包括M个磁性薄膜叠层单元，即，第一个磁性薄膜叠层单元100、第二个磁性薄膜叠层单元200、…、第M个磁性薄膜叠层单元，M为大于1的整数。对于每个磁性薄膜叠层单元，包括粘附层1和磁性/隔离单元。其中，磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层2和隔离层3，优选的，磁性膜层2位于粘附层1上，隔离层3位于所述磁性膜层2上。
在磁性薄膜叠层厚度一定的情况下，磁性膜层2及隔离层3的对数过多，对整个工艺设备系统而言压力越大，易造成系统产能减小，生产成本增加；但隔离层3及磁性膜层2的对数过少，会导致磁性薄膜叠层涉及到的各个粘附层1、磁性膜层2和隔离层3的单层厚度较大，从而造成磁性薄膜叠层的性能受损。因此，对于磁性薄膜叠层而言，隔离层3及磁性膜层2的对数的优化，是对磁性薄膜叠层总厚度以及各层厚度的综合考量。优选的，隔离层3和磁性膜层2的对数为2～50对，该对数范围可以满足对磁性薄膜叠层的性能要求。
通过采用多层磁性薄膜叠层结构，可以进一步增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而拓宽由其制备的电感器件的应用频率范围。优选的，上述磁性薄膜叠层的总厚度的取值范围在400～3000nm。优选的，上述磁性薄膜叠层的应用频率的取值范围在100MHz～5GHz。
在本实施例中，粘附层1的溅射厚度的取值范围在3～50nm。磁性膜层2和隔离层3的厚度与上述第一实施例相同。此外，粘附层1、磁性膜层2和隔离层3的工艺参数与上述第一实施例相同。
另外，在本实施例中，每进行一次步骤S2，沉积一层磁性/隔离单元，即，相邻的两层粘附层1之间，具有单层磁性/隔离单元。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，每进行一次步骤S2，也可以沉积两层以上的磁性/隔离单元，即，相邻的两层粘附层1之间，具有连续设置的两层以上的磁性/隔离单元。
需要说明的是，在本实施例中，每个磁性薄膜叠层单元包括粘附层1和磁性/隔离单元。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，每个磁性薄膜叠层单元包括粘附层1、磁性/隔离单元和磁性膜层2。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种磁性薄膜叠层，其包括粘附层1和磁性/隔离单元。其中，磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层2和隔离层3。
可选的，磁性膜层2位于粘附层上，隔离层3位于磁性膜层2上。
可选的，如图3所示，在上述磁性薄膜叠层(包含有至少一对交替设置的磁性膜层2和隔离层3)的顶层还设置有一层磁性膜层2。
优选的，如图4所示，磁性薄膜叠层包括M个磁性薄膜叠层单元，即，第一个磁性薄膜叠层单元100、第二个磁性薄膜叠层单元200、…、第M个磁性薄膜叠层单元，M为大于1的整数。对于每个磁性薄膜叠层单元，包括粘附层1和磁性/隔离单元。其中，磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层2和隔离层3，可选的，磁性膜层2位于粘附层上，隔离层3位于磁性膜层2上。优选的，隔离层3和磁性膜层2的对数为2～50对。粘附层1的溅射厚度的取值范围在3～50nm。
通过采用多层磁性薄膜叠层结构，可以进一步增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而拓宽由其制备的电感器件的应用频率的范围。优选的，上述磁性薄膜叠层的总厚度的取值范围在400～3000nm。优选的，由上述磁性薄膜叠层制备的电感器件的应用频率的取值范围在100MHz～5GHz。
另外，在本实施例中，相邻的两层粘附层1之间，具有单层磁性/隔离单元。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，相邻的两层粘附层1之间，也可以具有连续设置的两层以上的磁性/隔离单元。
需要说明的是，在本实施例中，每个磁性薄膜叠层单元包括粘附层1和磁性/隔离单元。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，每个磁性薄膜叠层单元还可以包括粘附层1、磁性/隔离单元和磁性膜层2。
本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，其在粘附层上沉积磁性/隔离单元，该粘附层可以调节由磁性膜层的拉应力造成的磁性薄膜叠层的拉应力过大现象，从而可以制得总厚度较大的磁性薄膜叠层，拓宽由其制备的电感器件的应用频率范围；此外，由于粘附层对磁性薄膜叠层的应力调节作用，可在大尺寸被加工工件上制备厚度较大的磁性薄膜叠层，避免龟裂脱落现象。
本发明实施例提供的磁性薄膜叠层，其磁性/隔离单元沉积于粘附层1上，该粘附层1可以调节由磁性膜层2的拉应力造成的磁性薄膜叠层的拉应力，增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而拓宽了由其制备的电感器件的应用频率范围。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种微电感器件，其包括由本发明提供的上述磁性薄膜叠层制备的磁芯，该微电感器件的应用频率的取值范围在100MHz～5GHz。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (34)

1.一种磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在待加工工件上沉积粘附层；
S2，在所述粘附层上沉积磁性/隔离单元；所述磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。
2.根据权利要求1所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述粘附层上沉积所述磁性膜层，在所述磁性膜层上沉积所述隔离层。
3.根据权利要求1所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，交替进行所述步骤S1和所述步骤S2至少两次。
4.根据权利要求1所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，还包括
S3，在所述磁性/隔离单元上沉积一层所述磁性膜层。
5.根据权利要求4所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，交替进行所述步骤S1、所述步骤S2和所述步骤S3至少两次。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述粘附层采用具有压应力的材料制作。
7.根据权利要求6任意一项所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述具有压应力的材料包括Ta薄膜、TaN薄膜或者TiN薄膜。
8.根据权利要求1-5任意一项所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用溅射工艺沉积所述粘附层，所述溅射工艺中，靶材与脉冲直流电源电连接。
9.根据权利要求8所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述脉冲直流电源输出的溅射功率小于或等于15kw。
10.根据权利要求9所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述脉冲直流电源输出的溅射功率的取值范围在3～10kw。
11.根据权利要求1-5任意一项所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用溅射工艺沉积所述粘附层，
所述溅射工艺的工艺压力小于或等于5mTorr。
12.根据权利要求11所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述溅射工艺的工艺压力的取值范围在0.5～2mTorr。
13.根据权利要求1-5任意一项所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用溅射工艺沉积所述粘附层，所述溅射工艺中，
靶材与射频电源电连接，所述射频电源输出的溅射功率小于或等于3kw；或者，
靶材与直流电源电连接，所述直流电源输出的溅射功率小于或等于20kw。
14.根据权利要求13所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述射频电源输出的溅射功率的取值范围在0.3～1.5kw；或者，
所述直流电源输出的溅射功率的取值范围在15～19kw。
15.根据权利要求1-5任意一项所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述磁性膜层采用具有软磁性的材料制作。
16.根据权利要求15所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述具有软磁性的材料包括NiFe坡莫合金材料、CoZrTa非晶态材料、Co基材料、Fe基材料或者Ni基材料。
17.根据权利要求1-4任意一项所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用溅射工艺沉积所述磁性膜层，所述溅射工艺中，靶材与激励电源电连接；
所述激励电源输出的溅射功率小于或等于2kw；
所述溅射工艺的工艺压力小于或等于5mTorr。
18.根据权利要求17所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述溅射功率的取值范围在0.5～1.5kw；
所述溅射工艺的工艺压力的取值范围在0.3～3mTorr。
19.根据权利要求1-5所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，在沉积所述磁性膜层的同时，利用偏置磁场装置在用于沉积所述磁性薄膜叠层的晶片附近形成水平磁场，所述水平磁场用于使沉积的所述磁性膜层具有面内各向异性。
20.根据权利要求1-5所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述隔离层由非导磁性材料制作。
21.根据权利要求20所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，所述非导磁性材料包括Cu、Ta、SiO2或者TiO2。
22.根据权利要求1-5任意一项所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用溅射工艺沉积所述隔离层，所述溅射工艺中，靶材与激励电源电连接；
所述激励电源输出的溅射功率的小于或等于5kw；
所述溅射工艺的工艺压力小于或等于20mTorr。
23.根据权利要求22所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，
所述激励电源输出的溅射功率的取值范围在1～2kw；
所述溅射工艺的工艺压力的取值范围在9～12mTorr。
24.根据权利要求1-5所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，
所述粘附层厚度的取值范围在50～300nm；
所述磁性膜层厚度的取值范围在30～200nm；
所述隔离层厚度的取值范围在3～10nm。
25.根据权利要求24所述的磁性薄膜叠层的沉积方法，其特征在于，
所述粘附层厚度的取值范围在80～200nm；
所述磁性膜层厚度的取值范围在50～150nm；
所述隔离层厚度的取值范围在5～8nm。
26.一种磁性薄膜叠层，其特征在于，包括：
粘附层；
磁性/隔离单元；所述磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。
27.根据权利要求26所述的磁性薄膜叠层，其特征在于，所述磁性膜层位于所述粘附层上，所述隔离层位于所述磁性膜层上。
28.根据权利要求26所述的磁性薄膜叠层，其特征在于，包括至少两个磁性薄膜叠层单元，其中，每个所述磁性薄膜叠层单元包括所述粘附层和所述磁性/隔离单元。
29.根据权利要求26所述的磁性薄膜叠层，其特征在于，在所述磁性薄膜叠层的顶层还设置有一层所述磁性膜层。
30.根据权利要求26所述的磁性薄膜叠层，其特征在于，包括至少两个磁性薄膜叠层单元，其中，每个所述磁性薄膜叠层单元包括所述粘附层、所述磁性/隔离单元和所述磁性膜层。
31.根据权利要求26-30任意一项所述的磁性薄膜叠层，其特征在于，所述磁性薄膜叠层的总厚度的取值范围在400～3000nm。
32.根据权利要求26-30任意一项所述的磁性薄膜叠层，其特征在于，所述交替设置的磁性膜层和隔离层的对数为2～50对。
33.根据权利要求26-30任意一项所述的磁性薄膜叠层，其特征在于，在所述步骤S1中，所述粘附层厚度的取值范围在3～50nm。
34.一种微电感器件，包括磁芯，其特征在于，所述磁芯采用如权利要求26-33任意一项所述的磁性薄膜叠层制备，所述微电感器件的应用频率的取值范围在100MHz～5GHz。
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