JP4893366B2 - 薄膜磁気デバイス - Google Patents
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Description
また、これら帯状磁性膜またはスリットは、薄膜コイルの延在領域をその巻回方向に沿って分割してなる4つの領域のうちの互いに対向する一対の領域にのみ形成されていることから、4つの領域全てに形成されている場合と比べ、反磁場の影響による透磁率の低下が抑えられる。よって、高周波領域である程度の透磁率を維持するのが容易となる。
更に、上記帯状磁性膜またはスリットは、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域(上記一対の領域に対応)にのみ、この磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成されている。これにより、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域の高周波での透磁率が選択的に増加される。
加えて、帯状磁性膜またはスリットの長手方向が磁化容易軸と直交していることから、この磁化容易軸の方向が帯状磁性膜またはスリットの幅方向と一致することとなり、磁化容易軸と薄膜コイルとが平行な場合のみならず直交している場合においても、高周波領域である程度の透磁率が維持される。よって、高周波領域での透磁率がより効果的に向上する。
図1および図2は、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気デバイスとしての薄膜インダクタ1の構成を表しており、図1はX−Y平面構成を、図2は図1に示したII−II線に沿ったX−Z断面構成を表している。この薄膜インダクタ1は、基板11上に、絶縁膜12、薄膜状のコイル13、および磁性膜14がこの順に形成された積層構造を有している。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
Claims (4)
- 薄膜コイルと、
前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延設された複数の帯状磁性膜と
を備え、
前記複数の帯状磁性膜は、前記薄膜コイルの延在領域をその巻回方向に沿って分割してなる4つの領域のうちの互いに対向する一対の領域である、前記帯状磁性膜の磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域にのみ、前記磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。 - 前記帯状磁性膜は、前記薄膜コイルのパターンに重なるように形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気デバイス。 - 薄膜コイルと、
前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延びる複数のスリットが形成された磁性膜と
を備え、
前記複数のスリットは、前記薄膜コイルの延在領域をその巻回方向に沿って分割してなる4つの領域のうちの互いに対向する一対の領域である、前記磁性膜の磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域にのみ、前記磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。 - 前記スリットは、前記薄膜コイルのパターン間領域に形成されている
ことを特徴とする請求項3に記載の薄膜磁気デバイス。
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