JP2007221145A - マイクロインダクタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
FeCuNbCrSiBからなる磁性コア及びこれを巻くコイルを含むマイクロインダクタが開示される。
【解決手段】
本マイクロインダクタは、FeCuNbCrSiBからなる磁性コアと、コイルを絶縁させる絶縁体と、磁性コア及びコイルを保持する基板、パッドなどを更に含む。絶縁体は、アルミニウムオキサイド又はポリイミドになることができる。
これにより、高い動作特性を有するマイクロインダクタを超小型に具現することができるようになる。
【選択図】図3
Description
特に、磁性膜を用いるインダクタを備えたDC−DCコンバータの場合、CDMA(Code Division Multiple Access)携帯電話機、ADSL(Asymmetric Digital Subscriber Line)ネットワーク装置、コンピューターシステム、CPU(Central Processing Unit)、DVD(Digital Versatile Disk)ドライバ、ノートPC、デジタルカメラ、カムコーダーなどのような各種製品に幅広く用いられる。
これを改善するために、最近ではMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術およびクアシリガ(quasi−LIGA)技術を用いてNiFeからなる磁性コアを使う3Dマイクロインダクタを製造することが一般である。
図1Aないし図1Dは、NiFe磁性コアを用いるマイクロインダクタの特性を説明するためのグラフである。図1Aないし図1Dは、磁性コアが二辺を備えた四角環状の薄膜として製造され、コイルが二辺をそれぞれ巻きながら互いに連結されている構造のマイクロインダクタを用いて実験した実験グラフである。
しかし、NiFeを磁性コアとして使いつつ適切な大きさのインダクタンスやQファクタを獲得するためには、一定値(大略10μm)以上の厚さを有する磁性コアを備えなければならない。一般的に、磁性コアの磁気特性はマイクロインダクタの性能改善に大きい影響を与える。従って、磁気特性に優れた新しい物質の磁性コアを備えることにより、性能が優秀で超小型に具現することができるマイクロインダクタの開発への必要性が台頭されている。
「fabrication ofhigh frequency DC−DC converter using Ti/FeTaNfilm inductor」(C.S.Kim, IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS, vol. 37, no.4, 2894−2896, July, 2001) 「Ultralow−profile micromachined power inductors with highly laminated NI/Fe cores : application to low−megahertz DC−DC converters」(J.W.Park, IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS, vol. 39, No.5,3184−3186, September 2003)
好ましくは、前記磁性コアを絶縁させる絶縁体を更に含むことができる。
この場合、前記絶縁体は、アルミニウムオキサイド又はポリイミドになることができる。
より好ましくは、前記コイルは、前記基板と前記磁性コアとの間に位置する下部コイルパターンと、前記磁性コアの上側に位置する上部コイルパターンと、前記下部コイルパターンと前記上部コイルパターンとを連結させるビアと、を含むことができる。
この場合、前記コイルは、前記磁性コアの二辺のうち第1辺を巻く第1コイルと、前記磁性コアの二辺のうち第2辺を巻き、一端が前記第1コイルと連結される第2コイルと、を含むことができる。
好ましくは、前記コイルの各巻き線の幅は20〜40μm、各巻き線の厚さは5〜20μm、各巻き線間の空間は20〜40μmであることができる。
一方、本発明の一実施形態によると、磁性コア及び前記磁性コアを巻いたコイルを備えるマイクロインダクタを製造するマイクロインダクタの製造方法は、(a)基板上に下部コイルパターンを製造するステップと、(b)前記下部コイルパターンが製造された基板上にFeCuNbCrSiBからなる磁性コアを所定パターンに形成するステップと、(c)前記下部コイルパターンと連結されるビアパターンを製造するステップと、(d)前記ビアパターンと連結された上部コイルパターンを積層し、前記磁性コアを巻いた形のコイルを製造するステップと、を含む。
より好ましくは、前記(b)ステップは、FeCuNbCrSiBサンプルを用いたスパッタリング工程を行い、FeCuNbCrSiB薄膜を前記下部コイルパターンが製造された基板上に積層するステップと、前記FeCuNbCrSiB薄膜をパタニングし、前記磁性コアを製造するステップと、を含む。
一方、磁場が印加された所定温度の真空炉内に前記マイクロインダクタを配置し、アニールするステップを更に含むことも好ましい。
より好ましくは、前記スパッタリング工程は、前記下部コイルパターンが製造された基板と前記FeCuNbCrSiBサンプルが内部に配置されたスパッタリングチャンバー内において、次のようなスパッタリングの条件下で行なわれることができる。スパッタリングの条件は、スパッタリングチャンバーの内部気体:アルゴン、スパッタリングチャンバーの内部圧力:4.2Pa、スパッタリング時間:1〜2h、スパッタリング電力:600W、フローレート:13SCCM、磁場の大きさ:16kA/mであり、磁場の方向は前記基板表面に平行した方向になる。
図2は、本発明のマイクロインダクタの構成を概略的に説明するための模式図である。同図によると、本マイクロインダクタは磁性コア110及びコイル120を含む。
磁性コア110はFeCuNbCrSiBからなる。図2において、磁性コア110が2つの棒状111、112をなしているが、磁性コア110の構造は相対向する二辺を有する四角環状のような閉磁路(closed magnetic circuit)を形成することもできる。
図3は、本発明の一実施形態に係るマイクロインダクタの構成を示す平面図である。同図に係るマイクロインダクタは、基板200、磁性コア210、コイル220、パッド231、232を含む。
コイル220は、磁性コア210の相対向する二辺のうち一辺を巻く第1コイル221及び他辺を巻く第2コイル222を含む。
第1コイル221の一端は第1パッド231と連結され、他端は第2コイル222の一端と連結される。第2コイル222の他端は第2パッド232と連結される。
図4は、図3のマイクロインダクタの構成を示す斜視図である。同図によると、第1コイル221及び第2コイル222は、それぞれ下部コイルパターン221c、222c、ビア221b、222b、上部コイルパターン221a、222aを含む。下部コイルパターン221c、222cは基板200の表面、つまり磁性コア210の下側に製造され、上部コイルパターン221a、222aは磁性コア210の上側に製造される。ビア221b、222bは磁性コア210の第1及び第2辺211、212それぞれの両側面に製造され、下部コイルパターン221c、222cと上部コイルパターン221a、222aをそれぞれ連結する。
絶縁体240としては、ポリイミド又はアルミニウムオキサイドを使うことができる。
好ましくは、Cr/Cuシード層201は、次のようなスパッタリング条件を用いてスパッタリングすることができる。
[シード層スパッタリングの条件]
1.基板真空度:4×10−4Pa
2.Ar圧力:0.67Pa
3.スパッタリング電力:800W
4.Arフローレート:20SCCM
シード層201が積層されると、フォトレジスト(図示せず)を用いて下部コイルパターン221c及び第1下部パッド231aを製造する。具体的には、シード層201をパタニングした後、フォトレジスト(図示せず)を大略厚さ10μmに塗布し、90℃〜95℃程度の温度で60分程度加熱した後、露光及び現像過程を行い、シード層210を用いてメッキすることにより、下部コイルパターン221c及び第1下部パッド231aを製造することができる。メッキ物質としては、Cuを使うことができる。この場合、図9Aでは図示していないが、磁性コア210の第2辺212に対応される位置の下部コイルパターン222c及び第2パッド232も同時に製造される。
絶縁体240は次のようなスパッタリング条件を用いてスパッタリングを行なうことができる。
[絶縁体スパッタリングの条件]
1.基板真空度(substrate vacuum):4×10−4Pa
2.Ar圧力:2.66Pa
3.スパッタリング電力:4000W
4.Arフローレート:70SCCM
次に、図9Cのように磁性コアの一辺211とともに磁性コア210を製造する。具体的にはCrシード層203を厚さ20〜30nmにスパッタリングした後、FeCuNbCrSiB薄膜を厚さ2〜6μmにスパッタリングしてパタニングすることにより、磁性コアの一辺211とともに磁性コア210が製造される。
磁性体は、下記のようなスパッタリングの条件下でスパッタリングを行なうことができる。
[FeCuNbCrSiBスパッタリングの条件]
1.基板真空度(substrate vacuum):1.1×10−4Pa
2.Ar圧力:4.2Pa
3.スパッタリング電力:600W
4.Arフローレート:13SCCM
5.スパッタリング時間:1〜2h
6.磁場:16kA/m
ここで、磁場は磁性コア210の長辺に平行な方向に印加されることができる。また、磁場は、基板200表面に平行な方向に印加されても良い。
以上のように、磁性コア210の製造が完了すると、磁性コアの一辺211とともに磁性コア210を覆うように絶縁体240をさらに形成する。その後、図9Dにように、絶縁体240を貫通するビア221b及びパッド231を完成する。具体的には、磁性コア210が製造された状態で厚さ約20μmのフォトレジストを積層した後、露光及び現像過程を行なってビア及びパッド部位が現れるようにする。つまり、露光及び現像により、絶縁体240をエッチングし、下部コイルパターン221c及び第1下部パッド231aを露出する。そして、メッキ過程により第1上部パッド231bとビアパターン221bを製造する。次に、CMPにより絶縁体240の上面が平たくなるように研磨する。
このように、コイル220構造が完成されると、真空炉の中にマイクロインダクタを配置した後、30分の間磁場を印加しつつ250℃で加熱し、マイクロインダクタの製造を完了することができる。それぞれのマイクロインダクタは基板をダイシングして分離し、このときメッキのために連結された不要の配線が断絶され得る。
図1Aないし図1Dと図10Aないし図10Dとをそれぞれ比較すると、厚さ10μmのNiFe磁性コアを使った時のインピーダンス及びQファクタの特性と、厚さ3〜6μmのFeCuNbCrSiB磁性コアを使った時のインピーダンス及びQファクタの特性がほぼ類似に表れることが分かる。結果的に、従来のマイクロインダクタに比べ磁性コアの厚さを半分程度に縮小させることが可能になるため、マイクロインダクタの全体のサイズも減少する。
具体的には、磁性コアが製造されたサンプルをそれぞれ300℃、400℃、500℃、及び600℃の温度でそれぞれ30分間加熱した後、一定時間が経過するとその特性変化をチェックする実験が行なわれる。
図11Aないし図11Eは、各温度ごとに撮影した電子顕微鏡の撮影写真である。図11Aは積層されたそのままの状態、図11Bは300℃で加熱した状態、図11Cは400℃で加熱した状態、図11Dは500℃で加熱した状態、図11Eは600℃で加熱した状態で磁性コア210の表面を撮影した写真である。図11Aないし図11Eを見ると、加熱前の磁性コアの表面は無定形状態であることが分かるが、400℃の温度において定形化が開始されていることが分かる。温度が500℃以上になると、ナノメートルサイズの微細結晶が生成される。
120、220 コイル
231、232 パッド
200 基板
Claims (18)
- FeCuNbCrSiBからなる磁性コアと、
前記磁性コアを巻くコイルと、
を含むことを特徴とするマイクロインダクタ。 - 前記磁性コアを絶縁させる絶縁体を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のマイクロインダクタ。
- 前記絶縁体は、アルミニウムオキサイドであることを特徴とする請求項2に記載のマイクロインダクタ。
- 前記絶縁体は、ポリイミドであることを特徴とする請求項2に記載のマイクロインダクタ。
- 前記磁性コア及び前記コイルを保持する基板と、
前記基板上に位置し、前記コイルと連結される複数のパッドと、
を更に含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマイクロインダクタ。 - 前記コイルは、
前記基板と前記磁性コアとの間に位置する下部コイルパターンと、
前記磁性コアの上側に位置する上部コイルパターンと、
前記下部コイルパターンと前記上部コイルパターンとを連結させるビアと、
を含むことを特徴とする請求項5に記載のマイクロインダクタ。 - 前記磁性コアは、
前記基板上にて相対向する形に配置される二辺を備えた閉磁路(closed magnetic circuit)であることを特徴とする請求項5に記載のマイクロインダクタ。 - 前記コイルは、
前記磁性コアの二辺のうち第1辺を巻く第1コイルと、
前記磁性コアの二辺のうち第2辺を巻き、一端が前記第1コイルと連結される第2コイルと、
を含むことを特徴とする請求項7に記載のマイクロインダクタ。 - 前記第1コイルの一端は前記複数のパッドのうち第1パッドと連結され、前記第1コイルの他端は前記第2コイルの一端と連結され、前記第2コイルの他端は前記複数のパッドのうち第2パッドと連結されることを特徴とする請求項8に記載のマイクロインダクタ。
- 前記コイルの各巻き線の幅は20〜40μm、各巻き線の厚さは5〜20μm、各巻き線間の間隔は20〜40μmであることを特徴とする請求項1に記載のマイクロインダクタ。
- 前記磁性コアは、厚さ2〜6μmの薄膜の形態であることを特徴とする請求項10に記載のマイクロインダクタ。
- 磁性コア及び前記磁性コアを巻いたコイルを備えるマイクロインダクタを製造するマイクロインダクタの製造方法において、
(a)基板上に下部コイルパターンを製造するステップと、
(b)前記下部コイルパターンが製造された基板上にFeCuNbCrSiBからなる磁性コアを所定パターンに形成するステップと、
(c)前記下部コイルパターンと連結されるビアパターンを製造するステップと、
(d)前記ビアパターンと連結された上部コイルパターンを積層し、前記磁性コアを巻いた形のコイルを製造するステップと、
を含むことを特徴とするマイクロインダクタの製造方法。 - 前記(a)ステップは、
前記基板の一表面にシード層を製造し、前記基板の少なくとも一つの表面上にアライメントマーク(alignment mark)を製造するステップと、
前記シード層に沿ってメッキし、前記下部コイルパターンを製造するステップと、含み、
前記(b)ないし(d)ステップは、前記アライメントマークを基準に対応する位置において行なわれることを特徴とする請求項12に記載のマイクロインダクタの製造方法。 - 前記(b)ステップは、
前記下部コイルの各々から所定の距離を隔てた位置に前記磁性コアを製造し、前記磁性コアは相対向する形に配置される二辺を備えた閉磁路であることを特徴とする請求項12に記載のマイクインダクタの製造方法。 - 前記(b)ステップは、
FeCuNbCrSiBサンプルを用いたスパッタリング工程を行い、FeCuNbCrSiB薄膜を前記下部コイルパターンが製造された基板上に積層するステップと、
前記FeCuNbCrSiB薄膜をパタニングし、前記磁性コアを製造するステップと、
を含むことを特徴とする請求項12に記載のマイクロインダクタの製造方法。 - 前記(c)ステップは、
前記ビアパターンとともにパッドを製造するステップを含むことを特徴とする請求項12に記載のマイクロインダクタの製造方法。 - 磁場の印加された所定温度の真空炉内に前記マイクロインダクタを配置し、アニールするステップを更に含むことを特徴とする請求項12に記載のマイクロインダクタの製造方法。
- 前記スパッタリング工程は、前記下部コイルパターンが製造された基板と前記FeCuNbCrSiBサンプルが内部に配置されたスパッタリングチャンバー内において、次のようなスパッタリングの条件下で行なわれることを特徴とする請求項15に記載のマイクロインダクタの製造方法。
スパッタリングチャンバーの内部気体:アルゴン
スパッタリングチャンバーの内部圧力:4.2Pa
スパッタリング時間:1〜2h
スパッタリング電力:600W
フローレート:13SCCM
磁場の大きさ:16kA/m
磁場の方向:前記基板表面に平行した方向
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