JP3081229B2 - Ｍｉｇ型磁気ヘッド - Google Patents
Ｍｉｇ型磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP3081229B2 JP3081229B2 JP02303040A JP30304090A JP3081229B2 JP 3081229 B2 JP3081229 B2 JP 3081229B2 JP 02303040 A JP02303040 A JP 02303040A JP 30304090 A JP30304090 A JP 30304090A JP 3081229 B2 JP3081229 B2 JP 3081229B2
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- Japan
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- chromium
- ferrite core
- magnetic head
- infiltration layer
- type magnetic
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、抗磁力Hcの高い磁気記録媒体の記録再生や
消去に使用可能なMIG型磁気ヘッドに関する。
消去に使用可能なMIG型磁気ヘッドに関する。
（発明の概要） 本発明は、抗磁力Hcの高い磁気記録媒体の記録再生や
消去に使用可能なMIG型磁気ヘッドにおいて、フェライ
トコアのギャップ端に設ける強磁性金属薄膜と当該フェ
ライトコアとの強固な付着力を得るとともに、強磁性金
属薄膜とフェライトコアの界面に起因する副パルスの影
響を極力抑制するようにしたものである。
消去に使用可能なMIG型磁気ヘッドにおいて、フェライ
トコアのギャップ端に設ける強磁性金属薄膜と当該フェ
ライトコアとの強固な付着力を得るとともに、強磁性金
属薄膜とフェライトコアの界面に起因する副パルスの影
響を極力抑制するようにしたものである。
（従来の技術） 近年、磁気記録の高密度化に伴う磁気記録媒体の高Hc
化に対応するため、磁気ヘッドにおいて、磁気回路材料
に高飽和磁化の材料を用いることが重要となっている。
その中でもMIG（Metal in Gap）型磁気ヘッドは、従来
のフェライトヘッドの磁気ギャップにスパッタ法等によ
りセンダスト（Fe−Si−Al）、パーマロイ等の高飽和磁
化の強磁性金属薄膜を形成することにより、容易に高い
記録再生能力を有する高Hc媒体対応の磁気ヘッドが得ら
れる。
化に対応するため、磁気ヘッドにおいて、磁気回路材料
に高飽和磁化の材料を用いることが重要となっている。
その中でもMIG（Metal in Gap）型磁気ヘッドは、従来
のフェライトヘッドの磁気ギャップにスパッタ法等によ
りセンダスト（Fe−Si−Al）、パーマロイ等の高飽和磁
化の強磁性金属薄膜を形成することにより、容易に高い
記録再生能力を有する高Hc媒体対応の磁気ヘッドが得ら
れる。
（発明が解決しようとする課題） しかし、このMIG型磁気ヘッドの大きな問題点とし
て、フェライトコアと強磁性金属薄膜の熱膨張率の違い
に起因して強磁性金属薄膜のフェライトコアに対する付
着性が悪いこと、また、強磁性金属薄膜とフェライトコ
アの界面に非磁性酸化膜からなる第２の磁気ギャップが
形成され、副パルスの原因となることが挙げられる。
て、フェライトコアと強磁性金属薄膜の熱膨張率の違い
に起因して強磁性金属薄膜のフェライトコアに対する付
着性が悪いこと、また、強磁性金属薄膜とフェライトコ
アの界面に非磁性酸化膜からなる第２の磁気ギャップが
形成され、副パルスの原因となることが挙げられる。
なお、MIG型磁気ヘッドの１例として特開昭63−53706
号が挙げられるが、ここで開示されているものは、第２
の磁気ギャップによる副パルスを積極的に利用するもの
であり、副パルスの抑制を目的とするものではなかっ
た。
号が挙げられるが、ここで開示されているものは、第２
の磁気ギャップによる副パルスを積極的に利用するもの
であり、副パルスの抑制を目的とするものではなかっ
た。
本発明は、上記の点に鑑み、フェライトコアと強磁性
金属薄膜の付着力を十分大きくするとともにフェライト
コアと強磁性金属薄膜の界面に起因する副パルスを極力
抑制可能にしたMIG型磁気ヘッドを提供することを目的
とする。
金属薄膜の付着力を十分大きくするとともにフェライト
コアと強磁性金属薄膜の界面に起因する副パルスを極力
抑制可能にしたMIG型磁気ヘッドを提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明は、ギャップを有
する磁気回路をフェライトコアで構成し、前記フェライ
トコアのギャップ端に強磁性金属薄膜を形成したMIG型
磁気ヘッドにおいて、前記フェライトコアのギャップ端
側の表面層が、フェライトに対してクロム、クロム合金
又はクロム酸化物を浸潤せしめてなる50乃至200Åのク
ロム、クロム合金又はクロム酸化物の浸潤層となった構
成としている。
する磁気回路をフェライトコアで構成し、前記フェライ
トコアのギャップ端に強磁性金属薄膜を形成したMIG型
磁気ヘッドにおいて、前記フェライトコアのギャップ端
側の表面層が、フェライトに対してクロム、クロム合金
又はクロム酸化物を浸潤せしめてなる50乃至200Åのク
ロム、クロム合金又はクロム酸化物の浸潤層となった構
成としている。
（作用） 本発明のMIG型磁気ヘッドにおいては、フェライトコ
アのギャップ端側の表面層が50〜200Åのクロム、クロ
ム合金又はクロム酸化物の浸潤層となっているため、そ
の浸潤層の存在によりフェライトコア表面に対する該浸
潤層と同材質のクロム、ウロム合金又はクロム酸化物膜
の接着力を強力にすることができ、さらにクロム、クロ
ム合金又はクロム酸化物膜とセンダスト、パーマロイ等
の高飽和磁化強磁性金属薄膜間は熱膨張係数が近いので
付着力を十分強力なものとすることができる。また、50
〜200Åの浸潤層の範囲であれば副パルスの発生を強力
に抑制することができる。すなわち、浸潤層であるため
完全な非磁性とはならず、換言すれば完全な非磁性ギャ
ップとはならず、従って副パルスの発生が殆どなく、パ
ルス記録再生時のパルス幅も広がらず時間遅れも生じな
い。
アのギャップ端側の表面層が50〜200Åのクロム、クロ
ム合金又はクロム酸化物の浸潤層となっているため、そ
の浸潤層の存在によりフェライトコア表面に対する該浸
潤層と同材質のクロム、ウロム合金又はクロム酸化物膜
の接着力を強力にすることができ、さらにクロム、クロ
ム合金又はクロム酸化物膜とセンダスト、パーマロイ等
の高飽和磁化強磁性金属薄膜間は熱膨張係数が近いので
付着力を十分強力なものとすることができる。また、50
〜200Åの浸潤層の範囲であれば副パルスの発生を強力
に抑制することができる。すなわち、浸潤層であるため
完全な非磁性とはならず、換言すれば完全な非磁性ギャ
ップとはならず、従って副パルスの発生が殆どなく、パ
ルス記録再生時のパルス幅も広がらず時間遅れも生じな
い。
なお、浸潤層が50Åよりも小さいと浸潤層と同材質の
膜の接着力が急激に低下し、200Åよりも大きくなると
副パルスの発生が無視できなくなることが判明した。
膜の接着力が急激に低下し、200Åよりも大きくなると
副パルスの発生が無視できなくなることが判明した。
（実施例） 以下、本発明に係るMIG型磁気ヘッドの実施例を図面
に従って説明する。
に従って説明する。
第１図において、１はギャップを有する磁気回路の大
部分を構成するフェライトコアであり、該フェライトコ
アの一方のギャップ端側には例えばクロム（Cr）の下地
膜をスパッタ法等で付着させた後熱処理してフェライト
コア側に浸潤せしめることによりクロムの浸潤層2Aが得
られる。ここで、浸潤層とは、フェライト上に設けられ
た下地膜（例えばクロム膜）が熱処理によってフェライ
トに拡散する部位（表面層）を指す。該浸潤層2Aの厚さ
Ｔは50〜200Åの範囲内に設定される。浸潤層2Aの表面
には浸潤しないで残ったごく薄いクロム膜２が存在し、
その上にセンダスト、パーマロイ等の高飽和磁化の強磁
性金属薄膜３が形成される。４は金属薄膜３とフェライ
トコア１との間に非磁性ギャップ（磁気ギャップ）を構
成するためのガラスである。
部分を構成するフェライトコアであり、該フェライトコ
アの一方のギャップ端側には例えばクロム（Cr）の下地
膜をスパッタ法等で付着させた後熱処理してフェライト
コア側に浸潤せしめることによりクロムの浸潤層2Aが得
られる。ここで、浸潤層とは、フェライト上に設けられ
た下地膜（例えばクロム膜）が熱処理によってフェライ
トに拡散する部位（表面層）を指す。該浸潤層2Aの厚さ
Ｔは50〜200Åの範囲内に設定される。浸潤層2Aの表面
には浸潤しないで残ったごく薄いクロム膜２が存在し、
その上にセンダスト、パーマロイ等の高飽和磁化の強磁
性金属薄膜３が形成される。４は金属薄膜３とフェライ
トコア１との間に非磁性ギャップ（磁気ギャップ）を構
成するためのガラスである。
なお、浸潤層2Aは前記下地膜を前記フェライトコアの
一方のギャップ端面に付着させた後、前記非磁性ギャッ
プとなるガラス４を流し込む際、又はガラス流し込みの
前に400℃以上の加熱を長めに実行することにより、簡
単に得られることが判明した。また、前記下地膜の膜厚
と前記浸潤層2Aの厚さＴとは以下の関係となる。
一方のギャップ端面に付着させた後、前記非磁性ギャッ
プとなるガラス４を流し込む際、又はガラス流し込みの
前に400℃以上の加熱を長めに実行することにより、簡
単に得られることが判明した。また、前記下地膜の膜厚
と前記浸潤層2Aの厚さＴとは以下の関係となる。
浸潤層2Aの厚さＴ＝クロム（下地膜成膜厚−浸潤しない
で残った層厚）がフェライト中に浸潤している層の厚さ 次に、上記実施例の効果をパルス信号再生時の副パル
スの大きさで説明する。第２図は浸潤層の厚みが30Å、
第３図は50Å、第４図は200Å、第５図は250Åの場合の
信号再生波形である。また、第６図は浸潤層のない従来
の場合である。従来の第６図では副パルスの大きさが主
パルスの大きさの20％ぐらい出ているが、30Å〜200Å
の範囲の第２図乃至第４図では副パルスの大きさが３％
以下である。また、250Åの場合の第５図では副パルス
が少し大きく、５％程度に増えている。これは、浸潤層
の厚みそのものの増大により、浸潤層及び浸潤しないで
残ったクロム薄膜自身が非磁性ギャップになってしまっ
たことによると思われる。従って、浸潤層の厚みがもっ
と増えると副パルスの大きさはさらに増大していく。こ
れらの副パルスの大きさ及びフェライトコアに対する付
着力を考慮すると、浸潤層の厚さは実施例で述べた50〜
200Åの範囲が最適であるといえる。
で残った層厚）がフェライト中に浸潤している層の厚さ 次に、上記実施例の効果をパルス信号再生時の副パル
スの大きさで説明する。第２図は浸潤層の厚みが30Å、
第３図は50Å、第４図は200Å、第５図は250Åの場合の
信号再生波形である。また、第６図は浸潤層のない従来
の場合である。従来の第６図では副パルスの大きさが主
パルスの大きさの20％ぐらい出ているが、30Å〜200Å
の範囲の第２図乃至第４図では副パルスの大きさが３％
以下である。また、250Åの場合の第５図では副パルス
が少し大きく、５％程度に増えている。これは、浸潤層
の厚みそのものの増大により、浸潤層及び浸潤しないで
残ったクロム薄膜自身が非磁性ギャップになってしまっ
たことによると思われる。従って、浸潤層の厚みがもっ
と増えると副パルスの大きさはさらに増大していく。こ
れらの副パルスの大きさ及びフェライトコアに対する付
着力を考慮すると、浸潤層の厚さは実施例で述べた50〜
200Åの範囲が最適であるといえる。
なお、上記実施例ではクロムの浸潤層を例にとって説
明したが、クロム合金、クロム酸化物の浸潤層を形成す
るようにしても差し支えない。
明したが、クロム合金、クロム酸化物の浸潤層を形成す
るようにしても差し支えない。
また、非磁性ギャップをはさんで両側に強磁性金属薄
膜を形成する場合には、フェライトコアの両ギャップ端
に浸潤層を設ければよい。
膜を形成する場合には、フェライトコアの両ギャップ端
に浸潤層を設ければよい。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明のMIG型磁気ヘッドによ
れば、フェライトコアに対する強磁性金属薄膜の付着力
を十分強力なものとすることができるとともに、フェラ
イトコアと強磁性金属薄膜間の界面に起因する副パルス
の発生を極力抑制することができる。
れば、フェライトコアに対する強磁性金属薄膜の付着力
を十分強力なものとすることができるとともに、フェラ
イトコアと強磁性金属薄膜間の界面に起因する副パルス
の発生を極力抑制することができる。
第１図は本発明に係るMIG型磁気ヘッドの実施例を示す
断面図、第２図は浸潤層が30Åのときのパルス信号再生
波形を示す波形図、第３図は50Åのときのパルス信号再
生波形を示す波形図、第４図は200Åのときのパルス信
号再生波形を示す波形図、第５図は250Åのときの信号
再生波形を示す波形図、第６図は従来の場合の信号再生
波形を示す波形図である。 １……フェライトコア、2A……浸潤層、２……クロム
膜、３……強磁性金属薄膜、４……ガラス。
断面図、第２図は浸潤層が30Åのときのパルス信号再生
波形を示す波形図、第３図は50Åのときのパルス信号再
生波形を示す波形図、第４図は200Åのときのパルス信
号再生波形を示す波形図、第５図は250Åのときの信号
再生波形を示す波形図、第６図は従来の場合の信号再生
波形を示す波形図である。 １……フェライトコア、2A……浸潤層、２……クロム
膜、３……強磁性金属薄膜、４……ガラス。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−273305（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−171408（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−173306（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−100714（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−311611（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/127 - 5/255
Claims (1)
- 【請求項１】ギャップを有する磁気回路をフェライトコ
アで構成し、前記フェライトコアのギャップ端に強磁性
金属薄膜を形成したMIG型磁気ヘッドにおいて、前記フ
ェライトコアのギャップ端側の表面層が、フェライトに
対してクロム、クロム合金又はクロム酸化物を浸潤せし
めてなる50乃至200Åのクロム、クロム合金又はクロム
酸化物の浸潤層となっていることを特徴とするMIG型磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02303040A JP3081229B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | Ｍｉｇ型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02303040A JP3081229B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | Ｍｉｇ型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04176005A JPH04176005A (ja) | 1992-06-23 |
| JP3081229B2 true JP3081229B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=17916200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02303040A Expired - Fee Related JP3081229B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | Ｍｉｇ型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3081229B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP02303040A patent/JP3081229B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04176005A (ja) | 1992-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080623 Year of fee payment: 8 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623 Year of fee payment: 9 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |