KR100239478B1 - 자기헤드 제조방법 - Google Patents

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KR100239478B1
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강남석
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구자홍
엘지전자주식회사
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    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/10Structure or manufacture of housings or shields for heads

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

자기헤드 제조방법은 갭물질을 내식성이 강한 물질로하여 글라스와 강자성막간의 반응을 억제함으로써 자기헤드의 효율을 향상시키기 위한 것으로서, 권선홈과 트랙홈이 형성된 코어에 강자성막을 형성하는 공정과, 상기 강자성막 위에 크롬질화물계로 갭물질을 형성하는 공정과, 상기와 같이 형성된 코어를 글라스 본딩하는 공정으로 이루어짐에 그 요지가 있다.

Description

자기헤드 제조방법
본 발명은 자기헤드에 관한 것으로, 특히 글라스(Glass)와 강자성 금속의 반응을 억제할 수 있는 갭물질로 이루어지는 자기헤드 제조방법에 관한 것이다.
최근의 자기 기록의 기록 추세는 사용 주파수의 고주파화, 기록 밀도의 고밀도화로 진행되고 있다.
이에 따라 기록 밀도를 높이기 위해서는 사용되는 매체(테이프 또는 디스크)의 높은 항자력(또는 보자력)이 요구된다.
그런데 매체의 항자력이 높아지면 이에 대응하는 자기헤드의 포화자화 값이 높아야 한다.
대체로 자기헤드의 포화자화 값을 매체의 항자력보다 5~8배 커야 기록 재생이 가능하다.
따라서 현재까지 사용되고 있는 산화철계 메디아(Media)는 매체의 항자력이 900[Oe] 이하이기 때문에 페라이트로만 구성된 헤드를 사용하였으나, 최근의 고기능 VCR(Video Cassette Recorder), 오디오(Audio)등의 자기헤드에 있어서는 항자력이 1500[Oe] 정도되기 때문에 기존의 페라이트만을 사용한 헤드로는 기록이 어려워 고포화자화 값을 갖는 금속을 페라이트 갭(Gap) 사이에 박막 형태로 성막한 MiG(Metal In Gap) 헤드가 개발되었다.
이하, 종래 기술에 따른 자기헤드에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 살펴보기로 하자.
도 1은 종래 기술에 따른 자기헤드의 구조를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 a-a'선상을 나타낸 단면도로서, 페라이트(1)에 권선홈이 형성되어 트랙홈 부분에 강자성막(2)과 갭물질(4)이 성막된 두 개의 페라이트(1)가 글라스(glass)에 의해 접합된 구조이다.
이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 자기헤드 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 하자.
도 3a 내지 도 3j는 일반적인 자기헤드 공정을 나타낸 사시도 및 단면도로서, 도 3a에 도시된 바와 같은 원소재인 Mn-Zn 단결정 페라이트(1)에 도 3b 및 3c에 도시된 바와 같이 권선홈과 트랙홈을 형성한 뒤 도 3d에 도시된 바와 같이 트랙홈이 형성된 부분에 강자성막(2)을 증착하고 그 위에 갭물질(4)을 성막한다.
이때의 강자성막(2)은 센더스트(Fe-Si-Al)를 사용하고 갭물질(4)은 SiO2를 사용한다.
이와 같이 형성된 페라이트(1)을 도 3e에 도시된 바와 같이 강자성막(2)이 형성된 면이 대응되도록 하여 도 3f에 도시된 바와 같이 글라스(3)를 사용하여 어닐링(Annealing) 공정으로 접합한다.
그리고, 도 3g에 도시된 바와 같이 원통 및 하부 연마하고 도 3h에 도시된 바와 같이 권선홈 가공 및 요철 가공한 다음 도 3i 및 도 3j에 도시된 바와 같이 애지므쓰 슬라이싱(Azimuth Slicing)하여 하나의 칩을 완성한다.
그러나 이러한 종래 제조방법에 따른 자기헤드는 제조 공정시, 갭물질을 성막하고 글라스를 사용하여 고온에서 접합하는데, 이때 글라스와 강자성막 사이에 갭물질이 존재하지만 반응을 억제하지 못하여 글라스와 강자성막이 반응하게 되어 강자성막이 침식됨으로 자기헤드 특성이 열화되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 갭물질을 내식성이 강한 물질로하여 글라스와 강자성막간의 반응을 억제함으로써 자기헤드의 효율을 향상시키도록 한 자기헤드 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
제1도는 종래 기술에 따른 자기헤드의 구조를 나타낸 사시도.
제2도는 제1도의 a-a'선상을 나타낸 단면도.
제3a도 내지 제3j도는 일반적인 자기헤드 공정을 나타낸 사시도 및 단면도.
제4도는 본 발명에 따른 자기헤드 특성을 나타낸 비교도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 페라이트 2 : 강자성막
3 : 글라스 4 : 갭물질
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 자기헤드 제조방법의 특징은, 권선홈과 트랙홈이 형성된 코어에 강자성막을 형성하는 공정과, 상기 강자성막 위에 크롬질화물계로 갭물질을 형성하는 공정과, 상기와 같이 형성된 코어를 글라스 본딩하는 공정으로 이루어지는데 있다.
이하, 본 발명에 따른 자기헤드 제조방법에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 살펴보기로 하자.
본 발명에 따른 자기헤드 제조방법은 전술한 종래 기술(도 3a 내지 도 3j)과 같으나 갭물질(4)을 글라스(3)와 강자성막(2)간의 반응을 억제할 수 있는 화학적으로 안정한 크롬 산화물계 또는 크롬 질화물계로 한 것이다.
즉, 도 3a 내지 도 3j에 도시된 바와 같이 페라이트(1)에 권선홈과 트랙홈을 형성하고 센더스트(Fe-Si-Al) 또는 Fe-Zr-N등의 강자성막(2)을 형성한다.
그리고, 강자성막(2)위에 크롬 질화막 또는 크롬 산화막 등의 갭물질(4)을 진공증착법인 스퍼터링(SPUTTERING)법으로 증착한다.
여기서, 스퍼터링 조건은 R, F 마그네트론 스퍼터링으로, 크롬 질화막을 증착할 경우에는 Ar+N2가스(N2분압이 1~10%)를 사용하고, 크롬 산화막(O2분압이 1~10%)을 증착할 경우에는 Ar+O2가스를 사용하여 1-20mTorr 압력으로 실시한다.
이와 같이 형성된 페라이트(1)를 글라스 본딩하고 애지므쓰 슬라이싱하여 자기헤드를 완성한다.
실시예로써, 강자성막(2)을 5㎛ 두께의 Fe, Zr, N박막으로 하고, 상기의 크롬 질화막 및 크롬 산화막 등의 갭물질(4)을 0.15㎛ 두께로 형성하여 600℃ 온도에서 글라스 본딩한 본 발명에 따른 자기헤드와 종래 기술에 따라 SiO2로 갭을 형성한 자기헤드를 비교한 결과를 도 4에 도시된 바와 같다.
여기서, 종래 기술에 따라 SiO2로 갭을 형성한 것보다 본 발명에 따라 갭물질(4)로 형성하면 전주파수 범위에서 약 2dB 정도로 재생 출력 특성이 향상됨을 알 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 자기헤드 제조방법은 갭물질로 안정한 크롬 산화물계 또는 크롬 질화물계를 사용하여 강자성막과 글라스의 반응을 억제시킴으로써 재생 출력 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 권선홈과 트랙홈이 형성된 코어에 강자성막을 형성하는 공정과; 상기 강자성막 위에 크롬질화물계로 갭물질을 형성하는 공정과; 상기와 같이 형성된 코어를 글라스 본딩하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 자기헤드 제조방법.
KR1019920009701A 1992-06-04 1992-06-04 자기헤드 제조방법 KR100239478B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01133204A (ja) * 1987-07-14 1989-05-25 Sanyo Electric Co Ltd 磁気ヘッド及びその製造方法

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