JPH01133204A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 げ】　産業上の利用分野 本発明は磁気ヘッド訃よびその製造方法に関し、特にビ
デオテープレコーダ（ＶＴＲ）、ディジタルオーディオ
テープレコーダ（ＤＡＴ　）等の磁気記録再生装置に使
用される磁気ヘッドおよびその製造方法に関するもので
ある。

（ロ）従来の技術 近年、ＶＴＲ，ＤＡＴ等の磁気記録再生装置においては
、記録信号の高密度化が進められており、この請密度紀
録に対応して、出性粉としてＦｅ１Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁
性金属薄膜を用い九抗磁力の高いメタルテープが使用さ
ｎるよりになって程度の尚い抗磁力ｔ−有するメタルテ
ープが用いられる。その理由は、Ｉａ気記録再生装ｊｉ
１に小型化する九めに記録密度を高める必要性から、石
号の記録波長を短くすることの可能な記録媒体が要求さ
ｎてき九九めである。

一方、このメタルテープに記録するために従来のフェラ
イトのみからなるｆｆ１９ｃヘツドを用いると、フェラ
イトの飽和磁束密度が高々５５００ガウス程度であるこ
とから磁気飽和現象が発生する念め、メタルテープの性
能を充分に活用することができない。そこで、この高い
抗磁力を有するメタルテープに対応する磁気ヘッドとし
ては、通常、磁気ヘッドとして要求さｎる磁気コアの高
周波特性や耐摩耗性の他に、磁気コアのギャップ近傍部
の飽和磁束密度が大きいことが要求さｎる。この要求を
満たすメタルチーブ対応型の磁気ヘッドとしては、磁気
飽和現象の最も生じやすい作動ギャップ近傍部分を、磁
気コアとして使用されるフェライトよりも飽和磁化の大
きな金属磁性材料（たとえば、パーマロイ、センダスト
、アモルファス磁性体〕で構成した磁気ヘッド（複合型
磁気ヘッドと称する）が提案さｎている。この複合型磁
気ヘッドは信頼性、磁気特性、耐摩耗性等の点で優ｎた
特性を有する。

第２４図は従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図である
。第２４図に示すように、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の強
磁性酸化物からなる１対の！気コア半体１ｍ、ｌｂが非
磁性材料を介して焚き合わせられてｍ成する作動ギャッ
プ２の近傍部に、飽和磁束密度の大きいセンダスト等の
強磁性金属薄膜３ａ１３ｂが形成されている。なお、ａ
気コア半体１ａ、ｌｂはガラス４によって接合さｎ１巻
線溝５が形成さｎでいる。

上述のような複合型磁気ヘッドの場合、強磁性金属薄膜
３ｍ、３ｂは、部面処理が施さ７″Ｌ九強愚性酸化物か
らなる基板の上面にスパッタリングによ、て付着形成さ
れる。しかしながら、強ｆｆｌ注金属薄膜と強磁性酸化
物からなる基板との接合界面近傍は成分元素の相互波数
や化学反応、あるいは結晶構造の非整合性等によって非
磁性化し、擬似ギャップとして作用する九め、磁気ヘッ
ドとしての性能に悪影響を及ぼす。

すなわち、第２４図に示すように、本来の作動ギャップ
２のほかに磁気コア半体１ｍ、１ｂと強磁性金属薄膜３
１，３ｂとの境界面６ａ、５ｂに擬似ギャップが形成さ
れる。たとえば、このような擬似ギャップが形成さｎる
境界面６＆、６ｂを有する磁気ヘッドを用いてＥ＆気気
テープ上孤立反転磁化を再生すれば、第２６図に示すよ
うに、本来の信号７に対して時間τ−ｔ／ｖだけｌＩ′
Ｕ後に擬似信号ｇａ、Ｂｂが再生さｎる。なお、ｔは強
磁性金属薄ｌｌ１１３ａ、３ｂのヘッド・テープ相対走
行方向の厚み、Ｖはヘッド・テープ間の札対走行速度で
ある。

また、記録波長λがｔと同程度−あるいはそれより短い
連続反転磁化を再生する場合、第２６図に示すような擬
似信号８ａ、８ｂはＩ［接観測さｎ難い。しかしながら
、再生出力の周波数特性を測定子ｎば、本来のｆＩＦ、
動ギャップ２による再生出力と擬似ギャップによる再生
出力との重ね合わせによ５．！２７１ａに示すように、
ｆ−ｎ−（Ｖ／ｌ）ｔ′満たす周波数において山、ｆ−
（ｎ−１／２）・（ｖ／ｌ）を満たす周波数において谷
となるようなうねりを有する周波数特注曲線が得られる
。

なお、ｎは自然数、ｆは１波数（Ｖ／λ〕を示す。

し九が、て、このような擬似ギャップが＋ｇｇさｎる境
界面６ｍ、６ｂｔＶする磁気ヘッドをＶＴＲやＤＡＴ等
に用いれば、擬似ギャップによる擬似信号がノイズとな
り、画質の劣化、あるいはエラーレートの増大等の悪影
響が磁気ヘッドとしての性能に及ぼさｎる。特に、第２
４因に示すよ５な擬似ギャップが発生する境界面６ｍ、
６ｂと作動ギャッｆ２とが平行な磁気ヘッドを用いると
、再生出力の周波数特性に波打ち現象が見られ、８／Ｎ
比の劣化を招く。

上述のような擬似ギャップの発生を抑えるなめに、フェ
ライト等の強磁性酸化物からなる基板の表面に、強磁性
金属薄膜を形成する直曲にシいて適切な投入電力の条件
による逆スパッタリング、１に施す方法が、九とえば、
特開昭６２−５７１１５号公報（ＧＩＩＢｓ／１ａ３）
Ｋ開示さｎている。

しかしながら、この方法によ、ても擬似ギャップの原因
となる加工変質層を完全に除去することができず、必ず
しも光分に擬似ギャップの発生を抑えることができない
という問題点があ、、穴。

ま几、擬似ギャップの発生を抑える九めに、少なくとも
、作動ギャップ近傍で強磁性酸化物と強磁性金属薄膜の
界面に酸化物材料および金属材料よりなる反応防止層を
介在させ几磁気ヘッドが特開昭６２−１４５５１０号公
報ＣＧ１１ＢＳ／１２７】に開示さｈている。しかしな
がら、このようにギャップ形成面に反応防止層を単に介
在させるだけでは光分に擬似ギャップの発生を抑えるこ
とができないという問題点があ、次。

さらに、第２５図に示すように、磁気コア半体ｌａ、ｌ
ｂと強磁性金属薄膜３＆、３ｂとの境界面ａｍ、ａｂを
作動ギャップ２の形成面に対して傾斜させ、非平行とす
ることによ、で、ｔとえ、擬似ギャップが発生してもヘ
ッドの性能には悪影響を及ぼさないようにし危複合型磁
気ヘッドが提案さｎている。しかしながら、このような
構造を有す・る、磁気ヘッドは、第２４図に示された境
界面６ｍ、６ｂと作動ギャップ２とが平行な磁気ヘッド
に比べて、その調造工程が複雑であり、コスト高になる
ため量産性に適しｔものではない。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は１紀の問題点を解消する几めになさｎ７ｔもの
で、磁気コア半体と強磁性金属薄膜との接合界面におけ
る擬似ギャップの発生を極力抑え、あるいは、その接合
界面が擬似ギ丁ツブとして動作することにより生じる悪
影響を光分に抑えることができるとともに、その調造工
程が簡単な磁気ヘッドおよびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。

に）課題を解決するための手段 本発明の１つの局面に従、九出式ヘッドは、１対の磁気
コア半体が非出性材料を介して英き合わせられてｆ１１
″動ギャップを前底するものであり、ｌ対の磁気コア半
体と強磁性薄膜とを備える。１対の磁気コア半体は強磁
性を有する酸化物からなり、作動ギャップを形成するた
めに突き合せらｎるべきギヤツブ形成面′Ｉ！−有する
。このギャップ形成面は強磁性酸化物の結晶が成長し７
′？、ままの状態の面ｔ−露出している。強磁性薄膜は
ギャップ形成面の上に形成され、強磁性を有する金属材
料からなるものである。好ま“しくけ、このギャップ形
成面はエツチング処理が施され次後、逆スパッタリング
により清浄化されることによ、て強磁性酸化物の結晶が
成長したままの状態の面を露出しているものである。

本発明の磁気ヘッドの好ましい実施例によｎば、この磁
気ヘッドは、ギャップ形成面と強磁性薄膜との間に介在
し、耐熱性を有する材料からなる耐熱性薄膜をさらに備
えるものである。好ましくは、この耐熱性薄膜の厚みは
１ｎｍ以上で、かつ作動ギャップの厚みの１０分の１以
下である。さらに好ましくは、この耐熱性薄膜の厚みは
２ｎｍ以上で、かつ作動ギャップの厚みの２０１分の１
以下である。耐熱性薄膜を構成する材料は５ｌｏ２を含
むものであり、強′ａ注薄膜を構成する金属材料はセン
ダストを含むものであり、さらに磁気コア半体を構成す
る酸化物はフェライトを含むものであｎばよい。ギャッ
プ形成面の表面粗さは耐熱性薄膜の厚みの１０倍以下で
あることが好ましい。

本発明のもう１つの局面に従つた磁気ヘッドは、１対の
磁気コア半体が非磁性材料を介して突き合わせられて作
動ギャップを構成するものであり、１対の磁気コア半体
と耐熱性薄膜と強磁性薄膜とを備える。１対の磁気コア
半体は強磁性酸化物からなり、作動ギャップを形成する
ために突き合わせらｊＬるべきギャップ形波面を有する
。このギャップ形成面は少なくともエツチング処理が施
さｎることにより清浄化されている。耐熱性薄膜はギャ
ップ形成面の上に形成され、耐熱性を有する材料からな
る。強磁性薄膜は耐熱性薄膜の上に形成され、強磁性を
Ｍする金属材料からなる。

本発明の１つの局面に従、た磁気ヘッドの製造方法は、
１対の磁気コア半体が非磁性材料を介して突き合わせら
Ｉして作」ギャップを構成する磁気ヘッドの製造方法で
ある。その製造方法によれば、まず、磁気コア半体部材
が準備される。この磁気コア半体部材は強磁注全臂する
酸化物からなり、作動ギャップを形成するために突き合
わせらｎるべきギャップ形成面を有するものである。次
に、このギャップ形成面が、強磁性酸化物の結晶が成長
したままの伏懐の面を露出するように処理さｎる。さら
に、この処理さｎたギャップ形成面の上に、強磁性を有
する金属材料からなる強磁性薄膜が形成される。好まし
くは、ギャップ形成面の処理はエツチング処理が施さｎ
、不活性ガスイオンによって逆スパッタリングがなさｎ
ることにより行なわｎる。

本発明の磁気ヘッドの製造方法の好ましい実施例によれ
ば、この製造方法は、ギャップ形成面と強磁性薄膜との
間に介在し、耐熱性を有する材料からなる耐熱性薄膜を
形成する工程をさらに備えるものである。ギャップ形成
面を処理する上で行なわれるエラをング処理は、磁気コ
ア半体部材をリン酸溶液に浸漬することによ、て行なわ
れるのが好ましい、また、耐熱性薄膜および強磁性薄膜
の形成方法はスパッタリングによ、て行なわｎるのが好
ましい。

本発明のもう１つの局面に従った磁気ヘッドの製造方法
によれば、まず、磁気コア半体部材が準備される。この
磁気コア半体部材は強磁性を有する酸化物からなり、作
動ギャップを形成する九めに突き合わせらｎるべきギャ
ップ形成面を有するものである。次に、このギャップ形
成面にエツチング処理が施さｎる。エツチング処理が施
され几ギャップ形成面の上に耐熱性を有する材料からな
る耐熱性薄膜が形成される。そして、この耐熱性薄膜の
上に強磁性を有する金属材料からなる強磁性薄膜が形成
される。

（ホ）作　用 本発明の１つの局面にし九がつ几磁気ヘッドによれば、
ａｌ磁気コア半体おけるギャップ形成面は強磁性酸化物
の結晶が成長したままの状態の面ｔｇ出している。その
ため、磁気コア半体と、ギャップ形成面の上に形成さｎ
る強磁性金属薄膜との境界部に存在し、擬似ギャップ発
生の原因となる加工に質層および不純物原子が完全に除
去されている。したがって、磁気コア半体と強磁性金属
薄膜との境界部には非磁性体が介在しておらず、この境
界部が擬似ギャップとして作用することはない。その結
果、擬琳ギャップによる磁気ヘッドの再生出力の劣化を
抑えることが可能である。

′！九、本発明の磁気ヘッドは、好ましくは、ギヤツデ
形成面と強磁性薄膜との間に介在し、耐熱性１ｋＶする
材料からなる耐熱性薄膜をさらに備える。この耐熱性酸
化物薄膜は化学的、あるいは熱力学的に安定である。そ
の几め、この耐熱性薄膜はガラス質に近い結晶構造を有
するので、高温状態にさらさｎることによりａｌ磁気コ
ア半体強磁性金属薄膜と反応したり、周囲の結晶構造を
乱したりすることはない、すなわち、磁気コア半体のギ
ャップ形成面と強磁性薄膜との間に介在する耐熱性薄膜
の膜厚を充分に小さくしておくことにより、磁気コア半
体と強磁性薄膜との間の界面に発生する擬似ギャップの
ギャップ長も充分に小さくすることができる。し九がつ
て、擬似ギャップによる磁気ヘッドの再生出力の劣化ｔ
−ａカ小さくすることが可能になる。

耐熱性薄膜を磁気コア半体のギャップ形成面と強磁性薄
膜との間に介在して形成する場合、そのギャップ形成面
は少なくともエラをング処理が施さｎることにより清浄
化されていれば、その耐熱性薄膜は擬似ギャップの発生
によるａ９ｃヘッドの再生出力の劣化を小さくするよう
に作用する。また、耐ｉ％性薄膜が形成さｎる磁気コア
半体のギャップ形成面は、エラをング処理が施され、逆
スパッタリングにより清浄化さｎることによ、て、強磁
性酸化物の結晶が成長したままの状態の面全露出してい
ｎば、上述のように擬似ギャップ発生の原因となる加工
変質層および不純物原子が完全に除去さｒｔ九ギャップ
形成面に耐熱性薄膜が形成さｎることとなる。そのため
、擬似ギャップの発生が極力抑えらｎ１磁気ヘツドの再
生出力の劣化をさらに小さくすることが可能になる。

（へ）実施例 以下、歯面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。

第１図はこの発明の１つの局面に従、几磁気ヘッドの外
観を示す斜視図である。図において、Ｍｎ−Ｚｎ系単結
晶あるいは多結晶フェライト、Ｎ１−Ｚｎ系単結晶ある
いは多結晶フェライト、フェロツクスプレーを等の強磁
性酸化物からなる磁気コア半体９ａ、９ｂのギャップ形
成面の上に、センダスト系合金、パーマロイ系合金、Ｆ
ｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｇｏ系合金、Ｆｅ−８１系合金
、Ｆｅ−（、％Ｇ金合金メタル−メタル系あるいはメタ
ル−メタロイド系のアモルファス合金等の強磁性金属薄
膜１１８％ｌｌｂがスパッタリングにより形成されてい
る。この場合、磁気コア半体９＆。

９ｂのギャップ形成面は、エツチング処理が施さｎた後
、逆スパッタリングにより清浄化さＣることによって強
磁性酸化物の結晶が成長したままの状態の面′Ｉｋ露出
している。このようなギャップ形成面の上に強磁性金属
薄膜１１ａ、ｌｌｂが形成されている。強母性金属薄膜
ｔｔａ、ｌｔｂ間に位置する作動ギャップ１２は５ｌｏ
２、Ｔｌ０ｚＡｌｔｏｓ１Ｔａｘｅｓ、Ｔｉ、Ｏｒ等の
非磁性材料から構成さｎる。磁気コア半体９＆、９ｂは
ガラス１３によ、て接合されている。ガラス１３によつ
て接合さｎ７を磁気コア半体ｇａ、ｇｂには巻線溝１４
が形成さｎている。

また、第２図はこの発明のもう１つの局面に従った磁気
ヘッドの外観を示す斜視図、第３図（１］は第２図に示
された磁気ヘッドのテープ摺接面を示す平面内である。

こｎらの図において、磁気コア半体９ａ、９ｂのギャッ
プ形成面の上には、耐熱性薄膜１０＆、１０ｂを介して
強磁性金属薄膜１１ａ％　ｌｌｂがスパッタリングによ
り形成さｎている。この耐熱性薄膜１０＆、Ｊｏｂは化
学的に安定な高融点金属あるいは温度変化によ、て酸素
との結合状態が変化しにくい酸化物であり、Ｔ１゜Ｃｒ
、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ等の高融点金属あるいは５１０２　、
Ｔｉ０ｚ　、ＺｒＯ２，Ａ１２ｏｓ　、Ｙ２Ｏ５，Ｔａ
ｚＯｓ、ＶｚＯｓ、ＭｇＯ，ＣａＯ等の耐熱性酸化物か
ら構成さｎる。ここで、ある元素人の酸化物を化学量論
的組成比で代表させて、ＡｘＢｙと表現しているが、Ｘ
ニアの比は実際には必ずしも簡単な整数比となるわけで
はない。本明細書では、このことを承知した上で、一般
的な慣習に従、て、酸化物を化学量論的組成比の化学記
号で表現する。こつ場合、耐熱性薄膜１０＆、１０ｂが
形成されるギャップ形成面は少なくともエツチング処理
が施されることにより清浄化されていればよく、あるい
はエツチング処理が施され九後、逆スパッタリングによ
り清浄化されることによ、て、磁気コア半体９＆、９ｂ
を構成する強磁性酸化物の結晶が成長し′ｆｃままの状
態の面を露出していｎばよい。なお、強磁性金属薄膜１
１ａ。

１１ｂの厚みｔは１−１０＊”ｗｆｌ’１６ギヤツプ１
２の厚みＧは０．１〜１ｊ１ｍ％耐熱性薄ａｔ　ｏ　＆
。

１０ｂの厚みδはｌｎｍ以上、Ｇ／１０以下であること
が好ましい。第２図に示される磁気ヘッドを構成する耐
熱性薄膜１０ａ１１０ｂ以外の他の材料は、第１図に示
さｎｆｃ磁気ヘッドと同様である。

また、本発明は第３１１（１３に示すようなテープ摺接
面を有する磁気ヘッド以外にも、九とえば、トラック幅
規制溝を形成し几後に耐熱性薄ｐｉｘ１０＆、Ｊｏｂお
よび強磁性金属薄膜１１ａ、１１１）を付着形成して得
らｎる第３−山〕に示すような磁気ヘッドに適用さｎ得
る。さらに、第３囚（ｅ）に示すように強磁性金属薄膜
１１＆、ｌｌｂの膜厚が異なる磁気ヘッドや、第３図（
ｄ）に示すように強磁性金属薄膜１１１＆、ｌｌｂが絶
縁層１８ａ、１８１）との積層構造となっているＴｉｌ
１気ヘツドにも本発明は適用され得る。なお、第３（２
）（ｅ］、第３図（０、第３図槍］に示すようなテープ
摺接面ｔ”有する磁気コア半体９ａ、９ｂと強磁性金属
薄＋１ｉＸ１１ａ、ｌｌｂとの接合界面が本来の作動ギ
ャップ１２の形成面に対して非平行となるテープ摺接面
を有する磁気ヘッドにも適用さｎ得る。第３図（ｅ）の
極端な場合として、第３図（ｈ）のように強磁性金属薄
膜が片側の磁気コア半体のみく形成さｎた磁気ヘッドに
も本発明は適用さｎ得る。

次に、この発明に従、た磁気ヘッドの製造方法の−＊ｉ
例について説明する。

まず、この発明の磁気ヘッドに用いらγしる磁気コア半
体の材料として、九とえば、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト
単結晶が製造さｎる。その製造方法によｎば、ＭｎＯ，
ＺｎＯ，ＦｅｚＯ５粉末が混合さｎ１グレス成形さｔ′
Ｌ念後、窒素雰＠凭中に訃いて温度的１４００℃で焼結
さｎることによってスピネル４造を有する多結晶フェラ
イトが作製される。この多結晶フェライトは結晶粒内の
格子欠陥や結晶粒界の空隙を多く含む九め、他結晶のま
まで磁気ヘッドの材料とする場合においてもホットプレ
ス法、あるいはＨＩＰ法等Ｏ昇温加圧処垣が施さｎる必
要がある。次に、このようにして得らｔた多結晶フエラ
イ）ｆ粉砕し洗の尖つを白金るつぼに装填する。＠４１
ｍに示すように、この白金るつぼ３５は縦型の炉にセッ
トされ、温度的１６５０℃において白金るつは３５内の
フェライトは完全に溶融さｎる。用いらｎる縦型の炉の
構成によれば、ステンレス台３１の上にアルミナ支持台
３２が置かｎている。炉の外壁はアルミナ保温管３４に
よって構成され、その外周にはワークコイル３６が設け
らｎている。アルミナ保温管３４の内部にはナセグタ３
３が設けられ、白金るつぼ３５が吊線３８によ、てチセ
プタ３３の内部に吊下げらｎる。サセプタ３３内の温度
分布は第５因に示すとおりである。このような縦型のＰ
を用いてフェライトが完全に溶融した後、白金るつぼ３
５が２〜１０ｗ／時間の速度で降下させられ、白金るつ
ぼ３５の先端に位置するフェライトから凝固が進行し、
単結晶が成長させらｎる。このとき、白金るつぼ３５の
先端に所望の結晶方位を有する種単結晶を装填しておく
ことによフ、単結晶の成長方位を制御することも可能で
ある。このようにして得らｎ九単結晶の結晶方位をラク
工法Ｘ線回折によ、て測定し、磁気ヘッドの材料として
所望の方位を有するクエへが得らｎるよりに単結晶か切
断さｎる。

上述のようにして得らｎ−７２−Ｍｎ−Ｚｎフェライト
単結晶からなる基板においてギャップ形成面は、本発明
に従って以下のように処理さる。第６図はこの発明に従
つ之フェライト基板のギャップ形成面の処理方法を工程
順に示す工程図である。

第６図を参照して、まず、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライ
ト基板が準備さｎる（工程Ａ）。このフェライト基板に
おいてギャップ形成面となる上面にダイヤモンド砥粒等
を用いて鏡面研磨が施されｔ後、その研磨処理によ、て
形成さｎ九基板上面の加工変質層がリン酸水溶液等によ
るエッチング処理によ、て除去さｎる（工程Ｂ〕。その
後、エツチング処理され次ギャップ形成面を有するフェ
ライト基板が高真空のスパッタリング装置に装着さｎ、
グロー放電によ、て生じ７ｔＡｒ＋イオンによりギャッ
プ形成面が逆スパッタリングさｎ１フ工ライト基板上面
に付漕した不純物が除去さｎる（工程Ｃ〕。さらに、Ｎ
６図のＵに示さｎる工程順によｎば、フェライト基板の
ギャップ形成面にＳｉＯ２等の虹熱性薄膜がスパッタリ
ング、蒸着等によ、て付層形成さｎる（工程Ｄ）。この
耐熱性薄膜の上にはセンダスト等の強磁性金属薄膜がス
パッタリングにより付着形成さｎる（工程Ｅ）。

なお、この発明の１つの局面によｎば、第６図の工に示
される工程順にし九が、て、ギャップ形成面が逆スパッ
タリングさｎた後、その上に強磁性薄膜が形成さｎても
よい。ま九、この発明のもう１つの局面によれば、第６
図の厘に示される工程順に従、て、ギャップ形成面がエ
ツチングさｎた後、耐熱性薄膜が形成さｎ、その上に強
磁性薄膜が形成されてもよい。

以下、この発明の磁気ヘッドの製造方法について嘉６図
のＨに示される工程順に従うて説明する。

まず、第６図の工８Ｂで行なわｎる処理について詳細に
説明する。上述によって準備さＢ　１１　Ｍ　ｎ−Ｚｎ
４！結晶フエライトからなるフェライト基板の上面に鏡
面研磨が施される。これによってフェライト基板２７の
上面は、Ｎ７図（ａ）に示すように、スピネル構造の完
全結晶１２８の上層に加工変質１−２９か形成さｎる。

この加工変質層２９は非晶質重、歪層、バルク層からな
る。加工変質／！１２９の上面、すなわち、フェライト
基板２７０表面にはＨ，Ｏ，Ｃ，Ｎ等の不純物原子２０
が吸着している。なお、加工変質層２９は完全結晶層２
８に比べて磁性が劣化している。

次に、フェライト基板２７を、たとえば、温度４０℃の
リン酸水溶液に３０分間浸し、ｌ、５Ｐｍのエツチング
を行なうことにより、力ｎ工変質層２９および不純物原
子２０が完全に取Ｖ除か訛る。

なお、フェライト基板２７を温度８０℃のリン酸水溶液
に浸すと、ｌ、５分間で１．５ｓｍのエツチングを行な
うことができる。このリン酸水溶液の温度ｆｃ４０℃未
満にすると、所定のエツチングを行なうｔめには長時間
ｔ−要し、８０℃以上にすると、後工程のリン酸除去が
困難となる。エラをング処理さｔ′Ｌ７ｔフェライト基
板２７０表面が完全結晶面であることは電子Ｍ回折によ
り確認される。リン酸以外にも硝酸や塩酸によ、て加工
変質層２９および不純物原子２０を除去することは可能
であるが、フェライト基板２７表面に凹凸が生じてしま
うので好ましくない。

このエツチング処理の工程においてエラをング量の下限
は前工程の鏡面研磨によ、て生じ几加工変質１ｆｌ　２
７が除去され得るところまでであり、上限は表面粗さが
エツチングによ、てあまり拡大さｎないところまでとす
る。

磁気コア半体部材として用いらｎるＭｎ−Ｚｎフェライ
ト単結晶の結晶方位は、第１図、第２図に示さｎる面９
０１が（１０Ｇ）面、面９０２が（１１０）面および面
９０３が（１１０）面であるもの、ま九は而９０１が（
１１１）面、面９０２が（１１２）面および面９０３か
（１１０）面であるものである。すなわち、磁気コア半
体９ａ１９ｂのギャップ形成面は（１００）面または（
１１１）面である。そこで、この発明に従−３−（行な
わｎるエツチング処理についてこｎらの２つの面（１０
０）面、（１１１１面の研磨およびエツチング処理に層
目して以下に説明する。

錫板上でダイヤモンド砥粒を用いてＭｎ−Ｚｎフェライ
ト単結晶の（１００）面を研磨する場合、加工変質層深
さおよび表面粗さの砥粒径依存性は第８（２）に示され
る。このような砥粒径と力ロエ変質層深さおよび表面粗
さの関係は（１１１）面２て関してもほぼ同様である。

ここで、加工変質層深さは、研磨面を濃リン酸でエツチ
ングし次後、電子線口折による菊池線パターンを観測し
、完全結晶面が現わｎるまでのエツチング深さとじｔ、
、ま友、表面粗さは研磨面の凹凸を触針式段差計によっ
て観測した蛋幅とした。、第８（２）によｎば、たとえ
ば、粒径２μｍのダイヤモンド砥粒を用いて研磨したＭ
ｎ−Ｚｎ７工ライトウエハ表面の煎工変質ａｍさは０．
３μｍである。すなわち、この研磨によって発生し几加
工変質層を除去するために必要なエツチング量は０．３
μｍ以上である。

一方、エツチング量は過大になると、フェライトウニへ
の表面粗さは拡太さ詐る。粒径２．ａｍのダイヤモンド
砥粒を用いて研磨しｆｔ、　Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライ
トウニへの表面粗さのエツチング量依存性は第９図に示
さｎる。この因によｎば、エツチング処理が施されるフ
ェライト基板の結晶方位、すなわち、（１００）面と（
１１１）面とによ、てその表面粗さのエツチング量依存
性は大きく異なる。この表面粗さが後工程で形成さｎる
耐熱性薄膜によって覆いきれない程度にまで達すると、
本発明における耐熱性薄膜かも九ら丁効果は低減すると
考えらｎる。たとえば、（１１１）面の場合、粒径２ｆ
ｉｍのダイヤモンド砥粒を用いて研磨して生じた加工変
質層を除去するために第８因に従って０．３ｐｍ程度の
エツチングが施さｎると、その表面粗さは第９図に示す
ように４０内ｍａ度とな。てしまり。このように表面粗
さが大きくなると、後工程で形成さｎる耐熱性薄膜かも
たら丁効果は低減する。

久に、エツチング処理さｎたギャップ形成面を有するフ
ェライト基板２７を純水に浸すことにより、リン酸を完
全除去し之後、ｌ−１−１−）リクロルエタン、イツビ
ルアルコール、アセトンの順で洗浄する。その後、この
フェライト基板２７をスパッタリング装置内に取付けて
真空引きする。

そのとき、大気中にさらされ几フェライト基板２７の表
面には第７図（ｂ）に示すようにＨ，Ｏ，Ｎ。

Ｃ等の不純物原子２２が吸着する。

このようにしてエツチング処理さ２′Ｌ几フエライト基
板のギャップ形成面を逆スパッタリング処理する工程（
工程Ｃ〕について詳細に説明する。

逆スパッタリング処理に用いらｎるスパッタリング装置
は第１０図に概略的に示さｎる。この図において、フェ
ライト基板２７は負電位に設定さｒＬｅＬ２プレート４
２に取付けらｎ１第４プレート４１は正電位に設定さｎ
る。容器４０内にはＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスが導入さ
ｎ１第１プレート４１と第２プレート４２には外部交流
電源４３によ、て高尚ｉａｔ力が印加される。このよう
にしてスパッタリング装置内に取付けらｆＬ比ラフエラ
イト基板２７、第７図（Ｃ］、第１Ｏ図に示すようにＡ
ｒ”等の不活性ガスイオン２１１ｋによって数十秒すい
し数十分間、逆スパッタリングさ九ることにより、不純
物原子２２が除去さｎる。このとき、逆スパッタリング
におけるフェライト基板２７側に印加する１８．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電圧の負電圧のピーク調整は、シンクロス
コープによりフェライト基板２７にかかる負電圧波形を
観察しながら行なわｎｗ−２００Ｖに設定され次。なお
、フェライト基板２７にかかる烏周波！出の負電位のピ
ーク″ｆニー１０ＱＶ以上にすると、不純物原子２２が
除去さｎず、−５００Ｖ未満であると、フェライト基板
２７の結晶性が破壊されてしまう。一般に、固体表面は
、各原子のボンドがそｎぞれ、相手原子のボンドと結合
し、飽和ボンドを杉皮することによ、て安定状態にある
結晶内部とは異なり、不飽和ボンドが存在し、不安定で
あるため、気体分子と結合して安定状態にな、ている。

この逆スパッタリング処理はこのような原因で吸着した
不純物原子２２を除去することを目的とするものである
。し北がって、不活性ガスイオン２１ａは不純物原子２
２とフェライト基板２７の構成原子２７ａとの結合を切
り離丁のに光分なエネルギを持つ必要がある。一方、不
活性ガスイオン２１ＪＬはフェライト基板２７表面の結
晶性を破壊しｔり、構成原子２７ａを叩き出したり、不
活性ガスがフェライト基板２７の表面内部にまで侵入し
てはならない。このような目的をなす九めには逆スパッ
タリングにおける高周波電圧を調整する必要がある。

上記の逆スパッタリングにおける高周波電圧の調整につ
いて説明する。逆スパッタリングにおける投入パワーが
過小であると、吸着物の除去が不光分となり、過大であ
ると、フェライトウニ八表面の結晶性が破壊されてしま
う。各種の条件で逆スパッタリング処理が行な、わｎ之
ときに、フェライト基板側に印加される高周波電圧の負
側ビーク値の投入電力依存性が第１１図に示さｎる。な
お、第１１図中、Ｘ、Δ、Ｏ印は、そｎぞれの条件で逆
スパッタリング処理がなさｎたフェライト基板について
以下のことが観察さ６次ことを示す。

Ｘ：電子線回折による菊池線パターンを観測し念ところ
、フェライト基板の結晶性が破壊さｎてい九。

Δニブエライト基板の結晶性は破壊されていないが、吸
着物の除去が不充分であると、Ｖえらｎる（そのフェラ
イト基板から製造さｎた磁気ヘッドを用いて再生出力の
周波数特性を測定すると、う゛ねりがｌｄＢ以下にはな
らなかつ７ｔ、　）。

ｏニアエライト基板の結晶注は破壊されておらず、吸着
物の除去も見分であ、念。

第１１図によｎば、逆スパッタリングにおける高周波電
圧の負側ビーク値は、−１００〜−５００ｖの範囲内に
入るように設定することが望ましいことが理解される。

さらに、逆スパッタリング処理がなさｒＬ＊フェライト
基板２７を熱処理（温度３００℃において３０分間呆持
〕することにより、逆スパッタリング時に第７図（ｅ）
に示すようにフェライト基板２７に侵入し次子活性ガス
分子２１ｂを脱ガスによ。

て除去する。これによ、て、フェライト基板２７の表面
層の完全結晶性′ｔ−確保し、第７図（ｄ）に示すよう
な表面の結晶注と完全清浄表面が得らｎる。

なお、フェライト基板２７は高真空のスパッタリング装
置内にあるので、フェライト基板２７表面の構成原子２
７ａの不飽和ボンドには不純物原子が付着することはな
い。但し、この熱処理は逆スパッタリング時の高周派電
圧の調整が適切に行なわｎていて、フェライト基板２７
の表面内部への不活性ガスの侵入がなけｎば省略さｎて
もよい。

次に、上述のように逆スパツタ９ング処理が施さｎたフ
ェライト基板のギャップ形成面に耐熱性薄膜を形成する
工程（第６図の工ａＤ）および強磁性４膜を形成する工
程（工程Ｅ〕について詳細に説明する。。

この耐熱性薄膜を形成する工程および強磁性薄膜を形成
する工程はスパッタリングによ、て行なわｎる。この場
合、スパッタリング装置は第１０図に示さｎる装置が用
いらｎるが、フェライト基板２７が取付けらｎる第２プ
レート４２には正電位が設定さｎ１フエライト基板２７
に対向する第１プレー）４１には耐熱性酸化物または強
磁性金属材料からなるターゲットが取付けらｎ、負電位
に設定される。フェライト基板２７の上面にＦｉＳ、Ｍ
Ｅ ｉｏ２等からなる酎へ薄膜がスパッタリングによ、て約
５ｎｍ程度の膜厚を有するように形成される。

さら１り、この耐熱性薄膜の上にはセンダスト等からな
る強磁性金属薄膜がスパッタリングによ。

て約４μｍ程度の膜厚を有するように形成さｎｌその上
に作動ギャップとなる５ｌｏ２等からなる非磁性薄膜が
約０．１μｍ程度の膜厚を有するように形成さｎる。

この場合、強磁性金属薄膜の形成条件は六と兄ば、以下
のような条件である。高周波マグネ）０ンスパッタリン
グ装置を用いる場合、センダスト合金からなるターゲッ
トに対向してフェライトウニ八が配置さｎ、５ＸＩＱ−
’Ｔｏｒｒ以下の高真空に容器４０が排気さｎた後、Ａ
ｒガス圧５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの雰囲気中において投入
電力５００ＷでＲＦ放電が起こさｎることにより、スパ
ッタリングによる膜形成が行なわれる。一般に、スパッ
タリング法によって形成さｎ、＊センダスト膜は、良好
な軟磁気特性ｔ−得るために熱処理′ｆｒ施す必要があ
ると考えらｎている。この熱処理は、本発明の対象とな
る磁気ヘッドの製造工程においては磁気コア半体が接合
さｎるためのガラス溶着工程で行なわｎる。

このようにして、第６図に示さｎるフェライト基板のギ
ャップ形成面における処理が完了する。。

第１２図〜１１６１．Ｎは以上のように処理さｎ九ギャ
ップ形収面１ｉ−有するフェライト基板を用いて磁気ヘ
ッドが製造さｎる工程を順に示した斜視図ま之は断面図
である。

まず、第１２図（ａ）、！　１２図（ｂＪ　ｉ　参照シ
テ、上述で説明さｎたとおり、耐熱性薄膜１０ａ、１０
ｂ（ＩＪ示せず〕、強磁性金属薄膜１１＆、ｌｌｂ。

作動ギャップとなるＳｉＯ２等からなる非磁性薄膜１２
＆、１２ｂが順に形成さ３ｑＭｎ−７，ｎ系単結晶フェ
ライト基板からなる磁気コア半体部材９＆、９ｂが準備
さｎる。

次に、第１３図（ａ］、第１３図（麹を参照して、そｎ
ぞれ基板の上面にギャップ突き合わせ部のトラック幅相
当分ｉｓａ、１ｓｂだけ残るようにして、トラック幅規
制＠１６ａ、１６ｂ、ｌａｃ、１６ｄがイオンビームエ
ラをング等によって形成さｎる。

さらに、第１４図を参照して、そｎぞｎの基板上面にａ
気コア半体部材受台用のガラスが光填さｎる＠１３８，
１３ｂが（８）転砥石１７等にヨ、テ形成さｎる。

第１５図（＆）、第１５図（可を参照して、ｌｌ述の工
程により形成さｎｆｃ基板を２枚準備し、その一方に巻
ｍｇ１４およびガラス棒挿入＠１３０が形成さｎる。そ
の後、それぞｎの基板のギャップ相当部分を突き合わぜ
た状態でガラス伸挿入溝１３ｅにガラス＋１を挿入して
抑圧加熱することによ、て、そｎぞｎの基板がガラス接
合さｎたブロックが形成される。

このようにして、第１６図に示さｎるブロックが完成す
る。このプａツクｔ−Ａ−Ａ／腺に沿ってコアブロック
に切断し、そｎぞれのテープ摺接面ｙ１（Ｒ付研磨し、
さらに各々切断さ九たコアブロックｉＢ−，Ｂ／線に沿
ってスライスすることにより、第１図ま九は第２図に示
される本発明に従、几磁気ヘッドチップが形成さｎる。

上述の磁気ヘッドの製造方法（第６図の１に示される工
程Ｊ＠］によｎば、磁性の悪い加工変質層２９、非磁性
の不純物原子２０．２２．不活性ガス分子２１ｂ等が完
全に除去さｆＬ次後、完全結晶性のフェライト基板２７
の表面上に強磁性金属薄膜が形成されるので、フェライ
ト基板２７と強磁性金属薄膜との境界部には非磁性体が
介在しておらず、この境界部が擬似ギャップとして作用
することはない。この几め、第２４図に示すよりな境界
面６ａ、５ｂと作動ギャップ２とが平行なタイプの磁気
ヘッドにおいても擬似ギャップによる出力劣下を光分に
抑えることができる。

また、上述の磁気ヘッドの製造方法（８６図のＨまたは
Ｉに示さｎる工程順］によｎば、形成さｎる耐熱性薄膜
１０＆、１０ｂは化学的あるいは熱力学的に安定である
之め、強磁性金属薄膜１１ａ、ｌｌｂが形成されるとき
や、磁気コア半体部材が接合される九めのガラス接合時
において高温下にさらさｎても、耐熱性薄膜１０＆、１
０ｂは強磁性金属薄膜ｔｉａ、ｔｌ＋磁気コア半体９ａ
、９ｂとは反応し難い。特にこの耐熱性薄膜ＩＱａ、ｌ
Ｑｂが、５１０２等の耐熱性材料で＃ｆ成される場合に
は、ガラス質に近い構造であるため、強磁性金属薄膜１
１＆、ｌｌｂの成膜初期層の結晶構造が耐熱性薄膜１０
＆、１０ｂの結晶構造の影響を受けて乱詐ることもほと
んどない。したがつて、Ｍ磁気コア半体ｇａ、ｇｂと強
磁性金属薄膜１１＆、ｌｌｂとの間に存在する擬似ギャ
ップのギャップ長ｇが耐熱性薄膜１０＆、１０ｆ）の膜
厚δより大きくなることはない。すなわち、耐熱薄膜１
０＆、１０ｂの膜厚δを作動ギャップ１２のギャップ長
Ｇよりも光分に小さく設定しておけば、擬似ギャップに
よる再生出力を作動ギャップ１２による再生出力に比べ
て光分に小さく設定することができる。なお、この耐熱
性薄膜１０＆、１０ｂのも次らす効果は、この薄膜が形
成さｎる磁気コア半体ｇａ、ｇｂのギャップ形成面が、
少なくともエラをング処理が施さｎることにより清浄化
さｎていｎば発揮さｎ、さらに逆スパッタリングにより
清浄化されることによ、て強磁性酸化物の結晶が底長し
たままの状態の面を露出していれば大きくなる。

久に、この発明に従、友磁気ヘッドによる、再生出力の
劣化が解消さｎる効果について、周波数特注曲ｉＩを示
すことによって説明する。

砥粒径２ｅｍのダイヤモンド砥粒を用いて鏡面研磨さｆ
Ｌ九ギャップ形成面として（１００）面を有する単結晶
Ｍｎ−Ｚｎフエクイトクエ八へ用いて、第１表に示さｎ
る条件でギャップ形成面を処理し九試料（１ｋ）〜（ｅ
ｌ）　ｔ−準備し友。表中、「工程」は第６図に示さｎ
る工程順′ｔ−あられ丁ものとする。

各試料のギャップ形成面には耐熱性薄膜として膜厚５ｎ
ｍの５ｉｎ２膜、強磁性金属薄膜として膜厚３μｍのセ
ンダスト膜が形成された。なお、試料（ｂ）については
、強磁性金属薄膜のみが形成さｎ友、、作動ギヤラグを
溝底する層としてＳｉＯｗ層が厚み０．１−ｍを有する
よりに形成され九。このようにして得らｆ′Ｌ九各試料
について２枚のフエライトクエへを接合することにより
、磁気ヘッドが作表さｒｔ九。作動ギャップのギャップ
長Ｇは０．２μｍであ、九。

第１表 上述のように作表さｒｔ九各磁気ヘッドを用いて再生出
力の周波数特性曲線が測定さｒｔ九。周波数特注曲線の
測定は、呆磁力Ｈｅが１４０００６程度のメタルテープ
を用い、ヘッド−テープ間相対走行速ｆｆＶ＝８．１ｒ
ｒ１／ｓｃＤ条件テ０．１〜１０　ＭＨｚの周波数スイ
ープ信号を記録し、再生出力がスペクトラムアカライプ
を用いて検出されることにより行なわれ九。

このようにして測定さｎ九各礁気ヘッドによる再生出力
の周波数特性曲線のうねりは第１７因〜第２１図に示さ
ｎる。第１８図および第１９図によれば、リン酸エッを
ング処理および逆スパッタリング処理が施さｎたギャッ
プ形成面に強磁性金ＪＩ！薄膜のみを形成し九磁気ヘッ
ド、あるいはリン酸エツをング処理のみが施され次ギャ
ップ形成面に耐熱性薄膜および強磁性金８薄膜が形成さ
れ九磁気ヘッドについては、擬・似ギャップによるうね
りを解消する効果は同程度であることが理解される。ま
た、第２０図および８２１図によ九ば、再生出力のうね
りの度合はｌｄＢ程度以下に抑えらｎ得ることが理解さ
ｎる。なお、試料（６Ｊ、　（ｅ）による周波数特性曲
線は、ギャップ形成面の処理条件が同一であるにもかか
わらず、第２０図、第２１図に示さｎるように異なるが
、測定される周波数特性曲線のばらつきの範囲と理解さ
ｎる。し九が、て、この発明による耐熱性薄膜がもｔら
丁効果としては、少なくとも第２０因に示さｎる周波数
特性曲線の水準を確保できるものと考えられる。

ま九、リン酸ヱツｔング処理後のギャップ形成面として
の（１００）面の表面粗さが１０ｎｍである磁気コア半
体とｓｏｎｍである磁気コア半体に逆スパッタリング処
理を施した後、上記と同一の条件で耐熱性薄膜、強磁性
金属薄膜およびギャップ層を形成して磁気ヘッドを炸裂
した。この２つの磁気ヘッドを用いて再生出力の周波数
特注曲線のうねりを測定すると、第２０図ま九は８２１
（２）に示されるような曲線が得られ、そｎぞれうねり
の大きさは約９．５ｄＢ、約２ｄＢであ。た。このこと
から、耐熱性薄膜が形成されるギャップ形成面の表面粗
さは、耐熱性薄膜の厚みの少なくともｌＯ倍程度以下に
抑えることが望ましいことが理解さｎる。

さらに、耐熱性薄膜ｉｏａ、１ｏｂの膜厚ａと擬似ギャ
ップによる再生出力の大きさとの関係について説明する
。

一般に、ａ気テープに記録さｎた信号の波長λが作動ギ
ャップ１２のギャップ長Ｇに比べて約２倍以上大きけｎ
ば、作動ギャップ１２による再生出力はギャップ長Ｇに
ほぼ比例する。すなわち、耐熱性薄膜ｉｏａ、ｔｏｂの
膜厚δを作動ギャップ１２のギャップ長Ｇの１７１０以
下にすると、擬似ギャップによる再生出力Ｎと、作動ギ
ャップ１２による再生出力Ｓとの比Ｎ／Ｓは約１７１Ｏ
（＝−２０ｄＢ）以下となり、両側の磁気コア半体９！
Ｌ、９ｂＫ存在する擬似ギャップを考慮しても２Ｎ／８
は１１５（−−１４ｄＢ）以下となり、実質上はとんど
無視できる。さらに、耐熱性薄膜１０ａ、１０ｂの膜厚
δを作動ギャップ１２のギャップ長Ｇの１７２０以下に
すると、２Ｎ／Ｓは１／１０（±−２０ｄＢ）となり、
より効果的である。

上述の耐Ｍ注４膜ａとＮ／Ｓとの関係について、作動ギ
ャップのギャップ長Ｇおよび耐熱性薄膜の膜厚δ以外の
条件ｔ−第１表に示され次試料（ｄＪま九は（６）と同
一条件にして磁気ヘッド倉作展し、以下に示されるよう
に測定した。作動ギャップのギャップ長Ｇが０．２ｐｍ
のａ１５ＦＣヘッドおよび０．４ｆｉｍの磁気ヘッドに
ついて、耐熱注醗ＩＭｔ＋薄膜の膜厚δとＮ／Ｓとの関
係を調べた。各ギャップ長Ｇを有する磁気ヘッドにおい
て、耐熱性薄膜の膜厚δを変化させ念ときの再生出力の
周波数特性のうねりの程度を測定した。この測定は、呆
磁力Ｈａが１４００（ｉ）ｅ程度のメタルチーブを用い
、ヘッド−チー１間相対走行速度マが８．１ｍ／１１の
条件で０．５〜５ＭＨ！ｏ局波数スイープ信号を記録・
再生し、そのときのスペクトラムアナライプで検出され
九第２７図に示すような周波数特注曲線の２〜４ＭＨｚ
ＶＣｂける山と谷との出力比、すなわち、うねりの値Δ
ｅｔ−調べることにより行なわれ九〇このΔＯより、 を用いてＮ／Ｓを求めた。その結果は第２２因、第２３
因に示さｎる。第２２図は第２３図に訃けるδがθ〜１
０ｎＩｎ（２）範囲内の拡大図である。こｎらの図から
、作動ギャップのギャップ長Ｇが０．２μｍのとき、耐
熱性薄膜の膜厚δが２Ｑｎｍで、Ｎ／Ｓが１／１０程度
になり、また、作動ギャップのギャップ長０が０．４μ
ｍのとき、耐熱性薄膜の膜厚δが４０ｎｍでＮ／Ｓが１
／１０程度になることが理解される。丁なわち、耐熱性
薄膜の膜厚δを作動ギャップのギャップ長Ｇの１７１０
以下にすると、Ｎ／Ｓが１７１０以下になることが確認
される。なお、耐熱性薄膜の膜厚ａを作動ギャップのギ
ャップ長Ｇのｌ／２０以下にすると、Ｎ／Ｓが１７２０
以下になることも同様に確認さｎ得る。

また、この耐熱性薄膜の膜厚δが小さすぎると、擬似ギ
ャップによるうねりが解消され得るような膜が形成され
ない。そのため、ギャップ長Ｇが０．２μｍの場合およ
び０．ａｐｒｎの場合において、Ｎ／Ｓを０．１以下に
する友めには膜厚δをｉｎｎ以上にする必要がありｓ　
Ｎ／ＳｔＯ，０５以下にするためには膜厚δｔ−２ｎｍ
以上にする必要がある。

このことは、第２３図によ。て容易に確認され得る。

尚、耐熱性薄膜による以上のような効果は、耐熱性ＲＩ
！ＸがＳｉＯｚ等の酸化物材でｍ成さｎる場合に、より
確実な効果となるが、耐熱性薄膜がＴ１等の高融点金属
材で構成される場合にも、ガラス溶層工程における昇温
か７００℃程度以下に抑えられれば、同様な効果が認め
らｔ″Ｌ次。

（））発明の効果 本発明に依ｎば、磁気コア半体と強磁性金属薄膜との接
合界面が擬似ギャップとしてａｆｆすることにより生じ
る悪影響を充分に抑えることが出来る磁気ヘッド及びそ
の製造方法を提供し得る。

【図面の簡単な説明】 第１図乃至Ｎ１６図は本発明に係り、第１図及び第２図
は夫々磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第３図はａｇＣ
ヘッドのテープ摺接面を示す平面図、第４図はフェライ
ト単結晶を製造する九めに用いらｎる炉を示す断面図、
第５図は炉内の温度分布を示す因、第６図はギャップ形
成面の処理工程を示す概略工程図、第７図はギャップ形
成面の処理の進行状況を示す図、第８図は加工変質層深
さの砥粒径依存性を示す図、第９□□□は表面粗さのエ
ラをング量依存性を示す園、帛１０図はスパッタリング
装ｍを示す模式■、第１１図は逆スパッタリング処理に
おける投入パワーと貴重ピーク電圧との関係を示す図、
稟１２肉、第１３崗、帛１４図、第１５図及び第１６面
は夫々磁気５ツドの製造方法を示す図である。第１７図
、第１８図、第１９図、！２０図及び第２１図は夫々再
生出力の周波数特性面ａｔ−示す図、第２２図及び第２
３因は夫々、耐熱性簿膜の各膜厚厘における再生出力の
比率を示す図である。第２４図乃至第２７図は従来例に
係り、第２４図法び第２５図は夫々磁気ヘッドの外観を
示す斜視面、第２６図は再生信号を示す図、Ｎ２７図は
再生出力の周波数特注を示す図である。 ９　ａ　、　９　ｂ　・・・磁５ＦＣ＝ｒ　７半体、１
０ａ、１０ｂ−・・耐熱性薄膜、ＩＩＪＬ、ｌｌｂ・・
・強磁性金属薄膜、１２・・・作動ギャップ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）強磁性酸化物からなる一対の磁気コア半体のギャ
   ップ形成面上に強磁性金属薄膜を形成し、該強磁性金属
   薄膜同士を非磁性材料を介して突き合わせて作動ギャッ
   プを構成する磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ形成面
   は前記強磁性酸化物の結晶が成長したままの状態の面が
   露出していることを特徴とする磁気ヘッド。
2. （２）前記ギャップ形成面と前記強磁性金属薄膜との間
   に耐熱性薄膜を介在させたことを特徴とする請求項１記
   載の磁気ヘッド。
3. （３）前記耐熱性薄膜の厚みが１ｎｍ以上で、且つ前記
   作動ギャップのギャップ長の１０分の１以下であること
   を特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
4. （４）前記耐熱性薄膜の厚みが２ｎｍ以上で、且つ前記
   作動ギャップのギャップ長の２０分の１以下であること
   を特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
5. （５）前記耐熱性薄膜が酸化物薄膜であることを特徴と
   する請求項２記載の磁気ヘッド。
6. （６）前記酸化物薄膜がＳｉＯ＿２であることを特徴と
   する請求項５記載の磁気ヘッド。
7. （７）前記耐熱性薄膜が高融点金属薄膜であることを特
   徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
8. （８）前記ギャップ形成面の表面粗さが前記耐熱性薄膜
   の厚みの１０倍以下であることを特徴とする請求項２記
   載の磁気ヘッド。
9. （９）強磁性酸化物からなる一対の磁気コア半体のギャ
   ップ形成面上に強磁性金属薄膜を形成し、該強磁性金属
   薄膜同士を非磁性材料を介して突き合わせて作動ギャッ
   プを構成する磁気ヘッドの製造方法において、強磁性酸
   化物からなり前記作動ギャップを形成するために突き合
   わせられるべきギャップ形成面を有する磁気コア半体部
   材を準備する工程と、前記ギャップ形成面が前記強磁性
   酸化物の結晶が成長したままの状態の面を露出するよう
   に前記ギャップ形成面を処理する工程と、前記処理され
   たギャップ形成面上に強磁性金属薄膜を形成する工程と
   を備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
10. （１０）前記ギャップ形成面を処理する工程が前記ギャ
    ップ形成面にエッチング処理を施す工程と、前記ギャッ
    プ形成面を不活性ガスによって逆スパッタリングする工
    程とを含むことを特徴とする請求項９記載の磁気ヘッド
    の製造方法。
11. （１１）前記エッチング処理を施す工程が前記磁気コア
    半体部材をリン酸溶液に浸漬する工程を含むことを特徴
    とする請求項１０記載の磁気ヘッドの製造方法。
12. （１２）前記ギャップ形成面を処理する工程と前記強磁
    性金属薄膜を形成する工程との間に、前記ギャップ形成
    面上に耐熱性薄膜を形成する工程を有することを特徴と
    する請求項９、１０又は１１記載の磁気ヘッドの製造方
    法。