KR100226845B1

KR100226845B1 - 자기헤드

Info

Publication number: KR100226845B1
Application number: KR1019920016740A
Authority: KR
Inventors: 안동훈
Original assignee: 구자홍; 엘지전자주식회사
Priority date: 1992-09-15
Filing date: 1992-09-15
Publication date: 1999-10-15
Also published as: KR940007778A

Abstract

본 발명은 베리어(Barrier)층인 확산 방지막의 조성을 의사갭 효과를 줄이는데 적합한 것으로 한 자기헤드에 관한 것으로, 페라이트 코어에 자성박막이 성막된 자기헤드에 있어서, 페라이트 코어와 자성박막 사이에 (Fe_aAl_bSi_c)_xM_y합금으로 조성하되 중량%로서 80a90, 3b8, 7c13, 80x99.9, 0.1y20이고, M이 Cr 또는 Ti으로 이루어진 확산 방지막이 형성됨을 특징으로 하는 자기헤드에 관한 기술이다.

Description

자기헤드

제1도는 종래 MIG 헤드의 구조도

제2도는 종래 MIG 헤드의 다른 구조도

제3도는 종래 MIG 헤드의 재생 출력 그래프

제4도는 본 발명의 헤드 재생 출력 그래프

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1, 2 : 페라이트 코어 3, 4 : 자성박막

5 : 확산 방지막

본 발명은 자기헤드에 관한 것으로, 특히 베리어(Barrier)층인 확산 방지막을 Fe-Al-Si-Cr합금조성함으로서 의사갭 효과를 줄이는데 적합한 자기헤드에 관한 것이다.

현재, 자기 기록 분야에서는 정보 신호의 고밀도화 추세에 따른 기록 밀도를 높이기 위해서 사용되는 테이프의 항자력(Hc)이 높은 것이 요구된다.

이에 따라 자기헤드 항자력이 큰 기록 매체를 자화시키기 위하여 자기헤드의 포화 자화값을 기록 매체(테이프, 디스크)의 항자력보다 6∼8배 정도커야 기록 재생이 가능하다.

현재 사용되고 있는 산화철계 테이프는 항자력이 600∼800 Oe 정도로 포화자화가 5,500가우스(Gauss)인 Mn-Zn계 페라이트 헤드를 사용하고 있다.

그러나 8㎜ VCR, DAT 등에 사용되는 테이프는 항자력이 1400∼1500 Oe정도로 되기 때문에 상기의 헤드로는 기록 재생이 어려워 고포화 자화값을 갖는 센더스트(Sendust)(Fe-Al-Si계 합금), 퍼멀로이 (Permalloy)(Fe-Ni계 합금), Sofmax(Fe-Si- Ga-Ru계 합금)등과 같은 합금 자성막을 갭사이에 성막하거나 의사 갭 효과를 줄이기 위해 페라이트와 자성막 사이에 Cr, SiO_2,Fe-N과 같은 물지로 베리어막인 확산 방지층을 성막한다.

이러한 헤드를 MIG(Metal-In-Gap)헤드라 한다.

제 1 도는 MIG형 자기헤드 구조로서, 페라이트 코어(1)(2)에 트랙홈(미도시)과 권선홈(미도시)을 가공하고 스퍼터링 방법으로 헤드갭 접합면에 자성박막(3)(4)을 성막하거나, 제 2 도에 도시된 바와 같이 트랙홈(미도시)과 권선홈(미도시)이 가공된 페라이트 코어(1)(2) 접합면에 확산 방지막(5)을 성막하고 그 위에 자성박막(3)(4)을 성막한다.

그 다음, 이런 페라이트를 맞대어 누설 자속을 형성하기 위하여 갭물질(6)을 성막한 후 권선홈에 글라스(Glass)(7)를 넣어 고온에서 본딩하고 본딩된 바(Bar)를 절단하여 단위편의 자기헤드를 얻게 된다.

이와 같은 종래 구조에서 제 1 도에 도시된 바와 같이 자성박막(3)(4)만을 입힌 경우는 글라스(7)를 사용하여 고온에서 접합시 자성박막(3)(4)과 페라이트(1)(2) 사이에 비자성층이 형성되어 의사갭(Psudo Gap) 효과를 나타내며 재생시 노이즈(Noise)의 원인이 되는 등 헤드 특성을 열화시킨다.

즉, 제 3 도에 도시된 바와 같이 헤드 출력에 의사갭 효과에 의한 기복이 생긴다.

따라서 이를 개선한 것이 제2도로서, Cr 또는 SiO₂등과 같은 확산 방지막(5)을 형성하고 있으나 이 경우 막이 너무 얇으면 효과가 없고 너무 두꺼우면 막자체가 의사갭 역할을 하게 되어 헤드 특성을 저하시키는 문제점이 있다.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 확산 방지막 재료를 센더스트와 같은 합금에 Cr 또는 Ti 원소를 첨가시킨 재질로 함으로서 의사갭 효과를 줄이도록 한 자기헤드를 제공하는데 그 목적이 있다.

이하 본 발명은 설명한다.

본 발명은 페라이트 코어에 센더스트(Sendust)(Fe-Al-Si계 합금) 등과 같은 자성박막이 성막된 자기헤드에 있어서, 페라이트 코어와 자성막 사이에 중량%로서 (Fe_aAl_bSi_c)_xCr_y합금으로 된 확산 방지막을 형성한 자기헤드로 되어진다.

상기 산식에서 80a90, 3b8, 7c13이고, 80x99.9, 0.1y20으로 되어 있다. 이와 같이 센더스트를 모합금으로 한 것에 Cr 또는 Ti 를 첨가한 확산 방지막을 형성하면 그 두께를 어느 정도 두껍게 하여도 충분한 확산 방지막이 형성되면서도 막자체의 의사갭 효과가 없기 때문에 효율적인 확산 방지막의 역할을 할 수 있게 된다.

이때 Cr 또는 Ti 양이 0.1중량%부터 20중량% 사이에 있는 것이 바람직하다.

이들의 양이 0.1중량%미만이면 확산 방지막층의 역할이 불충분하고 20중량%를 초과하면 포화 자화값이 떨어져 확산 방지막 자체가 의사갭 효과를 하게 된다.

또한, 이때의 두께는 50Å부터 1000Å범위로 함이 바람직하다.

이하 실시예를 통하여 설명한다.

단결정 페라이트(C-코어, I-코어) 블럭을 소정의 형상으로 가공한 후 대향면 랩핑을 0.1M 다이아몬드 슬러리(diamond slurry)로 마무리한 후 세척한다.

상기 세척된 블록을 스퍼터링 공정을 한다.

이때 사용되는 타아겟(target)은 각각 Fe₈₅Al₆Si₉와 (Fe₈₅Al₆Si₉)₉₀Cr₁₀의 조성을 갖는 캐스팅 타입의 4″직경의 타아겟을 준비한다.

먼저, 페라이트 블록을 스퍼터 에칭(Sputter etching)한 후 확산 방지막으로서의 (Fe₈₅Al₆Si₉)₉₀Cr₁₀조성 합금의 타아겟으로 RF power 500w, Ar 분위기에서 5m Torr의 조건으로 약 800Å의 박막을 형성시킨다.

다음에 Fe₈₅Al₆Si₉의 조성 합금의 타아겟으로 상기와 동일한 조건으로 하여 약 6M의 자성박막을 형성시킨다.

즉, 페라이트 코어에 확산 방지막, 자성 박막층을 순차적으로 성막시킨다.

이와 같이 형성된 본 발명의 헤드 출력은 제 4 도에 나타낸 바와 같이 출력의 불균일성이 거의 보이지 않는 것을 알 수 있고, 확산 방지막이 자성박막과의 부착력이 좋아 막두께 증가에 따른 박리 현상을 개선할 수 있는 자기헤드를 얻게 된다.

Claims

페라이트 코어에 자성박막이 성막된 자기헤드에 있어서, 페라이트 코어와 자성박막 사이에 (Fe_aAl_bSi_c)_xCr_y또는 Ti_y로 조성하되 80a90, 3b8, 7c13, 80x99.9, 0.1y20중량%로 조성된 확산 방지막이 형성됨을 특징으로 하는 자기헤드.