KR950011125B1 - 자기헤드의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

자기헤드의 제조방법
제1도는 종래 자기헤드의 구성을 보인 사시도.
제2도는 종래 자기헤드의 제조공정도.
제3도는 본 발명에 의해 제조된 자기헤드의 구성을 보인 사시도.
제4도는 본 발명에 의한 자기헤드의 제조공정도.
제5도는 종래 자기헤드와 본 발명에 의한 자기헤드의 출력 특성 비교 그래프.
본 발명은 자기헤드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 기록, 재생 효율과 생산 수율을 향상시킬 수 있도록 한 자기헤드의 제조방법에 관한 것이다.
지기기록의 기술 추세는 사용 주파수의 고주파화, 기록밀도의 고밀도화로 진행되고 있다. 기록밀도를 높이기 위해서는 테이프, 디스크 등 사용되는 매체의 항자력(Hc)이 큰 것이 요구되는데 매체의 항자력이 높아지면 이에 대응하는 자기헤드의 포화자화값 역시 높아져야 한다. 자기헤드의 포화자화값은 매체의 항자력 보다 5∼8배 커야 기록이 가능하게 된다. 현재 사용되고 있는 산화철계 테이프는 항자력이 500∼800(Oe) 정도를 포화자화가 5000(Gauss) 정도되는 페라이트(fetrite)계 헤드를 사용하였다.
그러나, 8mm DAT등에 사용되는 매체는 항자력이 1300(Oe) 정도 되기 때문에 기존의 페라이트 만을 사용한 자기헤드로는 기록이 어려워 고포화 자화값을 갖는 금속을 헤드 갭(gap) 사이에 박막형태로 성막(成膜)한 미그(MIG ; metal in gap) 헤드가 개발되었다.
제1도는 종래 미그 헤드의 구성을 보인 사시도로서, 도면에서 1은 페라이트를 보인 것이고, 2는 접합 글래스를 보인 것이며, 3은 강자성막을 보인 것이다.
제2도는 이러한 종래의 미그 헤드 제조 공정도를 보인 것으로, 먼저 (a)에 도시한 바와 같이, 페라이트 블록(1)을 준비하여 그 페라이트 블록(1)에 (b)와 같이 권선홈(1a)을 가공하고, (c)와 같이 트랙(1b)를 가공한다. 이어서 (d)와 같이 블록(1)의 상면과 권선홈(1a)위에 강자성막(3)을 성막하고, (e)와 같이 그위에 갭 물질(4)을 성막하며, 이어서 (f)와 같이 두 페라이트 블록(1) 사이에 글래스 봉(2')을 삽입하고 고온에서 가열 접합하여 (g)에 도시한 바와 같은 글래스 본딩 바(glass bonding bar)를 얻은 후 절단(slicing)하여 헤드 칩(head chip)을 얻는다.
상기 강자성막으로 열적 안정성이 우수하고, 내식성도 강한 샌더스트(SANDUST ; Fe, Al, Si합금)가 주로 사용되며, 이 자성막의 성막 방법은 스퍼터링(SPUTTERING)방법이 이용된다.
상기한 바와 같이, 종래 제조 공정에 있어서는 고온 접합시 사용되는 글래스는 내마모성, 내식성, 고열팽창계수가 요구되고, 적합한 작업온도가 요구되나, 이러한 모든 특성에 맞는 글래스를 제조하기는 매우 어렵다. 그리고, 미그 헤드는 기본적으로 금속자성막이 성막되어 있는데 이 금속자성막은 고온에서 자기적 특성이 열화되기 쉽고, 글래스와 반응하여 출력이 저하되는 문제점이 있어서, 따라서, 자기적 특성이 다소 떨어지더라도 고온 특성이 우수한 재료가 현재 사용되고 있으며, 자기적 특성이 우수하지만 열적 안정성이 떨어지는 재료는 사용할 수 없는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 결함을 해소하기 위하여 창안한 것이다.
본 발명의 특징은 글래스 접합후, 금속과 갭을 형성하는 방법으로 금속 강자성막이 열을 받지 않도록 하는 것이다. 그리고, 본 발명에서는 자기적 특성이 우수하나 열적 안정성이 좋지 않은 비정질 강자성막을 사용하여 자기헤드를 제조하는 것을 특징으로 하고 있다.
비정질 강자성막은 온도가 증가하면 어느 온도 이상에서 결정질로 변화하여 자기적 특성이 열화되어 기존의 방법으로 자기헤드를 제조할 경우에는 금속 강자성막을 성막하고 고온에서 글래스 본딩 작업을 하여야 하기 때문에 특성이 우수한 비정질 자성막을 사용할 수 없었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 특성이 우수한 강자성막을 사용하기 위하여 글래스 본딩 작업후 자성막과 갭을 구성하는 방법을 이용하고 있다.
이러한 본 발명에 사용되는 재료는 Mn-Zn 단결정 페라이트, 강자성막은 CoNbZr계 비정질 강자성막을 사용하였다.
CoNbZr계 자성재료는 400℃ 이상에서 결정질로 상변이하면서 자기적 특성이 열화되어 종래의 방법으로는 자기기록매체 제조시 문제가 되는 것이나, 다음 표에 보인 바와 같이, 자기적 특성이 우수하다.
[표] 측정에 사용된 자성물질
테이프 ME 테이프, Hc : 1450(Oe
제3도는 본 발명에 의해 제조된 자기헤드의 구성을 보인 사시도로서, 도면에서 11은 페라이트 블록, 12는 접합 글래스, 13은 강자성막을 각각 보인 것이고, 14는 갭물질을 보인 것이다.
제4도는 본 발명에 의한 자기헤드의 제조 공정도로서, 먼저 (a)(b)와 같이 Mn-Zn 단결정 페라이트 블록(11)에 권선홈(11a)을 가공하고, (c)(d)와 같이 어퍼 요크(upper yoke)(11b) 부분을 그라인딩(grinding)하며, (e)와 같이 두 페라이트 블록(11) 사이에 글래스 봉(12')을 삽입하고 (f)와 같이 고온에서 가열 접합한다. 이어서, 접동면 부분을 래핑(lapping)한후, (g)와 같이 자성막(13a)을 성막하고, (h)와 같이 횔을 사용하거나 식각공정을 행하여 반쪽을 제거하며, (i)와 같이 갭(gap)이 되는 물질 즉, 갭물질(SiO2)(14)을 성막한다. 이후, (j)와 같이 다시 강자성막(13)을 성막하고, 점선 이상의 부분에 상당하는 상층의 강자성막(13b) 및 갭(14)물질 부분을 래핑하여 제거한다.
이때 상면의 강자성막(13b)과 갭(14)물질을 일정 깊이 제거하여 제4도 (k)와 같이 페라이트 블록(11)의 상면에 갭(14)에 의하여 양분된 강자성막(13a,13b)이 형성되도록 한다.
제4도(k)의 상태에서 슬라이싱에 의하여 제3도와 같은 자기헤드를 완성한다.
이러한 제조 공정에서 일 실시예로서 자성막과 갭물질은 R.F 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)법으로 성막하였고, 글래스 본딩은 650℃에서 행하였다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명은 글래스 접합후 강자성막을 헤드 접동면에 성막하고, 갭을 형성하였기 때문에 강자성막이 고열을 받지 않도록 하면서 헤드 제작이 가능하다. 따라서, 고온 공정 때문에 헤드에 사용되지 못하였던 우수한 특성의 강자성막, 특히 비정질 강자성막을 자기헤드 재료로 사용할 수 있는 이점이 있다.
제5도는 본 발명에 의해 제조한 자기헤드와 종래 미그 헤드의 재생 출력대 주파수 관계를 비교하여 보인 그래프로서 여기서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 의한 자기헤드는 주파수 전대역에 걸쳐 기존의 미그헤드 보다 약 2.5dB 정도 높은 출력값을 나타내고 있다.

Claims (1)

  1. 페라이트 블록(11)에 권선홈(11a)과 어퍼 요크(11b) 부분을 형성하는 단계와, 두 페라이트 블록(11)을 접합 글래스(12)로 고온 가열 접합하는 단계와, 접합된 두 페라이트 블록(11)의 접동면 부분을 래핑하는 단계와, 그 접동면위에 강자성막(13a)을 형성하는 단계와, 상기 강자성막(13a)의 반족을 제거하는 단계와, 그 위에 갭물질을 형성하는 단계와, 상기 갭물질위에 강자성막(13b)을 성막하는 단계와, 상면의 강자성막(13b)과 갭(14)물질을 일정 깊이 제거하여 페라이트 블록(11)의 상면에 갭(14)에 의하여 양분된 강자성막(13a,13b)이 형성되도록 하는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
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