JP6901557B2 - 磁性薄膜積層構造体の堆積方法、磁性薄膜積層構造体およびマイクロインダクタンス装置 - Google Patents
磁性薄膜積層構造体の堆積方法、磁性薄膜積層構造体およびマイクロインダクタンス装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6901557B2 JP6901557B2 JP2019522894A JP2019522894A JP6901557B2 JP 6901557 B2 JP6901557 B2 JP 6901557B2 JP 2019522894 A JP2019522894 A JP 2019522894A JP 2019522894 A JP2019522894 A JP 2019522894A JP 6901557 B2 JP6901557 B2 JP 6901557B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- laminated structure
- magnetic thin
- film laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 124
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 154
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 116
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 78
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 12
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 8
- 229910019586 CoZrTa Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/30—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the intermediate layers, e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
- H01F3/02—Cores, Yokes, or armatures made from sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/24—Magnetic cores
- H01F27/26—Fastening parts of the core together; Fastening or mounting the core on casing or support
- H01F27/263—Fastening parts of the core together
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本発明は、マイクロエレクトロニクスの分野、特に、磁性薄膜積層構造体の堆積方法、磁性薄膜積層構造体、およびマイクロ誘導装置に関する。
科学および技術の発達により、集積回路製造工程はプロセッサのサイズを大幅に低減し得るが、集積インダクタ、ノイズサプレッサ等のいくつかのコア部品は、依然として高周波数、小型化、および集積の点で多くの困難性に直面している。この課題を解決するために、高磁化、高透磁性、高共振周波数、および高電気抵抗を有する軟磁性薄膜材料がますます注目を集めている。
既存の技術に存する技術的な課題の1つを少なくとも解決するために、本開示は、磁性薄膜積層構造体の堆積方法、磁性薄膜積層構造体、およびマイクロ誘導装置を提供する。磁性薄膜積層構造体の堆積方法は、磁性薄膜積層構造の総厚を増加させ、これによって製造される誘導装置の印加周波数範囲を広くすることができ、マイクロインダクタンス装置を製造するために大型化された対象物に適用されることができる。
磁性薄膜積層構造体の堆積方法は、さらに、S3、磁性/絶縁ユニット上に磁性膜の層を堆積することを含む。
圧縮応力を有する材料は、Ta膜、TaN膜またはTiN膜を含む。
磁性膜層は、軟磁性特性を有する材料で作製される。
非磁性材料は、Cu、Ta、SiO2またはTiO2を含む。
磁性薄膜積層構造体は、少なくとも2つの磁性積層膜ユニットを含み、磁性積層膜ユニットの各々は、接着層および磁性/絶縁ユニットを含む。
磁性薄膜積層構造体は、少なくとも2つの磁性積層膜ユニットを含み、磁性積層膜ユニットの各々は、接着層、磁性/絶縁ユニットおよび磁性膜層を含む。
交互に配置される磁性膜層および絶縁層の2〜50の対が存在する。
別の局面として、本開示は、本開示の先述の局面のいずれか1つに係る磁性薄膜積層構造体を用いることによって製造される、磁性コアを含むマイクロ誘導装置を提供し、マイクロ誘導装置の印加周波数は100MHz〜5GHzの範囲にわたる。
本開示によって提供される磁性薄膜積層構造体の堆積方法では、磁性/絶縁ユニットが接着層上に堆積され、接着層は磁性膜層の引張応力によって生じる磁性薄膜積層構造体の引張応力を調整して磁性薄膜積層構造体の引張応力が大きすぎるという現象を回避することができ、これにより大きな総厚を有し、それから製造される誘導装置の印加周波数を広げる磁性薄膜積層構造体を得ることを可能にする。加えて、磁性薄膜積層構造体上の接着層の応力調整効果により、大きい厚さの磁性積層膜構造体が処理対象物上に製造されることができ、これにより割れおよび剥落を回避する。
当業者が本開示の技術的解決法をよりよく理解可能とするために、本開示によって提供される磁性薄膜積層構造体の堆積方法、磁性薄膜積層構造体およびマイクロ誘導装置が、添付の図面を参照して、以下に詳細に説明される。
本開示の実施形態のS1において、処理対象物は、表面に膜が堆積されない処理対象物、および表面に磁性膜層2または絶縁層3が堆積される処理対象物を含むことが留意されるべきである。
S3、磁性膜層2が磁性/絶縁ユニット上に堆積される。
特定的には、ステップS1では、接着層1はスパッタリング法を用いて堆積される。スパッタリング法を行うための装置は、主に、反応室、ターゲット、基板を運ぶためのベース、およびパルスDC電源を含み、ターゲットは反応室の頂部に配置され、ベースは反応室に配置されターゲットの下方に位置する。任意には、ターゲットとベースとの間の鉛直方向の間隔(すなわち、ターゲット間隔)は30〜90mmである。さらに、ターゲットは、反応室における処理気体を励起させてプラズマを形成し、ターゲットを衝突させてターゲット材料を飛ばし、ウェハの表面上にそれを堆積して膜を形成するように、ターゲットにスパッタリング電力を印加するためのパルスDC電源に電気的に接続される。プロセスで用いられるフォトレジストの制限された温度範囲によって、プロセスインテグレーションにおいて、より低いスパッタリング電力を用いることによってウェハおよびその上のフォトレジストの温度を制御することがより容易になる。優れた応力調整効果を有する接着層1がより低いスパッタリング電力で得られ得るように、ターゲットはパルスDC電源に電気的に接続される。
代替的には、図3に示されるように、磁性膜層2は、(少なくとも1つの交互に配置される磁性膜層2および絶縁層3の対を含む)磁性薄膜積層構造体の頂層上にさらに配置される。
Claims (22)
- 接着層と、
磁性/絶縁ユニットと、を備え、前記磁性/絶縁ユニットは、少なくとも1つの交互に配置される磁性膜層および絶縁層の対を含み、
前記磁性膜層は前記接着層上に位置し、前記絶縁層は前記磁性膜層上に位置する磁性薄膜積層構造体であって、
前記磁性薄膜積層構造体は、少なくとも2つの磁性積層膜ユニットを備え、前記磁性積層膜ユニットの各々は、前記接着層、前記磁性/絶縁ユニット、および前記磁性膜層を含み、
前記接着層は圧縮応力を有する材料で作製され、前記圧縮応力を有する材料はTa膜、TaN膜またはTiN膜を含む、磁性薄膜積層構造体。 - 1つの磁性膜層が、前記磁性薄膜積層構造体の頂層上にさらに設けられる、請求項1に記載の磁性薄膜積層構造体。
- 前記磁性薄膜積層構造体の総厚は、400〜3000nmの範囲にわたる、請求項1に記載の磁性薄膜積層構造体。
- 交互に配置される前記磁性膜層および前記絶縁層の対の数は、2〜50である、請求項1に記載の磁性薄膜積層構造体。
- 前記接着層の厚さは、3〜50nmの範囲にわたる、請求項1に記載の磁性薄膜積層構造体。
- 磁性コアを備えるマイクロ誘導装置であって、前記磁性コアは、請求項1に記載の磁性薄膜積層構造体を用いることによって製造され、前記マイクロ誘導装置の印加周波数は100MHz〜5GHzである、磁性コアを備えるマイクロ誘導装置。
- S1、処理対象物上に接着層を堆積するステップと、
S2、前記接着層上に磁性/絶縁ユニットを堆積するステップと、を備え、前記磁性/絶縁ユニットは、少なくとも1つの交互に配置される磁性膜層および絶縁層の対を含み、前記ステップS2において、前記磁性膜層は前記接着層上に堆積され、前記絶縁層は前記磁性膜層上に堆積される磁性薄膜積層構造体の堆積方法であって、
前記磁性薄膜積層構造体の堆積方法は、ステップS3:前記磁性/絶縁ユニット上に磁性膜の層を堆積することをさらに備え、
前記ステップS1、前記ステップS2および前記ステップS3が少なくとも2回交互に行われ、
前記接着層は圧縮応力を有する材料で作製され、前記圧縮応力を有する材料はTa膜、TaN膜またはTiN膜を含む、磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - 前記ステップS1において、前記接着層はスパッタリング法によって堆積され、前記スパッタリング法において、ターゲットはパルス直流(DC)電源に電気的に接続され、パルスDC電力によるスパッタリング電力出力は15kW以下である、または、
前記ターゲットは無線周波数(RF)電源に電気的に接続され、RF電力出力のスパッタリング電力は3kW以下である、または、
前記ターゲットはDC電源に電気的に接続され、DC電力出力のスパッタリング電力は20kW以下である、請求項7に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - 前記ターゲットが前記パルスDC電源に電気的に接続される状況において、前記パルスDC電源によるスパッタリング電力出力は3〜10kWの範囲にわたる、または、
前記ターゲットが前記RF電源に電気的に接続される状況において、前記RF電源による前記スパッタリング電力出力は0.3〜1.5kWの範囲にわたる、または、
前記ターゲットがDC電源に電気的に接続される状況において、前記DC電源による前記スパッタリング電力出力は15〜19kWの範囲にわたる、請求項8に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - 前記ステップS1において、前記接着層はスパッタリング法によって堆積され、
前記スパッタリング法の処理圧力は5mTorr以下である、請求項7に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - 前記スパッタリング法の前記処理圧力は0.5〜2mTorrの範囲にわたる、請求項10に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。
- 前記磁性膜層は、軟磁性特性を有する材料で作製される、請求項7に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。
- 前記軟磁性特性を有する材料は、NiFeパーマロイ材料、CoZrTa非晶質材料、Co系材料、Fe系材料、またはNi系材料を含む、請求項12に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。
- 前記ステップS2において、前記磁性膜層はスパッタリング法によって堆積され、前記スパッタリング法において、ターゲットは励起電源に電気的に接続され、
前記励起電源によるスパッタリング電力出力は2kW以下であり、
前記スパッタリング法の処理圧力は5mTorr以下である、請求項7に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - スパッタリング電力は0.5〜1.5kWの範囲にわたり、
前記スパッタリング法の前記処理圧力は0.3〜3mTorrの範囲にわたる、請求項14に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - 前記磁性膜層がウェハ上に堆積される間に、前記磁性薄膜積層構造体を堆積するために前記ウェハの近傍に水平方向の磁界を形成するために、バイアス磁界装置が用いられ、前記水平方向の磁界は堆積された前記磁性膜層が面内異方性を有するように構成される、請求項7に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。
- 前記絶縁層は、非磁性材料で作製される、請求項7に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。
- 前記非磁性材料は、Cu、Ta、SiO2またはTiO2を含む、請求項17に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。
- 前記ステップS2において、前記絶縁層はスパッタリング法によって堆積され、前記スパッタリング法において、ターゲットは励起電源に電気的に接続され、
前記励起電源によるスパッタリング電力出力は5kW以下であり、
前記スパッタリング法の処理圧力は20mTorr以下である、請求項7に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - 前記励起電源による前記スパッタリング電力出力は1〜2kwであり、
前記スパッタリング法の前記処理圧力は、9〜12mTorrの範囲にわたる、請求項19に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - 前記接着層の厚さは50〜300nmであり、
前記磁性膜層の厚さは30〜200nmであり、
前記絶縁層の厚さは3〜10nmである、請求項7に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。 - 前記接着層の厚さは80〜200nmであり、
前記磁性膜層の厚さは50〜150nmであり、
前記絶縁層の厚さは5〜8nmである、請求項21に記載の磁性薄膜積層構造体の堆積方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610929057.9A CN108022751B (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件 |
CN201610929057.9 | 2016-10-31 | ||
PCT/CN2017/107630 WO2018077180A1 (zh) | 2016-10-31 | 2017-10-25 | 磁性薄膜叠层结构的沉积方法、磁性薄膜叠层结构及微电感器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020501341A JP2020501341A (ja) | 2020-01-16 |
JP6901557B2 true JP6901557B2 (ja) | 2021-07-14 |
Family
ID=62023117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019522894A Active JP6901557B2 (ja) | 2016-10-31 | 2017-10-25 | 磁性薄膜積層構造体の堆積方法、磁性薄膜積層構造体およびマイクロインダクタンス装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11699541B2 (ja) |
JP (1) | JP6901557B2 (ja) |
KR (1) | KR102159893B1 (ja) |
CN (1) | CN108022751B (ja) |
SG (1) | SG11201903536VA (ja) |
TW (2) | TWI732962B (ja) |
WO (1) | WO2018077180A1 (ja) |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4608297A (en) * | 1982-04-21 | 1986-08-26 | Showa Denka Kabushiki Kaisha | Multilayer composite soft magnetic material comprising amorphous and insulating layers and a method for manufacturing the core of a magnetic head and a reactor |
US4687712A (en) * | 1983-12-12 | 1987-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vertical magnetic recording medium |
JPS61180914A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Canon Inc | 磁気ヘツド基板の製造方法 |
JP2696989B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1998-01-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 多層磁性膜 |
JPH03112106A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-13 | Amorufuasu Denshi Device Kenkyusho:Kk | 多層磁性薄膜およびその製造方法 |
FR2655180B1 (fr) * | 1989-11-28 | 1992-02-07 | Commissariat Energie Atomique | Materiau magnetique composite en feuilles et son procede de fabrication. |
JPH03278409A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 積層軟磁性薄膜 |
JP2741277B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1998-04-15 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜超電導体およびその製造方法 |
JPH09293207A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
JP4457530B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2010-04-28 | 日立金属株式会社 | 永久磁石薄膜 |
WO2003021610A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Tdk Corporation | Element stratifie constitue d'un materiau magnetique doux, feuille constituee d'un materiau magnetique doux et procede de production dudit element stratifie |
US7989095B2 (en) * | 2004-12-28 | 2011-08-02 | General Electric Company | Magnetic layer with nanodispersoids having a bimodal distribution |
JP4773254B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-09-14 | 太陽誘電株式会社 | 高周波磁性薄膜及び高周波電子デバイス |
CN100517642C (zh) * | 2006-12-22 | 2009-07-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 通孔的形成方法 |
JP4720808B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2011-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 接着シート、接合方法および接合体 |
CN101260514B (zh) * | 2008-04-10 | 2011-08-10 | 兰州大学 | 一种制备高频软磁薄膜的方法及装置 |
CN101285170B (zh) * | 2008-05-08 | 2010-09-08 | 兰州大学 | 制备宽频带吸波磁性多层膜的方法 |
JP5105333B2 (ja) * | 2008-08-18 | 2012-12-26 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
WO2011068695A1 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer emi shielding thin film with high rf permeability |
JP5670638B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2015-02-18 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
US8300356B2 (en) * | 2010-05-11 | 2012-10-30 | Headway Technologies, Inc. | CoFe/Ni Multilayer film with perpendicular anistropy for microwave assisted magnetic recording |
JP5403279B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2014-01-29 | 戸田工業株式会社 | Rfタグの製造方法、磁性体アンテナの製造方法及び当該rfタグを実装した基板、通信システム |
CN102623434B (zh) * | 2011-01-31 | 2015-02-18 | 北京泰龙电子技术有限公司 | 一种扩散阻挡层及其制备方法 |
JP5972267B2 (ja) | 2011-08-02 | 2016-08-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置および補助容量線の駆動方法 |
WO2013025878A1 (en) * | 2011-08-16 | 2013-02-21 | Georgia Tech Research Corporation | Magnetic devices utilizing nanocomposite films layered with adhesives |
CN103929933B (zh) * | 2013-01-10 | 2017-04-12 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 抑制电磁波干扰结构及具有该结构的软性印刷电路板 |
US9495989B2 (en) * | 2013-02-06 | 2016-11-15 | International Business Machines Corporation | Laminating magnetic cores for on-chip magnetic devices |
CN105449096B (zh) * | 2015-11-17 | 2017-10-24 | 四川大学 | 磁性薄膜结构及其制造、使用方法和磁敏传感单元、阵列 |
-
2016
- 2016-10-31 CN CN201610929057.9A patent/CN108022751B/zh active Active
-
2017
- 2017-10-23 TW TW106136359A patent/TWI732962B/zh active
- 2017-10-23 TW TW110118856A patent/TWI754592B/zh active
- 2017-10-25 SG SG11201903536VA patent/SG11201903536VA/en unknown
- 2017-10-25 WO PCT/CN2017/107630 patent/WO2018077180A1/zh active Application Filing
- 2017-10-25 KR KR1020197013887A patent/KR102159893B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-25 JP JP2019522894A patent/JP6901557B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-17 US US16/386,750 patent/US11699541B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-26 US US18/324,705 patent/US20230298789A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201903536VA (en) | 2019-05-30 |
WO2018077180A1 (zh) | 2018-05-03 |
TWI754592B (zh) | 2022-02-01 |
US11699541B2 (en) | 2023-07-11 |
CN108022751A (zh) | 2018-05-11 |
JP2020501341A (ja) | 2020-01-16 |
KR20190065415A (ko) | 2019-06-11 |
TW202135105A (zh) | 2021-09-16 |
TW201818435A (zh) | 2018-05-16 |
CN108022751B (zh) | 2022-01-11 |
TWI732962B (zh) | 2021-07-11 |
KR102159893B1 (ko) | 2020-09-24 |
US20230298789A1 (en) | 2023-09-21 |
US20190244736A1 (en) | 2019-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20190244754A1 (en) | Magnetic thin film deposition chamber and thin film deposition apparatus | |
JP2008192645A (ja) | 薄膜磁気デバイスおよびその製造方法 | |
US11798725B2 (en) | Magnetic laminate, magnetic structure including same, electronic component including magnetic laminate or magnetic structure, and method for producing magnetic laminate | |
JP2006032587A (ja) | インダクタンス部品およびその製造方法 | |
JPH11340037A (ja) | 軟磁性膜、軟磁性多層膜、およびそれらの製造方法並びにそれらを用いた磁性体素子 | |
TW201908503A (zh) | 磁性薄膜沉積腔室及薄膜沉積裝置 | |
JP6901557B2 (ja) | 磁性薄膜積層構造体の堆積方法、磁性薄膜積層構造体およびマイクロインダクタンス装置 | |
JP2020106401A (ja) | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 | |
JPWO2013147268A1 (ja) | 伝送線路及び配線基板、並びに、これらを用いた高周波装置 | |
JP2007221145A (ja) | マイクロインダクタ及びその製造方法 | |
JP2006287093A (ja) | インダクタンス部品およびその製造方法 | |
JP4998292B2 (ja) | 磁性薄膜および薄膜磁気デバイス | |
Song et al. | Characteristics of film type inductors using a FeZrBAg magnetic material | |
JPH0963844A (ja) | 積層磁性膜およびそれを用いた薄膜磁気素子 | |
JP2004235355A (ja) | 軟磁性部材およびそれを用いた磁気素子 | |
Takamura et al. | Fabrication of CoFeB-SiO 2 Films with Large Uniaxial Anisotropic by Facing Target Sputtering and its Application to High Frequency Planar Type Spiral Inductors | |
JP2005109246A (ja) | 高周波用磁性薄膜、その作製方法及び磁気素子 | |
JPWO2005027154A1 (ja) | 高周波用磁性薄膜、その作製方法および磁気素子 | |
JPH09223636A (ja) | 磁性部品およびその製法 | |
Yamashita et al. | Effects of laser spot size on the microstructure and magnetic properties of PLD fabricated Fe-Co films | |
JP2007073551A (ja) | 磁性多層膜及びその製造方法 | |
JP4893366B2 (ja) | 薄膜磁気デバイス | |
Saidani et al. | Hybrid flex foil-ferrite technology for miniaturized power and RF applications | |
Wei et al. | Investigation on the soft-magnetic properties of CoZrTaB laminated cores by dielectric layer tuning | |
KR20070082494A (ko) | 마이크로 인덕터 및 그 제작 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200908 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210302 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210302 |
|
C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C11 Effective date: 20210316 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210430 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210617 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6901557 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |